一、真空升华法光谱分析萤光纯硫化锌和硫化镉（论文文献综述）
田磊[1]（2013）在《CdTe多晶薄膜太阳电池的制备及性能分析》文中指出采用化学水浴法在透明导电玻璃上沉积厚度不同的CdS薄膜,分别以制备好的CdS薄膜为衬底利用真空蒸发法制备纯CdTe薄膜及Sb掺杂CdTe薄膜,在进行T=400℃, t=30min的热处理过程中引入不同量的CdCl2对薄膜进行氯化处理,薄膜利用NP溶液进行腐蚀。采用双源共蒸法制备纯ZnTe和Y掺杂的ZnTe薄膜,同时制备纯CdTe及Sb掺杂CdTe薄膜太阳电池。利用X射线衍射、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪、扫描电子显微镜等测试手段分别对CdS、纯CdTe及掺Sb的CdTe薄膜的晶体结构、表面形貌、化学成分等性能进行了测试,利用太阳能电池光谱性能测试系统测试电池的转换效率。实验结果表明,不同厚度CdS薄膜的表面平整性、致密性、表面化学元素比及透光性有一定的差别,综合考虑薄膜的致密和透过率最终确定了CdS薄膜沉积时间为30min。XRD测试表明纯碲化镉薄膜为沿（111）晶面择优生长的立方闪锌矿结构,薄膜中掺入锑元素未改变薄膜的物相结构但使薄膜的结晶性更好,晶粒尺寸明显增大,利用NP溶液腐蚀之后,两种薄膜表面均出现了Te的（101）衍射峰,薄膜表面呈现富碲现象,同时,薄膜表面比未腐蚀时平整、致密,但腐蚀之后的掺锑碲化镉薄膜粗糙度增加。氯化对多晶CdTe及掺Sb的CdTe薄膜的腐蚀有一定的影响,并且不同的氯化条件对纯碲化镉薄膜的影响比较严重,随着氯化镉量的不同,薄膜腐蚀后表面富碲现象也有所差别,1.0gCdCl2氯化处理的薄膜富碲最为显着,不同的氯化条件对掺Sb的CdTe薄膜影响不大。电池效率的测试结果显示,Sb掺杂CdTe薄膜电池的转换效率整体比纯碲化镉薄膜电池的转换效率高,经腐蚀过的碲化镉薄膜电池转换效率比未腐蚀的有所提高,同时,掺Sb的CdTe薄膜电池的开路电压及短路电流均高于纯碲化镉薄膜制备的电池,说明掺Sb可以有效的降低CdTe薄膜的体电阻,提高电池的转换效率。
侯士丽[2]（2010）在《硫化物半导体纳米材料的制备及特性研究》文中进行了进一步梳理作为宽带隙半导体纳米材料,硫化物半导体纳米材料具有优异的光、电、磁等性质,十几年来一直受到科研工作者的广泛关注。在本论文中,主要研究了ZnS和CdS两种非常重要的硫化物半导体纳米材料,分别采用溶胶-凝胶法和低温水相化学浴沉积法制备了掺杂ZnS纳米晶、水相CdS量子点和CdS薄膜,系统地研究和讨论了它们的光学性质,尤其是稀土Eu3+和过渡金属Cu2+、Mn2+掺杂的ZnS纳米晶的光学和磁学特性,并对ZnS:Eu3+纳米晶的晶体场进行了理论分析和计算。为了获得均匀、有序的纳米硫化物阵列体系材料,初步制备了纳米量级的多孔氧化铝模板。（1）采用溶胶-凝胶法分别制备了ZnS和ZnS:Eu3+纳米晶。利用X射线衍射（XRD）、高分辨透射电镜（HRTEM）、吸收光谱、光致发光光谱及综合物性测试仪等手段对样品的结构、光学及磁学特性进行了表征和探讨。利用变温发光光谱详细分析了在ZnS纳米晶体系中晶体场对Eu3+离子发光性质的影响。研究结果表明：所制备的ZnS纳米晶具有立方闪锌矿结构,且表现出显着的量子尺寸效应。首次在ZnS纳米晶基质中观测到全部的Eu3+离子5D0→7FJ（J=0,1,2,3,4,5,6）能级跃迁发射峰。通过对Eu3+离子5D0→7F1跃迁发射的变温发光特性的研究和晶体场理论分析,证实在立方对称的纳米ZnS晶体中Eu3+离子的7F1多重态并不受晶体场的影响。首次利用5D0→7F2和5D0→7F4跃迁的变温发光光谱估算出了ZnS：Eu3+纳米晶的晶体场参数B04和B06的值分别为-59.8 meV和41.6 meV。在300 K和5K时,低掺杂浓度的ZnS:Eu3+纳米晶均呈现出明显的铁磁特性,并且随着外加磁场强度的增大,磁化强度发生饱和。（2）采用溶胶-凝胶法分别制备了ZnS:Cu2+纳米晶、ZnS:Mn2+纳米晶和共掺杂的ZnS:Cu2+, Mn2+纳米晶,利用高分辨透射电镜（HRTEM）、X射线光电子能谱（XPS）、吸收光谱及光致发光光谱等手段对样品的形貌、化学成分、光学及磁学特性进行了表征和研究。研究结果证实：对于ZnS:Cu2+纳米晶的水-醇胶液样品,当S/Zn=1：2时,发光峰以与Cu2+离子t2能级有关的绿光发射为主；S/Zn=1：1时以跟Zn空位有关的蓝光发射为主。对于ZnS:Cu2+纳米晶薄膜样品,光学性质不受S/Zn比值的影响,所有样品均以绿光发射为主,且有一个较弱的蓝光边翼。但是与胶液中的样品相比,ZnS:Cu2+纳米晶薄膜的绿光和蓝光发射中心均发生一定程度的蓝移。XPS结果显示,在ZnS:Cu2+纳米晶中Cu的3d能级发生了分裂。对于ZnS:Mn2+纳米晶,随着温度的升高,Mn2+离子的特征发光峰发生一定程度的蓝移。在300 K时低掺杂浓度的ZnS:Mn2+纳米晶呈现出明显的铁磁特性。ZnS:Cu2+, Mn2+纳米晶的平均粒径为2.5 nm,当Cu2+和Mn2+的摩尔浓度分别为0.1%和0.5%时,其发光范围几乎可以完全覆盖整个可见光区域。另外,在高掺杂浓度时,晶格中会形成大量的掺杂离子对,可以提高非辐射复合的几率,导致掺杂离子的特征发光峰和ZnS基质的缺陷发光峰均发生淬灭。（3）采用低温化学浴沉积法制备了水相CdS量子点和CdS纳米膜。研究结果表明：在水相CdS量子点中引入CdCl2溶液进行表面修饰后,可以有效地减少非辐射复合的几率,从而提高CdS量子点的带边发光效率。通过对水相CdS量子点激发光谱的分析,发现在水相CdS量子点的发光过程中存在从硫脲向CdS量子点的能量转移机制。CdS纳米膜呈六方纤锌矿结构,经400℃高温退火后,结晶度提高,而且CdS发射峰的峰位呈现显着红移。（4）采用恒压阳极氧化法制备了不同孔径的多孔氧化铝模板。总之,硫化物半导体纳米材料因具有优异的光学和磁学特性而成为研究热点,我们的重点工作包括ZnS纳米晶、水相CdS量子点及CdS纳米薄膜的制备及其光学性质的研究,并且通过掺杂得到性能优异的新型低维发光材料,探讨了掺杂ZnS纳米晶的发光、铁磁性质和发光机理,分析计算了ZnS:Eu3+纳米晶的晶体场。
天津市化工研究院物化室光谱组[3]（1976）在《真空升华法光谱分析萤光纯硫化锌和硫化镉》文中研究表明 在硫化锌中加入盐酸,转化为氯化物后（硫化镉不经转化）在真空升华器中进行升华,基体升华并冷凝在冷凝头上;杂质浓缩并留在小杯底。用盐酸溶解残渣转移到平头石墨电极上,用直流电弧激发。本方法灵敏度Cu、Fe为1.5×10-8,Co、Ni:为5×10-8。分析结果与化学分析基本一致。一、试样的处理 1.硫化锌: 称取0.5g样品,放入石英小杯中。加入1 ml高纯水和1.5ml高纯浓盐酸,在密闭蒸发器中溶解转化并蒸干。把石英小杯放入石英升华器中,将升华器放入坩埚电炉
二、真空升华法光谱分析萤光纯硫化锌和硫化镉（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、真空升华法光谱分析萤光纯硫化锌和硫化镉（论文提纲范文）
（1）CdTe多晶薄膜太阳电池的制备及性能分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 太阳电池的发展现状 |
| 1.2.1 硅基太阳电池 |
| 1.2.2 化合物太阳能电池 |
| 1.2.2.1 CIGS薄膜太阳电池 |
| 1.2.2.2 GaAs太阳电池 |
| 1.2.3 染料敏化太阳电池 |
| 1.3 碲化镉薄膜太阳电池研究进展 |
| 1.4 本文的选题意义及本论文的研究工作 |
| 第二章 实验及测试 |
| 2.1 实验药品 |
| 2.2 实验仪器 |
| 2.3 测试仪器 |
| 2.4 碲化镉电池的结构 |
| 2.5 碲化镉薄膜电池的制备 |
| 2.5.1 CdS薄膜的制备 |
| 2.5.2 CdTe薄膜的制备 |
| 2.5.3 ZnTe/ZnTe：Y薄膜的制备 |
| 第三章 实验结果与讨论 |
| 3.1 CdS薄膜分析与讨论 |
| 3.1.1 CdS薄膜表面形貌(SEM)的分析 |
| 3.1.2 CdS薄膜的EDS特性 |
| 3.1.3 CdS薄膜XPS分析 |
| 3.1.4 CdS薄膜的光学性能 |
| 3.2 CdTe薄膜的分析与讨论 |
| 3.2.1 薄膜的XRD分析 |
| 3.2.1.1 纯CdTe薄膜的XRD分析 |
| 3.2.1.2 Sb掺杂的CdTe薄膜XRD分析 |
| 3.2.2 CdTe薄膜的SEM分析 |
| 3.2.2.1 纯CdTe薄膜形貌的SEM分析 |
| 3.2.2.2 Sb掺杂的CdTe薄膜SEM分析 |
| 3.2.3 CdTe薄膜的AFM分析 |
| 3.2.3.1 纯CdTe薄膜形貌的AFM分析 |
| 3.2.3.2 Sb掺杂的CdTe薄膜形貌的AFM分析 |
| 3.2.4 薄膜的XPS分析 |
| 3.2.4.1 纯CdTe薄膜XPS分析 |
| 3.2.4.2 Sb掺杂的CdTe薄膜XPS分析 |
| 3.3 CdS/CdTe电池效率的分析 |
| 3.3.1 纯碲化镉薄膜电池效率的分析 |
| 3.3.2 Sb掺杂CdTe薄膜电池效率的分析 |
| 第四章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 |
| 硕士期间参加的科研课题 |
（2）硫化物半导体纳米材料的制备及特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 纳米材料的基本特性 |
| 1.2 半导体纳米材料的合成方法 |
| 1.3 半导体纳米材料的发光原理及荧光特性 |
| 1.4 硫化物半导体纳米材料的应用进展 |
| 1.5 硫化物半导体纳米材料的研究现状 |
| 1.6 选题意义及主要研究内容 |
| 参考文献 |
| 第2章 Eu~(3+)掺杂ZnS纳米晶的制备及特性研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 ZnS纳米晶的制备及光学特性研究 |
| 2.2.1 实验过程 |
| 2.2.2 表征方法 |
| 2.2.3 实验结果和讨论 |
| 2.2.4 小结 |
| 2.3 Eu~(3+)掺杂ZnS纳米晶的光学及磁学特性研究 |
| 2.3.1 引言 |
| 2.3.2 实验过程 |
| 2.3.3 实验结果和讨论 |
| 2.3.4 小结 |
| 2.4 Eu~(3+)掺杂ZnS纳米晶的变温光致发光及晶体场分析 |
| 2.4.1 实验器材 |
| 2.4.2 实验结果和讨论 |
| 2.4.3 小结 |
| 2.5 本章结论 |
| 参考文献 |
| 第3章 过渡金属掺杂ZnS纳米晶的制备及特性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Cu~(2+)掺杂ZnS纳米晶的制备及光学特性研究 |
| 3.2.1 实验过程 |
| 3.2.2 表征方法 |
| 3.2.3 结果和讨论 |
| 3.2.4 小结 |
| 3.3 Mn~(2+)掺杂ZnS纳米晶的光学及磁学特性研究 |
| 3.3.1 实验过程 |
| 3.3.2 表征方法 |
| 3.3.3 结果和讨论 |
| 3.3.4 小结 |
| 3.4 Cu~(2+)、Mn~(2+)共掺杂ZnS纳米晶的制备及光学特性研究 |
| 3.4.1 实验过程 |
| 3.4.2 实验结果和讨论 |
| 3.4.3 小结 |
| 3.5 本章结论 |
| 参考文献 |
| 第4章 CdS量子点和薄膜的制备及光学特性研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 水相CdS量子点的合成及光学特性研究 |
| 4.2.1 生长机理 |
| 4.2.2 实验过程 |
| 4.2.3 实验结果和讨论 |
| 4.2.4 小结 |
| 4.3 CdS薄膜的制备及光学特性研究 |
| 4.3.1 引言 |
| 4.3.2 实验过程 |
| 4.3.3 实验结果和讨论 |
| 4.3.4 小结 |
| 4.4 本章结论 |
| 参考文献 |
| 第5章 多孔氧化铝模板的制备及表征 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 多孔氧化铝膜的制备 |
| 5.2.1 实验试剂、原料及器材 |
| 5.2.2 铝片的预处理 |
| 5.2.3 制备过程 |
| 5.2.4 小结 |
| 5.3 多孔氧化铝膜的表征与讨论 |
| 5.3.1 表征方法 |
| 5.3.2 结果和讨论 |
| 5.3.3 小结 |
| 5.4 本章结论 |
| 参考文献 |
| 第6章 全文总结 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间公开发表的论文及专利 |
四、真空升华法光谱分析萤光纯硫化锌和硫化镉（论文参考文献）
- [1]CdTe多晶薄膜太阳电池的制备及性能分析[D]. 田磊. 内蒙古大学, 2013(01)
- [2]硫化物半导体纳米材料的制备及特性研究[D]. 侯士丽. 华东师范大学, 2010(11)
- [3]真空升华法光谱分析萤光纯硫化锌和硫化镉[J]. 天津市化工研究院物化室光谱组. 无机盐工业, 1976(01)