一、DISLOCATION GLIDE IN GaAs（论文文献综述）
孙卫忠[1]（2006）在《半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶中的杂质与缺陷》文中研究指明GaAs晶体是一种电学性能优越的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，以其为衬底制作的半导体器件及集成电路，由于具有信息处理速度快等优点而受到青睐，成为近年来研究的热点。以液封直拉半绝缘GaAs为衬底的金属半导体场效应晶体管（MESFET）器件是超大规模集成电路和单片微波集成电路广泛采用的器件结构，但衬底的位错、杂质及微缺陷严重影响材料的电学均匀性，进而影响器件的性能和寿命，因此研究LEC法生长SI-GaAs（LEC SI-GaAs）衬底材料中的位错、微缺陷、杂质及它们对器件性能的影响，对GaAs集成电路和相关器件的设计及制造是非常必要的。 本课题采用超声AB腐蚀法、熔融KOH腐蚀法、X射线异常透射形貌、透射电镜、扫描电镜和X射线电子探针微区分析等分析技术对SI-GaAs单晶的位错与微缺陷、杂质等进行了系统研究，并探讨了这些缺陷对MESFET器件电参数的影响。 发现几乎所有高位错密度的SI-GaAs单晶都具有网络状胞状结构或系属结构，首次对该胞状结构和系属结构的形成机制进行了研究，从晶体生长和冷却过程的热应力、弹性形变引起位错的运动和反应考虑，分析了该结构的形成机理与过程。认为这是由高密度位错（EPD）运动和反应所形成的小角度晶界的集合群。 发现SI-GaAs中微缺陷是点缺陷凝聚的结果，它们以微沉淀、小位错环或杂质原子与本征点缺陷复合体的形式存在于砷化镓中。微缺陷的大小在微米量级，φ2″和φ3″晶片中微缺陷的分布规律有差异。多数微缺陷被位错吸附而缀饰于位错上，极少数受位错的吸附作用小，位于剥光区。 发现晶片中位错密度和分布严重影响碳的微区分布，高密度位错区，位错形成较小的胞状结构，胞内无孤立位错，碳在单个胞内呈U型分布；较低密度位错区，胞状结构直径较大，胞内存在孤立位错，碳在单个胞内呈W型分布。分散排列的高密度和低密度位错区，位错线上和完整区碳浓度变化不大。SI-GaAs中胞状结构是引起碳不均匀分布的主要原因。对这种不均匀分布的机理及对材料电学特性的影响进行了分析。 以LEC SI-GaAs晶体为衬底制作注入型MESFET器件，研究了GaAs衬底中AB微缺陷和MESFET器件电性能（包括跨导、饱和漏电流和阈值电压）的关系，并对其影响机理进
张春玲[2]（2002）在《半绝缘砷化镓中微缺陷的研究》文中研究表明砷化镓（GaAs）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子迁移率高、直接跃迁型能带结构等优点，适合于制造高频、高速、耐高温、抗辐射和发光器件。GaAs衬底质量直接影响制作在上面的器件性能。但是在GaAs单晶生产中，在描述晶体结构参数时，仅用“位错密度”（EPD）单个指标来表征半绝缘砷化镓（SI-GaAs） 单晶质量。实践表明，仅仅据此一个参数优选的“好材料”，并不一定能作出好器件。GaAs单晶中的微缺陷对生产出器件的好坏也起重要作用。 近几年国内外GaAs工作者虽然对GaAs微缺陷进行了研究，但多是针对一个方面，并且对微缺陷的定义和物理实质的解释之间均存在矛盾。本课题的目的在揭示SI-GaAs中微缺陷的物理实质，研究微缺陷在晶片上的分布规律以及与位错之间的相互作用，进一步研究微缺陷对器件性能的影响。由于微缺陷与位错之间有很强的相互作用，所以必须把位错和微缺陷同时进行研究。 课题首先使用超声AB腐蚀法（USAB）显示SI-GaAs中的缺陷图案，然后通过透射电镜（TEM）、X射线透射形貌（XRT）、快速扫描光致发光（PL Mapping）等技术，对显示出的图案进行分析，并查明这些图案的起因。 经过文献调研和实验研究，发现SI-GaAs中微缺陷是点缺陷凝聚的结果，它们以微沉淀、小位错环或杂质原子与本征点缺陷复合体的形式存在于砷化镓中。微缺陷的大小在微米量级，Φ2英寸和Φ3英寸晶片上微缺陷的分布规律有差异。多数微缺陷被位错吸附而缀饰于位错上，极少数受位错的吸附作用小，位于距位错20微米左右的剥光区。超声AB腐蚀法能显示出晶片表面的机械损伤，对缺陷的显示具有记忆效应，所以显示出的腐蚀坑并非晶片原始表面上的缺陷情况，而是腐蚀20微米左右后的缺陷的痕迹。 微缺陷能影响场效应晶体管（MESFET）的阈值电压(Vth)和跨导压缩（gm），微缺陷密度存在一临界值，当其低于该值时，跨导压缩陡然增高。因此，对微缺陷物理实质的正确理解能指导材料生产和器件工艺。
赵彦桥[3]（2007）在《大直径SI-GaAs中缺陷的微观特性及其分布》文中提出GaAs是发展最快的第二代化合物半导体材料,具有迁移率高、直接跃迁型能带结构等优点,适合制造高频、高速器件和电路。作为基础半导体材料的半绝缘砷化镓（SI-GaAs）市场需求很大,其相关电子器件已发展到光通讯、卫星通讯、网络技术等诸多领域。器件和市场的需要对GaAs单晶材料提出了越来越高的要求,要求它在增大单晶直径的同时,还要减少晶体中的缺陷,不断提高各项物理参数及其均匀性等。因此对大直径SI-GaAs中的缺陷研究至关重要。本文主要采用标准配比的AB腐蚀液和熔融KOH腐蚀液对6英寸SI-GaAs晶片进行化学腐蚀,利用金相显微镜、扫描电镜和原子力显微镜来显示和检测缺陷的形貌、分布、密度等方面的情况,发现了不同形貌的位错和微缺陷。并利用PL Mapping技术,检测了样品的均匀性,得到了样品中缺陷的整体分布状况,研究了缺陷的微观特性和形成机理。实验结果表明,大直径SI-GaAs晶片,经化学腐蚀后表面出现了明显的位错胞状结构和网状结构,随着腐蚀时间的延长还会出现环状位错和枣核形层错结构等特殊缺陷形貌;SI-GaAs中的位错和微缺陷是紧密联系并且相互作用的;沿样品的直径方向位错密度呈U型分布;SI-GaAs中各种缺陷形貌的形成与晶体的结晶学方向和晶体的生长工艺等因素有关。以上研究结果有助于材料和器件生产者了解晶体缺陷对于器件生产的影响,改进材料生产工艺,提高器件质量等。
唐蕾[4]（2003）在《半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究》文中认为砷化镓（GaAs）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子迁移率高、直接跃迁型能带结构等优点，其用途主要在两方面：一为SI-GaAs微电子器件；一为半导体GaAs光电子器件。目前，液封直拉技术生长GaAs单晶获得了广泛关注，因为它能够以合理的成本生产大直径的半绝缘单晶。半绝缘材料是生产集成电路等微电子器件的良好材料，而这种应用就要求整个晶片具有很高的均匀性。研究证明，SI-GaAs衬底电学特性的不均匀与材料中深能级微缺陷，特别是EL2（深能级施主，被认为是As的反位缺陷的复合体）有极大的关系，而这些深能级微缺陷又与热应力形成的长入位错有密切联系。 本课题采用择优腐蚀法、X射线异常透射形貌、透射电镜、扫描电镜和能量色散谱等实验方法研究SI-GaAs单晶的位错与微缺陷。发现几乎所有高位错密度的SI-GaAs单晶的表层都具有网络状胞状结构或系属结构，首次对该胞状结构和系属结构的形成机制进行了研究；直接观察微缺陷，配合EDS（能量色散谱）鉴定SI-GaAs中微缺陷的物理本质，同时分析其产生原因，讨论与位错的相互作用。最后用扫描电镜观察胞状或系属结构，来评估其对衬底电学参数不均匀性的影响。 研究成果对材料和器件生产者了解晶体缺陷对于器件生产的危害，改进材料生产工艺，控制生产流程以及提高器件质量等方面提供理论依据。
杨新荣[5]（2004）在《非掺半绝缘砷化镓中位错对碳微区分布的影响》文中进行了进一步梳理液封直拉法生产的半绝缘砷化镓单晶（LEC SI-GaAs）被广泛用于微波器件和高频集成电路的衬底材料，成为当代信息产业的重要材料之一。随着器件向更大功率、更大集成度的发展，对材料衬底的均匀性、微区均匀性，提出了更高的要求。而非掺LEC SI-GaAs中的高密度位错，往往形成胞状结构；其它杂质和点缺陷的形成与分布与该结构密切相关，并导致GaAs材料电学和光学特性的不均匀。另外，目前普遍认为非掺SI-GaAs单晶的半绝缘特性是浅受主碳和深施主EL2相互补偿的结果。因此碳和EL2的微区均匀性直接决定着GaAs材料电阻率的均匀性。随着单晶生长技术的发展，通过退火，由于SI-GaAs中理论化学配比偏离，EL2浓度可被控制在1～1.5×1016／cm-3，且分布均匀。因此碳的分布就成为决定SI-GaAs材料电阻率均匀性的一个关键因素。所以，研究碳微区均匀性就显得非常重要。 本文通过AB腐蚀、KOH腐蚀，金相显微镜观察，透射电镜能谱分析，电子探针X射线微区分析，研究了液封直拉法生长的非掺半绝缘砷化镓（LEC，SI-GaAs）单晶中碳的微区分布。发现晶片中位错密度和分布严重影响碳的微区分布，高密度位错区，位错形成较小的胞状结构，胞内无孤立位错，碳在单个胞内呈U型分布；较低密度位错区，胞状结构直径较大，胞内存在孤立位错，碳在单个胞内呈W型分布。分散排列的高密度和低密度位错区，位错线上和完整区碳浓度变化不大。因此，本文认为SI-GaAs中胞状结构是引起碳不均匀分布的主要原因，本文还研究了造成这种不均匀分布的机理，及对材料电学特性的影响。 本文的研究成果对材料和器件生产者了解晶体缺陷对于器件生产的危害，改进材料生产工艺，控制生产流程以及提高器件质量等方面提供理论依据。
童路妹[6]（2017）在《第一性原理研究Ge和GaAs的弹性常数及位错性质》文中研究指明研究半导体材料Ge和GaAs的弹性性质和动力学性质具有重要的科学意义和实际价值。本论文以线性与非线性弹性理论为基础,结合第一性原理的密度泛函理论,采用广义梯度近似和局域密度近似方法,数值计算了Ge和GaAs的二阶和三阶弹性常数。考虑不弛豫和原子弛豫的方法,计算Ge和GaAs中glide部分位错在<112>{111}滑移系统和GaAs中shuffle位错在<110>{111}}滑移系统中的广义层错能,并通过拟合得到广义层错能曲线。基于位错晶格理论,结合计算得到的二阶弹性常数和广义层错能,研究Ge和GaAs中glide 90°部分位错和GaAs中shuffle 60°位错的力学性质。获得的研究成果如下:对Ge和GaAs弹性性质研究的主要结果:计算所得Ge和GaAs的晶格常数和二阶弹性常数与实验值及先前的理论结果都符合的很好。当应变超过1.5%时就不能再运用线性弹性理论,这时就需要用到非线性弹性理论。三阶弹性常数除了C456与实验值及理论结果较大偏差,其他都符合的很好,并且当考虑到三阶弹性常数时,能量-应变的关系并不是对称的,正应变的能量总是小于负应变的能量,这也说明了大多数三阶弹性常数都是负值。对Ge和GaAs位错性质研究的主要结果:对于Ge和GaAs中glide部分位错的不稳定层错能,局域密度近似方法计算得到的不稳定层错能略高于用广义梯度近似方法计算得到的结果,考虑弛豫得到的不稳定层错能比不弛豫的低,通过弛豫方法得到的不稳定层错能大约是不弛豫的2/3,考虑到Ge和GaAs中的glide 90°部分位错通过键的旋转来滑动,在滑动过程中,会发生很大程度的弛豫,因此通过原子弛豫得到的广义层错能更合理。计算了GaAs中shuffle 60°位错的不稳定层错能,用局域密度近似计算的不稳定层错能比广义梯度近似计算的略大,且原子弛豫方法计算得到的不稳定层错能略小。对于Ge和GaAs中的glide 90°部分位错,不弛豫的位错宽度比原子弛豫的窄,考虑原子弛豫的位错宽度约为不弛豫的1.4倍,考虑原子弛豫的Peierls应力比不弛豫的小。计算得到的GaAs中shuffle 60°位错的位错宽度和Peierls应力在弛豫和不弛豫的情况下相差不大。可见,不稳定层错能越低,位错越宽,Peierls应力越小,则位错越容易滑动;对于具有金刚石及闪锌矿结构晶体中的glide位错,原子弛豫的结果对位错芯结构及Peierls应力影响较大,因此需考虑原子弛豫;而对于shuffle位错,原子弛豫对结果影响很小,从而可以忽略。
林兰英,王占国[7]（1978）在《杂质和缺陷在砷化镓中的行为》文中提出本文共分七章;第一章列出了杂质、缺陷及其络合物在砷化镓禁带中引入的能级位置分布图表。第二节说明了Ⅰ、Ⅱ、Ⅳ、Ⅵ、过渡族和稀土元素铥、钕（Tm、Nd）在砷化镓中的掺杂行为。其中对钠、铜、锌、硅、氧和铬等杂质作了重点介绍。第三章是有关高纯砷化镓材料中剩余杂质的问题,分别对体砷化镓、汽相和液相砷化镓材料中的剩余杂质作了讨论。对体砷化镓,结合我们的工作认为:硅、氧及其络合物仍是控制其性质的主要杂质,它们的存在和不均匀分布,常导致材料热学稳定性不好。对汽相外延材料,占镓位的硅(SiGa)是主要的剩余施主比较肯定;但对剩余受主看法还有争论。对液相外延材料,剩余受主和施主可能是占砷位的硅(SiAs)和氧;但考虑到高温可以除氧,所以两性杂质硅作为最后的剩余杂质存在于液相外延砷化镓里的可能性也是很大的。当然上述都是指石英系统而言,如采用石墨舟,那么碳沾污则是不可避免的。第四章结合我们的一些工作,对重掺砷化镓中的沉淀物形成和组份作了简述。特别在比较了重掺硅、碲砷化镓材料的沉淀物情况后指出:用重掺硅砷化镓衬底作的单异质结激光器的寿命要比掺碲的长得多。由于沉淀物对器件的特性影响很大,所以有些作者提出:研制无沉淀物的材料甚至比研制无位错的砷化镓材料更重要。第五节综述了缺陷、杂质—缺陷络合物等在砷化镓中的行为,其中包括位错、空位(镓空位VGa、砷空位VAs等)、空位团和络合物等。第六章简单地说明了杂质、缺陷等对 N 型砷化镓（N-GaAs）电子迁移率的影响;对体砷化镓材料,特别指出了空间电荷区的存在可能是77°K电子迁移率不能提高的重要因素。最后在简要地回顾了砷化镓纯度发展史和现况后,对今后提高砷化镓材料的质量提出了一些看法。建议重视对材料、器件和工艺之间问题的研究,区分主要矛盾,把工作做上去。
林兰英[8]（1980）在《半导体中的缺陷》文中提出 一、引言晶体是原子在三维空间按一定的排列方式周期地重复而成,但在任何实际晶体中都会有不完整的地方,称为缺陷。它们可能是点缺陷、线缺陷或是体缺陷。它们都破坏了原子的规则排列。在晶态半导体中也是这样,这些缺陷在不同程度上影响着半导体的
何亦辉[9]（2014）在《CdZnTe晶体的缺陷研究及退火处理》文中提出Cd1-xZnxTe（CdZnTe或CZT，x≈0.1）探测器由于在室温下对10100KeV的硬X和γ射线有高的空间和能量分辨率，以及高的探测效率，并且其探测系统简单且可集成度较高，因而在能谱测量和成像领域受到了高度重视。然而，由于CZT晶体生长过程中产生的缺陷繁杂，很难得到较大体积的探测器级的CZT单晶。要进一步提高晶体性能就必须先加深对缺陷的认识，在此基础上才能进行相应的后续处理以改善晶体性能。本文首先对CZT晶体中的二次相及其耦合缺陷进行了深入研究。其次，以大体积的探测器级CZT晶体材料改性为目标，进行了晶体后续退火处理的研究，通过引入不同气氛来调控晶体中的缺陷结构，研究不同结构缺陷对晶体光电性能的影响规律，实现对晶体缺陷和性能的精确控制。从夹杂相的形成机制和形貌特征分析入手，阐明了夹杂相三维形貌及其诱导缺陷花样。Te夹杂相的形貌可以由十四面体模型来描述，发现了Te夹杂相的形貌演变过程，进而探讨了十四面体模型对II-VI族碲化物晶体的普适性。Te夹杂相的实际平衡形貌为{111}B面组成的正四面体。其次，利用缺陷选择性腐蚀技术确认了在Te夹杂相周围存在六角星形的位错富集区域。经过分析，认为该位错式样在空间上局限于以夹杂相为中心的星状八面体中。通过FIB的lift-out技术对Te夹杂相周围的位错富集区域进行了原位制样和TEM观察，发现存在大量的扩展位错、层错偶极子、层错四面体以及沉淀相等缺陷，并分析了其形成机制。经过低温SEM-CL分析得出，在位错运动过程中，位错会与晶体中的本征点缺陷发生交互作用，导致位错周围本征深能级缺陷（Te反位）的形成。最后，得出了晶体生长条件（冷却速率）和熔体化学计量比对晶体中夹杂相形态和诱导缺陷的影响规律。为了改善晶体的结构均匀性，设计了不同条件下的梯度退火工艺，统计对比了退火前后晶体中夹杂相的组态变化，阐明了夹杂相的迁移行为，并最终找到了去除厚度为5mm的晶片中夹杂相的有效工艺。首先建立了简单的一维方向上的液滴热迁移模型，并据此设计了Cd/Zn和Te气氛下梯度退火条件。Cd/Zn气氛下所选用的温度区间为650750C，退火时间为120300h，温度梯度为58K/cm。其次，根据夹杂相去除效率η的大小，可以把退火结果总结成三类。在排除不充分退火条件（退火时间和温度）的影响之后，发现Te夹杂相的去除效率η总是大于70%，但其平均值限于85%。在夹杂相迁移过程中，发现尺寸效应和孔洞效应都会对其热迁移过程，乃至去除效率产生影响。总结了Cd/Zn和Te气氛下梯度退火CZT晶体的光电特性的变化，最后，分析了晶体中体位错和夹杂相诱导位错、Te沉淀相等微结构缺陷在退火前后的组态变化。为了进一步改善晶体的光电和探测性能，针对不同状态的晶体，设计了不同的Te气氛和混合气氛（Te和H2混合气氛）恒温退火条件,主要研究了退火前后晶体的光电性能和输运性能的变化,并找到了针对生长态低阻晶体的最佳退火工艺。针对去除夹杂相后的低阻晶体,PL测试表明,退火后晶体中空位型缺陷复合体的相对浓度增加。退火后晶体的电阻率提高至7.1×109Ω·cm。但其对241Am@59.5KeV的γ射线的能量分辨率相比退火前变差,主要是由于退火后晶体中的位错增殖,尤其是在原夹杂相的位置上的增殖造成的。针对生长态中高阻晶体,可以通过Te气氛下退火来进一步提高其电阻率。电阻率的提高可以减小探测器工作时漏电流引起的噪声,从而可以达到更高的能量分辨率。针对生长态低阻晶体,本文选用了5个不同的在富Cd条件下采用熔体法生长的CZT晶锭进行了退火。退火所选用的温度区间为300-600。C,退火时间为10～300h,研究了退火后晶体的光电性能,夹杂相状态以及探测性能的变化。对于某一批次退火后晶片,当所加偏压在350V至500V之间,制成的CZT平面探测器对241Am@59.5KeV的γ射线的能量分辨率在5.42%至5.90%之间,电子的μ旌0.83x10-3至1.12x10-3cm2/V之间。另外,设计并制备了混合气氛退火处理装置。在HT3和HT1退火后,晶体的输运性能都有所改善,但晶体经过HT1退火后改善更为明显,其电子的μ对曾幅接近90%。最后,进行了Φ60mm生长态圆片的退火,在此过程中设计并制备了退火专用坩埚以及坩埚封接接口等必需装置,退火后晶体的电阻率达到3.3x108Ω·cm。本文进一步分析讨论了Cd和Te气氛下退火过程中点缺陷变化的动力学过程。根据富Cd侧的缺陷化学平衡,通过EBIC实验,计算得出在640℃时Cd,缺陷在掺In的CZT中的扩散系数在（0.50～1.33）x10-7cm2/s之间。由于退火过程中Cdi原子的扩散,晶体中的点缺陷结构会由空位型缺陷占主导向间隙型缺陷占主导演变,通过PL观察也验证了该观点。据此总结了在Cd气氛下退火时,CZT晶体中电离缺陷能级的变化规律。根据富Te侧的缺陷化学平衡,在退火过程中由于Vcd的扩散,使晶体中未被补偿的D（InCd）,与Vcd作用形成空位复合体缺陷,如[Vcd-Incd]和[Vcd-2Incd]等。针对生长态低阻晶体,在经过10～200h退火后,电阻率变化与Te气氛下的Vcd的化学扩散过程十分一致,表明晶体中深能级Tecd相关缺陷的形成与Vcd密切相关。通过300-500。C退火发现,400℃左右为晶体中Tecd缺陷的形成温度。对退火后的高阻CZT晶体,发现其室温附近暗电流的热激活能约为0.78eV,与+／++的Tecd的能级位置十分接近。据此总结了在Te气氛下退火时,CZT晶体中电离缺陷能级的变化规律。最后,分析了退火前后晶体中的间隙和空位型缺陷对红外透过率曲线和PL光谱的影响规律。
王丽华[10]（2014）在《电子辐照对大直径SI-GaAs单晶性能影响的研究》文中研究说明半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶属直接带隙半导体材料，具有半绝缘特性、很高的电子迁移率和较宽的禁带，使GaAs器件表现出耐高温、低噪声、高速、高频和抗辐射能力强等优点，在通信、夜视技术和探测器等高科技领域有广泛应用。随着核技术和空间技术的发展，在辐射环境中使用半导体器件的需求日益增加。当前的商业生产上，液封直拉技术（LEC）和垂直梯度凝固技术（VGF）是生长大直径SI-GaAs单晶的两个主要工艺，因而研究电子辐照对这两种工艺SI-GaAs单晶性能的影响具有十分重要的现实意义。本文研究了电子辐照对大直径LEC和VGF工艺生长的SI-GaAs单晶结构特性和电特性的影响。采用超声AB腐蚀法，并用金相显微镜显示和观测位错、微缺陷的形貌，用傅立叶变换红外光谱仪测试EL2缺陷和杂质C浓度及其径向分布；用拉曼光谱测试电子辐照前后SI-GaAs单晶结构特性的变化；用霍尔测量系统分析不同辐照和退火条件对SI-GaAs单晶电参数的影响。结果表明，LEC SI-GaAs样品中的位错呈明显的胞状和网状的分布特征，VGF SI-GaAs样品中大多位错孤立存在，偶有少数位错相交。两种样品中的EL2缺陷和杂质C浓度相当，但径向的分布特征不同。SI-GaAs单晶的拉曼谱显示，电子辐照使两种样品的无序度增加，缺陷形态被改变，在LEC样品中表现为缺陷峰强度增大、数量增加，VGF样品表现为低能量辐照样品中缺陷峰峰位变化、高能量辐照样品中缺陷峰的数量减少。电子辐照使两种SI-GaAs单晶样品的电阻率增加、迁移率和载流子浓度减小；小剂量辐照LEC样品的迁移率变好；较高能量辐照的两种样品中，经不同退火温度处理后的电参数变化不明显，与高能辐照改变样品中缺陷形态有关；800℃快速退火处理后，样品导电类型均由n型转变为p型，载流子浓度急剧增加，电阻率和迁移率下降，这是由样品表面的As原子蒸发以及样品内部Asi外扩散共同作用的结果。
二、DISLOCATION GLIDE IN GaAs（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、DISLOCATION GLIDE IN GaAs（论文提纲范文）
（1）半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶中的杂质与缺陷（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 文献综述 |
| §1.1 GaAs材料的结构、特点及应用 |
| 1.1.1 前言 |
| 1.1.2 GaAs材料的结构 |
| 1.1.3 GaAs材料的性质 |
| 1.1.4 GaAs材料的应用 |
| 1.1.5 SI-GaAs材料的特性 |
| §1.2 SI-GaAs技术的发展及重要性 |
| §1.3 国内外SI-GaAs晶体研究的热点问题 |
| 1.3.1 SI-GaAs晶体中的点缺陷 |
| 1.3.2 SI-GaAs晶体中位错的研究 |
| 1.3.3 SI-GaAs单晶中胞状结构和系属结构的研究 |
| 1.3.4 SI-GaAs单晶中位错的电活性问题 |
| §1.4 研究SI-GaAs晶体中微缺陷与杂质的重要意义 |
| 1.4.1 SI-GaAs中单晶中微缺陷的研究现状 |
| 1.4.2 SI-GaAs单晶中主要杂质的研究现状 |
| 1.4.3 研究SI-GaAs单晶中微缺陷与杂质的重要意义 |
| §1.5 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 SI-GaAs单晶的生长工艺 |
| §2.1 GaAs单晶的生长 |
| 2.1.1 LEC技术 |
| 2.1.2.VGF/VB技术 |
| 2.1.3 其它生长技术 |
| §2.2 SI-GaAs单晶的生长 |
| 第三章 SI-GaAs单晶中的位错 |
| §3.1 SI-GaAs单晶中位错的显示 |
| 3.1.1 腐蚀机理 |
| 3.1.2 实验过程 |
| 3.1.3 实验结果 |
| §3.2 SI-GaAs单晶中的位错网络 |
| 3.2.1 X射线透射形貌技术 |
| 3.2.2 实验过程 |
| 3.2.3 实验结果 |
| §3.3 SI-GaAs单晶中胞状结构的本质 |
| 3.3.1 塑性变形的原因 |
| 3.3.2 塑性变形第一阶段 |
| 3.3.3 塑性变形第二阶段 |
| 3.3.4 塑性变形第三阶段 |
| 3.3.5 回复过程 |
| §3.4 小结 |
| 第四章 SI-GaAs单晶中的微缺陷 |
| §4.1 SI-GaAs单晶中微缺陷的观察 |
| 4.1.1 透射电镜(TEM)技术 |
| 4.1.2 SI-GaAs中微缺陷的TEM观察 |
| 4.1.3 超声AB腐蚀SI-GaAs中微缺陷的显微观察 |
| 4.1.4 SI-GaAs单晶中微缺陷与位错的相互作用 |
| 4.1.5 其它因素引起的缺陷 |
| §4.2 SI-GaAs单晶中微缺陷的实质及形成 |
| 4.2.1 微缺陷的实质 |
| 4.2.2 微缺陷的形成 |
| §4.3 小结 |
| 第五章 SI-GaAs单晶中的杂质 |
| §5.1 LEC SI-GaAs中主要杂质及EL2缺陷 |
| 5.1.1 As沉淀及其对EL2的影响 |
| 5.1.2 EL2深施主缺陷 |
| 5.1.3 碳杂质 |
| §5.2 LEC SI-GaAs中碳杂质的微区分布 |
| 5.2.1 透射电镜能谱分析研究SI-GaAs单晶中碳的微区分布 |
| 5.2.2 EPMA研究SI-GaAs单晶中碳的微区分布 |
| §5.3 小结 |
| 第六章 SI-GaAs衬底微缺陷对MESFET器件性能的影响 |
| §6.1 MESFET器件结构特性和制造工艺 |
| 6.1.1 GaAs M ESFET器件结构 |
| 6.1.2 MESFET器件的特性 |
| 6.1.3 GaAs MESFET器件的制造工艺 |
| §6.2 LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件参数的影响 |
| 6.2.1 LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件跨导的影响 |
| 6.2.2 LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件饱和漏电流的影响 |
| 6.2.3 LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件阈值电压的影响 |
| 6.2.4 LEC SI-GaAs微缺陷对MESFET器件电学参数影响的分析 |
| §6.3 小结 |
| 第七章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 |
（2）半绝缘砷化镓中微缺陷的研究（论文提纲范文）
| 第一章 文献评述 |
| §1-1 GaAs材料的结构、特点 |
| 1-1-1 GaAs的结构 |
| 1-1-2 GaAs的性质 |
| §1-2 SI-GaAs单晶生长 |
| 1-2-1 常用GaAs单晶生长方法 |
| 1-2-2 SI-GaAs单晶生长 |
| §1-3 GaAs的应用领域和发展现状 |
| 1-3-1 GaAs的应用领域 |
| 1-3-2 国内外GaAs发展现状 |
| §1-4 GaAs中常见的杂质和缺陷类型 |
| 1-4-1 点缺陷 |
| 1-4-2 SI-GaAs单晶中的位错的研究 |
| 1-4-3 对SI GaAs单晶中滑移位错形成胞状和系属结构的研究 |
| 1-4-4 SI-GaAs单晶中位错的电活性问题 |
| §1-5 研究微缺陷的重要意义 |
| §1-6 GaAs中微缺陷的研究现状 |
| 1-6-1 微缺陷定义存在的问题 |
| 1-6-2 微缺陷研究现状 |
| 1-6-3 退火的影响 |
| §1-7 本论文的研究重点和实验方法的确定 |
| 第二章 超声AB腐蚀法 |
| §2-1 腐蚀机理 |
| 2-1-1 试剂和设备 |
| 2-1-2 方法原理 |
| 2-1-3 腐蚀液各成分的作用 |
| §2-2 腐蚀过程 |
| 2-2-1 腐蚀片准备 |
| 2-2-2 AB腐蚀液配制 |
| 2-2-3 腐蚀工艺 |
| §2-3 腐蚀结果和分析 |
| 2-3-1 腐蚀结果和分析 |
| 2-3-2 与其他腐蚀法相比较的优越性 |
| 第三章 快速扫描光荧光（PL Mapping）技术 |
| §3-1 基本原理 |
| §3-2 测量过程和结果分析 |
| 第四章 X射线扫描透形貌技术 |
| §4-1 X射线扫描透射形貌技术的原理 |
| §4-2 测量过程和结果分析 |
| 第五章 透射电镜（TEM）技术 |
| §5-1 TEM的工作原理 |
| §5-2 实验结果 |
| 第六章 讨论 |
| §6-1 位错 |
| 6-1-1 位错的成因 |
| 6-1-2 位错的分布 |
| §6-2 微缺陷 |
| 6-2-1 微缺陷的分布 |
| 6-2-2 微缺陷形成的两个阶段 |
| 6-2-3 微缺陷的密度以及退火的作用 |
| §6-3 加工损伤 |
| 第七章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（3）大直径SI-GaAs中缺陷的微观特性及其分布（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1-1 GaAs 材料的结构、性质、应用领域及其发展 |
| 1-1-1 砷化镓晶体的结构特点 |
| 1-1-2 砷化镓晶体的性质 |
| 1-1-3 砷化镓的发展及其应用领域 |
| 1-2 GaAs 晶体生长工艺 |
| 1-3 GaAs 单晶材料中的缺陷 |
| 1-3-1 晶体缺陷概述 |
| 1-3-2 GaAs 中的点缺陷 |
| 1-3-3 GaAs 晶体中的线缺陷 |
| 1-3-4 GaAs 晶体中的面缺陷 |
| 1-3-5 GaAs 中的体缺陷 |
| 1-3-6 GaAs 晶体中的微缺陷 |
| 1-4 GaAs 晶体中缺陷的显示和检测 |
| 1-4-1 GaAs 缺陷显示方法 |
| 1-4-2 GaAs 中缺陷的检测技术 |
| 1-5 研究SI-GaAs 中缺陷的意义 |
| 1-6 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 实验方法 |
| 2-1 样品制备 |
| 2-2 缺陷的腐蚀 |
| 2-2-1 AB 腐蚀和超声AB 腐蚀法 |
| 2-2-2 KOH 腐蚀法 |
| 2-3 缺陷检测 |
| 2-3-1 金相显微镜 |
| 2-3-2 扫描电子显微镜 |
| 2-3-3 原子力显微镜 |
| 2-3-4 PL Mapping 技术 |
| 第三章 SI-GaAs 中的缺陷形貌 |
| 3-1 引言 |
| 3-2 AB 腐蚀法显示缺陷 |
| 3-2-1 实验过程 |
| 3-2-2 结果与讨论 |
| 3-3 KOH 腐蚀法显示缺陷 |
| 3-3-1 实验过程 |
| 3-3-2 结果与讨论 |
| 3-4 腐蚀条件不同对腐蚀形貌的影响 |
| 3-4-1 不同腐蚀时间下不同的腐蚀形貌 |
| 3-4-2 不同腐蚀方法下不同的腐蚀形貌 |
| 3-5 小结 |
| 第四章 SI-GaAs 中缺陷的微观特性及其形成机理 |
| 4-1 位错的成因 |
| 4-1-1 胞状和系属结构产生的原因及特性 |
| 4-1-2 环形位错的成因 |
| 4-2 微缺陷的形成过程 |
| 4-3 位错腐蚀坑的形成 |
| 4-3-1 腐蚀坑的形成过程 |
| 4-3-2 蚀坑法分析SI-GaAs 中的位错 |
| 4-4 小结 |
| 第五章 大直径 SI-GaAs 晶体中缺陷分布 |
| 5-1 引言 |
| 5-2 实验 |
| 5-2-1 实验样品和仪器 |
| 5-2-2 实验过程 |
| 5-2-3 结果和讨论 |
| 5-3 SI-GaAs 中位错分布及其密度的测定 |
| 5-4 小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 |
（4）半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究（论文提纲范文）
| 第一章 文献综述 |
| §1.1 GaAs材料的结构、特点 |
| 1.1.1 前言 |
| 1.1.2 GaAs材料的结构和性质 |
| §1.2 GaAs单晶生长 |
| 1.2.1 常用GaAs单晶的生长 |
| 1.2.2 SI-GaAs单晶生长 |
| §1.3 GaAs材料的应用领域和市场前景 |
| 1.3.1 GaAs材料的应用领域 |
| 1.3.2 GaAs材料的市场前景 |
| §1.4 非掺杂LEC法生长的SI-GaAs单晶中常见的缺陷 |
| 1.4.1 点缺陷 |
| 1.4.2 体缺陷 |
| 1.4.3 线缺陷 |
| §1.5 SI-GaAs单晶中位错的研究 |
| 1.5.1 SI-GaAs单晶中位错的类型、位错反应、滑移、攀移的研究 |
| 1.5.1.1 前言 |
| 1.5.1.2 SI-GaAs单晶中位错的增殖 |
| 1.5.2 SI—GaAs单晶锭中位错的引入机制、位错的类型及分布、交滑移、攀移机制的研究 |
| 1.5.2.1 前言 |
| 1.5.2.2 实验方法 |
| 1.5.2.3 结果与讨论 |
| 1.5.2.4 结论 |
| 1.5.3 LEC SI-GaAs单晶中位错的运动速度及其电活性的研究 |
| 1.5.4 SI-GaAs单晶中微缺陷与胞状结构之间的关系 |
| 1.5.4.1 引言 |
| 1.5.4.2 SI-GaAs晶体中的微缺陷 |
| 1.5.4.3 分析与讨论 |
| 1.5.5 LEC SI-GaAs单晶中位错的运动速度及其电活性的研究 |
| §1.6 研究非掺LEC法拉制的SI—GaAs晶体中缺陷的重要意义 |
| §1.7 本论文的研究重点和实验方法的确定 |
| 第二章 扫描电镜 |
| §2.1 实验（位错胞状结构对于材料电阻率的影响） |
| 2.1.1 前言 |
| 2.1.2 实验方法 |
| 2.1.3 结果 |
| 2.1.4 讨论 |
| 第三章 X射线透射形貌技术 |
| §3.1 X射线透射形貌技术的原理 |
| §3.2 LEC法拉制的SI-GaAs单晶中位错形成胞状结构和系属结构的研究 |
| 3.2.1 实验设备、实验样品参数及制备 |
| 3.2.2 实验步骤 |
| 3.2.3 实验结果 |
| 3.2.4 分析与讨论 |
| 3.2.4.1 塑性变形的原因 |
| 3.2.4.2 塑性变形第一阶段 |
| 3.2.4.3 塑性变形第二阶段 |
| 3.2.4.4 塑性变形第三阶段 |
| 3.2.4.5 回复过程 |
| 3.2.4.6 结论 |
| 第四章 透射电镜（TEM）和能谱仪研究GaAs晶体中的微缺陷和位错 |
| §4.1 透射电镜的构造及原理 |
| 4.1.1 工作原理 |
| 4.1.2 样品制备 |
| 4.1.3 典型应用 |
| §4.2 TEM（透射电镜）和EDX研究SI-GaAs单晶中的缺陷 |
| 4.2.1 引言 |
| 4.2.2 实验 |
| 4.2.3 实验结果 |
| 4.2.4 讨论 |
| 4.2.5 结论 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学位论文 |
（5）非掺半绝缘砷化镓中位错对碳微区分布的影响（论文提纲范文）
| 第一章 文献综述 |
| 1-1 GaAs材料的结构、特点及应用 |
| 1-1-1 GaAs材料的结构 |
| 1-1-2 GaAs材料的特性 |
| 1-1-3 GaAs材料的应用领域和市场前景 |
| 1-1-4 SI-GaAs材料特性 |
| 1-2 GaAs单晶生长工艺 |
| 1-2-1 GaAs单晶生长 |
| 1-2-2 SI-GaAs单晶生长 |
| 1-3 GaAs晶体中的缺陷 |
| 1-3-1 GaAs晶体中点缺陷 |
| 1-3-2 GaAs晶体中位错 |
| 1-4 SI-GaAs晶体中的缺陷 |
| 1-4-1 SI-GaAs中主要剩余电活性杂质 |
| 1-4-2 SI-GaAs中主要点缺陷 |
| 1-4-3 SI-GaAs单晶中位错及分布 |
| 1-4-4 SI-GaAs单晶中胞状结构的本质和形成机理 |
| 1-5 研究非掺LEC法拉制的SI-GaAs单晶中碳微区分布的重要意义 |
| 1-6 本论文研究重点和实验方法的确定 |
| 第二章 SI-GaAs中主要点缺陷As沉淀、EL2和C受主缺陷 |
| 2-1 As沉淀及其对EL2的影响 |
| 2-2 EL2施主中心 |
| 2-2-1 EL2深施主缺陷及其构成模型 |
| 2-2-2 EL2的浓度及其分布 |
| 2-3 碳受主缺陷 |
| 2-3-1 碳杂质的引入 |
| 2-3-2 碳杂质的萃取 |
| 2-3-3 影响单晶中碳浓度的因素 |
| 2-3-4 GaAs单晶中碳的分布 |
| 2-3-5 C对LEC SI-GaAs材料特性的影响 |
| 2-4 LEC SI-GaAs中电学补偿机理分析 |
| 第三章 SI-GaAs中位错的显示腐蚀方法 |
| 3-1 AB腐蚀 |
| 3-1-1 腐蚀法的原理 |
| 3-1-2 电化学腐蚀条件及腐蚀液各成分的作用 |
| 3-2 腐蚀过程 |
| 3-2-1 样品准备 |
| 3-2-2 AB腐蚀液配制 |
| 3-2-3 腐蚀工艺 |
| 3-3 腐蚀结果及分析 |
| 第四章 透射电镜能谱分析研究SI-GaAs中碳的微区分布 |
| 4-1 透射电镜能谱分析原理及样品制备 |
| 4-1-1 透射电镜能谱分析原理 |
| 4-1-2 透射电镜样品制备 |
| 4-1-3 位错成像衬度分析 |
| 4-2 透射电镜能谱分析研究SI-GaAs单晶中碳的微区分布 |
| 4-2-1 样品准备及实验 |
| 4-2-2 实验结果 |
| 4-2-3 结果分析及讨论 |
| 第五章 EPMA分析SI-GaAs中C受主的微区分布 |
| 5.1 电子探针X射线微区分析仪原理 |
| 5-1-1 电子探针基本原理 |
| 5-1-2 X射线波谱仪原理 |
| 5-2 EPMA分析非掺LEC SI-GaAs中碳的微区分布 |
| 5-2-1 样品及实验 |
| 5-2-2 实验结果 |
| 5-2-3 结果分析及讨论 |
| 5-2-4 小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 |
（6）第一性原理研究Ge和GaAs的弹性常数及位错性质（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 本论文的研究背景和现状 |
| 1.2 弹性常数的研究现状 |
| 1.3 位错性质的研究现状 |
| 1.3.1 半导体Ge中的位错 |
| 1.3.2 GaAs中的位错 |
| 1.4 本论文的研究意义 |
| 1.5 本论文的主要内容和安排 |
| 第二章 计算方法 |
| 2.1 第一性原理计算方法 |
| 2.2 薛定谔方程 |
| 2.3 玻恩-奥本海默近似 |
| 2.4 Hartree-Fork近似(哈特力-福克自洽场方法) |
| 2.4.1 Hartree近似 |
| 2.4.2 Fork近似 |
| 2.5 密度泛函理论 |
| 2.5.1 Hohenbery-Kohn近似 |
| 2.5.2 Kohn-Sham方程 |
| 2.5.3 局域密度近似 |
| 2.5.4 广义梯度近似 |
| 2.5.5 赝势平面波方法 |
| 2.6 计算软件VASP简介 |
| 第三章 Ge和GaAs的弹性性质 |
| 3.1 线性弹性理论 |
| 3.2 非线性弹性理论 |
| 3.3 理论方法 |
| 3.4 计算方法 |
| 3.5 计算结果与讨论 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 Ge和GaAs的广义层错能 |
| 4.1 广义层错能的概述 |
| 4.2 Ge和GaAs广义层错能的计算 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 第五章 Ge和GaAs的位错方程及Peierls势垒和Peierls应力 |
| 5.1 位错方程 |
| 5.2 位错的芯结构及Peierls势垒和Peierls应力 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 附录A (攻读硕士学位期间发表的学术论文) |
| 附录B (攻读硕士学位期间参与项目及获奖文) |
| 致谢 |
（9）CdZnTe晶体的缺陷研究及退火处理（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 论文的主要创新与贡献 |
| 目录 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 CZT 晶体的基本物理性质 |
| 1.3 CZT 核辐射探测器 |
| 1.3.1 与其它核辐射探测器相比较 |
| 1.3.2 CdTe 和 CZT 探测器的比较 |
| 1.3.3 室温核辐射探测器对 CZT 晶体的要求 |
| 1.4 CZT 晶体的结构特性 |
| 1.4.1 CZT 晶体中的微结构缺陷 |
| 1.4.2 体缺陷 |
| 1.4.3 面缺陷 |
| 1.4.4 线缺陷 |
| 1.4.5 点缺陷 |
| 1.5 CZT 晶体的光电性能和探测特性 |
| 1.5.1 光电性能 |
| 1.5.2 探测特性 |
| 1.6 CZT 晶体的退火处理 |
| 1.6.1 CZT 晶体的制备方法 |
| 1.6.2 去除夹杂相的退火 |
| 1.6.3 提高探测性能的退火 |
| 1.6.4 化学扩散 |
| 1.6.5 退火过程中晶体中的点缺陷平衡 |
| 1.7 化合物半导体的高阻机制 |
| 1.8 本文的研究思路和内容 |
| 第2章 实验方法 |
| 2.1 实验过程 |
| 2.1.1 晶片选择与处理 |
| 2.1.2 退火装置与退火实验 |
| 2.2 主要测试和表征方法 |
| 2.2.1 晶体中夹杂相分析 |
| 2.2.2 位错表征 |
| 2.2.3 沉淀相的 TEM 表征 |
| 2.2.4 低温阴极发光表征 |
| 2.2.5 低温光致发光表征 |
| 2.2.6 光学性能表征 |
| 2.2.7 电学性能表征 |
| 2.2.8 探测性能表征 |
| 第3章 CZT 晶体中夹杂相 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Te 夹杂相的 SEM 形貌观察及成分 |
| 3.2.1 Te 夹杂相的形貌 |
| 3.2.2 Te 夹杂相的成分分析 |
| 3.3 Te 夹杂相的形貌演变规律 |
| 3.3.1 Te 夹杂相的形成机制及热力学分析 |
| 3.3.2 形貌演变规律 |
| 3.4 熔体化学计量比对夹杂相的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 CZT 晶体中的 Te 夹杂相诱导位错研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Te 夹杂相诱导缺陷的 SEM 分析 |
| 4.2.1 诱导位错的腐蚀观察 |
| 4.2.2 诱导位错式样 |
| 4.3 诱导缺陷的原位 TEM 观察 |
| 4.4 以位错为主导的诱导缺陷间的交互作用 |
| 4.4.1 诱导缺陷的 SEM-CL 分析 |
| 4.4.2 缺陷间的交互作用规律 |
| 4.4.3 夹杂相周围可能富集的杂质对 SEM-CL 的影响 |
| 4.5 晶体生长条件对 Te 夹杂相诱导缺陷的影响 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 CZT 晶体中 Te 夹杂相的消除 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 液滴的热迁移机制 |
| 5.3 退火实验设计原理 |
| 5.3.1 Cd/Zn 气氛下梯度退火 |
| 5.3.2 Te 气氛下梯度退火 |
| 5.3.3 退火实验参数 |
| 5.4 Te 夹杂相的热迁移行为 |
| 5.4.1 Te 夹杂相的去除效率 |
| 5.4.2 尺寸效应对迁移行为的影响 |
| 5.4.3 孔洞效应对迁移行为的影响 |
| 5.5 不同气氛梯度退火后晶体的光电性能变化 |
| 5.5.1 Cd/Zn 气氛下梯度退火 |
| 5.5.2 Te 气氛下梯度退火 |
| 5.6 退火对晶体中其它微结构缺陷的影响 |
| 5.6.1 位错组态 |
| 5.6.2 沉淀相 |
| 5.7 本章小结 |
| 第6章 CZT 晶体的 Te 气氛退火研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 针对经 Cd/Zn 气氛退火后的低阻晶体 |
| 6.2.1 近红外光谱和 PL 谱表征 |
| 6.2.2 探测性能表征 |
| 6.3 针对生长态中高阻晶体 |
| 6.4 针对生长态低阻晶体 |
| 6.4.1 所用晶体的基本性能 |
| 6.4.2 退火实验参数 |
| 6.4.3 Te 气氛下退火对晶体性能的影响 |
| 6.5 混合气氛下退火对晶体物理性能的影响 |
| 6.5.1 所用退火装置和退火参数 |
| 6.5.2 混合气氛下退火对晶体光电及探测性能的影响 |
| 6.6 大体积晶体的退火研究 |
| 6.7 本章小结 |
| 第7章 Cd 和 Te 气氛退火机制 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 CdTe 和 CZT 晶体的高阻机制讨论 |
| 7.3 Cd 气氛下退火 |
| 7.3.1 富 Cd 侧的点缺陷平衡 |
| 7.3.2 点缺陷的化学扩散 |
| 7.3.3 结合 Cd 饱和气氛下退火分析 |
| 7.4 Te 气氛下退火 |
| 7.4.1 富 Te 侧的点缺陷平衡 |
| 7.4.2 点缺陷的化学扩散及结合 Te 饱和气氛下退火分析 |
| 7.5 结合退火机制对晶体的红外透过率和 PL 的分析 |
| 7.5.1 退火对晶体的红外透过率的影响 |
| 7.5.2 退火对晶体的 PL 光谱的影响 |
| 7.6 本章小结 |
| 本文主要结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间撰写的论文和申请专利 |
| 致谢 |
（10）电子辐照对大直径SI-GaAs单晶性能影响的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 GaAs 单晶的材料特性 |
| 1.2.1 GaAs 单晶的结构 |
| 1.2.2 GaAs 单晶的基本性质 |
| 1.2.3 GaAs 单晶的应用 |
| 1.3 GaAs 单晶结构的不完整性 |
| 1.3.1 由点缺陷导致的结构不完整性 |
| 1.3.2 由线缺陷导致的结构不完整性 |
| 1.3.3 由微缺陷导致的结构不完整性 |
| 1.4 原生 SI-GaAs 单晶的电学性能 |
| 1.5 SI-GaAs 单晶的两种主要生长技术 |
| 1.5.1 LEC 生长技术 |
| 1.5.2 VGF 生长技术 |
| 1.6 电子辐照的 GaAs 单晶 |
| 1.6.1 电子辐照原理和效应 |
| 1.6.2 GaAs 单晶的电子辐照 |
| 1.7 本文的主要研究内容 |
| 第二章 样品制备与分析技术 |
| 2.1 样品制备 |
| 2.2 缺陷腐蚀 |
| 2.2.1 电化学腐蚀 |
| 2.2.2 超声 AB 腐蚀 |
| 2.3 分析技术 |
| 2.3.1 红外吸收光谱仪 |
| 2.3.2 金相显微镜 |
| 2.3.3 快速热处理炉 |
| 2.3.4 拉曼光谱仪 |
| 2.3.5 霍尔效应测试仪 |
| 2.3.5.1 霍尔系数的测量 |
| 2.3.5.2 导电类型的判断 |
| 2.3.5.3 载流子浓度的测量 |
| 2.3.5.4 电阻率的测量 |
| 2.3.5.5 霍尔迁移率的测量 |
| 第三章 SI-GaAs 单晶中的缺陷及形成机理 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.2.1 超声 AB 腐蚀 |
| 3.2.1.1 超声 AB 腐蚀液的配制 |
| 3.2.1.2 超声 AB 腐蚀步骤 |
| 3.2.2 红外吸收测量 |
| 3.2.2.1 EL2 缺陷浓度的测量 |
| 3.2.2.2 C 杂质浓度的测量 |
| 3.2.3 微区红外测量的样品制备 |
| 3.3 实验结果与分析 |
| 3.3.1 SI-GaAs 单晶的缺陷形貌 |
| 3.3.1.1 原生 LEC SI-GaAs 单晶缺陷形貌 |
| 3.3.1.2 原生 VGF SI-GaAs 单晶缺陷形貌 |
| 3.3.2 SI-GaAs 单晶中微缺陷的浓度 |
| 3.3.2.1 EL2 缺陷浓度及其径向分布 |
| 3.3.2.2 C 杂质浓度及其径向分布 |
| 3.3.3 SI-GaAs 单晶中缺陷的形成机理 |
| 3.3.3.1 位错的形成机理 |
| 3.3.3.2 微缺陷的形成机理 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 电子辐照 SI-GaAs 单晶拉曼谱的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.3 实验结果与分析 |
| 4.3.1 辐照剂量对 SI-GaAs 单晶拉曼谱的影响 |
| 4.3.1.1 辐照剂量对 LEC SI-GaAs 单晶拉曼谱的影响 |
| 4.3.1.2 辐照剂量对 VGF SI-GaAs 单晶拉曼谱的影响 |
| 4.3.2 辐照能量对 SI-GaAs 单晶拉曼谱的影响 |
| 4.3.2.1 辐照能量对 LEC SI-GaAs 单晶拉曼谱的影响 |
| 4.3.2.2 辐照能量对 VGF SI-GaAs 单晶拉曼谱的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 电子辐照对 SI-GaAs 单晶电学性能的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.3 实验结果与分析 |
| 5.3.1 辐照剂量对 SI-GaAs 单晶电学性能的影响 |
| 5.3.1.1 辐照剂量对 LEC SI-GaAs 单晶电学性能的影响 |
| 5.3.1.2 辐照剂量对 VGF SI-GaAs 单晶电学性能的影响 |
| 5.3.2 辐照能量对 SI-GaAs 单晶电学性能的影响 |
| 5.3.2.1 辐照能量对 LEC SI-GaAs 单晶电学性能的影响 |
| 5.3.2.2 辐照能量对 VGF SI-GaAs 单晶电学性能的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 |
| 致谢 |
四、DISLOCATION GLIDE IN GaAs（论文参考文献）
- [1]半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶中的杂质与缺陷[D]. 孙卫忠. 河北工业大学, 2006(04)
- [2]半绝缘砷化镓中微缺陷的研究[D]. 张春玲. 河北工业大学, 2002(02)
- [3]大直径SI-GaAs中缺陷的微观特性及其分布[D]. 赵彦桥. 河北工业大学, 2007(07)
- [4]半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究[D]. 唐蕾. 河北工业大学, 2003(04)
- [5]非掺半绝缘砷化镓中位错对碳微区分布的影响[D]. 杨新荣. 河北工业大学, 2004(03)
- [6]第一性原理研究Ge和GaAs的弹性常数及位错性质[D]. 童路妹. 昆明理工大学, 2017(01)
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