一、微波功率管中的薄膜工艺（论文文献综述）
田川[1]（2018）在《T/R组件小型化关键技术研究》文中认为随着有源相控阵雷达的广泛应用,有源相控阵雷达对T/R组件技术的要求也越来越高。由于相控阵雷达的天线阵列中,每一个天线下都有一个T/R组件与之对应,因此有源相控阵雷达的重量、体积、成本和可靠性很大程度上由T/R组件决定。尤其是目前相控阵列的广泛应用使得人们对T/R组件提出了小型化、低成本、高可靠性的要求,因此T/R组件小型化具有较高的工程价值。本文首先从微波传输线理论入手,介绍了微波组件小型化常用的工艺技术。然后对比了两种微波电路小型化工艺的优势与不足,最终选择了多层复合媒质基板技术作为本文中两个组件设计的小型化技术。本文还总结出了多层板技术的一般工艺流程和规范,根据这些工艺规范,分析了在设计过程中可能会出现的加工误差、背钻工艺、屏蔽地孔以及传输线转角等问题,并进行了仿真。基于多层板加工工艺,本文设计了两款微波组件。一款C波段四通道大功率T/R组件,其总体尺寸很小,发射功率大于46dBm。一款用于区分接收左旋和右旋圆极化波的多倍频程十六通道极化接收开关组件。主要工作内容包括:C波段通道大功率T/R组件主要设计工作:设计了该T/R组件的微波链路和脉冲调制电路等控制电路,并利用多层复合媒质基板技术完成了组件的电路板设计和砖块式结构设计。在组件的设计过程中解决了在大功率条件下和小型化过程中出现的散热、大功率反射、气隙击穿、电磁兼容、脉冲顶降等问题,实现了电路小型化。最终对该组件进行了测试,测试结果表明,该组件接收路带内驻波小于1.5,增益大于18dB,噪声系数小于2.2dB,发射路输出功率大于47dBm,基本达到了模块指标。多波段极化接收开关组件主要设计工作:根据分析的电路功能和实现方法设计了该组件的链路原理图,并利用多层复合媒质基板技术完成了该组件的版图设计和瓦片式结构设计,实现了电路小型化。在该组件的研制过程中,本文着重对该组件的结构设计和垂直结构进行了分析,并对垂直互联结构进行了仿真匹配。最后将该组件投版加工。
方圆[2]（2017）在《LDMOS功率管金属电极结构及工艺设计与实现》文中研究说明LDMOS功率管广泛应用于雷达探测领域,比如:机载、舰载、陆基相控阵雷达等领域。芯片电极是工作电流与微波信号的通道,也是整个LDMOS功率器件互联的关键元素,电极的质量直接影响到LDMOS器件的性能优劣。本文主要论述了金属电极系统完整的制作工艺,并利用溅射工艺来实现各层金属的淀积,并且实际应用到LDMOS功率器件的制程中。文中首先详细叙述了金属硅化物制作的工艺技术,对比实验获得硅化钴制作工艺方案,且其方块电阻达到（1～3）Q每方块。后续着重研究电极中的阻挡层,利用反应溅射原理淀积氮化钨（WN）薄膜与氮化钛（TiN）薄膜,通过比较它们的特性,选取了电阻率低于200μΩ·cm的氮化钨薄膜作为阻挡层。最后讨论了双层金属布线工艺技术。论文设计的LDMOS器件进行了流片实验,测试结果表明:在（485～606）MHz频率范围、脉宽20ms、占空比35.7%的工作条件下,测得其输出功率大于350瓦（W）,增益大于17分贝（dB）,效率大于52%。
罗文博[3]（2010）在《介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长与性能研究》文中研究说明近年来,电子信息系统为了缩小体积、增强功能,正快速向微型化以及单片集成化方向发展,对电子薄膜与器件提出了尺寸小型化和功能集成化的要求。将以极化为特征、具有丰富功能特性的介电氧化物材料通过外延薄膜的方式,与GaN半导体生长在一起形成介电氧化物/GaN集成薄膜,为高性能电子器件的研制提供了新的思路,将推动电子系统单片集成化的进一步发展。然而,在介电氧化物/GaN集成薄膜的研制中,两类材料物理、化学性质的巨大差异导致了严重的相容性生长问题。由于理论研究和实验条件的限制,与之相关的很多物理现象和机理尚未深入研究,尤其是介电氧化物/GaN异质外延机理以及薄膜微结构控制等方面研究不足,阻碍了介电氧化物/GaN集成薄膜与器件的发展。本论文采用激光分子束外延技术（LMBE）,以典型的SrTiO3（STO）介电氧化物薄膜为对象,研究氧化物/GaN异质外延的生长机制和界面控制方法。通过特殊设计的纳米厚度缓冲层材料,对界面加以控制,优化STO薄膜的外延质量。在此基础上,研究了GaN基半导体上生长的STO、BaTiO3等多种介电氧化物薄膜的性能,为GaN基介电氧化物集成薄膜的实用化提供了一定的基础。1.采用反射式高能电子衍射（RHEED）等方法,系统研究了STO在GaN上的生长行为及界面微结构特性。发现在界面化学能的作用下,STO薄膜在GaN衬底上偏离晶格失配度小的方向30°,按STO（111）[110]//GaN（0002）[1120]的外延关系生长,晶格失配度为-13.3%。大的晶格失配度使得STO薄膜以岛状模式生长,产生大量缺陷,取向一致性较差。STO（111）面与GaN（0002）对称性的差异导致STO薄膜面内具有特殊的双畴结构。研究还发现STO中SrO与Ga面GaN之间的不稳定性导致STO/GaN界面发生扩散反应,产生界面层。因此,介电氧化物/GaN界面存在大晶格失配和界面扩散,影响STO薄膜的外延质量,难以实现高质量集成薄膜的可控生长。2.研究了TiO2模板层对STO薄膜外延质量和界面微结构的影响。在GaN上制备了以层状模式外延生长的TiO2模板层。TiO2薄膜表面平整（表面均方根粗糙度RMS<0.5nm）,具有明显的台阶状结构;与GaN形成清晰、无明显扩散的界面。研究发现,利用TiO2模板层降低了STO薄膜外延温度,提高了薄膜面内、面外取向的一致性。结果表明,TiO2模板层可以有效诱导STO（111）薄膜的取向外延生长。通过近重位点阵理论和界面原子构型分析发现,TiO2与STO的结构类似性以及晶格失配的降低（从直接生长时的-13.3%降低到1.3%）是TiO2模板层对STO薄膜取向诱导作用的主要原因。通过控制TiO2模板层厚度可以进一步提高STO薄膜外延质量。当TiO2厚度为2nm时,STO薄膜以层状模式在TiO2模板层上外延生长,其面外、面内半高宽分别为0.569°和1.65°。HRTEM和XPS分析表明,STO/TiO2/GaN集成薄膜具有清晰的界面,界面扩散反应得到了显着抑制。这些结果说明,TiO2纳米模板层能有效地优化氧化物/GaN的界面特性,提高了STO薄膜的外延质量。3.开展了STO/TiO2缓冲层对GaN基集成铁电薄膜取向诱导和性能影响的研究。直接在GaN上生长的铁电薄膜为多晶结构;而STO/TiO2缓冲层能够诱导BaTiO3、Hf掺杂Bi4Ti3O12（BTH）以及BiFeO3等不同晶体结构的铁电薄膜外延生长。与多晶的铁电薄膜相比,外延的铁电薄膜具有更好的电学性能,如更大的剩余极化、更小的漏电流密度和更好的抗疲劳特性等。STO/TiO2缓冲层显着提升了GaN基集成铁电薄膜的性能。4.研究了MgO薄膜的低温外延生长特性及其对界面扩散的阻挡作用,初步探索了MgO势垒层在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件中的作用。发现MgO的强离子性是其能在室温条件下外延生长的主要原因。界面特性分析表明,室温生长的MgO能够阻挡STO与GaN界面的扩散反应。MgO势垒层提高了STO与GaN界面的势垒高度,使得STO/TiO2/MgO叠层结构漏电流小于STO/TiO2结构,为STO等介电氧化物薄膜在GaN基场效应器件中实际应用提供了一种可能的方法。
谢颖[4]（2010）在《微组装关键工艺技术研究》文中研究表明微组装工艺技术是一个电子行业公司必须具备的工艺技术。本课题从公司实际需求出发,进行毫米波产品生产中急需的微组装关键工艺技术的开发,微组装关键工艺技术主要是粘接/烧结工艺技术和微型焊接工艺技术,它是微组装工艺技术中的重要和基础技术。本论文在查阅大量相关技术资料和结合相关工作经验的情况下,首先从技术角度研究和探讨了粘接/烧结工艺技术和微型焊接工艺技术的原理,关键因素,失效模式,不良现象及其解决方法,检验技术要求及方法等。粘接/烧结工艺技术是指将去除工艺线后的电路基板、陶瓷基板,通过导电胶粘接或者通过合金焊料烧结在器件的金属腔体上,从而实现对基板的物理支撑和散热。基板粘接/烧结工艺的重点是超声波清洗工艺和焊料烧结/导电胶固化工艺。微型焊接工艺技术包括芯片的粘接/共晶工艺技术,金丝楔/球键合工艺技术。芯片的粘接/共晶工艺技术是指半导体芯片与载体（封装壳体或基片）形成牢固的、传导性或绝缘性连接的方法。焊接层除了为器件提供机械连接和电连接外,还须为器件提供良好的散热通道。金丝楔/球键合工艺技术是指使用金属丝（金线等）,利用热压或超声能源,完成微电子器件中固态电路内部互连接线的连接,即芯片与电路或引线框架之间的连接。金丝键合按照键合方式和焊点的不同分为球键合和楔键合。本论文结合多次功能性实验的结果和经验,设计了工艺流程,对具体工艺细则和操作步骤,设备参数设置等进行了开发,开发完毕后再通过实验对开发的工艺进行了验证,实验证明工艺流程合理,工艺方法可靠,工艺参数有效。本课题全面完成了微组装关键工艺技术的开发要求,项目组所制定的“毫米波微组装工艺细则”、“微组装关键工艺技术研制”、“毫米波T/R组件生产工艺流程卡片”已通过公司鉴定并归档,本人拟制的“毫米波批生产工艺能力建设方案”已经通过专家评审,并在《硅谷》国家级科技类学术期刊发表“浅谈混合微波集成电路的制作”技术论文一篇。本课题不但填补了公司在微组装技术方面的空白,解决了公司毫米波产品T/R组件生产问题。同时,在开发的过程中,积累了大量实验数据和技术经验,为公司全面发展微组装工艺技术的开发,奠定了一定的基础。
娄辰[5]（2009）在《3.1～3.4GHz-45W硅微波脉冲功率晶体管的研制》文中指出由于固态硅微波脉冲功率晶体管具有体积小、重量轻、大功率、高增益、高可靠等特点,如今广泛应用于通讯、雷达、电子对抗等领域。本文从硅微波功率晶体管的设计考虑出发,对管芯频率性能设计、功率增益性能设计进行了讨论。针对3.1～3.4GHz-45W硅微波脉冲功率晶体管,对内匹配及功率合成进行了研究,介绍了常用的内匹配网络,着重讲述了T型网络的设计方法。针对研制器件的工程需要,进行了可靠性设计,尤其是对装配工艺质量对器件可靠性的影响进行了分析并提出了解决办法。在此基础上研制出3.1～3.4GHz,输出功率45W,增益7.0dB,效率36%（脉宽300μm,占空比10%,工作电压32V）的硅微波脉冲功率晶体管。
杜黎光[6]（2001）在《丝焊互连的高温可靠性和相关问题的研究》文中研究指明本论文工作的主要目的是研究适合高温器件使用的丝焊互连体系。本文选用Pd丝和与其相匹配的焊盘材料，如Au/Ti、Pd/Ti等宋取代常用的Au/Al丝焊体系，应用于Si、SiO2/Si和Al2O3等常用衬底材料上，并将所选体系在高温不同环境气氛下退火，通过原位电阻测试、机械强度测试、扫描电镜（SEM）、俄歇（AES）、二次离子质谱（SIMS）和卢瑟福背散射等微分析手段来研究诸互连系统在＞=300℃时的可靠性及其相关问题。得到如下结论： 1．研究了Pd丝在高温（300℃左右）不同气氛下退火时的电阻变化和机械强度变化情况。结果表明Pd丝的高温物性稳定，适合用于高温焊丝。 2．用原位电阻法研究Pd丝在高温退火时与氮气氛的相互作用情况。首次发现氮会在300℃左右时渗入Pd中并使Pd的电阻增加，拉伸强度改善，且其渗入过程符合一维无限长柱体扩散模型，扩散过程的激活能为1.3ev左右。这一重要发现推翻了已有的氮在1400℃以下不溶于Pd的结论。 3． 研究了所选焊盘材料：Au/Ti、Pd/Ti膜在高温（300℃左右）退火时的稳定性。发现： （1） Au/Ti膜在300℃退火时电阻有很大增加，电阻随退火时间改变的过程基本符合一维有限长平面扩散的模型。在Au层较厚的情形下，在空气中退火时，Ti的氧化并不会导致Ti在Au层中快速扩散；反之，会对Ti在Au层中的扩散有所阻碍。因而，在空气中退火时Ti原子在Au层中的扩散速度反而不如在Ar气中快。此结果推翻了文献中关于Ti的氧化会加速Ti原子在Au层中的扩散的论断。 （2） Pd/Ti膜在300℃ Ar气氛下退火时电阻基本不变，表明Pd、Ti界面的互扩散产物对互扩散有强烈的阻止作用，在空气中退火时电阻的少许增加（3％）则表明可能有部分Ti发生 中国科学院上海冶金所博士学位论文 了氧化。 ①)Pd八i膜在氮气氛下退火时，同Pd丝的实验结果类似：氮将 渗入Pd膜中导致膜的电阻增加，同时渗入的氮还会加速Ti 原子在Pd膜中的扩散。这一结果首次验证了其他学者提出 的推测：不活泼气体氮确实会渗入贵金属Pd层，并提高Ti 原子在Pd层中的扩散速度。 同时，Pd／Ti膜在空气中退火时由于互扩散和氧化导致的电阻变 化较ALI／Ti膜的小，这结果表明将Pd／Ti膜用做高温丝焊的焊盘 其可靠性比用 All／T i膜更高。 4．对所选的互连系统的焊接参数进行了优化。结果表明采用优化的 参数可实现Pd丝在所选的金属焊盘上的可靠焊接，其拉断强度 符合标准的要求。而强度值分布的分散性小，符合高可靠性丝焊 工艺的要求。高温退火后虽然其强度的平均值下降，结果分散， 但仍能符合高可靠性丝焊工艺的要求。 5．研究了所选材料体系在更高的温度下失效的机理。研究结果表 明： ＊)在更高的温度怕 400℃以上)下退火时，多层膜间的互 扩散对丝焊工艺在高温下的可靠性起着关键的作用。例 如，Ti膜厚度若偏小，则可能会造成金属膜与衬底间脱开 导致系统失效。 （）同时，发现了一种丝焊互连系统在高温下失效的新模式： 当温度高于其共晶点时，An／Si膜间易互扩散生成低温共 晶液相，An－St液相在表面张力的作用下向焊盘上的金属 导线迁移，从而导致焊点失效。而m。层可以阻挡这种互 扩散，因而a。用衬底具有更好的高温可靠性。
何宇新,李继国,杨光辉[7]（2000）在《Si微波瓦级功率放大模块的设计与研制》文中认为介绍了管壳封装的硅微波瓦级功率放大 （线性 ）模块的研制工作。采用芯片组装及内匹配技术 ,大大减小了模块的体积与重量 ,且易于级联 ,有利于整机系统的小型化
杨得全,范垂祯[8]（1992）在《工业中的现代表面分析技术（Ⅱ） 表面分析技术在工业生产中的应用》文中研究表明近２０年来表面分析技术已经渗透到了各个工业部门，由于现代表面分析技术在解决当前工业生产中的实际间题和关键工艺的质量控制中发挥了巨大的作用，所以引起了工业各部门工程技术人员的普遍重视和关注．本文主要讨论了几种主要的现代表面分析技术在电子、冶金、材料、机械和化学等工业生产中的一些应用领域及其典型的应用实例．
胡南山[9]（1990）在《片式元件及其在中的应用》文中提出本文概述八十年代国内外片式元件硬其在微波集成电路中的应用,并提出今后可能的发展趋势。
庄昆杰,林福华[10]（1981）在《一种实验性1GHZ集成化发射机》文中研究表明本文介绍了用于微波中继系统发射机的功率放大器、调相器、上变频器等组件的原理和特性。这些组件由采用薄膜工艺制作的几种通用和专用的单片混合集成电路组合而成,还对功率放大器的自动电平控制环路进行了分析 ,并给出了实验结果。
二、微波功率管中的薄膜工艺（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、微波功率管中的薄膜工艺（论文提纲范文）
（1）T/R组件小型化关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 T/R组件小型化技术的背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.3 本文章节安排 |
| 第二章 微波传输线理论及小型化技术 |
| 2.1 微波传输线理论 |
| 2.1.1 同轴线 |
| 2.1.2 带状线 |
| 2.1.3 微带线 |
| 2.2 T/R组件小型化技术 |
| 2.3 多层板工艺流程及规范 |
| 2.4 加工误差分析 |
| 2.5 多层板工艺对微波信号传输的影响 |
| 2.5.1 背钻 |
| 2.5.2 接地孔分布 |
| 2.5.3 传输线转角 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 C波段四通道大功率T/R组件设计 |
| 3.1 模块指标 |
| 3.2 射频链路设计 |
| 3.2.1 公共路链路设计 |
| 3.2.2 发射支路链路设计 |
| 3.2.3 接收支路链路设计 |
| 3.3 放大器脉冲调制电路设计 |
| 3.4 电路布局及结构设计 |
| 3.4.1 射频布局结构设计 |
| 3.4.2 电路叠层设计 |
| 3.4.3 版图设计 |
| 3.4.4 模块热仿真 |
| 3.5 加工及测试 |
| 3.5.1 接收路S参数测试 |
| 3.5.2 接收路噪声及增益测试 |
| 3.5.3 移相和衰减测试 |
| 3.5.4 发射通道测试 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 多波段十六通道极化接收开关组件设计 |
| 4.1 模块指标及射频链路设计 |
| 4.1.1 模块指标 |
| 4.1.2 圆极化波理论 |
| 4.1.3 射频链路设计 |
| 4.2 电路布局结构设计 |
| 4.2.1 瓦片式结构设计 |
| 4.2.2 版图设计 |
| 4.2.3 电路叠层设计 |
| 4.2.4 特殊腔体设计 |
| 4.3 无源结构设计与仿真 |
| 4.3.1 八层板间玻珠垂直互联及匹配仿真 |
| 4.3.2 八层板到八层板盲槽之间玻珠垂直互联及匹配仿真 |
| 4.3.3 SMP到八层板过渡及匹配仿真 |
| 4.3.4 SMP到八层板盲槽过渡及匹配仿真 |
| 4.3.5 SMP到四层板过渡及匹配仿真 |
| 4.3.6 四层板到四层板之间的垂直过渡及匹配仿真 |
| 4.3.7 微带线到带状线的互联结构及匹配仿真 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 全文总结与展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（2）LDMOS功率管金属电极结构及工艺设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 论文背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 研究内容与设计指标 |
| 1.4 论文组织 |
| 第二章 LDMOS功率管电极结构原理设计 |
| 2.1 溅射工艺原理 |
| 2.2 电极结构工艺设计 |
| 2.3 电极结构仿真设计 |
| 2.4 电极结构参数 |
| 2.5 小结 |
| 第三章 LDMOS功率管电极工艺设计 |
| 3.1 欧姆接触层工艺设计 |
| 3.2 黏附层工艺设计 |
| 3.3 阻挡层工艺设计 |
| 3.4 导电层工艺设计 |
| 3.5 双层金属布线工艺设计 |
| 3.6 小结 |
| 第四章 实验结果及讨论 |
| 4.1 LDMOS功率芯片版图 |
| 4.2 LDMOS芯片流程框图 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（3）介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 概述 |
| 1.1 半导体材料的发展与GaN 的兴起 |
| 1.1.1 半导体材料的发展历程 |
| 1.1.2 GaN 材料的结构与性能 |
| 1.2 介电氧化物材料简介 |
| 1.2.1 钙钛矿氧化物材料的结构与性能 |
| 1.2.2 介电氧化物薄膜的外延生长 |
| 1.3 介电氧化物/GaN 半导体集成薄膜研究概况 |
| 1.4 论文选题及研究方案 |
| 第二章 介电氧化物薄膜的制备及分析方法 |
| 2.1 介电氧化物薄膜制备方法 |
| 2.2 介电氧化物薄膜实时原位监测方法 |
| 2.2.1 反射式高能电子衍射(RHEED)原理 |
| 2.2.2 RHEED 图像的主要信息 |
| 2.2.3 RHEED 分析与薄膜生长模式 |
| 2.3 氧化物薄膜后位结构分析手段 |
| 2.3.1 X 射线衍射(XRD) |
| 2.3.2 原子力显微镜(AFM) |
| 2.3.3 X 光电子能谱(XPS) |
| 2.3.4 透射电子显微镜(TEM) |
| 2.4 介电氧化物薄膜电学性能测试 |
| 2.4.1 薄膜铁电性能测试 |
| 2.4.2 薄膜绝缘性能测试 |
| 第三章 SrTiO_3介电薄膜在GaN上的外延生长研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 GaN 衬底上SrTiO_3 薄膜的生长 |
| 3.2.1 GaN 基片的表面处理 |
| 3.2.2 温度对STO 薄膜生长的影响 |
| 3.3 SrTiO_3/GaN 外延关系分析 |
| 3.3.1 SrTiO_3/GaN 外延关系的标定 |
| 3.3.2 SrTiO_3/GaN 外延关系机理分析 |
| 3.4 SrTiO_3/GaN 界面特性研究 |
| 3.4.1 SrTiO_3/GaN 界面结构与成分分布分析 |
| 3.4.2 SrTiO_3/GaN 界面扩散机理 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 GaN 上TiO_2模板层的生长及其对SrTiO_3薄膜生长的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 TiO_2 模板层的制备 |
| 4.2.1 温度对TiO_2 模板层生长的影响 |
| 4.2.2 TiO_2 模板层的微结构分析 |
| 4.2.3 TiO_2 模板层晶格弛豫过程 |
| 4.3 SrTiO_3 薄膜在TiO_2 模板层上的生长规律 |
| 4.3.1 TiO_2 模板层对SrTiO_3 外延生长的诱导作用 |
| 4.3.2 TiO_2 模板层厚度对SrTiO_3 薄膜生长的影响 |
| 4.3.3 TiO_2 模板层上生长温度对SrTiO_3 薄膜的影响 |
| 4.3.4 TiO_2 模板层上沉积速率对SrTiO_3 薄膜的影响 |
| 4.3.5 TiO_2 模板层上SrTiO_3 薄膜生长模式控制 |
| 4.4 SrTiO_3/TiO_2/GaN 界面特性分析 |
| 4.5 小结 |
| 第五章 SrTiO_3/TiO_2缓冲层对GaN基集成铁电薄膜取向及性能的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 GaN 基片上BaTiO_3 薄膜的制备与表征 |
| 5.2.1 GaN 基片上BaTiO_3 薄膜的结构分析 |
| 5.2.2 GaN 基片上BaTiO_3 薄膜的电学性能测试 |
| 5.3 GaN 基片上Hf 掺杂Bi_4Ti_3O_(12) 薄膜的结构与性能 |
| 5.3.1 GaN 基片上BTH 薄膜的结构 |
| 5.3.2 GaN 基片上BTH 薄膜的铁电性能 |
| 5.4 BiFeO_3 薄膜的制备与性能研究 |
| 5.4.1 化学成分偏移对BiFeO_3 薄膜电学性能的影响 |
| 5.4.2 BiFeO_3 薄膜铁电性能的各向异性 |
| 5.4.3 GaN 基片上BiFeO_3 的结构分析 |
| 5.4.4 GaN 基片上BiFeO_3 的性能测试 |
| 5.5 小结 |
| 第六章 GaN衬底上MgO势垒层的外延生长及其效应初探 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 MgO 势垒层的低温外延生长研究 |
| 6.2.1 温度对MgO 薄膜外延生长的影响 |
| 6.2.2 MgO 薄膜低温外延生长特性分析 |
| 6.3 MgO 诱导SrTiO_3 在GaN 上的集成生长研究 |
| 6.4 TiO_2/MgO 复合缓冲层诱导SrTiO_3 外延生长 |
| 6.5 SrTiO_3/TiO_2/MgO 叠层栅介质在GaN 基HEMT 器件中的应用 |
| 6.6 小结 |
| 第七章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士期间取得的成果 |
| 作者简介 |
（4）微组装关键工艺技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 研究范围及最终目标 |
| 1.2.1 研究范围 |
| 1.2.2 研究目标及成果形式 |
| 1.3 课题的实用价值和理论意义 |
| 1.4 微组装工艺技术概况 |
| 第二章 粘接/烧结工艺技术研究 |
| 2.1 基板粘接/烧结工艺技术分析 |
| 2.1.1 基板粘接/烧结工艺简介 |
| 2.1.2 基板粘接/烧结工艺要求 |
| 2.1.3 基板粘接/烧结工艺重点 |
| 2.2 基板粘接/烧结工艺流程设计及重点工艺研究 |
| 2.2.1 基板的准备 |
| 2.2.2 基板清洗（重点工艺） |
| 2.2.3 腔体的准备和清洗 |
| 2.2.4 焊料/导电胶的准备（重点工艺） |
| 2.2.5 装夹 |
| 2.2.6 焊料烧结/导电胶固化 |
| 2.2.7 清理、检验 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 芯片粘接/共晶工艺技术研究 |
| 3.1 芯片粘接工艺技术分析 |
| 3.1.1 芯片粘接工艺简介 |
| 3.1.2 芯片粘接原理 |
| 3.1.3 影响芯片粘接的关键因素 |
| 3.1.4 芯片粘接工艺的优缺点 |
| 3.2 芯片共晶工艺技术分析 |
| 3.2.1 芯片共晶工艺简介 |
| 3.2.2 芯片共晶原理 |
| 3.2.3 影响芯片共晶的关键因素 |
| 3.2.4 芯片共晶工艺的优缺点 |
| 3.3 芯片粘接工艺与共晶工艺的比较 |
| 3.3.1 粘接和共晶材料电热机械性能比较 |
| 3.3.2 芯片粘接工艺与共晶工艺适用范围 |
| 3.3.3 本课题芯片互连工艺的选择 |
| 3.4 芯片互连工艺失效模式、不良现象分析及解决方法 |
| 3.4.1 失效模式分析 |
| 3.4.2 不良原因及相应措施 |
| 3.5 芯片共晶质量的检验内容及技术要求 |
| 3.5.1 目检内容及技术要求 |
| 3.5.2 剪切力检测 |
| 3.5.3 空洞率检测 |
| 3.6 芯片共晶工艺开发及实验 |
| 3.6.1 芯片共晶要求 |
| 3.6.2 开发所用设备Westbond7367E 镊子共晶机参数调节设置 |
| 3.6.3 实验情况 |
| 3.6.4 实验结果达标情况 |
| 3.7 芯片共晶工艺流程设计 |
| 3.7.1 设备、材料与工具的准备 |
| 3.7.2 陶瓷基板等离子清洗 |
| 3.7.3 载体清洗 |
| 3.7.4 合金焊料准备 |
| 3.7.5 载体、陶瓷基板加热 |
| 3.7.6 共晶 |
| 3.7.7 检验 |
| 3.8 本章小结 |
| 第四章 金丝键合工艺技术研究 |
| 4.1 金丝键合工艺技术分析 |
| 4.1.1 金丝键合工艺简介 |
| 4.1.2 金丝键合工艺原理 |
| 4.1.3 影响金丝键合质量的关键因素 |
| 4.2 金丝键合的失效模式、不良现象及解决方法 |
| 4.2.1 失效模式及解决方法 |
| 4.2.2 不良现象及解决方法 |
| 4.3 金丝键合质量的检验内容及技术要求 |
| 4.3.1 目检内容及技术要求 |
| 4.3.2 拉力测试内容及技术要求 |
| 4.4 金丝键合工艺开发及实验 |
| 4.4.1 金丝键合要求 |
| 4.4.2 开发所用设备参数设置 |
| 4.4.3 实验情况 |
| 4.4.4 实验结果达标情况 |
| 4.5 金丝键合工艺流程设计 |
| 4.5.1 设备、材料与工具的准备 |
| 4.5.2 键合准备 |
| 4.5.3 键合 |
| 4.5.3 清理 |
| 4.5.4 检验 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 5.1 主要工作回顾 |
| 5.2 本课题的意义和作用 |
| 5.2.1 课题在实际应用方面的意义和作用 |
| 5.2.2 课题在研究领域的意义和作用 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 学期间成果 |
（5）3.1～3.4GHz-45W硅微波脉冲功率晶体管的研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 第二章 微波脉冲大功率晶体管管芯的设计 |
| 2.1 频率特性分析 |
| 2.2 功率、增益和效率考虑 |
| 2.3 横向结构参数的设计 |
| 2.4 可靠性设计 |
| 2.4.1 低热阻设计 |
| 2.4.2 防二次击穿设计 |
| 2.4.3 金属化结构 |
| 2.4.4 内匹配技术 |
| 2.5 工艺途径 |
| 第三章 微波功率晶体管内匹配及功率合成技术 |
| 3.1 管芯阻抗的估算 |
| 3.2 电感的计算 |
| 3.3 内匹配网络的设计 |
| 3.4 内匹配网络的功率均分作用 |
| 3.5 内匹配网络的宽带设计 |
| 3.6 内匹配网络的制作要求 |
| 第四章 高可靠芯片焊接技术 |
| 4.1 芯片焊接方法的选择 |
| 4.2 焊接失效机理 |
| 4.3 焊接质量的检验 |
| 4.4 金-硅共晶焊接不良原因分析及对策 |
| 第五章 研制结果 |
| 第六章 结束语 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 研究成果 |
（6）丝焊互连的高温可靠性和相关问题的研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第1章 引言 |
| 1.1 集成电路封装的定义、功能及发展趋势 |
| 1.2 丝焊原理，基本工艺过程及相关分析方法 |
| 1.2.1 丝焊在电子封装中的地位 |
| 1.2.2 丝焊的主要方式 |
| 1.2.3 丝焊的键合机理 |
| 1.2.4 线焊常用的材料体系 |
| 1.2.5 WB的可靠性和失效分析 |
| 1.3 高温互连技术 |
| 1.3.1 常用于WB系统的Au，Al材料高温失效的机理分析 |
| 1.3.2 文献已有报道的高温可靠的互连技术解决方案 |
| 1.3.3 Pd丝用于高温互连的可能性，Pd的高温物性研究的历史沿革 |
| 1.3.4 用作芯片表面焊盘的多层金属化系统的高温可靠性 |
| 1.3.5 本论文研究的主要内容 |
| 第2章 PD线高温物性的研究 |
| 2.1 高温退火时的电阻变化 |
| 2.1.1 原位四引线法测量Pd丝的电阻 |
| 2.1.2 Pd丝电阻随退火时间和气氛变化的实验结果与分析 |
| 2.2 高温不同气氛下退火对PD丝力学性能的影响 |
| 2.2.1 拉伸实验方法 |
| 2.2.2 拉断强度随时间变化的情况 |
| 2.3 本章小结 |
| 第3章 焊盘的高温可靠性的研究 |
| 3.1 多层金属膜物性随退火时间变化情况 |
| 3.1.1 多层膜样品的制备 |
| 3.1.2 电阻测试样品的制备 |
| 3.1.3 卢瑟福背散射测试 |
| 3.2 高温不同气氛退火对多层膜物性影响的情况 |
| 3.2.1 Au/Ti系统 |
| 3.2.2 Pd/Ti系统 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 焊接参数的优化和焊点的高温可靠性研究 |
| 4.1 焊接参数范围的选择 |
| 4.1.1 焊接温度的选择 |
| 4.1.2 劈刀压力（或焊接力bonding force）的选择 |
| 4.1.3 超声功率与作用时间的选择 |
| 4.2 焊接参数的优化 |
| 4.2.1 拉断强度测试样品的制备 |
| 4.2.2 多个焊接参数的优化方法和结果 |
| 4.3 丝焊稳定性的研究 |
| 4.3.1 Pd丝在衬底上焊接的稳定性和高温可靠性的研究 |
| 4.3.2 Pd丝在所选系统上丝焊的工艺稳定性的研究 |
| 4.4 焊点高温可靠性的研究 |
| 4.4.1 Au/Ti膜的实验结果 |
| 4.4.2 Pd/Ti膜的实验结果 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 丝焊互连焊点在更高温度下失效机理的研究 |
| 5.1 多层膜的种类和强度测试样品的制备 |
| 5.2 PD丝焊于几种Au/TI膜上的实验结果与讨论 |
| 5.2.1 空气中500℃退火22小时后的结果 |
| 5.2.2 不同高温失效机理的识别和验证 |
| 5.3 PD丝焊于PD/TI膜上的结果 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 发表文章 |
| 个人简历 |
（7）Si微波瓦级功率放大模块的设计与研制（论文提纲范文）
| 1 前言 |
| 2 模块设计 |
| 2.1 工作原理 |
| 2.2 电路设计 |
| 2.3 电路版图设计 |
| 2.4 可靠性设计原理 |
| 3 研制结果 |
| 3.1 本模块研制结果 |
| 3.2 推广应用 |
| 4 结束语 |
四、微波功率管中的薄膜工艺（论文参考文献）
- [1]T/R组件小型化关键技术研究[D]. 田川. 电子科技大学, 2018(08)
- [2]LDMOS功率管金属电极结构及工艺设计与实现[D]. 方圆. 东南大学, 2017(12)
- [3]介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长与性能研究[D]. 罗文博. 电子科技大学, 2010(12)
- [4]微组装关键工艺技术研究[D]. 谢颖. 电子科技大学, 2010(03)
- [5]3.1～3.4GHz-45W硅微波脉冲功率晶体管的研制[D]. 娄辰. 西安电子科技大学, 2009(01)
- [6]丝焊互连的高温可靠性和相关问题的研究[D]. 杜黎光. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）, 2001(01)
- [7]Si微波瓦级功率放大模块的设计与研制[J]. 何宇新,李继国,杨光辉. 半导体情报, 2000(03)
- [8]工业中的现代表面分析技术（Ⅱ） 表面分析技术在工业生产中的应用[J]. 杨得全,范垂祯. 物理, 1992(09)
- [9]片式元件及其在中的应用[J]. 胡南山. 微波学报, 1990(01)
- [10]一种实验性1GHZ集成化发射机[J]. 庄昆杰,林福华. 南京工学院学报, 1981(03)