一、关于功率输出级阻抗匹配的表达式（论文文献综述）
于澍[1]（2019）在《全集成CMOS宽带低噪声放大器的设计》文中认为目前,无线通讯已经发展为拥有多个标准、覆盖多种频段的通讯技术,为了能兼容多种频段信号,射频前端系统需要更高的带宽。低噪声放大器（LNA）作为射频接收端的第一个有源模块,其宽带性能直接影响了整个射频接收系统的性能。因此,研究高性能的宽带低噪声放大器是推进下一代无线通信系统和提升现有通讯系统性能的基础性工作。本文面向下一代通讯系统（5G）的性能指标和要求,从器件类型、器件结构、噪声模型、偏置电路、无源器件、宽带匹配等理论角度研究并介绍了宽带低噪声放大器的设计,然后结合软件在电路层面实现并流片验证相关理论。主要工作和创新如下:（1）结合65nm CMOS工艺,系统地研究了不同类型电容的性能,比较了MOM电容和MIM电容的优缺点,从Q值和电容密度等角度考虑,提出了适合本文设计的电容选型方案。（2）研究了电阻反馈电流复用结构中反馈电阻的对噪声和匹配的作用,并提出适合本文电路中晶体管尺寸的选取方法和反馈电阻的选取办法。（3）提出一种新的低噪声放大器结构,即用两级反相器级联、电阻负反馈自偏置结构设计了一款低噪声放大器,实现了高增益和较好的宽带匹配,并拥有较低的噪声系数。（4）综合以上研究,设计了一款基于65nm CMOS工艺的适用于多频段通讯的宽带低噪声放大器芯片。3dB带宽达到4.5GHz（0.55GHz）,3dB带宽内S11<-10dB,S22<-8dB,带内最大电压增益S21>20dB,且噪声系数NF<3.5dB,2GHz处的OP1dB≥0dBm。本论文所设计的低噪声放大器的性能满足5G通讯标准的中频段场景的应用,成果对研究宽带低噪声放大器有一定的研究意义和产业价值。
周必成[2]（2019）在《Ka波段MMIC功率放大器设计》文中指出在这个信息量爆炸式增长的时代,通信技术日益成熟,无线通信逐渐取代传统的有线通信。无线通信的发展离不开频谱资源,但是随着网络终端的增多和网络应用的普及,低频段资源日渐趋于饱和。此时,毫米波波段以其大带宽与高速率的优势成为了无线通信的黄金地段与高速公路。Ka波段位于毫米波的低端,针对Ka波段无线通信相关技术的研究极具发展与应用前景。功率放大器作为无线收发系统中的核心器件,对整个无线收发系统的性能优劣起到决定性的作用。因此如何设计出性能更好、体积更小、成本更低的毫米波功率放大器对高性能无线通信系统具有重要意义。微波单片集成电路作为一种成熟的微波集成电路,在毫米波波段得到广泛应用。与传统的微波混合集成电路相比,微波单片集成电路通过半导体工艺将有源和无源元件集成在介质基片上,电路结构稳定,可靠性高且使用寿命长。除此之外,微波单片集成电路在功率性能、高频性能等方面都优于混合集成电路。但是,由于微波单片集成电路在加工流片后不可再进行更改,所以对设计者的能力是一种极大的考验。本论文根据目前的研究热点和实际工程需求,在0.15μm GaAs pHEMT工艺的基础上,认真学习了Ka波段功率放大器的设计基础理论,包括对晶体管性能的评估、最佳阻抗的牵引、稳定性措施以及匹配网络的设计等。最终设计了一款频带为32 GHz36 GHz的功率放大器,放大器采用三级级联,输出级十六路合成输出的拓扑结构。芯片版图的电磁仿真结果表明,在32 GHz36 GHz频带内,一分贝压缩点输出功率达到两瓦,功率附加效率为22%,带内的小信号增益在22 dB以上,输入输出回波损耗分别优于11 dB和8 dB,芯片尺寸为2.75 mm×2.65 mm。在上述设计的基础上,本论文还通过Lange耦合器将其继续合成为一款更大输出功率的放大器,工作频带为32 GHz36 GHz,带内功率附加效率为19%,小信号增益22 dB且输入输出回波损耗均优于10 dB。综上所述,本论文设计的Ka波段功率放大器性能优良,具有广泛的工程应用前景。
严方耀[3]（2017）在《Ka波段MMIC驱动级放大器芯片设计》文中研究表明21世纪,无线通信行业迎来了黄金时代,传统的有线通信逐渐被现代无线通信取代。随着民用无线通信事业的飞速发展,低频段的无线频谱资源逐渐趋近于饱和。在这种背景下,民用无线通信开始转向高频频段,如K、Ka波段,针对Ka波段无线通信相关技术的研究极具发展潜力。驱动级放大器在Ka波段等高频段无线通信系统中扮演着十分重要的角色,尤其是在雷达、卫星等远距离通信系统中,驱动级放大器可以提供合适的信号功率给末级功率放大器,促使末级功率放大器工作在良好状态,保证信号的有效发射。然而,目前针对较低频段如X波段的驱动级放大器的研究较多,鲜有关于Ka波段驱动级放大器的研究。因此,研制高性能的Ka波段驱动级放大器芯片对现代无线通信事业的发展具有重要意义。本文采用0.15μm InGaAs pHEMT工艺设计制作了一款面向卫星通信终端应用的Ka波段MMIC（Monolithic Microwave Integrated Circuit）驱动放大器芯片。芯片具有小尺寸、低功耗、宽频带的优点,适用于其他主流Ka波段通信系统。芯片采用单电源供电设计,内部自偏置栅极-源极电压,外部供电方便。为了实现较高的线性增益,芯片采用两级级联拓扑结构,裸片尺寸为1.7 mm×1.0 mm。芯片电磁仿真结果表明,在漏极电压为3 V的条件下,在2832 GHz内,芯片线性增益为16.4 dB;端口回波损耗小于-10 dB;增益1 dB压缩点输出功率大于9.1 dBm;芯片饱和输出功率大于11 dBm;芯片直流功耗小于88.5 mW。芯片在常温下的测试结果显示,在漏极电压为3 V的条件下,在2832 GHz内,芯片线性增益最大值为20 dB;增益1 dB压缩点输出功率可达11 dBm;饱和输出功率可以达到13dBm;芯片总直流功耗小于84.6 mW。本文对比分析了驱动放大器芯片测试结果与电磁仿真结果,并针对其差异产生的原因进行了分析。为了将驱动放大器芯片更好地应用于实际工程项目中,本文基于所设计的驱动放大器芯片设计并制作了一个驱动放大器功能模块。常温下模块的测试结果表明,在漏极电压为3 V的条件下,在2832 GHz内模块的线性增益最大可达20.7dB;增益1 dB压缩点输出功率大于10.0 dBm;饱和输出功率可以达到14.4 dBm;模块总直流功耗小于90 mW。本文设计的模块性能良好,适合应用于现代各类Ka波段通信系统之中。
祝洁[4]（2020）在《超宽带CMOS功率放大器的设计》文中认为随着5G时代的到来,无线移动通信技术的发展越来越需要极高的数据传输速率,由此超宽带技术和高频技术受到越来越广泛的关注。单片微波集成电路（MMIC）技术在微波频段优越的功率特性和噪声性能,有助于高性能射频电路的实现。对于整个无线收发机而言,它将多种功能的电路集中到同一个系统里,因此需要功率放大器满足在更大带宽范围内的正常工作,从而使整个系统正常工作。因此研究出具有超宽带特性,同时高增益、高稳定性、低功耗的超宽带功率放大器具有重大的意义和必要性。本文研究了一款基于CMOS工艺的超宽带功率放大器。主要研究内容为:1)在输出端使用峰化电感,利用并联峰化技术拓展了输出匹配的带宽;2)在输入端引入并联电阻负反馈结构以降低输入端的品质因子,从而实现输入阻抗匹配的带宽;3)使用了一种基于电流复用模式的电路结构,该结构可以在保证功率放大器高增益的同时有效地降低电路的功率损耗;4)输入端采用π匹配网络进行输入阻抗的匹配,有效提升输入阻抗的匹配并拓展其带宽。本文利用SMIC 40nm工艺库进行原理图和版图的设计与仿真,仿真结果表明,该功率放大器在15.0-27.0GHz的宽带范围内,输入匹配S11参数低于-9d B,输出匹配S22参数低于-10d B,增益高于10d B,在中心频点处可以获得的最高为19.6%的功率附加效率,功耗低于25m W,同时具备优越的线性度和稳定性。
杨杰[5]（2020）在《高动态高线性单片低噪声放大器研究》文中研究表明低噪声放大器作为射频接收前端的关键器件,其噪声系数几乎决定了接收机的噪声性能,在有限的频谱资源条件下,提高低噪声放大器的线性度和动态范围有利于处理高峰均比信号,使信息传输具有更高的容量和更快的速率,满足人们对通信系统性能日益增长的需求。本文基于0.15um GaAs E-pHEMT工艺,首先分析了器件结构、模型和典型的GaAs制程工艺。其次,从器件层面和电路层面分别介绍了噪声理论和非线性理论。进一步地,总结并提出了单片低噪声放大器的设计要点,完成了S波段宽带单片低噪声放大器的设计和测试验证。测试与设计吻合,在2-4GHz的频率范围内,小信号增益为27dB±0.5dB,噪声系数小于0.65dB。该低噪声放大器的输出P-1为8dBm,从P-1处回退5dB,IMD3约为37dBc。为进一步拓展低噪声放大器的动态范围,改善低噪声放大器在小信号条件下的线性度。本文提出了通过功率合成来提高低噪声放大器输出功率的方法,在放大器级间和输出部分,使用了90°片上集成巴伦。90°巴伦具有良好的端口匹配特性,在级间网络中起到了功率分配和隔离输入输出级的作用,在输出网络中起到了功率合成和输出端口匹配的作用。末级结合采用并联负反馈结构,进一步优化输出级的线性度,最终完成高动态高线性单片低噪声放大器的版图设计与仿真。联合仿真结果表明,该放大器的小信号增益为26dB,噪声系数0.9dB,P-1输出功率大于20dBm,饱和输出功率大于22dBm,在2GHz±50MHz范围内,输入-25dBm间隔10MHz的双音信号,IMD3大于76dBc,满足设计指标需求。
唐彦[6]（2019）在《面向5G的多频带增益可调节LNA研究》文中提出低噪声放大器（Low Noise Amplifier,LNA）位于无线通信系统射频接收机的前端,是一个关键电路单元。为了应对多样化的通信标准和要求（在本文中主要是面向5G通信标准）,一方面,需要收发机能在多个频段上工作;另一方面,由于经过的传输路径和介质不同等原因导致接收机接受到的信号强度有较大程度的变化,这就需要LNA能根据输入信号的强弱情况调节增益,以保证信号的稳定输出。目前国内外所设计的电路结构存在的问题有:可调范围扩展不够、增益调节方式单一、不能同时满足包括5G在内的多种协议并存的需求,LNA增益调节所采用的技术存在着增益调节范围较小、功耗较大等问题,同时也在一定程度上影响了LNA的噪声性能。针对以上存在的问题,设计了两种LNA电路结构。第一种是一款使用MOS管开关阵列和可调跨导器的增益可双重调节的LNA。该LNA电路,包括输入级、放大级和输出级。在输入级,采用共源共栅结构,并加入电阻-电容并联负反馈和源极电感负反馈,实现输入阻抗匹配功能,同时实现低的噪声系数;在放大级,采用MOS管开关阵列实现增益离散调节功能,采用可调跨导器实现增益连续调节功能,二者结合最终实现增益离散和连续方式的双重调节功能;在输出级,采用有源巴伦结构,实现信号振幅相同、相位相反的差分输出功能。基于TSMC0.18μmCMOS工艺库,采用射频集成电路设计工具ADS对该电路进行了仿真验证分析。结果表明:工作频率在5.8 GHz下,在离散和连续方式的双重调节下,增益可在-7 dB至20 dB范围内调节,最小噪声系数NF为3.7 dB,最大线性度IIP3为-2.5dBm,输入反射系数S11<-25 dB,输出反射系数S22<-35 dB。该VGLNA增益具有离散和连续方式的双重调节功能,可以同时实现对数字和模拟电路的增益进行调节的功能,有着良好的噪声系数和线性度,输入、输出阻抗匹配度良好。第二种是一款采用有源电感的可调节多频带低功耗LNA。在该LNA电路中,在输入级,利用有源电感电感值可调的特性,通过调节组合偏压改变电感值来实现不同频段的输入阻抗匹配功能,使其可调范围扩广;同时利用噪声抵消支路带来的低噪声性能实现LNA的输入噪声匹配功能。在放大级,利用隔直电容和扼流电感,将共射共基-共射的两级放大结构转变为只有一个直流通路的电流复用结构,该结构不改变交流通路,不仅实现了两级放大作用而且还降低了功耗。在输出端使用了一个负载电阻,实现了输出阻抗匹配功能。基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺库,利用射频集成电路设计工具ADS对该电路进行了仿真验证分析。结果表明:该LNA工作频率在3.6 GHz和5.6 GHz下,电压增益分别为23.7 dB和23.9 dB;噪声系数NF分别为4.33 dB和4.51 dB;工作频率在3.6GHz和5.6 GHz时的IIP3均为-4.5 dBm;输入反射系数分别为-21.9 dB和-21.7 dB,输出反射系数分别为-23.5 dB和-16.0 dB;直流功耗分别为14.9 mW和15.4 mW。设计的该LNA工作频率在3.6 GHz和5.6 GHz时都具有较低的功耗,同时有着良好的噪声系数和线性度,输入、输出阻阬匹配度良好。该LNA的综合性能良好。
张宁[7]（2019）在《GaAs pHEMT噪声模型及低噪声放大器设计研究》文中研究指明GaAs基pHEMT器件因其高的电子迁移率和低的噪声特性已经广泛应用在无线通信系统射频集成电路设计中,尤其是对噪声和灵敏度高要求的射频前端低噪声放大器（LNA）应用中。随着现代无线通信系统的快速发展,对GaAs MMIC LNA性能指标要求越来越高,由于设计和生产性能优异的LNA需要精确的半导体器件小信号和噪声模型提供理论支持和设计依据,因此,建立精确的器件模型对LNA的电路设计和仿真优化至关重要。基于上述背景,本文重点围绕GaAs pHEMT器件小信号等效电路模型、噪声模型以及模型参数提取方法和低噪声放大器设计等方面展开工作,所取得的主要研究成果包括:1.介绍了GaAs pHEMT器件的基本物理结构参数,基于台湾Win半导体公司提供的0.15μm InGaAs Low Noise pHEMT工艺,建立了精确的GaAs pHEMT小信号等效电路模型。利用微波网络信号矩阵技术,提出了一种根据特殊偏置状态下的简化等效电路拓扑结构来分步提取模型元件参数的提参方法,通过与实测的S参数进行拟合与误差分析,表明所建立的小信号等效电路模型和参数提取方法具有良好的精度（S参数的幅度和相位误差分别低于6%和3度）和宽带（226GHz）等特性,为噪声模型分析和电路设计提供了必要的数据支持。2.从GaAs pHEMT器件噪声产生机理出发,采用噪声功率谱密度和待定噪声因子表达式表征噪声等效电路模型,改进了传统经验公式对噪声源的描述方法。针对高频下寄生元件引入的额外噪声影响,提出了一种基于噪声相关矩阵理论的简便通用噪声去嵌技术,同时考虑了栅极泄露电流产生的散粒噪声效应,修正了PUCEL和POSPIESZALSKI噪声模型的噪声因子解析式,完善了从噪声去嵌到提取噪声因子的GaAs pHEMT噪声等效电路建模流程。并通过噪声参数的仿真数据与实际测量值进行对比分析,验证了该建模方法的准确性。3.通过建立的小信号模型分析了宽带低噪声放大器设计时负载RLC网络对输入匹配的影响,对多频点匹配增益补偿的机制原理进行理论分析,从而提出了采用双边匹配和增益补偿设计思路,以实现全频带内具有优秀的回波损耗和平坦的高增益的要求。基于噪声模型理论分析,设计了812GHz三级CASCADE结构的宽带高增益低噪声放大器,包括电路拓扑结构的选取,输入输出级的电路设计,级间匹配电路的分析以及版图的布局优化,最终的后仿结果显示,在812GHz工作频段内,输入输出回波损耗小于-10dB,小信号增益为33.2±0.5dB,噪声系数小于2dB,全频带内绝对稳定,具有优异的噪声增益特性。
卢建兴[8]（2019）在《55nm CMOS低功耗射频低噪声放大器研究》文中认为随着射频集成电路与无线通信技术的发展,CMOS无线射频收发技术越来越呈现高性能、低功耗的要求。低噪声放大器作为射频接收前端电路的关键模块,对其性能和功耗的研究对于整个无线通信系统具有非常重要的意义。本文基于TSMC 55nm RF CMOS工艺,设计了一款2.4GHz低功耗窄带低噪声放大器。论文首先介绍了2.4GHz ISM频段下低功耗射频前端电路的研究意义与研究现状,并结合射频电路基本噪声理论和经典二端口网络模型,对不同输入阻抗匹配结构的低噪声放大器进行了噪声、增益等关键性能参数的分析。然后结合性能参数指标要求,采用两级级联电流复用的共源级结构,有效降低了电路功耗;同时采用亚阈值区偏置技术,提高晶体管跨导和增益,降低噪声系数;使用LC谐振网络替代栅极串联偏置大电感,节约设计的面积成本;另一方面,利用改进的源极电感负反馈结构和源极跟随器结构,实现了电路良好的输入输出阻抗匹配。最后完成低功耗低噪声放大器的版图设计,并对仿真结果进行分析。本文给出了低功耗低噪声放大器的电路设计过程、前仿真结果、版图设计过程和后仿真结果。仿真结果表明,电源电压为1.2V下工作电流约为1.88mA,核心电路功耗约为2.3mW,S11在-10～-25dB内变化,S12在-60～-65dB内变化,增益达到26.6dB,噪声系数小于2.7dB。所设计低噪声放大器满足设计指标要求,可以应用于低功耗射频前端电路。
黄孟佳[9]（2018）在《60 GHz CMOS功率放大器设计》文中认为移动数据的快速增长和智能手机的普及,为克服全球带宽短缺带来前所未有的挑战。毫米波技术被广泛认为是能够继续满足消费者对增加无线数据容量需求的关键技术之一。具有国际通用性的免执照60 GHz频段,比现有Wi-Fi产品使用的2.4 GHz和5 GHz频段具有更多的频谱,为建立高速率短距离无线通信链路提供了巨大潜力。尽管60 GHz频段带宽很大,但由于氧气吸收造成的信号衰减,特别是如果选择CMOS技术来实现完全集成的60 GHz无线系统,功率放大器（Power Amplifier,PA）的设计是60 GHz无线收发器开发中的主要挑战。虽然与高速复合半导体技术相比,CMOS具有更高的集成度和更低的制造成本,但低电源和击穿电压以及MOSFET接近频率的操作使得功率放大器的设计极具挑战性。因此,设计满足毫米波系统需求的PA具有重要意义。在此背景下,本论文主要完成对60 GHz频段CMOS PA的研究与设计。本文针对CMOS工艺下毫米波电路设计的挑战,进行了较为深入的调研并探讨了毫米波电路设计的方法。以实现可应用于60 GHz无线个域网（WPAN）的功率放大器为研究目标,基于SMIC 90nm RFCMOS工艺设计了单端与差分两款功率放大器。对于可工作在60 GHz的单端功率放大器,采用均工作在A类的三级级联结构,输入级采用具有自适应偏置的共源共栅（Cascode）结构实现,以提高增益,改善反向隔离度。后两级以共源（Common source,CS）结构实现,以满足输出功率和线性度要求。采用HFSS建模获得小感值片上螺旋电感用于匹配设计,并通过简化匹配网络以减少电路损耗实现高效率。仿真结果表明,工作在1.2V电压下,60 GHz处功率增益为16.2dB,1dB压缩点处的输出功率为8.2dBm,饱和输出功率为11.4dBm,峰值功率附加效率为15.3%,直流功耗为70mW。对于60 GHz的差分功率放大器,利用可获得较大输出功率的A类CS伪差分结构进行设计实现,为了消除CS结构栅-源寄生电容CGD对电路带来的负面影响,采用交叉耦合电容中和技术用以抵消由于寄生电容CGD所导致较差的反向隔离度、稳定性和低增益的问题,从而达到改善电路性能的目的。仿真结果表明,工作在1.2V电压下,差分功率放大器在60 GHz处实现了17.0dB的功率增益,反向隔离优于-50dB,输出1dB压缩点功率为10.2dBm,饱和输出功率为14.4dBm,PAE峰值9.1%,耗电量103mW。后仿真得到功率增益9.56dB,Psat为10.0dBm,峰值PAE为6.0%。
刘世中[10]（2018）在《基于GaAs/GaN工艺的单片宽带放大器研究》文中指出MMIC电路具有尺寸小、重量轻、可靠性高等优势,在相控阵雷达、仪器仪表、卫星通信、光纤系统等领域有着广泛的应用。低噪声放大器和功率放大器是射频前端电路中的关键部件。无线通信技术的快速发展,对宽带MMIC放大器有着广泛的需求,因此对宽带MMIC放大器的研究具有重要的意义。本文对宽带放大器常见的电路进行了对比分析。本文使用0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计了一款工作带宽为2～6GHz的宽带MMIC低噪声放大器电路。整体电路结构采用两级级联放大的结构。低噪声放大器的供电部分采用单电源供电,该供电结构具有结构简单的优点。对于低噪声放大器的第一级,采用在晶体管源极串联电感折中噪声匹配和输入匹配。低噪声放大器的两级电路均采用并联负反馈技术,从而扩展电路的工作带宽。本文分析了 MMIC低噪声放大器的电路原理图和版图设计的方法。版图仿真结果表明,在工作带宽2～6GHz范围内,MMIC低噪声放大器的噪声系数小于1.6dB,增益达到19～19.4dB,输入端反射系数S11小于-12.8dB,输出端反射系数S22小于-8.3dB。GaNHEMT具有较大的输出功率、较高的工作效率等优势。本文采用0.25μm GaNHEMT工艺设计了一款宽带MMIC功率放大器。输出级匹配网络的设计是匹配网络设计的关键。本文采用电抗匹配网络进行输出级匹配网络的设计,并结合阻抗在Smith圆图上的变化趋势,确定输出级阻抗匹配网络。版图仿真结果表明,在工作带宽2～4GHz范围内,MMIC功率放大器的输出功率大于38dBm,功率附加效率为29%～48.8%,输入端反射系数S11小于-7.7dB,输出端反射系数S22小于-9.2dB。
二、关于功率输出级阻抗匹配的表达式（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、关于功率输出级阻抗匹配的表达式（论文提纲范文）
（1）全集成CMOS宽带低噪声放大器的设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 专用术语注释表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 论文主要工作 |
| 1.4 论文结构安排 |
| 第二章 宽带低噪声放大器的基本理论 |
| 2.1 射频基本理论及系统简介 |
| 2.1.1 S参数 |
| 2.1.2 阻抗匹配 |
| 2.1.3 射频接收系统 |
| 2.2 低噪声放大器主要性能指标 |
| 2.2.1 噪声系数 |
| 2.2.2 增益及带宽 |
| 2.2.3 输出功率和线性度 |
| 2.2.4 稳定性 |
| 第三章 工艺模型和无源器件 |
| 3.1 CMOS无源器件 |
| 3.1.1 MIM电容 |
| 3.1.2 MOM电容 |
| 3.1.3 电感 |
| 3.2 bonding wire电感 |
| 3.3 CMOS有源器件 |
| 3.3.1 器件结构图和等效模型 |
| 3.3.2 器件尺寸的选取 |
| 第四章 宽带低噪声放大器的设计与仿真 |
| 4.1 设计指标 |
| 4.2 放大器结构分析与设计 |
| 4.2.1 整体结构设计 |
| 4.2.2 噪声分析 |
| 4.2.3 晶体管尺寸设计 |
| 4.3 偏置电路设计 |
| 4.3.1 输入级偏置 |
| 4.3.2 输出级偏置 |
| 4.4 匹配电路设计 |
| 4.4.1 输入级匹配网络 |
| 4.4.2 输出级匹配网络 |
| 第五章 低噪声放大器的版图与测试 |
| 5.1 版图布局 |
| 5.1.1 器件布局 |
| 5.1.2 信号走线 |
| 5.1.3 提高隔离度的措施 |
| 5.1.4 整体版图 |
| 5.2 版图仿真 |
| 5.2.1 S参数仿真结果 |
| 5.2.2 噪声和输出功率 |
| 5.3 芯片测试及分析 |
| 5.3.1 测试方案 |
| 5.3.2 增益测试结果及分析 |
| 5.3.3 端口反射系数测试结果及分析 |
| 5.3.4 噪声测试结果及分析 |
| 5.3.5 输出功率测试结果及分析 |
| 5.3.6 稳定性测试结果及分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 附录1 低噪声放大器芯片焊盘定义 |
| 附录2 低噪声放大器芯片测试要求 |
| 附录3 攻读硕士学位期间撰写的论文 |
| 附录4 攻读硕士学位期间申请的专利 |
| 附录5 攻读硕士学位期间参加的科研项目 |
| 致谢 |
（2）Ka波段MMIC功率放大器设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 MMIC简介 |
| 1.3 MMIC功率放大器的研究历史与现状 |
| 1.4 本论文的研究内容与结构安排 |
| 第二章 放大器基础理论 |
| 2.1 放大器的类型 |
| 2.2 放大器的基本结构 |
| 2.2.1 行波式放大器 |
| 2.2.2 平衡式放大器 |
| 2.2.3 功分式放大器 |
| 2.3 放大器的性能参数 |
| 2.3.1 工作频带及带宽 |
| 2.3.2 增益和增益平坦度 |
| 2.3.3 输入输出端口驻波比 |
| 2.3.4 输出功率与 1dB压缩点 |
| 2.3.5 漏极效率和功率附加效率 |
| 2.3.6 稳定系数 |
| 2.4 最佳匹配阻抗 |
| 2.4.1 负载线理论 |
| 2.4.2 负载牵引法 |
| 2.5 阻抗匹配网络 |
| 2.5.1 L型匹配网络 |
| 2.5.2 T型和π型匹配网络 |
| 2.5.3 分布式匹配网络 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 Ka波段MMIC功率放大器设计 |
| 3.1 MMIC功放芯片设计指标 |
| 3.2 MMIC功放芯片电路方案及设计 |
| 3.2.1 设计工艺的选择 |
| 3.2.2 晶体管的选择 |
| 3.2.3 静态工作点的选择 |
| 3.2.4 负载牵引法与晶体管尺寸选择 |
| 3.2.5 稳定性改善方法 |
| 3.2.6 阻抗匹配网络设计 |
| 3.3 功率放大器芯片原理图仿真结果 |
| 3.3.1 S参数与稳定性原理图仿真 |
| 3.3.2 大信号特性原理图仿真 |
| 3.4 功率放大器芯片电磁仿真结果 |
| 3.4.1 功率放大器芯片版图 |
| 3.4.2 S参数与稳定性电磁仿真 |
| 3.4.3 大信号特性电磁仿真 |
| 3.5 功率放大器芯片功率合成仿真 |
| 3.5.1 功率合成放大器芯片版图 |
| 3.5.2 S参数与稳定性电磁仿真 |
| 3.5.3 大信号特性电磁仿真 |
| 3.6 蒙特卡罗分析 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 Ka波段MMIC功率放大器性能测试与验证 |
| 4.1 Ka波段MMIC功率放大器的装配 |
| 4.1.1 功率放大器测试腔体设计 |
| 4.1.2 功率放大器测试PCB设计 |
| 4.1.3 功率放大器装配实物 |
| 4.2 Ka波段MMIC功率放大器的测试 |
| 4.2.1 装配测试内容 |
| 4.2.2 装配测试方法 |
| 4.2.3 装配测试结果 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 全文总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（3）Ka波段MMIC驱动级放大器芯片设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 Ka波段MMIC国内外研究现状 |
| 1.3 本论文的主要工作 |
| 1.4 本论文的结构安排 |
| 第二章 MMIC工艺介绍 |
| 2.1 pHEMT器件模型 |
| 2.1.1 pHEMT的结构 |
| 2.1.2 有源器件模型 |
| 2.1.3 无源器件模型 |
| 2.2 MMIC工艺及设计流程 |
| 2.2.1 MMIC工艺流程 |
| 2.2.2 MMIC设计流程 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 放大器设计理论 |
| 3.1 放大器主要性能指标 |
| 3.1.1 S参数 |
| 3.1.2 稳定性 |
| 3.1.3 功率增益和输出功率 |
| 3.1.4 效率和功率附加效率 |
| 3.1.5 非线性特性 |
| 3.2 最优化阻抗设计 |
| 3.2.1 负载线理论 |
| 3.2.2 负载牵引 |
| 3.2.3 源牵引 |
| 3.3 阻抗匹配网络设计 |
| 3.3.1 L型匹配网络 |
| 3.3.2 T型和 π 型匹配网络 |
| 3.3.3 分布式匹配网络 |
| 3.3.4 宽带阻抗匹配网络理论 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 MMIC驱动级放大器芯片设计 |
| 4.1 芯片设计指标 |
| 4.2 芯片电路方案及设计 |
| 4.2.1 设计工艺的选择 |
| 4.2.2 芯片整体电路方案 |
| 4.2.3 pHEMT管芯参数的选择 |
| 4.2.4 pHEMT直流偏置点的选择 |
| 4.2.5 pHEMT的源极自偏置电路设计 |
| 4.2.6 稳定性改善方法 |
| 4.2.7 芯片阻抗匹配网络设计 |
| 4.3 芯片性能电路仿真 |
| 4.3.1 芯片原理图 |
| 4.3.2 芯片性能电路仿真环境设置 |
| 4.3.3 芯片性能电路仿真结果 |
| 4.3.4 芯片性能电路仿真结论 |
| 4.4 芯片性能电磁仿真 |
| 4.4.1 芯片版图 |
| 4.4.2 芯片性能电磁仿真环境设置 |
| 4.4.3 芯片性能电磁仿真结果 |
| 4.4.4 芯片性能电磁仿真结论 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 MMIC驱动级放大器芯片测试 |
| 5.1 芯片性能在片测试方案 |
| 5.1.1 芯片性能测试内容 |
| 5.1.2 芯片性能测试方法 |
| 5.2 芯片性能在片测试结果 |
| 5.2.1 芯片实测照片 |
| 5.2.2 直流工作点测试 |
| 5.2.3 S参数测试结果 |
| 5.2.4 稳定性测试结果 |
| 5.2.5 功率特性测试结果 |
| 5.3 芯片性能在片测试结论 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 MMIC驱动级放大器模块设计与测试 |
| 6.1 模块的设计与装配 |
| 6.1.1 模块PCB的设计 |
| 6.1.2 模块腔体设计 |
| 6.1.3 模块性能仿真结果 |
| 6.1.4 模块的装配 |
| 6.1.5 模块实物图 |
| 6.2 模块性能测试方案 |
| 6.2.1 模块性能测试内容 |
| 6.2.2 模块性能测试方法 |
| 6.3 模块性能测试结果 |
| 6.3.1 直流工作点测试 |
| 6.3.2 S参数测试结果 |
| 6.3.3 稳定性测试结果 |
| 6.3.4 功率特性测试结果 |
| 6.4 模块设计结论 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 全文总结与展望 |
| 7.1 全文总结 |
| 7.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录I |
（4）超宽带CMOS功率放大器的设计（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 引言 |
| 1.1 课题的研究背景和意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 论文的研究内容及结构安排 |
| 1.4 本章小结 |
| 2 超宽带功率放大器的基本理论研究 |
| 2.1 超宽带功率放大器的主要参数分析 |
| 2.1.1 输出功率 |
| 2.1.2 效率 |
| 2.1.3 S参数 |
| 2.1.4 增益和增益平坦度 |
| 2.1.5 稳定性 |
| 2.1.6 线性度 |
| 2.2 超宽带功率放大器的分类 |
| 2.2.1 线性功放 |
| 2.2.2 开关类功放 |
| 2.3 超宽带功率放大器的匹配理论 |
| 2.3.1 基本匹配方式 |
| 2.3.2 分布式放大器 |
| 2.3.3 负反馈放大器 |
| 2.3.4 平衡放大器 |
| 2.3.5 有耗匹配网络放大器 |
| 2.3.6 电抗匹配放大器 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 超宽带功率放大器的关键技术 |
| 3.1 线性化技术 |
| 3.1.1 直流偏置优化技术 |
| 3.1.2 负反馈技术 |
| 3.1.3 导数叠加技术 |
| 3.1.4 后失真技术 |
| 3.2 超宽带技术 |
| 3.2.1 共栅输入匹配技术 |
| 3.2.2 输入端并联电阻技术 |
| 3.2.3 高阶LC匹配网络技术 |
| 3.2.4 交错调谐技术 |
| 3.3 低功耗技术 |
| 3.3.1 衬底偏置技术 |
| 3.3.2 亚阈区技术 |
| 3.3.3 其它技术 |
| 3.4 效率增强技术 |
| 3.4.1 负载调制 |
| 3.4.2 电压调制 |
| 3.4.3 谐波调制 |
| 3.5 小结 |
| 4 超宽带功率放大器的设计与仿真 |
| 4.1 放大器拓扑结构分析 |
| 4.1.1 共源共栅放大器 |
| 4.1.2 共源放大器 |
| 4.2 超宽带功率放大器的整体设计 |
| 4.2.1 利用电流复用技术的驱动级电路 |
| 4.2.2 利用并联电感峰化技术的输出级电路 |
| 4.2.3 输入端并联电阻反馈技术 |
| 4.2.4 超宽带功率放大器的输入阻抗分析 |
| 4.3 超宽带功率放大器的前仿真 |
| 4.4 超宽带功率放大器的版图设计与后仿真 |
| 4.4.1 版图设计规则 |
| 4.4.2 超宽带功率放大器的后仿真结果 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（5）高动态高线性单片低噪声放大器研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本文主要工作及内容安排 |
| 第二章 器件与工艺 |
| 2.1 GaAs pHEMT |
| 2.1.1 pHEMT器件结构 |
| 2.1.2 pHEMT小信号模型 |
| 2.1.3 pHEMT大信号模型 |
| 2.2 GaAs无源器件 |
| 2.2.1 电容 |
| 2.2.2 电感 |
| 2.2.3 电阻 |
| 2.3 GaAs pHEMT制程工艺 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 低噪声放大器基础理论 |
| 3.1 电路噪声理论 |
| 3.1.1 噪声功率谱密度 |
| 3.1.2 器件噪声 |
| 3.1.3 噪声系数 |
| 3.1.4 级联系统的噪声 |
| 3.2 放大器非线性理论 |
| 3.2.1 线性度 |
| 3.2.2 动态范围 |
| 3.3 低噪声放大器线性化理论 |
| 3.3.1 负反馈技术 |
| 3.3.2 前馈技术 |
| 3.3.3 失真抵消技术 |
| 3.3.4 最佳偏置技术 |
| 3.3.5 导数叠加技术 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 S波段宽带低噪声放大器设计 |
| 4.1 设计要点 |
| 4.1.1 静态工作点选取 |
| 4.1.2 管芯尺寸选取 |
| 4.1.3 阻抗匹配 |
| 4.1.4 有源偏置 |
| 4.1.5 稳定性设计 |
| 4.2 仿真设计 |
| 4.2.1 设计指标与整体方案 |
| 4.2.2 原理图与版图仿真 |
| 4.3 测试与分析 |
| 4.3.1 芯片装配与测试 |
| 4.3.2 测试结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 高动态高线性低噪声放大器设计 |
| 5.1 设计指标 |
| 5.2 整体方案与创新点 |
| 5.3 片上90°巴伦 |
| 5.3.1 90 °巴伦理论 |
| 5.3.2 90 °巴伦版图实现 |
| 5.4 原理图仿真设计 |
| 5.5 版图仿真设计 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（6）面向5G的多频带增益可调节LNA研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 论文研究背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 低噪声放大器增益调节方法的国内外研究现状 |
| 1.2.2 有源电感的国内外研究现状 |
| 1.2.3 有源电感在LNA中应用的国内外研究现状 |
| 1.3 论文研究的主要内容 |
| 2 一种增益可双重调节的新型LNA |
| 2.1 可双重调节的新型LNA电路拓扑 |
| 2.2 实现输入级阻抗匹配与低噪声系数 |
| 2.2.1 实现输入级阻抗匹配 |
| 2.2.2 实现输入级低噪声系数 |
| 2.3 实现输出级差分输出 |
| 2.4 实现对增益的双重调节 |
| 2.4.1 分析对增益的离散调节功能 |
| 2.4.2 分析对增益的连续调节功能 |
| 2.5 仿真验证分析 |
| 2.5.1 采用MOS管开关阵列实现对增益的离散调节 |
| 2.5.2 采用可调跨导器实现对增益的连续调节 |
| 2.5.3 实现输入输出阻抗匹配功能 |
| 2.5.4 实现良好的噪声性能 |
| 2.5.5 实现良好的线性度 |
| 2.5.6 实现差分输出功能 |
| 2.6 本章小结 |
| 3 应用于LNA中的一种新型有源电感 |
| 3.1 新型可调性增强的低噪声有源电感电路拓扑 |
| 3.2 增强新型有源电感的可调性分析 |
| 3.2.1 增强有源可调电阻的可调性分析 |
| 3.2.2 增强有源可调电容的可调性分析 |
| 3.2.3 增强分流支路的可调性分析 |
| 3.3 新型有源电感实现低噪声分析 |
| 3.4 仿真验证分析 |
| 3.4.1 无前馈支路时有源电感的电感值可调性分析 |
| 3.4.2 无前馈支路时有源电感品质因子Q值的可调性分析 |
| 3.4.3 低噪声有源电感的电感值可调性分析 |
| 3.4.4 低噪声有源电感的品质因子Q值可调性分析 |
| 3.4.5 低噪声有源电感的噪声功率谱密度可调性分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 一种采用新型有源电感的可调节多频带LNA |
| 4.1 采用新型有源电感的LNA电路拓扑 |
| 4.2 实现LNA输入阻抗匹配功能 |
| 4.3 实现LNA低功耗性能 |
| 4.4 实现输出阻抗匹配功能 |
| 4.5 仿真验证分析 |
| 4.5.1 实现输入输出匹配和良好的反向隔离度 |
| 4.5.2 增益性能分析 |
| 4.5.3 噪声性能分析 |
| 4.5.4 线性度分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
（7）GaAs pHEMT噪声模型及低噪声放大器设计研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 噪声模型研究现状 |
| 1.2.2 低噪声放大器研究现状 |
| 1.3 研究内容和结构安排 |
| 第二章 GaAs pHEMT器件小信号模型 |
| 2.1 HEMT器件原理 |
| 2.2 网络参数矩阵 |
| 2.2.1 二端口网络 |
| 2.2.2 T与 π型网络 |
| 2.3 GaAs pHEMT器件小信号建模 |
| 2.3.1 小信号等效电路 |
| 2.3.2 寄生参数提取 |
| 2.3.3 本征参数提取 |
| 2.3.4 小信号模型验证 |
| 2.4 本章小节 |
| 第三章 GaAs pHEMT器件噪声模型 |
| 3.1 射频噪声理论 |
| 3.1.1 噪声分类 |
| 3.1.2 噪声系数和等效噪声温度 |
| 3.1.3 二端口网络噪声理论 |
| 3.2 GaAs pHEMT器件噪声模型 |
| 3.2.1 噪声模型等效电路 |
| 3.2.2 PUCEL模型 |
| 3.2.3 POSPIESZALSKI模型 |
| 3.3 噪声模型去嵌技术 |
| 3.4 GaAs pHEMT器件噪声建模 |
| 3.4.1 PUCEL噪声模型改进 |
| 3.4.2 POSPIESZALSKI温度噪声模型改进 |
| 3.5 噪声模型验证 |
| 3.6 本章小节 |
| 第四章 宽带高增益低噪声放大器设计 |
| 4.1 宽带低噪声放大器的设计难点 |
| 4.2 宽带低噪声放大器拓扑结构分析 |
| 4.2.1 共栅极放大器 |
| 4.2.2 串联-并联放大器 |
| 4.2.3 源极负反馈放大器 |
| 4.2.4 共源共栅放大器 |
| 4.3 宽带高增益低噪声放大器设计 |
| 4.3.1 输入级电路设计与分析 |
| 4.3.2 级间匹配设计与分析 |
| 4.3.3 后级电路设计与分析 |
| 4.4 总体电路和版图设计 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（8）55nm CMOS低功耗射频低噪声放大器研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.1.1 CMOS射频集成电路发展 |
| 1.1.2 ISM频段介绍 |
| 1.1.3 射频接收前端关键模块 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 论文组织和内容安排 |
| 第二章 低功耗低噪声放大器基本理论 |
| 2.1 基本噪声源 |
| 2.2 经典二端口网络噪声 |
| 2.2.1 噪声因子与噪声系数 |
| 2.2.2 最优噪声源导纳 |
| 2.2.3 MOSFET噪声模型 |
| 2.2.4 MOSFET二端口网络噪声 |
| 2.3 多级级联放大器噪声 |
| 2.4 低噪声放大器的主要性能参数 |
| 2.4.1 增益 |
| 2.4.2 噪声系数 |
| 2.4.3 S参数 |
| 2.4.4 线性度 |
| 2.4.5 稳定性 |
| 2.4.6 功耗 |
| 2.5 低噪声放大器匹配结构 |
| 2.5.1 直接并联电阻型共源级放大结构 |
| 2.5.2 阻性反馈共源级放大结构 |
| 2.5.3 共栅级放大结构 |
| 2.5.4 源极电感负反馈的共源级放大结构 |
| 2.6 常见低功耗技术与应用 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 低功耗低噪声放大器的设计与前仿真 |
| 3.1 低噪声放大器电路结构 |
| 3.2 低噪声放大器电路模块分析 |
| 3.2.1 亚阈值区偏置 |
| 3.2.2 输入匹配 |
| 3.2.3 电流复用 |
| 3.2.4 增益分析 |
| 3.2.5 噪声分析 |
| 3.2.6 输出匹配 |
| 3.3 低噪声放大器前仿真结果 |
| 3.4 前仿真结果总结 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 版图设计与后仿真 |
| 4.1 版图设计注意事项 |
| 4.1.1 匹配原则 |
| 4.1.2 寄生参数的减小 |
| 4.1.3 降噪规则 |
| 4.2 版图模块设计 |
| 4.3 低噪声放大器后仿真结果 |
| 4.4 后仿真结果总结 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 参考文献 |
（9）60 GHz CMOS功率放大器设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 注释表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.1.1 60 GHz短距离通信系统 |
| 1.1.2 60 GHz RFIC设计的CMOS技术发展 |
| 1.2 60 GHz功率放大器国内外研究现状 |
| 1.3 论文研究内容与组织结构 |
| 1.3.1 研究内容 |
| 1.3.2 论文组织结构 |
| 第二章 功率放大器分析 |
| 2.1 功率放大器概述 |
| 2.2 功率放大器性能指标 |
| 2.2.1 稳定性 |
| 2.2.2 增益 |
| 2.2.3 输出功率和1dB增益压缩点 |
| 2.2.4 效率 |
| 2.3 功率放大器分类 |
| 2.3.1 线性类功率放大器(A类) |
| 2.3.2 非线性类功率放大器(B类,AB类和C类) |
| 2.3.3 开关模式功率放大器(D类,E类和F类) |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 毫米波功率放大器设计 |
| 3.1 毫米波功率放大器的挑战 |
| 3.2 功率放大器设计方法 |
| 3.3 功率放大器基本架构 |
| 3.3.1 功率放大器结构 |
| 3.3.2 晶体管拓扑结构 |
| 3.3.3 放大器工作类型 |
| 3.4 毫米波频段有源器件 |
| 3.5 毫米波频段无源器件 |
| 3.5.1 电感 |
| 3.5.2 电容 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 60 GHz单端CMOS功率放大器设计 |
| 4.1 性能指标 |
| 4.2 电路设计 |
| 4.2.1 整体架构 |
| 4.2.2 电路结构 |
| 4.2.3 静态工作点 |
| 4.2.4 匹配网络设计 |
| 4.2.5 自适应偏置结构 |
| 4.3 仿真结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 60 GHz差分CMOS功率放大器设计 |
| 5.1 性能指标 |
| 5.2 电路拓扑结构 |
| 5.2.1 交叉耦合电容中和技术 |
| 5.2.2 稳定性与增益分析 |
| 5.3 电路设计 |
| 5.4 版图设计 |
| 5.5 仿真结果分析 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间从事的科研工作及取得的成果 |
（10）基于GaAs/GaN工艺的单片宽带放大器研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 MMIC技术的发展历程 |
| 1.2 MMIC电路的优势 |
| 1.3 MMIC芯片的应用 |
| 1.4 MMIC低噪声放大器 |
| 1.5 MMIC功率放大器 |
| 1.6 本文的主要内容安排 |
| 第二章 放大器的理论基础 |
| 2.1 二端口理论 |
| 2.2 噪声理论 |
| 2.3 放大器的分类 |
| 2.4 低噪声放大器的主要技术指标 |
| 2.4.1 工作带宽 |
| 2.4.2 噪声系数 |
| 2.4.3 增益与增益平坦度 |
| 2.4.4 输入、输出驻波比 |
| 2.4.5 稳定性 |
| 2.4.6 1dB压缩点与三阶交调 |
| 2.4.7 动态范围 |
| 2.5 功率放大器相关的技术指标 |
| 2.5.1 输出功率 |
| 2.5.2 效率 |
| 2.6 宽带放大器的结构 |
| 2.6.1 电抗匹配式结构 |
| 2.6.2 有耗匹配式 |
| 2.6.3 分布式结构 |
| 2.6.4 平衡式结构 |
| 2.6.5 负反馈式结构 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 MMIC器件与工艺 |
| 3.1 无源元件 |
| 3.1.1 微带线 |
| 3.1.2 电阻 |
| 3.1.3 电感 |
| 3.1.4 电容 |
| 3.2 有源元件 |
| 3.2.1 半导体材料 |
| 3.2.2 高电子迁移率晶体管 |
| 3.2.3 pHEMT器件模型 |
| 3.3 MMIC制造工艺的流程 |
| 3.4 MMIC电路设计的流程 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 基于GaAs工艺的宽带低噪声放大器设计 |
| 4.1 晶体管直流特性仿真 |
| 4.2 偏置电路的设计 |
| 4.3 稳定性分析 |
| 4.4 匹配电路的类别 |
| 4.4.1 集总式元件匹配 |
| 4.4.2 分布式元件匹配 |
| 4.4.3 混合式元件匹配 |
| 4.5 低噪声放大器整体电路的设计 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 基于GaN工艺的宽带功率放大器设计 |
| 5.1 功率放大器的结构 |
| 5.1.1 单级功率放大器 |
| 5.1.2 多级功率放大器 |
| 5.2 输出级匹配网络的设计 |
| 5.3 级间匹配网络的设计 |
| 5.4 输入级匹配网络 |
| 5.5 功率放大器的版图和仿真结果 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 不足与展望 |
| 参考文献 |
四、关于功率输出级阻抗匹配的表达式（论文参考文献）
- [1]全集成CMOS宽带低噪声放大器的设计[D]. 于澍. 南京邮电大学, 2019(02)
- [2]Ka波段MMIC功率放大器设计[D]. 周必成. 电子科技大学, 2019(01)
- [3]Ka波段MMIC驱动级放大器芯片设计[D]. 严方耀. 电子科技大学, 2017(02)
- [4]超宽带CMOS功率放大器的设计[D]. 祝洁. 北京交通大学, 2020(03)
- [5]高动态高线性单片低噪声放大器研究[D]. 杨杰. 电子科技大学, 2020(07)
- [6]面向5G的多频带增益可调节LNA研究[D]. 唐彦. 兰州交通大学, 2019(04)
- [7]GaAs pHEMT噪声模型及低噪声放大器设计研究[D]. 张宁. 西安电子科技大学, 2019(02)
- [8]55nm CMOS低功耗射频低噪声放大器研究[D]. 卢建兴. 合肥工业大学, 2019(01)
- [9]60 GHz CMOS功率放大器设计[D]. 黄孟佳. 重庆邮电大学, 2018(01)
- [10]基于GaAs/GaN工艺的单片宽带放大器研究[D]. 刘世中. 合肥工业大学, 2018(02)