一、BNN晶体的喇曼光谱研究（论文文献综述）
曹茂启,吴大旺,向丁玎,罗小虎,代虹镜,龙成梅[1]（2021）在《氧空位Co3O4纳米线阵列的制备及其高效电催化合成氨》文中研究表明室温下的电化学氮还原反应（NRR）为合成氨提供了一条温和的途径。然而,常温常压下电化学NRR的活性和选择性较差。过渡金属氧化物上的氧空位可以为N2分子的吸附和活化提供独特的活性位点。制备了一种氧空位Co3O4（V-Co3O4）纳米线阵列。喇曼光谱和X射线光电子能谱（XPS）测试显示氧空位可以稳定地存在于V-Co3O4纳米线阵列上。电化学测试表明,V-Co3O4具有高效的电化学氮还原反应活性和选择性。在工作电极上施加-0.3 V时,氨的产量高达10.9μg·h-1·cm-2,法拉第效率为6.3%。这种低成本的过渡金属氧化物是有前途的固氮催化剂之一。
瞿敏妮,李辉,乌李瑛,沈贇靓,田苗,王英,程秀兰[2]（2020）在《聚焦离子束刻蚀铌酸锂的研究》文中进行了进一步梳理铌酸锂物理性能稳定,电光、声光及非线性光学效应优异,是集成光学器件中重要的光学材料。然而,目前铌酸锂材料的加工工艺无法满足复杂且小型化的集成光路发展需求。聚焦离子束（FIB）是一种无掩膜、高精度的加工技术,但同时会引入离子注入和材料表面非晶化等损伤。研究了FIB离子剂量对铌酸锂刻蚀深度及表面粗糙度的影响,在离子剂量大于0.25 nC·μm-2条件下实现了亚纳米表面粗糙度的刻蚀。通过采用共聚焦喇曼光谱法表征FIB刻蚀前后铌酸锂喇曼光谱的变化,证明了在离子剂量为0.1～1.0 nC·μm-2下FIB刻蚀对铌酸锂薄膜造成的整体损伤小（喇曼峰展宽的平均变化小于5%）,对使用FIB进行精密、可控的铌酸锂结构加工具有重要参考意义。
刘季锦花,王威,林玲,丁玲,张桂湘,咸贵阳[3]（2019）在《硫化气压对溶胶-凝胶法制备CuSbS2薄膜性能的影响》文中研究指明CuSbS2是一种良好的太阳电池吸收层材料,其组成元素毒性低且地球储量比较丰富。采用溶胶-凝胶法制备CuSbS2薄膜,为了去除薄膜中的氧化物并提高薄膜质量,对薄膜进行了硫化处理。采用X射线衍射仪、喇曼光谱仪、扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计等表征手段,分析CuSbS2薄膜的结晶性、物相结构、微观形貌和光学性能。结果表明,所制备的薄膜为硫铜锑矿结构的CuSbS2;较低硫化气压可以提高薄膜的结晶性能,但低压下制得的CuSbS2薄膜表面孔洞较多。当硫化气压由10 kPa升至30 kPa时,制备的CuSbS2薄膜的吸收系数降低;硫化气压由50 kPa升至70 kPa时,薄膜吸收系数升高,在可见光范围内,吸收系数均大于104 cm-1。薄膜的禁带宽度最大为1.47 eV,与太阳光谱匹配。
盛百城,刘庆彬,蔚翠,何泽召,高学栋,郭建超,周闯杰,冯志红[4]（2019）在《碳化硅衬底外延石墨烯》文中研究说明通过高温热解法和化学气相沉积（CVD）法在SiC（0001）衬底外延石墨烯。采用光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜、喇曼光谱、X射线光电子能谱和霍尔测试系统对样品进行表征,并对比了两种不同生长方法对石墨烯材料的影响以及不同的成核机理。结果表明,高温热解法制备的石墨烯材料有明显的台阶形貌,台阶区域平坦均匀,褶皱少,晶体质量取决于SiC衬底表面原子层,电学特性受衬底影响大,迁移率较低。CVD法制备的石墨烯材料整体均匀,褶皱较多,晶体质量更好。该方法制备的石墨烯薄膜悬浮在SiC衬底表面,与衬底之间为范德华力连接,电学特性受衬底影响小,迁移率较高。
张颖,金雷,孙科伟,程红娟[5]（2019）在《采用偏振喇曼光谱研究AlN晶体（110）面的各向异性》文中提出采用平行及垂直配置下的偏振散射装置,对物理气相传输（PVT）法同质籽晶生长的六方AlN晶体进行偏振喇曼研究,测量了激发光偏振方向与光轴成不同角度时各个振动模的偏振喇曼光谱,得到不同振动模式的喇曼信号强度变化。结果表明,对于A1（TO）和E1（TO）振动模,在平行及垂直偏振配置下,其喇曼强度曲线的变化周期均为π/2,相位差均为π/4;对于E■振动模,在平行和垂直偏振配置下,其喇曼强度曲线的变化周期分别为π及π/2。通过喇曼选择定则及实验数据拟合分析得到AlN晶体各个振动模的喇曼张量比,其中,A1（TO）、E1（TO）和E■振动模的喇曼张量比为ZnO的2～3倍。垂直偏振配置下,AlN晶体的喇曼张量比远大于4H-SiC材料,为4～7倍,表明AlN晶体具有更强的各向异性,为纤锌矿结构材料的各向异性研究提供依据。
钱盛亚,杨瑞霞,兰飞飞[6]（2019）在《物理气相传输法制备层状MoS2薄膜》文中提出以化学气相沉积（CVD）方法在蓝宝石衬底上沉积一层较厚的MoS2膜作为前驱体,使用物理气相传输（PVT）方法制备了层状MoS2薄膜。用光学显微镜、扫描电子显微镜、喇曼光谱和光致发光光谱对制备的层状MoS2膜表面形貌、层数、光学特性进行了研究。分析了源和衬底距离对MoS2薄膜沉积的影响,发现距离较近有利于成核概率增大,形成连续膜,但是易引入不稳定因素导致立体生长的MoS2纳米片,同时观察到出现树枝状生长,这是由于前驱体质量过剩引起的部分晶面生长速率过高导致的。喇曼光谱测试表明,薄膜大部分为单层膜和双层膜,有少量的多层膜,膜的光致发光光谱强度与层数有关,单层膜光致发光光谱强度最强。
陈新,张杰,郭航[7]（2019）在《锂离子电池负极材料Cu2ZnSnS4的研究现状》文中认为Cu2ZnSnS4（CZTS）不仅是传统太阳能吸收器的一种很有前途的替代品,也是一种性能优异的锂离子电池负极材料。以锂离子电池负极材料CZTS为研究对象,对其制备、改性方法、合成和储锂机理以及国内外的研究进展进行了系统性综述,阐述了当前CZTS负极材料的发展状况。总结了CZTS研究过程中的化学合成、反应过程中的相变、成核和生长特性的难点问题,论述了对理论化学计量型的CZTS的优化改性工作以及CZTS复杂的储锂机理。针对不足,提出了应深入研究CZTS等多项化合物的合成制备过程和储锂机理的建议,展望了CZTS锂离子电池负极材料未来的发展方向。
张嵩,孙科伟,王再恩,程红娟[8]（2018）在《Ti掩膜图形层对外延生长GaN薄膜晶体质量的影响》文中研究指明采用氢化物气相外延（HVPE）方法在2英寸（1英寸=2.54 cm）c面蓝宝石衬底上外延生长了高质量GaN单晶薄膜。在GaN生长过程中引入点状和条状两种金属Ti掩膜图形层,研究了不同Ti掩膜图形层对外延生长GaN薄膜晶体质量的影响。使用微分干涉相差显微镜（DICM）、扫描电子显微镜（SEM）、阴极荧光光谱（CL）、喇曼光谱和X射线衍射（XRD）对制备的GaN样品结构和形貌进行了表征分析。实验结果表明,Ti掩膜图形层的引入可以在一定程度上改善GaN薄膜的表面形貌,缓解材料中的应力,降低GaN材料中的位错密度,提高材料的结晶质量。同时发现,相比于点状图形,条状Ti图形掩膜层可以更加有效地改善GaN材料的晶体质量,将位错密度降低到3.2×106cm-2以下。
黄科[9]（2018）在《蓝宝石衬底上高质量AlN材料的制备》文中提出设计了一种三维和二维交替（3D/2D）生长模式,并使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石衬底上通过3D/2D交替生长模式制备了AlN外延材料。高分辨X射线衍射仪测试结果表明,相较于纯3D和2D生长模式制备的AlN材料,3D/2D交替生长模式制备的AlN材料的（002）和（102）半高宽都有所减小,表明该3D/2D交替生长模式制备的AlN材料具有更高的晶体质量和更低的位错密度。原子力显微镜（AFM）测试表明,每个周期中3D AlN层与2D AlN层的厚度不同,3D/2D AlN样品的粗糙度不同。当单个周期中,3D AlN层厚度为100 nm和2D AlN层厚度为300 nm时,AlN表面平整,原子台阶清晰。喇曼光谱测试表明所有AlN样品都是c轴择优取向,3D/2D交替生长模式并不会改变AlN材料的生长方向。
杨晓丽,孟军华[10]（2018）在《化学气相沉积法可控制备石墨烯薄膜和单晶畴》文中认为采用化学气相沉积（CVD）法,以铜箔为衬底,以甲烷为碳源,制备了石墨烯薄膜和单晶畴,并利用扫描电子显微镜、光学显微镜、喇曼光谱仪、紫外-可见透过光谱仪等手段对石墨烯进行了系统表征。结果表明,质量分数为10%的稀硝酸对铜箔表面进行腐蚀处理20 s可以有效去除铜箔表面析出的杂质颗粒,从而提高石墨烯的质量。在此基础上,研究了氢气和甲烷体积流量比对石墨烯生长的影响,当氢气和甲烷体积流量比从0∶1变化到5∶1时,石墨烯薄膜从单层生长变化到多层生长。此外,氢气和甲烷体积流量比也会显着影响晶畴的形状,随着氢气和甲烷体积流量比的增加,石墨烯晶畴从无规则形状逐渐变化到六边形。
二、BNN晶体的喇曼光谱研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、BNN晶体的喇曼光谱研究（论文提纲范文）
（1）氧空位Co3O4纳米线阵列的制备及其高效电催化合成氨（论文提纲范文）
| 0 引 言 |
| 1 实 验 |
| 1.1 试剂与仪器 |
| 1.2 实验过程 |
| 1.2.1 Co3O4纳米线阵列的合成 |
| 1.2.2 V-Co3O4纳米线阵列的合成 |
| 1.3 测试与表征 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 XRD分析 |
| 2.2 SEM分析 |
| 2.3 喇曼光谱分析 |
| 2.4 XPS分析 |
| 2.5 电化学分析 |
| 3 结 论 |
（2）聚焦离子束刻蚀铌酸锂的研究（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 实验 |
| 1.1 样品制备 |
| 1.2 样品表征 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 刻蚀深度、粗糙度与离子剂量的关系 |
| 2.2 喇曼光谱对刻蚀损伤的表征 |
| 3 结论 |
（3）硫化气压对溶胶-凝胶法制备CuSbS2薄膜性能的影响（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 实验 |
| 1.1 原料与试剂 |
| 1.2 CuSbS2薄膜的制备过程 |
| 1.3 CuSbS2薄膜的性能及表征 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 X射线衍射图分析 |
| 2.2 喇曼光谱分析 |
| 2.3 微观形貌分析 |
| 2.4 光学性能分析 |
| 3 结论 |
（4）碳化硅衬底外延石墨烯（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 实验方法 |
| 2 结果与分析 |
| 2.1 SiC衬底高温热解法石墨烯 |
| 2.2 SiC衬底化学气相沉积法石墨烯 |
| 2.3 生长机理对比分析 |
| 3 结论 |
（5）采用偏振喇曼光谱研究AlN晶体（110）面的各向异性（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 实验 |
| 2 喇曼选择定则 |
| 3 偏振喇曼光谱分析 |
| 4 喇曼张量分析 |
| 5 结论 |
（6）物理气相传输法制备层状MoS2薄膜（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 实验 |
| 1.1 PVT所需原料前驱体的制备 |
| 1.2 PVT方法制备层状MoS2薄膜 |
| 1.3 材料的表征 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 表面形貌表征与分析 |
| 2.2 喇曼光谱与光致发光谱分析 |
| 3 结论 |
（7）锂离子电池负极材料Cu2ZnSnS4的研究现状（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 材料合成 |
| 2 材料改性 |
| 3 材料合成机理 |
| 4 材料储锂机理 |
| 5 结语 |
（8）Ti掩膜图形层对外延生长GaN薄膜晶体质量的影响（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 实验 |
| 2 结果与讨论 |
| 3 结论 |
（9）蓝宝石衬底上高质量AlN材料的制备（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 实验 |
| 2 结果与讨论 |
| 3 结论 |
（10）化学气相沉积法可控制备石墨烯薄膜和单晶畴（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 实验 |
| 1.1 石墨烯的制备和转移 |
| 1.2 石墨烯的表征 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 衬底对石墨烯生长的影响 |
| 2.2 氢气和甲烷的体积流量比对石墨烯生长的影响 |
| 3 结论 |
四、BNN晶体的喇曼光谱研究（论文参考文献）
- [1]氧空位Co3O4纳米线阵列的制备及其高效电催化合成氨[J]. 曹茂启,吴大旺,向丁玎,罗小虎,代虹镜,龙成梅. 微纳电子技术, 2021(12)
- [2]聚焦离子束刻蚀铌酸锂的研究[J]. 瞿敏妮,李辉,乌李瑛,沈贇靓,田苗,王英,程秀兰. 微纳电子技术, 2020(03)
- [3]硫化气压对溶胶-凝胶法制备CuSbS2薄膜性能的影响[J]. 刘季锦花,王威,林玲,丁玲,张桂湘,咸贵阳. 半导体技术, 2019(09)
- [4]碳化硅衬底外延石墨烯[J]. 盛百城,刘庆彬,蔚翠,何泽召,高学栋,郭建超,周闯杰,冯志红. 半导体技术, 2019(08)
- [5]采用偏振喇曼光谱研究AlN晶体（110）面的各向异性[J]. 张颖,金雷,孙科伟,程红娟. 半导体技术, 2019(07)
- [6]物理气相传输法制备层状MoS2薄膜[J]. 钱盛亚,杨瑞霞,兰飞飞. 半导体技术, 2019(06)
- [7]锂离子电池负极材料Cu2ZnSnS4的研究现状[J]. 陈新,张杰,郭航. 微纳电子技术, 2019(06)
- [8]Ti掩膜图形层对外延生长GaN薄膜晶体质量的影响[J]. 张嵩,孙科伟,王再恩,程红娟. 半导体技术, 2018(07)
- [9]蓝宝石衬底上高质量AlN材料的制备[J]. 黄科. 微纳电子技术, 2018(02)
- [10]化学气相沉积法可控制备石墨烯薄膜和单晶畴[J]. 杨晓丽,孟军华. 微纳电子技术, 2018(01)