一、放电等离子体及其微波应用（论文文献综述）
李彦[1]（2016）在《SrTiO3-δ薄膜与WTe2晶体的磁电阻效应研究》文中提出磁电阻（MR）效应在物理电子学领域有非常重要的应用,磁电阻材料以其独特的性质,广泛的应用在磁场测量、磁头传感器、电流传感器及各类运动检测中,是物理学者的研究热点之一。本文主要研究了SrTiO3-δ薄膜和峨晶体的磁电阻性质。本文利用脉冲激光沉积法在不同的生长温度制备了SrTiO3-δ薄膜,对样品进行测试发现,在680℃生长的SrTiO3-δ薄膜X射线衍射信号最强、均方根表面粗糙度（RMS）最小,得到SrTiO3-δ薄膜的最佳生长工艺条件为激光频率4 Hz、生长温度680℃、氧压2×10-4Pa、生长时间15 mmin、激光能量200 mJ,厚度约为120 nm。对制备的SrTiO3-δ薄膜利用综合物性测量系统PPMS进行电磁学性质测量发现,生长温度越高室温电阻越小,这是因为随生长温度的升高,氧空位增加引起的。对680℃生长温度的SrTiO3-δ薄膜进行电磁学性质测量,发现电阻随温度降低而减小,呈金属性,剩余电阻比达到983.26；随磁场的增加,其磁电阻脉呈线性增加,且没有饱和迹象,在5 K、7 T时其MR=129.5%,随温度升高,磁电阻效应逐渐减弱。本文发现在没有外加磁场时,WTe2晶体的电阻率随温度降低而减小,剩余电阻率比（ρρρ）为p（300 K）/p（2 K）=44.3;当对样品施加一个外部磁场时,从其电阻率-温度关系曲线上可观察到明显的“开启温度”,高于此温度,样品磁电阻较小,而低于此温度样品磁电阻很大,在2 K、9 T时MR=2628%,且没有饱和迹象,当外加磁场增强时,“开启温度”也会增大。WTe2的磁电阻正比于酽,在温度70 K时,磁场指数α约为1.7,而随温度降低a逐渐趋近于2；在温度2 K时,磁场指数a为2,且不随磁场方向变化。同时观察到WTe2晶体磁电阻效应有各向异性,当H//c轴时电阻率最大,磁场方向转向其它轴时电阻率逐渐减小。本文用电子-空穴的完美补偿理论对以上结果进行解释。
郭辉莉[2]（2015）在《磁控溅射法制备M型钡铁氧体薄膜工艺及性能研究》文中指出M型钡铁氧体（BaM）具有高的磁晶各向异性、自偏置特性以及优异的化学稳定性,其在毫米波磁性器件和磁记录介质方面具有重要应用。尤其是下一代毫米波磁性器件如环行器、隔离器、滤波器服役时,BaM铁氧体将是未来毫米波磁性器件的重要骨干材料。然而,进入毫米波频段后,磁性器件的体积、重量、尺寸将会对BaM铁氧体提出更加严苛的要求,因此,传统的三维体材料将逐渐向厚膜及薄膜方向发展。为了满足下一代微波器件的需求,迫切需要具有C轴垂直取向的具有高织构度和高剩磁且具有一定厚度的BaM铁氧体薄膜。利用磁控溅射法在Al2O3（006）基片上制备具有一定厚度且织构度高的BaM薄膜,通过X射线衍射仪、场发射扫描电镜、振动样品磁强计等测试手段对薄膜结构及性能进行表征,确定了具有较好织构度的BaM薄膜的制备工艺;通过研究BaM薄膜厚度对薄膜晶体结构及磁性能的影响,确定了单层BaM薄膜的最佳厚度;利用分层溅射法制备多层BaM薄膜,分析其晶体结构、磁性能及应力等性能,获得了具有一定厚度且较好织构度的BaM双层薄膜。研究结果显示:衬底温度为500℃,溅射气压为1.4 Pa,退火温度为850℃时,所制备的BaM薄膜具有较好的C轴垂直取向;厚度在40 nm～90 nm范围的Ba M薄膜在垂直膜面方向获得了最大剩磁比和矫顽力,表现出较好的单轴磁晶各向异性;利用分层溅射法,先溅射100 nm BaM薄膜退火晶化处理作为种子层,在此基础上再溅射100 nm BaM薄膜并退火晶化,制备厚度约为200 nm的双层Ba M薄膜,并于直接溅射200 nm单层BaM薄膜进行比较,结果显示,分层溅射法有利于改善BaM薄膜的C轴垂直取向性,双层薄膜获得了更好的织构度和磁性能。
曹晓琴[3]（2014）在《Co基半金属Heusler合金薄膜的制备及高频软磁性能研究》文中研究指明随着移动通信和卫星通信技术的迅猛发展,对电子器件小型化、高频化、集成化的要求越来越强烈。限制电子器件小型化、高频化的主要因素,使微磁电感等磁性器件尺寸难以缩小。为了满足磁性器件小型化的需要,具有高的饱和磁化强度、低的矫顽力及优良的高频响应特性的软磁薄膜成为磁性材料的研究热点。在饱和磁化强度只能有限提高的前提下,软磁薄膜面内单轴磁各向异性的提高和调控成为提高铁磁共振频率最值得关注的问题。本文从软磁薄膜的制备、性能测试及实验结果分析等一系列工作来寻找满足高频电子元器件需求的软磁材料。主要的研究工作有：（1）采用自行设计的射频磁控倾斜溅射法在室温下制备Co2FeSi半金属Heusler合金薄膜,系统地研究了样品位置、溅射功率等对其微波铁磁性能的影响。研究发现：未经任何退火的薄膜面内单轴磁各向异性场高达330Oe,矫顽力低于28Oe,铁磁共振频率达到4.75GHz。这说明Co2FeSi合金薄膜很有应用前景的高频软磁材料。（2）采用射频磁控倾斜溅射法制备了A1203掺杂的Co2FeSi合金薄膜（Co2FeSi）1-x（Al2O3）x。研究发现：通过控制片状A1203的数量n可以有效地改善（Co2FeSi）1-x（Al2O3）x薄膜的微波铁磁性能,制备态（Co2FeSi）1-x（Al2O3）x薄膜表现出较高的面内单轴磁各向异性场（360Oe）,较低的矫顽力（8Oe）,其铁磁共振频率高达5.02GHz,这些结果表明A1203掺杂进一步提高了Co2FeSi合金薄膜的微波软磁性能,进一步扩展了其在射频／微波器件应用的可行性。（3）利用射频倾斜溅射法制备Co2FeAl0.3Si0.7、Cr/Co2FeAl0.3Si0.7合金薄膜,并研究了Cr缓冲层对Co2FeAl0.3Si0.7合金薄膜微波软磁性能的影响。实验结果表明：随着Cr沉积时间的增加,难易轴矫顽力渐增,且面内单轴磁各向异性场只是略微的增加,因此在Si基片上增加一层缓冲层Cr并不能达到改善薄膜软磁性能的效果。
马娜[4]（2011）在《SCNN基陶瓷的掺杂改性》文中提出Sr2-xCaxNaNb5O15（SCNN）是一种典型的充满型钨青铜材料，具有较高的居里温度（Tc=270℃）、大的压电系数（d33=270pC/N）和电光系数（r33和r51分别为1325×10-12m/V、1100×10-12m/V），被认为是一种有潜在应用价值的新型光折变材料和非铅压电材料。本论文针对SCNN基陶瓷制备过程中的晶体开裂现象和难以致密化的问题，从掺杂和烧结工艺两方面入手，研究掺杂BiFeO3（BFO）、La2O3掺杂和烧结工艺对SCNN陶瓷烧结性能、晶体结构、显微结构以及介电性能的影响。采用固相反应法制备了xBFO-（1-x）SCNN陶瓷，研究BFO对SCNN陶瓷烧结特性、晶体结构、显微结构和介电性能的影响。SCNN陶瓷为正交钨青铜结构，在室温下的介电常数ε=904.2，介电损耗tanδ=0.04（10kHz）。少量添加BFO明显改善了SCNN基陶瓷的烧结特性，烧结温度降低到1275℃，并抑制了其在烧结过程中出现的晶体开裂现象；其室温下的介电常数ε=936.8，介电损耗tan δ=0.03（10kHz）。随BFO添加量的增大，低频下介电常数显着增大，介电损耗先略有增大而后急剧增大，呈现出明显的漏导行为。采用固相反应法成功合成了La2O3掺杂的SCNN基陶瓷，研究La2O3对SCNN基陶瓷烧结性能、晶体结构以及介电性能的影响。添加La2O3后SCNN陶瓷变为四方钨青铜结构，当添加质量分数为0.5%的La2O3时SCNN基陶瓷可以获得最佳的介电性能，在室温下的介电常数ε=1499.3（10kHz），介电损耗tanδ=0.03（10kHz）。在-50℃-360℃范围内出现了两个相变，分别对应于SCNN陶瓷的铁电-铁弹相变（Tm=0℃）和铁电-顺电相变（Tc=260℃），介电峰宽化表明SCNN基陶瓷存在典型但不是很明显的弛豫特性。采用传统的固相反应法制备La2O3掺杂的SCNN基陶瓷，研究烧结工艺对物相组成、晶体结构以及介电性能的影响。添加量为0.5%在升温至1350℃后降至1250℃保温6h条件下烧结的陶瓷可获得最佳介电性能，在室温下陶瓷的介电常数ε=1488.3（10kHz），介电损耗tan δ=0.04（10kHz）。在-50℃-360℃范围内存在两个相变，分别对应于SCNN陶瓷的铁电-顺电相变和铁电-铁弹相变。非常宽化的介电峰表明SCNN基陶瓷存在一个明显的弥散相变过程，表现出明显的介电弛豫特性和频率色散现象。
黄奇辉[5]（2007）在《PZT铁电薄膜/LaNiO3薄膜周期结构的制备及其光学性质》文中认为钙钛矿相铁电薄膜不仅具有显着的铁电和电光特性，还因其介电常数高而备受重视。近年来，这类材料被引入到超晶格和光子晶体的研究中。引入介电常数比常规材料大得多、具有自发极化且自发极化可随温度和外电场变化、具有非线性光学特性的铁电薄膜作为超晶格的组成部分，使得在超晶格／光子晶体的研究中产生了一些新的变化因素。本文的主要工作是采用磁控溅射工艺在Si基上制备了[PZT／LNO]n／Si多层薄膜，测试多层膜的表面形貌、结晶取向、铁电性能及反射光谱。研究多层膜特性随周期数增加而变化的情况，测试结果得出：（1）原子力显微镜测试表明薄膜晶粒尺寸为几到十几纳米，表面较平整。（2）XRD测试表明多层膜[PZT／LNO]n／Si中的LNO薄膜均为（110）择优取向的多晶结构；二层膜PZT／LNO／Si中的PZT薄膜呈（110）、（101）、（002）、（200）多结晶取向；四层膜[PZT／LNO]2／Si中的PZT薄膜只有弱（110）、（200）结晶取向衍射峰；六层膜[PZT／LNO]3／Si中的PZT薄膜呈（110）择优取向，这是由于LNO和PZT晶格较匹配，LNO呈（110）择优取向诱导PZT也呈（110）择优取向的缘故。（3）周期结构[PZT／LNO]n／Si（n=1、2、3）的电滞回线对称性均很好。随着周期数的增多，测试电压范围依次有所增大，漏电流依次减小。（4）多层膜的反射光谱随入射光波长的增加有增大的趋势，三周期结构[PZT／LNO]3／Si的反射光谱曲线有振荡起伏，这是由于准周期性结构对光的传播行为产生了影响。
吴加荣[6]（2006）在《基于预失真方法的线性功率放大器设计》文中指出本文主要讨论了3G应用中线性功率放大器的原理和设计过程。该线性功率放大器工作频段为1.92～1.98GHz 1dB压缩点输出功率≥22dBm，输入输出电压驻波比≤2，三阶交调分量改善≥22dB，达到-54.7dBc。 本文基于模拟预失真这种方案来实现该线性放大器。给出了线性功率放大器系统中模拟预失真器、功率分配器、电调衰减器、电调移相器等的详细设计方法、仿真步骤，以及仿真结果。 在设计方法上，本文采用了先进的微波射频设计软件ADS2005A对电路进行设计、优化和仿真，大大缩短了设计周期，提高了设计效率。
曾鹏伟[7]（2002）在《3英寸双面YBCO薄膜热场及膜厚分布研究》文中研究指明本文针对φ3英寸YBCO高温超导双面薄膜的制备技术，研究了靶材烧制、薄膜膜厚分布、加热器设计与制作，制备出了具有87k超导性的3英寸YBCO双面薄膜样品。首先通过对烧结工艺条件的探索，最终找到较好的工艺条件烧结大尺寸筒型YBCO高温超导靶材。其次，对φ3英寸范围内的膜厚分布进行了理论模拟，在此基础上和试验结果对比分析，发现：在倒筒靶直流溅射装置下，如果采用一种让基片中心和靶中心处于相对偏心距离为18mm的位置来制备φ3英寸薄膜，其膜厚分布的均匀度范围控制在8％以内。最后，对用于倒筒靶直流溅射装置上的加热器的热场分布进行了理论研究，并在此基础上设计和加工出φ3英寸加热炉。通过试验检测发现所设计的加热器基本满足要求：温度的误差可控制在6％以内。论文的最后阶段，利用优化的工艺条件制备出了具有超导性能的φ3英寸YBCO双面超导薄膜
罗安[8]（2001）在《双面YBCO高温超导薄膜的研制及在微波谐振器中的应用》文中提出本文采用单靶倒筒式直流溅射技术，结合辐射式加热装置，设计了一种全新的二维旋转方式，实现了在直径2英寸LaAlO3（100）单晶基片两面同时溅射沉积薄膜，成功的制备出了低微波表面电阻（Rs）、双面一致性好的双面YBa2Cu3O7-6（YBCO）高温超导（HTSC）外延薄膜，其Tc0＞90K，△Tc＜1K，Rs（77K，10GHz）＜1mΩ，可以满足无源微波器件的应用要求。 首先，我们通过对辐射式加热炉进行合理设计，基片在辐射式加热器中连续翻转，使得基片两面同时沉积薄膜，两面膜均匀一致。通过大量的优化工艺实验，确定了适合制备C轴取向外延薄膜的最佳工艺条件为：Ts=805℃，Ptotal=35Pa，d=55mm，P02:PAr=1:2，在650～700℃下进行保温处理并缓慢降温。逐步放大基片尺寸到2英寸，最终在直径2英寸的LaAlO3（100）双抛单晶基片上制备出高质量的c轴取向外延薄膜，薄膜两面性能达到Tc0=89～92K，△Tc=0.2～0.4K，两面薄膜的Rs分布为：90％的测试点的Rs分别小于36.5mΩ和49mΩ（144.8GHz，77K）或0.17mΩ和0.23mΩ（10GHz，77K），是目前有关文献报道的最好结果之一。 论文工作的后期，对一种二维结构的高温超导谐振器--DiskResonator进行了初步研制。针对腐蚀和去胶两个环节，对超导薄膜光刻工艺进行了优化。制作出了原型器件，测试其性能参数，并从理论上对谐振器的电磁场分布和特性参数进行了分析，对谐振频率f0和品质因子（?）进行了详细讨论，分析了影响其特性参数的诸多因素，提出了进一步的改进措施。为进一步通过微波谐振器研究YBCO高温超导薄膜的功率负载特性和非线形效应打下了一定的基础。
潘承志[9]（1967）在《放电等离子体及其微波应用》文中研究表明 众所周知,一般称等离子体为物质第四态。气体放电等离子体可以定义为已电离的气体,它是中性气体分子、原子、离子、电子和光子的集合体,其总电和等于零。等离子体各组份之间有重要的相互作用,如电子和中性气体分子原子之间的碰撞,电子和离子之间的库仑作用。前者能引起电离,后者则引起等离子体振荡和（或）复合,通常不产生辐射。电子温度及电子数密度是等离子体的最基本的两个参量。前者表示等离子体中电子无规运动能量的大小,后者表示单位体积中带电粒子数。呈电中性的均匀等离子体,如果由于偶然
二、放电等离子体及其微波应用（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、放电等离子体及其微波应用（论文提纲范文）
（1）SrTiO3-δ薄膜与WTe2晶体的磁电阻效应研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 研究现状 |
| 1.2.1 钛酸锶的研究现状 |
| 1.2.2 WTe_2的研究现状 |
| 1.3 结构和性质 |
| 1.3.1 钛酸锶的结构和性质 |
| 1.3.2 WTe_2的结构和性质 |
| 1.4 磁电阻效应及其应用 |
| 1.5 本文主要工作 |
| 2 钛酸锶薄膜的制备方法 |
| 2.1 钛酸锶薄膜的制备方法 |
| 2.1.1 化学气相沉积法(CVD) |
| 2.1.2 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) |
| 2.1.3 真空蒸镀法 |
| 2.1.4 磁控溅射法 |
| 2.1.5 脉冲激光沉积技术(PLD) |
| 2.2 脉冲激光沉积技术的原理 |
| 2.3 实验利用PLD制备钛酸锶薄膜 |
| 2.3.1 基片的选择 |
| 2.3.2 PLD制备钛酸锶薄膜 |
| 2.4 利用磁控溅射仪制备电极 |
| 3 样品表征方法 |
| 3.1 X射线衍射分析(XRD) |
| 3.2 原子力显微镜(AFM) |
| 3.3 扫描电子显微镜(SEM) |
| 3.4 薄膜厚度的测量 |
| 3.5 物性测量综合系统(PPMS) |
| 4 钛酸锶薄膜的性质研究 |
| 4.1 钛酸锶薄膜的XRD测试 |
| 4.2 钛酸锶薄膜的表面形貌测试 |
| 4.3 钛酸锶薄膜的膜厚测量 |
| 4.4 钛酸锶薄膜的电磁学性质测量 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 WTe_2晶体的性质研究 |
| 5.1 WTe_2晶体的XRD测试 |
| 5.2 WTe_2晶体的的电磁学性质测量 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（2）磁控溅射法制备M型钡铁氧体薄膜工艺及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 铁氧体材料的微波应用 |
| 1.2 铁氧体材料分类 |
| 1.2.1 尖晶石铁氧体 |
| 1.2.2 石榴石铁氧体 |
| 1.2.3 磁铅石铁氧体 |
| 1.3 M型钡铁氧体（BaM）的结构和性能 |
| 1.3.1 BaM铁氧体晶体结构 |
| 1.3.2 绝对零度下BaM铁氧体的理论饱和磁化强度计算 |
| 1.4 BaM材料的毫米波应用 |
| 1.5 BaM铁氧体薄膜的研究现状 |
| 1.6 发展态势 |
| 1.7 磁控溅射法制备BaM材料 |
| 1.8 论文主要内容及结构安排 |
| 第二章 磁控溅射法制备M型钡铁氧体薄膜 |
| 2.1 M型钡铁氧体薄膜制备及性能表征 |
| 2.1.1 X射线衍射仪（XRD） |
| 2.1.2 场发射扫描电镜（FESEM） |
| 2.1.3 振动样品磁强计（VSM） |
| 2.2 衬底温度对BaM薄膜性能的影响 |
| 2.2.1 BaM薄膜的制备工艺 |
| 2.2.2 衬底温度对薄膜晶体结构的影响 |
| 2.2.3 衬底温度对BaM薄膜磁性能的影响 |
| 2.3 溅射气压对BaM薄膜性能的影响 |
| 2.3.1 BaM薄膜的制备工艺 |
| 2.3.2 不同溅射气压对BaM薄膜晶体结构的影响 |
| 2.3.3 不同溅射气压对BaM薄膜磁性能的影响 |
| 2.4 退火温度对BaM膜性能的影响 |
| 2.4.1 BaM薄膜的制备工艺 |
| 2.4.2 不同退火温度对BaM薄膜晶体结构的影响 |
| 2.4.3 不同退火温度对BaM薄膜磁性能的影响 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 薄膜厚度对BaM薄膜性能的影响 |
| 3.1 BaM薄膜的制备工艺 |
| 3.2 不同厚度对BaM薄膜晶体结构的影响 |
| 3.3 不同厚度对BaM薄膜磁性能的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 分层溅射法制备双层M型钡铁氧体薄膜 |
| 4.1 双层M型钡铁氧体薄膜的制备 |
| 4.2 M型钡铁氧体薄膜的晶体结构比较 |
| 4.3 M型钡铁氧体薄膜的磁性能比较 |
| 4.4 M型钡铁氧体薄膜的应力分析 |
| 4.4.1 XRD衍射法分析薄膜应力 |
| 4.4.2 曲率半径法分析薄膜应力 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 三层M型钡铁氧体薄膜研究 |
| 5.1 三层M型钡铁氧体薄膜的制备 |
| 5.2 M型钡铁氧体薄膜的晶体结构比较 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（3）Co基半金属Heusler合金薄膜的制备及高频软磁性能研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 中文文摘 |
| 第一章 绪论 |
| 第一节 引言 |
| 第二节 课题研究背景 |
| 2.1 磁学发展概述 |
| 2.2 软磁材料的发展现状 |
| 2.3 软磁材料的发展趋势 |
| 2.4 高频软磁薄膜的应用 |
| 第三节 基础理论 |
| 3.1 磁性材料中的基本现象及其能量表述 |
| 3.2 磁性材料的静态磁参数 |
| 3.3 磁性材料的磁谱及损耗机制 |
| 第四节 本课题研究意义及研究内容 |
| 4.1 课题研究意义 |
| 4.2 本论文研究内容 |
| 第二章 样品的制备及其性能特性 |
| 第一节 实验样品的制备和实验基本流程(如图2-1所示) |
| 1.1 半金属HEUSLER合金靶材的制备 |
| 1.2 半金属HEUSLER合金薄膜的制备 |
| 第二节 薄膜的微结构和性能表征 |
| 2.1 微结构分析--X射线衍射(XRD) |
| 2.2 薄膜静态磁性测量---VERSALAB综合物理测试系统 |
| 2.3 场发射电子扫描显微镜(FE-TEM)及X射线能量散射能谱(EDS) |
| 2.4 微波磁导率的测量-矢量网络分析仪(NWA) |
| 第三章 倾斜溅射制备CO_2FESI合金薄膜及其微波铁磁性能 |
| 第一节 引言 |
| 第二节 实验过程 |
| 第三节 结果与讨论 |
| 3.1 纳米晶CO_2FESI薄膜的软磁性能 |
| 3.2 磁性能对样品位置的依赖关系 |
| 3.3 CO_2FESI薄膜面内单轴各向异性的来源 |
| 3.4 溅射功率对薄膜微波铁磁性能的影响 |
| 第四节 本章小结 |
| 第四章 (CO_2FESI)_(1-X)(AL_2O_3)_x薄膜的制备及其高频铁磁性能 |
| 第一节 引言 |
| 第二节 实验过程 |
| 第三节 结果与讨论 |
| 第四节 本章小结 |
| 第五章 四元半金属HEUSLER合金CO_2FEAL_(0.3)SI_(0.7)的高频铁磁性能 |
| 第一节 引言 |
| 第二节 实验过程 |
| 第三节 结果与讨论 |
| 3.1 薄膜磁性能对样品位置的依赖关系 |
| 3.2 缓冲层CR对CO_2FEAL_(0.3)SI_(0.7)合金薄膜磁性能的影响 |
| 第四节 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间承担的科研任务与主要成果 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（4）SCNN基陶瓷的掺杂改性（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 电子陶瓷及性能参数 |
| 1.2 钨青铜结构化合物 |
| 1.2.1 钨青铜结构 |
| 1.2.2 无铅钨青铜结构体系 |
| 1.3 Sr_(2-x)Ca_xNaNb_5O_(15)基陶瓷研究现状 |
| 1.3.1 Sr_(2-x)Ca_xNaNb_5O_(15)的结构和性能 |
| 1.3.2 SCNN 的制备 |
| 1.3.3 SCNN 的掺杂改性 |
| 1.4 课题提出及研究意义 |
| 第二章 制备条件及性能表征 |
| 2.1 制备方法、原料及设备 |
| 2.1.1 制备方法 |
| 2.1.2 原料 |
| 2.1.3 主要设备与仪器 |
| 2.2 样品的表征 |
| 径向收缩率测定 |
| 密度测定 |
| X 射线衍射分析 |
| 显微结构观察 |
| 介电性能测试 |
| 压电性能测试 |
| 第三章 BiFeO_3对 SCNN 陶瓷烧结特性和介电性能的影响 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 预烧粉体的物相分析 |
| 3.3.2 烧结特性 |
| 3.3.3 SCNN-BFO 陶瓷物相分析 |
| 3.3.4 SCNN-BFO 陶瓷的显微结构分析 |
| 3.3.5 SCNN-BFO 陶瓷介电性能 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 La_2O_3对 SCNN 陶瓷结构和介电性能的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.3 结果讨论 |
| 4.3.1 物相分析 |
| 4.3.2 密度 |
| 4.3.3 显微结构 |
| 4.3.4 介电性能 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 烧结工艺对 SCNN 陶瓷结构和介电性能的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.3 结果讨论 |
| 5.3.1 物相分析 |
| 5.3.2 密度 |
| 5.3.3 显微结构 |
| 5.3.4 介电性能 |
| 5.4 小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
| 在学期间发表的学术论文 |
（5）PZT铁电薄膜/LaNiO3薄膜周期结构的制备及其光学性质（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 国内外对介质氧化物超晶格薄膜研究的发展动态 |
| 1.2.1 铁电超晶格薄膜的结构 |
| 1.2.2 铁电超晶格材料及其性能 |
| 1.2.2.1 BTO/STO超晶格 |
| 1.2.2.2 Pb系铁电超晶格薄膜 |
| 1.2.2.3 含 Bi的层状铁电材料组成的超晶格薄膜 |
| 1.2.3 衬底和电极材料的选择 |
| 1.3 介质氧化物超晶格薄膜的应用及前景 |
| 1.4 本文的研究内容及意义 |
| 第二章 基本介质膜系 |
| 2.1 周期结构 |
| 2.1.1 引言 |
| 2.1.2 HLHLHLH膜系概述 |
| 2.2 周期膜系的应用 |
| 2.2.1 干涉反光镜 |
| 2.2.2 低通与高通滤光片 |
| 第三章 薄膜的制备方法及其分析测试技术 |
| 3.1 薄膜的溅射沉积方法 |
| 3.1.1 直流辉光放电 |
| 3.1.2 射频辉光放电 |
| 3.1.3 磁控溅射镀膜仪 |
| 3.2 薄膜的分析测试技术 |
| 3.2.1 X射线衍射(XRD) |
| 3.2.2 原子力显微镜(AFM) |
| 3.2.3 铁电综合测试系统 |
| 第四章 PZT铁电薄膜/LaNiO_3薄膜周期结构的制备 |
| 4.1 基片清洗 |
| 4.2 LNO薄膜的制备及热处理 |
| 4.3 PZT铁电薄膜的制备 |
| 4.4 [PZT/LNO]~3周期结构的制备 |
| 4.5 Ag顶电极的制备 |
| 第五章 实验结果分析 |
| 5.1 薄膜的表面形貌 |
| 5.2 薄膜的结晶取向 |
| 5.3 多层膜[PZT/LNO]~n/Si的铁电性能 |
| 5.4 薄膜的厚度 |
| 5.5 薄膜(堆)的反射光谱 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
（6）基于预失真方法的线性功率放大器设计（论文提纲范文）
| 1 绪论 |
| 1.1 线性功率放大器研究的背景及意义 |
| 1.2 国际国内研究状况和进展 |
| 2 线性功率放大器理论基础 |
| 2.1 非线性概念介绍 |
| 2.2 非线性分析方法简介 |
| 2.3 非线性失真表示形式与指标分析 |
| 2.3.1 非线性失真表示形式 |
| 2.3.2 描述非线性特性的指标 |
| 2.4 改善功率放大器非线性的方法 |
| 3 基于预失真方法的线性功率放大器设计 |
| 3.1 ADS设计软件简介 |
| 3.2 预失真器设计 |
| 3.2.1 三阶模拟预失真技术及其基本原理 |
| 3.2.2 预失真器方案比较 |
| 3.2.3 预失真器方案设计 |
| 3.2.4 预失真器仿真 |
| 3.3 3dB功率分配器设计 |
| 3.3.1 方案选择 |
| 3.3.2 威尔金森(Wilkinson)功分器原理分析 |
| 3.3.3 威尔金森(Wilkinson)功分器仿真设计 |
| 3.4 电调衰减器设计 |
| 3.4.1 PIN二极管理论基础 |
| 3.4.2 电调衰减器的主要技术指标 |
| 3.4.3 电调衰减器工作原理 |
| 3.4.4 分支电桥电调衰减器电路仿真与设计 |
| 3.5 电调移相器 |
| 3.5.1 模拟移相器 |
| 3.5.2 模拟移相器仿真设计 |
| 4 预失真线性功放系统仿真与测试 |
| 4.1 主功放选择 |
| 4.2 基于预失真方法的线性功放仿真 |
| 4.3 测试方法以及测试平台 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（7）3英寸双面YBCO薄膜热场及膜厚分布研究（论文提纲范文）
| 第一章 概述 |
| 1 -1超导材料研究的现状和意义 |
| 1 -2高温超导薄膜的制备方法 |
| 1 -3高温超导薄膜国内外研究现状 |
| 1 -4大面积双面超导薄膜的制备方法 |
| 1 -5本论文研究的内容和目标 |
| 第二章 YBCO高温超导靶材的烧结 |
| 2 -1前言 |
| 2 -2试验过程 |
| 2 -3试验结果分析 |
| 2 -4小结 |
| 第三章 3英寸双面高温超导薄膜膜厚均匀性分析 |
| 3 -1倒筒靶直流溅射设备的膜厚分布模型 |
| 3 -2试验结果及分析 |
| 3 -3小结 |
| 第四章 加热器热场分布研究 |
| 4 -1前言 |
| 4 -2热场分布的理论研究 |
| 4 -33英寸加热器设计 |
| 4 -4试验结果 |
| 4 -5小结 |
| 第五章 3英寸双面超导薄膜的试制 |
| 5 -1前言 |
| 5 -2试验过程及结果 |
| 5 -3小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（8）双面YBCO高温超导薄膜的研制及在微波谐振器中的应用（论文提纲范文）
| 第一章 概述 |
| 1-1 超导材料研究的现状和意义 |
| 1-2 高温超导薄膜的制备方法 |
| 1-3 双面、大面积超导薄膜的制备方法 |
| 1-4 高温超导薄膜国内外研究现状 |
| 1-5 本论文研究的目的、内容和目标 |
| 第二章 实验基本原理及实验装置的设计 |
| 2-1 直流溅射原理及溅射装置简介 |
| 2.1.1 直流溅射原理 |
| 2.1.2 倒筒式直流磁控溅射法简介 |
| 2-2 加热器系统、基片夹具及旋转系统 |
| 2.2.1 加热器设计 |
| 2.2.2 基片夹具的设计 |
| 2.2.3 基片旋转系统的设计 |
| 2-3 衬底基片的选择与清洗 |
| 2.3.1 衬底基片的选择 |
| 2.3.2 基片的清洗 |
| 2.3.3 热处理方法的选择 |
| 2-4 YBCO薄膜的性能测试和微观分析 |
| 第三章 小面积双面YBCO超导薄膜的制备 |
| 3-1 引言 |
| 3-2 双面YBCO超导薄膜制备工艺及溅射条件 |
| 3-3 实验结果及分析讨论 |
| 3.3.1 基片温度Ts对薄膜性能的影响 |
| 3.3.2 靶基距对成膜的影响 |
| 3.3.3 溅射气体总压、氧分压、热处理过程对薄膜性能的影响 |
| 3.3.4 薄膜双面一致性讨论 |
| 3-4 小结 |
| 第四章 大面积双面YBCO双面超导薄膜的研制 |
| 4-1 引言 |
| 4-2 具体实验方法 |
| 4-3 实验结果与分析讨论 |
| 4.3.1 温度均匀性分析 |
| 4.3.2 大面积薄膜膜厚均匀性分析 |
| 4.3.3 大面积薄膜超导转变温度及微波表面电阻分析 |
| 4-4 小结 |
| 第五章 大功率高温超导微波谐振器Disk Resonator研制 |
| 5-1 引言 |
| 5-2 基本原理及发展现状 |
| 5.2.1 传统结构的平面微带线、带状线器件 |
| 5.2.2 宽刻蚀线条平面微带线滤波器及Back-Side耦合方式 |
| 5.2.3 圆片状谐振器（Disk Resonator） |
| 5-3 实验过程 |
| 5.3.1 YBCO薄膜的光刻工艺 |
| 5.3.2 谐振器基本结构 |
| 5.3.3 Disk Resonator性能测试 |
| 5-4 Disk Resonator设计结果分析 |
| 5.4.1 光刻工艺讨论及光刻前后薄膜性能分析 |
| 5.4.2 谐振模式和谐振频率理论分析 |
| 5.4.3 无载品质因子Q_0分析 |
| 5.4.4 输入输出耦合讨论 |
| 5-5 小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的论文 |
四、放电等离子体及其微波应用（论文参考文献）
- [1]SrTiO3-δ薄膜与WTe2晶体的磁电阻效应研究[D]. 李彦. 北京交通大学, 2016(01)
- [2]磁控溅射法制备M型钡铁氧体薄膜工艺及性能研究[D]. 郭辉莉. 电子科技大学, 2015(03)
- [3]Co基半金属Heusler合金薄膜的制备及高频软磁性能研究[D]. 曹晓琴. 福建师范大学, 2014(03)
- [4]SCNN基陶瓷的掺杂改性[D]. 马娜. 福州大学, 2011(06)
- [5]PZT铁电薄膜/LaNiO3薄膜周期结构的制备及其光学性质[D]. 黄奇辉. 南昌大学, 2007(06)
- [6]基于预失真方法的线性功率放大器设计[D]. 吴加荣. 南京理工大学, 2006(01)
- [7]3英寸双面YBCO薄膜热场及膜厚分布研究[D]. 曾鹏伟. 电子科技大学, 2002(02)
- [8]双面YBCO高温超导薄膜的研制及在微波谐振器中的应用[D]. 罗安. 电子科技大学, 2001(01)
- [9]放电等离子体及其微波应用[J]. 潘承志. 电子管技术, 1967(02)