石墨层错的会聚束电子衍射研究

石墨层错的会聚束电子衍射研究

一、石墨中层错的会聚束电子衍射研究(论文文献综述)

田军[1](1995)在《石墨晶体结构及石墨层间化合物对摩擦性能的影响》文中研究说明综述了石墨晶体结构和缺陷对吸附气体分子或插入原子、分子等的作用及其对润滑性能的影响,期望对石墨层间化合物的进一步深入研究,可开发出新的石墨润滑材料。

冯国光[2](1984)在《石墨中层错的会聚束电子衍射研究》文中研究指明 石墨是典型的层状晶体,其堆垛层序为ABABAB,位错主要是在底面滑行。由于石墨的层错能低,一根位错可以分解为两根不全位错,不全位错之间有一层错。这些不全位错相互作用,形成了三重不全位错带,孤立的扩展结、收缩结和网络。在三重带和扩展结中,不全位错的间距可达μm尺寸。图1是一位错网络衍衬象,层错显示了黑色的衬度。在三角网络中,不全位错组成相间的扩展结和收缩结,在六角网络中,不全位错组成相联的扩展结。把40nm直径的电子束会聚在完整区域内,我们得到了如图2的会聚束带轴图样。图样的明场和全图对称性均为6mm。当电子束会聚在扩展结中的层错时,我们得到了如图3的带轴图样。图样的明场和全图均为3m对称,(1120)方向没有反映对称,镜面在(1010)方向。3m对称性是由零阶图样决定,高阶劳厄带线是6mm对称,Johnson用CBED研究平行于石墨晶体表面的层错,得到了3m的投影对称。事实上,图2、3高阶劳厄

冯国光[3](1983)在《石墨中层错的会聚束电子衍射研究》文中指出 石墨是典型的层状晶体,其堆垛层序为ABABAB,位错主要是在底面滑行。由于石墨的层错能低,一根位错可以分解为两根不全位错,不全位错之间有一层错。这些不全位错相互作用,形成了三重不全位错带,孤立的扩展结、收缩结和网络。在三重带和扩展结中,不全位错的间距可达μm尺寸。图1是一位错网络衍衬象,层错显示了黑色的衬度。在三角网络中,不全位错组成相间的扩展结和收缩结,在六角网络中,不全位错组成相联的扩展结。把40nm直径的电子束会聚在完整区域内,我们得到了如图2的会聚束带轴图样。图样的明场和全图对称性均为6mm。当电子束会聚在扩展结中的层错时,我们得到了如图3的带轴图样。图样的明场和全图均为3m对称,(1120)方向没有反映对称,镜面在(1010)方向。3m对称性是由零阶图样决定,高阶劳厄带线是6mm对称,Johnson用CBED研究平行于石墨晶体表面的层错,得到了3m的投影对称。事实上,图2、3高阶劳厄

二、石墨中层错的会聚束电子衍射研究(论文开题报告)

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

三、石墨中层错的会聚束电子衍射研究(论文提纲范文)

四、石墨中层错的会聚束电子衍射研究(论文参考文献)

  • [1]石墨晶体结构及石墨层间化合物对摩擦性能的影响[J]. 田军. 新型碳材料, 1995(04)
  • [2]石墨中层错的会聚束电子衍射研究[J]. 冯国光. 电子显微学报, 1984(04)
  • [3]石墨中层错的会聚束电子衍射研究[A]. 冯国光. 第三次中国电子显微学会议论文摘要集(二), 1983

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