一维长周期反铁电畴边界的电子显微镜研究(Ⅱ—晶格图像)

一维长周期反铁电畴边界的电子显微镜研究(Ⅱ—晶格图像)

一、一维长周期反铁电畴界的电镜研究(Ⅱ——晶格象)(论文文献综述)

张毓俊,练静于,王永令[1](1984)在《一维长周期反铁电畴界的电镜研究(Ⅱ——晶格象)》文中研究表明 在Sn置换Zr的锆钛酸铅中(Pb0.99{([Zr(?)-ySny](?)-y、Tix)0.98Nb0.02}O3,x=0.03,0.04;y=0.20)可以观察到铁电反铁电畴共存(图1),这是由于上述成份正处于相图中的准同型相界上,两相的自由能十分接近。在具有条纹状组织的A畴内,SAD具有卫星衍射。但是由电子衍射谱不能确定长周期反铁电畴是一维或二维有序,为此需用晶格象观察。在110—000—110对称衍射条件下成象。晶格象(图2)及其测微光度计描迹表明(图3),M多为8(间距为8,d 1/2 1/2 0),但也有M=7,8,9的情况,但无二维长周期现象。对应二维卫星衍射谱的晶格象如图4,证明存在的长周期是一维的。周期畴界沿(110)及(110)晶面发生,有相同的(100)晶面贯穿期间,但除以上的两相共存形式外,还观察到在反铁电区内以微畴形态存在的铁电畴叠栅图形。也有无长周期反相畴界的A畴与F畴相接。但是比只有第三种形式的两相共存F—AF陶瓷,有长周期反畴结构的陶瓷需要更高的诱导电场才能诱发AF—F相变。

张毓俊,练静于,王永令[2](1983)在《一维长周期反铁电畴界的电镜研究(Ⅱ——晶格象)》文中认为 在Sn置换Zr的锆钛酸铅中(Pb0.99{([Zr(?)-ySny](?)-y、Tix)0.98Nb0.02}O3,x=0.03,0.04;y=0.20)可以观察到铁电反铁电畴共存(图1),这是由于上述成份正处于相图中的准同型相界上,两相的自由能十分接近。在具有条纹状组织的A畴内,SAD具有卫星衍射。但是由电子衍射谱不能确定长周期反铁电畴是一维或二维有序,为此需用晶格象观察。在110—000—110对称衍射条件下成象。晶格象(图2)及其测微光度计描迹表明(图3),M多为8(间距为8,d 1/2 1/2 0),但也有M=7,8,9的情况,但无二维长周期现象。对应二维卫星衍射谱的晶格象如图4,证明存在的长周期是一维的。周期畴界沿(110)及(110)晶面发生,有相同的(100)晶面贯穿期间,但除以上的两相共存形式外,还观察到在反铁电区内以微畴形态存在的铁电畴叠栅图形。也有无长周期反相畴界的A畴与F畴相接。但是比只有第三种形式的两相共存F—AF陶瓷,有长周期反畴结构的陶瓷需要更高的诱导电场才能诱发AF—F相变。

张毓俊,练静于,王永令[3](1984)在《一维长周期反铁电畴界的电镜研究(Ⅰ—电子衍射)》文中指出 对于CuAuⅡ合金中长周期有序结构的研究表明,CuAuⅡ电子衍射谱中的卫星斑点是由于每5个有序单胞间存在反相畴界而造成的。不久后的晶格象直接观察证实了这一事实。在由Sn置换的钙钛矿结构的锆钛酸铅(PSZT)中也发现了类似的卫星衍射(图1及2)在图2b中存在的1/2 1/2 0弱衍射在图2a中即不存在。图2a的000—110衍射间有6个斑点而2b中有7个卫星点,根据有{1/2 1/2 1/2}超点阵判定其反铁电相的电偶极子具有图3所示的立方胞结构。类似CuAuⅡ的有序模型提出了图4的一维反铁电畴长周期结构。以M个反铁电胞为单元的边界上,由于是反相畴界,电偶极子作平行排列。对这种两相共存结构推导得的结构振幅表示式如(1)式:

张毓俊,练静于,王永令[4](1983)在《一维长周期反铁电畴界的电镜研究(Ⅰ—电子衍射)》文中研究说明 对于CuAuⅡ合金中长周期有序结构的研究表明,CuAuⅡ电子衍射谱中的卫星斑点是由于每5个有序单胞间存在反相畴界而造成的。不久后的晶格象直接观察证实了这一事实。在由Sn置换的钙钛矿结构的锆钛酸铅(PSZT)中也发现了类似的卫星衍射(图1及2)在图2b中存在的1/2 1/2 0弱衍射在图2a中即不存在。图2a的000—110衍射间有6个斑点而2b中有7个卫星点,根据有{1/2 1/2 1/2}超点阵判定其反铁电相的电偶极子具有图3所示的立方胞结构。类似CuAuⅡ的有序模型提出了图4的一维反铁电畴长周期结构。以M个反铁电胞为单元的边界上,由于是反相畴界,电偶极子作平行排列。对这种两相共存结构推导得的结构振幅表示式如(1)式:

丁艳华[5](2012)在《低维功能氧化物材料的透射电子显微学研究》文中认为本论文主要利用透射电子显微学对Bi0.4Ca0.6MnO3外延薄膜的微观结构及其物理性能进行了详细的研究。本论文共分为四章。第一章介绍了钙钛矿锰氧化物的物理性质、外延薄膜的研究进展以及电镜样品的制备方法。首先回顾了锰氧化物的各种性质,如晶体结构、晶格畸变及电子结构,然后介绍了外延薄膜中的应力情况,电荷有序行为,最后介绍了电镜样品的制备方法。第二章系统的研究Bi0.4Ca0.6MnO3外延薄膜的生长模式,并探讨薄膜中的应变情况。利用脉冲激光沉积法制备不同厚度的Bi0.4Ca0.6MnO3外延薄膜,利用透射电镜对不同厚度薄膜的微观结构进行了研究。研究结果表明,Bi0.4Ca0.6MnO3外延薄膜沿岛状模式生长,其表面形貌依赖于不同厚度薄膜中的应力状态。对于10nm厚的薄膜,其表面形貌像一个个孤立的小岛;对于40nm厚的薄膜,岛状结构变宽:当薄膜厚度达到110nm时,岛状形貌消失。第三章研究了薄膜厚度对晶格失配的影响,详细讨论了薄膜厚度对Bi0.4Ca0.6MnO3/SrTiO3界面的影响。研究结果表明,110nm厚的薄膜中存在垂直于界面方向和平行于界面方向的位错。由于薄膜与衬底之间有失配,会产生垂直于界面方向的位错。平行于界面方向的位错是由于衬底表面粗糙而造成的。第四章利用低温样品台并结合高分辨透射电子显微学对不同厚度的Bi0.4Ca0.6MnO3外延薄膜的电荷有序行为进行研究。随着薄膜厚度的增加,Bi0.4Ca0.6MnO3外延薄膜发生了由无调制结构(t<100nm),到局域非公度调制结构(t=110nm),再到公度调制的结构(t=200nm)的演变。

二、一维长周期反铁电畴界的电镜研究(Ⅱ——晶格象)(论文开题报告)

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

三、一维长周期反铁电畴界的电镜研究(Ⅱ——晶格象)(论文提纲范文)

(5)低维功能氧化物材料的透射电子显微学研究(论文提纲范文)

摘要
Abstract
引言
第一章 文献综述
    1.1 钙钛矿型锰氧化物的基本物理性质
        1.1.1 钙钛矿型锰氧化物的早期研究
        1.1.2 晶体结构
        1.1.3 晶格畸变
        1.1.4 电子结构
    1.2 钙钛矿型锰氧化物薄膜的研究
        1.2.1 外延薄膜中的应力
        1.2.2 外延薄膜的厚度效应
    1.3 电荷有序行为的研究
        1.3.1 外延薄膜中的电荷有序
        1.3.2 电荷有序相的电子显微学观察
    1.4 电镜样品的制备
    1.5 本课题研究的内容和意义
第二章 Bi_(0.4)Ca_(0.6)MnO_3外延薄膜的微观结构演变
    2.1 研究背景
    2.2 实验方法
    2.3 结果与讨论
        2.3.1 Bi_(0.4)Ca_(0.6)MnO_3外延薄膜表面形貌演变
        2.3.2 Bi_(0.4)Ca_(0.6)MnO_3外延薄膜的应力状态
    2.4 小结
第三章 Bi_(0.4)Ca_(0.6)MnO_3外延薄膜与衬底界面处的微观结构缺陷
    3.1 研究背景
    3.2 实验方法
    3.3 结果与讨论
        3.3.1 Bi_(0.4)Ca_(0.6)MnO_3外延薄膜的取向关系
        3.3.2 Bi_(0.4)Ca_(0.6)MnO_3外延薄膜的表面粗糙度
        3.3.3 Bi_(0.4)Ca_(0.6)MnO_3/SrTiO_3界面缺陷
    3.4 小结
第四章 Bi_(0.4)Ca_(0.6)MnO_3外延薄膜的电荷有序行为演变
    4.1 研究背景
    4.2 实验方法
    4.3 结果与讨论
        4.3.1 厚度小于100nm薄膜的电荷有序行为
        4.3.2 厚度为110nm薄膜的电荷有序行为
        4.3.3 厚度为200nm薄膜的电荷有序行为
    4.4 小结
总结与展望
参考文献
攻读硕士学位期间的研究成果
致谢

四、一维长周期反铁电畴界的电镜研究(Ⅱ——晶格象)(论文参考文献)

  • [1]一维长周期反铁电畴界的电镜研究(Ⅱ——晶格象)[J]. 张毓俊,练静于,王永令. 电子显微学报, 1984(04)
  • [2]一维长周期反铁电畴界的电镜研究(Ⅱ——晶格象)[A]. 张毓俊,练静于,王永令. 第三次中国电子显微学会议论文摘要集(二), 1983
  • [3]一维长周期反铁电畴界的电镜研究(Ⅰ—电子衍射)[J]. 张毓俊,练静于,王永令. 电子显微学报, 1984(04)
  • [4]一维长周期反铁电畴界的电镜研究(Ⅰ—电子衍射)[A]. 张毓俊,练静于,王永令. 第三次中国电子显微学会议论文摘要集(二), 1983
  • [5]低维功能氧化物材料的透射电子显微学研究[D]. 丁艳华. 青岛大学, 2012(09)

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