一、掺铜的硫化锌缺陷结构的高分辨电子显微术研究（论文文献综述）
李慧敏[1]（2021）在《Zn0.2Cd0.8S基光催化材料的制备及性能研究》文中进行了进一步梳理在全球能源需求不断增长、化石燃料储量不断减少和气候日益恶劣的背景下,光催化析氢已成为一种极具潜力的制备可再生能源的技术。开发具有可见光响应、光稳定性良好、成本低、性能高效等优点的新型光催化剂成为当前研究的热点。ZnxCd1-xS固溶体因具有可调节的带隙和合适的导带电位等优点被广泛用于光解水产氢中。本文旨在通过调控制备过程中的工艺参数提升Zn0.2Cd0.8S材料的光催化产氢性能,并将Zn0.2Cd0.8S与氧化石墨烯（GO）和石墨相氮化碳（g-C3N4）复合,通过两种半导体材料的相互作用抑制光生载流子的复合,制备出可见光响应的高效光催化产氢材料。（1）以二水合醋酸锌（Zn（CH3COO）2·2H2O）、二水合醋酸镉（Cd（CH3COO）2·2H2O）和硫脲为原料,氢氟酸（HF）为形貌控制剂,实现{002}活性晶面暴露的枝晶状Zn0.2Cd0.8S的可控生长,研究了反应温度和反应时间对Zn0.2Cd0.8S形貌及性能的影响。结果表明:HF的加入使Zn0.2Cd0.8S沿垂直于c轴方向生长,暴露出{002}活性晶面促进了产氢性能的提升。当反应温度为180℃、反应时间为18 h时Zn0.2Cd0.8S的片状最大最薄,平均产氢速率最高,可达3100.3μmolh-1 g-1。由此得出,枝晶状Zn0.2Cd0.8S固溶体是一种有前景的可见光驱动光催化剂。（2）用两步法将制备出的纯相Zn0.2Cd0.8S光催化剂与GO进行复合得到Zn0.2Cd0.8S/rGO复合材料。主要研究反应时间、GO的加入量和表面活性剂对Zn0.2Cd0.8S/rGO材料光催化性能的影响。结果表明:GO的加入使得Zn0.2Cd0.8S中的光生电子转移到GO中,将电子和空穴限制在不同的物相中,促进了电子空穴的分离,同时GO的加入使得光催化剂对可见光的吸收强度增大。当反应时间为18 h、石墨烯的量为2 mg、不添加表面活性剂时Zn0.2Cd0.8S/rGO 的光催化性能最好,可达 4514.7μmol h-1 g-1。（3）将 Zn0.2Cd0.8S 与 g-C3N4复合形成 Zn0.2Cd0.8S/g-C3N4材料,通过构建Ⅱ型异质结将价带电位更正的Zn0.2Cd0.8S价带上的空穴转移到g-C3N4的价带上,导带电位更负的g-C3N4导带上的电子转移到Zn0.2Cd0.8S的导带。结果表明:通过构建Ⅱ型异质结实现了光生电子空穴的高效分离,从而提升了材料的光解水产氢性能。当加入40 wt%的g-C3N4时Zn0.2Cd0.8S/g-C3N4的产氢效率最高,可达21.73mmolh-1g-1,是单一相g-C3N4和Zn0.2Cd0.8S产氢性能的16倍和7倍。
熊雨薇[2]（2019）在《基于银硫系化合物阻变存储器的工作机理研究》文中研究指明目前,基于硅工艺的闪存不仅存在着响应速度慢、读写电压高、循环寿命短等缺点,而且其小型化进程面临晶体管漏电流大的问题。因此,具有高速、高密度、低功耗、大容量、非易失性等存储优点的阻变存储器被广泛关注。在阻变存储器结构中,阻变介质材料和电极材料是影响阻变存储器性能的关键因素。在众多的的阻变介质材料中,银硫系化合物作为一类多用途的固体电解质材料受到人们的广泛关注。然而,目前银硫系化合物阻变存储器的阻变机理尚存在争议。本文在透射电子显微镜中原位构建了以Ag-Ge-Te薄膜材料为阻变介质的微型阻变存储器器件,观察其阻变过程中微观结构与物相的演化,并且分析了不同电极材料对阻变机理的影响,主要研究结论如下:（1）研究了Au/Ag-Ge-Te/W结构阻变存储器的工作机理。该结构中,Ag导电细丝的生成遵循电化学金属化原理。当对Au电极施加正向电压时,Ag-Ge-Te中的Ag+向W电极处迁移,被还原成Ag原子且向Au电极一侧生长。但是该导电细丝无法连通两侧电极,且不具有非易失性的特征。分析认为,Ag+的迁移使得Ag-Ge-Te薄膜内产生了Ag+空位,离子空位使薄膜内部形成了与外电场方向相反的内建电场,当其场强与外电场相等时,薄膜内的Ag+无法继续迁移,因此导电细丝停止了进一步生长,两侧电极无法连通。当施加反向偏压时,在外加电压与内建电场的共同作用下,导电细丝迅速溶解消失。（2）研究了Ag/Ag-Ge-Te/W结构阻变存储器的工作机理。该结构中,Ag和Ag2Te导电细丝的生成是由于电化学金属化和电场诱导沉积机理的共同作用。Ag作为活性电极,能够在正向电场的作用下,氧化为Ag+,并和Ag-Ge-Te中的Ag+一同向W电极处迁移,被还原成Ag导电细丝并继续向Ag电极一侧生长。由于Ag电极氧化生成的Ag+能够补充Ag+迁移导致的空位,因此避免了薄膜中内建电场的产生,促使导电细丝连通两侧电极。在Ag+过饱和的区域,生成Ag2Te,器件变为低阻态。在外加反向电压的作用下,导电物质氧化为Ag+,并向Ag电极处迁移,器件变为高阻态。（3）研究了Cu/Ag-Ge-Te/W结构阻变存储器的工作机理。当对Cu电极施加正向电压时,生成导电物质Ag2Te,分析认为该现象遵循电场诱导沉积原理;当对Cu电极施加反向电压时,生成导电物质Cu2Te,分析认为该现象遵循电驱动阳离子交换原理。Cu作为活性电极,能够在正向电压的作用下氧化成Cu2+。Ag-Ge-Te中的Ag+向W电极处迁移,在Ag+过饱和的区域内,生成Ag2Te,器件变为低阻态。当对Cu电极施加反向电压时,Ag+在反向电场的作用下向Cu电极迁移,W电极处部分Ag+不再过饱和,Ag2Te消失。接着,由于Ag-Ge-Te薄膜中的Cu2+迁移率低,因此滞留在W电极处被还原成Cu,在电场的作用下,Cu置换出Ag2Te中的Ag+,生成了Cu2Te,器件仍保持着低阻态。
顾超[3]（2018）在《几种硫族化合物超细/异质纳米结构的合成策略及应用研究》文中研究说明传统纳米尺度或单一组分的纳米材料越来越难满足人们对高性能材料日益增长的需求,因此拓展新颖的纳米材料体系迫在眉睫。超细纳米结构（至少有一个维度在5 nm以下）因具有高比例的表面原子以及高度可控的表面和配体间的相互作用,而导致其特殊的反应活性或稳定性。异质纳米结构（多种组分复合在一个纳米单元中）可以集成不同组分的优势以及异质界面特殊的物理化学性质,产生优于单一组分的协同效应或增强效应。硫族化合物纳米材料因其丰富的化学组成和独特的电子结构,在催化、光电器件以及能源转换与存储等领域有着广泛应用,所以基于硫族化合物的超细/异质纳米结构显得尤为重要。但是如何精确制备常规手段难以得到的纳米结构,深入探究其形成机理,进一步揭示其表界面的作用机制是目前亟待解决的关键科学问题。本论文旨在开展硫族化合物超细/异质纳米结构的合成策略和应用研究。我们创造性地发展了一系列基于硫族化合物超细/异质纳米材料的合成方法,并深入研究了这类材料的成核和生长机理,同时借助同步辐射、瞬态光谱以及密度泛函计算等手段进一步探究了所制备纳米材料的表界面电子结构对电催化、光电转换等的作用机制。取得的主要研究成果如下:1.发展了多元软模板控制合成掺杂型过渡金属硫族化合物超细纳米结构的方法。通过油胺和十二硫醇的协同效应构筑的二元软模板控制合成了直径为1.7 nm的Fe掺杂NiSe2超细纳米线。这些超细纳米线具有表面不饱和的配位环境和优化的电子结构,而且在电催化析氧过程中表面被限域氧化,形成无定形Ni（OH）2层。这种Fe掺杂NiSe2@Ni（OH）2的复合结构有利于在催化过程中形成*OOH中间物种,降低速控步的吉布斯自由能变化,从而提高催化活性;通过丁胺、几胺和油胺的协同效应构筑了三元软模板,控制合成了从多层到单层厚度为1.1 nm的Mn掺杂CdS超薄纳米片。超薄尺度使CdS纳米片相比于层状结构和体相结构,表现出更强的超快电子转移特性,同时Mn掺杂可以在原有带隙结构中引入新的能级,进而调控其光电转换性能。2.发展了利用前驱物诱导亚稳态硫族化合物的化学转换合成异质纳米结构的方法。利用Mn（S2CNEt2）2前驱物可以诱导Cu194S到CuS的相变和形貌演化过程,合成了一种哑铃状自耦合的Cu1.94S-CuS纳米异质结。这种独特的异质结构可有效吸收太阳光的可见和近红外区域,相比于单一组分的Cu1.94S和CuS展现出优异的光电转换性能。异质界面处二者功函数的差异导致电子从Cu194S流向CuS,界面处存在电荷分离层。能带带阶结构分析表明,该异质结具有类Ⅱ型的能带特征,促进了体系中光生电子和空穴的分离和传输,提高了光电转换效率;利用Mo（CO）6/W（CO）5前驱物可以诱导Bi2S3纳米棒到Bi纳米晶的化学还原过程,并同时在表面自限生长单层MoS2/WS2纳米片,形成MoS2/WS2包覆Bi的核壳异质纳米结构,这种Bi@MoS2/WS2纳米异质结在碱性电催化析氢过程中表现出高活性和高稳定性。3.发展了利用表面配体与亚稳态硫族化合物作用合成组分、物相可控的异质纳米结构的方法。根据酸碱电子理论,溶液中的有机膦可以与Ag+和Bi3+配位络合,打破其硫族化合物的溶解平衡,释放出更多Ag+和Bi3+,进而在高温下被有机胺还原成银单质和铋单质。根据这一原理,发展了一种基于有机膦作用下银基和铋基纳米晶及其纳米异质结的通用合成策略,合成了 Ag、Bi、Ag-Ni3S2、Ag-ZnS、Ag-AgInS2、Ag-Bi及Bi-Cu7S4等一系列银基和铋基硫族化合物纳米材料;根据有机膦可以提取NixSy中的元素硫,控制合成了不同物相Au@NiS（针镍矿）/Ni3S4（辉镍矿）/Ni3S2（希兹硫镍矿）的核壳异质纳米结构。Au和不同物相NixSy的异质界面复合会产生不同的电催化活性,同时激光（波长为532 nm）的引入可有效调控其催化性能,这是基于金纳米晶的表面等离子共振效应和不同物相NixSy的能带结构相互作用的结果;根据有机膦和Mo（CO）6可以同时诱导Ni3S4纳米棒的相变和形貌演化过程,控制合成了 Ni3S4-Ni@MoS2的多级异质纳米结构。多重的异质界面和活性位点使得这种类型纳米异质结的电催化析氢性能显着提高。
张德炯[4]（2017）在《金属纳米材料氧化行为的原位透射电镜研究》文中提出作为材料科学中重要的研究对象,金属纳米材料在催化工业中有着广泛的应用。然而由于尺寸的减小、表面能的增加,使得金属纳米材料在实际应用时,不可避免地会被氧化,影响其催化效率。原位原子尺度研究金属纳米材料的氧化行为,探究其氧化机理,有助于设计和开发性能更好的纳米金属催化剂材料,提高催化应用效率。本文利用环境透射电子显微镜,借助高分辨成像技术,原位原子/纳米尺度研究了 Pd、Co金属纳米材料在反应环境、电子束辐照作用下的氧化反应行为,对氧化反应的起始位点,氧化产物的结构、氧化产物的生长、氧化反应机理、电子束的作用等进行了系统研究。在Pd纳米颗粒的原位氧化研究中发现,在室温、低氧压条件下,高能电子束的辐照分解作用将02分子分解为原子氧,直接以非热方式激活Pd纳米颗粒的表面氧化反应,生成纳米岛状PdO氧化物,PdO（101）//Pd（111）。类球形结构Pd纳米颗粒在低指数晶面顶点位置开始氧化,PdO优先生长在Pd（111）表面上。八面体结构Pd纳米颗粒在氧化时,若有突出的表面台阶,则氧化反应发生在表面台阶位置,否则也从晶面顶点位置开始反应,PdO生长在Pd（111）和Pd（200）表面上。在提供的实验条件下,电子束辐照只能激活Pd纳米颗粒表面有限原子层的氧化反应。由于电子束的辐照还能引起原子的脱附过程,当氧化反应进行到一定程度,继续辐照会引起氧的脱附,导致表面PdO的还原。在10-2 Pa O2分压下,实验观察到Pd八面体纳米颗粒的表面氧化还原过程可以往复周期进行。通过对表面反应产物面积占比的分析得出,纳米颗粒粒径越小,氧化反应速率越快;电子束束流强度越大,氧化反应速率越快;O2分压越大,氧化反应开始所需要的时间越短。对石墨包覆球形Co纳米颗粒的原位氧化研究发现,电子束辐照首先会在某些位点破坏表面石墨层的结构,Co原子与氧的接触会导致该位点初始氧化物的形核长大。由于Co是易氧化金属,电子束辐照会导致Co纳米颗粒发生完全氧化。氧化时,首先会生成CoO相,呈核壳结构,随后发生CoO相向Co304相的结构转变过程,最终形成中空结构的Co304氧化产物。表面的氧化产物都为多晶结构,且在氧化过程中没有观察到氧化物生长的晶体学取向等特征。对氧化反应的动力学分析发现,Co纳米颗粒氧化时氧化层厚度的增长符合抛物线速率规律,证实了氧化反应由离子的扩散控制。同时,通过计算得到了氧化反应速率常数。根据柯肯达尔效应理论,中空结构氧化物的形成是由金属离子在氧化层中的向外扩散导致的,所以Co纳米颗粒的氧化行为是由Co在CoO层中的扩散控制。电子束激活Co原子发生氧化反应的机理与Pd的相同,即直接将O2分子分解为原子氧。电子束束流强度越大、颗粒直径越小,氧化反应速率越快。加热过程也会加快氧化反应的速率。
庞琳[5]（2016）在《ZnS:Mn/ZnS复合材料的制备及其发光性质研究》文中进行了进一步梳理半导体发光材料具有许多优良并且很奇特的发光性能,作为II-VI族直接宽带隙半导体,ZnS材料拥有很好的优异性能。ZnS通过掺杂可获得更好的发光性能。材料表面大量的缺陷态会成为荧光猝灭中心,造成非辐射复合,从而导致材料发光效率降低。对材料表面进行包覆改性处理可有效地降低表面态缺陷,可提高其发光效率。通过对ZnS及其掺杂发光材料的制备和光学性质的研究,以及对其表面进行修饰,以期增强材料的发光性质,具有重要的理论和实际应用价值。本论文首先以醋酸锌为锌源,硫脲为硫源,醋酸锰为锰源,采用溶剂热法制备ZnS:Mn发光材料,利用XRD、SEM、TEM、HRTEM、PL和UV-Vis等表征手段对制备的ZnS:Mn发光材料的结构、形貌以及其发光性能进行表征。然后以硝酸锌为锌源,硫化钠为硫源,采用Larmer法制备ZnS:Mn/ZnS复合发光材料,研究了不同包覆比、不同包覆层数条件下制备的ZnS:Mn/ZnS复合材料的发光效率,并对ZnS:Mn/ZnS复合发光材料的发光机理进行了初步探讨。具体研究内容如下:研究在不同掺Mn量、Zn:S比、反应温度和反应时间下制备ZnS:Mn发光材料,研究发现溶剂热法制备出ZnS:Mn发光材料具有纤锌矿结构,结晶度较高。衍射图中并没有观察到其它物质的衍射峰,所制备的产物ZnS:Mn为纯相。随着掺Mn量不断增加,ZnS:Mn的结构基本没有发生改变,但衍射峰逐渐向左偏移,说明Mn2+进入到ZnS晶格中。研究发现不同条件下制备的ZnS:Mn均为纤锌矿结构,但条件对制备出的发光材料的形貌有很大的影响。采用四因素和四水平正交实验优化确定最佳制备ZnS:Mn发光材料的条件为:Zn:S=1:2,掺Mn量为1%,220oC,14h。通过正交实验法并结合发光性能测试对其进行ZnS包覆。研究结果表明,包覆对ZnS:Mn结构没有影响,但包覆后的衍射峰均向左偏移,而且随着包覆比的增加,偏移程度增大。随着ZnS包覆比的增加,ZnS:Mn表面的颗粒呈现出逐渐变大的趋势。不同层数的ZnS包覆对ZnS:Mn近似六面体形貌也无没有明显的影响,随着包覆层数的增多,ZnS:Mn表面的颗粒逐渐呈现出增多和增大趋势。研究不同掺Mn量、不同Zn:S比,以及不同反应时间和反应温度下制备的ZnS:Mn的发光性能。研究表明,在390nm450nm发光强度受到ZnS中S空位,及表面缺陷态的影响;580nm600nm处发光来自4T1-6A1的电子跃迁,同时受到ZnS中S空位,及表面缺陷态的影响。对Zn:S=1:2,掺Mn=1%,220oC,14h制备的ZnS:Mn/ZnS复合材料进行不同ZnS包覆比和包覆层数研究发现,ZnS:Mn与包覆ZnS晶格匹配较好,但ZnS:Mn表面不光滑,在晶界处晶格条纹有所错动,可能会导致ZnS晶格对ZnS:Mn产生一定程度的拉伸作用。但随着包覆比和包覆层数增加,包覆层厚度在增加,远离界面处的包覆层中ZnS颗粒取向出现随机分布现象。对Zn:S=1:2,掺Mn=1%,220oC,14h和Zn:S=1:2,掺Mn=6%,210oC,12h发光材料表面包覆ZnS,且ZnS与ZnS:Mn物质的量比分别为0,0.05,0.10,0.15,0.20,0.25的ZnS:Mn/ZnS复合材料研究发现,包覆比对材料的发光性能有显着影响,发光强度开始随着包覆比的增加逐渐增大,Zn:S=1:2,掺Mn=1%,220oC,14h样品在包覆比为0.1时,发光强度达到最大,而后随着包覆量的增加,发光强度逐渐降低;而Zn:S=1:2,掺Mn=6%,210oC,12h样品在包覆比为0.05时,发光强度达到最大,而后随着包覆量的增加,发光强度逐渐降低后有所升高。对包覆ZnS不同的层数（每层ZnS与ZnS:Mn物质的量比均为0.05）所制备出的ZnS:Mn/ZnS复合材料。Zn:S=1:2,掺Mn=1%,220oC,14h样品包覆第1层时,发光强度比没有包覆的有明显增加,并达到最大值,而后随着包覆层数的增加,材料的发光强度呈降低的趋势;Zn:S=1:2,掺Mn=6%,210oC,12h样品包覆第1层时,发光强度比没有包覆的有明显增加,并达到最大值,而后随着包覆层数的增加,材料的发光强度呈先降低后有所升高的趋势。由于包覆降低表面猝灭中心,使得发光强度增大。在开始随着包覆比和包覆层增大时,表面猝灭中心降低,发光强度逐渐增大,但随着包覆比和包覆层的的增加,包覆层厚度变大,在包覆层中非辐射跃迁增多,进而降低了发光强度。不同包覆比和包覆层数所制备的ZnS:Mn/ZnS复合材料的发光性能受到多种因素的影响,与分立中心Mn2+的能级,基质ZnS的本征能级及其缺陷能级,ZnS:Mn、ZnS的界面状态,及ZnS:Mn与ZnS界面结合状态,以及ZnS包覆层的状态有关。UV-Vis结果表明,对于不同ZnS:Mn在不同的包覆比和包覆层数下,由于ZnS:Mn的不同将可能导致相应的界面结合,及使其在表面包覆生成的ZnS的晶粒尺寸也将有不同,在多方面因素的作用下,导致呈现出不同的吸收带边位置变化。
刘顺国[6]（2016）在《包裹型γ-Ce2S3大红色料的制备及其性能研究》文中进行了进一步梳理随着人类环保意识的增强,含重金属的无机颜料受到了环境保护法令的严格限制,具有无毒性、颜色深红、抗紫外线辐射等优点的γ-Ce2S3大红色料,被认为是有毒镉系红色颜料的首选替代材料。目前,该色料已广泛应用于涂料、油墨及塑料等生产领域,但其在氧化气氛中的稳定性仅为350℃的缺陷极大地限制了它的应用范围。因此,提高γ-Ce2S3大红色料在空气气氛下的热稳定性成为当前的研究热点。基于上述现状与需求,本论文对包裹型γ-Ce2S3大红色料的制备进行了较为深入的研究,主要包含以下内容:采用St（?）ber法制备了SiO2包裹型γ-Ce2S3大红色料,研究了乙醇/水体积比和正硅酸乙酯（TEOS）浓度对包裹层微观结构的影响,并对其包裹层形成机理进行了探讨。研究表明:当乙醇/水体积比为100:20,TEOS浓度为25 mg·ml-1时,能获得致密均匀的60 nm厚度SiO2包裹层,该色料相对于未包裹色料热稳定性提高了200℃左右,在550℃的空气气氛下煅烧后其L*、a*和b*值分别为29.59、27.53和27.66。本论文还进一步通过多次包裹实现了对γ-Ce2S3的SiO2超厚包裹,三次包裹后包裹层厚度可达到140 nm,该色料与Al2O3-B2O3-SiO2-ZnO系统的低温熔块于620℃空气气氛下共烧后依然显示出鲜艳的红色色度,其色度L*、a*和b*值分别为30.28、32.45和26.40,而未包裹色料则完全氧化为白色,熔融后的熔块可能通过封闭无定形态SiO2中的部分气孔对色料起到一定的保护作用。激光粒度分析结果还发现,包裹后的色料粒度分布更加均匀,分散性更佳。以丁醇锆为锆源,采用醇盐水解法制备了ZrO2包裹型γ-Ce2S3大红色料并分析了ZrO2包裹层的生长机理。实验结果表明:ZrO2包裹层厚度随着丁醇锆在反应溶液中的浓度增加而增加。在100 ml的乙醇溶液中,滴加0.5 ml醋酸（2M）控制反应速度,当丁醇锆浓度为15 ml·L-1可获得较佳的包裹效果。激光粒度分析结果表明包裹后的色料具有更好的分散性,可见光反射光谱曲线分析则表明包裹后的色料在红光区域的反射率有一定程度的提升（62.43%→68.80%）,其相应的色度值变化L*、a*和b*也呈现增大的趋势,其最大增幅△L*=6.11,△a*=1.53以及△b*=0.84,说明包裹后由于色料分散性改善,其呈色性能更佳。但ZrO2包裹色料的高温抗氧化性能无明显改善,这可能是由于形成的包裹层不够致密。在上述研究基础上,本论文还以γ-Ce2S3@SiO2和γ-Ce2S3@ZrO2为起始色料,尝试采用分步控制法制备ZrSiO4包裹γ-Ce2S3色料。TEM和SEM分析结果表明:以γ-Ce2S3@SiO2为起始色料时,由于ZrSiO4生成过程是由Si4+向ZrO2层迁移,从而未能如预期在γ-Ce2S3@SiO2色料表面形成完整的核-壳包裹结构。以γ-Ce2S3@ZrO2为起始色料时,则由于氧化锆包裹层不够致密,从而在溶液中进行反应时,SiO2未能在γ-Ce2S3@ZrO2表面形成稳固的包裹层。结合ZrSiO4形成过程和γ-Ce2S3色料的特性,提出了分步控制法制备ZrSiO4包裹γ-Ce2S3大红色料的几种制备模型。
李娜[7]（2014）在《金属硫族化合物纳米材料的制备及性质研究》文中研究指明金属硫族半导体纳米材料由于其独特的物理和化学性能,在许多领域具有广泛的应用前景。而且他们也可作为微/纳米器件的组装单元,对微/纳米器件的性能起到决定性的作用,因此研究半导体纳米材料的结构、形貌及控制合成技术具有重要的意义。由于铜的硫族化合物（如氧化亚铜、硫化铜、硒化铜）、氧化锌及铅的硫族化合物（硫化铅、硒化铅和碲化铅）等材料在催化、光电转化、发光、压电、气敏、热电等有着广泛的应用前景而成为材料化学等领域的研究热点之一。以往的研究表明材料的性能和应用不仅取决于其本身的结构、晶型及组成,而且其尺寸和形貌对材料的性能和应用也起到决定性的作用,因而对半导体纳米材料的尺寸和形貌进行可控的合成不仅具有理论上的意义,而且可拓宽纳米材料的应用范围。本文采用热分解法制备了一些重要的金属硫属化合物纳米/微米晶,通过调节反应原料的比例、溶剂的种类、以及反应温度和时间等因素,成功的实现了对产品的形状和尺寸的控制,并对部分产品的形成机理进行了探讨。本文的主要研究内容包括:在第一章中,对纳米材料、纳米材料的制备、及应用进行了阐述,并对金属硫族化合物纳米材料制备的一些研究现状进行了简要的介绍。第二章分为两个小节,在第一小节中,以氯化亚铜和硫粉原料,利用热分解法制备了CuS纳米薄片和十四面体。XRD检测结果表明该产物为六方相的CuS;利用扫描电镜和透射电镜对产品的形貌和尺寸进行了观察,证明了所得到的产品的结构,而且其分布比较均匀;通过时间实验可以证明产物十四面体是由纳米薄片经过更长时间的反应得到的,并利用扫描电镜对中间体的形貌进行了分析,探讨了十四面体的形成机理。第二小节中,以氯化亚铜作为铜源,铜试剂（NaDDTC）为硫源,而油胺则扮演表面活性剂和高分子溶剂的角色,利用热分解法制备了Cu1.95S一维纳米线。XRD检测结果表明该产品为立方相;而且纯度和结晶度都比较高,利用扫描电镜和透射电镜对产品的形貌和尺寸进行了观察,证明了所得产品的结构,而且其分布非常均匀。在第三章中,我们首先利用水热/溶剂热法合成了（ZnxMn1-xS）2·L（L=octylamine）前驱体,并以其为单源前驱体,在高沸点混合溶剂（油酸、油胺和十八烯）中,通过对前驱体热分解过程和溶剂组成的控制,得到直径均一、无团聚、易分散于非极性溶剂的三元化合物ZnxMn1-xS纳米棒,XRD检测结果表明该产物纯度和结晶度都比较高,利用扫描电镜和透射电镜对产品的形貌和尺寸进行了观察,证明了所得到的产品的结构,而且其分布非常均匀。在第四章中,第一小节,我们首先利用水热/溶剂热法合成了（ZnSe）2·L（L=octylamine）前驱体,并以其为单源前驱体,在高沸点混合溶剂（油酸、油胺和十八烯）中,通过对前驱体热分解过程和溶剂组成的控制,一步获得了高度晶化、直径均一、无团聚、易分散于非极性溶剂、具有六方相结构的高质量ZnSe纳米管和纳米薄片,XRD检测结果表明该产物纯度和结晶度都比较高,利用扫描电镜和透射电镜对产品的形貌和尺寸进行了观察,证明了所得到的产品的结构,而且其分布非常均匀。最后,采用UV-vis和FL对样品的光学性质进行了检测。第二小节,我们用同样的方法合成三元前驱体（ZnxMn1-xSe）2·L（L=octylamine）前驱体,之后通过热分解得到高质量的Mn2+掺杂ZnSe三元超薄纳米带,使用TEM,XRD等测试手段对其形貌及组份进行了表征分析,最后,采用UV-vis和FL对样品的光学性质进行了检测。
廉会良[8]（2013）在《重金属黄原酸盐的热分解机理研究》文中研究表明烷基黄原酸盐，一种典型的硫化矿浮选捕收剂，越来越受到其他科研领域专家学者的关注和青睐，尤其是利用单一前驱体制备纳米硫化物材料。然而，在制备过程中，价格昂贵的反应试剂，高温反应条件，合成步骤的繁杂，特别是关于黄原酸盐与金属硫化矿作用以及由金属黄原酸盐来制备纳米金属硫化物的反应机理仍然存在争议。为此，本研究的目的是研究黄原酸盐和金属硫化矿的作用以及由金属黄原酸盐来制备纳米金属硫化物的热分解机理。主要研究内容及结果如下：1.以硝酸锌和硫化钠为原料，通过均匀沉淀法制备硫化锌，用比表面测定仪测定粉体的比表面积为98.94m2/g，用粉末X射线衍射（XRD）来表征合成粉体的物相组成和粒径。以ZnS为吸附剂，乙基黄药为吸附质，CuSO4和Pb（NO3）2为活化剂，研究Cu2+和Pb2+对ZnS吸附乙基黄药的影响。结果显示，加入0.5mL浓度为0.5mmol/L的Cu2+和Pb2+活化后，硫化锌表面疏水性和对乙基黄原酸盐的吸附能力显着增强，接触角分别增大86.8%和31.5%，对乙基黄药的吸附量分别增大95.5%和53.3%。通过讨论Cu2+和Pb2+对ZnS活化过程，推断其机理是离子交换反应和氧化还原反应的复合作用。2.利用金属黄原酸盐在氨水中热分解制备了纳米硫化锌，纳米硫化锌颗粒的粒径以及颗粒的晶型通过XRD粉末衍射设备进行检测。在金属黄原酸盐热分解制备硫化锌的过程中，用红外及紫外光谱仪器对反应过程进行了跟踪检测，并将反应完全后的气体物质进行气质联用检测。结果显示，在较低的反应温度，金属黄原酸盐能够分解得到立方闪锌矿及六角纤锌矿的纳米硫化锌，我们认为金属黄原酸盐的分解是亲核加成-消去反应过程，产物包括硫化物，二硫化碳，羰基硫，硫代碳酸盐，双黄药等。在实验过程中我们没有得到Chugaev反应的主要产物烯烃，这说明Chugaev反应不适用于金属黄原酸盐热分解制备硫化物的过程。3.通过改进实验方法，我们利用丁基黄原酸钾为硫源，醋酸锌为锌源，在乙醇溶剂中70℃温度下反应，制备了纳米硫化锌颗粒。制备的硫化锌纳米颗粒通过紫外固体检测计算其禁带宽度为4.18ev，通过XRD粉末衍射计算得到纳米硫化锌的颗粒粒径为2.1nm，通过透射电子显微镜观察，硫化锌颗粒在46nm之间，相互有些团聚，团聚颗粒在30nm左右。纳米硫化锌的合成过程及黄药的分解过程也进行了实验分析与介绍。
韩士奎[9]（2013）在《几种单分散硫族化物纳米晶与异质结构的制备及其性能研究》文中研究指明胶体纳米晶,也被称为“人工原子”,其制备技术在过去的几十年中取得飞速的进步。这些纳米颗粒可以运用不同物质相互反应廉价且大量的合成,所得到的纳米颗粒的尺寸和形貌都非常均一规整。作为新颖的纳米结构之一,纳米异质结构是由两种或两种以上的物质组成的,其可以是半导体-半导体接触生长,也可以是半导体·金属相接触生长。这种异质结构因其具有多种组分,而各个组分具有不同的功能,因此具有多重功能,并且因异质界面的存在,这种结构有可能会产生一些新的性质。因其拥有这种独特的纳米结构特征,异质结纳米晶将会在不同领域获得重要的应用,如太阳能电池,高效催化剂,生物与医学探测器,以及新一代的光电转化装置等。因此,我们通过液相法合成了几种硫族化合物纳米异质结构。取得的研究结果如下：1.发展了六方柱状硫化铜-硫化锌纳米异质结及复杂异质结构的可控合成方法。运用高温油相的方法,以CuI和[Zn（S2CNEt2）2]作为反应物分子前驱体,在油胺溶液中合成了六方柱状的Cu1.94S-ZnS（螺丝状）、Cu1.94S-ZnS-Cu1.94（哑铃状）、Cu1.94S-ZnS-Cu1.94S-ZnS-Cu1.94S（三明治状）纳米异质结构。研究了[Zn（S2CNEt2）2]用量、反应物浓度、反应时间对产物的影响。通过上述研究,我们提出了相关的反应机理。并且我们对于不同组分的以直接的光吸收性质进行了研究。由于ZnS与Cu1.94S的同时存在,该结构在紫外和近红外都有宽的吸收。这一研究结果为今后提供了一种合成类似硫族纳米异质结的新方法,为光电子器件（例如太阳能电池、光电传感器等）的发展提供了一种新颖的材料。运用类似的合成方法,在锰离子的协助下,我们还成功合成了哑铃状的Cu2S-CuS纳米异质结构。经研究发现,在锰离子的影响下,单斜相的Cu2S纳米晶体最终会转化为CuS纳米六方片结构。2.首次于温和条件下合成了单分散三元化合物AgFeS2纳米晶及二聚体Ag2S-Fe7S8异质纳米结构。运用高温油相合成的方法,于150摄氏度在油胺体系中第一次合成了单分散的三元化合物AgFeS2纳米晶体,并且该纳米晶可在进一步加热条件下通过内在热转换反应形成二聚体Ag2S-Fe7S8异质结构纳米晶,这种方法可被推广用于制备其它类似结构的半导体纳米异质结。该三元化合物AgFeS2的带隙能为1.21eV,而且转化为异质结后会呈现出更加独特的磁学和光学性质,可以作为一种很好的吸光材料使得其在光电器件等领域具有潜在的应用价值。3.一步法合成了具有不同晶相的Cu2S1-xSex固溶体纳米晶,并运用离子交换法成功将其转化为CdSxSe1-x和ZnSxSe1-x纳米六方片。运用高温油相的方法,以单质S和Se02作为反应物的硫源和硒源,用氯化亚铜作为铜源,在油胺和十八烯溶液中合成了不同晶相的Cu2S1-xSex纳米晶体。研究发现,当Cu2S1-xSex纳米晶体中x≠1时,形成的是六方晶相Cu2S2-xSex纳米六方片晶体；当x=1时,形成的是立方晶相的Cu2Se纳米三角形晶体。通过阳离子交换反应,可以分别制备纤锌矿CdSxSe1-x和ZnSxSe1-x纳米六方片和闪锌矿的CdSe和ZnSe纳米三角形结构。这一研究结果为以后制备类似的半导体纳米晶提供了一种新的合成思路。4.发明了以多元硫族化合物纳米晶为前驱物制备金属纳米晶及金属硫化物纳米异质结构的新途径。首次发现了银离子和铋离子可从它们的硫族化合物纳米晶中被还原出来的现象；运用高温油相的方法,在三苯基膦的作用下,将银离子和铋离子从它们的硫族化合物中还原出来,形成单质银和铋的纳米晶体；利用这一反应原理,我们成功制备了Ag、Bi、Ag-NiS、Ag-ZnS、Ag-InS、Ag-FeS、Ag-Bi和Bi-Cu2S等多种纳米晶体和纳米异质结构。
庄晋艳[10]（2009）在《氧化锌量子点结构、缺陷和发光性能的研究》文中指出氧化锌（ZnO）是一种具有六方纤锌矿结构的II-VI族宽带隙半导体材料,室温下带隙宽度达3.3 eV。它具有良好的物理特性,易于与多种半导体材料实现集成化,[0]是一种广泛应用的光电材料。本文总结了ZnO量子点的基本特性以及微观结构,回顾了目前国际上通用的ZnO制备方法、结构缺陷分析与控制的研究现状。随后围绕ZnO量子点的可控制备及对ZnO量子点表面缺陷的调控两大方面展开了研究,探讨了液相法技术控制ZnO量子点粒径的因素与途径,利用发光光谱研究了表面处理对ZnO量子点缺陷的修饰与控制以及金属或稀土离子掺杂对发光波长的影响。研究结果如下:1.具有可控粒径ZnO量子点的合成及其生长动力学的研究:量子点粒径的控制合成是研究其各种性质的前提,在光电器件的应用中起着重要的作用。本文系统地讨论了反应温度、前驱物浓度及溶液的pH值对ZnO量子点生长过程、粒径及荧光强度的影响。结果表明:当pH在9左右,前驱物浓度为0.02 M时,调节反应温度可以使ZnO量子点直径在3 nm-6 nm之间变化。我们对不同温度下ZnO量子点形成过程中的形核,长大和老化阶段进行了讨论,发现晶核的形成和长大阶段为快速过程,并且随着温度的升高其生长速率加快,后期的老化过程较慢,采用Lifshitz-Slyozov-Wagner （LSW）模型解释了这一过程。[0]不同生长温度量子点的光致发光光谱测试结果表明,紫外区域发射是由激子复合造成的,可见区域的发光来源于导带底到氧填隙缺陷能级的跃迁。2.可见区域不同波段缺陷的可控研究:目前对ZnO缺陷发射来源一直存在争议,本文通过对所获得的ZnO量子点的表面进行了处理,以研究量子点表面缺陷的[0]组成以及对荧光强度产生的影响。首先在氧化锌表面包覆了CuO壳层,其紫外波段荧光强度有所提高,当CuO与ZnO的摩尔比为l: 2时荧光强度达到最大值。这是由于随着水解的氧化铜增多,界面上的悬键和缺陷大量减少或消失,当摩尔比为l: 2时,对表面态的修复达到最优状态。绿光波段发射强度受到了抑制。其次,选择硫化钠和硫代乙酰胺为前驱物,形成宽带隙的硫化锌对氧化锌进行包覆,制备获得ZnO/ZnS核/壳结构的量子点在可见区域的荧光强度明显减弱,说明均在氧化锌量子点表面形成了包覆层,表面缺陷减少。本文还通过加入一定量巯基乙酸制备水溶性量子点,当ZnO与MPA的摩尔比为l: 1,荧光强度达到最大值,并随着巯基乙酸的进一步增加荧光强度减弱。这是由于电子通过非辐射跃迁转移至MPA的最低未占轨道中,导致电子从能级跃迁回价带的几率减少。我们制备了氧化锌薄膜并选择溅射方式在其上形成金的薄膜。被离子溅射后的紫外波段的荧光强度在沉积10 s时强度最强,这是由于随着沉积时间的延长金粒子沉积在氧化锌表面的密集度增加,从而使晶格趋于完善,致使发光强度最强。3. ZnO掺杂量子点的研究:选用与锌离子半径相近的Cu离子取代Zn离子,光谱分析表明在320 nm光激发下获得了490 nm左右的蓝色发射,且当掺杂量为0.2 %时发光强度最强。随后,选择了铕离子进行掺杂,制备了ZnO: Eu量子点,随着铕离子掺杂浓度的增加其荧光强度增强。对以上两种掺杂粒子的能级模型进行了讨论。
二、掺铜的硫化锌缺陷结构的高分辨电子显微术研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、掺铜的硫化锌缺陷结构的高分辨电子显微术研究（论文提纲范文）
（1）Zn0.2Cd0.8S基光催化材料的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 光催化简介 |
| 1.2.1 光催化概述 |
| 1.2.2 光催化原理 |
| 1.2.3 影响光催化活性的因素 |
| 1.2.4 改善光催化活性的途径 |
| 1.3 Ⅱ-Ⅵ族化合物 |
| 1.3.1 Ⅱ-Ⅵ族化合物简介 |
| 1.3.2 ZnS、CdS的研究现状 |
| 1.4 Zn_xCd_(1-x)S固溶体 |
| 1.4.1 Zn_xCd_(1-x)S固溶体简介 |
| 1.4.2 Zn_xCd_(1-x)S固溶体的研究进展 |
| 1.5 石墨烯的研究现状 |
| 1.6 石墨相氮化碳(g-C_3N_4)的研究现状 |
| 1.7 本课题的选题依据、研究内容及创新点 |
| 1.7.1 选题依据 |
| 1.7.2 研究内容 |
| 1.7.3 创新点 |
| 2 实验部分 |
| 2.1 实验试剂与实验仪器 |
| 2.1.1 实验试剂 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 材料的结构表征及性能测试 |
| 2.2.1 物理测试表征 |
| 2.2.2 电化学性能测试 |
| 2.2.3 光催化产氢性能测试 |
| 3 Zn_(0.2)Cd_(0.8)S固溶体材料的制备及光催化性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验工艺 |
| 3.3 反应温度对Zn_(0.2)Cd_(0.8)S固溶体结构及性能的影响 |
| 3.3.1 结构表征分析 |
| 3.3.2 产氢性能分析 |
| 3.4 反应时间对Zn_(0.2)Cd_(0.8)S固溶体结构及性能的影响 |
| 3.4.1 结构表征分析 |
| 3.4.2 产氢性能分析 |
| 3.5 光催化机理分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 Zn_(0.2)Cd_(0.8)S/rGO材料的制备及光催化性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验工艺 |
| 4.3 反应时间对Zn_(0.2)Cd_(0.8)S/rGO材料结构及性能的影响 |
| 4.3.1 结构表征分析 |
| 4.3.2 产氢性能分析 |
| 4.4 GO含量对Zn_(0.2)Cd_(0.8)S/rGO复合材料结构及性能的影响 |
| 4.4.1 结构表征分析 |
| 4.4.2 产氢性能分析 |
| 4.5 表面活性剂对Zn_(0.2)Cd_(0.8)S/rGO复合材料结构及性能的影响 |
| 4.5.1 结构表征分析 |
| 4.5.2 产氢性能分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 5 Zn_(0.2)Cd_(0.8)S/g-C_3N_4材料的制备及光催化性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验工艺 |
| 5.3 Zn_(0.2)Cd_(0.8)S/g-C_3N_4Ⅱ型异质结的构建及机理研究 |
| 5.3.1 结构表征分析 |
| 5.3.2 产氢性能分析 |
| 5.3.3 光电性能分析 |
| 5.3.4 光催化机理分析 |
| 5.4 不同g-C_3N_4量对Zn_(0.2)Cd_(0.8)S/g-C_3N_4复合材料性能的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及专利成果 |
（2）基于银硫系化合物阻变存储器的工作机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 非易失性存储器简介 |
| 1.3 阻变存储器的研究进展 |
| 1.4 基于银硫系化合物阻变存储器研究进展 |
| 1.5 论文的研究内容及意义 |
| 第二章 材料与器件的制备和表征方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 银硫系化合物阻变介质材料的制备工艺 |
| 2.3 金属电极的制备工艺 |
| 2.4 材料的表征方法 |
| 2.4.1 金相显微镜 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 |
| 2.4.3 透射电子显微镜 |
| 2.4.4 阻变存储器器件原位电学实验 |
| 第三章 Au/Ag-Ge-Te/W结构存储器的阻变机理研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 材料的表征 |
| 3.2.1 阻变介质材料Ag-Ge-Te薄膜的表征 |
| 3.2.2 电极材料的表征 |
| 3.2.3 电子辐照对Ag-Ge-Te材料的影响 |
| 3.3 Au/Ag-Ge-Te/W结构阻变机理研究 |
| 3.3.1 导电细丝的生长过程 |
| 3.3.2 导电细丝的破灭过程 |
| 3.3.3 导电细丝的成分分析 |
| 3.3.4 电学性质测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 Ag/Ag-Ge-Te/W结构存储器的阻变机理研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Ag电极的表征 |
| 4.3 Ag/Ag-Ge-Te/W结构阻变机理研究 |
| 4.3.1 导电细丝的生长过程 |
| 4.3.2 导电细丝的破灭过程 |
| 4.3.3 导电细丝的成分分析 |
| 4.3.4 电学性质测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 Cu/Ag-Ge-Te/W结构存储器的阻变机理研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Cu电极的表征 |
| 5.3 Cu/Ag-Ge-Te/W结构阻变机理研究 |
| 5.3.1 导电细丝的生长过程 |
| 5.3.2 导电细丝阳离子的交换过程 |
| 5.3.3 导电细丝的成分分析 |
| 5.3.4 电学性质测试 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
（3）几种硫族化合物超细/异质纳米结构的合成策略及应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 超细和异质纳米结构的研究进展 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 超细和异质纳米结构的合成方法学研究进展 |
| 1.2.1 超细纳米结构的合成方法学 |
| 1.2.1.1 软模板 |
| 1.2.1.2 配体调控 |
| 1.2.1.3 取向搭接 |
| 1.2.2 半导体异质纳米结构的合成方法学 |
| 1.2.2.1 异相成核和生长 |
| 1.2.2.2 离子交换 |
| 1.3 超细和异质纳米结构的表界面性质和功能化研究进展 |
| 1.4 本论文的选题背景和研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 软模板控制合成几种掺杂型过渡金属硫族化合物超细纳米结构及其性能研究 |
| 2.1 二元软模板控制合成铁掺杂二硒化镍超细纳米线及其电催化过程中表面的限域氧化现象研究 |
| 2.1.1 引言 |
| 2.1.2 实验部分 |
| 2.1.3 结果与讨论 |
| 2.1.4 结论 |
| 2.2 三胺软模板合成从多层到单层可控的锰掺杂硫化镉超薄纳米片及其超快电子转移特性研究 |
| 2.2.1 引言 |
| 2.2.2 实验部分 |
| 2.2.3 结果与讨论 |
| 2.2.4 结论 |
| 2.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 基于几种亚稳态硫族化合物的化学转换合成异质纳米结构及其性能研究 |
| 3.1 前驱物诱导合成哑铃状自耦合硫化亚铜-硫化铜纳米异质结及其光电性质增强机理研究 |
| 3.1.1 引言 |
| 3.1.2 实验部分 |
| 3.1.3 结果与讨论 |
| 3.1.4 结论 |
| 3.2 前驱物诱导表面自限生长合成铋基-硫化钼/硫化钨核壳纳米异质结及其电催化产氢研究 |
| 3.2.1 引言 |
| 3.2.2 实验部分 |
| 3.2.3 结果与讨论 |
| 3.2.4 结论 |
| 3.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 基于表面配体与亚稳态硫族化合物作用合成组分、物相可控的异质纳米结构及其性能研究 |
| 4.1 有机膦驱动化学还原合成银基/铋基硫族化合物纳米晶及其纳米异质结的通用合成方法学研究 |
| 4.1.1 引言 |
| 4.1.2 实验部分 |
| 4.1.3 结果与讨论 |
| 4.1.4 结论 |
| 4.2 有机膦控制合成不同物相硫化镍-金核壳纳米异质结及其基于表面等离子共振效应的光电催化研究 |
| 4.2.1 引言 |
| 4.2.2 实验部分 |
| 4.2.3 结果与讨论 |
| 4.2.4 结论 |
| 4.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与获得奖励 |
（4）金属纳米材料氧化行为的原位透射电镜研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 金属氧化的反应机理 |
| 1.2.1 氧化过程 |
| 1.2.2 传输机制 |
| 1.2.3 氧化速率 |
| 1.3 金属氧化的研究方法 |
| 1.3.1 氧化速率的测量 |
| 1.3.2 电子显微分析技术 |
| 1.4 原位透射电子显微术 |
| 1.4.1 温度控制 |
| 1.4.2 气氛控制 |
| 1.4.3 应力加载 |
| 1.4.4 液体环境 |
| 1.4.5 电子束辐照 |
| 1.5 金属氧化的研究进展 |
| 1.5.1 纯金属的氧化 |
| 1.5.2 纳米合金材料的氧化 |
| 1.6 选题依据和研究内容 |
| 1.6.1 研究意义 |
| 1.6.2 研究内容 |
| 第二章 实验原理与方法 |
| 2.1 透射电子显微分析 |
| 2.1.1 透射电子显微镜的构造 |
| 2.1.2 透射电子显微镜的工作原理 |
| 2.1.3 环境透射电子显微技术 |
| 2.2 实验仪器介绍 |
| 第三章 钯纳米颗粒的原位氧化 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.3 球形Pd纳米颗粒的原位氧化 |
| 3.3.1 低氧压下的氧化实验 |
| 3.3.2 给氧条件下的氧化实验 |
| 3.3.3 氮气环境中的辐照实验 |
| 3.4 八面体结构Pd纳米颗粒的原位氧化解析 |
| 3.4.1 低氧压条件下的表面氧化过程 |
| 3.4.2 给氧条件下的氧化行为 |
| 3.5 高能电子束辐照对氧化机理的影响 |
| 3.6 氧化速率的比较 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 钴纳米颗粒的原位氧化 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.3 球形Co纳米颗粒的原位氧化解析 |
| 4.3.1 氧化过程及氧化产物的分析 |
| 4.3.2 电子束束流强度对氧化反应的影响 |
| 4.3.3 颗粒尺寸对氧化反应的影响 |
| 4.3.4 室温下的氧化 |
| 4.3.5 辐照电子束的作用 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
| 攻读学位期间发表的论文和其他研究成果 |
（5）ZnS:Mn/ZnS复合材料的制备及其发光性质研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 发光材料的研究概况及进展 |
| 1.2.1 发光材料的基本概念及特性 |
| 1.2.2 半导体材料的发光机理 |
| 1.3 硫化锌半导体材料 |
| 1.3.1 硫化锌发光材料的结构与性质 |
| 1.3.2 硫化锌发光性能简介 |
| 1.3.3 掺杂ZnS发光材料的性质 |
| 1.3.4 掺杂ZnS发光材料的表面修饰 |
| 1.4 本课题研究内容及意义 |
| 1.4.1 本课题研究内容 |
| 1.4.2 本课题研究意义 |
| 第2章 实验材料及研究方法 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.2 仪器及测试设备 |
| 2.3 样品的表征和测试方法 |
| 2.3.1 X-射线衍射(XRD)分析 |
| 2.3.2 扫描电镜(SEM)分析 |
| 2.3.3 透射电子显微镜(TEM)和高分辨电子显微分析（HRTEM） |
| 2.3.4 荧光光谱(PL)分析 |
| 2.3.5 紫外可见漫反射(UV-Vis)分析 |
| 第3章 ZnS:Mn/ZnS复合材料的制备与表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 ZnS:Mn发光材料的制备及表征 |
| 3.2.1 溶剂热法制备ZnS:Mn |
| 3.2.2 ZnS:Mn的表征 |
| 3.3 ZnS:Mn/ZnS发光材料的制备及表征 |
| 3.3.1 Larmer法制备ZnS:Mn/ZnS |
| 3.3.2 ZnS:Mn/ZnS的表征 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 ZnS:Mn/ZnS复合材料的发光性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 ZnS:Mn/ZnS复合材料的发光性能 |
| 4.2.1 不同掺Mn量对制备的ZnS:Mn发光效率的影响 |
| 4.2.2 不同Zn:S比对制备的ZnS:Mn发光效率的影响 |
| 4.2.3 不同反应时间和温度对制备的ZnS:Mn发光效率的影响 |
| 4.2.4 不同包覆比及不同包覆层数的ZnS:Mn/ZnS复合材料光谱学性能表征 |
| 4.2.5 不同包覆比及不同包覆层数对ZnS:Mn/ZnS复合材料发光性能影响机制的初探 |
| 4.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（6）包裹型γ-Ce2S3大红色料的制备及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 文献综述 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 无机颜料的发展概况 |
| 1.2.1 无机颜料的发展历史 |
| 1.2.2 无机颜料的分类 |
| 1.2.2.1 无机颜料按标准分类 |
| 1.2.2.2 无机颜料按化学组成分类 |
| 1.2.3 无机颜料的主要性能 |
| 1.2.4 红色无机颜料 |
| 1.2.4.1 传统无机红色颜料 |
| 1.2.4.2 新型无机红色颜料 |
| 1.3 硫化铈红色颜料 |
| 1.3.1 硫化铈颜料的主要特性 |
| 1.3.2 硫化铈色料的研究现状 |
| 1.3.2.1 硫化铈色料的国际研究进展 |
| 1.3.2.2 硫化铈色料的国内研究进展 |
| 1.3.3 硫化铈色料的改性研究进展 |
| 1.3.3.1 包裹色料简介 |
| 1.3.3.2 包裹色料的包裹模型 |
| 1.3.3.3 包裹色料的制备方法 |
| 1.3.3.4 硫化铈包裹色料的研究进展 |
| 1.4 本论文的目的及意义 |
| 1.5 本论文研究的主要内容、整体层次及创新点 |
| 2 实验 |
| 2.1 实验试剂与药品 |
| 2.2 实验与测试设备 |
| 2.3 测试和表征 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD)分析 |
| 2.3.2 扫描电镜(SEM)显微分析 |
| 2.3.3 透射电镜(TEM)显微分析 |
| 2.3.4 激光粒度分析(DLS) |
| 2.3.5 差热与热重分析(DSC-TG) |
| 2.3.6 傅里叶红外光谱分析(FTIR) |
| 2.3.7 紫外-可见光漫反射光谱分析 |
| 2.3.8 色度表征 |
| 3 SiO_2 包裹γ-Ce_2S_3 红色颜料的制备研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品的制备工艺 |
| 3.3 SiO_2 干凝胶包裹γ-Ce_2S_3 色料的微观形貌分析 |
| 3.3.1 乙醇/水体积比对SiO_2干凝胶包裹γ-Ce_2S_3 色料微观形貌影响 |
| 3.3.2 TEOS浓度对SiO_2干凝胶包裹γ-Ce_2S_3 色料微观的形貌影响 |
| 3.3.3 SiO_2 干凝胶包裹γ-Ce_2S_3 色料的包裹机理分析 |
| 3.3.4 SiO_2 包裹γ-Ce_2S_3 色料的高温抗氧化性能 |
| 3.3.5 气氛煅烧对包裹色料的影响 |
| 3.3.6 包裹次数对包裹色料的性能影响 |
| 3.3.6.1 SiO_2 多次包裹γ-Ce_2S_3 色料微观形貌 |
| 3.3.6.2 多次包裹色料的高温抗氧化性能 |
| 3.3.6.3 多次包裹色料在低温熔块中的呈色效果 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 ZrO_2 包裹γ-Ce_2S_3 红色颜料的制备研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.1.1 起始锆源的优选 |
| 4.2 样品制备工艺 |
| 4.3 ZrO_2 包裹γ-Ce_2S_3 色料微观形貌分析 |
| 4.4 丁醇锆浓度对ZrO_2包裹γ-Ce_2S_3 微观形貌的影响 |
| 4.5 ZrO_2 包裹γ-Ce_2S_3 色料的呈色性能 |
| 4.6 ZrO_2 包裹γ-Ce_2S_3 色料的热稳定性探究 |
| 4.7 本章小结 |
| 5 分步控制制备Zr SiO4包裹γ-Ce_2S_3 色料初探 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品制备工艺 |
| 5.2.1 以γ-Ce_2S_3@SiO_2 为起始色料 |
| 5.2.2 以γ-Ce_2S_3@ZrO_2 为起始色料 |
| 5.3 复合包裹色料粉体的微观形貌 |
| 5.4 分步控制γ-Ce_2S_3@Zr SiO4 的形成过程分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
（7）金属硫族化合物纳米材料的制备及性质研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 纳米材料概述 |
| 1.2 纳米材料的特性 |
| 1.2.1 小尺寸效应 |
| 1.2.2 表面效应 |
| 1.2.3 量子限域效应 |
| 1.2.4 介电限域效应 |
| 1.3 纳米材料的制备 |
| 1.3.1 沉淀法 |
| 1.3.2 溶液凝胶法 |
| 1.3.3 微乳法 |
| 1.3.4 溶剂热法 |
| 1.3.5 热溶剂分解法 |
| 1.4 单分散纳米材料 |
| 1.4.1 单分散粒子形成的理论探讨以及合成方法 |
| 1.5 纳米材料的性能及应用 |
| 1.5.1 生物医学 |
| 1.5.2 光学性质及应用 |
| 1.5.3 催化性能和应用 |
| 1.5.4 磁性和应用 |
| 1.6 本论文的主要研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 通过热分解法合成硫化铜纳米颗粒和Cu_(1.95)S纳米线 |
| 2.1 热分解合成硫化铜纳米颗粒 |
| 2.1.1 引言 |
| 2.1.2 试剂 |
| 2.1.3 仪器 |
| 2.1.4 表征与测试 |
| 2.1.4.1 X射线粉末衍射(XRD) |
| 2.1.4.2 透射电子显微镜(TEM) |
| 2.1.4.3 高分辨透射电子显微镜(HRTEM) |
| 2.1.4.4 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.1.4.5 傅立叶转化红外光谱仪(FT-IR) |
| 2.1.5 样品制备 |
| 2.1.6 结果与讨论 |
| 2.1.6.1 实验结果分析 |
| 2.1.6.2 红外数据分析 |
| 2.1.6.3 反应时间的影响 |
| 2.1.6.4 反应溶剂的影响 |
| 2.1.6.5 其他影响因素 |
| 2.1.7 本节小结 |
| 2.2 通过热分解法合成Cu_(1.95)S纳米线 |
| 2.2.1 引言 |
| 2.2.2 试剂 |
| 2.2.3 仪器 |
| 2.2.4 表征与测试 |
| 2.2.5 样品制备 |
| 2.2.6 结果与讨论 |
| 2.2.6.1 实验结果分析 |
| 2.2.6.2 红外数据分析 |
| 2.2.6.3 反应温度和溶剂种类的影响 |
| 2.2.7 本节小结 |
| 2.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 锰掺杂硫化锌三元纳米晶的合成 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 试剂 |
| 3.3 仪器 |
| 3.4 表征与测试 |
| 3.4.1 紫外可见光谱(UV-Vis) |
| 3.4.2 荧光光谱仪 |
| 3.5 样品制备 |
| 3.5.1 前驱体(Zn_xMn_(1-x)S)_2·L (L=octylamine)的制备 |
| 3.5.2 Zn_xMn_(1-x)S纳米晶的制备 |
| 3.6 结果与讨论 |
| 3.6.1 实验结果分析 |
| 3.6.2 红外数据分析 |
| 3.6.3 荧光数据分析 |
| 3.6.4 投料比对前驱体(Zn_xMn_(1-x)S)_2·L (L=octylamine)形貌的影响 |
| 3.6.5 反应溶剂对前驱体(Zn_xMn_(1-x)S)_2·L(L为所选用的溶剂)形貌的影响 |
| 3.6.6 反应溶剂对Zn_xMn_(1-x)S纳米晶的形貌影响 |
| 3.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 热分解法合成硒化锌纳米晶和锰掺杂硒化锌纳米带 |
| 4.1 热分解法合成硒化锌纳米晶 |
| 4.1.1 引言 |
| 4.1.2 试剂 |
| 4.1.3 表征与测试 |
| 4.1.4 样品制备 |
| 4.1.4.1 前驱体(ZnSe)_2·L (L=octylamine)的制备 |
| 4.1.4.2 ZnSe纳米管的制备 |
| 4.1.4.3 ZnSe超薄纳米带的制备 |
| 4.1.5 结果与讨论 |
| 4.1.5.1 前驱体(ZnSe)_2·L (L=octylamine)的结果分析 |
| 4.1.5.2 红外数据分析 |
| 4.1.5.3 ZnSe纳米管的制备结果分析 |
| 4.1.5.4 ZnSe超薄纳米带的结果分析 |
| 4.1.5.5 红外数据分析 |
| 4.1.5.6 反应溶剂对前驱体(ZnSe)_2·L(L为所选用的溶剂)形貌的影响 |
| 4.1.5.7 反应温度对ZnSe纳米薄带形貌的影响 |
| 4.1.6 本节小结 |
| 4.2 锰掺杂硒化锌纳米晶的合成 |
| 4.2.1 引言 |
| 4.2.2 样品制备 |
| 4.2.2.1 前驱体(Zn_xMn_(1-x)Se)_2·L (L=octylamine)的制备 |
| 4.2.2.2 Zn_xMn_(1-x)Se超薄纳米带的制备 |
| 4.2.3 结果与讨论 |
| 4.2.3.1 前驱体(Zn_xMn_(1-x)Se)_2·L (L=octylamine)的结果分析 |
| 4.2.3.2 Zn_xMn_(1-x)Se超薄纳米带的结果分析 |
| 4.2.3.3 荧光数据分析 |
| 4.2.3.4 红外数据分析 |
| 4.2.3.5 投料比对前驱体(Zn_xMn_(1-x)Se)_2-L (L=octylamine)形貌的影响 |
| 4.2.3.6 反应溶剂和温度对Zn_xMn_(1-x)Se纳米晶的形貌影响 |
| 4.2.4 本节小结 |
| 4.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 结论与创新 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 |
| 致谢 |
（8）重金属黄原酸盐的热分解机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 矿物浮选基本介绍 |
| 1.2 金属硫化矿物简介 |
| 1.3 硫化锌理化性质和制备方法 |
| 1.3.1 硫化锌的物理化学性质 |
| 1.3.2 硫化锌的制备方法 |
| 1.4 黄原酸盐简介 |
| 1.4.1 黄原酸盐的制备 |
| 1.4.2 黄原酸盐的用途 |
| 1.4.3 黄原酸盐的分解 |
| 1.5 实验表征及测定方法 |
| 1.5.1 X 射线衍射表征 |
| 1.5.2 比表面积测定表征 |
| 1.5.3 红外表征 |
| 1.5.4 紫外漫反射表征 |
| 1.5.6 TEM 表征 |
| 1.5.7 激光粒度分布仪 |
| 1.5.8 GC-MS 技术 |
| 1.6 本论文研究的目的及意义 |
| 1.7 本论文研究的研究内容和创新之处 |
| 参考文献 |
| 第二章 铜离子和铅离子对硫化锌矿物表面的活化作用 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 试剂与仪器 |
| 2.2.2 实验方法 |
| 2.2.2.1 硫化锌的制备 |
| 2.2.2.2 样品的表征 |
| 2.2.2.3 乙基黄原酸钾的提纯 |
| 2.2.3 乙基黄原酸钾在硫化锌表面的吸附研究 |
| 2.2.3.1 铜、铅离子对硫化锌吸附黄药行为的影响 |
| 2.2.3.2 铜、铅离子在硫化锌表面的吸附 |
| 2.2.4 原子吸收 |
| 2.2.4.1 锌原子吸收 |
| 2.2.4.2 铜原子吸收 |
| 2.2.4.3 铅原子吸收 |
| 2.2.5 接触角的测定 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 不同浓度黄药在硫化锌矿物表面的吸附 |
| 2.3.1.1 不同浓度吸附等温线 BET 吸附等温线模拟 |
| 2.3.1.2 Cu2+和 Pb2+对 ZnS 吸附黄药行为的影响 |
| 2.3.2 接触角结果分析 |
| 2.4 Cu - Pb - ZnS 体系的离子浓度 |
| 2.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 烷基黄原酸锌的热分解机理 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 主要仪器及试剂 |
| 3.2.2 实验方法 |
| 3.2.2.1 正庚基黄原酸钾的制备及提纯 |
| 3.2.2.2 正庚基黄原酸锌的制备 |
| 3.2.2.3 金属黄原酸盐分解制备硫化物 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 反应固体产物的 XRD |
| 3.3.2 反应体系的紫外跟踪检测 |
| 3.3.3 反应体系的红外跟踪检测 |
| 3.3.4 GC-MS 检测 |
| 3.3.5 淡黄色固体的红外及紫外表征 |
| 3.3.6 正庚基黄原酸锌的热分解过程 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 纳米硫化锌量子点的溶剂热合成 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.2.1 主要仪器及试剂 |
| 4.2.2 实验步骤 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 XRD 表征 |
| 4.3.2 TEM 表征 |
| 4.3.3 UV-Vis 表征 |
| 4.3.4 纳米硫化锌的制备机理 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 结论 |
| 附录 |
| 一 攻读学位期间发表论文目录 |
| 二 在校期间所受奖励 |
| 致谢 |
（9）几种单分散硫族化物纳米晶与异质结构的制备及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 异质结纳米材料的研究进展 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 液相晶体生长理论 |
| 1.3 合成方法学 |
| 1.3.1 复合及核-壳纳米结构的合成 |
| 1.3.2 二聚体纳米结构的合成 |
| 1.3.3 以棒状结构作为晶种的复合纳米结构的合成 |
| 1.3.4 纳米异质结构的离子交换法合成 |
| 1.4 本论文的选题背景和研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 几种硫族半导体纳米异质结的可控合成 |
| 摘要 |
| 2.1 Cu_(1.94)S与ZnS纳米异质结构的控制合成 |
| 2.1.1 引言 |
| 2.1.2 实验部分 |
| 2.1.2.1 试剂 |
| 2.1.2.2 前驱体二乙基二硫代氨基甲酸锌的制备 |
| 2.1.2.3 卵形Cu_(1.94)S和ZnS混合结构纳米晶体的制备 |
| 2.1.2.4 螺丝状Cu_(1.94)S-ZnS异质结构纳米晶体的制备 |
| 2.1.2.5 哑铃状Cu_(1.94)S-ZnS-Cu_(1.94)S异质结构纳米晶体的制备 |
| 2.1.2.6 三明治状Cu_(1.94)S-ZnS-Cu_(1.94)S-ZnS-Cu_(1.94)S异质结构纳米晶体的制备 |
| 2.1.2.7 样品表征 |
| 2.1.3 结果与讨论 |
| 2.1.4 结论 |
| 2.2 锰离子对硫化亚铜向硫化铜晶型转变的影响 |
| 2.2.1 引言 |
| 2.2.2 实验部分 |
| 2.2.2.1 试剂 |
| 2.2.2.2 前驱体二乙基二硫代氨基甲酸锰的制备 |
| 2.2.2.3 卵形Cu_2S纳米晶体的制备 |
| 2.2.2.4 哑铃状Cu_2S-CuS异质结构纳米晶体的制备 |
| 2.2.2.5 片状CuS纳米晶体的制备 |
| 2.2.2.6 样品表征 |
| 2.2.3 结果与讨论 |
| 2.2.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第三章 单分散AgFeS_2纳米晶的控制合成及其向Ag_2S-Fe_7S_8纳米异质结构的转化 |
| 摘要 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 试剂 |
| 3.2.2 前驱体二乙基二硫代氨基甲酸铁反应物的制备 |
| 3.2.3 单分散AgFeS_2纳米晶体的制备 |
| 3.2.4 单分散Ag_S-Fe_7S_8纳米异质结构的制备 |
| 3.2.5 样品表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第四章 不同晶相的Cu_2S_xSe_(1-x)单分散纳米晶的控制合成及其向CdS_xSe_(1-x)和ZnS_xSe_(1-x)纳米结构的转化 |
| 摘要 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 试剂 |
| 4.2.2 Cu_2S_xSe_(1-x)纳米晶体的制备 |
| 4.2.3 Cu_2S_xSe_(1-x)纳米晶体的制备 |
| 4.2.4 ZnS_xSe_(1-x)纳米晶体的制备 |
| 4.2.5 样品表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第五章 银基铋基硫族化物及其异质结的液相还原 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 试剂 |
| 5.2.2 前驱体二乙基二硫代氨基甲酸银的制备 |
| 5.2.3 Ag_2S纳米晶体的制备 |
| 5.2.4 Ag纳米晶体的制备 |
| 5.2.5 Bi_2S_3棒状纳米晶体的制备 |
| 5.2.6 Bi纳米晶体的制备 |
| 5.2.7 Ag-NiS异质结纳米晶体的制备 |
| 5.2.8 Ag_2S-ZnS异质结纳米晶体的制备 |
| 5.2.9 Ag-ZnS异质结纳米晶体的制备 |
| 5.2.10 样品表征 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.4 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与获得奖励 |
（10）氧化锌量子点结构、缺陷和发光性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 量子点的概述和基本特性 |
| 1.2.1 量子点的概述 |
| 1.2.2 量子点的基本特性 |
| 1.3 量子点的表征手段 |
| 1.3.1 X 衍射测试结果（XRD） |
| 1.3.2 光致发光光谱 |
| 1.3.3 吸收光谱 |
| 1.3.4 高分辨透射电子显微镜(HRTEM) |
| 1.4 半导体量子点的发光原理与发光特性 |
| 1.4.1 半导体量子点发光原理 |
| 1.4.2 半导体量子点发光特性 |
| 第二章 氧化锌的概述及其研究进展 |
| 2.1 关于氧化锌的概述 |
| 2.1.1 氧化锌的结构 |
| 2.1.2 氧化锌的能级结构 |
| 2.1.3 氧化锌量子点的特性 |
| 2.2 纳米氧化锌的研究现状 |
| 2.2.1 纳米氧化锌的制备 |
| 2.2.1.1 化学沉淀法 |
| 2.2.1.2 溶胶-凝胶法 |
| 2.2.1.3 水热合成法 |
| 2.2.2 纳米氧化锌发光机制的研究 |
| 2.3 氧化锌量子点的应用前景 |
| 2.3.1 氧化锌量子点在生物研究中的应用 |
| 2.3.2 氧化锌量子点在光电子学方面的应用 |
| 2.4 氧化锌掺杂量子点的研究现状 |
| 2.5 氧化锌量子点的表面修饰 |
| 2.6 课题选取的意义和目的 |
| 2.7 课题的主要内容 |
| 第三章 氧化锌量子点的生长动力学及其光学性能的研究 |
| 3.1 氧化锌量子点的生长模型 |
| 3.2 试验方案 |
| 3.3 不同反应温度下氧化锌量子点生长动力学的研究 |
| 3.3.1 不同反应温度下制备的氧化锌量子点吸收光谱及其HRTEM |
| 3.3.2 不同反应温度下ZnO 量子点的形成过程 |
| 3.3.3 ZnO 量子点PL 光谱分析 |
| 3.4 不同反应条件对氧化锌量子点的影响 |
| 3.4.1 不同前驱物浓度下对氧化锌量子点的影响 |
| 3.4.2 陈化时间对氧化锌量子点稳定性的影响 |
| 3.4.3 pH 值对氧化锌量子点稳定性的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 氧化锌量子点表面修饰、缺陷光谱以及荧光增强研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 氧化铜表面修饰氧化锌量子点的制备及其光谱分析 |
| 4.2.1 试验过程 |
| 4.2.2 氧化铜对氧化锌量子点表面缺陷态的影响 |
| 4.3 硫化锌包覆氧化锌量子点形成的核壳及其光谱分析 |
| 4.3.1 试验过程 |
| 4.3.2 宽带隙硫化锌包覆氧化锌量子点光谱分析 |
| 4.4 巯基乙酸修饰氧化锌制备的水溶性量子点及光谱分析 |
| 4.4.1 选取巯基乙酸修饰氧化锌的意义 |
| 4.4.2 试验过程 |
| 4.4.3 水溶性量子点表面功能化的研究 |
| 4.5 金属层对氧化锌缺陷的影响 |
| 4.5.1 氧化锌薄膜的制备 |
| 4.5.2 金属元素Au 薄膜的制备 |
| 4.5.3 Au 薄膜对ZnO 荧光光谱的影响 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 氧化锌掺杂量子点的制备及其光学性能的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 铜离子对氧化锌量子点发光机制的影响 |
| 5.2.1 氧化锌掺铜量子点的制备过程 |
| 5.2.2 氧化锌掺铜量子点的能级图谱及基本理论模型 |
| 5.2.3 氧化锌掺铜量子点形成过程的研究 |
| 5.2.4 铜掺杂氧化锌量子点掺杂量的荧光调制 |
| 5.3 氧化锌掺 Eu 量子点的制备与其光学性能的初步研究 |
| 5.3.1 稀土元素的发光特点 |
| 5.3.2 氧化锌掺Eu 量子点的制备过程 |
| 5.3.3 氧化锌掺Eu 量子点的发光机制的初步讨论 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 全文总结及展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 今后工作展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
四、掺铜的硫化锌缺陷结构的高分辨电子显微术研究（论文参考文献）
- [1]Zn0.2Cd0.8S基光催化材料的制备及性能研究[D]. 李慧敏. 陕西科技大学, 2021(09)
- [2]基于银硫系化合物阻变存储器的工作机理研究[D]. 熊雨薇. 东南大学, 2019(06)
- [3]几种硫族化合物超细/异质纳米结构的合成策略及应用研究[D]. 顾超. 中国科学技术大学, 2018(10)
- [4]金属纳米材料氧化行为的原位透射电镜研究[D]. 张德炯. 浙江大学, 2017(01)
- [5]ZnS:Mn/ZnS复合材料的制备及其发光性质研究[D]. 庞琳. 哈尔滨师范大学, 2016(08)
- [6]包裹型γ-Ce2S3大红色料的制备及其性能研究[D]. 刘顺国. 景德镇陶瓷大学, 2016(05)
- [7]金属硫族化合物纳米材料的制备及性质研究[D]. 李娜. 西北大学, 2014(04)
- [8]重金属黄原酸盐的热分解机理研究[D]. 廉会良. 济南大学, 2013(05)
- [9]几种单分散硫族化物纳米晶与异质结构的制备及其性能研究[D]. 韩士奎. 中国科学技术大学, 2013(10)
- [10]氧化锌量子点结构、缺陷和发光性能的研究[D]. 庄晋艳. 天津理工大学, 2009(07)