一、固体钽电解电容器承受纹波电压等能力的分析（论文文献综述）
刘标[1]（2020）在《高储能聚丙烯基复合电介质的设计、制备与性能调控研究》文中提出随着电子电气工业的发展和电子能源系统的高性能需求,有机薄膜电介质电容器因其微/纳秒级的充放电速度、宽广的温谱和频谱稳定性、优异的耐压和柔韧特性而受到人们的高度关注。当今广泛研究的电介质薄膜大多采用铁电类聚合物（如聚偏氟乙烯（PVDF）及其共聚物）作为基体,由于其本征的铁电性损耗,这类复合电介质均具有难以克服的充放电效率低、发热集中易击穿等问题;而利用具有线性充放电特性的非极性聚合物（如聚丙烯（PP））作为复合电介质基体,又具有介电常数（ε）低（2.2）、加工制备困难、复合电介质微观均匀性和界面特性难以控制等缺点。因而如何实现纳米复合电介质薄膜ε和电击穿强度（Eb）的协同提升是实现其储能密度提升的关键,也是当前电极化储能研究领域的热点和难点。综上所述,本课题以核-壳结构纳米钛酸钡填充的PP基复合电介质薄膜为研究对象,以提升其储能密度为目的,采用理论分析、实验探究及计算模拟相结合的研究方法,以“微观结构——宏观性能——功能应用”逐级调控为研究主线,从以下方面开展研究:（1）选用纳米钛酸钡（BaTiO3,BT）为无机填料粒子,通过表面引发原子自由基聚合（ATRP）方法,实现甲基丙烯酸甲酯（MMA）单体聚合为壳而包覆在BT粒子表面,成功制备得到具有均匀核-壳结构、高比表面积、有机壳层厚度可调以及分散良好的系列PMMA@BT纳米颗粒。研究构筑工艺参数对纳米填料结构和组分特征的影响规律,从而实现核-壳结构纳米填料的合理构筑。结果表明,PMMA均匀接枝在BT表面,并且可精确控制壳层厚度在4～10nm分布,PMMA@BT纳米颗粒在PP基体中有改善的相容性。（2）选用PP作为复合电介质基体,基于界面极化效应及电击穿特性,采用熔融共混和热压成膜的方式,成功制备了系列PP基纳米复合电介质薄膜。揭示核-壳结构纳米填料中壳层厚度和纳米颗粒填充量对纳米复合电介质薄膜的机械、介电和Eb特性的影响规律。结果表明,最优化的有机壳层厚度为8 nm,填料负载含量为10 wt%,PMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的ε从2.2提高至3.8,Eb从361 MV/m提高至448 MV/m。（3）选用PP作为复合电介质基体,采用熔融共混和热压成膜方式,成功制备了系列PP基纳米复合电介质薄膜。揭示核-壳结构纳米填料对纳米复合电介质薄膜的储能和充放电效率特性的影响规律,并对其进行优化,提成纳米复合电介质薄膜的储能密度。结果表明,在最优化的有机壳层厚度（8 nm）及填料负载含量（10 wt%）情况下,PMMA@BT/PP纳米复合电介质的放电能量密度从0.83 J/cm3到3.86 J/cm3显着增加了365.1%,充放电效率从87.6%到94.1%增加了7.4%。（4）利用多物理场仿真软件（COMSOL）对纳米复合电介质薄膜内部微观电流密度和电场分布进行理论模拟,揭示核-壳结构纳米填料界面结构和填充量与纳米复合电介质薄膜电场电势、电场分布及电流密度的关系;并结合介电和电击穿的实验结果,揭示核-壳结构纳米填料调控纳米复合电介质薄膜性能的微观机理。结果表明,不同聚合物链段互补减少深陷阱以抑制空间电荷积聚,降低了复合电介质的电场的不均匀系数,使电流密度分散;进一步证明了高绝缘PMMA壳层可以有效地限制自由电子的迁移和过量电流的渗流,从而使Eb提高,漏导电流减小,剩余极化减小。最终实现放电能量密度和充放电效率的同步优化。
代东升[2]（2019）在《提高片式钽电容器耐浪涌电流能力的工艺研究》文中研究说明片式钽电容器作为通用元器件之一,具有体积小、重量轻、滤波效果好等优点,已广泛应用于军用电子领域。但是,在低阻抗和高频线路中使用时,二氧化锰片式钽电容器常常在开关机瞬间出现浪涌电流失效。据国内外厂家和用户统计,片式钽电容器通电失效案例中浪涌电流失效占到80%以上。因此,提升片式固体电解质钽电容器耐浪涌电流的能力,可有效降低片式钽电容器因浪涌电流失效对整机应用产生的影响,提高产品的应用可靠性。目前,国外公司已经有了关于浪涌电流失效机理的研究,并提出了主要有四种失效机理的理论。国内在浪涌电流失效机理方面未提出相应的理论,主要以参考和借鉴国外理论为主。为满足元器件的国产化替代需求,提高国产片式固体电解质钽电容器的使用可靠性,急需开展相关研究。本文首先分析了片式钽电容器的关键工艺流程,即阳极设计、压制成型、烧结、形成、被膜和筛选。接着研究总结了四种浪涌电流失效机理:闪火击穿理论为介质氧化膜缺陷,电流集中流过闪火击穿失效;电压振荡理论为产品耐压不足,开机高压击穿失效;局部热击穿理论为阴极层不均匀,局部电场强度大,电流密度大,产生高温热击穿失效;机械应力失效理论为钽芯强度低,经焊接热应力膨胀产生内部机械应力损伤而失效。从浪涌电流失效机理入手,结合片式钽电容器的结构和工艺流程,详细地分析了各关键工艺流程对片式钽电容器耐浪涌电流能力的影响。通过上述研究,得出了各工艺与不同失效机理之间的关系,明确提出了各工艺流程的影响因素。比如,阳极设计同电压振荡和闪火击穿失效理论相关,主要影响因素有钽粉选用、设计钽芯尺寸和重量以及设计形成电压;成型工艺同电压振荡、局部热击穿和机械应力失效理论相关,主要影响因素有粉重偏差、压制密度、钽粉压制分布均匀性以及钽芯完整性等。最后结合失效机理及工艺影响因素,针对性地开展片式固体电解质钽电容器的阳极设计优化、关键工艺优化以及筛选方法优化的研究,以提升片式钽电容器耐浪涌电流冲击的能力。研究成果包括生产中尽量选择片状粉粒钽粉、粘合剂增加有机酸、烧结工序采用钝化工艺、热处理时加入惰性气体等。根据工艺优化研究结果,投入了大量的产品进行工艺试验验证,证明了优工艺优化研究的有效性。本文的研究成果,对提升片式钽电容器耐浪涌电流能力具有实际的生产指导意义。
田超[3]（2019）在《一种提高片式钽电容器耐压能力的形成方法研究》文中提出二氧化锰阴极模压片式钽电容器具有体积小、重量轻、电压高、容量大、漏电流小、等效串联电阻低、温度和频率特性好、可靠性高和寿命长等优点,被广泛应用于各类电子整机线路中,起着储能、滤波、旁路、耦合等作用。近年来,随着电子整机系统不断向微型化、集成化、大功率化和高频化等方向快速发展,对片式钽电容器的耐压性能提出了更高的要求。本文在研究片式钽电容器耐压能力与其介质氧化膜形成电压关系的基础上,提出了一种提高片式钽电容器耐压能力的阳极氧化方法。本文以片式钽电容器为实验样品进行研究,研究的主要内容和结论包括:1、从原理上讲,片式钽电容器的耐压能力与其介质氧化膜形成电压符合正比关系,即介质氧化膜形成电压越高,片式钽电容器耐压能力越强。但存在部分形成电压高的片式钽电容器耐压能力反而低于形成电压低的片式钽电容器,分析得到造成该现象的原因是:片式钽电容器的介质氧化膜形成后,在后续生产制造和使用过程中由于受到温度应力、机械应力和电气应力等冲击,介质氧化膜劣化,导致其耐压能力下降。2、基于片式钽电容器介质氧化膜受应力劣化的原理,提出了一种提高片式钽电容器耐压能力的介质氧化膜形成方法,即在传统的阳极氧化前增加一次在低温、高形成电压和高形成电流密度条件下的快速形成,快速形成生成的五氧化二钽氧化膜仅仅附在阳极钽块的外表面,起到保护后续形成的氧化膜免受热量的、机械的和电气的冲击损伤,降低其耐压性能劣化,从而达到提高片式钽电容器耐压能力的目的。根据实验结果,采用快速形成方法的片式钽电容器击穿电压明显高于未采用快速形成的片式钽电容器采用快速形成方法的片式钽电容器无论在何种测试电压下的浪涌电流失效率均低于未采用快速形成的片式钽电容器,尤其是在高倍率测试电压下的浪涌电流失效率差异尤为明显。3、研究了快速形成方法的工艺参数选择,根据理论并结合实验结果,快速形成液选择碱金属的强碱性溶液,形成温度最高不能超过15℃,否则电容器电容量将大幅衰减;升压电流密度选择3A/mg;恒压时间90s;快速形成电压不能低于片式钽电容器额定电压的4倍,但最好不超过额定电压的6倍。4、由于钽粉本身存在极限形成电压,因此快速形成的方法仅适用于额定电压为25V及以下的片式钽电容器。通过以上研究,本文提出了一种提高片式钽电容器耐压性能的形成方法,并得出了该方法的最优工艺参数,为高可靠性和低形成倍率的片式钽电容器制造提供了一种阳极氧化方法,在提升企业技术水平和市场竞争力等方面,具有直接的实际意义。
吴文韬[4]（2019）在《改进型Y源逆变器关键器件的寿命预测研究》文中指出可靠性技术由于具备广阔的应用前景和显着的优势,受到了学术和企业界的广泛关注。近年来由于新能源产业的发展,电力电子变换器的可靠性一直是国际可靠性领域的热门研究方向。为了保证逆变系统的可靠性,除了优化拓扑结构,还需要评估电力电子变换器在给定的环境下稳定工作的能力。并从设计的角度出发,找出系统的薄弱环节,研究故障的根源。从而在设计阶段就能根据可能遇到的问题预测系统寿命,进行系统结构的优化。为了解决传统Y源逆变器存在的电压尖峰、启动冲击电流、输入电流断续、升压比丢失等一系列问题,本文提出一种改进型的Y源逆变器拓扑结构。并通过仿真与实验结果,验证改进型Y源逆变器的优越性。在改进型Y源逆变器的基础上,通过对IGBT模块和电容器两个易损部件失效机制的研究,为改进型Y源逆变器关键器件的寿命预测方法提供基础。在IGBT模块方面,本文深入研究其电气和封装结构,并总结出IGBT模块的主要失效原因、故障部位和失效物理机制,从而建立了IGBT模块的寿命模型。通过现有的加速老化实验数据,确定了IGBT模块寿命模型参数。在电容器方面,比较分析了各种电容器的应用场景和优缺点。针对电容器在改进Y源逆变器使用过程中存在的可靠性问题,深入研究了其故障机制和失效模式,并选择合理的电容寿命预测模型。最后,在光伏逆变应用场景下,提出基于任务剖面的改进型Y源逆变器关键器件寿命预测方法。建立Y源逆变器IGBT模块的电-热模型,利用线性疲劳累积理论,通过雨流计数法,预测IGBT的疲劳寿命。提取给定任务剖面中的电容纹波,结合电容寿命公式和环境温度,给出改进型Y源逆变器中电容的预测寿命。将改进型Y源逆变器关键器件的寿命预测结果与传统Y源逆变器进行比较分析,验证改进型Y源逆变器在可靠性方面的提升。通过搭建的实验平台,验证含有吸收回路的Y源逆变器拓扑的优越性能。在此基础上,基于IGBT模块和电容器的可靠性研究和建模,并以改进型Y源逆变器为例,创造性地提出逆变器关键器件寿命预测的可靠性有效的评估手段,为逆变器的可靠性设计提供理论指导。
崔梦珂[5]（2019）在《大功率3D集成式三相共模EMI滤波器研究》文中进行了进一步梳理高度电气化是在人们日益增长的需求下汽车技术进步的必然,也是汽车技术在很长时间内的发展趋势和研究热点。相较传统内燃机汽车,电气电子设备的急速增加使得多种类型电气电磁设备集中在车体内部。车辆控制、通信系统和导航等设备都通过电气设备连接在一起,电磁环境极其复杂。汽车内部各个系统间和汽车与外部环境间的电磁兼容性对于汽车的安全运行和外部环境中其他电子设备的正常工作意义重大。电力电子装置的植入化在为系统性能带来提升的同时,作为电磁噪声源,使得整个系统级别的电磁兼容问题变得复杂起来。基于GaN和SiC材料的大功率宽禁带半导体开关器件商用化,功率器件的开关速度得以大幅提升,开关频率也更高,使得电磁干扰问题更为严重,噪声频谱更宽,同时在大功率场合噪声频谱的幅值也更高。电磁干扰会导致轴承磨损加剧,干扰控制或测量系统。应用无源EMI滤波器是最简单、最有效的EMI抑制方法。传统的无源EMI滤波器由分立元件构成,体积大,功率密度小,尤其在大功率场合,这些劣势更加明显。寄生参数会降低电磁干扰滤波器的性能,而手工制作的器件如共模电感,参数一致性难以保证,会使这种情况恶化,且在大功率场合下线缆直径较粗难以绕制。因此有必要在电力电子技术大的发展趋势下确立新的无源EMI滤波器的设计理念和方法。为有效减小EMI滤波器体积并提高其性能,本文提出了一种适用于车载系统的大功率3D集成式三相共模EMI滤波器设计方法,并对其进行了研究。集成化是电力电子系统的发展趋势;3D打印技术在机械制造方面展现出了优异的性能,可以非常容易地制造出内腔复杂的机械零件;而多喷头技术则能以更多种类的材质来完成最终的设计,这些快速制造技术的飞速发展,可以为电子系统的生产提供很好的技术支持。本文首先对课题的研究背景进行了介绍,包括目前的研究现状以及选题的目的和意义;其次针对系统的高频电磁干扰的产生机理进行了分析,确立设计指标;再次提出了本课题的设计方案以及优化设计分析,重点介绍了一种大功率3D集成式EMI滤波器结构和优势。该EMI滤波器由平面型共模电感和平板型电容集成,平面型的结构有利于提高空间利用率,从而提高其功率密度。3D的互联工艺,可以较为容易的实现复杂的电磁结构,在给定的体积下提高电感性能;通过磁芯叠层排布的方式,可以实现不同磁性材料性能的互补,使得插入损耗在很宽的频带内维持在较高的水准。同时,平板型电容采用冲压式导体层结构作为引出端子,该压接联接方式具有良好的导电性能,而且可以减弱因震动带来的机械冲击,同时减小电容的等效串联电感ESL,展宽滤波器的插损频带,进一步提高EMI滤波器的性能。最后通过仿真和样机搭建验证了设计的可行性。本研究所设计的3D集成式EMI滤波器,相比传统大功率EMI滤波器,体积减小,功率密度增大,插入损耗性能提高,高插损工作频段展宽,且易于实现工业化生产,产品参数一致性好,寄生参数可控。
刘建康[6]（2018）在《5A低压差电源设计与实现》文中指出随着半导体制造技术的快速发展,芯片市场日趋成熟,LDO电源不断提高其在电源管理IC中的地位。它在电源芯片市场具有重要的角色,使电源芯片呈现多种化、多样化的趋势。与开关稳压器电源相比,它具有噪声低,电源抑制比高,外围电路结构简单,输出稳定等优点,在芯片市场上得到广泛应用。因此,根据电源市场未来的发展趋势,结合LDO电源系统的特点,需要设计快速的瞬态响应,输出5A电流LDO线性电源以满足当前市场发展的需求。本文重点先介绍了LDO线性稳压器电源的电路工作基本原理和产品设计指标要求及其典型应用的研究。然后介绍了对交流小信号进行建立小信号模型,构建系统环路增益,并推导出LDO电路的开环增益和零极点位置分布。为了抵消环路的极点来保证系统的稳定性,采用对电容等效串联电阻补偿方案,嵌套米勒补偿方案和动态零点补偿方案分别进行了深入的理论研究、分析和比较,然后进一步对LDO电源的重要参数进行了全面分析,以确定LDO电源设计最终方案。最后分析了各子模块电路的结构和工作原理,分别给出了LDO电源系统模块仿真结果,在此基础上进行了整体电路仿真。并在大电流下对产品的封装和版图进行可靠性的分析和设计。本文采用0.35um CMOS工艺通过用Cadence软件对电路和版图进行设计和仿真,仿真结果表明该电路是一款具有低压差电压为500mV,快速瞬态响应功能,最大输出5A电流和输出2.5V电压的LDO线性电源。
黄永升[7]（2017）在《电容器安规特性动态测量关键技术研究及样机研制》文中进行了进一步梳理电容器安全规范性能测试是元器件制造与应用领域中最重要的测试内容之一。近年来,随着新型电容器,尤其是特种薄膜电容器的储能密度越来越高,电容器中绝缘介质的实际工作场强常常接近临界击穿场强,这对高储能密度电容器安全规范性能测试准确度提出了非常高的要求。传统的电容器安全规范测试设备通常基于依次进行电容器恒压充电、定时保持、漏电流检测、RC放电等步骤进行检查的工作流程,测试效率、测量准确度已难以满足大批量生产时快速准确测量的需求。研究新型电容器安规检测技术及设备,确保出厂检验时能高效率、高准确度的识别具有绝缘缺陷的电容器,具有十分重要的意义。本课题来源于南京某仪器企业委托的校企联合研发项目,围绕多种类型电容器电气安全规范性能测试过程中的高速充放电、动态测试分析与实时保护、精密检测等关键技术展开研究。本学位论文研究的新型电容器安规性能检测仪通过恒流/恒压柔性切换的充电模式对被测电容器快速充电,并对充电状态自动识别,当电容器在充满电荷后快速进行直流漏电流精密检测量,判断出电容器是否满足绝缘性能要求。当存在绝缘缺陷时,电容器在充电过程中存在被击穿或漏电的危险。为解决该问题,本系统对充电的动态过程实时高速监测,当充电电压斜率发生异常突变时,快速切断充电回路,避免出现安全事故。本学位论文在对新型电容器安全规范动态检测机理研究的基础上进行嵌入式系统软硬件设计,研究内容包括:恒流/恒压柔性充电的极化直流高压源模块研制、漏电流精密检测模块研制、基于FPGA的高速信号采集与测控模块研制、基于ARM7的主控制器模块研制及嵌入式系统软件设计。其中,极化高压源模块采用基于倍压电路和线性调整管的线性电源方案,实现电压1～1000V、电流0.5mA～500mA的直流输出;漏电流精密检测模块采用多档位电流/电压转换电路,实现对100pA～20mA的宽范围电流信号的转换、放大及滤波等信号调理,其中对低于1OnA的微电流采用高精度T型反馈网络;基于FPGA的高速信号采集与测控模块,实现对动态检测过程中的充电电流、充电电压、漏电流进行多路实时高速检测,并在FPGA中实现数字低通滤波及数据暂存,实时判断动态测量中的异常工作点,并根据故障信息进行异常处理;基于ARM7的主控制器模块,实现控制FPGA对系统进行测量,完成算法分析、人机交互、RS232串行通信等功能。本学位论文在对整机测量系统误差模型研究的基础上,进行系统误差理论分析,提出误差修正方法,并由MCU实现。本学位论文包括五个章节。第一章绪论,介绍了电容器安规特性动态测量仪的应用背景、国内外研究现状,及本课题的主要研究内容,深入讨论了电容器的动态物理特性、电容器绝缘电阻/漏电流测量原理及电容器耐压测试原理。第二章系统总体方案,根据系统的设计指标提出电容器安规特性动态测量仪的系统总体架构,并对各主要模块设计方案进行论证。第三章硬件系统设计,在对各模块测量原理、功能需求、指标要求分析的基础上,详细介绍系统各模块关键实现电路及其工作原理。第四章系统软件设计,详细介绍了基于FPGA的驱动程序设计以及基于ARM7的主控制器程序设计,在系统误差产生机理分析的基础上讨论了基于ARM7的校准程序设计。第五章系统调试与数据分析,依据大量实验数据深入分析样机的性能,并针对研制过程中遇到的典型技术问题及其解决措施进行了详细讨论。本学位论文完成的新型电容器安规特性动态测试仪,已经完成功能样机研制,测试结果基本达到委托单位的合同要求,目前正在根据功能样机的测量结果和出现的问题进行改进,以进一步提升系统的性能。
何晓舟[8]（2016）在《高压混合钽电容器介质氧化膜制备工艺探索》文中研究表明混合钽电容器作为一种新型电容器,具有电化学电容器的能量密度和电解电容器的交流特性。因此,混合钽电容器已引起了通常采用钽或铝电解电容器的领域的关注。本课题主要内容是对高压混合钽电容器（代表规格:125V-1100μF）介质氧化膜的制备工艺探索。首先,我们在已有传统的非固体电解质钽电容器生产线和工艺的基础上,根据混合钽电容器的结构和性能特点,逐一分析了影响钽块质量的几个关键工艺（包括:阳极设计、压制成型、烧结）和关键材料（包括:钽粉、钽丝、粘合剂）,通过实验对比研究,得到均匀、致密、抗机械应力强的烧结钽块。其次,在介质氧化膜生长机理、晶化机理、“自愈”机理的理论的指导下,对影响介质氧化膜质量的相关工艺参数进行了深入分析研究（包括:形成温度、形成电流密度、恒压时间、形成液配方）,然后通过多因素、多水平的正交试验,初步确定了形成工艺参数。最后用相关工艺参数试制了混合钽电容器代表规格125V-1100μF,产品经后续装配、焊接、注酸、老炼、老化后测试产品的室温及高低温性能,后对其进行2000h、85℃及125℃寿命试验,其常温及高低温测试值都有显着提高,寿命试验前后的电参数漂移得到有效的改善,达到了预期的目标。通过课题研究,初步掌握了高压混合钽电容器介质氧化膜的制备技术,在传统工艺基础上,首次提出了有机物作粘合剂、压覆烧结钽块、二次成型等新材料、新工艺、新技术,为后续研制生产高可靠、高稳定、长寿命的高压系列混合钽电容器,提高投入产出合格率,提供了思路和指导。
邓俊涛[9]（2016）在《大容量片式钽电容器高低温性能稳定性研究》文中研究说明随着武器装备、航空航天、电子通信等技术的不断发展进步,对片式钽电容器提出了越来越高的要求,大容量、高电压是片式钽电容器未来的发展趋势。为适应不同的应用环境和条件,要求电容器在不同温度下电参数稳定可靠。片式钽电容器的电参数主要为:电容量（C）、漏电流（I）、损耗角正切值（tgδ）及等效串联电阻（ESR）。对于大容量片式钽电容器,由于CV积的要求,需要钽粉的比容值较高,钽芯子尺寸大。为保证其电参数在不同温度下的稳定性,对混粉、成型、烧结、形成、被膜等工序提出了更高的要求。本文通过对大容量片式钽电容器高低温性能的系统研究,寻求出改善其高低温性能稳定性的方法。所取得的主要研究成果为:1.对大容量片式钽电容器的电参数在不同温度下变化规律进行了研究:-55℃125℃工作区间内,钽电容器的电容量随着温度的升高而变大,漏电流值随着温度的升高而增大,损耗角正切值以某一温度为节点随着温度的升高或降低都会增大,等效串联电阻值随着温度的升高而减小。2.对减小电容量变化率的方法进行了研究:减小电容量变化率的主要方法是提高阴极二氧化锰层的被覆率,其关键在于被膜工序,选择合适的分解条件（温度、蒸汽含量）、调整硝酸锰浸渍液的梯度变化及浸渍次数及添加表面活性剂改善浸渍液的表面活性,从而提高二氧化锰层的被覆率。3.对减小漏电流值变化的方法进行了研究:减小漏电流值变化率的方法就是减少疵点的数量。改善混粉条件提高钽粉的流动性,提高成型压制密度,使成型出的钽块更完整,减少机械加工缺陷;提高烧结温度使钽粉杂质剔除更加彻底;形成工序改善形成液的配方,降低形成电流密度,防止热致晶化的发生,减少疵点的产生。4.对减小损耗角正切值及等效串联电阻值变化的方法进行了研究:降低tgδ及ESR值就要求二氧化锰层均匀致密,且阴极二氧化锰层为导电性好的β型。在被膜过程中选择合适的分解条件、在硝酸锰浸渍液中添加相应的分解催化剂,使分解产生的β型二氧化锰层均匀致密。
李惠琴[10]（2015）在《高过载硅微结构MEMS电容器研究》文中进行了进一步梳理本论文针对引信系统对高性能储能器件的迫切需求，重点开展了具有抗高过载、比容值高、体积小、发火电压低的MEMS电容器制造与应用的相关研究，为引信发火电容的设计与应用奠定了理论基础与技术支持。本论文利用ANSYS软件仿真分析了电容器的力学性能，仿真结果肯定了高深宽比深槽结构的可靠性；通过TCAD仿真对刻蚀工艺进行了仿真，确定了干法刻蚀的可行性；通过光刻、显影、去胶、深层反应离子刻蚀（DRIE）技术等一系列MEMS工艺完成了高深宽比深槽结构的制备，并对深槽的垂直度和粗糙度进行了分析，将刻蚀/钝化周期从原来的5/3s调整为5/4s，深槽的垂直度有了明显改善，采用干法氧化—腐蚀—干法氧化—腐蚀多次循环方法将深槽侧壁表面粗糙度降低了67.7%；采用原子层沉积技术完成了MEMS MIM电容器的功能薄膜层的淀积，上下电极均为TiN10nm+W100nm，介质层为Al2O355nm（或35nm），并对MEMS MIM电容器进行了电学特性测试，测试表明当Al2O3介质厚度为55nm时，电容器击穿电压达到32.5V，当Al2O3介质厚度为35nm时，电容器击穿电压平均为26V，显示出MEMS MIM电容器具有很好的耐高电压特性，两种情况下漏电流在微安以下，单层MEMS MIM电容器的平均容值4.88×10-6F；采用原子层沉积技术完成了MEMS MOS电容器的功能薄膜层的淀积，上电极为TiN10nm+W350nm，介质层为Al2O310nm，下电极为P++（100）高掺杂Si，并对电容器的C-V特性进行了测试，不同样片MOS电容器的积累区电容量为30μF～65μF，反型区电容量为25μF～50μF，对电容器的漏电流进行了测试，MOS电容器的漏电流达8μA；设计了电容引信发火电路图，并完成了厚膜发火电路和PCB板发火电路原理样机，采用自由式霍普金森杆和空气炮测试方式对发火机构抗冲击可靠性进行测试，结果表明，项目所设计的发火电路原理样机在5.6万g的冲击下保持完好；采用高低温冲击试验箱和温控仪对发火电路样机进行高低温测试，电路板均无失效情况出现，保持优异的发火起爆能力。
二、固体钽电解电容器承受纹波电压等能力的分析（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、固体钽电解电容器承受纹波电压等能力的分析（论文提纲范文）
（1）高储能聚丙烯基复合电介质的设计、制备与性能调控研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 电介质储能 |
| 1.2.1 介电电容器储能技术 |
| 1.2.2 电介质储能电介质 |
| 1.2.3 极化机理 |
| 1.2.4 基本概念 |
| 1.2.5 介电理论模型 |
| 1.2.6 填料-基体界面物理模型 |
| 1.2.7 电介质能量密度 |
| 1.3 电介质种类 |
| 1.3.1 无机陶瓷 |
| 1.3.2 有机聚合物 |
| 1.3.3 无机/有机聚合物复合电介质 |
| 1.4 电介质的国内外研究现状 |
| 1.4.1 全无机陶瓷介电复合体系 |
| 1.4.2 全有机聚合物介电复合体系 |
| 1.4.3 无机/有机聚合物介电复合体系 |
| 1.5 本论文的研究意义、研究内容及创新点 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 1.5.3 创新点 |
| 2 ATRP法制备PMMA@BT/PP纳米复合电介质及性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验原料及试剂 |
| 2.2.2 实验设备及仪器 |
| 2.2.3 技术路线 |
| 2.2.4 电介质合成 |
| 2.2.5 表征测试条件及方法 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 核-壳结构纳米颗粒PMMA@BT的合成与表征 |
| 2.3.2 PMMA@BT/PP纳米复合电介质的微观形貌研究 |
| 2.3.3 PMMA@BT/PP纳米复合电介质的热学性能研究 |
| 2.3.4 PMMA@BT/PP纳米复合电介质的介电性能研究 |
| 2.3.5 PMMA@BT/PP纳米复合电介质的击穿特性研究 |
| 2.3.6 PMMA@BT/PP纳米复合电介质的储能密度研究 |
| 2.3.7 PMMA@BT/PP纳米复合电介质的力学性能研究 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 不同壳层厚度核-壳结构纳米填料调控及复合电介质性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验原料及试剂 |
| 3.2.2 实验设备及仪器 |
| 3.2.3 技术路线 |
| 3.2.4 电介质合成 |
| 3.2.5 表征测试条件及方法 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 PMMA@BT/PP纳米复合电介质的微观形貌分析 |
| 3.3.2 壳层厚度对PMMA@BT/PP纳米复合电介质介电性能的影响 |
| 3.3.3 壳层厚度对PMMA@BT/PP纳米复合电介质击穿性能的影响 |
| 3.3.4 壳层厚度对PMMA@BT/PP纳米复合电介质储能密度的影响 |
| 3.3.5 壳层厚度对PMMA@BT/PP纳米复合电介质充放电特性的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 有限元模拟复合电介质薄膜内部微观电流密度及电场分布 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 模拟参数说明 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 核-壳结构纳米填料对纳米复合电介质薄膜电场电势的影响 |
| 4.3.2 核-壳结构纳米填料对纳米复合电介质薄膜电场分布的影响 |
| 4.3.3 核-壳结构纳米填料对纳米复合电介质薄膜电流密度的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 硕士期间发表的论文 |
| 硕士期间申请的专利及所获荣誉 |
（2）提高片式钽电容器耐浪涌电流能力的工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 钽电容器的发展背景及现状 |
| 1.1.1 钽电容器的研发历史及现状 |
| 1.1.2 片式钽电容器的失效模式 |
| 1.2 片式钽电容器浪涌电流失效机理及研究现状 |
| 1.2.1 片式钽电容器浪涌电流失效模式及机理 |
| 1.2.2 片式钽电容器抗浪涌电流失效研究现状 |
| 1.3 本论文工作的主要研究内容 |
| 1.3.1 研究目标及研究内容 |
| 1.3.2 拟采取的研究方法、技术路线和实验方案 |
| 第二章 片式钽电容器的电参数及主要工艺流程分析 |
| 2.1 片式钽电容器的电参数 |
| 2.1.1 电容量 |
| 2.1.2 损耗角正切值 |
| 2.1.3 直流漏电流 |
| 2.1.4 等效串联电阻 |
| 2.2 片式钽电容器的结构及生产流程 |
| 2.2.1 片式钽电容器的结构 |
| 2.2.2 片式钽电容的生产流程 |
| 2.3 片式钽电容器生产工艺流程分析 |
| 2.3.1 阳极设计 |
| 2.3.2 压制成型 |
| 2.3.3 烧结 |
| 2.3.4 形成 |
| 2.3.5 被膜 |
| 2.3.6 筛选 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 浪涌电流失效机理与相关生产工艺流程的影响分析 |
| 3.1 片式钽电容器浪涌电流失效机理研究 |
| 3.1.1 闪火击穿理论 |
| 3.1.2 电压振荡理论 |
| 3.1.3 局部热击穿理论 |
| 3.1.4 机械应力失效理论 |
| 3.2 浪涌电流失效与各工艺流程的影响性分析 |
| 3.2.1 阳极设计与浪涌电流失效的影响 |
| 3.2.2 成型工艺与浪涌电流失效的影响 |
| 3.2.3 烧结工艺与浪涌电流失效的影响 |
| 3.2.4 形成工艺与浪涌电流失效的影响 |
| 3.2.5 被膜工艺与浪涌电流失效的影响 |
| 3.2.6 筛选工艺与浪涌电流失效的影响 |
| 3.2.7 提升片式钽电容器耐浪涌电流能力的工艺研究机理 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 片式钽电容器耐浪涌电流能力提升工艺试验 |
| 4.1 阳极设计优化 |
| 4.1.1 优化方案 |
| 4.1.2 试验攻关 |
| 4.2 成型工艺优化 |
| 4.2.1 优化方案 |
| 4.2.2 攻关试验 |
| 4.3 烧结工艺优化 |
| 4.3.1 优化方案 |
| 4.3.2 攻关试验 |
| 4.4 形成工艺优化 |
| 4.4.1 优化方案 |
| 4.4.2 攻关试验 |
| 4.5 被膜工艺优化 |
| 4.5.1 优化方案 |
| 4.5.2 攻关试验 |
| 4.6 筛选优化 |
| 4.6.1 优化方案 |
| 4.6.2 攻关试验 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（3）一种提高片式钽电容器耐压能力的形成方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 片式钽电容器的发展历史和发展趋势 |
| 1.1.1 钽金属 |
| 1.1.2 片式钽电容器的发展历史 |
| 1.1.3 片式钽电容器主要作用及应用领域 |
| 1.1.4 片式钽电容器的发展趋势 |
| 1.2 片式钽电容器简介 |
| 1.2.1 片式钽电容器结构原理 |
| 1.2.2 片式钽电容器主要制造流程 |
| 1.2.3 片式钽电容器的主要电性能参数和失效模式 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.4 课题研究意义、研究目标和研究内容 |
| 1.4.1 研究意义 |
| 1.4.2 研究目标 |
| 1.4.3 研究内容 |
| 1.5 本章小结 |
| 第二章 五氧化二钽氧化膜形成机理及性质特征 |
| 2.1 五氧化二钽介质氧化膜形成过程 |
| 2.1.1 形成设备 |
| 2.1.2 五氧化二钽介质氧化膜形成过程 |
| 2.2 五氧化二钽氧化膜形成过程机理 |
| 2.2.1 正负极电极反应 |
| 2.2.2 五氧化二钽氧化膜形成的离子迁移理论 |
| 2.2.3 高场强下的离子电导基本方程 |
| 2.3 五氧化二钽氧化膜结构特征及晶化现象 |
| 2.3.1 五氧化二钽氧化膜结构特征 |
| 2.3.2 钽氧化膜晶化 |
| 2.3.3 钽氧化膜晶化的危害 |
| 2.4 钽氧化膜厚度测量 |
| 2.5 五氧化二钽氧化膜漏电流机理 |
| 2.5.1 五氧化二钽氧化膜漏电流机理 |
| 2.5.2 PF(Poole Frankel)效应 |
| 2.5.3 电子隧穿 |
| 2.6 五氧化二钽氧化膜的热处理 |
| 2.7 五氧化二钽氧化膜性质及应用 |
| 2.8 本章小结 |
| 第三章 片式钽电容器耐压能力与其介质氧化膜形成电压的关系 |
| 3.1 固体电介质击穿理论 |
| 3.1.1 固体电介质的击穿 |
| 3.1.2 固体电介质的击穿机制 |
| 3.1.3 固体电介质击穿电压与电介质厚度的关系 |
| 3.2 片式钽电容器耐压能力表征及其测试系统 |
| 3.2.1 片式钽电容器耐压能力表征 |
| 3.2.2 片式钽电容器击穿电压测试系统 |
| 3.2.3 片式钽电容器浪涌电流测试系统 |
| 3.3 片式钽电容器耐压能力与其介质氧化膜形成电压关系实验 |
| 3.3.1 片式钽电容器耐压能力的测试方法 |
| 3.3.2 片式钽电容器击穿电压与其形成电压关系测试结果及分析 |
| 3.3.3 片式钽电容器耐浪涌电流能力与其形成电压关系测试结果及分析 |
| 3.4 片式钽电容器耐压能力与其形成电压关系分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 一种提高片式钽电容器耐压能力的形成方法 |
| 4.1 快速形成方法的设计 |
| 4.2 快速形成的工艺条件选择 |
| 4.2.1 形成液的选择 |
| 4.2.2 形成温度的选择 |
| 4.2.3 快速形成电压的选择 |
| 4.2.4 快速形成的电流密度和恒压时间 |
| 4.3 快速形成方法的适用范围 |
| 4.4 快速形成方法对片式钽电容器耐压性能的提升效果 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论和展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（4）改进型Y源逆变器关键器件的寿命预测研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 |
| 1.2 Y源逆变器国内外研究现状 |
| 1.3 寿命预测国内外研究现状 |
| 1.3.1 失效率恒定的寿命预测 |
| 1.3.2 低周疲劳下的寿命预测 |
| 1.3.3 基于任务剖面的寿命预测 |
| 1.3.4 基于数据统计的寿命预测 |
| 1.4 本文的主要研究内容 |
| 第2章 改进型Y源逆变器 |
| 2.1 传统Y源逆变器 |
| 2.1.1 传统Y源逆变器的工作原理 |
| 2.1.2 传统Y源逆变器存在的缺陷 |
| 2.2 改进型Y源逆变器的工作模式分析 |
| 2.3 改进型Y源逆变器的电压电流应力分析 |
| 2.4 改进型Y源逆变器的仿真和实验 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 IGBT模块的可靠性研究 |
| 3.1 IGBT模块的物理结构 |
| 3.1.1 IGBT模块的电气结构 |
| 3.1.2 IGBT模块的封装结构 |
| 3.2 IGBT模块的失效机理研究 |
| 3.2.1 封装相关故障 |
| 3.2.2 烧毁故障 |
| 3.3 IGBT模块的寿命模型研究 |
| 3.3.1 基于统计学的寿命模型 |
| 3.3.2 基于物理机制的寿命模型 |
| 3.4 IGBT模块寿命模型参数的确定 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 电容器的可靠性研究 |
| 4.1 电容器的物理结构 |
| 4.2 电容器可靠性问题 |
| 4.3 电容器失效机理研究 |
| 4.4 电容器的寿命模型 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 改进型Y源逆变器关键器件的寿命预测 |
| 5.1 改进型Y源逆变器中IGBT模块的电-热仿真模型 |
| 5.1.1 热传导方式 |
| 5.1.2 电-热仿真模型的建立 |
| 5.2 改进型Y源逆变器中IGBT模块的寿命预测 |
| 5.2.1 疲劳寿命和S-N曲线 |
| 5.2.2 累积寿命损耗和Palmgren-Miner法则 |
| 5.2.3 雨流计数法 |
| 5.2.4 IGBT寿命预测 |
| 5.3 改进型Y源逆变器中电容的寿命预测 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 |
| 致谢 |
（5）大功率3D集成式三相共模EMI滤波器研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.1.1 电机驱动系统简介 |
| 1.1.2 电磁干扰对系统的危害分析 |
| 1.1.3 大功率宽禁带半导体开关器件带来的EMC问题及要求 |
| 1.1.4 传统无源EMI滤波器的缺陷分析 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 课题研究目的及意义 |
| 1.4 课题研究内容和章节安排 |
| 第二章 大功率电机驱动系统电磁干扰产生机理分析 |
| 2.1 传导电磁干扰产生机理 |
| 2.1.1 共模传导干扰产生机理 |
| 2.1.2 差模传导干扰产生机理 |
| 2.2 传导干扰耦合路径 |
| 2.2.1 共模传导干扰耦合路径 |
| 2.2.2 差模传导干扰耦合路径 |
| 2.3 电机驱动系统电磁干扰抑制方法 |
| 2.3.1 电磁干扰抑制方法 |
| 2.3.2 无源EMI滤波器简介 |
| 第三章 大功率3D集成式三相共模EMI滤波器设计及优化方案 |
| 3.1 滤波器设计流程 |
| 3.2 滤波器设计指标 |
| 3.3 大功率3D集成式三相共模EMI滤波器电路设计 |
| 3.3.1 共模二阶滤波器的插入损耗 |
| 3.3.2 基于寄生参数的滤波器分析模型及参数设计 |
| 3.4 大功率3D集成式三相共模EMI滤波器架构设计 |
| 3.4.1 整体架构 |
| 3.4.2 平面型共模电感设计 |
| 3.4.3 平板型共模电容设计 |
| 第四章 仿真验证 |
| 4.1 平面型共模电感仿真 |
| 4.1.1 电感量值仿真 |
| 4.1.2 寄生参数EPC仿真 |
| 4.1.3 结构——热膨胀仿真 |
| 4.2 平板型共模电容仿真 |
| 4.2.1 电容容值仿真 |
| 4.2.2 寄生参数ESL仿真 |
| 第五章 滤波器实物搭建及性能测试 |
| 5.1 装置实现 |
| 5.2 性能测试 |
| 5.2.1 电感电容性能测试 |
| 5.2.2 EMI滤波器静态插损测试 |
| 第六章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（6）5A低压差电源设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 LDO电源的研究现状 |
| 1.2 课题的研究意义 |
| 1.3 本论文的结构安排 |
| 第二章 LDO电源的原理和应用要求 |
| 2.1 LDO电路工作原理研究 |
| 2.2 LDO电路工作典型应用要求 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 LDO电源电路分析与研究 |
| 3.1 LDO环路稳定性分析 |
| 3.1.1 LDO环路增益的建模 |
| 3.1.2 环路稳定性分析 |
| 3.2 环路稳定性补偿 |
| 3.2.1 传统ESR电阻补偿 |
| 3.2.2 嵌套式密勒补偿 |
| 3.2.3 动态零点补偿 |
| 3.2.4 补偿方案的选择 |
| 3.3 LDO系统电路的线性调整率和负载调整率研究 |
| 3.4 LDO电路的电源抑制比研究 |
| 3.5 LDO的噪声分析 |
| 3.5.1 运算放大器电路噪声模型 |
| 3.5.2 PCB的噪声源及解决方案 |
| 3.6 瞬态响应反应 |
| 3.7 LDO的其他参数分析 |
| 3.7.1 LDO静态电流 |
| 3.7.2 LDO的压差电压 |
| 3.7.3 LDO的功耗设计 |
| 3.7.4 LDO的过温保护功能 |
| 3.7.5 LDO的欠压锁定功能 |
| 3.8 本章小结 |
| 第四章 LDO电源模块电路设计与方案 |
| 4.1 基准电路的设计与仿真 |
| 4.2 过温保护电路的设计及仿真 |
| 4.3 欠压锁定电路的设计及仿真 |
| 4.4 误差放大器电路的设计 |
| 4.5 驱动电路的设计 |
| 4.6 低压差电压的设计 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 LDO电源整体电路仿真及版图设计 |
| 5.1 整体电路 |
| 5.2 整体电路参数仿真 |
| 5.2.1 EN引脚的输入阈值 |
| 5.2.2 PG引脚的漏电流 |
| 5.2.3 PG引脚输出低电平 |
| 5.2.4 PG引脚阈值电压 |
| 5.2.5 PG引脚最小输入电压 |
| 5.2.6 LDO输出电压 |
| 5.2.7 线性调整率 |
| 5.2.8 负载调整率 |
| 5.2.9 电流限制 |
| 5.2.10 待机电流 |
| 5.2.11 电源抑制比 |
| 5.2.12 压差电压 |
| 5.3.电特性曲线图仿真 |
| 5.3.1 压差电压与结温 |
| 5.3.2 负载瞬态响应 |
| 5.3.3 输出电压与输出电流 |
| 5.3.4 输出电压与结温 |
| 5.3.5 电源抑制比与频率 |
| 5.3.6 输出噪声密度与频率 |
| 5.3.7 线性瞬态响应 |
| 5.4 电路版图设计 |
| 5.5 电路可靠性设计 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 6.1 本文的主要贡献 |
| 6.2 下一步工作的展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（7）电容器安规特性动态测量关键技术研究及样机研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 电容器安全规范测量机理分析 |
| 1.3.1 电容器安全规范检测应用中的物理模型研究 |
| 1.3.2 电容器安全规范检测原理 |
| 1.4 论文主要研究内容及章节安排 |
| 1.5 本章小结 |
| 第2章 系统总体方案设计 |
| 2.1 系统设计指标 |
| 2.1.1 高压源设计指标 |
| 2.1.2 电容绝缘电阻/漏电流检测性能设计指标 |
| 2.1.3 电容器耐压测试设计指标 |
| 2.2 系统方案设计 |
| 2.2.1 系统总体结构 |
| 2.2.2 极化高压源方案 |
| 2.2.3 电容充电方案 |
| 2.2.4 电容放电方案 |
| 2.2.5 电容漏电流检测方案 |
| 2.2.6 电容器耐压测试方案 |
| 2.3 本章小结 |
| 第3章 硬件系统设计 |
| 3.1 硬件系统总体架构 |
| 3.2 多档位倍压电路 |
| 3.3 恒流/恒压极化高压源 |
| 3.3.1 恒压原理 |
| 3.3.2 恒流原理 |
| 3.3.3 极化高压源原理分析 |
| 3.3.4 电路仿真结果 |
| 3.4 放电控制电路 |
| 3.4.1 电路原理分析 |
| 3.4.2 放电电流仿真分析 |
| 3.5 漏电流检测电路 |
| 3.5.1 I-V精密转换电路原理设计 |
| 3.5.2电路装配中的影响因素以及处理措施 |
| 3.5.3 程控放大及滤波电路 |
| 3.6 信号采集与控制电路 |
| 3.6.1 ADC采样电路 |
| 3.6.2 DAC电路 |
| 3.6.3 FPGA电路 |
| 3.7 主控单元 |
| 3.7.1 MCU及外围电路 |
| 3.7.2 存储电路 |
| 3.7.3 通信接口电路 |
| 3.8 供电系统 |
| 3.8.1 电源系统需求分析 |
| 3.8.2 电源系统设计 |
| 3.9 本章小结 |
| 第4章 系统软件设计 |
| 4.1 系统软件设计 |
| 4.2 FPGA软件设计 |
| 4.2.1 通信接口 |
| 4.2.2 数据采集模块 |
| 4.2.3 测量控制模块 |
| 4.3 主控制器软件设计 |
| 4.3.1 电容充放电过程控制 |
| 4.3.2 漏电流检测过程控制 |
| 4.4 测量误差补偿及校准 |
| 4.4.1 极化高压源校准 |
| 4.4.2 绝缘电阻测量校准 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 系统调试与数据分析 |
| 5.1 系统调试 |
| 5.1.1 测试环境中的干扰源与解决方案 |
| 5.1.2 I-V转换电路稳定性与交流增益 |
| 5.1.3 恒压保持时间的影响 |
| 5.1.4 电容的介质吸收效应 |
| 5.1.5 ADC采样线性度改善 |
| 5.2 系统性能测试与分析 |
| 5.2.1 极化高压源充放电功能测试 |
| 5.2.2 极化高压源精度及纹波测试 |
| 5.2.3 负载为电阻时的系统精度与重复性测试 |
| 5.2.4 负载为电容时系统的的重复性测试 |
| 5.3 本章小结 |
| 结束语 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 研究生阶段研究成果及发表学术论文情况 |
（8）高压混合钽电容器介质氧化膜制备工艺探索（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 高能混合钽电解电容器的现状及发展前景 |
| 1.2 课题研究背景 |
| 1.3 课题研究内容 |
| 第二章 混合钽电容器的特点及相关基础理论 |
| 2.1 阀金属钽简介 |
| 2.2 混合钽电容器的结构及特点 |
| 2.2.1 混合钽电容器的内部结构 |
| 2.2.2 混合钽电容器的外部结构 |
| 2.2.3 混合钽电容器的结构特点 |
| 2.3 混合钽电容器的性能及特点 |
| 2.3.1 混合钽电容器的电参数性能指标 |
| 2.3.2 混合钽电容器的可靠性性能指标 |
| 2.3.3 混合钽电容器的性能特点 |
| 2.4 混合钽电容器的功能 |
| 2.5 电容器的相关基础理论 |
| 2.5.1 混合钽电容器的大容量阴极 |
| 2.5.2 五氧化二钽（Ta2O5）的介绍 |
| 2.5.3 开孔率对产品性能影响 |
| 2.5.4 混合钽电容器的工作原理 |
| 2.5.5 混合钽电容器介质氧化膜形成原理 |
| 2.5.6 混合钽电容器形成恒压时间对产品漏电流的影响 |
| 2.5.7 混合钽电容器介质氧化膜失效机理 |
| 2.6 介质氧化膜预防晶化的措施 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 关键工艺及高质量钽块的制备研究 |
| 3.1 混合钽电容器的工艺流程 |
| 3.2 阳极设计 |
| 3.2.1 钽粉选择 |
| 3.2.2 结构设计 |
| 3.2.3 阳极基体的设计 |
| 3.2.4 阴极的设计 |
| 3.3 压制成型 |
| 3.3.1 混粉 |
| 3.3.2 钽块成型方式及钽丝埋入方式 |
| 3.4 烧结 |
| 3.4.1 预烧工艺 |
| 3.4.2 本烧工艺 |
| 3.5 形成工艺 |
| 3.6 装配 |
| 3.7 注酸（工作电解液） |
| 3.8 钽电解电容器的高质量钽块 |
| 3.9 本章小结 |
| 第四章 高压混合钽电容器介质氧化膜的制备 |
| 4.1 介质氧化膜的形成过程 |
| 4.2 介质氧化膜的形成方案 |
| 4.3 形成参数的确定与分析 |
| 4.3.1 形成液选择及配比 |
| 4.3.2 形成温度的确定 |
| 4.3.3 形成电流密度与恒压时间的确定 |
| 4.4 试验结果与分析 |
| 4.4.1 试验结果 |
| 4.4.2 几点讨论 |
| 第五章 混合钽电容器的典型应用 |
| 5.1 混合钽电容器的典型运用 |
| 5.1.1 贮能电路 |
| 5.1.2 放电电路 |
| 5.2 混合钽电容器主要特性曲线 |
| 5.3 使用注意事项 |
| 第六章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（9）大容量片式钽电容器高低温性能稳定性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.1.1 片式钽电容器的发展现状 |
| 1.1.2 主要研究方向 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 国内研究现状 |
| 1.2.2 国外研究现状 |
| 1.3 本文的研究内容及意义 |
| 1.3.1 本文研究内容 |
| 1.3.2 本文研究意义 |
| 第二章 片式钽电容器介绍 |
| 2.1 电解电容器的基本概念 |
| 2.2 片式钽电容器的基本介绍 |
| 2.3 片式钽电容器的主要电参数介绍 |
| 2.3.1 电容量 |
| 2.3.2 漏电流值 |
| 2.3.3 等效串联电阻 |
| 2.3.4 损耗角正切值 |
| 2.4 片式钽电容器的工艺流程 |
| 2.4.1 成型工序 |
| 2.4.2 烧结工序 |
| 2.4.3 形成工序 |
| 2.4.4 被膜工序 |
| 2.4.5 石墨银浆工序 |
| 第三章 大容量片式钽电容器高低温性能稳定性研究 |
| 3.1 大容量片式钽电容器电参数在不同温度下的变化规律 |
| 3.1.1 电容量在不同温度下的变化规律 |
| 3.1.2 漏电流在不同温度下的变化规律 |
| 3.1.3 等效串联电阻及损耗角正切值在不同温度下的变化规律 |
| 3.2 电容量高低温稳定性研究 |
| 3.2.1 电容量变化大的影响因素 |
| 3.2.2 减小电容量变化大的方法 |
| 3.3 漏电流高低温稳定性研究 |
| 3.3.1 引起漏电流变大的原因 |
| 3.3.2 减小漏电流变大的方法 |
| 3.4 损耗及等效串联电阻高低温稳定性研究 |
| 3.4.1 引起损耗及等效串联电阻变大的原因 |
| 3.4.2 减小损耗及等效串联电阻变大的方法 |
| 第四章 结论和展望 |
| 4.1 研究结论 |
| 4.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（10）高过载硅微结构MEMS电容器研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 MEMS 电容器研究现状 |
| 1.2.2 MEMS 电容器的分类 |
| 1.3 论文的选题依据和主要研究内容 |
| 第二章 MEMS 电容器基本存储理论及制造关键技术 |
| 2.1 MEMS 电容器电荷存储理论模型研究 |
| 2.2 MEMS 发火电容器主要制备关键技术 |
| 2.2.1 光刻技术 |
| 2.2.2 溅射技术 |
| 2.2.3 深反应离子刻蚀技术（DRIE) |
| 2.2.4 原子层沉积技术 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 MEMS 电容器高深宽比结构设计与实现 |
| 3.1 高过载 MEMS 发火电容器整体设计方案 |
| 3.2 高深宽比深槽结构仿真与分析 |
| 3.2.1 ANASYS 有限元仿真分析 |
| 3.2.2 SILVACO 制造工艺仿真分析 |
| 3.3 高深宽比深槽结构制造与分析 |
| 3.3.1 高深宽比深槽结构制造 |
| 3.3.2 高深宽比深槽结构侧壁垂直度与形貌粗糙度分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 MEMS 电容器制造与电学特性研究 |
| 4.1 MEMS MIM 电容器制造与电学特性研究 |
| 4.1.1 MEMS 电容器电介质与电极材料研究 |
| 4.1.2 MEMS MIM 电容器制造 |
| 4.1.3 MEMS MIM 电容器测试及表征 |
| 4.2 MEMS MOS 电容器制造与电学特性研究 |
| 4.2.1 MEMS MOS 电容器制造 |
| 4.2.2 MEMS MOS 电容器测试及表征 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 MEMS 电容引信发火电路实现与测试 |
| 5.1 MEMS 引信电发火电路设计与实现 |
| 5.1.1 MEMS 引信电发火电路设计 |
| 5.1.2 MEMS 引信发火电路实现 |
| 5.2 MEMS 引信发火电路测试 |
| 5.2.1 MEMS 引信发火电路静态发火测试 |
| 5.2.2 MEMS 引信电发火电路原理样机抗冲击过载测试 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 论文的主要创新点 |
| 6.3 工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间所取得的研究成果 |
| 致谢 |
四、固体钽电解电容器承受纹波电压等能力的分析（论文参考文献）
- [1]高储能聚丙烯基复合电介质的设计、制备与性能调控研究[D]. 刘标. 西安科技大学, 2020(01)
- [2]提高片式钽电容器耐浪涌电流能力的工艺研究[D]. 代东升. 西安电子科技大学, 2019(05)
- [3]一种提高片式钽电容器耐压能力的形成方法研究[D]. 田超. 西安电子科技大学, 2019(05)
- [4]改进型Y源逆变器关键器件的寿命预测研究[D]. 吴文韬. 哈尔滨工业大学, 2019(02)
- [5]大功率3D集成式三相共模EMI滤波器研究[D]. 崔梦珂. 西安电子科技大学, 2019(02)
- [6]5A低压差电源设计与实现[D]. 刘建康. 电子科技大学, 2018(04)
- [7]电容器安规特性动态测量关键技术研究及样机研制[D]. 黄永升. 东南大学, 2017(04)
- [8]高压混合钽电容器介质氧化膜制备工艺探索[D]. 何晓舟. 西安电子科技大学, 2016(03)
- [9]大容量片式钽电容器高低温性能稳定性研究[D]. 邓俊涛. 西安电子科技大学, 2016(03)
- [10]高过载硅微结构MEMS电容器研究[D]. 李惠琴. 中北大学, 2015(07)