一、相控阵雷达选用哪种管子（论文文献综述）
刘超[1]（2016）在《硅基微波/毫米波相控阵收发芯片设计》文中提出有源相控阵有着更快的波束形成、可以抵消不同方向的干扰信号,因而有着更高的信噪比和信道容量,在雷达以及无线通信中得到了广泛的应用。传统上,为了获得更高的功率容量和更低的噪声系数,一般用III-V族半导体（InP或者GaAs）来设计有源相控阵芯片。然而,为了完成有源电子扫描,一个相控阵系统往往需要成千上万个收发模块,其代价极其昂贵。相比III-V族半导体,硅基工艺虽然在功率容量、噪声系数和线性度等指标上不能和其相比,然而却可以在低成本的前提下提供非常高的集成度。因此,目前的技术趋势都是利用III-V族半导体设计超低噪声放大和超大功率输出部分,而剩下的波束对准电路都由低成本的硅基工艺来设计。波束对准电路的各个阵列单元都需要完成低噪声放大、相位控制、幅度控制、中等功率放大等功能,一般称其为多功能收发芯片,是有源相控阵中关键的技术瓶颈。本文针对应用于火控、跟踪雷达的X波段和应用于卫星通信的Ka波段,利用0.13-μm SiGe BiCMOS工艺设计了两个波段的相控阵收发芯片,其中集成了低噪声放大器、功率放大器、数字移相器、损耗补偿放大器和相应的控制开关,完成了发射和接收通道的基本功能,在各功能单元芯片设计和系统集成中都有相关亮点,为国内硅基微波毫米波相控阵收发芯片的实用化做了技术上的探索。在小信号放大器的设计中,为了克服传统多级窄带放大器级联带来的系统带宽下降的弊端,本文中设计了分布式结构的损耗补偿放大器来补偿信号通路上的无源损耗。这是相控阵收发芯片中首次应用分布式放大器来解决带宽问题。此外,本文详细分析了分布式放大器的噪声来源,说明了在中间频带分布式放大器是可以作为低噪放来使用的原理,并且分别设计了X和Ka波段的分布式低噪放。为了有效提高雷达的作用距离,需要设计高输出功率的功率放大器。然而现代先进硅基工艺的击穿电压都比较低,严重限制了功放的输出摆幅和功率。本文分析并使用了堆叠式的功率放大器来设计两个波段的功放,设计了高频补偿网络进行堆叠管电压的相位对准,从而在保证晶体管不发生击穿的前提下提高了输出电压摆幅,在X和Ka波段都实现了很高的输出功率。其中,X波段功放饱和输出功率为890 mW,是目前硅基片上实现的最大功率。微波控制电路的设计中,本文首先设计了并联NMOS式的单刀双掷开关来克服传统串联NMOS开关中插损和隔离度的矛盾关系,在开关插损可接受的范围内实现了非常高的开关隔离度。此结构的单刀双掷开关不仅用于切换发射和接收通道的控制电路中,而且用于数字移相器的切换网络中。为了在相控阵芯片中获得良好的相位分辨率和幅度一致性,本文采用上述开关结合无源网络设计了X和Ka波段的高低通网络式五位数字移相器,实现了非常好的相控功能。最后,综合考虑相控阵收发芯片接收和发射通道的增益、噪声、阻抗匹配、输出功率、相位控制、版图布局等因素,完成了系统芯片的集成设计。测试结果表明:相比目前主流文献中的设计,本文设计的X和Ka波段多功能芯片在相应的带宽内都实现了很高的信号增益和输出功率;此外,RMS相位误差和RMS增益误差较小也是本文设计的一大优点。
李松柏,陈汝淑,刘盛纲[2]（1973）在《国外微波电子管及其应用的新进展》文中提出 一、微波管发展简况微波管自出现至今已有几十年的历史,在这期间获得很大的发展（见表1）。最初,微波管主要用于雷达设备和现形加速器,特别是二次大战末期,各中新型微波管
顾颖言[3]（2006）在《L波段大功率有源相控阵雷达T/R组件的设计与实现》文中指出有源相控阵雷达是现代雷达的发展方向之一，先进的有源相控阵体制在各种不同类型的雷达中得到了越来越广泛的应用。一部有源相控阵雷达需要成千上万个发射／接收（T／R）组件，每个T／R组件通常都由功率放大器、低噪声放大器、限幅器、移相器、T／R开关、环流器及波束控制器等单元电路组成，能够实现收／发微波信号的放大与传输、收／发转换、幅相加权、波束控制等功能，相当于一部小雷达分机。它是构成有源相控阵雷达天线的基础，是有源相控阵雷达的核心部件，它的体积、重量、性能、质量、成本、可靠性等指标直接影响雷达相应的整机指标。 本文讨论了T／R组件在相控阵雷达中的应用，以及T／R组件技术的发展，重点叙述了T／R组件的组成、特点和实现方案，着重从相控阵雷达T／R组件的指标分析、大功率PIN管控制电路功率容量的确定、T／R组件批量制造一致性控制技术等方面进行了研究，阐述了L波段大功率有源相控阵雷达T／R组件的设计与实现，并给出了组件的最终结果。
杨涵[4]（2018）在《一种高性能L波段射频功率放大器的研制》文中研究说明随着射频和微波技术的发展,微波电路的设计要求不断提高,功率放大器作为微波电路中的核心器件,其性能直接决定了整个系统的性能。功率放大器的设计难点在于实现大功率输出,高线性度和高效率。射频功率放大器在现代通信系统中的主要作用是在指定频段高效率地放大射频小信号,然后通过馈线系统传送到发射天线中。功率放大器消耗了通信系统发射机中的绝大多数能量,因此提高功率放大器工作效率和输出功率是射频电路设计领域的重要研究内容。目前,相控阵雷达广泛应用于航空航天、电子对抗、测控等领域,其优良的性能得到一致的认可。功率放大器作为相控阵雷达发射组件的核心部件,直接影响到整个系统的性能。此外,微波功率放大器也是现代无线通信系统中非常重要的单元,在卫星通信、广播电视、微波遥感等领域扮演着举足轻重的角色。因此,对微波功率放大器的研究具有重要的应用价值。本文介绍了一种应用于相控阵雷达发射机的L波段功率放大器的研制方法,主要指标要求:工作频段1.35GHz-1.4GHz,1dB压缩点输出功率大于50dBm,增益大于55dB,交流效率大于45%。研制中采用四级放大结构,末级放大管选用NXP公司的LDMOS管,为了兼顾效率和线性度,末级放大电路工作在AB类。论文详细分析了不同电路功能单元电路的结构原理,包括偏置电路和匹配网络等,此外对当前比较流行和成熟的放大器设计技术,包括负载牵引技术,线性化技术和效率增强技术,进行了详细的研究。在此基础上,对课题指标和相关技术进行了深入的探讨,针对项目总体指标,设计了各个子电路和总体电路结构,并根据所涉及的电路原理图,设计了PCB图,经过电路调试,设计出来的整体电路性能指标达到了预先提出的要求。
任利霞[5]（2009）在《有源相控阵雷达T/R组件研制》文中进行了进一步梳理T/R组件在当今相控阵雷达系统中占有举足轻重的地位,本文根据设计指标提出了设计方案,研制了一种基于功率合成技术的C波段高功率T/R组件。首先研究了相控阵雷达T/R组件的结构特点,结合研制背景、指标要求以及实验条件,设计了本课题中T/R组件的总体方案,然后选用合适的技术设计实现了部分功能电路:使用微带电路设计实现了低噪声放大器和3dB电桥功率分配、合成网络;研究并利用了功率合成技术设计了大功率输出;使用了PIN管芯设计了微带限幅器,也掌握了用PIN二极管制作单刀双掷开关的方法。最后制作了实物,本文分别给出了仿真原理图、版图以及实物图,并为功能电路单独制作了夹具进行测试与调试,达到预期的效果以后以后再装入大的盒体中进行整体测试与调试。大功率功放管选用内匹配好的管子,前级推动选用了MMIC芯片。单刀双掷开关、数字移相器、数控衰减器这些微波控制电路都选用MMIC芯片,但是设计了合理的馈电电路与驱动控制电路。直流馈电电路根据实际情况选择了电感与电容组合和高阻线与扇形线组合的两种方式。最后为整个T/R组件制作了保护电路,防止了因加电不当或者温度过高而造成组件的烧毁,提高了组件工作的可靠性。实验结果显示接收通路增益大于21dB、噪声系数小于3.5dB、输入输出驻波小于1.5,对发射支路也进行了大量的调试与测试,输出功率大于10.79W,输出功率起伏小于±0.5dB,发射效率大于19.1%,比指标要求略微差些,还是达到了良好的效果。由于实验条件等原因,本组件采用的是介电常数为3.42的普通Rogers基板,并采用模块化设计,之间用腔体隔开,最后制作出来的T/R组件盒体体积是120×180×20mm3。本论文对C波段高功率T/R组件的设计流程做了较为详尽的阐述,最后总结了研制过程中出现的问题和不足,并给出了一些改进措施及设计中需要注意的问题,为以后的设计制作提供重要的经验。
秦昌[6]（2019）在《GaAs微波开关与衰减器研究与设计》文中提出随着科学技术的飞速发展,人们对通信系统的要求愈发严格,在半导体工艺不断发展的今天,微波单片集成电路（MMIC）很好地满足了人们的需求。它集截止频率高、一致性好、损耗低、输出功率高等特点于一身,因此被广泛地应用于各种民用通信系统与军用设备。在微波毫米波系统中,T/R组件是关键的组成部分,它是用来接收和发射微波信号的模块。开关与衰减器是T/R组件中的重要信号控制电路,开关控制着信号的通断与路径选择,数控衰减器在相控阵系统中与数控移相器一起控制着雷达系统的波束方向与大小。因此,研究微波开关与数控衰减器并提升它们的性能对有源相控阵雷达和各类T/R组件有重要意义。本文通过分析现代通信系统对微波开关和数控衰减器的指标要求,总结微波开关与数控衰减器的设计方法与目前的发展水平,进行了微波开关和数控衰减器电路的研究与设计。本论文分为两个部分,分别介绍微波开关与数控衰减器,其中微波开关部分介绍两个设计,数控衰减器部分介绍一个三位数控衰减器。DC15 GHz宽带单刀双掷开关基于0.25μm GaAs耗尽型pHEMT工艺设计,首先根据指标结合理论选择串并联拓扑结构,通过原理图、版图仿真,实现了DC15 GHz单刀双掷开关的设计。随后通过探针台在片测试与设计电路板、腔体进行装配测试,验证了开关性能并与仿真结果进行了对比。实现了在DC15 GHz频段内插入损耗小于2 dB,隔离度大于30 dB,线性度优于23 dBm。在7186 GHz的单刀双掷开关设计中,为了实现高频宽带的性能,首先选择了先进的0.15μm GaAs增强型pHEMT工艺,并且引入了人工传输线概念,通过构建人工传输线,优化版图设计降低损耗,实现了7186 GHz高频插入损耗小于1.2 dB,隔离度大于25 dB,输入1 dB压缩点大于-6 dBm,之后为了保证芯片的可靠性,进行了PVT分析,结果表明该芯片在一定范围内变化的环境中性能稳定。在数控衰减器部分,介绍了一个工作于23 GHz的三位数控衰减器,1 dB衰减位选用简化T型拓扑,2 dB衰减位和4 dB衰减位选择了桥T型拓扑。接着对影响衰减器性能的指标:附加相移,进行了深入的研究,通过对感性相移补偿网络的仿真,验证其可靠性。通过原理图、版图仿真,得出最终结果。最后介绍了芯片在片测试,在23 GHz内插入损耗小于1.5 dB,RMS衰减误差小于0.12 dB,附加相移小于±0.5°,输入1 dB压缩点仿真结果为24.7 dBm。
翟克园[7]（2013）在《基于多芯片组装的Ka波段相控阵接收组件的研究》文中研究说明相控阵雷达是具有多功能、多目标、高精度、反杂波、抗干扰性能的新型雷达系统,有着传统机械雷达无可比拟的优势。发射／接收（T/R）组件是有源相控阵雷达的核心所在,每个有源相控阵雷达的阵面都有众多的T/R组件组成。T/R组件的成本要占整个相控阵雷达成本的一半以上,它的各项指标对雷达的整机指标有着直接的影响,因此,对组件的研究有非常重要的意义。本论文描述一种基于多芯片组装的Ka波段相控阵接收组件,该组件对性能、体积、重量都有着较高的要求。为实现设计目标,本设计中所选用的低噪声放大器、数控衰减器、数控移相器等均选用性能优良、体积小、重量轻的砷化镓MMIC芯片,所用一分二功分器为自行设计的陶瓷薄膜电路,芯片间的互联采用匹配性好、隔离度高的SIW过渡基板。结合实验室现有条件,通过器件微组装技术实现各个器件之间的互联,该相控阵接收组件最终加工并组装成功的每个组件体积为68mm×12mm×9.42mm,重量小于20g。在本文中,对功分器、SIW进行了仿真设计,对芯片粘结、金丝键合等微组装技术进行了详细的阐述。本设计成功完成了对基于多芯片组装的Ka波段相控阵接收组件进行了仿真设计和实物加工测试,最终实现了频率在29.4GHz～31GHz内具有良好的性能。该接收组件的整体增益大于15dB,噪声系数低于3.7dB,输入输出电压驻波比小于1.5,以上参数均达到了指标要求。
张皓[8]（2020）在《多通道T/R组件关键技术研究》文中研究说明当代AESA（有源相控阵雷达）的核心模块是T/R组件,AESA的定向精准度、侦察本领、收发波数旁瓣抑制能力以及控制距离等作战指标将直接受到T/R模块的性能指标影响。而T/R模块的成本花费、模块大小以及能源消耗在星载、舰载等军事雷达系统中控制极其严格。为了进一步提高雷达的生存作战能力,研究和设计多通道收发模块集成化、轻量化、小型化的T/R组件具有重要的现实意义和工程价值。本课题基于多层复合媒质基板工艺设计了一款Ku波段24通道T/R组件,组件每个通道都有收发两条链路。所设计的24通道T/R组件在天线系统中主要实现对收、发射频信号的放大、射频信号的分配/合成、相位控制、幅度控制以及射频功率管理（调节占空比）等功能。本文依据课题技术指标,基于微波传输线理论,同时围绕组件小型化、电磁兼容、加工工艺等技术难点对课题进行方案设计,通过对版图合理布局、放大器脉冲调制设计、组件叠层优化设计以及无源结构优化仿真,将技术难点细分并逐渐的加以解决,最终对所设计组件进行装配调试。基于Wilkinson功分器原理,本课题优化设计了一款24通道微带线功分/合成网络。在Ku工作频带内,功分/合成网络的各功分端口间的隔离度≥27dB,各端口回波损耗均≥22dB;基于微波传输线理论,本课题对组件叠层设计中需要的垂直过渡结构进行分析与优化仿真,垂直过渡结构各端口的回波损耗≥25dB,具有良好的传输性能;基于热设计的理论基础及遵循原则,通过Flotherm热仿真软件对组件的散热性能进行分析,验证了组件可靠的散热性能。在Ku工作频率范围内,本课题设计的T/R组件的24路收发通道驻波均≤1.35;24通道同时工作时接收增益≥17.3dB（≥3.5dB@单通道工作）,单通道接收噪声系数≤4.35 dB,不同移相状态增益变化均≤1dB;单通道发射功率≥22.9dBm,带内杂散抑制≥70dBc,功率波形脉冲顶降≤0.2 dB,上升下降沿脉冲均≤20ns,24通道T/R模块的尺寸为231mm×40mm×8.5mm。该组件具有通道数多,集成度高,体积小的特点。
高黎文[9]（2018）在《X波段相控阵雷达T/R组件的设计与研究》文中研究表明相控阵雷达系统一般按工作体制的不同可分为有源和无源相控阵雷达,有源相控阵雷达天线阵的每一阵元后均接有如固态功率放大器、低噪声放大器、数字移相器、电调衰减器等模块组成的子收发组件。而无源相控阵雷达通常仅有一部或若干部由电真空器件组成的大功率发射机。有源相控阵雷达可通过控制天线阵阵元间信号的相位差来实现波速赋形,使总体的信号波形在某一个指定的方向上得到较大的发射功率,这降低了对大功率器件的依赖,减小了设计难度。相较于无源相控阵雷达中的电真空器件,由于采用有更低工作电压的固态功率器件,使得有源相控阵雷达可以设计得体积更小、重量更轻,并且系统的响应速度更快,可靠性更高。有源相控阵雷达正是有着如此多的优点而被业内广泛关注。收发组件的设计是有源相控阵雷达设计问题的重中之重,有源相控阵雷达整体的性能将直接依赖于所设计的收发组件的工作性能,并且收发组件的制造成本几乎占据了雷达总造价的百分之七十左右。故合理设计出成本低、体积小、可靠性高的收发组件是有源相控阵雷达是否具有更广阔应用前景的关键所在。本文设计了一种工作在X波段的收发组件,采用混合集成电路的方式独立设计和制作了其中的关键单元模块,包括环行器、功率放大器、低噪声放大器、微波开关和数字/模拟移相器,完成了相应的测试工作,并对其中的一些关键器件如微波环行器和模拟移相器等进行了创新性的设计。设计了一种工作在6GHz18GHz频段的超宽带微带铁氧体环行器,创新性地采用了一种由复合铁氧体材料构成的电路基板,使由其制作的环行器能够工作在三倍频程的带宽内,实现了环行器宽带化和小型化的需求,为今后设计宽带化的收发组件奠定了基础。设计了一种工作在9.5GHz10.5GHz频段的360°电调模拟移相器,该模拟移相器可在工作频带内通过连续改变其偏置电压实现模拟移相器的相移量在0360°内连续变化。该模拟移相器由一支环行器和与其连接的反射电抗网络组成,通过合理的设计反射电抗网络的内部结构,在仅用两支变容二极管的条件下,使由其构造的模拟移相器的相移量能够在0360°内连续可调,实现了模拟移相器小型化的设计需求,为今后雷达收发组件设计的小型化奠定了基础。
侯孝攀[10]（2020）在《S波段四位数字移相技术研究》文中认为移相器,相控阵雷达中的重要器件,以电控的方式改变波瓣的倾斜角度,替代了传统的机械转动,提升了雷达的性能与效率。通信基站中也应用了移相器,通过电调天线,增大了基站的覆盖面积,使基站的利用率进一步升高。除此之外,移相器在微波测量,电力系统功率控制等领域也有着应用。插入损耗低,相位精度高,尺寸小,功率容量大,开关速度快等都是移相器需要发展的方向。论文论述了PIN二极管的组成原理以及正向偏置和反向偏置的工作原理以及对应的等效电路。其次对半导体移相器的几种类型的工作原理以及各自的特点进行了详细的说明。最后,基于PIN二极管,采用了开关线型移相器的原理,设计了一款S波段四位数字移相器,并对几种电路拓扑结构中的PIN管的功率损耗作了对比说明,设计了一款S波段四位数字移相器,该移相器具有较低插损。同时,详细介绍了各个移相器单元的设计、仿真和调试。本文设计的一个四位移相器的工作频带为3.3GHz-3.8GHz。最后,对加工好的移相器实物完成了性能测试。从测试结果可以知道,移相器的中心频率（3.55GHz）的相位精度在小于±1°,插入损耗基本上控制小于1.5dB,输入回波损耗和输出回波损耗也基本上低于-15dB。
二、相控阵雷达选用哪种管子（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、相控阵雷达选用哪种管子（论文提纲范文）
（1）硅基微波/毫米波相控阵收发芯片设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.1.1 相控阵雷达的背景与意义 |
| 1.1.2 相控阵收发芯片的背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 相控阵的国内外研究现状 |
| 1.2.2 相控阵收发芯片的国内外研究现状 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 |
| 1.4 本论文的结构安排 |
| 第二章 有源相控阵收发芯片系统设计 |
| 2.1 系统结构分析 |
| 2.2 硅基相控阵收发芯片的优势 |
| 2.3 本文采用的SiGe BiCMOS工艺介绍 |
| 2.4 收发芯片系统设计 |
| 2.4.1 X波段收发芯片系统设计 |
| 2.4.2 Ka波段收发芯片系统设计 |
| 2.5 本章总结 |
| 第三章 小信号放大器设计 |
| 3.1 小信号放大器介绍 |
| 3.2 宽带损耗补偿放大器设计 |
| 3.2.1 分布式放大器介绍 |
| 3.2.2 分布式结构的损耗补偿放大器设计 |
| 3.2.3 芯片测试结果 |
| 3.3 X波段分布式低噪放设计 |
| 3.3.1 分布式低噪放分析 |
| 3.3.2 分布式低噪放设计 |
| 3.3.3 芯片测试结果 |
| 3.4 Ka波段分布式低噪放设计 |
| 3.4.1 Ka波段分布式低噪放 |
| 3.4.2 芯片测试结果 |
| 3.5 本章总结 |
| 第四章 功率放大器设计 |
| 4.1 功率放大器介绍 |
| 4.1.1 功率放大器概述和技术指标 |
| 4.1.2 功率放大器的分类 |
| 4.1.3 相控阵芯片中的功放 |
| 4.2 堆叠式功率放大器 |
| 4.3 X波段功率放大器设计 |
| 4.3.1 堆叠式拓扑结构的选择 |
| 4.3.2 X波段功放整体设计考虑 |
| 4.3.3 直流偏置网络设计 |
| 4.3.4 堆叠管输入网络设计 |
| 4.3.5 稳定性考虑 |
| 4.3.6 高频补偿网络设计 |
| 4.3.7 版图设计考虑 |
| 4.3.8 芯片测试结果 |
| 4.4 Ka波段功率放大器设计 |
| 4.4.1 Ka波段功放设计 |
| 4.4.2 芯片测试结果 |
| 4.5 本章总结 |
| 第五章 微波控制电路设计 |
| 5.1 微波控制电路介绍 |
| 5.1.1 微波开关 |
| 5.1.2 移相器 |
| 5.2 X波段单刀双掷开关设计 |
| 5.2.1 并联NMOS式单刀双掷开关设计 |
| 5.2.2 芯片测试结果 |
| 5.3 Ka波段单刀双掷开关设计 |
| 5.3.1 Ka波段并联式SPDT设计 |
| 5.3.2 测试结果 |
| 5.4 X波段移相器设计 |
| 5.4.1 各级移相器单元设计 |
| 5.4.2 移相器整体设计 |
| 5.4.3 芯片测试结果 |
| 5.5 Ka波段移相器设计 |
| 5.5.1 Ka波段移相器电路设计 |
| 5.5.2 芯片测试结果 |
| 5.6 本章总结 |
| 第六章 系统收发芯片测试结果 |
| 6.1 系统集成与考虑 |
| 6.2 X波段相控阵收发芯片测试结果与讨论 |
| 6.3 Ka波段相控阵收发芯片测试结果与讨论 |
| 6.4 本章总结 |
| 第七章 全文总结与展望 |
| 7.1 全文总结 |
| 7.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（3）L波段大功率有源相控阵雷达T/R组件的设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 T／R组件在有源相控阵雷达中的应用 |
| 1.2 T／R组件的发展 |
| 1.3 L波段大功率有源相控阵雷达T／R组件的研制 |
| 第二章 相控阵雷达中T／R组件的指标研究 |
| 2.1 T／R组件的组成和特点 |
| 2.2 T／R组件的主要技术指标与雷达性能的关系 |
| 2.3 T／R组件的方案 |
| 2.3.1 移相器与衰减器模块 |
| 2.3.2 限幅器与低噪声放大器模块 |
| 2.3.3 滤波器 |
| 2.3.4 双工器 |
| 2.3.5 功率放大器 |
| 2.3.6 逻辑板 |
| 2.3.7 驱动板 |
| 2.3.8 结构 |
| 2.3.9 分析和计算 |
| 2.3.9.1 发射输出功率与放大链 |
| 2.3.9.2 接收增益 |
| 2.3.9.3 噪声系数 |
| 2.3.9.4 可靠性预计 |
| 第三章 大功率PIN管控制电路功率容量的确定 |
| 3.1 开关电路功率容量的理论估算 |
| 3.2 电路的匹配状况、工作环境和可靠性要求对功率容量的影响 |
| 3.3 反向偏置电压、射频信号频率和形式对功率容量的影响 |
| 3.4 结论 |
| 第四章 T／R组件批量制造一致性控制技术 |
| 4.1 微波电路基板大面积焊接接地技术 |
| 4.2 幅相测试误差控制技术 |
| 4.2.1 发射幅度(功率)测试误差控制 |
| 4.2.2 发射相位测试误差控制 |
| 4.2.3 接收幅相测试误差控制 |
| 4.2.3.1 校准过程的影响 |
| 4.2.3.2 矢量网络分析仪的影响 |
| 4.2.3.3 不同测试电缆的影响 |
| 4.3 幅相调试一致性控制技术 |
| 4.3.1 合理分配各级模块幅相指标 |
| 4.3.2 选择合适的幅相基准 |
| 4.3.3 控制温湿度变化对幅相的影响 |
| 4.3.4 应用数据处理软件进行数据分析 |
| 第五章 结论 |
| 5.1 T／R组件研制情况 |
| 5.2 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（4）一种高性能L波段射频功率放大器的研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 研究现状与趋势 |
| 1.2.1 相控阵雷达的发展及概况 |
| 1.2.2 晶体管技术的发展和LDMOS半导体简介 |
| 1.2.3 功率放大器设计技术 |
| 1.3 本文的主要内容和结构 |
| 第2章 射频功率放大器简介 |
| 2.1 二端口网络参数 |
| 2.2 放大电路稳定性分析 |
| 2.3 射频功率放大器特性指标 |
| 2.3.1 工作频带 |
| 2.3.2 功率增益 |
| 2.3.3 输出功率和压缩点 |
| 2.3.4 效率 |
| 2.3.5 增益平坦度 |
| 2.3.6 线性分析 |
| 2.4 射频功率放大器工作状态 |
| 2.5 阻抗匹配网络设计 |
| 2.5.1 L型集总元件匹配网络 |
| 2.5.2 分布式元件匹配网络 |
| 第3章 放大器设计理论 |
| 3.1 负载牵引理论 |
| 3.2 提高线性度方法 |
| 3.2.1 功率回退法 |
| 3.2.2 负反馈法 |
| 3.2.3 前馈法 |
| 3.2.4 预失真 |
| 3.2.5 包络消除与恢复法(EER) |
| 3.3 效率增强设计 |
| 第4章 功率放大器设计 |
| 4.1 项目技术指标 |
| 4.2 功率放大器总体设计方案 |
| 4.2.1 功率放大器总体设计方案 |
| 4.3 指标分配及器件选取 |
| 4.3.1 指标分配 |
| 4.3.2 功放元器件和PCB电路板选型 |
| 4.4 功率放大器电路设计 |
| 4.4.1 板材选择 |
| 4.4.2 前置级功率放大电路设计 |
| 4.4.3 驱动级功率放大电路设计 |
| 4.4.4 末级功率放大器电路设计 |
| 4.4.5 控制检波电路设计 |
| 4.4.6 直流供电电路设计 |
| 4.4.7 PCB版图设计 |
| 4.4.8 功率放大器结构、屏蔽和热设计 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 测试方法及测试结果 |
| 5.1 调试 |
| 5.2 测试方法及测试结果 |
| 5.2.1 准备工作 |
| 5.2.2 测试条件和测试方法 |
| 5.2.3 测试结果 |
| 第6章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 |
| 附录1 系统整体原理框图 |
| 附录2 系统整体PCB版图 |
| 附录3 系统结构图 |
| 附录4 专利证书 |
（5）有源相控阵雷达T/R组件研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景以及国内外研究现状 |
| 1.1.1 相控阵雷达T/R 组件的研究背景 |
| 1.1.2 国内外研究现状 |
| 1.2 有源相控阵雷达的简述 |
| 1.2.1 有源相控阵雷达的发展状况 |
| 1.2.2 有源相控阵雷达的结构特点 |
| 1.2.3 T/R 组件在相控阵雷达中的作用 |
| 1.3 课题意义与内容 |
| 第二章 T/R 组件总体方案设计 |
| 2.1 T/R 组件的简述 |
| 2.2 总体方案设计 |
| 2.2.1 技术指标要求 |
| 2.2.2 系统方案与指标分配 |
| 第三章 低噪声放大电路的设计 |
| 3.1 低噪声放大器的理论基础 |
| 3.1.1 低噪声放大器的噪声系数 |
| 3.1.2 低噪声放大器的稳定特性 |
| 3.1.3 转换功率及等增益圆 |
| 3.2 低噪声放大器的设计与优化 |
| 3.2.1 设计低噪声放大器的一般方法 |
| 3.2.2 利用ATF36077 设计低噪放的第一级 |
| 3.2.3 三级低噪放的整体设计 |
| 3.3 低噪声放大器的实验研究 |
| 3.3.1 噪声系数测试 |
| 3.3.2 幅频特性测试 |
| 3.3.3 实验结果分析与讨论 |
| 第四章 微波控制电路的研究与设计 |
| 4.1 PIN 二极管的介绍 |
| 4.1.1 PIN 二极管的基本原理 |
| 4.1.2 PIN 二极管的等效电路 |
| 4.2 微波限幅器 |
| 4.2.1 限幅器的工作原理 |
| 4.2.2 C 波段限幅器的研制 |
| 4.2.3 限幅器的实验研究 |
| 4.3 微波开关 |
| 第五章 功率放大器与功率合成技术 |
| 5.1 功率合成技术 |
| 5.1.1 功率合成技术的介绍 |
| 5.1.2 3dB 电桥功率分配、合成网络的设计 |
| 5.2 功率放大器的设计 |
| 5.2.1 末级功率放大器的设计 |
| 5.2.2 功率放大器的级联设计 |
| 5.3 功率放大器的实验研究 |
| 5.3.1 功率特性测试系统 |
| 5.3.2 功率特性测试结果 |
| 第六章 T/R 组件的系统设计与测试 |
| 6.1 公共通道中器件的介绍 |
| 6.2 相控阵雷达T/R 组件的实现 |
| 6.2.1 驱动控制与保护电路设计 |
| 6.2 2 版图与结构设计 |
| 6.3 T/R 组件的实验研究 |
| 6.3.1 接收通道的测试 |
| 6.3.2 发射通道的测试 |
| 6.4 测试结果分析与讨论 |
| 第七章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻硕期间所取得的研究成果 |
（6）GaAs微波开关与衰减器研究与设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 微波开关和衰减器国内外研究现状 |
| 1.2.1 微波开关国内外研究现状 |
| 1.2.2 数控衰减器国内外研究现状 |
| 1.3 本文的主要工作和组织结构 |
| 第二章 微波开关与数控衰减器的基础理论 |
| 2.1 pHEMT管 |
| 2.1.1 pHEMT管的结构 |
| 2.1.2 pHEMT管模型 |
| 2.2 微波开关的基本原理 |
| 2.2.1 微波开关的关键指标 |
| 2.2.2 微波开关的典型电路结构 |
| 2.3 数控衰减器的基本原理 |
| 2.3.1 数控衰减器的关键指标 |
| 2.3.2 数控衰减器的典型电路结构 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 DC~15 GHz单刀双掷开关MMIC设计 |
| 3.1 微波开关电路设计指标及工艺选择 |
| 3.2 电路关键设计 |
| 3.2.1 拓扑结构选择 |
| 3.2.2 原理图设计与仿真 |
| 3.2.3 版图设计与仿真 |
| 3.3 仿真结果与测试结果对比 |
| 3.3.1 在片测试结果 |
| 3.3.2 装配测试结果 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 71~86 GHz单刀双掷开关MMIC设计 |
| 4.1 微波开关电路设计指标及工艺选择 |
| 4.2 电路关键设计 |
| 4.2.1 拓扑结构选择 |
| 4.2.2 带宽拓展技术 |
| 4.3 原理图设计与仿真 |
| 4.4 版图设计与仿真 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 微波数控衰减器MMIC设计 |
| 5.1 设计指标 |
| 5.2 电路关键设计 |
| 5.2.1 1dB位设计 |
| 5.2.2 2dB位设计 |
| 5.2.3 4dB位设计 |
| 5.2.4 附加相移补偿电路 |
| 5.3 原理图设计与仿真 |
| 5.4 版图设计与仿真 |
| 5.5 仿真与测试结果对比 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 全文总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 不足与未来工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（7）基于多芯片组装的Ka波段相控阵接收组件的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 1. 绪论 |
| 1.1 概述 |
| 1.2 相控阵雷达的发展 |
| 1.3 T/R组件的发展状况 |
| 1.4 本课题主要设计指标 |
| 2 相控阵接收组件的基本介绍和基本组成部分原理 |
| 2.1 接收组件的简述 |
| 2.2 低噪声放大器 |
| 2.2.1 单端低噪声放大器的增益 |
| 2.2.2 单端低噪声放大器的稳定性 |
| 2.2.3 单端低噪声放大器的噪声系数 |
| 2.3 数控衰减器的基本原理介绍 |
| 2.3.1 PIN二极管衰减器介绍 |
| 2.3.2 GaAs MESFET管微波数控衰减器 |
| 2.4 数字移相器基本原理 |
| 2.5 功率分配器的基本原理 |
| 3 相控阵接收组件的设计 |
| 3.1 组件方案设计 |
| 3.2 芯片的选择 |
| 3.2.1 低噪声放大器芯片的选择 |
| 3.2.2 数控衰减器的选择 |
| 3.2.3 数控移相器的选择 |
| 3.3 介质基板材料的选择 |
| 3.4 功分器的仿真设计 |
| 3.5 SIW的仿真设计 |
| 3.6 金丝互联结构仿真设计 |
| 3.6.1 单跟金丝互联结构仿真 |
| 3.6.2 两根金丝互联结构仿真 |
| 4 组件的工艺实现 |
| 4.1 多芯片组装粘片技术的实现 |
| 4.2 金丝键合技术的实现 |
| 4.2.1 焊接工艺 |
| 4.2.2 球焊机焊机原理 |
| 4.2.3 楔形金丝键合焊接原理 |
| 4.2.4 金丝焊接牢固度检测 |
| 5 相控阵接收组件的测试 |
| 5.1 相控阵接收组件的测试方案 |
| 5.1.1 测试内容 |
| 5.1.2 测试仪器 |
| 5.1.3 测试方案框图 |
| 5.2 相控阵接收组件的测试结果 |
| 5.2.1 组件带外抑制的测试 |
| 5.2.2 组件噪声系数和增益的测试 |
| 5.2.3 组件驻波比测试 |
| 5.2.4 移相精度的测量 |
| 5.2.5 衰减精度的测量 |
| 5.3 测试结论 |
| 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（8）多通道T/R组件关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景与意义 |
| 1.2 国内外研究进展 |
| 1.2.1 国内研究进展 |
| 1.2.2 国外研究进展 |
| 1.3 本文主要内容 |
| 第二章 T/R组件相关理论及小型化设计 |
| 2.1 微波传输线理论 |
| 2.1.1 微带线和带状线 |
| 2.1.2 同轴线 |
| 2.2 Wilkinson功率分配器理论 |
| 2.3 T/R组件小型化技术 |
| 2.4 多层板加工工艺流程及规范 |
| 2.4.1 多层板加工流程 |
| 2.4.2 多层板加工规范 |
| 2.5 微波多层板技术与LTCC技术的对比 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 Ku波段24 通道T/R组件方案与无源电路研究 |
| 3.1 Ku波段24 通道T/R组件设计指标 |
| 3.2 Ku波段24 通道T/R组件总体方案 |
| 3.2.1 发射支路链路设计 |
| 3.2.2 接收支路链路设计 |
| 3.3 Ku波段24 通道多功能芯片指标分析 |
| 3.4 Ku波段24 通道微带线功率分配/合成网络设计 |
| 3.5 Ku波段24 通道T/R组件互联结构研究 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 Ku波段24 通道T/R组件设计与测试 |
| 4.1 Ku波段24 通道T/R组件叠层设计 |
| 4.2 Ku波段24 通道T/R组件布局设计 |
| 4.3 Ku波段24 通道T/R组件控制电路设计 |
| 4.4 Ku波段24 通道T/R版图设计 |
| 4.5 热仿真分析 |
| 4.6 加工及测试 |
| 4.6.1 引线键合微组装工艺 |
| 4.6.2 装配流程 |
| 4.6.3 组件测试 |
| 4.6.3.1 多功能芯片测试验证 |
| 4.6.3.2 接收支路测试 |
| 4.6.3.3 发射支路测试 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 全文总结与展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（9）X波段相控阵雷达T/R组件的设计与研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景及意义 |
| 1.1.1 相控阵雷达 |
| 1.1.2 T/R组件基本原理 |
| 1.2 相控阵雷达及T/R组件的国内外发展概况 |
| 1.2.1 国内研究现状 |
| 1.2.2 国外研究现状 |
| 1.3 本论文的研究内容 |
| 1.3.1 本论文项目的技术指标 |
| 1.3.2 本论文项目的技术方案 |
| 第二章 微波铁氧体器件的设计 |
| 2.1 微波铁氧体环行器的设计 |
| 2.1.1 铁氧体结环行器的工作原理 |
| 2.1.2 微带铁氧体结环行器的设计理论 |
| 2.1.3 超宽带微带环行器的计算与仿真 |
| 2.1.4 超宽带微带环行器的制作与测试 |
| 2.1.5 结果分析 |
| 2.2 微波模拟移相器的设计 |
| 2.2.1 铁氧体模拟移相器的工作原理 |
| 2.2.2 铁氧体模拟移相器的设计与仿真 |
| 2.2.3 铁氧体模拟移相器的制作与测试 |
| 2.2.4 结果分析 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 微波控制电路的设计 |
| 3.1 PIN二极管 |
| 3.1.1 PIN二极管的工作原理 |
| 3.1.2 PIN二极管的等效电路 |
| 3.2 微波开关的设计 |
| 3.2.1 微波开关的原理及设计理论 |
| 3.2.2 单刀双掷开关的设计与仿真 |
| 3.2.3 单刀双掷开关的制作与测试 |
| 3.2.4 结果分析 |
| 3.3 微波数字移相器的设计 |
| 3.3.1 数字移相器的原理及设计理论 |
| 3.3.2 四位数字移相器的设计与仿真 |
| 3.3.3 四位数字移相器的制作与测试 |
| 3.3.4 结果分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 微波晶体管放大电路的设计 |
| 4.1 微波晶体管放大器的设计理论 |
| 4.1.1 最大增益设计 |
| 4.1.2 最小噪声设计 |
| 4.1.3 最大功率输出设计 |
| 4.2 微波晶体管放大器的设计与仿真 |
| 4.2.1 固态功率放大器的设计 |
| 4.2.2 低噪声放大器的设计 |
| 4.3 固态功率放大器的制作与测试 |
| 4.3.1 功率放大器的自激分析 |
| 4.3.2 功率放大器的可靠性设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻硕期间的研究成果 |
（10）S波段四位数字移相技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 移相器的基本概念及应用 |
| 1.2 移相器的发展动态 |
| 1.3 本文结构安排 |
| 第二章 微波电控器件及PIN二极管 |
| 2.1 微波电控器件简述 |
| 2.2 PIN二极管基本原理及特性 |
| 2.3 PIN二极管的等效电路 |
| 2.4 PIN二级管的主要参数 |
| 2.5 微带线开关 |
| 2.6 PIN二极管管芯金丝键合工艺 |
| 2.7 小结 |
| 第三章 数字移相器 |
| 3.1 基本移相原理 |
| 3.2 移相器的主要性能指标 |
| 3.2.1 移相精度 |
| 3.2.2 功率容量 |
| 3.2.3 插入损耗 |
| 3.2.4 插入驻波比 |
| 3.2.5 工作频带 |
| 3.2.6 动作时间 |
| 3.3 不同结构类型的移相器及电路分析 |
| 3.3.1 开关线型移相器 |
| 3.3.2 负载线型移相器 |
| 3.3.3 反射型移相器 |
| 3.3.4 高通-低通型移相器 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 S波段四位数字移相技术研究 |
| 4.1 拓扑结构选择 |
| 4.1.1 2×2×2×2 串联型 |
| 4.1.2 2×2×2×2 并联型 |
| 4.1.3 4×2 串联型 |
| 4.1.4 对比分析 |
| 4.2 元器件选择 |
| 4.3 各个移相单元的设计与仿真 |
| 4.4 版图与腔体设计 |
| 4.5 控制电路设计 |
| 4.6 移相器的组装与调试 |
| 4.7 实物测试 |
| 第五章 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
四、相控阵雷达选用哪种管子（论文参考文献）
- [1]硅基微波/毫米波相控阵收发芯片设计[D]. 刘超. 电子科技大学, 2016(02)
- [2]国外微波电子管及其应用的新进展[J]. 李松柏,陈汝淑,刘盛纲. 电子管技术, 1973(06)
- [3]L波段大功率有源相控阵雷达T/R组件的设计与实现[D]. 顾颖言. 南京理工大学, 2006(01)
- [4]一种高性能L波段射频功率放大器的研制[D]. 杨涵. 深圳大学, 2018(01)
- [5]有源相控阵雷达T/R组件研制[D]. 任利霞. 电子科技大学, 2009(11)
- [6]GaAs微波开关与衰减器研究与设计[D]. 秦昌. 电子科技大学, 2019(01)
- [7]基于多芯片组装的Ka波段相控阵接收组件的研究[D]. 翟克园. 南京理工大学, 2013(07)
- [8]多通道T/R组件关键技术研究[D]. 张皓. 电子科技大学, 2020(08)
- [9]X波段相控阵雷达T/R组件的设计与研究[D]. 高黎文. 电子科技大学, 2018(09)
- [10]S波段四位数字移相技术研究[D]. 侯孝攀. 电子科技大学, 2020(07)