一、集成电路设计方法学的几个热点(论文文献综述)
魏少军[1](1998)在《集成电路设计方法学的几个热点》文中进行了进一步梳理对集成电路设计方法学领域当前的几个热点问题及一些相应思路进行评介。
周萌[2](2004)在《SoC功能验证自动化系统的设计与实现》文中提出验证(Verification)一直是芯片设计领域中最困难和最具挑战性的课题之一,它是芯片设计过程中发现概念上、功能上或是实现上的错误的唯一手段。从设计开始到设计综合、系统软件、逐步求精和调试等阶段,验证是贯穿芯片设计全流程的重要组成部分,而不是只在设计完成后才考虑的事情。大量的统计表明,验证工作约占总设计工作量的50%~80%。近几年来随着专用集成电路(ASIC)和系统芯片(SoC)的复杂度的不断提高,以及来自面市时间的巨大压力,芯片验证,尤其是功能验证正日益成为电子产品开发和设计的“瓶颈”。同时在SoC设计中,IP重用设计方法学和大量新的设计技术的采用,使得产品设计和产品功能验证之间出现了生产率的“剪刀差”,而解决方法就是在功能验证中引入新的验证方法学和基于新的方法学上的验证技术。 大量实践证明,基于事务的验证重用方法学是提高功能验证效率的最有效的方法之一。本论文在该方法学基础上,完成了一个SoC功能验证自动化系统的设计与实现,主要工作如下: 1.研究了现有的功能验证工具,提出了一个层次化的验证系统结构,该结构具有较好的重用性,更容易实现自动化流程; 2.在该体系结构下,研究了验证工具的集成、设计数据的抽象和自动化流程的实现等问题; 3.作为对提出的体系结构的实践,在UNIX平台下,用Verilog和C实现了该体系,并应用于MCU的功能验证中; 4.讨论了功能验证平台中总线功能模型(Bus Function Model,BFM)和总线监视器(Bus Monitor)的设计方法,给出了可重用设计的规则; 本论文建立的SoC功能验证系统结构,可以应用于较大规模的SoC的系统级、寄存器传输级和门级的验证中,通过本课题研究,为国内SoC功能验证积累经验,为国家超大集成电路的发展奠定一个坚实的基础。
魏少军[3](2003)在《通信技术发展与集成电路和集成光路》文中研究指明本文通过简要回顾微电子与集成电路技术的成长历程和介绍微光子技术及其集成化芯片(集成光路)的发展趋势,分析当前微电子与集成电路技术所要解决的关键问题,以及尚处于少年阶段的微光子与集成光路技术要面对的难题,进而探讨未来通信技术与产业的发展对集成电路与集成光路的要求。不难得出,在集成电路向系统芯片(System On Chip,简称SOC)发展、强力推动着通信技术与产业进步的同时,微光子与集成光路开始从科学研究步入工程应用与商用,并将首先应用于通信网骨干传输领域,推动通信网向更高、更快的层次发展。尽管集成光路在其它领域的大规模应用还需要很长的一段时间,但是集成电路技术解决不了的,如速度等问题可望由集成光路解决,从而对人类生活产生重大和深远的影响。
代永平[4](2003)在《LCoS(硅基液晶)显示器设计》文中研究指明本篇论文研究设计了一类硅基液晶(Liquid Crystal on Silicon,简称LCoS)显示器,其中主要涉及到两款不同用途的LCoS 显示芯片研制。LCoS 显示器是一种“夹心结构”——单晶硅基底片和镀有ITO 膜的玻璃片“夹”(封装)一层液晶材料。我们把视频转换电路、行扫描驱动电路和象素矩阵制作在硅基底上,而ITO 膜用作公共电极,液晶材料则工作在固定频率的交流信号下(场反转模式)。LCoS 设计成快速响应光阀,通过调制每个象素对入射光(来自时序光源)的反射程度(灰度)实现图像显示。实际上,LCoS 显示技术是硅半导体平面技术与平板显示技术发展到相对成熟阶段相结合而诞生,因而具有了VLSI 技术的全部设计特征,然而就其功能与应用领域而言,LCoS 显示器仍是显示市场的一个产品。本篇论文的研究工作不仅仅是局限于设计出两款可实现的LCoS 显示芯片(其中一款已在首钢日电成功流片,并封装成液晶盒实现了视频图像显示),更重要的是使人们能够对LCoS 电路设计、版图设计、相关制作工艺和系统设计有足够的了解。论文大致可分为四个部分。第一部分(第1、2 章)阐明本篇论文的立题意义,综述液晶平板显示器应具备的基本性能。第二部分(第3、4 章)是本篇论文研究工作的理论基础,其间全面概述了目前系统芯片(SoC)物理设计方法,涉及到各种设计流程、工艺流程、EDA 辅助设计软件等,还介绍了具体的数模混合基本电路单元。第三部分(第5、6、7 章)基于前面对液晶显示器的认识,对SoC 物理设计方法的掌握,并结合已具备的数模混合电路经验,系统论述并设计了两款LCoS 显示器,一款是可用于近眼显示系统的场序彩色化微型LCoS 显示器,另一款是可用于投影显示系统的单色LCoS 显示器,该单色LCoS 显示芯片已成功流片,论文中将给出芯片实物照片、光学性能实测结果和所显示的视频图像。第四部分(第8、9 章)概述了LCoS 显示器制造工艺,总结了本篇论文的设计要点,而且对论文工作进行深层次的挖掘,尝试着提出建立硅基显示芯片的IP 模块,并探讨相应的设计方法。本篇论文主要创新点有四个方面: (1) 不连续场序光脉冲彩色模式设计。(2) 低功耗数模转换器设计。(3) 公共电极场反转低压驱动液晶显示设计。(4) 建立硅基液晶显示芯片的IP 重用设计模块。另外,本篇论文还有一个独到之处,即论文中相关的研究工作没有仅仅停留在理论研究和计算机辅助设计,而是进一步把研究工作实物化,根据实际CMOS 生产线的工艺要求,设计了一类用于投影显示系统的单色LCoS 显示芯片,并付诸生产流片,论文中给出相应生产出的芯片实物照片和光学性能实测结果。
魏少军[5](2003)在《集成电路和集成光路的发展对未来通信技术与产业的影响》文中提出本文通过简要回顾微电子与集成电路技术的成长历程和介绍微光子技术及其集成化芯片(集成光路)的发展趋势,分析当前微电子与集成电路技术所要解决的关键问题,以及尚处于少年阶段的微光子与集成光路技术要面对的难题,进而探讨集成电路与集成光路对未来通信技术与产业的影响。不难得出,在集成电路向系统芯片(System On Chip,简称 SOC)发展、强力推动着通信技术与产业进步的同时,微光子与集成光路开始从科学研究步入工程应用与商用,并将首先应用于通信网骨干传输领域,推动通信网向更高、更快的层次发展。尽管集成光路在其它领域的大规模应用还需要很长的一段时间,但是集成电路技术解决不了的,如速度等问题可望由集成光路解决,从而时人类生活产生重大和深远的影响。
李振贤[6](2020)在《基于先进工艺的超大规模ASIC芯片评估设计方法研究》文中研究指明随着集成电路飞速发展,集成电路的规模、集成度、功能复杂性均在增加。另外,先进工艺带来性能提升的同时,也带来新的挑战,如时序收敛、可靠性等问题。更重要的是设计人员还面临节约设计成本和缩短芯片设计周期的压力。专用集成电路(ASIC)设计也一样,亟待需要缩短新工艺下的设计周期。专用集成电路设计一般是在前端设计和验证完成之后才能开始物理设计,严重影响芯片开发周期。为了兼顾先进工艺特点和缩短超大规模专用集成电路设计周期,本文主要面向设计里的核心模块进行评估设计。评估设计目的是支撑前端设计的频率、功耗、面积评估,同时也为后端设计奠定基础。为此,本文以16nm FinFET工艺为例,主要进行了以下工作:首先研究了评估设计分析理论基础,主要对FinFET工艺特点、时序分析、功耗分析、电压降、电迁移、串扰和天线效应进行了详细介绍。然后通过EDA工具的组合建立了适合先进工艺的完整评估设计流程,接着结合流程完成了三颗专用芯片(A1、A2和A3)核心模块评估设计并且得到了评估分析报告。其中,A1核心模块主要是通过一版设计频率为750MHz的全corner评估实验详细介绍了评估设计完整流程。在子模块hincore中,结合利用率和保持时间违例特点,提出了先修复部分关键路径的方法。在子模块ppctrl中,介绍了阵列相关路径优化方法。同时顶层时序检查时采用工程更改的方法修复了时序。A2核心模块采用多源时钟树综合方法分别进行了频率为1.8GHz、2GHz和2.2GHz的单corner评估设计,子模块分别采用了阵列分组摆放、合理设置路径组和布局范围的方法优化了时序。另外为了解决顶层调用子模块时,子模块端口之间容易出现时序不收敛的问题,采用脚本进行了预先判断。同时为了解决层次化顶层设计绕线容易出现绕线拥塞、串扰和电压降问题,提出了快速定制绕线和高效插驱动单元的方法。A3核心模块采用扁平设计方式,完成了频率为500MHz、600MHz和700MHz的全corner评估设计,在评估过程中应用了时钟和数据协同优化技术优化了时序。最后首先对比A3核心模块的评估结果和签核结果,说明了本文的评估设计结果可靠。然后通过A3、A1、A2核心模块评估设计方法与其他评估设计方法对比,不仅验证了本文评估设计流程可以完成全流程设计还说明了本文的评估设计方法能有效缩短设计周期和减小资源消耗。
钟涛,王豪才[7](2000)在《CMOS集成电路的功耗优化和低功耗设计技术》文中研究说明总结了当前已发展出的各个层次的 CMOS低功耗设计技术和低功耗设计方法学的研究进展。重点介绍了时序电路的优化、异步设计、高层次电路设计和优化技术。
魏少军[8](2003)在《通信技术的发展与集成电路和集成光路(上)》文中研究说明通过简要回顾微电子与集成电路技术的成长历程和介绍微光子技术及其集成化芯片(集成光路)的发展趋势,分析了当前微电子与集成电路技术所要解决的关键问题,以及尚处于少年阶段的微光子与集成光路技术要面对的难题,进而探讨未来通信技术与产业的发展对集成电路与集成光路的要求。
张振[9](2004)在《CLB-PVCI总线桥的设计》文中进行了进一步梳理SOC设计通常采用层次化片上总线体系结构,不同的IP集成在不同类型的总线上。为了实现SOC中集成在不同总线上的IP之间进行有效通信,可以采用设计总线桥的方法。 CLB总线是一种片上系统总线,一般用来连接高速度、高数据宽度的IP。而符合PVCI标准的外设总线上连接的往往是低速度、低数据宽度的IP。 本论文工作就是在研究和分析CLB总线协议和PVCI协议的基础上,完成CLB-PVCI总线桥的RTL设计和验证。完成的工作包括: 1.CLB总线协议和PVCI协议的研究; 2.CLB-PVCI桥总体结构的设计; 3.各功能模块的设计,包括状态机、地址译码和外设IP选择模块、数据通道模块; 4.CLB-PVCI桥的RTL仿真。 本论文的研究与实践工作完成了一个片上系统总线和外设总线之间的总线桥模块设计。这为今后研究片上总线桥设计的一般方法学积累了经验。
谢朝辉[10](2006)在《多模视频解码器的复用方法研究与运动补偿的实现》文中进行了进一步梳理过去十年中,视频编解码技术取得空前的发展,国内外科研技术人员的不懈努力催生了大量的信源音视频编解码标准。随着时间推移,多标准并存的局面逐渐呈现。在集成电路制造加工技术与集成电路设计方法上,过去的十年同样异彩纷呈,集成电路的最小线宽从过去的微米级发展到纳米级,高层次综合成为EDA时代的特征,SoC、NoC等高集成度技术大量应用。在集成电路技术的支撑下,支持多个视频解码标准的芯片成为可能,在多标准并存的市场环境下,多标准可配置的视频解码芯片成为最好的解决方案。 在视频编解码技术不断推陈出新的同时,大量被实践证明高效、简单的视频压缩技术成为各种视频标准的共性技术,基于预测和变换编码的DPCM技术成为大量标准的基本框架,国际标准H.264/AVC和国内标准AVS都是基于这一基本框架。本文在第二章分析了这两个标准所采用的大量技术的基本原理与差异,然后在第三章详细比较了H.264/AVC和AVS两个标准中运动补偿技术的差别,为算法层复用运动补偿提供了依据。 集成电路制造工艺的不断进步,设计能力与制造加工能力间的差距不断增大,也促进了集成电路设计方法学的发展。本文第四章回顾了设计方法学的发展历程、目前通用的设计流程、各种设计优化方法和设计实现方法。这些方法贯穿指导着整个设计。 复用设计的思想与方法贯穿了从系统架构到实现的每个环节。本文第五章具体介绍运动补偿模块的复用设计。首先充分利用高层次优化效率高的特点,对设计进行了高层次的优化复用;然后利用并行技术与流水线技术对每个子模块作单独的优化设计;在使用第三方IP时,也存在很多可以优化的地方,本文以乘法器IP的使用为例分析了复用中的优化方法。大多数集成电路芯片面积的绝大部分都被存储器所占据,因此对片内存储器的复用非常有效,在第五章中给出了片内缓存器的高效管理方法,有效的节省了面积和功耗。
二、集成电路设计方法学的几个热点(论文开题报告)
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、集成电路设计方法学的几个热点(论文提纲范文)
(2)SoC功能验证自动化系统的设计与实现(论文提纲范文)
第一章 绪论 |
1.1 集成电路的发展 |
1.2 IC设计技术与验证技术发展 |
1.2.1 手工设计阶段 |
1.2.2 计算机辅助设计阶段(CAD) |
1.2.3 计算机辅助工程阶段(CAE) |
1.2.4 电子系统设计自动化(ESDA) |
1.3 SoC和功能验证的挑战 |
1.4 基于事务的验证重用方法学 |
1.5 论文的主要研究内容及章节安排 |
第二章 SoC功能验证方法学 |
2.1 典型的SoC系统 |
2.2 SoC功能验证方法 |
2.3 可重用功能验证平台体系结构 |
2.3.1 基于事务验证模型的验证平台体系结构 |
2.3.2 软件驱动的功能验证 |
2.3.3 硬件仿真平台 |
2.4 验证平台的重用 |
2.5 验证语言(Verification Languages)和验证解决方案 |
2.5.1 Synopsys的Vera |
2.5.2 Verisity的Specman |
2.5.3 Avery的TestWizard |
2.5.4 三种验证解决方案的分析 |
第三章 SoC功能验证系统 |
3.1 引言 |
3.2 VAS系统的顶层设计 |
3.2.1 VAS系统的总体考虑 |
3.2.2 验证系统的层次划分 |
3.2.3 验证系统的可重用性考虑 |
3.3 描述层的设计 |
3.3.1 功能验证计划 |
3.3.2 描述层的体系结构 |
3.3.3 总线事务命令 |
3.3.3.1 总线事务概念 |
3.3.3.2 总线事务命令的设计原则 |
3.3.3.3 总线事务命令的定义 |
3.3.3.4 利用总线事务命令编写事务级激励 |
3.3.4 系统描述符 |
3.3.4.1 系统描述符和系统配置文件的概念 |
3.3.4.2 系统描述符的设计原则 |
3.3.4.3 系统描述符的定义 |
3.3.4.4 系统配置文件 |
3.3.5 回归测试控制 |
3.3.6 描述层设计的总结 |
3.4 逻辑层的设计 |
3.4.1 回归测试管理程序 |
3.4.2 测试编译程序 |
3.4.3 分析程序和生成程序 |
3.4.4 仿真控制程序 |
3.4.5 检查程序 |
3.4.6 逻辑层设计的总结 |
3.5 接口层的定义 |
3.5.1 数据接口的概念 |
3.5.2 功能验证运行环境的分析 |
3.5.3 数据接口的设计 |
3.5.4 测试平台接口 |
3.5.5 工具接口定义 |
3.6 物理层 |
3.7 本章小结 |
第四章 验证系统的实现 |
4.1 物理层的实现 |
4.1.1 总线功能模型设计的研究 |
4.1.1.1 基于任务的BFM设计 |
4.1.1.2 基于状态机的BFM设计 |
4.1.1.3 实验及性能分析 |
4.1.1.4 总线功能模型的实现 |
4.1.2 总线监视器的设计 |
4.1.2.1 Monitor采样模块的设计 |
4.1.2.2 信号转换模块的设计 |
4.1.2.3 Monitor的可重用性设计规则 |
4.2 接口层的实现 |
4.2.1 实现的基础 |
4.2.2 测试平台模板的设计 |
4.3 逻辑层的实现 |
4.3.1 生成程序的设计 |
4.3.2 工具接口的生成 |
4.4 系统的组织结构 |
4.5 功能验证实验 |
4.5.1 编写事务级测试向量 |
4.5.2 编写系统配置文件 |
4.5.3 运行测试向量 |
4.5.4 运行结果的分析 |
4.6 本章小结 |
第五章 结论与展望 |
5.1 工作总结 |
5.2 进一步的工作 |
参考文献 |
(4)LCoS(硅基液晶)显示器设计(论文提纲范文)
第1章 绪论 |
1.1 五彩缤纷的显示世界 |
1.2 一种新型的反射式液晶显示技术——LCoS |
1.3 论文立题意义 |
1.4 论文设计工作导论 |
第2章 LCoS 显示技术 |
2.1 液晶显示器分类 |
2.1.1 从光学模式上分类 |
2.1.2 从液晶驱动方式上分类 |
2.2 有源液晶显示技术 |
2.2.1 基本性能指标 |
2.2.2 发展状况 |
2.3 LCoS 显示芯片电路结构探索 |
2.4 小结 |
第3章 系统芯片(SoC)物理设计方法概述 |
3.1 SoC 集成技术 |
3.1.1 SoC 芯片特征与设计策略 |
3.1.2 可测性设计技术 |
3.1.3 SoC 的主体——微电子技术 |
3.2 亚微米CMOS 集成电路设计特点 |
3.3 互连线时延及其在版图设计中的估算 |
3.3.1 互连线系统及其实际布线问题 |
3.3.2 时钟树的时延计算方法 |
3.4 CMOS 芯片系统设计方法综述 |
3.4.1 集成电路设计方法双向性 |
3.4.2 逻辑综合 |
3.4.3 逻辑模拟 |
3.4.4 电路模拟 |
3.4.5 器件模型 |
3.4.6 IC 芯片版图设计方法 |
3.5 典型EDA 设计工具 |
3.5.1 Pspice 电路模拟软件简述 |
3.5.2 CADENCE EDA 设计工具 |
3.6 CMOS 工艺概述 |
3.6.1 MOS 器件类型 |
3.6.2 MOS 芯片类型 |
3.6.3 工艺制造中的考虑因素 |
3.7 小结 |
第4章 CMOS 数模混合集成电路设计原理 |
4.1 CMOS 集成电路一般特性 |
4.1.1 CMOS 集成电路技术 |
4.1.2 MOS 晶体管中的二级效应 |
4.1.3 COMS 工艺中的自锁效应 |
4.1.4 MOS 晶体管的衬偏效应 |
4.2 数字电路的基本单元研究 |
4.2.1 与非门、或非门、非门 |
4.2.2 三态门、传输门 |
4.2.3 基本锁存电路 |
4.2.4 D 触发器 |
4.2.5 数字电路功耗分析 |
4.3 数-模(DA)转换器研究 |
4.3.1 DA 转换原理分析 |
4.3.2 DA 转换器的主要技术指标 |
4.3.3 高速权电阻DA 转换器 |
4.3.4 低功耗权电容DA 转换器 |
4.3.5 其他组合式DA 转换器 |
4.3.6 模-数(AD)转换器 |
4.4 模拟电路基本单元研究 |
4.4.1 模拟开关 |
4.4.2 电容器 |
4.4.3 MOS 差分放大器 |
4.4.4 CMOS 有源负载增益级 |
4.4.5 CMOS 运算放大器 |
4.5 小结 |
第5章 近眼型彩色LCoS 显示器设计 |
5.1 彩色LCoS 显示系统结构与性能 |
5.1.1 彩色LCoS 显示系统结构 |
5.1.2 视频图像显示对LCoS 显示器的要求 |
5.1.3 主要显示性能指标设计 |
5.2 场序彩色化设计 |
5.2.1 彩色化模式选择分析 |
5.2.2 实现LCoS 显示的场序彩色化 |
5.2.3 时序光源色彩设计 |
5.3 反射式快速响应液晶工作模式设计 |
5.3.1 反射式液晶光学特性分析 |
5.3.2 液晶电光特性分析 |
5.3.3 液晶材料选择 |
5.4 LCoS 芯片低压显示模式设计 |
5.4.1 常规驱动液晶显示模式 |
5.4.2 像素单元电路电压自举现象分析 |
5.4.3 公共电位场反转显示模式设计 |
5.5 LCoS 显示芯片工作机理及其电路结构 |
5.5.1 器件物理结构简介 |
5.5.2 芯片电路结构及其工作原理 |
5.5.3 像素驱动电路工作方式 |
5.5.4 周边驱动电路工作原理 |
5.5.5 公共电极驱动设计 |
5.5.6 场序光源控制电路设计 |
5.6 像素边缘效应与尺寸设计 |
5.7 功耗分析与面积分配 |
5.7.1 功耗分析 |
5.7.2 芯片散热考虑 |
5.7.3 面积分配 |
5.8 LCoS 微显芯片光学特性分析 |
5.9 显示控制器 |
5.9.1 显示控制器结构 |
5.9.2 FPGA 的逻辑设计要点 |
5.9.3 字符叠加功能设计 |
5.10 光学组件 |
5.11 小结 |
第6章 投影显示用单色LCoS 显示芯片研制 |
6.1 单色LCoS 显示系统结构与性能 |
6.1.1 LCoS 投影显示统结光学结构 |
6.1.2 LCoS 投影显示系统电路结构 |
6.1.3 液晶工作模式 |
6.1.4 主要显示性能指标 |
6.2 单色LCoS 显示芯片工作模式及其电路结构 |
6.2.1 显示芯片电路功能系统设计 |
6.2.2 显示芯片工作频率与功耗分析 |
6.3 显示驱动矩阵设计 |
6.4 周边驱动器电路结构设计 |
6.5 LCoS 液晶盒封装尺寸设计 |
6.6 单色LCoS 显示芯片制作工艺考虑 |
6.7 单色LCoS 显示芯片及相关显示系统 |
6.7.1 芯片实物显微图像 |
6.7.2 镜面电极光学性能测试结果 |
6.7.3 单色LCoS 显示器 |
6.8 彩色显示与单色显示LCoS 显示芯片电路结构比较 |
6.9 LCoS 显示芯片设计技术方案 |
6.9.1 LCoS 显示芯片——一类新型的SoC 芯片 |
6.9.2 芯片电性能与成本相关性分析 |
6.9.3 LCoS 显示芯片设计方法选择 |
6.10 显示芯片制作工艺中关键技术设计 |
6.10.1 用n 阱CMOS 工艺制作LCoS 微显芯片 |
6.10.2 电容器物理结构选择 |
6.10.3 ESD 保护工艺考虑 |
6.10.4 CMP 平坦化工艺分析 |
6.11 小结 |
第7章 CADENCE 辅助设计LCoS 微显芯片 |
7.1 版图设计筹划 |
7.1.1 设计策略 |
7.1.2 总体设计流程 |
7.1.3 版图布图模式 |
7.1.4 最坏条件考虑 |
7.2 LCoS 芯片设计准备 |
7.2.1 建立基本混合电路设计环境 |
7.2.2 编写LCoS 微显芯片的工艺文件(LCoS.tf) |
7.3 LCoS 显示芯片设计过程 |
7.4 有源NMOS 显示驱动矩阵设计与模拟 |
7.5 时钟电路设计 |
7.5.1 时钟产生电路 |
7.5.2 时钟的驱动和分配 |
7.6 数字电路部分设计和模拟 |
7.6.1 准静态主从D 触发器 |
7.6.2 多节移位寄存器 |
7.6.3 两级锁存器 |
7.7 数模转换器设计 |
7.7.1 DA 转换器信号时序设计 |
7.7.2 CMOS 模拟开关 |
7.7.3 电容网络版图设计 |
7.8 功放设计和模拟 |
7.8.1 电压跟随器设计 |
7.8.2 电压跟随器性能模拟 |
7.9 测试电路设计 |
7.10 接口电路设计和模拟 |
7.11 LCoS 微显芯片版图布局 |
7.12 寄生参数提取与后仿真 |
7.13 小结 |
第8章 LCoS 显示器制造工艺概述 |
8.1 LCoS 微显芯片制造工艺流程设计 |
8.2 LCoS 液晶盒封装工艺设计 |
8.3 LCoS 微显芯片液晶盒测试概述 |
第9章 论文设计要点与思考 |
9.1 不连续场序光脉冲彩色模式 |
9.2 场序彩色LCoS 微显芯片电路设计要点 |
9.3 版图布局技巧 |
9.4 单色LCoS 显示芯片显微照片 |
9.5 快速液晶材料选择考虑 |
9.6 硅基微显芯片中的IP 设计方法探讨 |
9.6.1 硅基微显芯片的基本电路分析及其相应基本功能模块划分 |
9.6.2 用定制设计方法建立微显专用IP 模块 |
附录1 LCoS 微显芯片电路图(部分) |
附录2 LCoS 微显芯片版图 |
附录3 LCoS 微显芯片工艺文件 |
附录4 单色LCoS 显示系统研究成果图片 |
摘要 |
攻读博士期间的学术论文和科研成果 |
致谢 |
(6)基于先进工艺的超大规模ASIC芯片评估设计方法研究(论文提纲范文)
摘要 |
abstract |
第一章 绪论 |
1.1 研究工作的背景与意义 |
1.2 ASIC评估设计的国内外研究历史与现状 |
1.2.1 半导体工艺与EDA工具国内外研究历史与现状 |
1.2.2 ASIC评估设计方法的国内外研究历史与现状 |
1.3 本文的主要贡献与创新 |
1.4 本论文的结构安排 |
第二章 评估设计基础 |
2.1 FinFET工艺 |
2.1.1 Bulk FinFET和 SOI FinFET |
2.1.2 FinFET的多阈值器件 |
2.1.3 FinFET工艺的线延 |
2.2 静态时序分析 |
2.2.1 设计约束 |
2.2.2 建立时间和保持时间检查 |
2.2.3 时序路径 |
2.2.4 异步时序分析检查 |
2.3 功耗分析 |
2.3.1 数字集成电路功耗的来源 |
2.3.2 功耗的优化策略 |
2.4 信号完整性分析 |
2.4.1 电压降 |
2.4.2 电迁移 |
2.4.3 串扰 |
2.4.4 天线效应 |
2.5 本章小结 |
第三章 评估流程设计 |
3.1 ASIC设计流程简介 |
3.1.1 ASIC的基本设计流程 |
3.1.2 评估流程设计 |
3.2 逻辑综合 |
3.2.1 Design Compiler简介 |
3.2.2 逻辑综合流程 |
3.3 物理综合 |
3.3.1 设计初始化与布局 |
3.3.2 时钟树综合 |
3.3.3 绕线 |
3.3.4 面向可制造性设计 |
3.4 其他工具介绍 |
3.5 本章小结 |
第四章 A1芯片核心模块评估设计 |
4.1 A1芯片核心模块简介与评估说明 |
4.2 A1核心模块逻辑综合 |
4.2.1 整体规划与编译策略选取 |
4.2.2 约束设置 |
4.2.3 逻辑综合结果 |
4.3 A1核心模块物理综合 |
4.3.1 hin_core模块物理综合及优化 |
4.3.2 pp_ctrl模块物理综合及优化 |
4.3.3 子模块物理综合结果 |
4.3.4 子模块各项检查 |
4.4 A1核心模块顶层评估设计与各项检查 |
4.5 本章小结 |
第五章 A2芯片核心模块评估设计 |
5.1 A2核心模块简介与评估说明 |
5.2 A2逻辑综合 |
5.2.1 整体规划与编译策略选取 |
5.2.2 约束设置与逻辑综合结果 |
5.3 A2核心模块物理综合 |
5.3.1 SORT_BUFFER物理综合 |
5.3.2 ARBITER_ASFIFO物理综合 |
5.3.3 子模块物理综合结果 |
5.3.4 子模块物理检查 |
5.4 A2核心模块顶层评估设计 |
5.4.1 子模块端口路径内部延时分析 |
5.4.2 A2核心模块顶层绕线 |
5.4.3 顶层各项检查 |
5.5 评估结论 |
5.6 本章小结 |
第六章 评估验证 |
6.1 A3核心模块简介和评估说明 |
6.2 A3核心模块逻辑综合与物理设计 |
6.3 A3核心模块各项检查 |
6.4 评估验证 |
6.4.1 评估结果对比验证 |
6.4.2 评估时间对比验证 |
6.5 A1、A2评估设计方法与其他评估设计方法对比 |
6.5.1 A1评估设计方法与其他评估设计方法对比 |
6.5.2 A2评估设计方法与其他评估设计方法对比 |
6.6 本章小结 |
第七章 总结与展望 |
致谢 |
参考文献 |
(8)通信技术的发展与集成电路和集成光路(上)(论文提纲范文)
1前言 |
2通信技术与产业的发展对集成电路的要求 |
2.1集成电路技术的发展现状与趋势 |
2.2微电子的新秀—塑料芯片 |
2.3集成电路设计方法与设计工具 |
2.4通信技术与产业的发展对集成电路的要求 |
2.4.1无线通信 |
2.4.2有线通信 |
(9)CLB-PVCI总线桥的设计(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
致谢 |
插图清单 |
表格清单 |
第一章 前言 |
1.1 集成电路技术的发展 |
1.1.1 集成电路产业发展概述 |
1.1.2 我国集成电路产业发展 |
1.2 集成电路设计方法 |
1.2.1 集成电路设计方法和工具的发展 |
1.2.2 当代集成电路设计方法和流程 |
1.3 课题的来源、研究目的和意义 |
1.3.1 课题的来源 |
1.3.2 研究目的 |
1.3.3 课题的意义 |
1.4 论文的结构安排 |
第二章 系统芯片与片上总线 |
2.1 SOC与IP标准化 |
2.1.1 系统芯片SOC与知识产权模块IP |
2.1.2 基于IP重用的SOC设计方法学 |
2.1.3 IP标准化 |
2.2 片上总线与SOC设计 |
2.2.1 层次化片上总线结构 |
2.2.2 VSIA片上总线标准 |
2.3 小结 |
第三章 CLB-PVCI桥的设计 |
3.1 CLB-PVCI桥的位置和作用 |
3.1.1 CLB-PVCI桥的位置 |
3.1.2 CLB-PVCI桥的作用 |
3.2 CLB总线及其协议 |
3.2.1 CLB总线主设备与从设备 |
3.2.2 CLB总线信号功能 |
3.2.3 CLB总线信号说明 |
3.2.3.1 时钟信号 |
3.2.3.2 控制信号 |
3.2.3.3 地址信号 |
3.2.3.4 数据信号 |
3.2.4 CLB总线协议 |
3.2.4.1 读操作时序 |
3.2.4.2 写操作时序 |
3.3 符合PVCI标准的外设总线及其协议 |
3.3.1 外设总线主设备与从设备 |
3.3.2 外设总线信号功能 |
3.3.3 外设总线信号说明 |
3.3.3.1 时钟信号 |
3.3.3.2 控制信号 |
3.3.3.3 地址信号 |
3.3.3.4 数据信号 |
3.3.4 PVCI外设总线协议 |
3.3.4.1 读操作时序 |
3.3.4.2 写操作时序 |
3.4 CLB-PVCI桥总体结构设计 |
3.4.1 CLB-PVCI桥总体考虑 |
3.4.1.1 概述 |
3.4.1.2 CLB-PVCI桥结构框图 |
3.4.2 CLB-PVCI桥信号功能 |
3.4.3 几个相关问题及解决构思 |
3.4.3.1 时钟与复位 |
3.4.3.2 外设IP的选择 |
3.4.3.3 数据对齐 |
3.4.3.4 字节使能 |
3.4.3.5 读写使能 |
3.5 内部时序分析与设计 |
3.5.1 状态定义 |
3.5.2 正常数据传输的状态转移设计 |
3.5.3 数据传输过程中的异常处理 |
3.5.4 多周期传输中的地址获得 |
3.5.5 典型操作的时序设计 |
3.5.5.1 单周期写操作时序设计 |
3.5.5.2 单周期读操作时序设计 |
3.5.5.3 多周期读写操作时序设计 |
3.5.5.4 插入等待状态的读写操作时序设计 |
3.6 地址译码和外设IP选择模块 |
3.6.1 概述 |
3.6.2 信号定义及功能 |
3.6.3 地址与参数 |
3.6.3.1 地址构成 |
3.6.3.2 参数定义 |
3.6.4 CLB-PVCI桥选中的设计 |
3.6.4.1 基地址译码设计 |
3.6.4.2 有效偏移地址译码设计 |
3.6.5 外设IP属性的获取 |
3.6.5.1 外设IP地址计算 |
3.6.5.2 外设IP选择信号与数据宽度 |
3.7 数据通道模块的设计 |
3.7.1 概述 |
3.7.2 信号定义及功能 |
3.7.3 数据信号字节使能 |
3.7.4 写数据通道模块设计 |
3.7.4.1 写数据寄存模块设计 |
3.7.4.2 写数据选择模块设计 |
3.7.5 读数据通道模块设计 |
3.7.5.1 读数据获取模块设计 |
3.7.5.2 读数据寄存模块设计 |
3.7.5.3 读数据选择模块设计 |
3.8 小结 |
第四章 CLB-PVCI桥的验证 |
4.1 功能验证 |
4.1.1 功能验证概述 |
4.1.2 RTL仿真 |
4.2 CLB-PVCI桥的RTL仿真 |
4.2.1 测试平台与测试计划 |
4.2.2 写数据仿真结果 |
4.2.2.1 单周期写数据操作 |
4.2.2.2 多周期写数据操作 |
4.2.2.3 连续写数据操作 |
4.2.3 读数据仿真结果 |
4.2.3.1 单周期读数据操作 |
4.2.3.2 多周期读数据操作 |
4.2.3.3 连续读数据操作 |
4.2.4 插入等待状态与错误 |
4.2.4.1 插入等待状态的读写数据操作 |
4.2.4.2 包含错误状态的读写数据操作 |
4.2.5 仿真代码覆盖率 |
4.3 小结 |
第五章 总结与展望 |
5.1 论文工作总结 |
5.2 进一步工作展望 |
参考文献 |
(10)多模视频解码器的复用方法研究与运动补偿的实现(论文提纲范文)
摘要 |
ABSTRACT |
第一章 绪论 |
1.1 研究背景与意义 |
1.2 国内外研究现状 |
1.2.1 视频解码芯片 |
1.2.2 重用技术 |
1.3 研究内容和关键技术 |
第二章 视频压缩原理、视频技术和视频解码标准 |
2.1 信息冗余 |
2.2 视频技术和视频解码标准 |
2.2.1 H.264编解码标准 |
2.2.1.1 VCL |
2.2.1.2 NAL |
2.2.2 AVS编解码标准 |
第三章 H.264/AVC和AVS运动补偿算法的比较 |
3.1 H.264各档次与级别的比较 |
3.2 AVS各档次与级别的比较 |
3.3 H.264和AVS运动补偿算法的比较 |
3.3.1 亮度运动矢量预测算法比较 |
3.3.2 预测模式比较 |
3.3.3 参考图像选择的比较 |
3.3.4 插值运算算法的比较 |
3.3.5 加权预测的比较 |
第四章 设计方法、优化方法和实现方法 |
4.1 设计流程 |
4.2 设计优化 |
4.2.1 低功耗设计方法 |
4.2.2 针对面积的优化方法 |
4.2.3 可测性设计方法 |
4.2.4 可重用设计方法 |
4.3 设计实现方法 |
第五章 复用设计实现 |
5.1 解码器的设计 |
5.1.1 硬件结构和复用方法 |
5.1.2 差错诊断 |
5.1.3 设计优化 |
5.2 运动补偿模块的硬件复用设计 |
5.2.1 运动矢量预测 |
5.2.1.1 子模块功能以及复用设计 |
5.2.1.2 存储空间需求分析与片内缓存管理机制 |
5.2.1.3 运动矢量预测模块差错控制 |
5.2.2 参考图像数据读取 |
5.2.2.1 图像缓存区(DPB)的存储方式 |
5.2.2.2 参考块获取方法 |
5.2.2.3 时序分配 |
5.2.3 插值运算 |
5.3 设计流程 |
5.4 结果分析 |
5.4.1 仿真结果分析 |
5.4.2 综合结果分析 |
第六章 总结与展望 |
参考文献 |
发表的文章 |
致谢 |
附录A |
四、集成电路设计方法学的几个热点(论文参考文献)
- [1]集成电路设计方法学的几个热点[J]. 魏少军. 电子科技导报, 1998(01)
- [2]SoC功能验证自动化系统的设计与实现[D]. 周萌. 合肥工业大学, 2004(03)
- [3]通信技术发展与集成电路和集成光路[J]. 魏少军. 集成电路应用, 2003(06)
- [4]LCoS(硅基液晶)显示器设计[D]. 代永平. 南开大学, 2003(11)
- [5]集成电路和集成光路的发展对未来通信技术与产业的影响[J]. 魏少军. 中国集成电路, 2003(02)
- [6]基于先进工艺的超大规模ASIC芯片评估设计方法研究[D]. 李振贤. 电子科技大学, 2020(01)
- [7]CMOS集成电路的功耗优化和低功耗设计技术[J]. 钟涛,王豪才. 微电子学, 2000(02)
- [8]通信技术的发展与集成电路和集成光路(上)[J]. 魏少军. 信息技术与标准化, 2003(07)
- [9]CLB-PVCI总线桥的设计[D]. 张振. 合肥工业大学, 2004(03)
- [10]多模视频解码器的复用方法研究与运动补偿的实现[D]. 谢朝辉. 兰州大学, 2006(09)
标签:soc; 集成电路设计与集成系统; 超大规模集成电路; 集成电路; 时序电路;