一、OPTICAL PROPERTIES OF UNSATURATED SYMMETRICAL MAGNETIC ELECTRON LENSES（论文文献综述）
张帆[1]（2012）在《脉冲等离子体推力器羽流特性研究》文中研究指明本文采用理论分析与实验研究的方法，对固体烧蚀型脉冲等离子体推力器（Ablative Pulsed Plasma Thruster，APPT）的羽流特性进行了研究。分别采用朗缪尔三探针诊断法与材料测试方法，系统地分析探究了APPT的羽流区等离子体分布特性及羽流沉积污染特性。采用电流模式朗缪尔三探针系统对APPT羽流等离子体特性进行了诊断研究。为提高系统电磁兼容性并减小测量误差，对探针、测量电路和探针清洗装置进行了精心设计。基于Matlab设计了FIR数字滤波器，对测量数据进行了降噪处理；利用Labview开发了数据处理软件，实现了对测量数据批量处理。利用该系统对PPT在6J、10J、13.5J、17J、24J五种放电能量下，羽流区极板垂直平面内和平行平面内，轴向角度0°40°、轴向距离820cm等不同方位的等离子体特性进行了诊断研究。研究结果表明：APPT羽流区等离子体电子温度与电子数密度基本随轴向角度与轴向距离的增大而减小，随放电能量的增大而增大；等离子体在与极板垂直的平面内具有非对称分布特性；电子温度与电子数密度值在与极板垂直和与极板平行的平面内向羽流区边界衰减时具有不同的趋势。为了研究APPT羽流污染特性，对13.5J放电能量下APPT的羽流中不同方位角处羽流沉积样品进行了采集。利用扫描电镜与原子力显微镜对沉积样品表面薄膜的形貌进行了观测，利用傅里叶变换红外光谱仪与X射线光电子能谱仪对薄膜的结构成分进行了分析，利用紫外—可见光分光光度计对薄膜的光学特性进行测试。研究结果表明：APPT的羽流在各方位角处沉积生成了低氟碳比薄膜；不同方位的沉积薄膜微观结构在羽流不同区域中具有不同的变化趋势；受薄膜性质的影响，羽流沉积薄膜具有低透射率（对波长小于500nm光）及增强反射率的光学特性，且其光学特性具有极大的角度依赖性。本文针对于APPT羽流特性的研究方法与研究结论对APPT放电烧蚀机理的研究以及羽流特性的理论分析与仿真研究提供了有利指导。
李浩林[2]（2021）在《GaAs基量子阱纳米结构中能带调控及光学特性研究》文中指出GaAs是典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,由于其直接带隙特性（1.42 e V@300 K）和优秀的电子迁移率(～8500 cm2 V-1s-1)而被广泛应用于各种发光器件和高频器件。尤其是GaAs基纳米结构在微纳器件中表现出极佳的应用前景,但目前GaAs基纳米结构仍存在一些问题需要解决。比如GaAs纳米线中的晶相控制问题,还有在比表面积更大的纳米线中更为明显的表面态问题,这严重限制了GaAs基纳米线的光学性能。GaAs基量子阱纳米线可同时作为波导和增益介质,为微纳光电器件的发展提供了新的思路。为了更好地激发量子阱纳米线器件的潜能,需要对其中载流子的分布和量子阱的能带结构展开研究。另外为了满足器件需求,往往需要对发光波长进行调制,现有的研究中多通过调节纳米线中量子阱的厚度及纳米线的长度对发光波长进行调制,但这种方式可调节范围小,对生长条件要求苛刻,提出一种更有效地波长调控方式是微纳光电器件的迫切需求。本工作中我们根据纳米线的生长原理,通过对生长过程中的参数控制,采用简单的衬底腐蚀工艺实现了GaAs基纳米线的晶相控制;还针对GaAs基纳米线表面态问题,采用湿法钝化、等离子体刻蚀、构建核壳结构的方式对GaAs纳米线进行表面改性,对比研究了不同钝化方式处理后GaAs基纳米线光学性质的变化;并且从GaAs基量子阱纳米结构中能带调控及光学特性研究出发,生长了高质量的GaAs/GaAsSb/GaAs核壳结构同轴单量子阱纳米线,并通过调节合金组分的方式实现了GaAs基量子阱纳米线中的能带结构调控。通过光致发光光谱的表征研究了GaAs基量子阱纳米线的光学性质,并构建了量子阱纳米结构中载流子的分布状态以及量子阱能带结构模型,最终得到了高质量、波长可调谐的GaAs基量子阱纳米线。本论文的主要研究内容如下:（1）根据纳米线的汽-液-固生长机理,讨论了GaAs基纳米线生长过程中生长参数对GaAs基纳米线的影响机制,通过简单的衬底腐蚀工艺,实现了GaAs纳米线中的晶相控制。（2）对比研究了湿法钝化、等离子体处理、构建核壳结构三种表面钝化方式对GaAs基纳米线光学性质的影响效果,研究结果表明,湿法钝化的方式将GaAs基纳米线的发光强度提升了6倍左右,并且不会改变GaAs基纳米线的发光机制,但稳定性不佳。等离子处理对于GaAs基纳米线光学性质提升效果不大,并且会引入新的缺陷能级。采用原位生长构建的Al GaAs壳层可以有效的提升GaAs基纳米线的光学性能（发光强度提升约64倍）,并且稳定性较好。（3）使用分子束外延设备生长制备了高质量的GaAs/GaAsSb/GaAs核壳结构同轴单量子阱纳米线,研究了GaAs/GaAsSb/GaAs量子阱纳米线中的能带结构,并采用功率相关和温度相关的光致发光光谱对所生长纳米线的光学性质进行了表征,并对其能带结构和载流子分布进行了讨论,研究结果表明,在低Sb组分下GaAs/GaAsSb量子阱中呈现类Ⅱ型的能带结构,在这种结构中导带之间的能量差较小,不能有效地将载流子限制在量子阱中,阱中电子获得能量后可以跃出势阱。（4）设计制备了不同Sb组分的GaAs/GaAsSb/GaAs核壳结构同轴单量子阱纳米线,通过对Sb组分的调节实现了GaAs基量子阱纳米线中的能带调控,并采用光致发光光谱研究了不同Sb组分的量子阱纳米线的光学性质。结果表明8%和12%Sb组分的GaAs/GaAsSb/GaAs同轴单量子阱纳米线都表现为类Ⅱ型能带结构,并且在Sb组分更高的量子阱纳米表现出了更深的量子阱深度和更强的温度稳定性。
郭安然[3]（2017）在《金属掺杂非晶硅薄膜的结构演化及光电特性研究》文中研究表明晶体硅（c-Si）以其优良的电学特性、成熟的工艺和低廉的成本成为微电子和光电子行业的基础材料。然而,受制于自身的间接带隙且光学常数固定不可调控等局限,c-Si的光学特性并不出色。金属掺杂能引入深能级缺陷、束缚激子等局域化电子结构,是实现Si材料能带改性的一个有效手段。非晶硅（a-Si）本身具备禁带宽度可控、折射率可调、光吸收系数大等c-Si所不具备的特殊光电特性,且对掺入其中的金属原子的固溶度更高,是实现金属掺杂的优秀Si基基质材料。本文选择金属掺杂a-Si薄膜为研究方向,以非晶硅钌(a-Si1-xRux)薄膜和非晶硅银(a-Si1-xAgx)薄膜为研究对象,采用多种成膜技术与材料特性表征手段并结合仿真设计,深入研究了薄膜微观结构及光电特性的演变规律及其作用机理,并对潜在应用进行了探索。具体内容可概括如下:（1）采用射频磁控共溅射（RF co-sputtering）成膜技术,制备a-Si1-xRux薄膜;使用多种材料表征手段,深入研究了a-Si网络结构随薄膜中Ru含量变化的演变规律、Ru原子在薄膜中的存在形式;结合退火处理,分析并讨论了a-Si1-xRux薄膜中a-Si网络与纳米晶在温度作用下的结构变化;通过引入氢气制备出了氢化非晶硅钌(a-Si1-xRux:H)薄膜,建立了薄膜中硅氢（Si-H）组态变化与Ru含量之间的关系。结果表明,a-Si网络短程有序性和中程有序性,随Ru含量增加出现了不同程度的下降。Ru原子既可以替位原子存在于a-Si网络中,又会析出形成硅钌纳米晶。高温使硅钌纳米晶发生相变,并通过金属诱导晶化机制促进了a-Si晶化。在a-Si1-xRux:H中,Ru原子与微孔内表面的Si悬挂键结合,使薄膜中H含量下降,剩余的H多以体Si-H单键形式存在。（2）在a-Si1-xRux薄膜微观结构的研究基础上,对薄膜的激活能、电阻率与电阻温度系数（TCR）的变化规律进行了研究;利用光谱椭楄仪建立了薄膜的光学模型,对薄膜折射率、消光系数及色散关系进行了分析,并优化了薄膜的光学带隙;结合硅衬底表面微纳结构,构建了准二维无序材料,以实现在缩减薄膜厚度条件下的近红外宽谱高效光吸收。结果表明,a-Si1-xRux薄膜的激活能与电阻率随Ru含量的增加而降低。通过调控钌含量,可使非晶硅钌薄膜具有较低的电阻率和较高的TCR。同时,薄膜折射率和消光系数随钌含量增加而升高,近红外波段吸收系数高于硅锗薄膜,且光学带隙随钌含量增加而减小。准二维无序材料包含随机分布的纳米孔阵列,可使光学模式在薄层平面内产生多次散射,进而实现宽光谱增益。基于这种特殊结构的非晶硅钌薄膜,可在兼顾光吸收的同时避免载流子无谓复合。（3）采用RF co-sputtering成膜技术,制备a-Si1-xAgx薄膜;针对Si与Ag为简单二元共熔体系的特点,研究了Ag原子对a-Si网络的影响和纳米晶粒的特征;研究了不同Ag含量a-Si1-xAgx薄膜的电阻率变化范围,并与硅银忆阻器开关比进行了比较。通过椭楄建模,重点研究了薄膜的色散关系,阐明了薄膜光学常数变化机理,并讨论了潜在的应用方向;利用Ag在Si中形成的深能级缺陷,实现了a-Si1-x Agx薄膜常温光致发光。结果表明,薄膜中的Ag会使a-Si网络无序化,并以纳米晶的形式均匀分布。随着Ag含量的增加,薄膜电阻率逐渐减小,其电阻率变化范围覆盖了硅银忆阻器的典型电阻开关比。a-Si1-xAgx薄膜折射率变化由宽光谱范围内的增加与可见光范围内的反常色散叠加形成,消光系数随银含量的增加而增加,并在700nm左右出现吸收峰。同时,a-Si1-xAgx在可见、近红外、远红外及太赫兹段的透过率均随Ag含量的增加而降低。a-Si1-xAgx在常温下具有光致发光特性,随着薄膜中Ag含量的增加,其发光强度先升后降,峰位出现红移。（4）构建并制备出“Ag/a-Si/p-Si”忆阻结构,研究了其阻变特性;设计出了基于a-Si1-xAgx薄膜忆阻器的新型光开关,并通过仿真软件进行了功能验证和结构优化;设计出了基于a-Si1-xAgx薄膜忆阻器的光读取仿生神经突触,并通过仿真软件进行了功能验证。结果表明,a-Si1-xAgx薄膜忆阻器阻变性能受窗口尺寸和制备工艺的影响,与薄膜中所包含的微孔结构与致密度相关。通过优化新型光开关结构尺寸,可使其具备低插入损耗、高消光比的特性。光读取仿生神经突触具有将突触权值以光强输出的功能,并能利用材料色散在单节点上实现按波长展开形成多个信道的能力。
王娜娜[4]（2014）在《SiO2基底中TiO2纳米颗粒的合成及Cu纳米颗粒的辐照改性研究》文中研究指明纳米颗粒以其优异的电、磁、力和光催化等性能，在光电器件、生物传感器、太阳能电池等众多领域具有广阔的应用前景。近年来，合成和表征纳米颗粒的特性已成为纳米技术领域重要的研究方向。本论文利用离子注入，重离子辐照及热处理合成多种纳米颗粒并对其分布和结构进行改性，借助X射线衍射技术（GIXRD）、紫外-可见分光光度计（UV-Vis）、卢瑟福背散射仪（RBS）和横截面试样的透射电子显微镜（TEM）详细研究了纳米颗粒的微观结构、空间分布和光吸收特性。主要研究内容及结果如下：（1）能量为70keV，剂量为1×1016/cm2的Zn离子和能量为45keV，剂量分别为5×1016/cm2和1×1017/cm2的Ti离子顺次注入SiO2，后续在O2气氛中400-900oC退火。结果表明：增加Ti注入剂量有利于合成高质量的TiO2纳米颗粒；另外，Zn离子预注入可改变后续Ti原子的分布，改变基底介电环境，促进吸收谱红移；同时，弥散在TiO2周围的Zn会抑制TiO2纳米颗粒生长，使吸收带边蓝移，两者共同影响合成的TiO2纳米颗粒的光吸收特性。（2）能量为30keV，剂量为1×1017/cm2的Ti离子斜注入的SiO2基底，随后选择部分样品用能量为100keV，剂量为1×1016/cm2的Xe离子辐照，以改变Ti纳米颗粒的空间分布，晶体结构以及光吸收特性。RBS结果表明：Xe离子辐照后，Ti的深度分布展宽，经700oC退火形成纯净的金红石相TiO2，吸收边红移，800oC时基底中可能产生TiSiO4晶体，这时样品的吸收边是金红石相TiO2和TiSiO4晶体吸收边叠加的结果。（3）能量为45keV，剂量为1×1017/cm2的Cu离子注入的SiO2样品，随后用能量为500keV的Ar和Xe离子辐照，其中Ar离子的剂量为1×1016/cm2，Xe离子的剂量为1×1015-2×1016/cm2，以改善Cu纳米颗粒的尺寸和空间分布以及样品的光吸收特性。TEM结果表明：剂量为2×1016/cm2的Xe离子辐照后，Cu纳米颗粒均匀分布在同一深度，且该深度大于Cu离子的投影射程，Cu纳米颗粒的平均直径由7.3nm增加到8.5nm，使得退火后吸收整体下降；1×1015/cm2的Xe离子辐照退火后吸收整体增加；在相同能量和剂量下，Xe离子辐照比Ar离子辐照具有更好的改性效果。
刘金华[5]（2009）在《量子点的制备及其水溶性修饰》文中认为半导体量子点是一种尺寸大小为1nm100nm的团簇,这种零维体系的物理行为与原子极为相似,所以被称为人造原子,电子在其中的能量状态呈类似原子的分立能级结构,因此光学行为与一些大分子很相似可以发射荧光。相对于传统的有机荧光染料,大小均匀的半导体量子点发射光谱窄且具有尺寸调谐特性、用单个波长即可激发不同的量子点、荧光量子产率高、稳定性好和具有很好的生物相容性等优点,近年来量子点丰富的光学特性及其在生物学标记方面巨大的研究和应用价值逐步被看好。本文针对当前有机溶剂中合成量子点仍然存在反应条件苛刻、反应温度高、原料金属有机化合物易燃、易爆、毒性大和溶剂昂贵等缺点,采用改进的绿色化学合成方法制备出了高荧光产率、分散性好的半导体量子点,研究了反应时间、反应温度以及反应溶剂对量子点生长情况及性能的影响,并对所制备的量子点进行了一定的水溶性改性,使其可以很好的应用于生物领域。（1）本文第一章是采用柴油作为溶剂,油酸作为配体,而没有使用有剧毒的TOPO作为配体,大规模的合成了荧光强度高,分散性好的CdSe量子点,有望实行量子点的工业化生产。（2）第二章改用正辛酸和TOP作为配体,柴油作为溶剂,在较低的温度80-160℃的条件下成功合成了荧光强度高,分散比较好的CdTe量子点,考察了所制备的CdTe量子点的一些性质,发现CdTe量子点在可见光条件下,随着时间的变化会发生很大的蓝移现象,我们使用巯基乙酸成功的把油相合成的CdTe转到水相中去,并且可以保持很强的荧光,但是随着在自然光敞开的体系下搅拌,发现所转到水中去的CdTe量子点发生了明显的红移现象。（3）第三章使用第一章合成的CdSe量子点作为核,采用SILAR方法合成了CdSe/ZnS和CdSe/CdS核壳量子点,并采用合成的高分子配体成功把油相核壳量子点转到水中。
袁小磊[6]（2019）在《金属氧化物与金属复合纳米材料的液相可控制备及其光/电催化应用》文中指出环境污染和能源危机是21世纪人类面临的两大难题。为了解决环境与能源问题,研究者们付出了巨大的努力,并且取得了很多研究成果。在解决环境问题方面,二氧化钛（TiO2）作为光催化剂,通过控制暴露较大比例的（001）面在光照条件下可以有效地降解有机污染物。此外,为了有效解决能源问题,开发具有较高能量转换效率与较低污染排放的燃料电池成为研究者们的研究重点。在治理环境污染和缓解能源危机中,催化剂能有效地加速污染物光降解和燃料电化学氧化,扮演着重要角色。调节催化剂的表界面性质及电子结构是提高催化活性以及稳定性的重要手段。在本论文中,首先通过调节TiO2暴露的（001）晶面,实现有机污染物的高效光催化降解。然后,引入非贵金属,调节铂（Pt）和钯（Pd）纳米结构与电子结构,有效地提高催化剂的电催化氧化活性和稳定性。我们利用液相合成方法,可控制备出暴露（001）晶面的TiO2纳米颗粒、PtBi合金、Pt-Bi（OH）3和PdBi-Bi（OH）3复合纳米材料,并详细地探讨催化剂的形成机理及其光催化和电催化应用。具体工作如下:1.以两端暴露（001）面的TiO2纳米棒为基底,研究TiO2（001）晶面的形成机理及其光催化应用。结果表明,一方面,F-离子的引入可以降低TiO2（001）晶面的表面能,防止（001）晶面在生长过程中变小消失;另一方面,在高温下,F-离子可以与油酸反应生成微量HF,从而不断刻蚀TiO2的（001）晶面并生成四氟化钛（TiF4）,TiF4再分解成TiO2沉积在（001）晶面,使其生长变大。随着TiO2（001）晶面的增多,其光催化降解亚甲基蓝（MB）的效果显着增强。2.采用多元醇法,以二乙二醇（DEG）作为还原剂和溶剂,聚乙烯吡咯烷酮（PVP）作为表面活性剂,成功地制备出具有核壳结构的Pt2Bi六角纳米片。其内部的Pt-Bi核是结构稳定的金属间化合物,同时与外部的Pt壳之间有一定的应力效应。研究表明,Pt2Bi催化剂可有效提高甲醇与乙醇催化氧化的活性和稳定性,对于燃料电池的发展具有一定的推动意义。3.为了提高Pt催化剂的利用率以及稳定性,我们通过两步法制备出高效的Pt-Bi（OH）3催化剂。首先,采用多元醇法制备了蝴蝶状的Pt-Bi纳米颗粒,然后在碱性溶液中用电化学方法处理蝴蝶状Pt-Bi催化剂,得到多孔的Pt-Bi（OH）3框架结构。在电化学处理的过程中,大部分Bi元素会被氧化溶解掉,但是仍有少量的Bi形成氢氧化铋（Bi（OH）3）修饰在多孔Pt框架的表面。原位红外光谱实验和CO抗毒化实验证实,表面的Bi（OH）3可以有效促进水的解离,在Pt活性位点周围产生吸附态的OH-,从而增强其抗CO中毒的能力。因此,多孔的Pt-Bi（OH）3框架结构可以有效地去除乙醇氧化反应（EOR）的中间产物,使其具有较好的乙醇氧化活性和稳定性。4.在碱性乙醇电催化氧化中,较低的稳定性限制了 Pd在碱性直接乙醇燃料电池中（DEFCs）的应用。我们采用两步法制备出具有高活性、高稳定性的PdBi-Bi（OH）3催化剂。首先,我们用DEG作为还原剂和溶剂制备出了项链状的PdBi纳米线;然后在碱性溶液中通过活化处理制备得到Bi（OH）3修饰的PdBi纳米线。该PdBi-Bi（OH）3催化剂质量活性可达5.30 A mgPd-1,在20,000 s的计时电流（CA）测试后仍有超过1.00 A mgPd-1的EOR活性,表现出极高的活性和稳定性。综上所述,本论文根据研究领域存在的问题,设计和合成了具有不同形貌和结构的金属氧化物、贵金属合金或其复合物。TiO2晶面形成机理的研究对于氧化物晶面的制备具有一定的指导意义;Pt、Pd贵金属合金或者复合材料的设计和可控制备对于燃料电池催化剂的发展具有实际的推动意义。
郝睿[7]（2010）在《VUV/β-Ga2O3光催化降解室内VOCs研究》文中研究指明随着人类对室内环境的依存度逐渐提高,室内空气品质（IAQ）愈发引起人们的重视和关注。光催化氧化作为一种新型高级氧化技术,在室内空气治理领域有巨大的应用潜力。本文从解决光催化技术存在的光生载流子易于复合、光催化效率低的问题入手,采用简便、温和、低成本的水热法,通过优化材料生长条件,调控制备出具有特殊结构的高效β-Ga2O3光催化剂,并研究了其结构形貌、光学特性与光催化性能之间的关系。利用低温水热法成功制备出具有特殊形貌结构的β-Ga2O3光催化剂,优化了水热反应条件,表明在水热温度140℃,水热时间6h,初始反应物硝酸镓和尿素摩尔比为1:10时,所得催化剂具有最高的光催化活性,这与催化剂在不同生长条件下的晶型结构、晶粒大小和比表面积密切相关。在水热体系中考察了PEG浓度和分子量对材料光催化性能的影响机制。证明了PEG分子量为200,用量为20mL时所得β-Ga2O3具有最高的催化活性。这是因为适宜的PEG浓度和分子量可以优化催化剂形貌,增加催化剂的比表面积,并产生丰富的氧空位及镓氧空位对,对提高气固传质反应速率和抑制光生载流子的复合率起到了积极的作用。利用PTR-MS和GC-MS对VUV光解室内低浓度甲苯和萘过程的中间产物进行了在线检测和定性分析,发现了一些醛、酮等毒性较大的中间产物。空气下光解萘过程还发现了2种碳原子数大于10的光生聚合体,聚合体的形成可能与臭氧氧化作用相关。联合VUV/β-Ga2O3光催化降解技术净化单一和复合污染物,与普通UV/β-Ga2O3和VUV/TiO2光催化进行了效果对比,表明VUV/β-Ga2O3技术具有更强的污染物去除能力,连续流中单一甲苯污染物去除率可达92.2%。在VUV下β-Ga2O3因其更大的禁带宽度,也表现出了较TiO2更优越的光催化性能。
黄博达[8]（2005）在《水分子与离子晶体填充碳纳米管的动力学模拟及其电子学、光学特性研究》文中认为纳米材料与器件作为21世纪最重要的纳米科学与技术的分支,近年来得到了飞速的发展,显现出巨大的潜力和生命力。目前这一交叉学科已成为学术界最为前沿的研究领域之一,也是各国投入巨资极力发展的未来科学技术的制高点。在各种新兴的纳米材料中,碳纳米管以其特殊的结构、优良的性能、极高的稳定性受到了非常广泛的关注。而它所具有的各种独特性质在显示出无穷魅力的同时,也造就了许多新概念和新技术。 碳纳米管作为一种一维管状分子,可以视作由石墨片卷曲而成。这种独特的结构使其具有极高的表面积,对气体、液体等分子表现出较强的吸附性能;同时其管状空腔具有较大的容积,能够作为高效的分子存储介质。研究发现,通过毛细作用,碳纳米管可以将氢气等气体分子吸入并存储在管内。通过提高储氢量,碳管有可能在未来成为氢燃料的重要载体。 除了氢等气体分子外,其他分子或者溶液,以及DNA、蛋白质等生命物质也能够被吸附到碳纳米管之中。在研究这些吸附和输运现象时,水的作用是人们最关注的。水分子广泛存在于自然环境、化学试剂以及生物体中。研究证明,水分子对于维持生物细胞的输运畅通与电化学势平衡发挥着至关重要的作用。这些跨膜的蛋白质输运通道与碳纳米管的管状结构有相似之处。作为一种研究生物化学反应的基本模型,碳纳米管中的生命分子和溶液的传输是揭示众多未知生命现象的重要途径。 将碳纳米管作为分子传输通道的应用前景是十分广阔的。在纳米机械制造领域,拥有高机械强度的碳纳米管可以被用来构建基本的流体运送管网。在纳米医学领域,可以用碳纳米管探针来进行分子传输,如核酸、蛋白质或其他化学物质,甚至将来有望实施细胞手术,比如将药物直接送达癌细胞的细胞核内部。目前,日本已经成功的利用附有碳纳米管探针的原子力显微镜（AFM）观察活细胞的核子,并使纳米探针穿透细胞膜和核膜,直接到达细胞核。这就为更精确、更有效地杀灭癌细胞创造了条件。然而在这些应用中,我们面临的一个突出问题就是如何有效地对碳纳米管中的流体进行控制。纳米量级的微观物
史丽娜,刘俊标,李文萍,韩立[9]（2020）在《基于Matlab的磁透镜场分布计算与优化分析》文中研究说明磁透镜聚焦是获得微束斑电子束的一种主要方法,磁透镜的场分布直接影响着电子束的品质。为了解决商业软件难以实现的磁透镜参数化设计,本文基于Matlab编制了计算磁透镜场分布的有限元法程序,实现了磁透镜参量的系列化设计,并搭建了磁场测量平台进行实验验证,仿真值与实验值的相对误差<5%。在此基础上,编制的程序能够对磁场值是否饱和进行实时判断,进而微调控饱和区域优化透镜结构消除磁饱和点。
马成华[10]（2019）在《基于CdTe量子点自组装生长低维手性纳米线的机理与光学特征研究》文中研究说明无机纳米粒子的自组装机理由于其相互作用的多样性和非掺杂性至今仍是一个悬而未决的问题。本研究课题在手性选择性共振吸收的基础上,利用圆偏振光诱导技术成功组装了双螺旋线纳米带,通过引入一种新的光氧化偶极矩机制,探究了纳米颗粒尺寸对组装物形貌的影响。由于硫化镉和碲化镉界面间距的变化,分子间的偶极矩会随着纳米粒子尺寸的增大而减小。首先,不同偏振方向的光照导致碲化镉量子点和配体的光氧化程度不同,从而影响量子点的结构和光学性质。非偏振光倾向于促进了碲化镉量子点的光氧化,导致了量子点的光降解和荧光光致发光（PL）谱蓝移,发光强度减弱;而圆偏振光更倾向于促进配体的光氧化,从而在量子点表面形成硫化镉层,减少了粒子表面的不饱和键和悬键,抑制了表面原子的活性,降低了能级缺陷,导致量子点继续增大和光致发光谱红移,发光强度增强。这是由于量子点和有机配体成键的空间位形导致量子点和配体对两种性质的光响应不同从而产生了不同的光氧化过程。其次,通过调节溶液中纳米粒子的尺寸、浓度等条件可以实现对原子形貌的可操作性,研究发现光氧化与自组装之间的竞争以及偶极-偶极相互作用与静电排斥之间的竞争可以通过纳米粒子的大小、分散体的浓度和溶液中硫醇配体的比例来调节,合适的纳米颗粒尺寸、较低的分散浓度和较低的配体比值是制备手性纽带的关键。最后通过对不同粒径纳米粒子自组装的形貌、化学计量比、微观结构和光学性质的研究,提出了一种新的增强纳米粒子偶极矩的机制。不同偏振方向的光照导致碲化镉量子点和配体的光氧化程度不同,从而影响量子点的形貌结构和光学性质,圆偏振光诱导的纳米结构系统重组可以为具有手性的材料提供一种新的、功能强大的技术,为具有手性特征的纳米半导体材料开辟了新的领域。
二、OPTICAL PROPERTIES OF UNSATURATED SYMMETRICAL MAGNETIC ELECTRON LENSES（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、OPTICAL PROPERTIES OF UNSATURATED SYMMETRICAL MAGNETIC ELECTRON LENSES（论文提纲范文）
（1）脉冲等离子体推力器羽流特性研究（论文提纲范文）
| 表目录 |
| 图目录 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 脉冲等离子体推进器研究进展 |
| 1.2.1 系统分类和结构组成 |
| 1.2.2 发展历程 |
| 1.3 脉冲等离子体推进器羽流特性研究进展 |
| 1.3.1 羽流诊断实验研究 |
| 1.3.2 羽流沉积实验研究 |
| 1.3.3 国内发展概况 |
| 1.4 本文的研究内容 |
| 第二章 脉冲等离子体推力器羽流特性研究方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 脉冲等离子体推力器工作原理及实验样机 |
| 2.2.1 PPT 工作原理简介 |
| 2.2.2 PPT 样机组成结构 |
| 2.2.3 工质简介 |
| 2.3 朗缪尔探针测量原理 |
| 2.3.1 朗缪尔探针诊断方法概述 |
| 2.3.2 朗缪尔三探针测量原理 |
| 2.3.3 朗缪尔三探针诊断方法误差分析理论 |
| 2.4 羽流沉积实验分析方法 |
| 2.4.1 形态与形貌表征方法 |
| 2.4.2 结构成分鉴定方法 |
| 2.4.3 光学特性分析方法 |
| 2.5 小结 |
| 第三章 脉冲等离子体推力器羽流诊断实验研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验装置及实验方案 |
| 3.2.1 羽流诊断实验装置简介 |
| 3.2.2 地面真空实验系统 |
| 3.2.3 实验测量方案 |
| 3.2.4 探针清洗方案 |
| 3.3 实验数据处理 |
| 3.3.1 数据的滤波处理 |
| 3.3.2 数据计算处理软件 |
| 3.4 实验结果分析 |
| 3.4.1 三探针诊断系统测量误差来源及解决方案 |
| 3.4.2 PPT 羽流分布特性结果分析 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 脉冲等离子体推力器羽流沉积实验研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验装置及实验方案 |
| 4.2.1 实验装置 |
| 4.2.2 实验方案 |
| 4.3 实验结果分析 |
| 4.3.1 表面形貌分析 |
| 4.3.2 结构成分分析 |
| 4.3.3 光学特性分析 |
| 4.4 小结 |
| 结束语 |
| 本文的主要工作 |
| 下一步工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
（2）GaAs基量子阱纳米结构中能带调控及光学特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景及研究意义 |
| 1.2 GaAs基材料纳米结构及应用介绍 |
| 1.2.1 GaAs材料基本介绍 |
| 1.2.2 GaAs基纳米结构介绍 |
| 1.2.3 GaAs基纳米线的应用 |
| 1.3 GaAs基量子阱纳米线 |
| 1.3.1 GaAs基量子阱纳米线研究介绍 |
| 1.3.2 GaAs/GaAsSb量子阱中的能带结构 |
| 1.4 GaAs基纳米结构光学性质研究介绍 |
| 1.5 现有研究结果的不足 |
| 1.6 本文的主要研究内容 |
| 第2章 GaAs基纳米线的生长设备与表征手段 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 GaAs基纳米线的生长设备 |
| 2.3 形貌表征 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM)表征 |
| 2.3.2 透射电子显微镜(TEM)表征 |
| 2.3.3 能谱仪(EDS)表征 |
| 2.4 光致发光光谱(PL)表征 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 GaAs纳米线的生长及表面处理 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 GaAs纳米线生长中的晶相控制 |
| 3.2.1 GaAs纳米线的生长 |
| 3.2.2 衬底腐蚀工艺对GaAs纳米线的形貌的影响 |
| 3.2.3 衬底腐蚀工艺对GaAs纳米线光谱表征的影响 |
| 3.2.4 衬底腐蚀工艺对GaAs纳米线晶体结构的影响 |
| 3.2.5 衬底腐蚀工艺对GaAs纳米线晶相控制的机理 |
| 3.3 GaAs纳米线的表面处理 |
| 3.3.1 湿法钝化对GaAs纳米线光学性质的影响 |
| 3.3.2 等离子体处理对GaAs纳米线光学性质的影响 |
| 3.3.3 核壳结构对GaAs纳米线光学性质的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 GaAs基单量子阱纳米线生长及光学性质研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 GaAs/GaAsSb/GaAs单量子阱纳米线生长 |
| 4.3 GaAs/GaAsSb/GaAs单量子阱纳米线形貌表征 |
| 4.4 GaAs/GaAsSb/GaAs单量子阱纳米线中的能带结构 |
| 4.5 GaAs/GaAsSb量子阱纳米线PL光谱表征 |
| 4.5.1 GaAs/GaAsSb量子阱纳米线低温PL光谱表征 |
| 4.5.2 单量子阱中激发功率相关的PL谱 |
| 4.5.3 单量子阱中温度相关的PL谱 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 GaAs基量子阱纳米线中组分调控及光学性质表征 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 GaAs/GaAsSb量子阱纳米线中的组分调控 |
| 5.3 不同Sb组分量子阱纳米线的形貌表征 |
| 5.4 不同Sb组分量子阱纳米线的PL光谱 |
| 5.4.1 不同Sb组分量子阱纳米线的低温PL光谱 |
| 5.4.2 不同Sb组分量子阱纳米线的功率相关PL光谱 |
| 5.4.3 不同Sb组分量子阱纳米线的温度相关PL光谱 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论及创新点 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
| 致谢 |
（3）金属掺杂非晶硅薄膜的结构演化及光电特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 非晶硅概述 |
| 1.1.1 非晶硅的微观网络结构 |
| 1.1.2 非晶硅的电子结构 |
| 1.1.3 非晶硅的光学特性 |
| 1.2 非晶硅薄膜金属掺杂研究现状 |
| 1.2.1 非晶硅的常规掺杂 |
| 1.2.2 非晶硅的金属掺杂 |
| 1.3 本论文主要工作 |
| 1.3.1 选题意义 |
| 1.3.2 主要研究内容 |
| 1.3.3 文章结构安排 |
| 第二章 非晶硅薄膜制备及主要表征方法 |
| 2.1 磁控溅射工作原理 |
| 2.2 样品制备 |
| 2.2.1 磁控溅射制备金属掺杂非晶硅薄膜 |
| 2.2.2 等离子增强化学气相沉积制备非晶硅薄膜 |
| 2.2.3 金属电极制备 |
| 2.2.4 湿法腐蚀制备硅微纳结构 |
| 2.3 薄膜特性表征方法 |
| 2.3.1 拉曼散射光谱法 |
| 2.3.2 X射线衍射分析 |
| 2.3.3 扫描电子显微分析 |
| 2.3.4 透射电子显微分析 |
| 2.3.5 电阻率及电阻温度系数测试方法 |
| 2.3.6 椭圆偏振光谱法 |
| 2.3.7 光致发光测试方法 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 非晶硅钌薄膜微纳结构及其演化规律 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 制备态薄膜的非晶网络结构演化与纳米晶化 |
| 3.2.1 研究背景 |
| 3.2.2 实验过程 |
| 3.2.3 结果分析 |
| 3.3 退火处理对薄膜微纳结构的影响 |
| 3.3.1 研究背景 |
| 3.3.2 实验过程 |
| 3.3.3 结果分析 |
| 3.4 钌对氢化非晶硅钌薄膜中硅氢组态的影响 |
| 3.4.1 研究背景 |
| 3.4.2 实验过程 |
| 3.4.3 结果分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 非晶硅钌薄膜光电特性及其应用 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 薄膜电学特性研究 |
| 4.2.1 研究背景 |
| 4.2.2 实验过程 |
| 4.2.3 结果分析 |
| 4.3 薄膜光学常数调控及光学带隙优化 |
| 4.3.1 研究背景 |
| 4.3.2 实验过程 |
| 4.3.3 结果分析 |
| 4.4 准二维无序材料构建及其应用 |
| 4.4.1 研究背景 |
| 4.4.2 实验过程 |
| 4.4.3 结果分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 非晶硅银薄膜微纳结构及其光电特性 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 薄膜微纳结构演化 |
| 5.2.1 研究背景 |
| 5.2.2 实验过程 |
| 5.2.3 结果分析 |
| 5.3 薄膜光电特性研究 |
| 5.3.1 研究背景 |
| 5.3.2 实验过程 |
| 5.3.3 结果分析 |
| 5.4 薄膜光致发光特性研究 |
| 5.4.1 研究背景 |
| 5.4.2 实验过程 |
| 5.4.3 结果分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 非晶硅银薄膜忆阻特性及其应用研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 非晶硅银薄膜忆阻器试制及其阻变功能实现 |
| 6.2.1 研究背景 |
| 6.2.2 实验过程 |
| 6.2.3 结果分析 |
| 6.3 基于非晶硅银薄膜忆阻器的光开关仿真研究 |
| 6.3.1 研究背景 |
| 6.3.2 仿真过程 |
| 6.3.3 结果分析 |
| 6.4 基于非晶硅银薄膜忆阻器的光读取仿生神经突触仿真研究 |
| 6.4.1 研究背景 |
| 6.4.2 仿真过程 |
| 6.4.3 结果分析 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 全文工作总结 |
| 7.2 创新点 |
| 7.3 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（4）SiO2基底中TiO2纳米颗粒的合成及Cu纳米颗粒的辐照改性研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.1.1 纳米材料光催化原理 |
| 1.1.2 光催化裂解水制氢 |
| 1.1.3 杀菌消毒 |
| 1.1.4 空气净化 |
| 1.1.5 新型能源的应用 |
| 1.2 TiO_2的晶体结构及光学特性 |
| 1.2.1 TiO_2晶体结构 |
| 1.2.2 TiO_2的能带结构与带隙 |
| 1.3 金属纳米颗粒的表面等离子共振 |
| 1.4 纳米颗粒的制备方法 |
| 1.4.1 溶胶-凝胶法 |
| 1.4.2 水热法 |
| 1.4.3 磁控溅射法 |
| 1.4.4 离子注入法 |
| 1.4.5 离子注入法合成金属纳米材料的研究进展 |
| 1.5 本论文的主要工作 |
| 第二章 样品的制备与表征 |
| 2.1 离子注制备纳米材料技术简介 |
| 2.1.1 离子注入机工作原理简介 |
| 2.1.2 离子与固体相互作用机制 |
| 2.1.3 SRIM 模拟程序介绍 |
| 2.2 离子注入法制备纳米颗粒 |
| 2.2.1 Zn、Ti 双离子顺次注入的样品 |
| 2.2.2 Ti 离子单独注入和 Ti、Xe 离子顺次注入的样品 |
| 2.2.3 Xe 和 Ar 离子辐照 Cu 样品 |
| 2.2.4 退火处理 |
| 2.3 纳米颗粒的表征及基本原理 |
| 2.3.1 紫外-可见分光光度计(UV-Vis) |
| 2.3.2 掠射角 X 射线衍射(GIXRD) |
| 2.3.3 卢瑟福背散射(RBS) |
| 2.3.4 TEM 测试及基本原理 |
| 第三章 Zn 离子预注入对合成 TiO2纳米颗粒的光学性质的影响 |
| 3.1 RBS 测试结果及分析 |
| 3.2 GIXRD 测试结果及分析 |
| 3.3 UV-Vis 测试结果与分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 Xe 离子辐照对合成 TiO2光学性质的影响 |
| 4.1 RBS 测试结果及分析 |
| 4.2 GIXRD 测试结果及分析 |
| 4.3 UV-Vis 测试结果及分析 |
| 4.3.1 Ti 样品 UV-Vis 测试结果及分析 |
| 4.3.2 Ti+Xe 样品 UV-Vis 测试结果及分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 Xe 和 Ar 离子辐照对 Cu 离子注入的 SiO_2结构及光吸收特性的影响 |
| 5.1 GIXRD 测试结构及分析 |
| 5.2 TEM 测试结果及分析 |
| 5.3 UV-Vis 测试结果及分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文及参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（5）量子点的制备及其水溶性修饰（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 量子点的概念 |
| 1.2 量子点的结构及其尺寸 |
| 1.3 量子点的特性 |
| 1.3.1 量子尺寸效应 |
| 1.3.2 量子限域效应 |
| 1.3.3 表面效应 |
| 1.3.4 小尺寸效应 |
| 1.3.5 量子隧穿效应 |
| 1.3.6 量子点的光学特性 |
| 1.4 量子点的合成概述 |
| 1.4.1 水热、溶剂热合成法 |
| 1.4.2 溶胶一凝胶法 |
| 1.4.3 微乳液法 |
| 1.4.4 模板合成法 |
| 1.4.5 超声化学法 |
| 1.4.6 化学还原法 |
| 1.5 量子点的表面修饰 |
| 1.5.1 对荧光纳米晶的疏水表面进行配体交换 |
| 1.5.2 两性分子修饰 |
| 1.5.3 采用硅烷化对纳米晶的包覆 |
| 1.5.4 用树枝状配体对纳米晶的包覆 |
| 1.5.6 用高分子材料对纳米晶进行包覆 |
| 1.6 展望 |
| 1.7 研究课题的提出及目的 |
| 第2章 CdSe 量子点的油相制备及其性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验试剂 |
| 2.2.2 实验仪器 |
| 2.2.3 实验步骤 |
| 2.3 量子点表征 |
| 2.3.1 紫外可见分光光度计表征 |
| 2.3.2 荧光分光光度计表征 |
| 2.3.3 透射电镜（TEM）表征 |
| 2.3.4 X 射线衍射（XRD）表征 |
| 2.4 结果与讨论 |
| 2.4.1 不同反应时间对CdSe 量子点光学性能的影响 |
| 2.4.2 不同的油酸的量对CdSe 量子点的性质影响 |
| 2.4.3 不同Cd:Se 的比例对合成CdSe 量子点的影响 |
| 2.4.4 不同反应温度对CdSe 量子点光学性能的影晌 |
| 2.5 样品表征分析 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 CdTe 量子点的合成及其性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验试剂 |
| 3.2.2 实验仪器 |
| 3.2.3 实验步骤 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 不同时间对合成CdTe 量子点的性质影响 |
| 3.3.2 不同温度对合成CdTe 量子点的性质影响 |
| 3.3.3 不同正辛酸的量对合成CdTe 量子点的性质影响 |
| 3.3.4 正己酸对合成CdTe 量子点的性质影响 |
| 3.3.5 油相CdTe 稳定性测试 |
| 3.4 油相CdTe 量子点的水溶性改性 |
| 3.5 小结 |
| 第4章 CdSe/CdS 和CdSe/ZnS 核壳量子点的合成及其水溶性修饰 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验试剂 |
| 4.2.2 实验仪器 |
| 4.2.3 实验步骤 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 核壳量子点合成 |
| 4.3.2 量子点水相改性 |
| 4.4 小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 |
| 致谢 |
（6）金属氧化物与金属复合纳米材料的液相可控制备及其光/电催化应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 纳米TiO_2的制备与研究进展 |
| 1.2.1 TiO_2纳米阵列与纳米管 |
| 1.2.2 暴露(001)面的TiO_2纳米晶体 |
| 1.3 贵金属合金及其复合物结构的制备与研究进展 |
| 1.3.1 多孔材料 |
| 1.3.2 纳米线 |
| 1.3.3 核壳结构与异质结构 |
| 1.4 金属氧化物、贵金属合金及其复合物结构的应用 |
| 1.4.1 金属氧化物(TiO_2)的光催化应用 |
| 1.4.2 贵金属合金及其复合物结构的电催化应用 |
| 1.5 论文选题意义和研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 实验与表征 |
| 2.1 实验材料与仪器 |
| 2.1.1 实验试剂 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 材料的物相分析 |
| 2.2.1 组分与形貌分析 |
| 2.2.2 材料结构分析 |
| 2.3 光、电催化与表征技术 |
| 2.3.1 光催化测试 |
| 2.3.2 电催化测试与表征技术 |
| 参考文献 |
| 第三章 TiO_2形貌与晶面的可控制备及光催化应用 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.2.1 实验过程 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 钛酸四丁酯到带有截面的八面体双金字塔结构的制备及其研究 |
| 3.3.2 TiO_2纳米棒到带有截面的八面体双金字塔结构的制备及其研究 |
| 3.3.3 TiO_2纳米材料降解亚甲基蓝的研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 Pt_2Bi核壳结构电催化剂的制备与催化醇氧化研究 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.2.1 实验过程 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 Pt_2Bi核壳结构六角纳米片的制备与表征 |
| 4.3.2 Pt_2Bi核壳结构六角纳米片催化甲醇与乙醇氧化的研究 |
| 4.3.3 Pt_2Bi核壳结构六纳米角片的催化机理研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 Bi(OH)_3修饰的Pt基框架结构的制备及其催化醇氧化研究 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.2.1 实验过程 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 多孔框架Pt-Bi(OH)_3纳米结构材料的制备与表征 |
| 5.3.2 多孔框架Pt-Bi(OH)_3纳米结构材料催化醇氧化研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 PdBi-Bi(OH)_3纳米线对乙醇催化稳定性的研究 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 实验过程 |
| 6.2.1 实验过程 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 PdBi-Bi(OH)_3纳米线材料的制备与表征 |
| 6.3.2 PdBi-Bi(OH)_3纳米线材料的EOR活性测试 |
| 6.3.3 PdBi-Bi(OH)_3纳米线材料的EOR稳定性测试 |
| 6.3.4 PdBi-Bi(OH)_3纳米线材料的EOR活性与稳定性分析与讨论 |
| 6.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 论文总结 |
| 7.2 论文的创新点 |
| 7.3 研究展望 |
| 攻读博士学位期间公开发表的论文 |
| 致谢 |
（7）VUV/β-Ga2O3光催化降解室内VOCs研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 光催化技术概述 |
| 1.2.1 光催化技术的研究背景 |
| 1.2.2 光催化技术的基本原理 |
| 1.2.3 光催化剂的种类及改性技术 |
| 1.2.4 光催化反应动力学过程 |
| 1.3 β-Ga_2O_3半导体材料概述 |
| 1.3.1 β-Ga_2O_3的性质结构和用途 |
| 1.3.2 β-Ga_2O_3的制备方法 |
| 1.4 真空紫外光降解污染物研究现状及进展 |
| 1.4.1 光化学和光降解基本原理 |
| 1.4.2 VUV光解及光催化联合技术研究现状 |
| 1.5 选题依据、研究目的及内容 |
| 1.5.1 选题背景及依据 |
| 1.5.2 研究目的和意义 |
| 1.5.3 研究内容 |
| 2 实验材料、仪器及分析方法介绍 |
| 2.1 实验材料和仪器 |
| 2.1.1 实验材料 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 实验分析方法及GC标准曲线绘制 |
| 2.2.1 气相色谱分析条件 |
| 2.2.2 甲苯标准曲线的绘制 |
| 2.3 催化剂活性评价 |
| 2.3.1 催化剂活性测试 |
| 2.3.2 光照空白试验 |
| 2.4 催化剂表征分析方法原理 |
| 2.4.1 X-射线衍射(XRD)分析 |
| 2.4.2 BET比表面积测定和BJH孔结构分析 |
| 2.4.3 紫外可见(UV-vis)漫反射光谱分析 |
| 2.4.4 透射电镜(TEM)分析 |
| 2.4.5 扫描电镜(SEM)分析 |
| 2.4.6 热重-差示扫描量热(TG-DSC)分析 |
| 2.4.7 光致发光(PL)分析 |
| 3 β-Ga_2O_3的水热法制备、表征和光催化性能初探 |
| 3.1 实验过程 |
| 3.1.1 β-Ga_2O_3水热法制备及路线 |
| 3.1.2 β-Ga_2O_3结构表征方法及仪器 |
| 3.2 结果与讨论 |
| 3.2.1 β-Ga_2O_3和前驱体GaOOH的XRD表征结果分析 |
| 3.2.2 β-Ga_2O_3前驱体GaOOH的TG-DCS表征结果分析 |
| 3.2.3 β-Ga_2O_3的BET-BJH表征结果分析 |
| 3.2.4 β-Ga_2O_3的TEM-HRTEM表征结果分析 |
| 3.2.5 β-Ga_2O_3的UW-vis表征结果分析 |
| 3.2.6 水热温度对β-Ga_2O_3光催化活性的影响分析 |
| 3.2.7 水热时间对β-Ga_2O_3光催化活性的影响分析 |
| 3.2.8 反应物初始配比对β-Ga_2O_3光催化活性的影响分析 |
| 3.2.9 两种表面活性剂对β-Ga_2O_3光催化活性的影响分析 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 PEG表面活性剂对β-Ga_2O_3结构、形貌和光催化性能影响研究 |
| 4.1 实验过程 |
| 4.1.1 PEG修饰β-Ga_2O_3制备方法及路线 |
| 4.1.2 β-Ga_2O_3结构表征方法及仪器 |
| 4.2 结果与讨论 |
| 4.2.1 PEG用量对β-Ga_2O_3结构与光催化性能的影响 |
| 4.2.2 PEG不同分子量对β-Ga_2O_3结构、光学和光催化性能的影响 |
| 4.2.3 碱性物质对β-Ga_2O_3晶型及光催化性能的影响 |
| 4.2.4 PEG修饰β-Ga_2O_3的生长机理初探 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 VUV降解室内低浓度甲苯和萘的机理研究 |
| 5.1 实验过程 |
| 5.1.1 主要分析仪器 |
| 5.1.2 光解实验装置 |
| 5.1.3 光解实验步骤 |
| 5.2 光解甲苯结果与讨论 |
| 5.2.1 光解甲苯中间产物种类分析 |
| 5.2.2 甲苯光解机理推测 |
| 5.3 光解萘结果与讨论 |
| 5.3.1 光解萘中间产物种类分析 |
| 5.3.2 萘光解机理推测 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 VUV/β-Ga_2O_3联合光催化降解VOCs研究 |
| 6.1 实验过程 |
| 6.1.1 分析仪器 |
| 6.1.2 实验装置 |
| 6.1.3 实验步骤 |
| 6.2 实验结果讨论 |
| 6.3 本章小结 |
| 7 结论、创新点及建议 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 创新点 |
| 7.3 建议 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间发表的学术论文和专利 |
（8）水分子与离子晶体填充碳纳米管的动力学模拟及其电子学、光学特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 前言 |
| 1.1 纳米材料 |
| 1.2 碳纳米管的独特性质 |
| 1.3 论文结构 |
| 参考文献 |
| 第2章 密度泛函基本理论 |
| 2.1 绝热近似 |
| 2.1.1 多粒子系统的薛定谔方程 |
| 2.1.2 Born-Oppenheimer近似 |
| 2.2 Thomas-Fermi模型 |
| 2.3 Hartree-Fock近似 |
| 2.3.1 Hartree方程 |
| 2.3.2 Fock近似 |
| 2.3.3 Koopmans定理 |
| 2.4 Hohenberg-Kohn定理 |
| 2.5 Kohn-Sham方法 |
| 2.6 交换关联泛函 |
| 2.6.1 局域密度近似(LDA) |
| 2.6.2 密度梯度近似(GGA)及其它近似方法 |
| 参考文献 |
| 第3章 经典分子动力学模拟基本理论及经验势场介绍 |
| 3.1 分子动力学模拟方法简介 |
| 3.2 经验势场 |
| 3.2.1 能量表达式的基本形式 |
| 3.2.2 MM势场 |
| 3.2.3 AMBER势场 |
| 3.2.4 CHARMM势场 |
| 3.3 分子动力学模拟的基本原理 |
| 3.4 运动方程的求解 |
| 参考文献 |
| 第4章 碳纳米管中可调控的水分纳米流体通道 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 计算方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 碳纳米管吸附水分子的初始动力学规律 |
| 4.3.2 不同带电性对碳管周围水分子密度分布的影响 |
| 4.3.3 水分子纳米管与密度分布图样 |
| 4.3.4 水分子纳米管的形成机制及与碳纳米管结构的关系 |
| 4.3.5 碳管内外水分子纳米管的结构差异 |
| 4.3.6 ab initio相关计算 |
| 4.3.7 管内水分子的输运特性与可控制的纳米传输通道 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 NaCl离子晶体在碳纳米管中的重结晶过程 |
| 5.1 国际研究进展及背景介绍 |
| 5.2 碳纳米管中的晶体与实验方法的局限 |
| 5.3 计算方法 |
| 5.4 结果及分析 |
| 5.4.1 碳纳米管中的NaCl重结晶过程 |
| 5.4.2 影响NaCl晶体结构的因素 |
| 5.4.3 多壁 NaCl纳米管及一维单链结构 |
| 5.4.4 NaCl密度的径向分布分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第6章 基于ab initio的单壁碳纳米管-NaCl晶体复合材料动力学驰豫及电子学特性研究 |
| 6.1 以ab initio方法研究的出发点 |
| 6.2 计算方法 |
| 6.3 复合材料中的分子结构与晶体形变 |
| 6.3.1 2×2 NaCl晶体 |
| 6.3.2 3×3 NaCl晶体 |
| 6.3.3 晶体形变规律 |
| 6.3.4 碳管与晶体的形变类型 |
| 6.3.5 小结 |
| 6.4 复合材料的电子结构 |
| 6.4.1 能带结构与投影态密度分析 |
| 6.4.2 电子密度分布与电子云交叠 |
| 6.4.3 碳纳米管-NaCl晶体复合材料的应用前景展望 |
| 6.5 本章总结 |
| 参考文献 |
| 第7章 单壁碳纳米管-NaCl晶体复合材料的激发态及光吸收特性 |
| 7.1 简介 |
| 7.2 紫外与可见光吸收光谱的形成 |
| 7.3 紫外与可见光吸收光谱的主要类型 |
| 7.4 分子轨道方法 |
| 7.5 半经验分子轨道法 |
| 7.5.1 全略微分重叠(CNDO) |
| 7.5.2 间略微分重叠(INDO) |
| 7.6 组态相互作用(CI)方法 |
| 7.6.1 CIS方法 |
| 7.6.2 CI计算的困难与 ZINDO方法 |
| 7.6.3 ZINDO中的组态相互作用 |
| 7.7 单壁碳纳米誉-NaCl晶体复合材料激发态的计算方法 |
| 7.8 3×3 NaCl晶体纳米线与复合材料的光吸收 |
| 7.8.1 NaCl晶体对(19，0)单壁碳纳米管的影响 |
| 7.8.2 电子跃迁规律 |
| 7.8.3 NaCl晶体对(20，0)单壁碳纳米管的影响 |
| 7.9 2×2 NaCl晶体纳米线与复合材料的光吸收 |
| 7.10 不同尺寸的NaCl晶体纳米线对不同管型碳管的调制规律 |
| 7.11 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第8章 总结 |
| 在读期间参与科研项目情况_ |
| 获奖精况 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（9）基于Matlab的磁透镜场分布计算与优化分析（论文提纲范文）
| 1 磁透镜的场分布计算与仿真 |
| 2 磁透镜磁场测量平台的搭建与实验测量 |
| 3 磁场饱和点优化 |
| 4 结论 |
（10）基于CdTe量子点自组装生长低维手性纳米线的机理与光学特征研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景及意义 |
| 1.2 纳米材料的手性特征 |
| 1.2.1 手性纳米材料的自组装 |
| 1.2.2 具有手性特征纳米材料的光学敏感性 |
| 1.3 无机纳米半导体材料的研究现状 |
| 1.3.1 制备量子点的技术简介 |
| 1.3.2 量子点的特性分析 |
| 1.3.3 量子点的物理效应 |
| 1.3.4 国内外的研究现状及应用 |
| 1.4 研究目的及内容 |
| 1.4.1 研究目的 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 第二章 实验方案和研究方法 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.2 实验设备 |
| 2.3 实验内容 |
| 2.3.1 量子点合成 |
| 2.3.2 光谱检测分析及形貌表征 |
| 2.4 实验原理 |
| 2.4.1 荧光光致发光的基本原理 |
| 2.4.2 量子效率测量机理 |
| 2.4.3 电子显微镜成像原理 |
| 2.4.4 圆偏振光的实现 |
| 第三章 量子点自组装及扭曲的生长机制 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 自组装扭曲过程的图谱分析 |
| 3.2.1 CdTe QDs的粒径与纳米粒子自组装的关系 |
| 3.2.2 CdTe纳米带发生扭曲的机理 |
| 3.3 量子点自组装扭曲的机理分析 |
| 3.3.1 TRs自组装过程机理分析 |
| 3.3.2 自组装过程中的偶极距增强机制 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 CdTe NPs生长机制的重要影响因素 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 纳米粒子浓度对QDs自组装过程的影响 |
| 4.3 静电斥力与偶极-偶极引力之间的竞争 |
| 4.3.1 配体对纳米粒子表面静电斥力作用 |
| 4.3.2 纳米粒子间的静电排斥作用 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
| 1.作者简历 |
| 2.攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
| 学位论文数据集 |
四、OPTICAL PROPERTIES OF UNSATURATED SYMMETRICAL MAGNETIC ELECTRON LENSES（论文参考文献）
- [1]脉冲等离子体推力器羽流特性研究[D]. 张帆. 国防科学技术大学, 2012(01)
- [2]GaAs基量子阱纳米结构中能带调控及光学特性研究[D]. 李浩林. 长春理工大学, 2021(01)
- [3]金属掺杂非晶硅薄膜的结构演化及光电特性研究[D]. 郭安然. 电子科技大学, 2017(01)
- [4]SiO2基底中TiO2纳米颗粒的合成及Cu纳米颗粒的辐照改性研究[D]. 王娜娜. 天津大学, 2014(05)
- [5]量子点的制备及其水溶性修饰[D]. 刘金华. 湖南大学, 2009(03)
- [6]金属氧化物与金属复合纳米材料的液相可控制备及其光/电催化应用[D]. 袁小磊. 苏州大学, 2019(04)
- [7]VUV/β-Ga2O3光催化降解室内VOCs研究[D]. 郝睿. 浙江大学, 2010(08)
- [8]水分子与离子晶体填充碳纳米管的动力学模拟及其电子学、光学特性研究[D]. 黄博达. 山东大学, 2005(01)
- [9]基于Matlab的磁透镜场分布计算与优化分析[J]. 史丽娜,刘俊标,李文萍,韩立. 电子显微学报, 2020(03)
- [10]基于CdTe量子点自组装生长低维手性纳米线的机理与光学特征研究[D]. 马成华. 浙江工业大学, 2019(02)