中子诱发 Alpha 粒子发射的 DDX 数据测量进展

中子诱发 Alpha 粒子发射的 DDX 数据测量进展

一、中子引起的α粒子发射DDX数据测量进展(论文文献综述)

闫学文,李华,李德源,李会,牛蒙青,乔霈[1](2022)在《基于SOI微剂量实验测量技术的研究现状与展望》文中指出对目前微剂量测量中常用的组织等效正比计数器(TEPC)和基于绝缘体上硅(SOI)技术的微剂量计的特点和研究现状进行了分析,对比了二者的优缺点,指出TEPC在微剂量实验测量方面存在的缺陷。重点分析了SOI微剂量计的研究现状,对五代SOI微剂量计的物理设计结构作了详细说明,并对其在中子、质子和重离子微剂量测量方面以及组织等效转换方面的研究现状进行了详细分析,指出该技术目前存在的问题,并在此基础上对其发展前景进行了展望。

武蕊,范东海,康阳,万鑫,郭晨,魏登科,陈冬雷,王涛,查钢强[2](2021)在《半导体辐射探测材料与器件研究进展》文中指出自从1895年伦琴发现X射线以来,辐射探测技术快速发展,被广泛应用于医疗影像、安检安防、工业无损检测、核安全监测、资源勘探、基础科学和空间科学等诸多领域。从探测材料和工作原理划分,辐射探测器主要可分为气体探测器、闪烁体探测器和半导体探测器。本文从各类射线与半导体材料的相互作用以及半导体探测器工作原理和信号处理过程入手,探讨了不同辐射类型、不同应用需求对半导体辐射探测器的性能要求以及探测器设计要点,并按照元素族序的顺序对半导体材料在辐射探测领域的性能表现和研究进展进行了综述。

石国柱[3](2021)在《极端丰质子核26,27P与27S的奇特衰变实验研究》文中认为远离β稳定线奇特核的合成及其性质研究一直处于核物理的前沿领域,它们通常有较大β衰变能和较小的粒子分离能,更多β延迟粒子发射的衰变道被打开,其缓发粒子将成为重要的实验观测量,而近滴线核的奇特衰变研究不仅为核内有效相互作用与基本对称性、核结构及天体核合成等关键问题提供重要的信息,也是人们对原子核稳定存在极限的一种探索。深入研究极端条件下的奇特核结构及其衰变性质不仅有助于检验、修正和发展现有的理论模型还将不断深化对物质微观结构、宇宙演化及元素起源的认识与理解。本论文工作是在中国科学院近代物理研究所放射性束流线(RIBLL)上开展了极端丰质子核26P,27P与27S的β衰变实验,能量为80.6 Me V/u的主束32S16+通过轰击1581μm厚的9Be初级靶发生弹核碎裂反应产生感兴趣的目标核素,碎片及反应产物经RIBLL1在束分离和净化,利用磁刚度–能损–飞行时间(Bρ–ΔE–To F)方法对次级束粒子进行鉴别。在连续束模式下将一定比例目标核注入厚度分别为142μm、40μm和304μm的三块双面硅条探测器(DSSDs)中,以兼顾对带电粒子的低能探测阈值与高能探测效率实现优势互补,并测量随后衰变信号的能量、位置和时间关联信息。在束流上下游分别放置不同厚度的四分硅探测器(QSDs)实现各种重离子、轻粒子以及电子的符合测量,管道外安装五个Clover型的HPGe探测器测量γ射线。同时采用循环酒精冷却、前沿定时甄别、双面硅条探测器的正背面符合等一系列测量技术提高信噪比,实现在高探测效率、低探测能量阈值下对衰变事件的直接精确测量。本次26P实验中,获得了符合已有文献的实验结果,包括半衰期、带电粒子能谱、衰变分支比、log ft、Gamow-Teller跃迁强度、γ射线谱与衰变纲图等。其中给出26P的半衰期43.6±0.3 ms与文献值符合较好。基于p-γ射线符合测量鉴别各种衰变成分,并结合注入硅探测器的26P粒子总数可计算其衰变分支比。对前人工作中部分质子的衰变路径进行重新指认,确认了26Pβ延迟发射的两质子峰1998(2)ke V,4837(7)ke V对应的新初末态能级。首次发现来自26Pβ延迟衰变的能量为4205(11)ke V和7842(6)ke V两个新质子峰。其中能量为7842(6)ke V质子远高于从子核26Si的同位旋相似态(IAS)布居至25Al基态发射的质子能量,确认此峰源于IAS之上的激发能级发射的质子。而基于p-γ符合表明能量为4205(11)ke V质子峰可与1367 ke V的γ射线符合,进而指认它是来自26Pβ延迟质子衰变至24Mg第一激发态[Ex=1369(1)ke V,Jπ=2+]发射的双质子。通过计算子核26Si的激发能发现两个质子峰来自同一激发能级,其激发能为Ex=13357(12)ke V,分支比和log ft值为0.78(5)%和3.78(6),其log ft值在容许Gamow-Teller跃迁中是非常小的,深入理解强跃迁的来源将具有重要意义。与以往观测布居至到IAS的Fermi延迟双质子发射不同,一种新的衰变模式Gamow-Teller延迟双质子发射被确认。利用多种哈密顿量的壳模型计算结果,新观测的激发态的分支比出乎意料的强。通常情况下单质子发射比双质子发射具有更大的衰变能,实验上却得到比单质子发射大许多的双质发射分支,超强的G-T跃迁概率和大分支比均表明目前的理论可能在全部核区内低估了GT2p发射的概率,将为今后的实验和理论研究带来新的机遇。并合作开展了一些壳模型理论计算,更详细的定量分析正在进行中。本次实验中27P与26P伴随产生,由于27P具有极低的β延迟质子衰变分支以及在低能区较强的β叠加本底,将会对低能质子的信噪比产生不利影响,导致此次实验并未观测到可识别的质子峰。而连续束模式下有足够时间长度扩大拟合范围以准确地进行半衰期拟合,利用指数衰减加常数本底的方式拟合27P衰变时间谱得到比之前文献更精确的半衰期263.1±10.9 ms。并计算了27P与镜像核27Mg相似能级跃迁的δ值,在误差范围内未发现27P与27Mg存在同位旋对称性破缺。同时本论文为研究27S的β2p发射机制开展了双质子角关联的测量工作。在5 Me V以上27S衰变带电粒子谱上发现一个由27P的IAS跃迁至25Al基态的能量为6372(15)ke V,分支比为2.4(5)%的双质子峰,在实验上首次得到了双质子发射的角关联。基于实验结果和Monte Carlo模拟对比,发现27S的β2p发射的主要为级联发射机制。

杨万里[4](2021)在《手足表面α、β污染检测仪的研制》文中认为

苑旭东[5](2021)在《核反应堆结构材料精细活化计算方法研究》文中指出

梅法[6](2021)在《空间辐照下激光通信终端掺铒光纤辐射衰减研究》文中研究说明

潘琬婷[7](2021)在《利用高强度伽马源产生核同质异能素的模拟研究》文中指出

张毅[8](2021)在《卫星光通信EDFA增益光纤导热胶热特性及抗辐照特性研究》文中认为

于鑫[9](2021)在《发动机主轴轴承材料抗疲劳性能衰退的高通量实验方法》文中认为

霍东英,刘昌奇,韩超,吴康,胡志杰,户志鸣,于筱雪,姚泽恩,韦峥[10](2021)在《56,54Fe(n,α)53,51Cr,56,54Fe(n,p)56,54Mn反应截面计算及普适性模型参数优化研究》文中研究说明基于中子与Fe发生反应产生"氢泡",及"氦泡"对新型核能利用系统壁材料的影响,开展了中子诱发56,54Fe(n,α)53,51Cr, 56,54Fe(n,p)56,54Mn反应截面计算研究工作。本工作根据现有的56,54Fe(n,α)53,51Cr,56,54Fe(n,p)56,54Mn反应实验数据、评价数据,对TALYS程序调用的物理模型(包括能级密度、对修正、核温度、光学势参数等)进行参数调校,得到了一组普适性强的模型参数。基于调校的参数,本工作采用核反应程序TALYS理论计算56,54Fe(n,α)53,51Cr, 56,54Fe(n,p)56,54Mn反应的截面、能量微分截面以及双微分截面,全部数据都能与实验数据、评价数据符合较好,且适用于较宽的中子能量区间0~175 MeV。本工作提出了56,54Fe(n,α)53,51Cr, 56,54Fe(n,p)56,54Mn反应的普适性模型参数,促进了核反应理论的发展,为核数据的评价奠定了基础。

二、中子引起的α粒子发射DDX数据测量进展(论文开题报告)

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

三、中子引起的α粒子发射DDX数据测量进展(论文提纲范文)

(1)基于SOI微剂量实验测量技术的研究现状与展望(论文提纲范文)

1 微剂量学研究对象
2 微剂量测量手段
    (1)组织等效正比计数器(TEPC):
    (2)SOI微剂量计:
3 TEPC测量技术
4 SOI微剂量测量技术
    4.1 物理结构
        4.1.1 第一代SOI微剂量计
        4.1.2 第二代SOI微剂量计
        4.1.3 第三代SOI微剂量计
        4.1.4 第四代SOI微剂量计
        4.1.5 第五代SOI微剂量计
    4.2 中子、质子及重离子微剂量测量
        4.2.1 中子微剂量测量
        4.2.2 质子及重离子微剂量测量
    4.3 组织等效转换
5 展望与讨论
    (1)物理结构设计方面:
    (2)中子、质子及重离子微剂量的测量:
    (3)组织等效方面:

(2)半导体辐射探测材料与器件研究进展(论文提纲范文)

0 引 言
1 辐射与物质的相互作用
    1.1 α粒子和β射线
    1.2 X射线和γ射线
    1.3 中 子
2 半导体辐射探测器的原理、性能和设计
    2.1 半导体探测器的工作原理
    2.2 半导体材料对辐射探测性能的影响
    2.3 半导体辐射探测器的设计要点
        2.3.1 X射线探测器
        2.3.2 伽马射线探测器
        2.3.3 α粒子探测器
        2.3.4 β射线探测器
        2.3.5 中子探测器
3 典型的半导体辐射探测材料
    3.1 ⅣA族
        3.1.1 锗基和硅基探测器
        3.1.2 金刚石和碳化硅探测器
    3.2 ⅢA-ⅤA族
        3.2.1 砷化镓探测器
        3.2.2 氮化硼和锑化铟探测器
    3.3 ⅡB-ⅥA族
        3.3.1 碲化镉、碲锌镉和碲锰镉探测器
        3.3.2 非晶硒探测器
    3.4 其他族序
        3.4.1 钙钛矿探测器
        3.4.2 溴化铊和含碘半导体探测器
4 半导体辐射探测器的发展
    (1)半导体辐射探测材料的制备和处理。
    (2)半导体辐射探测器的设计与制备。
    (3)辐射探测与成像系统集成与应用开发。

(3)极端丰质子核26,27P与27S的奇特衰变实验研究(论文提纲范文)

中文摘要
Abstract
第一章 引言
    1.1 放射性核束物理的发展及意义
    1.2 奇特核的衰变
    1.3 β衰变的特性
        1.3.1 β衰变的基础知识
        1.3.2 β延迟质子发射
        1.3.3 同位旋对称性破缺
        1.3.4 注入-衰变法
    1.4 本章小结
第二章 相关核素的研究综述
    2.1 ~(26)Pβ衰变研究
        2.1.1 M.D.Cable的研究(1982)
        2.1.2 J.Honkanen的研究(1983)
        2.1.3 M.D.Cable的研究(1984)
        2.1.4 J.C.Thomas的研究(2004)
        2.1.5 D.Perez-Loureiro的研究(2016)
        2.1.6 RIBLL合作组的研究(2020)
    2.2 ~(27)Pβ衰变研究
        2.2.1 J.Aysto的研究(1985)
        2.2.2 T.J.Ognibene的研究(1996)
        2.2.3 Y.Togano的研究(2011)
        2.2.4 E.McCleskey的研究(2016)
    2.3 ~(27)Sβ衰变研究
        2.3.1 V.Borrel的研究(1991)
        2.3.2 G.Canchel的研究(2001)
        2.3.3 (?).Janiak的研究(2017)
        2.3.4 RIBLL合作组的研究(2020)
    2.4 本章小结
第三章 实验装置与探测器刻度
    3.1 兰州放射性束流线(RIBLL)
        3.1.1 装置综述
        3.1.2 结构和特点
        3.1.3 RIB的粒子鉴别
    3.2 探测器阵列
    3.3 电子学设置与数据获取系统
    3.4 HPGe探测器的刻度
        3.4.1 能量刻度
        3.4.2 探测效率刻度
    3.5 硅探测器的刻度
        3.5.1 低增益信号的刻度
        3.5.2 高增益信号的刻度
    3.6 本章小结
第四章 ~(26)P数据分析与结果
    4.1 次级束离子的鉴别
    4.2 衰变时间谱
    4.3 带电粒子能谱
    4.4 衰变分支比
    4.5 γ射线谱
    4.6 衰变纲图
    4.7 本章小结
第五章 ~(27)P的数据分析与结果
    5.1 次级束离子鉴别
    5.2 衰变时间谱
    5.3 带电粒子能谱
    5.4 γ射线谱
    5.5 同位旋非对称性参数的计算
    5.6 本章小结
第六章 ~(27)S数据分析与结果
    6.1 带电粒子能谱
    6.2 双质子发射角关联的计算
第七章 总结与展望
    7.1 总结
    7.2 展望
参考文献
在学期间的研究成果
致谢

四、中子引起的α粒子发射DDX数据测量进展(论文参考文献)

  • [1]基于SOI微剂量实验测量技术的研究现状与展望[J]. 闫学文,李华,李德源,李会,牛蒙青,乔霈. 辐射防护, 2022(01)
  • [2]半导体辐射探测材料与器件研究进展[J]. 武蕊,范东海,康阳,万鑫,郭晨,魏登科,陈冬雷,王涛,查钢强. 人工晶体学报, 2021(10)
  • [3]极端丰质子核26,27P与27S的奇特衰变实验研究[D]. 石国柱. 兰州大学, 2021(01)
  • [4]手足表面α、β污染检测仪的研制[D]. 杨万里. 南华大学, 2021
  • [5]核反应堆结构材料精细活化计算方法研究[D]. 苑旭东. 南华大学, 2021
  • [6]空间辐照下激光通信终端掺铒光纤辐射衰减研究[D]. 梅法. 哈尔滨工业大学, 2021
  • [7]利用高强度伽马源产生核同质异能素的模拟研究[D]. 潘琬婷. 南华大学, 2021
  • [8]卫星光通信EDFA增益光纤导热胶热特性及抗辐照特性研究[D]. 张毅. 哈尔滨工业大学, 2021
  • [9]发动机主轴轴承材料抗疲劳性能衰退的高通量实验方法[D]. 于鑫. 哈尔滨工业大学, 2021
  • [10]56,54Fe(n,α)53,51Cr,56,54Fe(n,p)56,54Mn反应截面计算及普适性模型参数优化研究[J]. 霍东英,刘昌奇,韩超,吴康,胡志杰,户志鸣,于筱雪,姚泽恩,韦峥. 原子核物理评论, 2021(02)

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