C方向静电场作用下α-LiIO_3单晶拉曼光谱“交叉线”的机理及谱线强度变化

C方向静电场作用下α-LiIO_3单晶拉曼光谱“交叉线”的机理及谱线强度变化

一、C向静电场作用下α-LiIO_3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理(论文文献综述)

许政一[1](1989)在《离子导体在离子输运状态下的物理特性》文中研究说明1974年杨桢等发现α-LiIO3单晶在直流电场作用下,中子衍射强度显着增强现象后,引起了中国物理学家们的强烈兴趣。特别是中国科学院物理研究所的物理学家们研究了离子导体在静电场作用下的介电行为,X射线形貌图,光衍射,喇曼散射,超声衰减等等,观察到了许多新现象,并对这些现象的机制作了理论解释,本文将对这些实验和理论结果作一评述。

杨华光,李晨曦,许政一[2](1983)在《C向静电场作用下α-LiIO3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理》文中进行了进一步梳理文献报道了加c向静电场对α—LiIO3单晶喇曼谱的影响。我们加较强的静电场和使入射激光束照射于样品靠近负电极部位作实验,电场对喇曼光谱的影响非常明显,结果可以概括如下: 1、对每一种几何配置,加同号电压

杨华光,李晨曦,许政一[3](1983)在《c向静电场作用下α-LiIO3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理》文中提出在c向静电场作用下,α-LiIO3单晶的喇曼谱发生“串线”,并且谱线强度改变。本文分析了这一现象的起因:由于离子输运引起的空间电荷涨落使α-LiIO3单晶的极化率张量和喇曼张量主轴方向发生涨落。前者产生oe光散射,散射光再发生一次喇曼散射,造成喇曼谱“串线”和谱线强度的改变;后者直接造成喇曼诺“串线”和谱线强度的变化。前者的贡献远大于后者。

杨华光,李晨曦,顾本源[4](1979)在《静电场对α—碘酸锂单晶喇曼光谱的影响》文中研究说明本文报道了静电场作用下α- 碘酸锂单晶喇曼光谱的变化。观察到由于静电场作用,瑞利散射强度显着增强。对于喇曼散射,观察到“串线”现象,即通常的一阶喇曼散射光谱的选择定则遭到破坏。我们还观察到,在y(xz)x实验配置下,“串线”v1=790cm-1(对应于碘酸根内部振动对称伸张模)的强度在施加同号电压下,有显着增强现象,并且其谱线强度随时间变化存在弛豫现象。在y(zz)x配置下,施加异号电压时,四条谱线强度都发生明显变化。

二、C向静电场作用下α-LiIO_3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理(论文开题报告)

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

三、C向静电场作用下α-LiIO_3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理(论文提纲范文)

四、C向静电场作用下α-LiIO_3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理(论文参考文献)

  • [1]离子导体在离子输运状态下的物理特性[J]. 许政一. 物理学进展, 1989(01)
  • [2]C向静电场作用下α-LiIO3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理[A]. 杨华光,李晨曦,许政一. 第二届全国光散射学术会议论文集(下), 1983
  • [3]c向静电场作用下α-LiIO3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理[J]. 杨华光,李晨曦,许政一. 物理学报, 1983(04)
  • [4]静电场对α—碘酸锂单晶喇曼光谱的影响[J]. 杨华光,李晨曦,顾本源. 物理学报, 1979(04)

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