一、γ射线探伤曝光曲线的制作(论文文献综述)
王昕[1](2019)在《基于钙钛矿单晶的高性能X射线/γ射线探测》文中研究说明X射线/?射线作为常见的X射线/γ射线,由于其光子能量高,穿透性强被广泛应用于医学诊断、放射治疗、工业探伤、安全检测,航天导航以及科学研究的材料分析等领域中。作为将X射线/γ射线光子信号转换为电信号的转换装置,X射线/?射线探测器是X射线/?射线应用系统中的关键部份。一般来说,可以采用间接探测和直接探测两种方法探测X射线和γ射线信号。基于闪烁晶体的间接X射线/γ射线探测器首先将X射线/γ射线转换为可见光,然后通过CMOS或者CCD图像传感器将可见光信号转换为电信号。由于X射线/?射线高能光子生成的可见光会在闪烁晶体中发生散射等原因,间接X射线/?射线探测器的空间分辨率和量子效率都受到一定的限制。基于半导体的直接X射线/γ射线探测器通过半导体活性材料将高能光子能量直接转换为光生载流子信号,有可能获得高的空间分辨率和量子效率。但是由于硅,锗,硒等半导体材料的组成元素的原子序数低,其对X射线/γ射线的吸收系数低,容易受到辐射损伤等原因,大部份直接X射线成像器件,如非晶硒平板探测器等,只能应用于较低能量的软X射线成像。对于具有较高光子能量的硬X射线以及?射线,一般采用碲锌镉单晶(CdZnTe)等进行探测。但是这些无机活性晶体成本高昂,成品率低,而且很难与阵列读出电路集成形成高分辨成像器件。因此,研究X射线/?射线的新型探测活性材料,探索高灵敏度探测器件是各国研究人员面临的重要任务。有机-无机铅卤钙钛矿(MAPbX3,MA=CH3NH3,X=Cl,Br,I)由于其易于制备,光电转换效率高等优势,近年来基于钙钛矿的太阳能电池等领域已经成为全球研究热点。由于钙钛矿含有重元素(如铅、碘、溴等),可以溶液法生长单晶,而且受到X射线/?射线电离辐射不容易产生缺陷等原因,也被认为是一种十分适合X射线/γ射线探测的新型半导体材料。然而,目前基于钙钛矿的X射线/?射线器存在暗态电流大,响应速度慢,以及厚度不足以对硬X射线/γ射线完全吸收等问题,距离X射线/?射线探测器的实际应用还存在较大差距。针对基于MAPbX3的X射线/?射线探测存在的关键问题,本文围绕如何制备高厚度,大尺寸的钙钛矿单晶;如何提高探测单晶的载流子迁移率-寿命积,降低缺陷密度,抑制晶体内部的离子移动;如何优化器件结构降低噪声,提高响应速度等方面开展创新研究,为发展高灵敏度、低剂量X射线/?射线探测成像器件探索新的技术道路。本文的具体的创新点总结如下:1.提出用变温结晶法生长不同卤素组成的大尺寸MAPbX3单晶。相比于已经报道的逆温结晶法,通过温度的调控使得让生长液浓度始终处于平滑生长区,有效地提高了MAPbX3单晶的晶体尺寸。研究结果表明,通过变温结晶法,我们将MAPbBr3的晶体尺寸提高到了30mm×28mm×7mm。并且利用相似的方法,我们将其他不同卤素组分的MAPbX3单晶的尺寸都提高到了10mm×10mm×3mm以上,获得的MAPbX3晶体尺寸大于大部分同期研究报道的水平。通过改变卤素的成分,实现MAPbX3单晶吸收光谱的截止波长涵盖了紫外到红外的宽谱范围,其禁带宽度从1.49eV至2.89eV的范围内连续可调,其晶格常数从5.680到6.212?内连续可调。通过MAPbX3单晶的不同晶向结构的测试,发现MAPbX3晶体的(100)晶面方向上的缺陷最少,载流子迁移率最高,光电响应最大。这些活性材料生长方法和性能表征结果为制作基于MAPbX3单晶X射线/?射线探测器打下了基础。该工作发表于Crystal research and technology(2017年,卷:52期:9,1700115),Materials Letters(2019年,卷:236,26-29)和Physica Status Solidi A:Applications and Materials Science(in revision)上。2.论文研究发现在MAPbX3单晶中,降低其中卤素原子与铅原子的失配率是提高载流子迁移率的关键因素。实验研究结果表明,当MAPbX3单晶的生长前驱夜中的溴氯比例小于5:1时,生长出的晶体中存在大量的卤素空位,导致晶体是N型半导体。当卤素比例继续减小时,卤素空位增多,导致其电阻率随着禁带宽度的提高反而下降;当MAPbX3单晶的生长前驱夜中的溴氯比例大于为5:1时,存在大量的铅元素空位,导致整个晶体是P型半导体,当卤素比例继续增加时,铅元素空位增多,使得载流子的散射平均散射时间降低。MAPbX3的载流子迁移率,载流子寿命,当MAPbX3单晶的生长前驱夜中的溴氯比例为5:1时,达到最高值分别为170.5 cm2V-1s-1(电子),181.2 cm2V-1s-1(空穴),4.1微秒;MAPbX3缺陷密度最低为1.9×109cm-3。该工作发表在Materials Letters(2019年,卷:236,26-29)和Physica Status Solidi A:Applications and Materials Science(Revision)上。3.在MAPbX3晶体上制备出PN结和PIN结并利用其内部势垒抑制了探测单元暗态电流,降低了X射线和?射线探测的噪声电流,通过较高的偏置电场提高探测响应速度。1)在MAPbBr3晶体的晶面上,我们在本征的MAPbBr3单晶上上表面旋涂一层P型poly-TPD作为电子阻挡层,再在其背面依次蒸镀N型富勒烯,PCBM作为空穴阻挡层,形成PIN结构。之后再分别在两面用电子束蒸发台沉积了金电极和银电极。当该PIN结工作在反偏600 Vcm-1 V场强下时,由于电子阻挡层和空穴阻挡层可以阻止电极的注入电流,其暗态电流密度相比于基于MAPbBr3单晶的光电导结构从130μAcm-2降低到120nA cm-2,降低了约1000倍。在10 Vcm-1的场强下,其响应速度高达26μs(下降至37%)。对于30 keV的X射线探测灵敏度高达23.6μCmGy-1(64)(88)-2。是同期报道的光电导型X射线探测灵敏度的40倍。基于30 mm×28 mm×7 mm的大尺寸MAPbBr3晶体,我们提出了不同能量光子的信号提取算法,从30 keV至100 keV的多色X射线一次曝光成像信号中,分离出低能(<30 keV)和高能(>80 keV)X射线光子图像。该工作为发展低剂量的X射线减影成像探索了新的技术道路,发表于Physica Status Solidi:Rapid Research Letters(2018年,卷:12,期:10,1800380)。2)研究发现,我们通过硒掺杂进入前驱液中,通过变温结晶法生长MAPbI3晶体,在温度较低时,生长为P型半导体。随着温度上升,硒原子开始取代卤素原子,与Pb2+结合形成N型半导体。实验结果表面,当硒的掺杂浓度为0.4 gL-1时,在钙钛矿单晶内部所形成的PN结暗态电流密度最小,在250 Vcm-1场强下,其暗态电流密度低达4 nA cm-2。在2 mm厚度下,与PIN结保持相同暗态电流密度时,其响应时间从26μs降低到3μs。该PN结对60 keV的X射线光子的探测灵敏度提高到了21μCmGy-1(64)(88)-2,比蒸镀形成的PIN结的探测灵敏度(8μCmGy-1(64)(88)-2)提高了接近3倍。我们对掺杂的PN结进行了高活性的γ射线探测,对1.25 MeV的γ射线探测灵敏度高达41μCGy-1(64)(88)-2。该工作发表在Advanced Electronic Materials(2018年,卷:4,期:11,1800237),IEEE Translation on Electronic Devices(2019年,卷:66,期:1,485-490)上。4.提出溶液法外延生长技术,在N型MAPbX3单晶上外延生长本征层和P型层形成PIN结,相比于之前提出的基于旋涂蒸镀制备的PIN结的X射线探测器,外延生长层的晶格实现匹配,改善了旋涂蒸镀PIN结中的界面问题。研究发现,提出溶液法外延生长技术生长基于MAPbX3单晶的PIN结,通过实时调控生长液内的组分,任意种类的MAPbX3单晶都可以通过生长缓冲层,实现错配率低于1%的外延生长。控制前驱液中的铅元素和卤素的比例,可以对外延层的多子,少子浓度进行定量的控制,生长出级联钙钛矿单晶。级联的PIN结钙钛矿单晶的平均载流子迁移率达到超过200 cm2V-1s-1,对于140 keV硬X射线探测灵敏度达到1.58μCmGy-1(64)(88)-2。溶液法外延生长技术的实现,极大的扩展了基于钙钛矿单晶器件的应用前景。该论文目前在审稿中。
李雷[2](2016)在《无损检测技术在压力容器中的应用研究》文中提出随着我国工业的快速发展,压力容器的需求量逐年增加,而压力容器的安全性和可靠性关系着人民的生命财产安全,也关系着经济的健康快速发展,利用无损检测技术对其制造过程中焊接质量进行准确的评价和监控是保证制造可靠性和后期服役安全性的重要措施。而X射线检测技术作为压力容器中具有代表性的无损检测方法,其应用的可行性和准确性以及对缺陷的修复指导作用成为企业关注的要点。然而,实际生产中对X射线检测技术的应用方面存在很大误区,特别是其应用的可行性和参数选择问题以及对焊接缺陷评定的准确度。本课题选用型号为XXQ—2505型射线机为检测工具,从X射线检测的基本原理和规律着手,确定基本的拍摄方法和使用步骤,设计了曝光曲线的制作方案,利用阶梯试块进行实验得到母材为Q345R的焦距曝光曲线和厚度—黑度曝光曲线,并最终得到厚度和时间的曝光曲线关系图,并利用曲线图实验验证了X射线检测焊接质量和缺陷的可行性。针对某公司定制的压力容器制定了射线检测方案,并根据国家标准总结了焊接缺陷的等级判定方法和标准。利用X射线检测技术评定了产品的焊接质量和等级,对不合格的焊缝进行了缺陷原因分析,提出修复改进的措施和指导性建议,并提供技术保障,确保焊接质量的可靠性。
李小华,李俊杰,陈维,李世祯,何列,陈远登,王健旭,张博洋[3](2019)在《一起工业探伤辐射事故的国际救援概况与分析》文中指出本文结合2012年秘鲁发生的一起192Ir源工业探伤辐射事故,对其辐射安全监管机构及法律法规进行了初步介绍,并从事故发生过程、应急响应、初步剂量评估、临床表现与诊断以及IAEA援助团的医疗建议、剂量重建、受照者医疗管理、结论和经验教训等方面对该起辐射事故进了分析说明。事故的实践表明:探伤公司RPO未到探伤现场监督作业过程,由未获得探伤作业许可证的工人操作探伤设备,且未配带辐射报警仪,未利用辐射监测仪判断放射源是否回到探伤机源容器内,是事故发生的主要原因。事件和紧急情况信息统一交换系统、IAEA国际援助团的快速组建和医疗建议、IAEA会员国的密切合作、辐射损伤专业医疗技术、充足的资金,可以为事故应急和受照人员的医疗救助提供有力保障。本案例可为辐射事故应急提供借鉴和参考。
张长征[4](2012)在《γ射线曝光曲线的制作及应用》文中指出工业探伤常用的射线有γ射线和X射线。其方法是把胶片放在适当的位置,这种射线使其感光,经暗室处理后得到底片。底片上各点的黑化程度取决于射线照射量,由于缺陷部位和完好部位的投射强度不同,底片上相应部位就会出现黑度差异。底片上相邻区域黑度定义为"对比度"。把底片放在观片灯屏上
李衍[5](2004)在《压力容器无损检测——射线检测技术(Ⅰ)》文中进行了进一步梳理概述压力容器焊缝射线检测几何布置、透照技术、参数选择、条件组配、像质评价及缺陷评定的特点和要点。强调焊缝射线检测有效性与可靠性的基础及实验途径,也指出其局限性。最后列举了容器射线检测中的一些误区。
黄冬琴[6](2010)在《航空发动机精密铸件射线CR工艺研究》文中指出铸件在航空发动机中所占比重越来越高,且铸件形状复杂、工作条件苛刻,对铸件质量的要求越来越高,传统的射线胶片拍片工作量非常大、检测周期长、费用高、底片保管困难,迫切需要一种检测速度快、成本低、检测质量好、保管方便的射线检测技术。基于柔性潜影感光板的CR间接数字成像技术,克服了胶片照相的不足,且检测工艺流程与胶片基本相同,因此,成为射线胶片照相检测技术的最好替代技术。本论文主要研究了IP板的特性及航空发动机精密铸件射线CR检测工艺,对射线CR在航空发动机精密铸件中的应用具有重要的意义。在德国Duerr公司的HD-CR35型图像扫描设备及相配套的IP板的基础上。本文首先对X射线在物质中的衰减规律进行研究,建立了衰减系数与管电压、管电流的关系曲线。其次通过实验对IP板的基本空间分辨力、感光特性、能量响应特性、强度响应特性及IP板上潜在影像退化特性等进行了研究,为研究射线CR检测工艺奠定基础。再次,针对特定的X射线机制作了射线CR曝光曲线,并分析了管电压、管电流等透照参数对CR成像的对比度、对比度灵敏度、信噪比的影响。最后,根据射线CR检测标准和曝光曲线等,针对具体的航空发动机精密铸件进行了射线CR检测试验,得到了最优的航空发动机精密铸件检测工艺参数,并与射线胶片照相缺陷检测灵敏度进行了对比分析,同时结合国内外相关标准,制定了射线CR技术检测航空发动机精密铸件的一般原则及所需检测的航空发动机精密铸件工艺卡。航空发动机精密铸件射线CR检测工艺的研究,为以后射线CR技术在航空发动机精密铸件中的应用提供了理论及实验基础。
伍树坤[7](2014)在《燃气用聚乙烯管热熔焊对接接头的X射线检测和超声波检测应用研究》文中提出聚乙烯管在燃气行业的已得到广泛的应用,但聚乙烯管热熔焊对接接头的质量至今仍是以表面检查和耐压试验作为检验手段,其接头的内部质量无法通过可行有效的无损检测手段进行检测,给管线系统的安全运行留下隐忧。对聚乙烯管热熔焊对接接头进行X射线检测和超声波检测的应用研究,是为了能够利用无损检测手段检出在接头中可能存在的焊接缺陷,从而准确判断管道的安全性能,保证管线的安全运行,保障人民群众生命财产的安全。燃气用聚乙烯管热熔焊对接接头的无损检测至今仍未有一个得到公认的、成熟的标准或技术规范,本文根据聚乙烯材料特有的声学及材料特性,借鉴了常规钢材料的X射线检测和超声波检测方法和经验,经过试验、对比,指出燃气用聚乙烯管的热熔焊对接接头可分别通过X射线检测和超声波检测方法检出其内部缺陷如气孔、夹杂物等,且两种方法可以互相对照确认。X射线检测可以利用常规的射线机(最小管电压应可调至100KV),利用聚乙烯材料制作的阶梯试块进行曝光透照试验获得不同黑度的曝光曲线,从曝光曲线得到的曝光参数经验证可以得到满意的底片对比度,可检出Φ1的横孔;由于聚乙烯材料对X射线的衰减较少,所以对其进行X射线检测时宜使用较低的曝光能量,这样才能得到较好的对比度,提高缺陷的检出率。进行聚乙烯热熔焊对接接头的X射线检测前,均应对每台射线机单独制作曝光曲线,不能使用其他射线机的曝光曲线。经试验可知,体积型缺陷如气孔、夹杂等较易检出,但面积型缺陷如未熔合不易检出。超声波检测为反射脉冲式方法,使用常规的数字式超声仪,用聚乙烯材料制作专用的试块,配合聚乙烯材料制作斜楔的单晶探头,可以测定聚乙烯材料的声速、零偏、前沿、K值,制作距离-波幅曲线,进而检测工件焊接接头的内部质量;测定聚乙烯材料的声速、零偏、前沿时可采用双弧面试块,利用两个一次反射波进行测定,提高数据的准确率;用聚乙烯材料做斜楔的单晶探头实现了纯纵波检测,避免了同时存在横波时产生的干扰;通过试验对比,发现超声波检测用探头晶片宜采用较低的频率(1.25MHz),晶片尺寸一般宜采用13mm×13mm,这样可避免超声波的衰减过大,同时又保证有足够的能量进行检测。制作带圆形缺陷、夹杂物缺陷、气孔及未熔合缺陷的试件,使用X射线和超声波两种检测方法的试验结果参数分别进行检测,除射线检测对未熔合缺陷不敏感外,其他缺陷都可以通过两种检测方法检出,缺陷的位置、大小基本吻合,说明X射线检测和超声波检测方法是可行的,其应用较简单方便,具有较好的可操作性,预期能获得较好的社会效益和经济效益。
吴群[8](1998)在《黑度-透照厚度曲线及其在射线探伤中的应用》文中研究表明提出了在射线探伤中一种黑度-透照厚度曲线,论述了该曲线的制作原理和方法。列举了该曲线在射线探伤中应用实例。应用该曲线能够方便地选择透照条件和事先确定底片能达到的黑度范围,同时通过测量底片黑度,可以简便地计算缺陷深度,避免了现场探伤中焦距变化带来的麻烦和黑度范围不易保证的缺点。尤其对“针孔”及某些未焊透缺陷的质量分级提供了可靠依据,避免了主观盲目性。
盖立俊[9](2015)在《X、γ射线增感屏性能的Monte Carlo模拟研究》文中指出在工业探伤检测中,选择合适的金属增感屏可以缩短曝光时间、提高增感效率,降低对从业人员的辐射剂量。本文主要采用蒙特卡罗方法模拟了4Me V加速器、200KeVX光机、192Ir源和60Coγ光子源的光子与电子耦合输运过程,选择了原子序数低和高的两种金属屏,分别为铜、铅。模拟分别得到了两种金属屏的电子平均能量、光子与电子耦合输运效率与金属屏厚度的关系,并与实验结果对比,得到了在不同探伤仪的情况下,铜和铅金属增感屏的最佳厚度和铅金属屏的增感系数,为探伤检测中选择合适的金属屏提供了依据。在医用X射线成像中,选择合适的荧光增感屏能够提高胶片的清晰度、减少动态模糊,本文研究了可见光在荧光增感屏中的输运过程,运用蒙特卡罗(MC)方法计算了出射可见光的收集效率与增感屏厚度的关系。
周大禹,刘永忠,王兴旺[10](2018)在《核电厂役前和在役检查Co60γ射线曝光曲线的绘制及应用》文中进行了进一步梳理结合核电厂役前和在役检查的射线检测范围,分析了曝光时间计算公式和曝光计算尺在使用过程中存在的不足,通过使用Co60γ射线源、Kodak M型工业胶片、一定厚度的铅滤光片等对40130 mm厚度的钢试块进行射线透照试验,绘制出了Co60γ射线源的曝光曲线,拟合出了Co60γ射线源的曝光时间计算公式。Co60γ射线源曝光曲线或公式为完成核电厂的役前和在役检查提供了透照时间的计算依据,提高了射线检测结果的可靠性。
二、γ射线探伤曝光曲线的制作(论文开题报告)
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、γ射线探伤曝光曲线的制作(论文提纲范文)
(1)基于钙钛矿单晶的高性能X射线/γ射线探测(论文提纲范文)
摘要 |
ABSTRACT |
第一章 绪论 |
1.1 引言 |
1.2 X射线/γ射线的产生以及性质 |
1.3 数字化射线探测器的现状 |
1.4 钙钛矿单晶的介绍 |
1.5 半导体射线探测器的性能参数以及测试方法 |
1.6 本论文的选题以及设计思路 |
第二章 大尺寸有机-无机铅卤钙钛矿晶体生长的研究 |
2.1 引言 |
2.2 有机-无机铅卤钙钛矿晶体的生长方法 |
2.3 有机-无机铅卤钙钛矿单晶的非对称性 |
2.4 本章小结 |
第三章 不同卤素组成有机-无机铅卤钙钛矿单晶的性质研究 |
3.1 引言 |
3.2 不同卤素组份MAPbX_3晶体的光学性质 |
3.3 不同卤素组份钙钛矿晶体的电学性质 |
3.4 不同卤素组份钙钛矿晶体的元素组成 |
3.5 不同卤素组份钙钛矿晶体内的离子移动 |
3.6 本章小结 |
第四章 基于有机-无机钙钛矿单晶结型射线探测器 |
4.1 引言 |
4.2 结型探测器的工作原理及其基本性质 |
4.3 基于有机-无机铅卤钙钛矿单晶的PIN结 |
4.4 PIN结在X射线探测射线中性能 |
4.5 基于MAPbI3单晶PN结的生长以及其性质 |
4.6 硒参杂有机-无机铅碘钙钛矿单晶PN结的光电响应 |
4.7 本章小结 |
第五章 基于溶液法外延生长级联型钙钛矿单晶的X射线/γ射线探测器 |
5.1 引言 |
5.2 级联有机-无机铅卤钙钛矿单晶的生长 |
5.3 级联有机-无机铅卤钙钛矿单晶的性质 |
5.4 级联有机-无机铅卤钙钛矿单晶的其他应用 |
5.5 本章小结 |
第六章 全文总结与展望 |
6.1 工作总结 |
6.2 工作展望 |
参考文献 |
致谢 |
作者简介 |
(2)无损检测技术在压力容器中的应用研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 绪论 |
1.1 论文的研究背景 |
1.2 无损检测技术的国内外发展现状 |
1.2.1 无损检测技术的国外发展现状 |
1.2.2 无损检测技术的国内发展现状 |
1.3 无损检测技术的发展趋势 |
1.4 本课题研究目的和主要内容 |
1.4.1 课题研究目的 |
1.4.2 课题研究主要内容 |
第二章 无损检测技术的应用研究 |
2.1 无损检测技术概述 |
2.1.1 无损检测的分类 |
2.1.2 无损检测的特点 |
2.1.3 无损检测的目的 |
2.1.4 确定检测方法 |
2.2 X射线检测技术研究 |
2.2.1 X射线的产生及物理特性 |
2.2.2 X射线的衰减规律研究 |
2.2.3 X射线成像的原理分析 |
2.3 X射线机的透照方法简介 |
2.4 X射线机的使用方法 |
2.5 焊缝中常见缺陷类型与X射线底片特征分析 |
2.6 本章小结 |
第三章 对接焊缝的射线检测工艺实验研究 |
3.1 压力容器主要焊接接头结构分析 |
3.2 焊接板X射线探伤的实验方案的确定 |
3.2.1 X射线透照实验所需的的辅助器具 |
3.2.2 利用阶梯试块设计制作曝光曲线的方案 |
3.3 利用阶梯试块实验制作曝光曲线 |
3.3.1 制作焦距曝光曲线 |
3.3.2 实验制作透照厚度-黑度曝光曲线 |
3.3.3 制作曝光曲线图 |
3.4 X射线在缺陷识别中的可行性模拟实验 |
3.4.1 缺陷识别的模拟实验设计 |
3.4.2 X射线底片的缺陷识别与对比 |
3.4.3 缺陷识别可信度的对比验证 |
3.5 本章小结 |
第四章X射线检测技术在某压力容器中的应用 |
4.1 研究对象简介 |
4.2 主要焊缝的无损检测方案 |
4.3 基于国家标准的缺陷确定的方法研究 |
4.3.1 缺陷影像的定性研究 |
4.3.2 底片缺陷影像的级别评定方法分析 |
4.3.3 检测结果分析 |
4.4 缺陷原因分析与改进 |
4.5 改进结果 |
4.6 本章小结 |
结论和展望 |
参考文献 |
攻读学位期间取得的研究成果 |
致谢 |
(3)一起工业探伤辐射事故的国际救援概况与分析(论文提纲范文)
1 背景信息 |
1.1 辐射安全监管框架 |
1.1.1 监管机构 |
1.1.2 辐射安全立法和法律法规体系 |
1.2 秘鲁放射源的使用 |
1.3 许可和审查程序 |
1.3.1 范围 |
1.3.2 许可证申请与签发 |
1.3.3 从业人员资格 |
1.3.4 定期检查 |
1.3.5 许可证变更和延续 |
1.4 工业探伤操作的步骤 |
1.5 事故涉及的探伤设备和放射源 |
2 辐射事故 |
2.1 事故情况 |
2.1.1 地点和时间 |
2.1.2 探伤作业的详细信息 |
2.1.3 工作和工作场所的总体安排 |
2.2 事故的发生 |
2.2.1 概述 |
2.2.2 5.1 cm管道的探伤 |
2.2.3 7.6 cm和10.2 cm管道的探伤 |
2.3 初步症状和通知IPEN |
3 辐射应急 |
3.1 国家级应急 |
3.2 IAEA应急响应和国际援助 |
3.2.1 第一批IAEA国际援助团前往秘鲁 |
3.2.2 第二批IAEA国际援助团在法国为工人B提供的医疗服务 |
3.2.3 第三批IAEA国际援助团在智利为工人B提供的医疗服务 |
4 初步剂量评估 |
4.1 初步剂量评估 |
4.1.1 秘鲁专家的初步重建和评估 |
4.1.2 国际专家协助下的初步评估 |
4.2 开展更准确剂量评估的推荐措施 |
5 临床表现和初步诊断 |
5.1 前驱期临床表现 |
5.2 皮肤临床表现 |
5.3 血液学特征 |
5.3.1 工人B |
5.3.2 同事D |
5.3.3 同事E |
5.4 临床结论:病变严重程度的分类 |
6 国际援助团提出的医疗建议 |
6.1 工人B |
6.2 同事D和E |
6.3 探伤公司RPO和工人C |
7 剂量重建 |
7.1 5名工人样本的生物剂量测定 |
7.1.1 生物剂量测定技术概述 |
7.1.2 IRSN开展的生物剂量测定 |
7.2 工人B, 同事D和同事E的电子顺磁共振检测结果 |
7.2.1 电子顺磁共振技术概述 |
7.2.2 电子顺磁共振分析基本原理 |
7.2.3 剂量估算过程 |
7.2.4 样品描述和电子顺磁共振设置 |
7.2.5 电子顺磁共振剂量测定结果 |
7.3 工人B的剂量评估:计算机模拟 |
7.3.1 场景和建模的描述 |
7.3.2 计算机模拟剂量重建结果 |
7.4 生物剂量学和电子顺磁共振剂量学结论 |
7.4.1 工人B |
7.4.2 同事D |
7.4.3 同事E |
7.4.4 RPO和工人C |
8 辐射事故受照射者的医疗管理 |
8.1 秘鲁的初步医疗管理 |
8.2 工人B在法国的治疗 |
8.2.1 辐射再生障碍性贫血的管理 |
8.2.2 局部辐射损伤的医疗管理 |
8.2.3 工人B在法国治疗后的结论 |
8.3 工人B在智利的治疗 |
8.3.1 2012年12月的临床演变 |
8.3.2 援助行动计划的范围和结构 |
8.3.3 伴随第一组MSC注射的外科手术 |
8.3.4 MSC注射的后续进展 |
9 结论和经验教训 |
9.1 运营机构——工业探伤公司 |
9.1.1 安全规程 |
9.1.1. 1 调查结果 |
9.1.1. 2 经验教训 |
9.1.2 准直器的使用 |
9.1.3 初步信息的不一致 |
9.1.4 医疗费用的覆盖范围 |
9.2 国家当局 |
9.2.1 放射源的连接 |
9.2.2 生物剂量测定专业知识的可用性 |
9.2.3 与IAEA的交流 |
9.3 国际合作 |
9.3.1 区域生物剂量测定援助网络 |
9.3.2 用于国际治疗的财政资源 |
9.3.3 生物样本的运输 |
9.3.4 会员国之间的合作 |
9.3.5 IAEA的响应 |
9.4 医学领域 |
9.4.1 在确定辐射事故方面的延迟 |
9.4.2 医疗管理方案 |
9.4.3 复发的症状 |
(4)γ射线曝光曲线的制作及应用(论文提纲范文)
一、γ射线探伤的特点 |
二、曝光曲线 |
三、制作γ射线曝光曲线的特定条件 |
四、γ射线曝光曲线的制作过程 |
六、曝光曲线的应用 |
(5)压力容器无损检测——射线检测技术(Ⅰ)(论文提纲范文)
1 设备器材 |
1.1 X射线机 |
1.2 γ射线源 |
1.3 射线胶片 |
1.5 其它器具 |
2 透照布置 |
3 透照距离 |
4 曝光条件 |
4.1 射线能量 |
4.2 曝光量 |
5 像质评定 |
5.1 技术等级 |
5.2 像质计及灵敏度评价 |
5.3 黑度范围 |
6 标记标识 |
7 暗室处理 |
8 缺陷评定 |
9 可靠性和局限性[13, 14] |
10 典型误区 |
10.1 交叉部位[15] |
10.2 透照方式 |
10.3 γ源和高能X射线 |
10.4 像质计的选用与摆放位置[16] |
10.5 透照厚度比 |
11 小结 |
(6)航空发动机精密铸件射线CR工艺研究(论文提纲范文)
摘要 |
ABSTRACT |
第1章 绪论 |
1.1 课题来源及研究意义 |
1.1.1 课题来源 |
1.1.2 研究意义 |
1.2 CR 技术国内外研究现状 |
1.3 本论文主要研究内容 |
第2章 射线 CR技术成像基础 |
2.1 射线CR 检测基本原理 |
2.2 射线检测物理基础 |
2.2.1 实验设备 |
2.2.2 实验对象 |
2.2.3 试验方法 |
2.2.4 结果与讨论 |
第3章 IP板特性研究 |
3.1 IP 板基本空间分辨力测试 |
3.1.1 实验器材 |
3.1.2 分辨力测试结果 |
3.2 IP 板的动态范围 |
3.3 IP 板的谱特性 |
3.4 IP 板的感光特性曲线 |
3.5 IP 板的能量和强度响应特性 |
3.6 IP 板的退化特性 |
第4章 射线 CR检测工艺 |
4.1 CR 检测曝光曲线制作 |
4.1.1 实验仪器设备 |
4.1.2 实验步骤 |
4.1.3 实验结果 |
4.1.4 实验结果分析 |
4.2 阶梯试块CR 成像对比度分析 |
4.3 CR 技术对比度灵敏度检测 |
4.3.1 实验仪器 |
4.3.2 实验结果及讨论 |
4.4 CR 图像的信噪比 |
4.4.1 实验仪器 |
4.4.2 实验结果及讨论 |
第5章 航空发动机精密铸件射线 CR检测 |
5.1 航空发动机叶片分类及铸件缺陷种类 |
5.1.1 航空发动机叶片的分类 |
5.1.2 航空发动机铸造叶片中缺陷的产生及特点 |
5.2 航空发动机精铸叶片CR 检测 |
5.2.1 航空铸件叶片检测工艺卡 |
5.2.2 实验结果与讨论 |
5.2.3 精铸叶片CR 检测注意事项 |
第6章 总结与展望 |
参考文献 |
发表论文和参加科研情况说明 |
致谢 |
附录A |
附录B |
(7)燃气用聚乙烯管热熔焊对接接头的X射线检测和超声波检测应用研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 绪论 |
1.1 应用背景及意义 |
1.2 国外对 PE 管热熔焊对接接头质量检测的研究现状 |
1.3 国内对 PE 管热熔焊对接接头质量检测的研究现状 |
1.4 本文的主要研究内容 |
第二章 PE 管热熔焊对接接头的 X 射线检测 |
2.1 X 射线检测方法的原理概述 |
2.2 PE 管热熔焊对接接头的 RT 检测初步试验 |
2.2.1 聚乙烯材料概述 |
2.2.2 X 射线透照初步试验 |
2.2.3 不同型号 X 射线机的透照试验对比 |
2.2.4 X 射线透照试验使用的辅助器具 |
2.3 PE 试件中缺陷的初步射线检测 |
2.3.1 缺陷的类型、产生原因及避免措施 |
2.3.2 透照试验 |
2.4 通过阶梯试块确定 X 射线透照能量、制作曝光曲线 |
2.4.1 曝光曲线的概念及制作程序 |
2.4.2 选择合适的焦距 |
2.4.3 制作曝光曲线 |
2.4.4 带横孔试块的曝光试验 |
2.4.5 曝光曲线的专用性 |
2.5 检测带缺陷工件,验证曝光曲线的合理性及适用性 |
2.6 小结 |
第三章 PE 管热熔焊对接接头的超声波检测 |
3.1 超声波检测(UT 检测)的原理概述 |
3.1.1 超声波的传播 |
3.1.2 超声波的衰减 |
3.1.3 超声波用于无损检测的特点 |
3.2 拟解决的问题及方案 |
3.3 超声波检测仪的选用 |
3.4 纵波单斜探头的制作 |
3.4.1 单斜探头与双晶聚焦探头的对比 |
3.4.2 单斜探头的组成结构 |
3.4.3 单斜探头的制作 |
3.5 超声波检测用试块的制作 |
3.6 耦合剂 |
3.7 PE 材料声速的测定 |
3.8 探头零偏、前沿、K 值的调校 |
3.8.1 零偏和前沿的调校 |
3.8.2 折射角(K 值)的测定 |
3.9 制作 UT 检测使用的距离-波幅曲线 |
3.10 小结 |
第四章 X 射线检测和超声波检测在模拟试件上的对比验证 |
4.1 焊接试件的制作 |
4.2 焊接试件的 X 射线检测 |
4.3 焊接试件的超声波检测 |
4.4 焊接试件的 X 射线检测和超声波检测结果对比 |
4.5 小结 |
结论及进一步研究的设想 |
参考文献 |
致谢 |
附件 |
(9)X、γ射线增感屏性能的Monte Carlo模拟研究(论文提纲范文)
中文摘要 |
Abstract |
第1章 绪论 |
1.1 课题研究的意义 |
1.2 增感屏的研究现状 |
1.3 本课题主要研究的内容 |
第2章 增感屏工作原理 |
2.1 金属增感屏的工作原理 |
2.1.1 感光胶片成像原理 |
2.1.2 金属增感屏工作原理 |
2.1.3 金属增感屏的增感系数 |
2.1.4 X射线与物质相互作用 |
2.2 荧光增感屏 |
2.2.1 荧光增感屏的工作原理 |
2.2.2 荧光增感屏的主要性能 |
第3章 蒙特卡罗方法及应用软件简介 |
3.1 蒙特卡罗(Monte Carlo)方法介绍 |
3.1.1 蒙特卡罗方法特点 |
3.2 MCNP-4C输入文件简介 |
3.2.1 INP文件 |
3.3 MCNP程序的标题卡 |
3.4 MCNP程序的栅元卡 |
3.5 MCNP程序的曲面卡 |
3.6 MCNP-4C程序的数据卡 |
3.6.1 MCNP-4C计数 |
第四章 金属增感屏的蒙特卡罗模拟 |
4.1 ~(60)Co源光子与电子耦合输运过程数值模拟 |
4.1.1 ~(60)Co探伤仪基本内容 |
4.1.2 光子与电子耦合输运理论基础 |
4.1.3 射线检测原理 |
4.1.4 ~(60)Co探伤仪光子与电子耦合数值模拟 |
4.1.5 模拟结果 |
4.1.6 实验 |
4.2 ~(192)Ir源光子与电子耦合输运过程数值模拟 |
4.2.1 ~(192)Ir源探伤仪基本内容 |
4.2.2 模拟结果 |
4.2.3 实验 |
4.3 200KeVX光机光子与电子耦合输运过程数值模拟 |
4.3.1 X光机简介 |
4.3.2 模拟结果 |
4.3.3 实验 |
4.4 4MeV加速器光子与电子耦合输运过程数值模拟 |
4.4.1 加速器介绍 |
4.4.2 模拟结果 |
4.4.3 实验 |
4.5 本章小结 |
第五章 荧光增感屏的蒙特卡罗模拟 |
5.1 理论模型的建立 |
5.1.1 放射源设定 |
5.1.2 探测与内俘获 |
5.2 计算结果 |
5.2.1 可见光收集率 |
5.3 本章小结 |
结论 |
参考文献 |
附录 |
致谢 |
(10)核电厂役前和在役检查Co60γ射线曝光曲线的绘制及应用(论文提纲范文)
1 曝光量计算方法分析及其影响因素 |
1.1 曝光时间计算公式 |
1.2 通过曝光计算尺计算曝光时间 |
1.3 通过曝光曲线计算曝光时间 |
1.4 确定曝光量的重要性及其影响因素 |
2 绘制曝光曲线 |
2.1 设备和器材 |
2.2 曝光曲线绘制的方法和步骤 |
2.2.1 固定一些透照因素 |
2.2.2 绘制Co60γ射线源、Kodak M胶片的曝光曲线 |
3 曝光曲线的拟合方式 |
4 误差分析 |
5 曝光条件修正 |
5.1 工件材料改变时的修正 |
5.2 焦距改变时的修正 |
6 现场应用 |
7 结语 |
四、γ射线探伤曝光曲线的制作(论文参考文献)
- [1]基于钙钛矿单晶的高性能X射线/γ射线探测[D]. 王昕. 东南大学, 2019(01)
- [2]无损检测技术在压力容器中的应用研究[D]. 李雷. 长安大学, 2016(02)
- [3]一起工业探伤辐射事故的国际救援概况与分析[J]. 李小华,李俊杰,陈维,李世祯,何列,陈远登,王健旭,张博洋. 核安全, 2019(02)
- [4]γ射线曝光曲线的制作及应用[J]. 张长征. 河南科技, 2012(09)
- [5]压力容器无损检测——射线检测技术(Ⅰ)[J]. 李衍. 无损检测, 2004(02)
- [6]航空发动机精密铸件射线CR工艺研究[D]. 黄冬琴. 南昌航空大学, 2010(06)
- [7]燃气用聚乙烯管热熔焊对接接头的X射线检测和超声波检测应用研究[D]. 伍树坤. 华南理工大学, 2014(05)
- [8]黑度-透照厚度曲线及其在射线探伤中的应用[J]. 吴群. 抚顺石油学院学报, 1998(04)
- [9]X、γ射线增感屏性能的Monte Carlo模拟研究[D]. 盖立俊. 黑龙江大学, 2015(03)
- [10]核电厂役前和在役检查Co60γ射线曝光曲线的绘制及应用[J]. 周大禹,刘永忠,王兴旺. 无损检测, 2018(01)