一、非晶硅钆合金薄膜的ESR研究（论文文献综述）
郭占成,高金涛,王哲,郭磊,王明涌[1]（2021）在《超重力冶金：科学原理、实验方法、技术基础、应用设计》文中研究表明超重力显着增大两相间的重力差,可用于加速固-液、液-液、液-气高温黏稠混和体的相分离速度;超重力具有定向性,避免搅拌等技术产生的熔体湍流返混,可用于深度脱除金属液中细小夹杂物;超重力条件下固-液界面张力微不足道,可容易实现微孔渗流;超重力条件下进行结晶凝固,按结晶顺序实现固-液分离,可用于制备梯度材料;超重力加速固-液分离,可细化凝固组织晶粒,但对非共晶熔体也易产生宏观偏析.将超重力技术应用于冶金及材料生产过程中,有望解决高温冶金和材料制备的一些难题,如复杂矿冶金渣有价组分的分离提取、冶炼渣中金属液的分离回收、多金属的熔析结晶分离、复杂矿直接还原铁的渣-金分离;在高端金属材料方面,应用超重力技术,有望解决近零夹物金属材料的精炼除杂难题,提高梯度功能材料、金属-陶瓷复合材料、多孔金属材料、器件材料表面电沉积修饰的制造水平.此外,在材料科学研究方面,超重力凝固可作为一种材料基因组高通量制备方法.
刘奕[2]（2021）在《ZnO-MxOy金属氧化物半导体电学和光学特性的高通量实验研究》文中进行了进一步梳理近年来,电子信息领域的蓬勃发展对半导体材料性能要求日渐增高。作为第三代半导体代表的ZnO因其高载流子迁移率和宽光学带隙受到了广泛关注,为拓展其在电子信息领域的应用,需进一步突破其电学和光学性能瓶颈。向ZnO中引入其他金属构建具有ZnO-MxOy化学式的多元金属氧化物,是有效且针对性优化其光学和电学性能的重要手段,且目前已取得了成功应用。例如在平板显示领域,具有较高电子迁移率的非晶In Ga ZnO（a-IGZO）已广泛应用于薄膜晶体管（Thin film transistor,TFT）生产中。但随着显示技术的发展,Ga元素掺杂所带来的高成本等问题,逐渐成为限制该技术进一步应用的瓶颈。因此,寻找自然界含量丰富、低成本、具备更高载流子迁移率的金属氧化物成为了当前研究的热点。本工作以IGZO氧化物半导体为新型氧化物半导体的设计基础,通过引入具有更强金属-氧键的Al元素替代Ga,构建了可能具有更宽光学和电学性能调控范围的In AlZnO（IAZO）氧化物半导体材料。本工作采用高通量实验技术实现了对IAZO氧化物半导体光学和电学性能的研究。具体而言,采用高通量磁控溅射技术在76 mm×76 mm的石英基底上制备了4×6非晶IAZO组合材料芯片,所制备薄膜样品库的化学式可以用In AlxZn0.5Oy（x=0～1.725）表示。高通量电学性能测试结果表明,随着Al含量上升,载流子浓度从2.08×1019 cm-3单调下降至5.34×1018cm-3。电子顺磁共振谱（Electron Paramagnetic Resonance,EPR）和X射线光电子能谱（X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS）表征结果表明该载流子浓度下降趋势可归因于Al的引入抑制了氧空位的出现。同时,随着Al含量的上升,载流子迁移率呈先上升后下降的趋势,其中In Al1.35Zn0.5Oy具有最高的载流子迁移率(20 cm2V-1s-1)。X射线衍射仪（X-ray diffraction,XRD）表征分析表明,随着Al含量提高,晶粒尺寸先减小后增大,在x=1.35附近时达到最小的晶粒尺寸,因此晶界散射对载流子输运过程的影响最小。对In 3d轨道的XPS测试结果也表明此时In原子具有最大的价电子浓度,有助于改善自由电子的输运过程。此外,In AlxZn0.5Oy样品薄膜均具备80%以上的可见光透过率,随Al含量上升其透过率以及光学带隙表现出和载流子迁移率相似的变化趋势。为研究不同制备工艺对a-IAZO电学及光学性能的影响,本文基于In AlxZn0.5Oy（x=0/0.3/0.6/0.9/1.2/1.5）成分,通过调整溅射氧分压(PO2=0%/10%/20%)、退火温度（350℃/400℃/450℃）和热处理气氛（空气与真空）等参数进行了a-IAZO样品制备,并探究了氧空位含量以和晶粒尺寸等对其光学和电学性能的调控规律。结果表明,更高的溅射氧分压和更高的退火氧气氛浓度可改善薄膜的电学性能和光学性能。此外,低温下退火有助于载流子迁移率的提升,但会造成可见光透过率下降,反之亦然。
张子栋[3]（2021）在《硅碳复合负极材料的制备与电化学性能研究》文中进行了进一步梳理硅负极材料因其高理论比容量(3579 m Ah g-1)、相对低的脱锂电位（～0.4 V vs Li/Li+）,并且硅在自然界储量丰富,无毒害而被誉为下一代最有前景的锂电负极材料候选者之一。然而硅的导电能力弱,在嵌锂/脱锂的充放电循环过程中会发生较大的体积膨胀（～300%）,从而容易造成电极上的裂痕、脱落而出现电气连接问题,随着充放电循环的进行容量会快速的衰减,材料的容量保持率不佳;伴随着巨大的体积形变,硅与电解液表面形成的SEI非常不稳定,于是需要消耗大量的锂离子来不断生成SEI,因此硅负极材料的首次库伦效率（ICE）一般很低,这容易导致硅基材料无法发挥出其质量比容量的优势。针对以上问题,本文结合等离子体技术以制备并改性硅碳负极材料并对复合电极的结构性质和电化学性能进行研究:（1）利用氩气和氢气等离子体优化泡沫镍表面结构,再利用磁控溅射技术沉积硅薄膜至优化后的泡沫镍上,最后利用电感耦合等离子体-化学气相沉积法（ICP-CVD）以甲烷为碳源沉积一层碳薄膜至硅薄膜上来构筑3D纳米硅碳复合结构。氩气和氢气混合等离子态对泡沫镍进行表面刻蚀后,在泡沫镍表面产生了丰富的纳米结构,为硅碳复合材料的沉积提供了更多的空间,从而提高了活性物质的负载量,除此之外,泡沫镍表面的Ni O被等离子体还原后裸露出大量高化学活性的镍单质,从而催化硅由非晶向多晶的晶型转变,改善了硅的导电性,生长的碳膜在升温优化的条件下缺陷度增加,从而使得整体硅碳复合材料的导电能力和锂离子扩散能力增强。最佳条件下制备的电极在1.6 A g-1的电流密度下充放电循环500圈后放电比容量仍能表现出972.7 m Ah g-1。（2）为了进一步提高硅碳负极材料的电化学性能,采用等离子体技术,在工作（1）的基础上,利用氮气和氢气混合等离子体对最后沉积的碳薄膜进行氮掺杂与改性。在这个等离子体处理过程中,通过调节N2/H2处理时间,可以精确控制氮含量（XPS结果为9.55%）及其化学构型（Pyridinic-N,Pyrrolic-N和Quaternary N）。N2/H2等离子体改性碳膜增大了氧化还原反应的赝电容容量比率,加快了Li+在嵌锂和脱锂过程中的反应动力学,优化处理时间后,改性碳膜后的硅碳复合负极材料的电化学性能相对于未改性的有显着提高。例如,比容量有效提高了40%。特别是在2 A g-1电流下,CE的初始值从51.80%提高到81.80%,经过1500次循环后,放电比容量从802.5 m Ah g-1提高到1020.7 m Ah g-1。在工作（1）的基础上进一步提升了硅碳复合负极材料的电化学性能。（3）除了针对薄膜类硅碳负极材料的制备与改性如上述工作（1）和（2）,本工作将等离子体改性方式拓展到粉末类硅基材料,利用氩气和氢气等离子体对Si Ox@Ti O2中的Ti O2进行氧缺陷的引入,处理过程中温度低（400℃）,时间快（30 min）,效率高,可重复性好。讨论了引入氧缺陷对于硅基材料导电能力和Li+传输能力的影响。引入缺陷后,整体电极在电流密度为2 A g-1下循环1000圈后放电质量比容量为308.2 m Ah g-1,在0.1 A g-1电流密度下ICE为76.4%;相较于未引入缺陷的电极,在同等条件下放电质量比容量提升37%,ICE提升28.1%;相对于纯Si Ox电极在同等条件下放电质量比容量提升98.8%,ICE提升41.7%。
高鹏越[4]（2021）在《BaZrO3坩埚真空感应熔炼TiNi形状记忆合金制备工艺及其组织性能的研究》文中认为合金熔体在高温下与耐火材料之间的界面反应是真空感应熔炼（VIM）制备TiNi形状记忆合金（SMAs）的一个难以克服的缺点。Ti元素在高温下化学活性极高,常见的氧化物耐火材料难以满足真空感应熔炼制备TiNi合金的要求。本文利用工业级别的BaZrO3坩埚,通过优化真空感应熔炼工艺,成功地制备了TiNi合金铸锭,并通过轧制和真空退火处理得到了合金板材。分别利用原位同步辐射XRD、透射电子显微镜、扫描电镜、差示扫描量热仪、拉伸变形等分析测试手段研究分析了TiNi合金与BaZrO3坩埚之间的界面反应,以及界面反应产生的Zr、O元素在TiNi合金中的存在形式,及其对显微组织的影响,并进一步探究了力学性能、形状记忆性能以及应力诱导马氏体相变行为。本文的主要研究结果可总结如下:1.首次利用工业级BaZrO3坩埚真空感应熔炼制备了杂质元素满足美国试验材料学会ASTM F2063-05相关标准的TiNi合金铸锭,铸锭中的氧元素含量约为300 ppm左右,Zr元素含量约为400 ppm左右。合金铸锭化学成分均匀,铸锭不同位置的马氏体相变温度的波动范围被控制在4℃以下。2.铸态合金的显微组织为具有B2立方结构的TiNi基体相和少量沿晶界分布的Ti2Ni相所共同组成的离异共晶组织,合金中微量的氧元素主要存在于Ti2Ni相的间隙原子位置,而微量的Zr元素则以固溶原子的形式同时存在于基体相和第二相中,铸态合金中并未发现BaZrO3相以及Ba元素的存在。3.铸态合金在拉伸变形以及循环变形过程中表现出了较差的滑移变形抗力,在应力诱导马氏体相变过程中伴随着位错缺陷的大量增殖。铸锭不同位置的力学性能差异较大,拉伸断裂后断口形貌均呈沿晶断裂,其中铸锭中部的样品表现出了相对较高的延伸率。在循环拉伸变形过程中,TiNi样品的位错密度升高,出现了由位错滑移所造成的加工硬化。铸锭具有良好轧制性能,在对合金铸锭进行轧制变形和真空退火后,合金板材的晶粒尺寸达到10μm左右,其抗拉强度和延伸率分别达到880 MPa和37.63%,马氏体相变平台的应变量达到8%左右。拉伸断裂后合金的断口表面出现大量韧窝,表明轧制后合金的塑韧性得到了显着改善。4.当应力诱导马氏体相变通过吕德斯带的方式进行扩展时,TiNi合金样品的局部区域能够产生非常强烈的应力诱导马氏体相变行为。同时吕德斯带内部的残余奥氏体晶格承受了比外部的奥氏体更高的晶格畸变,这部分残余奥氏体只有当变形量超过应力平台的时候才能完全转变成为马氏体相。在循环变形过程中,当合金样品中的位错密度积累到一定程度的时候,TiNi合金中的马氏体相变行为由吕德斯带方式转变成为均匀的相变方式,主要表现为马氏体相对平缓的形核和生长。当TiNi合金中的残余马氏体和残余应变在15%的循环变形中趋于稳定后,合金的变形行为最终演变成为奥氏体和马氏体之间平衡的正向和逆向转变,以及二者的弹性变形。在进一步循环变形中,合金中的位错密度并未出现明显的增加。
张晔明[5]（2020）在《稀土离子掺杂的钇铝硅酸盐玻璃的光纤激光和磁光性能的研究》文中研究表明低损耗的石英光纤的出现极大地改变了我们的生活。作为一种理想的光波导,石英基光纤已被应用于许多领域,例如光通信、医疗、光纤激光器、环境传感和精密加工等。经过几十年的发展,商用石英光纤的传输损耗已接近理论最小值,并建立了完整的上下游产业。然而,二氧化硅材料的透射窗主要位于近红外区域,这不利于其在中红外区域的光谱应用。另一方面,二氧化硅材料的光学非线性对应用而言太低,这限制了光纤基非线性光学器件的发展。为满足日益发展的具体应用对于光纤性能的多元化需求,开发可实现新功能的特种光纤是最根本的解决方法。在最近三十年里,由于以管棒法,熔芯法,热拉法等为代表的先进光纤拉制工艺的成功,大量不同的特种光纤相继被研究和报道,为具体应用提供了重要的可选解决方案。通常来说,更复杂的截面几何结构或者独特的芯包材料成分是特种光纤实现特殊性能的基础。在过去二十年里,一种典型的多组分玻璃光纤——钇铝硅酸盐（YAS）玻璃光纤因为其灵活的稀土掺杂制度、良好的物化稳定性、优秀的光学性能、可靠便利的制备、与石英光纤网络兼容等特点受到了广泛的关注和研究。本文在对熔芯法以及YAS光纤的制备的相关文献进行充分的调研的基础上,以扩展YAS光纤的应用潜力和探索其形成机理为目的展开了一系列的工作。所研究的内容包括熔芯法路线中关于YAS光纤的形成机理、YAS光纤波导结构特点、稀土离子掺杂的YAS体系实现的光纤激光和磁光性能等。我们相关工作有助于从工艺底层认知这一类芯包异质光纤的制备并实现对光纤性能的调控。本文具体研究成果包括:（1）基于熔芯法工艺,使用不同凝聚态的原料(粉末、钇铝石榴石(Y3Al5O12,YAG)晶体、YAG陶瓷)拉制了YAS光纤并对所得光纤性能进行对比。实验表明,高温固相法烧结的YAG陶瓷（密度等同于单晶的60%）可以作为一种较可靠的芯棒原料以制备具有不同稀土掺杂制度的YAS光纤。此外,设计了对比实验研究光纤拉丝过程中不同初始牵引力的影响。结果表明YAS光纤的形成机制包含了随着时间变化的“持续性”的元素扩散过程和基于异质界面应力挤压的特色的短效“突变性”机制。关于后者的讨论可以适用于大部分采用熔芯法拉制的具有异质芯包材料组成的预制棒的情况中。通过合理的拉丝参数,所制备的YAS光纤的波导结构参数理论上可调控。（2）研究了使用1 at%的Nd:YAG晶体拉制的Nd:YAS光纤的波导结构和光谱特点。根据YAS光纤的元素与光纤截面上应力、折射率的分布提出了“树轮”型结构模型。基于所制备的Nd:YAS光纤搭建了全光纤激光谐振腔,实现了1064 nm的光纤激光出射并表征了所搭建的光纤激光器性能参数。另外,我们使用10 at%的Nd:YAG陶瓷制备了高Nd3+含量的YAS光纤,在基于1.7 cm长的分布式布拉格反射（DBR）腔上实现了单频激光输出。（3）使用高温固相法制备了包含不同掺杂浓度的Tm:YAG陶瓷并拉制为具有不同Tm3+含量的Tm:YAS光纤。对比分析了Tm3+离子浓度对于Tm:YAG陶瓷的荧光性能以及荧光寿命的影响。使用所制备的Tm:YAS光纤搭建了线性全光纤激光谐振腔,实现了1950 nm的激光输出。这一工作首次报告了2?m波段的YAS光纤激光,并证明了基于熔芯法制备YAS光纤可实现灵活的稀土离子掺杂（在浓度和种类搭配上）,这表明YAS光纤在稀土相关的应用领域具有普适的潜力。（4）使用10 at%的Yb:YAG透明陶瓷拉制了高掺杂的Yb:YAS光纤,表征了所拉制光纤的荧光性能。搭建了4.4 cm长的光纤放大器,对所制备YAS光纤的单位长度增益性能进行了表征,并基于DBR短腔实现了Yb:YAS光纤的单频光纤激光输出,这个工作首次证明了YAS光纤可以作为一种稳定的多组分玻璃光纤用于实现单频激光。（5）作为与稀土离子相关的一大应用领域——磁光应用的探索,我们通过熔融淬冷法制备了一系列含高Tb掺杂浓度的TAS、TASB玻璃。分析了加入B2O3对于对玻璃样品的法拉第偏转角、折射率、热性能以及玻璃微结构的影响。结果表明,所制备的玻璃具有优良的综合性能。由于所制备的TAS玻璃成分来源于我们已实现的YAS光纤纤芯,相关的研究有助于实现基于YAS体系的磁光光纤的开发。
王耿洁[6]（2020）在《碳纳米管/金属复合材料的磁控溅射制备及其力学与电学性能研究》文中指出在过去的几十年里,碳纳米管（Carbon nanotube,CNT）/金属复合材料以其优异的力学、电学和热学性能吸引了国内外研究人员的广泛关注,CNT/金属复合材料俨然已成为下一代导体材料的有力竞争者。然而,具有优异综合性能的CNT/金属复合材料在制备中却遇到了许多重大的挑战,例如:复合材料内部应力有效传递、电子的运输、金属与CNT界面剥离等科学问题。这些问题与复合材料界面特性直接相关。因此,通过对CNT与金属界面的设计和调控,成为了制备综合性能优异的CNT/金属复合材料的可靠途径之一。本文首先在单根CNT表面沉积不同的金属,研究金属在CNT表面形核方式及影响因素,建立金属在CNT表面形核模型。然后通过界面设计和调控制备了具有优异性能的CNT/Cu和CNT/Al-Cu复合材料。借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等表征了复合材料微观结构,并对其电导率、抗拉强度和疲劳性能等进行了分析测试。系统的研究了不同界面结构对复合材料性能的影响及其增强机制。具体研究内容和主要研究结果如下:（1）CNT与金属界面研究:系统的研究了金属种类、沉积速度、沉积厚度、CNT管径以及合金化对金属在CNT表面形核的影响。研究发现,单质金属在CNT表面主要有三种形核方式,分别是:颗粒生长、岛状生长和薄膜生长。影响单质金属形核方式的因素主要有三个,分别是:沉积到CNT表面之前金属原子的势能（Ev）、金属原子和CNT之间的结合能（Eb）以及金属原子在CNT表面的扩散能(Ediff)。其中,Ev主要由沉积工艺决定,可通过工艺选择和参数调节来改变。Eb由金属种类决定,不同的金属具有不同的Eb,可以通过合金化来调节。Ediff与Eb成正比关系,一般约为Eb的1/4,既Eb/4≈Ediff。在金属形核方式中,随着Eb+Ev增大,逐渐从颗粒生长过渡为薄膜生长。在沉积过程中,可以通过提高沉积速率、沉积时间以及合金化来改善金属在CNT表面的形核方式,提高形核效率。（2）CNT/Cu复合薄膜:系统的研究了界面微观结构和退火温度对CNT/Cu复合薄膜电学性能的影响。结果表明,CNT/Cu复合薄膜的热稳定性和电阻率优于纯Cu薄膜,其电阻率在600℃退火后达到最低值,约4.15μΩ·cm。这主要是因为CNT与Cu之间形成了两种新的外延界面结构。一种是Cu的（111）晶面与CNT的（002）晶面平行,另一种是CNT与Cu形成Covetic结构。这两种界面结构有助于降低CNT和Cu之间的接触电阻,使CNT和Cu晶粒之间形成了局部弹道导体结构,减少了电子在晶界处的散射,从而降低了复合薄膜的电阻率。随后将这种层状复合结构应用于柔性复合薄膜制备,并对其进行了循环弯曲性能测试。发现CNT/Cu复合薄膜具有非常高的疲劳性能,即使循环次数达到105次,复合薄膜的电阻率也不再增加,具有与循环次数无关的特性。这是因为CNT/Cu复合薄膜在循环变形中会形成褶皱,通过褶皱释放弯曲应力来避免裂纹的萌生和扩展。这一结果为设计具有超高抗疲劳性能和优异服役性能的纳米复合薄膜提供了新的思路。（3）CNT/Al-Cu复合纤维:为了提高CNT纤维与Cu层界面结合力,在CNT纤维与Cu层之间引入一层超薄Al层作为过渡层。退火后,Al原子和Cu原子扩散到CNT纤维中,形成了扩散界面和化学反应界面。提升了CNT纤维与Cu层界面结合强度,降低了CNT之间接触电阻,同时增加了CNT之间的摩擦力,获得复合纤维电导率和强度的同时提升。随后对CNT/Al-Cu复合纤维进行致密化处理,获得了具有超高强度和电导率的CNT/Al-Cu-R复合纤维,强度达到6.6GPa、弹性模量达到500 GPa、电导率也达到Cu的水平1.8×107 S/m。这主要归功于Cu原子和Al原子扩散进CNT纤维中,通过“钉扎”和“桥接”作用增强了CNT之间的摩擦力。这种结构为设计具有超高强度和电导率的CNT/金属纳米复合材料提供了新的思路。
魏菁[7]（2020）在《四面体非晶碳薄膜的设计制备与摩擦、电化学腐蚀行为研究》文中认为四面体非晶碳（tetrahedral amorphous carbon,简称ta-C）表面光滑、结构致密,具有优异的机械性能和化学稳定性,在摩擦、电化学等领域展现出广阔的应用前景。然而在复杂苛刻工况下ta-C薄膜的减摩耐磨防护特性面临巨大挑战,例如船舶舰艇动力零部件和人体植入医疗器件等面临着摩擦与腐蚀耦合作用,热辅助磁存储和精密玻璃成型等同时受到摩擦与高温作用。针对上述问题,本文开展了用于苛刻工况下高质量ta-C薄膜的设计制备,并探索了薄膜微结构、原子键态、多层结构等与摩擦、高温、电化学腐蚀性能之间的关系,提出了高性能薄膜的设计准则。并具体针对多因素耦合的工况,进行了ta-C薄膜摩擦、腐蚀、高温稳定性等综合性能的研究。（1）系统对比了含氢类金刚石（DLC:H）薄膜和ta-C薄膜的微观结构及原子键态,探究了非晶碳膜的电化学腐蚀机理。研究表明,相比1.1μm的DLC:H膜,20 nm和40 nm的ta-C薄膜具有更优异的耐蚀性。DLC:H薄膜虽然厚度更大,但由于含一定的氢、高sp2团簇和孔隙率密度,使其密封效果变差,腐蚀防护效果有限。ta-C薄膜的高sp3含量和低孔隙率使其对腐蚀介质具有良好的阻隔性,而厚度为20 nm的ta-C薄膜未能阻止316不锈钢的点蚀现象。（2）结合磁过滤阴极真空电弧（FCVA）技术的优势和材料“高通量制备”的研发思路,通过调控等离子束流和沉积位置,快速制备了系列组分结构相似、厚度不同的ta-C薄膜。不同厚度ta-C薄膜的IT/IG值呈弥散分布,色散值Disp（G）保持相对稳定,sp2团簇尺寸基本不变,sp3含量保持在55±5%。不同厚度ta-C薄膜的微纳摩擦学行为主要由表面形貌影响,而电化学行为由于稳定的sp3含量而保持不变。进一步探究了斜角沉积对ta-C薄膜微结构及性能的影响,结果表明斜角沉积可有效降低残余应力（29%）,小幅损伤sp3含量（13%）及硬度（19%）,改变入射角（0°～75°）还可以调控ta-C薄膜的孔隙、粗糙度、接触角及表面悬键。ta-C薄膜的sp3含量、sp2团簇及表面特性共同调控了电化学腐蚀行为,入射角为45°时获得了最优的电化学腐蚀抗力。（3）通过构筑多层结构,引入界面及低应力缓冲层,设计了软硬交替的多层ta-C薄膜。多层结构显着降低了ta-C薄膜的残余应力,抑制了剥落的发生。研究了相邻子层的成分搭配以及调制周期对多层ta-C膜微结构、摩擦及电化学腐蚀性能的影响,并优选出了–150 V和–50 V偏压交替的四周期多层ta-C薄膜。经过分析,不同多层ta-C薄膜耐磨性能的差异主要受其机械性能影响:高的硬度和H/E值有助于获得低的磨损率。而薄膜中通孔等微缺陷的存在,为腐蚀离子提供了快速扩散通道,限制了多层ta-C薄膜的电化学腐蚀防护性能,进一步添加厚梯度过渡层对多层ta-C薄膜耐蚀性改善不大。（4）研究了多因素耦合环境下多层ta-C薄膜的性能。多层ta-C薄膜对环境湿度不敏感。与干摩擦相比,多层ta-C薄膜在3.5 wt.%Na Cl溶液中表现出更加优越的耐磨性和更长的寿命,同时使基体的腐蚀阻抗提高一个数量级,极化电阻提高20倍。多层ta-C显着降低了基体的摩擦系数和磨损率,且磨蚀前后电化学性能保持稳定,磨蚀抗力良好。此外,开展了不同载荷（1～5 N）和温度（400～600°C）下多层ta-C薄膜的高温摩擦学行为研究。发现多层ta-C薄膜在低载荷下表现出较为优异的高温摩擦性能。为了改善高温和高载荷下的性能,进一步制备了顶层加厚的多层ta-C薄膜。顶层为硬层加厚的样品能够在2 N、500°C的条件下获得低的摩擦系数（0.11）及低的磨损率,这主要归因于石墨化不利于高温减磨润滑,且顶层高sp3层有助于改善高温摩擦性能。
武春艳[8]（2020）在《硫硒化锑(Sb2(S1-xSex)3)薄膜的溶液法制备及其太阳能电池性能研究》文中研究指明由于硫硒化锑（Sb2（S1-xSex）3）材料具有合适的光学带隙,丰富的元素储量,较高的稳定性等优点,在高效率、低成本的太阳能电池的应用方面得到了广泛的关注。作为一种新兴的光电材料,目前主要的研究方向包括发展方法制备高质量Sb2（S1-xSex）3薄膜、探索各功能层的最佳选择以及构建合适的器件结构来不断地提升Sb2（S1-xSex）3薄膜太阳能电池的光电转换效率。本论文将通过选择合适的原材料及其相应的溶剂来配制前驱体溶液,采用旋涂退火的方式制备Sb2（S1-xSex）3薄膜材料;探究不同投料比、不同界面层以及不同含量的添加剂对Sb2（S1-xSex）3薄膜的形貌、晶体结构、组份、带隙、能级位置以及缺陷等方面的影响。进一步,通过组装器件探究不同投料比、不同界面层以及不同含量的添加剂对器件性能的影响规律。本论文的内容可以概括为如下五个部分:第一章:主要介绍了太阳能电池研究的背景、工作原理以及分类,详细地介绍了硫硒化锑薄膜材料的特点及其太阳能电池发展的现状。随后提出了本论文的研究内容。第二章:介绍了一种新的溶液体系来调控Sb2（S1-xSex）3薄膜中S与Se的原子比例。研究通过配制Sb-S-Se络合物溶液,实现了一步旋涂法制备Sb2（S1-xSex）3薄膜材料。在该部分工作中,首先探索了单质Se的溶解机理,通过电子顺磁共振波谱对前驱体溶液进行测试,发现单质Se在溶液中以Se-N自由基的形式存在。之后通过控制前驱体溶液中Se的含量,从而有效地调控薄膜中的S/Se比。研究进一步发现,S/Se原子比对Sb2（S1-xSex）3薄膜形貌、组份、带隙、能级位置以及电池性能有着显着的影响。最后在薄膜组份为Sb1.9S2.2Se0.9时,获得了 5.8%的器件光电转换效率。该研究为制备带隙可调的Sb2（S1-xSex）3薄膜提供了一种简单易行的方法。第三章:介绍了一种界面修饰的方法来继续优化一步溶液法制备的Sb2（S1-xSex）3薄膜太阳能电池的性能。采用化学水浴沉积的方式将硫化镉（CdS）和铟掺杂的硫化镉（In:CdS）薄膜作为界面层来修饰二氧化钛（TiO2）电子传输层。研究分析了两种界面层的形貌、带隙、能级位置,探究了两种界面层对Sb2（S1-xSex）3薄膜的形貌影响以及对器件性能的影响规律。结果表明由于In:CdS界面层的粗糙度相对较大,有效地增加了 Sb2（S1-xSex）3薄膜的致密性,进而提高了入射光的利用率以及减少了载流子的复合。在能级匹配方面,In:CdS薄膜材料的能级位置介于TiO2和Sb2（S1-xSex）3之间,从而建立了有利于电荷的分离与传输的界面结构。最后将溶液法制备的Sb2（S1-xSex）3薄膜太阳能电池的光电转换效率提升至6.63%。本研究揭示了基于In:CdS的界面修饰是提高Sb2（S1-xSex）3薄膜太阳能电池性能的一个有效方法。第四章:介绍了一种新的溶液体系以及旋涂过程来制备Sb2（S1-xSex）3薄膜材料。采用依次旋涂的方式先制备Sb2Se3前驱体薄膜,在此基础上再制备Sb2S3薄膜,经过高温退火得到Sb2（S1xSex）3薄膜材料。通过使用微量的H2O作为添加剂来调控薄膜的生长过程,分析了H2O在反应物中的含量对Sb2（S1-xSex）3薄膜形貌、晶体结构、组份、带隙、缺陷以及器件性能的影响规律。结果表明,加入适量的H2O可以有效地增加晶粒尺寸、减少缺陷的种类和浓度,从而有利于载流子的传输、复合几率的降低。最终获得了 7.42%的光电转换效率。本研究为调控Sb2（S1-xSex）3薄膜的生长过程以及有效地提高其器件效率提供了一种新的研究思路。第五章:总结了本论文的研究内容,分析还存在的不足之处,并展望了溶液法制备Sb2（S1-xSex）3薄膜的发展方向。
孙浩轩[9]（2020）在《基于钙钛矿半导体材料的光电转换器件制备与性能研究》文中认为有机-无机杂化铅卤钙钛矿半导体因具备高光吸收系数、高载流子迁移率、低激子结合能等优异的光电性质,以及可低成本溶液法制备的特点而备受关注。自2009年钙钛矿材料首次应用在光电领域以来,钙钛矿基光电器件已飞速发展了十年。然而钙钛矿光电器件依然面临效率低下、稳定性差和成本高等问题,严重制约了其商业化发展。限制性能的主要因素有:（1）钙钛矿光吸收层覆盖度低、成膜不均、晶粒尺寸小;（2）载流子传输材料与光吸收材料之间的能带不匹配;（3）传统金属氧化物电子传输材料导电性差、缺陷多。制约成本的主要因素为:（1）器件结构复杂;（2）传统氧化物电子传输材料沉积过程能耗高;（3）传统有机空穴传输材料价格昂贵。本文以光电二极管为主要研究对象,开展钙钛矿膜层的高质量可控制备研究,优化器件结构,实现高性能、低成本功能化集成系统。具体内容如下:（1）研究不同类型衬底生长高质量钙钛矿膜层方法,结合吸收谱、X射线衍射谱、电子显微镜等材料表征手段,研究不同工艺流程下的钙钛矿膜层质量。通过溶剂工程控制钙钛矿的晶体生长,依托反溶剂、温度控制的析晶过程和奥斯瓦尔德熟化机制,减少了成核中心数目,提高了结晶速度,促进了钙钛矿的粗化过程。实现了在平面刚性衬底、平面柔性衬底,以及线形柔性衬底上的高质量钙钛矿沉积。所有膜层均平整、致密、无针孔、晶粒尺寸可达微米量级,为后续的器件制备奠定了材料基础。（2）开展了钙钛矿基光电转换器件的结构优化研究。锑掺杂氧化锡（ATO）一维阵列的导电介孔结构,有效降低了器件的载流子传输电阻,并增强了器件对长波光子的吸收,使得电池器件的光电转化效率超过20%。设计并制备了在铜（Cu）线上原位生长的Cu-氧化亚铜（Cu2O）-氧化铜（CuO）复合结构,实现了电极-电子阻挡层-空穴传输层/辅助光吸收层的一步合成。在不增加工艺复杂度的条件下大幅降低了探测器件的暗电流,并将有效探测范围拓宽了200 nm。所构筑的钙钛矿基双绞线柔性探测器的比探测率可达1013 Jones。（3）简化了钙钛矿基光电转换器件的结构。利用氟掺杂氧化锡（FTO）衬底自身为锡源,通过氧等离子处理技术,将衬底表面转化为具备空穴阻挡能力的纯相氧化锡。在维持20%器件转换效率的前提下,实现了全低温、无废料排放的电子传输层制备。解明载流子传输层的核心角色为内建电场提供者与选择性载流子阻挡者。据此机制,进一步构建了具备载流子定向分离能力的梯度Pb/Sn同质结型光吸收层,使得钙钛矿光吸收材料对载流子传输层的依赖性降低。在无需电子、空穴传输层的前提下,首次取得了10%以上的光电转化效率的电池器件。通过精简器件结构,大幅降低器件的制备成本,进一步提升了钙钛矿基光电转换器件的竞争优势。（4）构筑了功能化钙钛矿光电转换集成系统。通过Br、Cs共掺杂改性钙钛矿材料,提高成膜质量,开发与之相匹配的Nb:TiO2电子传输层。经过系统的成分、能带工程优化,获得了人工光源环境下效率高达36%的光电池器件。人工光源和太阳光源的光谱差异决定了带隙较宽的钙钛矿材料较传统硅有巨大优势。与能量管理芯片、钠离子储能系统集成,实现了计算器、钟表、环境监测等实际应用的全自供能。钙钛矿材料的光吸收带边可随组分的改变从紫外渐变至近红外,利用这一硅半导体所无法实现的特性,可获得结构简单、性能优异光谱分辨设备。通过将氯基钙钛矿薄膜置于甲胺碘的气氛中进行梯度退火处理,获得了光吸收带边水平连续渐变的钙钛矿膜层,实现了拥有纳秒级响应时间的超高速颜色灵敏光探测器和分辨率约为80 nm的光谱分析仪。
刘莉[10]（2019）在《FeSiBCr/SiO2纳米晶软磁铁芯的可控制备及电磁性能研究》文中认为着眼于当前世界各国“节能减排”和“降本增效”的外部环境,进一步满足未来变频控制技术的要求,研究开发既可以承受高能量密度输入,又能满足低铁损的纳米晶软磁复合铁芯非常必要。纳米晶软磁复合铁芯作为功能材料和结构材料,因具有卓越的软磁性能,加上其力学性能优异,成本低廉,现已被广泛用作变压器、电机、互感器、电抗器中的核心材料,对电子电力技术的发展起到了举足轻重的作用。然而目前市场上纳米晶软磁复合铁芯的饱和磁化强度较小,磁导率较低,高能量密度输入下涡流损耗较高,而这又要归结于铁芯的制造工艺和结构。若能将纳米晶软磁铁芯的致密度提高到98%以上,则纳米晶软磁相单位体积内含量将提高,铁芯的饱和磁化强度和磁导率将会随之提升;同时可在纳米晶软磁粉末表面包覆均匀连续的绝缘壳层,将绝缘壳层的厚度精准控制在纳米范围内,则可提高铁芯电阻率,减小涡流运行有效半径,从而其涡流损耗则会大幅下降。本论文以构建高磁感、低铁损的FeSiBCr/Si O2纳米晶软磁复合铁芯为出发点,提出了一种新型的纳米晶软磁复合铁芯的制备思路。首先以铁基FeSiBCr软磁非晶粉末为原料,采用通电热压烧结技术一步成型制备FeSiBCr纳米晶软磁铁芯。研究通电热压烧结包括烧结温度、烧结压力、加热速率和保温时间四个工艺参数对FeSiBCr纳米晶软磁铁芯的组织结构、微观形貌、力学性能和电磁性能的影响规律。研究发现,烧结温度的升高、烧结压力的增大、保温时间的延长均可促进非晶相向α-Fe（Si）纳米晶相转化、促进晶粒的长大、促进第二相的析出和晶化体积分数的增大,从而使软磁铁芯的致密度、显微硬度、抗压强度和饱和磁化强度（Ms）随着显着提高,软磁铁芯的矫顽力（Hc）则随之降低,但烧结温度过高、烧结压力过大、保温时间过长都将致使软磁铁芯中析出立方结构的Fe23B6硬磁相,且促使bcc结构的α-Fe（Si）相的晶粒尺寸过大,从而使合金的力学性能和磁性能变差;加热速率的增大阻碍非晶相的晶化进程,更易得到α-Fe（Si）纳米晶相,从而可提高软磁铁芯致密度、力学性能和磁性能。最佳烧结工艺参数为:烧结温度应稍高于初次晶化峰温度Tp1,低于二次晶化温度Tx2;烧结压力为60MPa,保温时间为10min,加热速率为50℃/min。采用反相微乳液法结合通电热压烧结技术制备FeSiBCr/Si O2纳米晶软磁复合铁芯。研究了反相微乳液法包覆机理和包覆Si O2绝缘壳层对复合铁芯电磁性能的影响,通过调节硅源正硅酸四乙酯（TEOS）的滴加量控制Si O2绝缘壳层的厚度和均匀连续性。研究发现,当TEOS的滴加量从6m L增加到15m L时,绝缘壳层的连续性先变好后恶化,壳层厚度先增大后降低,铁芯的电阻率（ρ）先增大后减小,而饱和磁化强度（Ms）,相对磁导率（μr）和铁损（P）的值则先降低后升高,当TEOS的滴加量为12m L时,绝缘壳层的均匀连续性最好,制备的纳米晶复合铁芯的综合电磁性能最优。采用化学液相原位沉积法结合通电热压烧结技术制备FeSiBCr/Si O2纳米晶软磁复合铁芯。通过控制化学液相原位沉积法中硅源TEOS的滴加量、包覆反应温度、水含量和氨水含量等单因素工艺参数控制TEOS的水解缩聚反应速率,达到调控Si O2绝缘壳层的均匀性、连续性和壳厚的目的。随着硅源TEOS滴加量、水含量、氨水含量增加,Si O2绝缘包覆壳层的厚度先增加后降低,均匀连续性先变好后变差;包覆反应温度升高,包覆壳层厚度持续增大,均匀连续性逐渐变好。随着包覆的Si O2绝缘壳层连续性和均匀性变好,厚度适宜,复合铁芯的Ms值和初始μr稍有降低,Hc和Mr则稍有升高,但制备样品的ρ则逐渐升高,频率稳定性越好,高频下其铁损降幅明显。研究结果表明,当TEOS的滴加量为10m L,水含量为6.4m L,氨水含量为1.8m L,反应温度为50℃时,利用化学液相原位沉积法制备的试样中Si O2绝缘包覆壳层均匀连续致密,壳厚合适,试样的综合性能最佳。此时Si O2绝缘壳层厚度约为160nm,Ms为155.7emu/g,Hc为15.6Oe,ρ为1.83′10-4Ω·m,P1/10仅为0.21W/kg。本论文以铁基软磁非晶粉末为原料,分别采用反相微乳液法和化学液相沉积法合成以FeSiBCr软磁非晶粉末为内核,绝缘物Si O2为外壳的FeSiBCr/Si O2核壳异质结构非晶复合粉末,系统的研究了包覆合成工艺对FeSiBCr纳米晶软磁复合铁芯显微结构和主要电磁性能的影响规律;同时采用通电热压烧结技术一步成形制备了块状FeSiBCr/Si O2纳米晶软磁复合铁芯,为开发制备大尺寸纳米晶铁芯提供了新途径,扩大了铁基纳米晶应用范围。
二、非晶硅钆合金薄膜的ESR研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、非晶硅钆合金薄膜的ESR研究（论文提纲范文）
（2）ZnO-MxOy金属氧化物半导体电学和光学特性的高通量实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 ZnOM_xO_y金属氧化物半导体概述 |
| 1.2.1 Zn O的基本结构与物理化学性质 |
| 1.2.2 ZnOM_xO_y金属氧化物半导体的主要类型与应用 |
| 1.3 ZnO-M_xO_y非晶金属氧化物半导体发展趋势 |
| 1.3.1 ZnO-M_xO_y非晶氧化物半导体电学及光学特性的研究现状 |
| 1.3.2 ZnO-M_xO_y非晶氧化物半导体电学及光学特性的高通量研究进展 |
| 1.4 ZnO-M_xO_y非晶氧化物半导体新材料设计相关理论 |
| 1.4.1 ZnO-M_xO_y非晶氧化物半导体的能带结构理论 |
| 1.4.2 ZnO-M_xO_y非晶氧化物半导体的缺陷理论 |
| 1.4.3 ZnO-M_xO_y非晶氧化物半导体的载流子输运机制理论 |
| 1.5 本文的研究内容 |
| 第二章 制备手段和表征方法 |
| 2.1 高通量组合材料芯片制备技术 |
| 2.2 高通量成分表征 |
| 2.3 高通量半导体性能表征 |
| 2.4 高通量晶体结构测试 |
| 2.5 其他常规表征手段 |
| 2.5.1 透射光谱表征 |
| 2.5.2 X射线光电子能谱表征 |
| 2.5.3 电子顺磁共振谱测试 |
| 第三章 Al含量对a-IAZO电学和光学特性的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 a-IAZO组合材料芯片的高通量制备 |
| 3.3 Al含量对a-IAZO电学特性的影响 |
| 3.3.1 Al含量对a-IAZO载流子浓度的影响 |
| 3.3.2 Al含量对a-IAZO载流子迁移率的影响 |
| 3.3.3 Al含量对a-IAZO电阻率的影响 |
| 3.4 Al含量对a-IAZO光学特性的影响 |
| 3.4.1 Al含量对a-IAZO可见光透过率的影响 |
| 3.4.2 Al含量对a-IAZO光学带隙的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 制备工艺对a-IAZO电学和光学特性的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 溅射氧分压对a-IAZO电学和光学特性的影响 |
| 4.2.1 不同氧分压下溅射的a-IAZO组合材料芯片高通量制备 |
| 4.2.2 溅射氧分压对a-IAZO电学特性的影响 |
| 4.2.3 溅射氧分压对a-IAZO光学特性的影响 |
| 4.3 退火温度对a-IAZO电学和光学特性的影响 |
| 4.3.1 不同温度退火的a-IAZO组合材料芯片高通量制备 |
| 4.3.2 退火温度对a-IAZO电学特性的影响 |
| 4.3.3 退火温度对a-IAZO光学特性的影响 |
| 4.4 退火气氛对a-IAZO电学和光学特性的影响 |
| 4.4.1 不同气氛中退火的a-IAZO组合材料芯片高通量制备 |
| 4.4.2 退火气氛对a-IAZO电学特性的影响 |
| 4.4.3 退火气氛对a-IAZO光学特性的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 本文研究内容总结 |
| 5.2 未来工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（3）硅碳复合负极材料的制备与电化学性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 锂离子电池中硅碳负极材料的概述 |
| 1.2.1 锂离子电池硅负极材料的发展机遇 |
| 1.2.2 硅碳负极材料在锂离子电池硅负极材料发展中的机遇与挑战 |
| 1.2.3 硅碳负极材料的制备与改性 |
| 1.3 等离子体技术在硅碳负极材料中的应用 |
| 1.4 本论文主要研究内容 |
| 1.5 本论文研究思路及创新 |
| 第二章 实验方法及材料表征 |
| 2.1 材料制备 |
| 2.2 实验材料及仪器 |
| 2.2.1 研究所用材料与试剂 |
| 2.2.2 实验设备 |
| 2.3 材料表征方法 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 |
| 2.3.2 X射线衍射分析 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱 |
| 2.3.4 激光拉曼光谱 |
| 2.3.5 等离子体发射光谱测试 |
| 2.4 电池组装及电化学性能测试 |
| 第三章 制备高质量层状Si/C复合负极的等离子体策略 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.2.1 硅碳复合负极材料的制备 |
| 3.2.2 相关材料表征 |
| 3.2.3 电池组装与电化学性能测试 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 硅碳复合负极材料的形貌表征分析 |
| 3.3.2 氩气和氢气混合等离子体光谱分析 |
| 3.3.3 硅碳复合负极材料的结构表征分析 |
| 3.3.4 硅碳复合负极材料的电化学性能分析 |
| 3.3.5 硅碳复合负极材料充放电循环前后形貌对比分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 氮等离子体掺杂碳膜制备高质量层状Si/C复合负极 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.2.1 0-C/Si/PMN的制备 |
| 4.2.2 t-C/Si/PMN的制备 |
| 4.2.3 相关材料表征 |
| 4.2.4 电池组装与电化学性能测试 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 层状Si/C复合负极的形貌表征分析 |
| 4.3.2 层状Si/C复合负极的成分结构分析 |
| 4.3.3 层状Si/C复合负极的电化学性能分析 |
| 4.3.4 层状Si/C复合负极在充放电循环前后的形貌对比分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 富含缺陷的二氧化钛包覆硅基复合材料 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验方法 |
| 5.2.1 二氧化钛包覆硅基材料的制备 |
| 5.2.2 富含缺陷的二氧化钛包覆硅基材料的制备 |
| 5.2.3 复合材料材料表征 |
| 5.2.4 电池组装与电化学性能测试 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 氧化硅与氧化钛的形貌结构表征分析 |
| 5.3.2 氧化硅与氧化钛复合材料的电化学性能分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（4）BaZrO3坩埚真空感应熔炼TiNi形状记忆合金制备工艺及其组织性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 TiNi形状记忆合金概述 |
| 1.2.1 形状记忆合金的发展历程 |
| 1.2.2 TiNi合金中的热弹性马氏体相变行为 |
| 1.2.3 TiNi合金的性能 |
| 1.2.3.1 力学性能 |
| 1.2.3.2 形状记忆效应 |
| 1.2.3.3 超弹性 |
| 1.2.3.4 疲劳性能 |
| 1.2.4 TiNi合金中的吕德斯带变形行为 |
| 1.2.5 影响TiNi形状记忆合金性能的主要因素 |
| 1.2.5.1 温度的影响 |
| 1.2.5.2 化学成分的影响 |
| 1.2.5.3 显微组织及晶体缺陷的影响 |
| 1.2.5.4 析出相的影响 |
| 1.3 TiNi形状记忆合金的真空熔炼技术 |
| 1.3.1 TiNi合金熔炼技术的发展概述 |
| 1.3.1.1 真空自耗电弧炉的原理及其特点 |
| 1.3.1.2 真空感应熔炼的原理及其特点 |
| 1.3.2 TiNi合金真空感应熔炼耐火材料的研究现状 |
| 1.3.2.1 石墨耐火材料 |
| 1.3.2.2 CaO耐火材料 |
| 1.3.2.3 Al_2O_3耐火材料 |
| 1.3.2.4 钙钛矿结构耐火材料 |
| 1.4 研究目标、研究内容以及技术路线 |
| 1.4.1 选题背景和研究目标 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 1.4.3 技术路线 |
| 1.4.4 创新点 |
| 第二章 实验材料及实验方法 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.1.1 BaZrO_3坩埚的制备 |
| 2.1.2 熔炼原料的准备 |
| 2.2 实验方法 |
| 2.2.1 TiNi合金的真空感应熔炼 |
| 2.2.2 TiNi合金的轧制工艺 |
| 2.2.3 BaZrO_3坩埚和TiNi合金微观组织结构的分析表征 |
| 2.2.4 热弹性马氏体相变行为及合金性能的分析表征 |
| 第三章 TiNi合金真空感应熔炼工艺的优化以及合金熔体对BaZrO_3坩埚的侵蚀行为 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 TiNi合金真空感应熔炼制备工艺的优化 |
| 3.3.2 TiNi合金熔体对于BaZrO_3坩埚的侵蚀行为 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 铸态TiNi合金的显微组织结构 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.3 实验结果和讨论 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 TiNi合金性能的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.3 结果和讨论 |
| 5.3.1 铸态TiNi合金的力学性能和超弹性 |
| 5.3.2 轧制及真空退火后TiNi合金的性能 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 TiNi合金应力诱导马氏体相变行为的研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验过程 |
| 6.3 实验结果与讨论 |
| 6.3.1 TiNi合金应力诱导马氏体相变的择优取向 |
| 6.3.2 TiNi合金的吕德斯带变形行为 |
| 6.3.3 TiNi合金在循环变形过程中的应力诱导马氏体相变 |
| 6.4 小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 |
| 致谢 |
（5）稀土离子掺杂的钇铝硅酸盐玻璃的光纤激光和磁光性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 特种光纤及其发展 |
| 1.2 特种光纤制备方法 |
| 1.2.1 CVD法 |
| 1.2.2 双坩埚法 |
| 1.2.3 管棒法 |
| 1.2.4 熔芯法 |
| 1.2.5 热拉法 |
| 1.3 基于熔芯法拉制的特种光纤 |
| 1.3.1 多组分玻璃光纤 |
| 1.3.2 微晶玻璃光纤 |
| 1.3.3 半导体芯光纤 |
| 1.4 钇铝硅酸盐玻璃和光纤 |
| 1.5 本课题的来源,研究意义和研究主要内容 |
| 1.5.1 课题来源 |
| 1.5.2 研究意义与主要内容 |
| 第二章 实验设计与研究方法 |
| 2.1 实验药品 |
| 2.2 样品制备 |
| 2.2.1 YAG陶瓷的制备 |
| 2.2.2 YAS玻璃的制备 |
| 2.2.3 YAS光纤的制备 |
| 2.2.3.1 预制棒加工 |
| 2.2.3.2 光纤的拉制 |
| 2.3 材料表征方法与设备 |
| 2.3.1 晶相分析 |
| 2.3.2 微区形貌分析 |
| 2.3.3 微区元素分析 |
| 2.3.4 拉曼光谱 |
| 2.3.5 热分析 |
| 2.3.6 折射率分析 |
| 2.3.7 透过率分析 |
| 2.3.8 荧光光谱及寿命分析 |
| 2.3.9 光纤激光性能分析 |
| 2.3.10 法拉第偏转角测试 |
| 2.3.11 X射线光电子能谱 |
| 2.3.12 电子自旋共振分析 |
| 2.3.13 核磁共振谱分析 |
| 第三章 基于Nd:YAS光纤激光器 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.2.1 样品制备 |
| 3.2.2 样品表征 |
| 3.3 实验结果讨论 |
| 3.3.1 预制棒填充方式影响 |
| 3.3.2 光纤结构参数 |
| 3.3.3 Nd:YAS光纤激光性能 |
| 3.3.4 Nd:YAS光纤单频激光 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于Yb:YAS光纤激光器 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验 |
| 4.3 实验结果讨论 |
| 4.3.1 光纤结构参数 |
| 4.3.2 光纤荧光性能 |
| 4.3.3 Yb:YAS光纤激光性能 |
| 4.3.4 Yb:YAS光纤单频激光 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于Tm:YAS光纤激光出射 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.3 实验结果讨论 |
| 5.3.1 掺杂浓度对于Tm:YAG陶瓷性能影响 |
| 5.3.2 光纤结构参数 |
| 5.3.3 掺杂浓度对于Tm:YAS光纤激光性能影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 Tb掺杂的铝硼硅酸盐磁光玻璃 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验 |
| 6.2.1 玻璃制备 |
| 6.2.2 性能表征 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 B_2O_3对玻璃样品综合性能的影响 |
| 6.3.2 B_2O_3对玻璃样品微结构的影响 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 YAS光纤形成机理探讨和模拟 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 实验过程 |
| 7.2.1 光纤制备及取样 |
| 7.2.2 样品表征 |
| 7.3 实验结果 |
| 7.3.1 YAS光纤结构参数的影响因素 |
| 7.3.2 YAS光纤形成分子动力学模拟 |
| 7.4 本章小结 |
| 第八章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间获得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（6）碳纳米管/金属复合材料的磁控溅射制备及其力学与电学性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 碳纳米管/金属复合材料概述 |
| 1.2.1 碳纳米管/金属复合材料研究现状 |
| 1.2.2 碳纳米管/金属复合材料制备工艺 |
| 1.2.2.1 粉末冶金工艺 |
| 1.2.2.2 化学沉积工艺 |
| 1.2.2.3 熔炼凝固工艺 |
| 1.2.2.4 喷涂工艺 |
| 1.2.2.5 其它工艺 |
| 1.2.3 碳纳米管与金属界面研究 |
| 1.2.4 碳纳米管/金属复合材料致密化工艺 |
| 1.2.4.1 碳纳米管/金属块体材料致密化工艺 |
| 1.2.4.2 碳纳米管/金属纤维材料致密化工艺 |
| 1.2.5 碳纳米管/金属复合材料应用研究 |
| 1.3 本文主要研究内容和意义 |
| 参考文献 |
| 第二章 碳纳米管/金属复合材料制备及分析测试方法 |
| 2.1 碳纳米管/金属复合材料制备 |
| 2.1.1 磁控溅射技术 |
| 2.1.2 磁控溅射工艺 |
| 2.2 碳纳米管/金属复合材料微观结构表征方法 |
| 2.2.1 X射线衍射分析 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜分析 |
| 2.2.3 透射电子显微镜分析 |
| 2.2.4 热重分析 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱分析 |
| 2.2.6 原子力显微镜分析 |
| 2.3 碳纳米管/金属复合材料性能测试方法 |
| 2.3.1 抗拉强度测量 |
| 2.3.2 电学性能测量 |
| 2.3.3 循环弯曲变形寿命测量 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 碳纳米管-金属界面研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 不同金属在碳纳米管表面形核及界面结构 |
| 3.3.2 沉积速率对金属形核和界面结构的影响 |
| 3.3.3 碳纳米管管径对金属形核和界面结构的影响 |
| 3.3.4 沉积厚度对金属形核和界面结构的影响 |
| 3.3.5 合金化对金属形核和界面结构的影响 |
| 3.3.6 不同金属在碳纳米管表面形核模型 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 碳纳米管/铜复合薄膜 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.3 碳纳米管/铜复合薄膜 |
| 4.3.1 碳纳米管/铜复合薄膜微观结构和形貌 |
| 4.3.2 碳纳米管/铜复合薄膜电阻率 |
| 4.3.3 碳纳米管/铜复合薄膜导电机制 |
| 4.4 碳纳米管/铜复合薄膜循环变形稳定性 |
| 4.4.1 碳纳米管/铜复合薄膜微观形貌和结构 |
| 4.4.2 碳纳米管/铜复合薄膜循环弯曲测试及性能 |
| 4.4.3 碳纳米管/铜复合薄膜褶皱形成机理及循环变形机制 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 碳纳米管/铝-铜复合纤维 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.3 碳纳米管/铝-铜复合纤维 |
| 5.3.1 碳纳米管/铝-铜复合纤维微观形貌和结构 |
| 5.3.2 碳纳米管/铝-铜复合纤维强度与电导率 |
| 5.3.2.1 碳纳米管/铝-铜复合纤维强度与电导率 |
| 5.3.2.2 碳纳米管/铝-铜复合纤维电阻率随温度变化曲线 |
| 5.3.3 碳纳米管/铝-铜复合纤维的界面增强机制 |
| 5.3.3.1 铝层厚度对碳纳米管/铝-铜复合纤维性能的影响 |
| 5.3.3.2 碳纳米管/铝-铜复合纤维界面结构对性能的影响 |
| 5.4 致密化对碳纳米管/铝-铜复合纤维性能的影响 |
| 5.4.1 致密化碳纳米管/铝-铜复合纤维微观形貌和结构 |
| 5.4.2 致密化碳纳米管/铝-铜复合纤维的强度与电导率 |
| 5.4.3 致密化碳纳米管/铝-铜复合纤维增强机制 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 攻读博士期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（7）四面体非晶碳薄膜的设计制备与摩擦、电化学腐蚀行为研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 四面体非晶碳薄膜概述 |
| 1.2.1 四面体非晶碳薄膜的结构 |
| 1.2.2 四面体非晶碳薄膜的制备及生长机理 |
| 1.2.3 四面体非晶碳薄膜的性能和应用 |
| 1.3 四面体非晶碳薄膜的摩擦学性能 |
| 1.3.1 四面体非晶碳薄膜的微纳摩擦学性能 |
| 1.3.2 四面体非晶碳薄膜的宏观摩擦学性能 |
| 1.4 四面体非晶碳薄膜的电化学腐蚀性能 |
| 1.4.1 DLC薄膜腐蚀的来源 |
| 1.4.2 四面体非晶碳薄膜电化学腐蚀行为的影响因素 |
| 1.4.3 四面体非晶碳腐蚀性能的改善方法 |
| 1.5 四面体非晶碳薄膜在多环境因素下的性能 |
| 1.5.1 摩擦耦合腐蚀 |
| 1.5.2 高温摩擦 |
| 1.6 选题依据和研究内容 |
| 第2章 薄膜制备与表征技术 |
| 2.1 基体材料 |
| 2.2 薄膜制备 |
| 2.3 微观结构表征 |
| 2.3.1 薄膜厚度 |
| 2.3.2 键态结构 |
| 2.3.3 微观结构 |
| 2.3.4 表面形貌 |
| 2.3.5 表面悬键 |
| 2.3.6 接触角 |
| 2.3.7 残余应力 |
| 2.4 性能分析 |
| 2.4.1 机械性能 |
| 2.4.2 摩擦学性能分析 |
| 2.4.3 电化学腐蚀性能分析 |
| 2.4.4 磨蚀性能分析 |
| 第3章 不同碳膜体系的电化学腐蚀防护性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 薄膜的制备 |
| 3.3 微结构表征与性能测试 |
| 3.4 结果与讨论 |
| 3.4.1 薄膜的微观结构 |
| 3.4.2 薄膜的电化学行为 |
| 3.4.3 讨论 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 超薄ta-C膜的可控制备及摩擦、电化学腐蚀性能的研究 |
| 第1节 厚度对ta-C薄膜摩擦及电化学腐蚀行为的影响 |
| 4.1.1 引言 |
| 4.1.2 薄膜制备 |
| 4.1.3 微结构表征 |
| 4.1.4 结果与讨论 |
| 4.1.5 小结 |
| 第2节 碳键结构对ta-C薄膜电化学腐蚀行为的影响 |
| 4.2.1 引言 |
| 4.2.2 薄膜制备 |
| 4.2.3 薄膜结构与性能表征 |
| 4.2.4 结果与讨论 |
| 4.2.5 小结 |
| 第5章 多层ta-C薄膜的设计制备及摩擦、电化学腐蚀性能的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 薄膜制备 |
| 5.3 薄膜结构与性能表征 |
| 5.4 结果与讨论 |
| 5.4.1 相邻层组分搭配对摩擦,电化学腐蚀性能的影响 |
| 5.4.2 调制周期对摩擦,电化学腐蚀性能的影响 |
| 5.4.3 过渡层复合结构对多层ta-C摩擦及电化学腐蚀行为的影响 |
| 5.5 小结 |
| 第6章 多环境因素下多层ta-C薄膜的性能研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 薄膜制备 |
| 6.3 薄膜结构表征与性能测试 |
| 6.3.1 摩擦测试 |
| 6.3.2 磨蚀测试 |
| 6.3.3 高温摩擦测试 |
| 6.4 结果与讨论 |
| 6.4.1 多层ta-C薄膜的多环境摩擦学研究 |
| 6.4.2 多层ta-C薄膜对玻璃模具的防护性能应用研究 |
| 6.5 小结 |
| 第7章 结论与展望 |
| 7.1 主要研究内容和结论 |
| 7.2 存在问题及今后研究重点 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读博士期间发表的论文与研究成果 |
（8）硫硒化锑(Sb2(S1-xSex)3)薄膜的溶液法制备及其太阳能电池性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 太阳能电池发展概况 |
| 1.3 太阳能电池原理 |
| 1.3.1 PN结与光生伏特效应 |
| 1.3.2 太阳能电池的伏安特性曲线及性能参数 |
| 1.4 太阳能电池的分类 |
| 1.4.1 硅基太阳能电池 |
| 1.4.2 无机化合物薄膜太阳能电池 |
| 1.4.3 有机薄膜太阳能电池 |
| 1.4.4 染料敏化太阳能电池 |
| 1.4.5 钙钛矿太阳能电池 |
| 1.5 硫硒化锑薄膜太阳能电池研究进展 |
| 1.5.1 硫硒化锑材料的结构与特点 |
| 1.5.2 硫硒化锑薄膜太阳能电池的发展现状 |
| 1.6 本论文研究课题的提出以及研究内容 |
| 参考文献 |
| 第2章 溶液法制备Sb_2S_(3-x)Se_x薄膜太阳能电池性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验原料 |
| 2.2.2 溶液配制与器件组装 |
| 2.2.3 薄膜与器件的表征 |
| 2.3 实验结果与讨论 |
| 2.3.1 单质硒的溶解机理探究 |
| 2.3.2 不同退火过程对Sb_2S_(3-x)Se_x薄膜形貌的影响 |
| 2.3.3 不同Se含量对Sb_2S_(3-x)Se_x薄膜晶体结构和形貌的影响 |
| 2.3.4 不同Se含量对Sb_2S_(3-x)Se_x薄膜的光吸收和能级位置的影响 |
| 2.3.5 不同Se含量对Sb_2S_(3-x)Se_x电池性能的影响 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第3章 界面修饰提高Sb_2(S_(1-x)Se_x)_3薄膜太阳能电池性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验原料 |
| 3.2.2 溶液配制与器件组装 |
| 3.2.3 薄膜与器件的表征 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 In:CdS薄膜中In含量的最佳比例探索 |
| 3.3.2 不同电子传输层的形貌、In元素价态和光吸收特性表征 |
| 3.3.3 不同电子传输层对Sb_2(S_(1-x)Se_x)_3薄膜形貌、晶体结构的影响 |
| 3.3.4 不同电子传输层对电池器件性能的影响 |
| 3.3.5 不同电子传输层对电池器件界面电荷传输性能的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 水添加剂调控Sb_2(S_(1-x)Se_x)_3薄膜太阳能电池性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.2.1 实验原料 |
| 4.2.2 前驱体溶液配制与器件组装 |
| 4.2.3 测试表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 Sb_2(S_(1-x)Se_x)_3薄膜的退火温度及旋涂层数的探究 |
| 4.3.2 不同水含量对Sb_2(S_(1-x)Se_x)_3薄膜形貌的影响 |
| 4.3.3 不同水含量对Sb_2(S_(1-x)Se_x)_3薄膜晶体结构及组份的影响 |
| 4.3.4 不同水含量对电池器件性能的影响 |
| 4.3.5 DLTS深入分析水添加剂提升器件性能的原因 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 研究内容总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（9）基于钙钛矿半导体材料的光电转换器件制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 钙钛矿光电转化器件研究概述 |
| 1.2.1 光电池器件研究现状 |
| 1.2.2 光电探测器件研究现状 |
| 1.3 传统钙钛矿膜层的制备方法 |
| 1.3.1 一步合成法 |
| 1.3.2 两步连续沉积法 |
| 1.4 传统钙钛矿光电二极管的结构 |
| 1.4.1 完整的n-i-p或p-i-n三明治结构 |
| 1.4.2 无空穴传输层或无电子传输层的结构 |
| 1.4.3 无任何载流子传输层的结构 |
| 1.5 钙钛矿光电转换集成系统的研究 |
| 1.5.1 以能量为目的的集成系统 |
| 1.5.2 以信号为目的的集成系统 |
| 1.6 本论文的选题背景和结构安排 |
| 第二章 钙钛矿半导体膜层制备工艺研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 平面刚性衬底上的钙钛矿膜层沉积 |
| 2.2.1 实验部分 |
| 2.2.2 结果与讨论 |
| 2.3 平面柔性衬底上的钙钛矿膜层沉积 |
| 2.3.1 实验部分 |
| 2.3.2 结果与讨论 |
| 2.4 线形碳纤维衬底上的钙钛矿膜层沉积 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 钙钛矿光电转换二极管的器件结构优化 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 基于ATO纳米棒阵列的介孔支架结构 |
| 3.2.1 实验部分 |
| 3.2.2 结果与讨论 |
| 3.3 基于氧化亚铜-氧化铜的阻挡层-传输层结构 |
| 3.3.1 实验部分 |
| 3.3.2 结果与讨论 |
| 3.4 基于氧等离子表面处理技术的结构简化 |
| 3.4.1 实验部分 |
| 3.4.2 结果与讨论 |
| 3.5 基于Pb-Sn梯度渐变钙钛矿同质结光吸收层的结构简化 |
| 3.5.1 实验部分 |
| 3.5.2 结果与讨论 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 基于水平渐变钙钛矿膜层的颜色探测/光谱分析系统 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 基膜KMAPbCl_xBr_(3-x)的选择与制备 |
| 4.3 基膜材料的缺陷态控制与器件响应速度研究 |
| 4.4 水平渐变钙钛矿膜层的制备与颜色/光谱探测器实现 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 人工光源场景的能量获取-存储系统 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 适用于人工光源场景的钙钛矿光吸收层 |
| 5.3 光吸收层-Nb:TiO_2电子传输层的协同优化 |
| 5.4 能量存储器件的表征 |
| 5.5 人工光源能量获取-存储系统的应用 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 全文总结与主要创新 |
| 6.2 未来的展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（10）FeSiBCr/SiO2纳米晶软磁铁芯的可控制备及电磁性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstrac t |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 铁基纳米晶合金 |
| 1.2.1 铁基纳米晶合金发展概述 |
| 1.2.2 铁基纳米晶软磁合金的制备过程 |
| 1.2.3 铁基纳米晶软磁合金的相结构与性能 |
| 1.3 软磁复合铁芯 |
| 1.3.1 影响软磁复合铁芯特定性能的因素 |
| 1.3.2 软磁复合铁芯的绝缘包覆方法 |
| 1.4 本文选题意义及研究内容 |
| 1.4.1 研究意义 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 1.4.3 创新点 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 前言 |
| 2.2 实验材料和装置 |
| 2.2.1 粉体原料 |
| 2.2.2 试剂原料 |
| 2.2.3 实验装置 |
| 2.3 结构分析与表征 |
| 2.3.1 物相分析(XRD) |
| 2.3.2 微观形貌分析(SEM) |
| 2.3.3 热分析(DSC) |
| 2.4 性能检测 |
| 2.4.1 密度测试 |
| 2.4.2 抗压强度测试 |
| 2.4.3 显微硬度测试 |
| 2.4.4 静磁性能检测 |
| 2.4.5 相对磁导率 |
| 2.4.6 电阻率 |
| 2.4.7 铁损 |
| 第三章 FeSiBCr软磁铁芯的制备及组织性能演变研究 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验样品微观结构及制备流程 |
| 3.2.1 粉体原料的微观结构 |
| 3.2.2 FeSiBCr软磁铁芯的制备流程 |
| 3.3 烧结温度对FeSiBCr软磁铁芯的影响 |
| 3.3.1 烧结温度对铁芯微观组织结构的影响 |
| 3.3.2 烧结温度对铁芯力学性能的影响 |
| 3.3.3 烧结温度对铁芯电磁性能的影响 |
| 3.4 烧结压力对FeSiBCr软磁铁芯的影响 |
| 3.4.1 烧结压力对铁芯微观组织结构的影响 |
| 3.4.2 烧结压力对铁芯力学性能的影响 |
| 3.4.3 烧结压力对铁芯磁性能的影响 |
| 3.5 加热速率对FeSiBCr软磁铁芯的影响 |
| 3.5.1 加热速率对铁芯微观组织结构的影响 |
| 3.5.2 加热速率对铁芯力学性能的影响 |
| 3.5.3 加热速率对铁芯磁性能的影响 |
| 3.6 保温时间对FeSiBCr软磁铁芯的影响 |
| 3.6.1 保温时间对铁芯微观组织结构的影响 |
| 3.6.2 保温时间对铁芯力学性能的影响 |
| 3.6.3 保温时间对铁芯电磁性能的影响 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 反相微乳液法结合热压烧结制备软磁复合铁芯 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 实验样品的制备流程 |
| 4.2.1 FeSiBCr/SiO_2非晶复合粉末的反相微乳液法制备流程 |
| 4.2.2 FeSiBCr/SiO_2纳米晶软磁复合铁芯的制备流程 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 复合粉末微观形貌和物相组成 |
| 4.3.2 反相微乳液法包覆机理 |
| 4.3.3 复合铁芯微观形貌与性能 |
| 4.3.4 包覆壳层控制及其对电、磁性能的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 化学液相沉积法结合热压烧结制备软磁复合铁芯 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 实验材料的制备流程 |
| 5.2.1 复合粉末的制备流程 |
| 5.2.2 复合铁芯的制备流程 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 复合粉末微观形貌和物相组成 |
| 5.3.2 化学液相沉积法包覆机理 |
| 5.3.3 复合铁芯微观形貌和性能 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 化学液相沉积工艺参数对软磁复合铁芯的影响 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 TEOS含量对包覆层和铁芯性能的影响 |
| 6.2.1 TEOS滴加量对复合粉末的影响 |
| 6.2.2 TEOS滴加量对包覆层的影响 |
| 6.2.3 TEOS滴加量对复合铁芯性能的影响 |
| 6.3 包覆温度对包覆层和铁芯性能的影响 |
| 6.3.1 包覆温度复合粉末的影响 |
| 6.3.2 包覆温度对包覆层的影响 |
| 6.3.3 包覆温度复合铁芯性能的影响 |
| 6.4 水含量对包覆层和铁芯性能的影响 |
| 6.4.1 水含量复合粉末的影响 |
| 6.4.2 水含量对包覆层的影响 |
| 6.4.3 水含量复合铁芯性能的影响 |
| 6.5 催化剂对包覆层和铁芯性能的影响 |
| 6.5.1 氨水含量复合粉末的影响 |
| 6.5.2 氨水含量对包覆层的影响 |
| 6.5.3 氨水含量复合铁芯性能的影响 |
| 6.6 本章小结 |
| 第七章 全文总结与展望 |
| 7.1 全文结论 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文及成果 |
四、非晶硅钆合金薄膜的ESR研究（论文参考文献）
- [1]超重力冶金：科学原理、实验方法、技术基础、应用设计[J]. 郭占成,高金涛,王哲,郭磊,王明涌. 工程科学学报, 2021(12)
- [2]ZnO-MxOy金属氧化物半导体电学和光学特性的高通量实验研究[D]. 刘奕. 电子科技大学, 2021(01)
- [3]硅碳复合负极材料的制备与电化学性能研究[D]. 张子栋. 电子科技大学, 2021(01)
- [4]BaZrO3坩埚真空感应熔炼TiNi形状记忆合金制备工艺及其组织性能的研究[D]. 高鹏越. 上海大学, 2021
- [5]稀土离子掺杂的钇铝硅酸盐玻璃的光纤激光和磁光性能的研究[D]. 张晔明. 华南理工大学, 2020
- [6]碳纳米管/金属复合材料的磁控溅射制备及其力学与电学性能研究[D]. 王耿洁. 南京大学, 2020(12)
- [7]四面体非晶碳薄膜的设计制备与摩擦、电化学腐蚀行为研究[D]. 魏菁. 中国科学院大学(中国科学院宁波材料技术与工程研究所), 2020
- [8]硫硒化锑(Sb2(S1-xSex)3)薄膜的溶液法制备及其太阳能电池性能研究[D]. 武春艳. 中国科学技术大学, 2020(01)
- [9]基于钙钛矿半导体材料的光电转换器件制备与性能研究[D]. 孙浩轩. 电子科技大学, 2020(01)
- [10]FeSiBCr/SiO2纳米晶软磁铁芯的可控制备及电磁性能研究[D]. 刘莉. 安徽工业大学, 2019(06)