一、铟镓磷一砷化镓界面的扫描电镜研究（论文文献综述）
吴志乾[1]（2019）在《石墨烯及二维半导体异质光电器件研究》文中研究说明石墨烯是一种由单层碳原子构成的半金属,也是最具代表性的二维材料。在2004年石墨烯被制备以前,人类可以制备和利用三维、一维以及零维材料来构建各种功能的器件。然而二维材料的制备却迟迟未能取得突破,这是因为当时人们普遍认为石墨烯由于其晶格的不稳定性,在常温常压下无法稳定存在,故鲜有课题组有针对性地进行制备。石墨烯的发现,恰似是拼图的最后一片,打开了在全新维度框架下对物理、器件进行研究的大门。石墨烯的出现表明人们有可能在单原子层或多原子层的水平上构建器件,而这也代表了未来科学技术发展的方向。因此石墨烯一经面世,便在全世界范围内掀起了研究浪潮,进一步研究陆续发现了许多新型二维材料,特别是二维半导体如硅烯和过渡金属硫属化物,具有与块体半导体截然不同的性质。自石墨烯的发现者Andre Geim和Konstantin Novoselov摘得诺贝尔奖至今已九年,石墨烯被发现至今也已过了十五年,期间二维材料在物理方面的研究层出不穷,然而人们亟需探索其在实际生产生活中的可能应用。目前为止,国际上公认石墨烯与二维半导体在光电器件领域有独特的优势。以石墨烯为例,其透明度高、导电性好、载流子迁移率高,在电子器件或是光电器件方面有广阔应用前景。然而石墨烯及二维导半体在应用于光电器件时,存在诸如吸光率过低、器件无法关断等问题,而光电器件各领域在发展中又迫切需要对现有器件的性能进行提高。如何解决这些问题?石墨烯及二维导半体的异质结构会是一种行之有效的解决方法。同时石墨烯及二维半导体又可以直接与传统三维半导体复合,形成结区位于表面的异质结,从而极大拓展器件的应用范围。不同二维半导体之间也性质各异,可利用多种二维半导体构建光电器件,在不同二维半导体间取长补短,提高器件的性能。石墨烯及二维半导体与三维半导体之间形成的二维/三维异质结构具有独特的物理内涵和应用价值。以石墨烯/砷化镓异质结为例,从载流子动力学角度上看,石墨烯本身也具有超宽带光吸收及多激子效应,可参与到载流子产生的过程中,同时异质结中光生载流子可在飞秒量级内在石墨烯与砷化镓之间进行转移,可提高载流子的收集效率。从载流子空间分布角度上看,其耗尽层与光吸收层在空间上相重叠,减少了载流子在漂移及扩散运动过程中的损失,表助于载流子的可以高效产生及分离。这些特性二维/三维异质结构突破传统光电器件性能限制打下了物理基础。二维/三维异质结构其性能优化方法及效果也与传统PN结构大相径庭。以局域表面等离子体共振增强方法为例,由于表面等离子体共振产生的热点能量是近场分布,随距离增加迅速衰减,而传统PN结区位于器件表面以下数百纳米甚至数微米深度,表面等离子体共振难以对其增强。而二维/三维异质结构由于结构位于表面,其表面等离子体共振产生的增强电磁场与耗尽层及光吸收层在空间上相重叠,因此可大幅提高器件的性能。同时,可对二维/三维异质结构中的石墨烯及二维半导体进行诸如表面能带调节、化学掺杂及减反射层等增强手段。本论文围绕石墨烯及二维半导体的异质结构在光电器件领域的实际应用应用,综合研究了几种基于石墨烯及二维半导体的不同类型的光电器件,涉及石墨烯、二维六方氮化硼、二维二硫化钼,并介绍了通过界面能带调节、表面掺杂、局域表面等离子体共振增强等手段来提高器件性能的方法,探究了性能提升背后的物理机制,进一步提示了石墨烯及二维半导体的异质结构的物理内涵,具体内容有以下几部分:1)提出了石墨烯/六方氮化硼/氧化锌异质光电探测器,并研究六方氮化硼在异质结中起到的势垒提升作用。研究表明由于六方氮化硼的负电子亲和势和宽禁带宽度,可以提升石墨烯/氧化锌器件的电子势垒,提升器件在365nm紫外光响应度到1350 AW-1,同时将器件的开关比提升到103。2)利用湿法转移技术得到石墨烯/氮化镓发光二极管,正反向均可发光且波长不同,在界面处引入银纳米颗粒可提升其发光强度。通过对光谱进行拟合,我们认为银纳米颗粒的局域表面等离子体,可与氮化镓层中的激子复合发生能量耦合,提高辐射复合在载流子复合过程中的比例,从而提升二极管的发光强度。3)研究了金纳米颗粒增强的石墨烯/砷化镓太阳能电池,并获得了 16.2%的转换效率。通过在石墨烯/砷化镓太阳能电池表面旋涂一层化学合成的金纳米颗粒,可利用纳米颗粒的局域表面等离子体共振效应将入射光局域在石墨烯/砷化镓的表面耗尽层,从而加快光生载流子的分离,将太阳能电池的短路电流密度从19.1 mAcm-2提升至24.9 mA cm-2,结合掺杂和减反射手段,可将太阳能电池转换效率提升至16.2%。同时研究了金纳米颗粒的直径、分布密度对电池转换效率的影响。4)研究了金属纳米间隙结构对于二硫化钼的光致发光增强及光电探测增强。在合适的电磁激发下,金属纳米间隙中会产间隙模式等离激元,并伴有电磁场增强效应。此时将单层二硫化钼插入金属纳米间隙中,可得到110倍的光致发光增强。利用相同原理制备的光电探测器可获得882%的响应度提升,达到287.5 AW-1。
张灵恩[2]（2018）在《固体废弃物中稀散金属锗、镓和铟的富集、真空分离提取机制与工艺研究》文中认为近年来,随着电子通讯、光伏、新能源、航天技术的发展,稀散金属锗、镓和铟在这些领域起到的作用越来越突出,且它们的使用量逐年增加。然而,在全球范围内,锗、镓和铟资源十分稀缺。从固体废弃物中回收锗、镓和铟是缓解它们供需矛盾的重要途径之一。稀散金属在废物中以不同的化学形态存在,分布分散,且含量很低;另外,废物中还存在一些有毒有害物质,如有机物,重金属等,这些特点都增加了它们的回收难度。因此,稀散金属废弃物的回收过程不同于矿物冶金过程。本文围绕不同化学形态锗、镓和铟废物——粉煤灰,废弃太阳能电池组件以及废弃液晶面板开展研究,针对废物中锗、镓和铟的分布特点与回收难点,提出了锗、镓和铟的“富集-真空分离”回收思路。通过实验对其富集规律、真空分离提取机制与条件优化的研究,提出了环境友好的回收工艺体系,并建立了真空还原-氯化蒸馏回收粉煤灰中的锗,热解-真空分解联用回收太阳能电池组件中的镓以及机械剥离-控碳热解-真空自还原回收废弃液晶面板中铟的工艺。针对GeO2粉煤灰无机废物体系中锗的富集与真空分离的研究,提出了真空还原-氯化蒸馏工艺过程,并利用单因素分析和曲面分析方法对工艺参数进行了优化。结果表明:通过真空还原过程,粉煤灰中的锗以Ge/GeO2化学形态进入冷凝产品。在1193 K的温度和系统压力259.63 Pa,添加16.64 wt.%的焦炭,锗分离率可以达到93.35%。中试实验验证了回收的实际效果,在1473 K的反应温度,1-10 Pa的系统压力以及40 min的反应时间,锗分离率为94.64%。真空反应后的残渣毒性浸出值低于国家标准,因此,它不是危险废物。通过真空还原分离技术实现了粉煤灰中锗的富集与真空分离,再经过氯化蒸馏和还原过程,实现了锗的纯化并制备出纯锗。在废弃太阳能电池组件GaAs化合物复杂废物体系中镓的富集与真空分离的研究中,通过TGA-MS分析,确定了太阳能电池组件中的塑料有机物主要是EVA组分。在热解温度773 K,0.5 L/min的N2流量,30 min的热解时间的条件下,太阳能板材中有机物接近100%的去除率。通过热力学、动力学以及饱和蒸汽压的计算分析了镓和砷的分离规律;并通过实验确定了砷化镓真空分解回收的最优条件:在反应温度1173 K,系统压力1 Pa和粒径在<0.3mm的条件下,镓和砷可以实现分离与回收。通过机械剥离过程首先从废弃液晶面板In2O3-有机物复杂废物体系中得到了富集液晶和铟的剥离产品。其次,TGA-MS和GC-MS分析确定了剥离产品中的液晶类型,它的液晶类型主要是TFT型液晶。对比载气热解和真空热解,选择了真空热解作为去除液晶的方式。通过PVC真空氯化实验,成功地以InCl3形式回收了铟,并制备了覆碳纤维。基于PVC与剥离产品中C,H,Cl,In元素的最大化利用问题,提出了固体废弃物中元素循环的概念,固体废弃物中的元素可以通过元素循环来实现废物回收的最大化。最后,利用元素循环的思路,提出了控碳热解-真空自还原回收铟的工艺过程,阐明了控碳热解-真空自还原中有机物分解、吸附和碳化过程机制。最优条件为:分子筛粒径<0.3mm,热解温度为773 K,系统压力为5000 Pa,添加30%分子筛,热解碳纤维主要是无机碳。在控碳热解-真空自还原过程中,铟回收率可以达到86%。在以上研究的基础上,建立了真空还原-氯化蒸馏回收粉煤灰中的锗,热解-真空分解联用回收太阳能电池组件中的镓以及机械剥离-控碳热解-真空自还原回收废弃液晶面板中的铟工艺体系。通过富集-真空分离工艺与传统回收工艺在回收技术和环境方面的比较,显示出富集-真空分离工艺在处理含稀散金属锗、镓和铟的固体废弃物中的优势。本研究为推进固体废弃物中稀散金属锗、镓和铟回收的工业化,稀散金属的绿色循环再生和相关行业的可持续发展提供一定的理论依据和技术支持。
逯贵祯,陈杰,梁静国,兰怡[3]（1984）在《铟镓磷一砷化镓界面的扫描电镜研究》文中研究表明 铟镓磷—砷化镓可以作为发光二极管的材料,其发光范围在可见光,能带间隙在300K时为2.2电子伏。我们利用液相外延法在砷化镓（100）表面上生长了铟镓磷外延层。在其它条件不变下,进行了不同过冷度的生长实验,并用扫描电镜S—450对界面形态进行了观测,用界面高点与低点之差作为对界面平整度的量度,可以得到界面平整度过冷度的大致关系为:只在一个很小的过冷度区间,才能生长出较为平整的界面。界面形态不平整,主要是因为在生长初期由于溶液中的饱和度不够有回溶现象发生,根据文献,溶液的饱和度与晶体生长速率有如下关系曲线:
逯贵祯,陈杰,梁静国,兰怡[4]（1983）在《铟镓磷一砷化镓界面的扫描电镜研究》文中提出 铟镓磷—砷化镓可以作为发光二极管的材料,其发光范围在可见光,能带间隙在300K时为2.2电子伏。我们利用液相外延法在砷化镓（100）表面上生长了铟镓磷外延层。在其它条件不变下,进行了不同过冷度的生长实验,并用扫描电镜S—450对界面形态进行了观测,用界面高点与低点之差作为对界面平整度的量度,可以得到界面平整度过冷度的大致关系为:只在一个很小的过冷度区间,才能生长出较为平整的界面。界面形态不平整,主要是因为在生长初期由于溶液中的饱和度不够有回溶现象发生,根据文献,溶液的饱和度与晶体生长速率有如下关系曲线:
霍雯雪[5]（2020）在《GaAs基光伏电池外延层及其电流匹配特性的研究》文中研究表明当前,全球能源紧缺和环境污染等问题日益突显,作为清洁能源的光伏发电将成为未来最重要的能源形式之一。光伏电池作为光伏发电的核心元件,其研究和发展近年来得到了极大的重视。其中,以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ半导体材料由于具备带隙范围广、吸收系数高、转化效率高和温度系数小等优点,在多结和聚光电池领域得到了广泛的研究和应用。在GaAs基光伏电池的研发中,外延层的掺杂对电池性能具有十分复杂的影响作用。本论文将对单结GaAs基光伏电池外延层的掺杂浓度进行调节并深入分析了其对电池性能的影响机理。另外,对于多结电池来说,子电池之间的电流不匹配现象是影响电池性能的关键因素,因此本论文进一步对多结电池的电流匹配原理,和判断电流匹配的方法以及电流匹配的设计机理进行了深入的研究。本文采用MOCVD设备生长GaAs基光伏电池外延片,并通过I-V测试,外量子效率测试,光致荧光发光谱测试以及串联电阻估算等方法对器件的性能进行了评估和比较。在研究掺杂对GaAs基光伏电池外延层的影响当中,我们对以下三个主要外延功能层进行了分析:第一,通过改变GaAs基光伏电池基区的掺杂浓度,研究了掺杂浓度对光伏电池器件吸收区的PN结的影响。通过分析不同入射功率条件下的I-V曲线结果,并利用光致荧光发光谱的测试结果和串联电阻的估算结果得出结论,即基区掺杂浓度的改变将同时改变器件吸收区PN结的匹配状态和器件的串联电阻,且上述两种因素在不同入射功率条件下对器件性能的影响效果存在差异。通常在低入射功率条件下,串联电阻的影响作用弱,因此PN结匹配状态好的样品性能好;而在高入射功率条件下,串联电阻的影响作用占主导,其将会对器件性能产生衰减作用。第二,通过改变隧穿结中N++型GaAs层掺杂浓度的大小,探究了隧穿结掺杂浓度的改变对器件性能的影响。在本文中隧穿结的作用是导通N型GaAs衬底和外延层之间的电路,另外在多结电池当中隧穿结也是低阻串联子电池之间电路的关键。我们发现当隧穿结的掺杂浓度适当提高时,有利于在高功率入射条件下得到更高的转换效率和填充因子值。但值得注意的是:若掺杂浓度过高,可能会导致Se掺杂源扩散进入P++型GaAs层,使得两者之间形成PN结并产生势垒,导致器件性能的恶化。第三,我们制备了具有不同掺杂浓度的窗口层的样品,并提出可以利用短波长的激光来探究光伏电池窗口层对于改善器件表面复合的效果。最后,考虑到采用厚GaAs基衬底的电池具有较大的串联电阻,会降低器件的性能,因此我们制备了具有金属铜衬底的GaAs基柔性薄膜电池,消除了原始衬底不良影响的同时使得电池具有良好的机械性能。在多结电池电流匹配的研究当中,根据子电池的带隙类型,我们对以下两类双结电池进行了探究:第一类电池是子电池为不同带隙材料的双结电池,其采用太阳光作为入射光源,文中以In Ga P/GaAs太阳能电池为代表。利用多结太阳模拟器,我们总结了当入射光源发生变化时的器件I-V曲线的变化,该结果为光源变化导致的电流不匹配现象提供了判断依据。另外,结合I-V测试和光致荧光发光谱测试结果发现:此类型的多结电池可以利用光致荧光发光谱方法所探测到的荧光峰的峰位和峰值来判断器件的电流匹配状态以及程度。该方法直观简便,且完全在I-V测试环境或实际工作条件下进行,因此更为接近器件的真实状态。第二类电池是子电池为同种带隙材料的多结叠层电池,其应用方向为高效率激光电池。我们讨论了该类电池的电流匹配的原理,并以GaAs基双结叠层电池为例,为该类多结电池电流匹配的设计与研发提供合理有效的解决方案。综上所述,本论文为GaAs基光伏电池的外延层设计,尤其是外延层掺杂浓度的设计提供了理论和实验基础,同时为多结电池电流匹配的判断和结构设计提供了有效的方法。该研究为制备高效率的GaAs基光伏电池和优化光伏电池的工作条件指明了方向。
张璐璐[6]（2017）在《前驱体溶液法制备金属硫化物薄膜及其光电性能研究》文中研究表明随着社会的持续发展,人类对能源的需求量越来越大,面对能源危机和环境污染两大问题,我们迫切需要开发可再生清洁能源。光伏发电作为一种利用太阳光能量发电的可再生能源技术,有望解决能源短缺和环境污染问题。但光伏发电普遍成本较高,因此探索低成本的太阳能电池制备工艺迫在眉睫,过渡金属硫化物薄膜由于其特殊的3d电子壳层结构在薄膜太阳电池领域得到广泛应用。本文以低成本的前驱体溶液法制备过渡金属硫化物薄膜（CdS、Cu9S5和ZnS）,详细研究了制备几种薄膜的最佳工艺及其光电性能。（1）以乙酸镉（Cd（CH3COO）2·2H2O）为镉源,硫脲（CH4N2S,TU）为硫源,二甲基甲酰胺（C3H7NO,DMF）为溶剂,采用分子前驱体溶液法制备出厚度可控的CdS薄膜。首先,保持原料的量不变,改变溶剂的量进而改变前驱体溶液的浓度,通过旋涂法得到CdS前驱体并在200℃下热处理制备出不同厚度且覆盖率高均匀性好的薄膜。将CdS薄膜用于CIGS太阳能电池缓冲层,结果发现,当CdS层厚度为25 nm左右时,整个太阳电池器件光电转换效率最高,为0.88%,远远高于CdS层厚度为75 nm左右的CIGS太阳能电池（0.08%）。（2）以氯化铜（CuCl2）为铜源,硫代乙酰胺（CH3CSNH2,TAA）为硫源,DMF为溶剂,采用分子前驱体溶液法制备出具有p型半导体特征的Cu9S5薄膜。结果发现,在Cu源和S源摩尔比为1:4时,才能制备出Cu9S5薄膜。前驱体溶液陈化时间对Cu9S5薄膜的形貌和覆盖率有很大的影响,随着陈化时间的增加,薄膜表面经过了颗粒状、花状和片状三种形貌的转变,同时伴随着覆盖率的升高,最适宜的陈化时间为7天。不同的热处理温度也会影响薄膜结构和覆盖率,当热处理温度为200℃,薄膜表面残留大量的有机物且晶粒没有长大,温度升高至250℃,有机物才能完全挥发并形成片状结构堆积形成的高覆盖率Cu9S5薄膜。所制备的薄膜具有p型半导体特征,可与MAPbI3薄膜形成p-n结。（3）以乙酸锌（Zn（CH3COO）2·2H2O）为Zn源,TU为硫源,DMF为溶剂,采用分子前驱体溶液法制备出覆盖率高且很致密的ZnS薄膜。由于Zn（CH3COO）2·2H2O和硝酸锌（Zn（NO3）2·6H2O）都能够溶解于有机溶剂DMF,所以分别用两种Zn源和两种S源配制前驱体溶液,通过旋涂法制备ZnS薄膜并表征。结果发现,以Zn（CH3COO）2·2H2O为Zn源,TU为硫源最有利于ZnS薄膜的形成,但S的含量始终偏少且带隙比标准值偏小,需进一步优化。
钟芬芬[7]（2017）在《基于二氧化钛纳米管的光电材料制备及其分析应用研究》文中研究表明纳米材料因为其尺寸范围在1-100 nm,因此表现出许多区别于常规材料不同的特殊物理和化学性质,并已广泛应用于催化和新一代生物传感器设计等领域。本文以细胞色素C的分析检测为目标,同时以TiO2纳米材料的开发和改性为重点,开展了基于二氧化钛的纳米复合材料在生物传感方面的研究,具体研究内容如下:（1）CdS/Au/TiO2纳米复合材料的制备及其光电性能研究。我们首先采用阳极氧化法制备了 TiO2纳米管阵列,然后通过脉冲电沉积法将平均尺寸约为5-20 nm的Au纳米颗粒沉积到TiO2纳米管基底上,随后运用连续离子层吸附和反应技术固定了 CdS量子点,成功制备了 4CdS/Au/TiO2纳米复合材料。CdS（2.24 eV）与TiO2（3.2 eV）两者的结合可以构建阶梯状的带隙结构,这种带隙结构能够提高材料的光子吸收,促进光电流产生,表现出良好的光催化活性。而AuNPs由于具有强烈的表面等离子体共振效应,可用于增加TiO2纳米管的光转换效率。CdS/Au/TiO2纳米材料解决了 TiO2纳米材料对可见光利用率低的问题,具有高效的电荷转移性能。与TiO2纳米材料相比,CdS/Au/TiO2展现出良好的光电性能,光电流强度显着增强,可达7.08 mA/cm2。此外,我们选定有机污染物2,4-二氯苯氧乙酸（2,4-D）为目标分子,通过4CdS/Au/TiO2复合电极光催化降解2,4-D的研究,验证了其良好的光催化性能。实验结果表明,经过2 h的连续光辐射后,污染物2,4-D被完全降解。在连续5次循环降解2,4-D之后,4CdS/Au/TiO2纳米复合材料的降解效率由100%降低到86.5%。总体来说,4CdS/Au/TiO2纳米复合材料具有良好的化学稳定性。（2）基于CdS/Au/TiO2纳米复合材料的无标记光电传感器检测细胞色素C。将具有优异的光电转换效率和高稳定性的CdS/Au/TiO2纳米电极作为基底,在此基础上修饰带巯基的细胞色素C特异性适配体,构建了无标记光电传感器用于细胞色素C的定量检测。检测原理:当加入细胞色素C之后,由于与巯基适配体之间的特异性识别作用,细胞色素C与适配体结合形成复合物,该复合物带来很强的空间位阻效应,从而引起传感器光电信号的改变。通过测量光电流变化值实现对细胞色素C的定量分析,该方法由于适配体与细胞色素C之间的特异性结合使传感器显示出较低的检测限和高度的选择性。实验结果表明传感器对细胞色素C浓度的线性响应范围为5 pM至100 nM,检测限达到3.45 pM。此外,进一步的实验数据表明该传感器具有良好的重现性和稳定性。
许有奎[8]（2021）在《CsPbI3性能的优化及其光电转换器件应用》文中提出钙钛矿自从2009年被首次报道用于太阳能电池获得了3.8%的转换效率以来,受到了研究者的广泛关注。目前,钙钛矿太阳能电池（PSCs）的最高转换效率已经达到了25.5%,但环境稳定性问题严重阻碍着其大规模商业化应用。基于CsPbX3（X=Cl,Br,I）的全无机PSCs由于没有容易挥发的有机分子的存在而具有相对较好的热稳定性,但是其转换效率明显低于有机—无机杂化钙钛矿,这是因为钙钛矿薄膜内部存在大量的缺陷会导致严重的载流子复合;另外,CsPbX3存在四种常见的物相结构,在室温下容易发生相变而失去光电活性。因此,制备高质量的钙钛矿薄膜是获得高效率、高稳定性PSCs的关键。本论文针对氘代溶剂对Cs Pb I3钙钛矿薄膜结晶过程的影响、Cs Pb I3二维PSCs的制备及稳定性能的提升、二维钙钛矿粉末的合成及X射线成像应用展开论述,具体工作如下:1)采用了DMF和不同添加浓度的DMF-d7共同作为钙钛矿前驱体溶剂,利用同位素动力学效应,减缓钙钛矿薄膜的结晶速度,制备了大晶粒尺寸、低缺陷浓度的高质量钙钛矿薄膜。极少量留在晶格内的氘原子可以降低[Pb I6]4-声子能量,提高晶格的稳定性。最终获得了18.55%的器件转换效率。2)通过引入带有氨基（丁胺BA）的有机大分子,制备二维Cs Pb I3钙钛矿薄膜。由于疏水有机大分子的引入,钙钛矿薄膜的环境稳定性明显提高,而且有机分子在结构中起到了空间位阻的作用,增加了Cs Pb I3的相变激活能,提高了其相稳定性。3)通过简单快速的逆温结晶法制备了BA2MAn-1PbnBr3n+1二维钙钛矿粉末。通过调节二维钙钛矿的n值,实现了发光颜色的调谐。当n=1时,制备了具有单n值的纯相二维钙钛矿,且可以用于X射线成像。
二、铟镓磷一砷化镓界面的扫描电镜研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、铟镓磷一砷化镓界面的扫描电镜研究（论文提纲范文）
（1）石墨烯及二维半导体异质光电器件研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 部分短语中英对照表 |
| 第一章:绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 石墨烯与二维半导体简介 |
| 1.2.1 石墨烯的基本结构、性质 |
| 1.2.2 二维六方氮化硼的基本结构、性质 |
| 1.2.3 二维二硫化钼的基本结构、性质 |
| 1.3 光电探测器的发展方向及石墨烯与二维半导体的应用潜力 |
| 1.4 传统发光二极管的瓶颈及石墨烯的应用潜力 |
| 1.5 传统太阳能电池的瓶颈及石墨烯的潜在解决方案 |
| 1.6 本章小结及博士课题的提出 |
| 第二章:器件制备及表征方法 |
| 2.1 石墨烯与二维半导体制备方法 |
| 2.1.1 微机械力剥离法 |
| 2.1.2 化学气相沉积法 |
| 2.2 石墨烯与二维半导体的转移 |
| 2.2.1 金属衬底上石墨烯及二维半导体转移方法 |
| 2.2.2 氧化物衬底上石墨烯及二维半导体转移方法 |
| 2.3 金属纳米颗粒的合成 |
| 2.4 原子层沉积 |
| 2.5 测试手段及设备 |
| 2.5.1 扫描发射电子显微镜 |
| 2.5.2 原子力显微镜 |
| 2.5.3 透射电子显微镜 |
| 2.5.4 拉曼测试 |
| 2.5.5 光致发光谱测试 |
| 2.5.6 太阳能电池性能表征 |
| 2.5.7 其它测试手段及设备 |
| 2.6 数值计算方法 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章:石墨烯/六方氮化硼/氧化锌隧穿二极管紫外光电探测器 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 石墨烯/氧化锌光电探测器制备与不足 |
| 3.3 石墨烯/六方氮化硼/氧化锌光电探测器的制备与测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章:局域表面等离子体共振增强石墨烯/氮化镓发光二极管 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 局域表面等离子体共振简介 |
| 4.3 石墨烯/氮化镓发光二极管的制备 |
| 4.4 石墨烯/氮化镓发光二极管的测试与分析 |
| 4.5 银纳米颗粒对石墨烯/氮化镓发光二极管的增强及分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章:表面强光场耦合耗尽层石墨烯/砷化镓太阳能电池 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 石墨烯/砷化镓太阳能电池制备 |
| 5.3 金纳米颗粒对石墨烯/砷化镓太阳能电池的增强 |
| 5.4 金纳米颗粒增强石墨烯/砷化镓太阳能电池的原理分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章:金属纳米间隙结构增强的二硫化钼光电探测器 |
| 6.1 研究背景 |
| 6.2 金属纳米间隙结构中电磁场热点位置的控制 |
| 6.3 用于光致发光增强的金属纳米间隙结构的设计与制备 |
| 6.4 金属纳米间隙结构对二硫化钼光致发光的增强 |
| 6.5 电磁场分布计算 |
| 6.6 金属纳米间隙增强二硫化钼光致发光的分析 |
| 6.7 用于光电探测增强的金属纳米间隙结构的设计与制备 |
| 6.8 金属纳米间隙增强二硫化钼光电探测的测试及分析 |
| 6.9 本章小结 |
| 第七章:总结与展望 |
| 7.1 论文主要成果 |
| 7.2 论文主要创新点 |
| 7.3 论文不足之处和未来工作展望 |
| 作者简历 |
| 主要成果 |
| 参考文献 |
（2）固体废弃物中稀散金属锗、镓和铟的富集、真空分离提取机制与工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRCT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 稀散金属及其战略意义 |
| 1.1.1 稀散金属 |
| 1.1.2 稀散金属的战略意义 |
| 1.2 锗、镓和铟的物理化学性质及应用领域 |
| 1.2.1 锗的性质与应用领域 |
| 1.2.2 镓的性质与应用领域 |
| 1.2.3 铟的性质与应用领域 |
| 1.3 锗、镓和铟固体废弃物回收现状与面临的问题 |
| 1.3.1 直接填埋造成资源浪费 |
| 1.3.2 不当回收引发环境问题 |
| 1.4 锗、镓和铟的分离回收技术 |
| 1.4.1 火法回收技术 |
| 1.4.2 湿法回收技术 |
| 1.4.3 其他回收技术 |
| 1.5 真空冶金分离技术的研究进展 |
| 1.5.1 真空冶金分离技术 |
| 1.5.2 真空冶金应用于分离废弃合金中金属 |
| 1.5.3 真空冶金应用于分离电子废弃物中金属 |
| 1.5.4 真空冶金应用于分离其他固体废弃物中金属 |
| 1.6 课题的提出 |
| 1.7 研究内容 |
| 1.8 技术路线 |
| 第二章 锗、镓和铟固体废弃物组成、“富集-真空分离”回收思路与工艺设计 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 锗、镓和铟的固体废弃物组成 |
| 2.2.1 粉煤灰的组成 |
| 2.2.2 废弃太阳能电池组件的组成 |
| 2.2.3 废弃液晶面板的组成 |
| 2.3 锗、镓和铟固体废弃物的“富集-真空分离”回收思路 |
| 2.4 锗、镓和铟固体废弃物的富集和真空分离工艺设计 |
| 2.4.1 粉煤灰中锗的富集和真空分离工艺设计 |
| 2.4.2 废弃太阳能电池组件中镓的富集和真空分离工艺设计 |
| 2.4.3 废弃液晶面板中铟的富集和分离工艺设计 |
| 2.5 实验设备与检测分析 |
| 2.5.1 实验仪器与设备 |
| 2.5.2 检测与分析仪器 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 锗、镓和铟化合物的真空反应原理与分离规律研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 真空还原冶金热力学和动力学原理 |
| 3.2.1 真空还原过程热力学原理 |
| 3.2.2 真空还原过程动力学原理 |
| 3.3 金属分离的饱和蒸汽压分析 |
| 3.4 二氧化锗真空还原冶金热力学和动力学分析 |
| 3.4.1 二氧化锗的还原反应热力学分析 |
| 3.4.2 二氧化锗的还原反应动力学分析 |
| 3.5 金属锗及其氧化物饱和蒸汽压分析 |
| 3.6 氧化铟真空还原冶金热力学和动力学分析 |
| 3.6.1 氧化铟的还原反应热力学分析 |
| 3.6.2 氧化铟的还原反应动力学分析 |
| 3.7 金属铟及其氧化物饱和蒸汽压分析 |
| 3.8 砷化镓真空分解热力学和动力学分析 |
| 3.8.1 砷化镓的分解反应热力学分析 |
| 3.8.2 砷化镓的分解反应动力学分析 |
| 3.9 镓和砷的饱和蒸汽压分析 |
| 3.10 本章小结 |
| 第四章 GeO_2粉煤灰无机废物体系中锗的富集与真空分离 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 真空还原-氯化蒸馏过程设计与步骤 |
| 4.2.1 真空还原-氯化蒸馏过程设计 |
| 4.2.2 真空还原-氯化蒸馏实验步骤 |
| 4.3 真空还原冶金过程 |
| 4.3.1 粉煤灰碳还原反应的热重分析 |
| 4.3.2真空还原冶金过程单因素实验 |
| 4.3.3 真空还原冶金过程的响应曲面优化 |
| 4.4 冷凝产品及残渣分析 |
| 4.4.1 冷凝产品组分分析 |
| 4.4.2 残渣的组分分析 |
| 4.5 锗回收的中试实验 |
| 4.6 粉煤灰真空还原过程的机理分析 |
| 4.7 氯化蒸馏过程 |
| 4.7.1 氯化蒸馏过程的优化 |
| 4.7.2 氯化蒸馏过程的机理分析 |
| 4.8 纯金属锗的制备与分析 |
| 4.9 本章小结 |
| 第五章 废弃太阳能电池组件Ga As化合物复杂废物体系中镓的富集与真空分离 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 太阳能电池组件的成分分析 |
| 5.3 N_2热解-真空分解实验 |
| 5.4 N_2热解太阳能电池组件的板材 |
| 5.4.1 板材塑料组分的确定 |
| 5.4.2 N_2热解的影响因素 |
| 5.4.3 热解产品分析 |
| 5.5 GaAs真空分解过程的影响 |
| 5.5.1 真空分解反应的影响因素 |
| 5.5.2 真空分解产品分析 |
| 5.6 废弃太阳能电池组件中镓回收的工艺的提出 |
| 5.7 本章小结 |
| 第六章 废弃液晶面板In_2O_3~-有机物复杂废物体系中液晶的去除和铟的富集 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 废弃液晶面板的机械剥离过程 |
| 6.2.1 机械剥离过程 |
| 6.2.2 机械剥离产品的组分 |
| 6.3 机械剥离产品中液晶的类型 |
| 6.3.1 机械剥离产品的热重分析 |
| 6.3.2 液晶类型及成分分析 |
| 6.4 机械剥离产品中液晶的真空热解的热重和动力学分析 |
| 6.4.1 载气热解和真空热解的热重分析 |
| 6.4.2 载气热解和真空热解的动力学分析 |
| 6.5 真空热解对液晶去除的影响 |
| 6.5.1 热解温度的影响 |
| 6.5.2 系统压力的影响 |
| 6.5.3 反应时间的影响 |
| 6.6 真空热解产品的分析表征 |
| 6.6.1 真空热解油产物分析 |
| 6.6.2 真空热解气产物分析 |
| 6.7 真空热解机理分析 |
| 6.8 机械剥离产品中铟的富集 |
| 6.8.1 真空热解温度对铟富集的影响 |
| 6.8.2 系统压力对铟富集的影响 |
| 6.8.3 反应时间对铟富集的影响 |
| 6.9 机械剥离-真空热解分离液晶和富集铟过程 |
| 6.10 本章小结 |
| 第七章 废弃液晶面板In_2O_3~-有机物复杂废物体系中铟的真空分离 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 PVC真空氯化回收富集产品中的铟 |
| 7.2.1 PVC真空氯化回收铟实验设计 |
| 7.2.2 真空氯化回收铟的可行性和理论分析 |
| 7.2.3 真空氯化过程的影响因素 |
| 7.2.4 氯化铟产品的形貌与化学成分分析 |
| 7.2.5 碳纤维形成的形貌与影响 |
| 7.2.6 碳纤维形成机理 |
| 7.2.7 覆碳纤维分子筛的吸附性能分析 |
| 7.2.8 PVC真空氯化回收铟过程中C,H,Cl,In的元素循环 |
| 7.3 固体废弃物中元素循环的新思路 |
| 7.3.1 元素循环概念的提出及其定义 |
| 7.3.2 固体废弃物中元素循环的实现 |
| 7.4 控碳热解-真空自还原过程分离富集产品中的铟 |
| 7.4.1 控碳热解-真空自还原分离铟过程的提出 |
| 7.4.2 碳吸附剂选择及其特性 |
| 7.4.3 控碳热解过程中参数的优化 |
| 7.4.4 控碳热解与碳纤维形成机制 |
| 7.4.5 控碳热解-真空自还原与焦炭还原分离铟过程的比较 |
| 7.5 本章小结 |
| 第八章 锗、镓和铟固体废弃物回收工艺的建立 |
| 8.1 引言 |
| 8.2 真空还原-氯化蒸馏回收粉煤灰中的锗的工艺建立 |
| 8.3 热解-真空分解联用回收废弃太阳能电池组件中的镓工艺建立 |
| 8.4 机械剥离-控碳热解-真空自还原回收废弃液晶面板中的铟工艺建立 |
| 8.5 富集-真空分离工艺与传统湿法回收工艺的比较 |
| 8.5.1 回收技术评价 |
| 8.5.2 环境评价 |
| 8.6 本章小结 |
| 结论和展望 |
| 结论 |
| 展望 |
| 创新点 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 博士期间研究成果及获奖情况 |
| 已发表论文 |
| 申请专利 |
| 获奖情况 |
（5）GaAs基光伏电池外延层及其电流匹配特性的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 光伏电池简介 |
| 1.1.1 光伏电池的历史 |
| 1.1.2 光伏电池的原理 |
| 1.1.3 光伏电池的分类 |
| 1.2 GaAs基光伏电池 |
| 1.2.1 GaAs材料的特性 |
| 1.2.2 GaAs基光伏电池研究进展 |
| 1.3 本论文的研究背景和意义 |
| 1.4 本论文的研究内容和论文结构 |
| 第2章 GaAs基光伏电池的制备和测试方法 |
| 2.1 GaAs基光伏电池的外延生长 |
| 2.1.1 外延层结构及各层设计要点 |
| 2.1.2 外延层掺杂浓度的调节方法 |
| 2.2 GaAs基光伏电池器件的制备 |
| 2.2.1 电极的制备 |
| 2.2.2 减反膜的制备 |
| 2.2.3 间道的腐蚀 |
| 2.3 GaAs基光伏电池的测试方法 |
| 2.3.1 扫描电镜表征方法 |
| 2.3.2 伏安特性测试方法(I-V或J-V测试) |
| 2.3.2.1 太阳模拟器下的I-V测试 |
| 2.3.2.2 高功率激光下的I-V测试 |
| 2.3.3 外量子效率的测试方法 |
| 2.3.3.1 单结电池外量子效率的测试 |
| 2.3.3.2 多结电池外量子效率的测试 |
| 2.3.4 光致荧光发光谱的测试方法 |
| 2.3.4.1 单结电池的光致荧光发光谱的测试 |
| 2.3.4.2 多结电池的光致荧光发光谱的测试 |
| 2.3.5 串联电阻的判断和计算方法 |
| 2.3.5.1 I-V曲线判断寄生电阻 |
| 2.3.5.2 利用I-V曲线估算串联电阻的方法 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 GaAs基光伏电池外延层的研究 |
| 3.1 GaAs基光伏电池基区的研究 |
| 3.1.1 I-V测试对器件输出性能的表征结果 |
| 3.1.2 外量子效率的测试结果 |
| 3.1.3 光致荧光发光谱的测试结果 |
| 3.1.4 串联电阻的评估和计算结果 |
| 3.1.5 结论 |
| 3.2 GaAs基光伏电池部分外延层的研究 |
| 3.2.1 GaAs基光伏电池隧穿结的研究 |
| 3.2.2 GaAs基光伏电池窗口层的研究 |
| 3.2.3 GaAs基光伏电池衬底层的研究 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 GaAs基双结电池电流匹配的研究 |
| 4.1 In Ga P/GaAs双结电池电流匹配的研究 |
| 4.1.1 In Ga P/GaAs双结电池不同光照下的I-V曲线分析 |
| 4.1.2 光致荧光法探究In Ga P/GaAs双结电池的电流匹配 |
| 4.1.2.1 In Ga P/GaAs双结电池在太阳模拟器下的荧光特性 |
| 4.1.2.2 In Ga P/GaAs双结电池在双激光下的荧光特性 |
| 4.2 GaAs基双结叠层电池电流匹配的研究 |
| 4.2.1 GaAs基叠层电池设计原理 |
| 4.2.2 GaAs基双结电池设计方法和测试结果 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（6）前驱体溶液法制备金属硫化物薄膜及其光电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 太阳能电池 |
| 1.2.1 太阳能电池工作原理 |
| 1.2.2 太阳能电池基本参数 |
| 1.2.3 太阳能电池的分类 |
| 1.3 用于太阳能电池的过渡金属硫化物薄膜的制备方法 |
| 1.3.1 化学水浴沉积(CBD) |
| 1.3.2 电沉积(ED) |
| 1.3.3 溅射(Sputtering) |
| 1.3.4 近空间升华(CSS) |
| 1.4 分子前驱体溶液法制备硫化物薄膜 |
| 1.4.1 分子前驱体溶液法制备硫化物薄膜的原理 |
| 1.4.2 分子前驱体溶液法优点及应用前景 |
| 1.5 本论文的研究目的、意义及主要内容 |
| 1.5.1 研究目的和意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第2章 实验原料、设备及测试分析方法 |
| 2.1 实验原料及设备 |
| 2.1.1 实验原料及试剂 |
| 2.1.2 实验仪器及设备 |
| 2.2 测试方法 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) |
| 2.2.2 场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) |
| 2.2.3 X射线能谱仪(EDS) |
| 2.2.4 紫外-可见近红外分光光度计(UV-vis-NIR) |
| 2.2.5 X射线光电子能谱仪(XPS) |
| 2.3 开路电压测试 |
| 2.4 器件性能测试(J-V) |
| 第3章 CdS薄膜的制备及其在CIGS太阳能电池中的应用 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 基底的清洗 |
| 3.2.2 CdS薄膜的制备 |
| 3.2.3 CIGS太阳电池的制备 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 硫化镉薄膜表面结构分析(XPS) |
| 3.3.2 硫化镉薄膜表面形貌分析(SEM+EDS) |
| 3.3.3 不同热处理温度对薄膜形貌和成分的影响 |
| 3.3.4 不同滴定方式对薄膜表面覆盖率的影响 |
| 3.3.5 不同硫源(TAA)对CdS薄膜表面形貌和成分的影响 |
| 3.3.6 前驱体浓度对CdS薄膜厚度的影响 |
| 3.3.7 CdS薄膜的光吸收性能(UV-Vis) |
| 3.3.8 CdS薄膜在CIGS太阳电池中的应用 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 Cu_9S_5 薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 基底的清洗 |
| 4.2.2 Cu_9S_5 薄膜的制备 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 水热法制备Cu_9S_5 确定Cu、S原料比 |
| 4.3.2 硫化亚铜薄膜表面结构分析(XPS) |
| 4.3.3 不同陈化时间对产物薄膜物相和表面形貌的影响 |
| 4.3.4 Cu_9S_5 薄膜生长机理 |
| 4.3.5 不同Cu源对合成薄膜形貌和光学性能的影响 |
| 4.3.6 不同热处理温度薄膜形貌的影响 |
| 4.3.7 Cu_9S_5 薄膜在器件组装中的应用(p-n结) |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 ZnS薄膜的制备及其光电性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 基底的清洗 |
| 5.2.2 ZnS薄膜的制备 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 制备硫化锌薄膜中锌源和硫源的确定 |
| 5.3.2 硫化锌薄膜表面结构分析(XPS) |
| 5.3.3 不同锌源和硫源对产物薄膜形貌的影响 |
| 5.3.4 ZnS薄膜的光吸收性能 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 申请学位期间的发表的学术论文 |
（7）基于二氧化钛纳米管的光电材料制备及其分析应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 纳米材料简述 |
| 1.1.1 纳米材料的结构 |
| 1.1.2 纳米材料的性质 |
| 1.1.3 纳米材料的制备与修饰 |
| 1.1.4 纳米材料的应用 |
| 1.2 适配体简述 |
| 1.2.1 适配体定义 |
| 1.2.2 适配体在传感领域的应用 |
| 1.3 细胞凋亡简述 |
| 1.3.1 细胞凋亡定义 |
| 1.3.2 细胞凋亡过程与细胞色素C |
| 1.4 光电化学技术简述 |
| 1.4.1 光电化学传感的基本原理 |
| 1.4.2 电位型光电化学传感器 |
| 1.4.3 电流型光电化学传感器 |
| 1.5 本论文研究构思 |
| 第2章 CdS/Au/TiO_2纳米管阵列的制备及其光电化学性能研究 |
| 2.1 前言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验试剂和仪器 |
| 2.2.2 TiO_2纳米管阵列制备 |
| 2.2.3 Au/TiO_2纳米管阵列制备 |
| 2.2.4 CdS/Au/TiO_2纳米管阵列制备 |
| 2.2.5 降解储备液的配置 |
| 2.2.6 材料的结构与光电化学性能表征 |
| 2.2.7 光催化活性的测定 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 材料表征 |
| 2.3.2 光电性能测试 |
| 2.3.3 光催化降解有机污染物2,4-D |
| 2.3.4 CdS/TiO_2 NTAs光催化机理的研究 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 基于CdS/Au/TiO_2无标记光电传感器检测细胞色素C |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验试剂和仪器 |
| 3.2.2 材料制备 |
| 3.2.3 构建传感器 |
| 3.2.4 光电化学性能表征及传感器测量 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 光电化学传感器的原理 |
| 3.3.2 光电化学传感器的性能分析 |
| 3.3.3 光电化学传感器的条件优化 |
| 3.3.4 光电化学传感器用于检测细胞色素C |
| 3.3.5 光电化学传感器的重现性与稳定性 |
| 3.3.6 光电化学的特异性 |
| 3.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 |
| 致谢 |
（8）CsPbI3性能的优化及其光电转换器件应用（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 绿色能源与太阳能电池 |
| 1.1.1 绿色能源 |
| 1.1.2 太阳能电池的发展历程 |
| 1.2 钙钛矿及其稳定性 |
| 1.2.1 钙钛矿简介 |
| 1.2.2 钙钛矿的稳定性 |
| 1.3 钙钛矿太阳能电池 |
| 1.4 本论文的选题意义及研究内容 |
| 第二章 实验材料和表征方法 |
| 2.1 实验所用的材料与仪器 |
| 2.1.1 实验所用的药品型号及规格 |
| 2.1.2 实验设备 |
| 2.2 材料的表征和电池性能测试方法 |
| 2.2.1 X射线衍射分析(XRD) |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.2.3 X射线光电子能谱(XPS) |
| 2.2.4 红外光谱仪 |
| 2.2.5 紫外可见分光光度计(UV-Vis) |
| 2.2.6 光致荧光发射光谱(PL) |
| 2.2.7 电池光电转换效率测试(PCE) |
| 2.2.8 电池外量子效率测试(EQE) |
| 第三章 DMF-d7对CsPbI_3薄膜结晶及器件性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 CsPbI_3钙钛矿薄膜的制备 |
| 3.2.2 CsPbI_3钙钛矿太阳能电池的制备 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 不同DMF-d7 添加浓度对钙钛矿薄膜物相和结晶速度的影响 |
| 3.3.2 不同DMF-d7 添加浓度对钙钛矿薄膜形貌的影响 |
| 3.3.3 不同DMF-d7 添加浓度钙钛矿薄膜的拉曼测试 |
| 3.3.4 不同DMF-d7 添加浓度钙钛矿薄膜的XPS、FTIR测试 |
| 3.3.5 不同DMF-d7 添加浓度钙钛矿薄膜的光学性能测试 |
| 3.3.6 不同DMF-d7 添加浓度钙钛矿薄膜的缺陷态测试 |
| 3.4 添加不同浓度的DMF-d7对CsPbI_3太阳能电池器件性能的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 二维CsPbI_3太阳能电池的制备及其光电性能的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 二维钙钛矿的晶体和量子阱结构 |
| 4.2.1 二维钙钛矿的晶体结构 |
| 4.2.2 二维钙钛矿的量子阱结构 |
| 4.3 实验部分 |
| 4.4 实验结果与讨论 |
| 4.4.1 二维CsPbI_3钙钛矿薄膜XRD测试 |
| 4.4.2 二维CsPbI_3钙钛矿薄膜SEM测试 |
| 4.4.3 二维CsPbI_3钙钛矿薄膜光学性能测试 |
| 4.4.4 二维CsPbI_3钙钛矿薄膜湿热稳定性测试 |
| 4.4.5 二维CsPbI_3钙钛矿薄膜缺陷态测试 |
| 4.5 二维CsPbI_3钙钛矿太阳电池的器件性能 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 二维钙钛矿粉末的制备及其应用 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.3 实验结果与讨论 |
| 5.3.1 不同n值二维钙钛矿粉末的XRD测试 |
| 5.3.2 不同n值二维钙钛矿粉末的SEM测试 |
| 5.3.3 不同n值二维钙钛矿粉末在365 nm激发下的宏观和微观照片 |
| 5.3.4 不同n值二维钙钛矿粉末的发光性能测试 |
| 5.3.5 不同n值二维钙钛矿粉末在X射线辐射下的发光性能 |
| 5.3.6 BA_2PbBr_4二维钙钛矿的X射线成像性能 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 本论文研究工作总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 硕士期间的研究成果 |
| 致谢 |
四、铟镓磷一砷化镓界面的扫描电镜研究（论文参考文献）
- [1]石墨烯及二维半导体异质光电器件研究[D]. 吴志乾. 浙江大学, 2019(01)
- [2]固体废弃物中稀散金属锗、镓和铟的富集、真空分离提取机制与工艺研究[D]. 张灵恩. 上海交通大学, 2018
- [3]铟镓磷一砷化镓界面的扫描电镜研究[J]. 逯贵祯,陈杰,梁静国,兰怡. 电子显微学报, 1984(04)
- [4]铟镓磷一砷化镓界面的扫描电镜研究[A]. 逯贵祯,陈杰,梁静国,兰怡. 第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）, 1983
- [5]GaAs基光伏电池外延层及其电流匹配特性的研究[D]. 霍雯雪. 中国科学院大学(中国科学院物理研究所), 2020(01)
- [6]前驱体溶液法制备金属硫化物薄膜及其光电性能研究[D]. 张璐璐. 桂林理工大学, 2017(06)
- [7]基于二氧化钛纳米管的光电材料制备及其分析应用研究[D]. 钟芬芬. 湖南大学, 2017(07)
- [8]CsPbI3性能的优化及其光电转换器件应用[D]. 许有奎. 兰州大学, 2021(09)