一、多晶硅生产中回收氢气的净化（论文文献综述）
张雪峰[1]（2021）在《晶体硅切割废料制备高纯硅的研究》文中提出硅晶片是太阳能电池的核心材料,但是在晶体硅切割生产硅片的过程中,不可避免的产生大量硅粉切屑,这不仅造成有价资源的浪费,同时也增加了硅太阳能电池的生产成本。废硅粉产生和堆置过程中,其表面生成的高熔点二氧化硅膜和金属、非金属杂质的污染,对废硅粉的回收提纯造成极大困难,因此迫切需要开发一些技术和方法实现废硅粉的高值回收。本文以金刚线切割的太阳能级晶体硅废料为研究对象,主要研究内容和研究结果如下:（1）切割废硅粉性质研究。废硅粉微观形貌粒为长条状切屑,团聚明显,不同产地废硅粉平均粒径在1μm左右,表面存在非晶态氧化层Si Ox。废硅粉中主要成分是硅、二氧化硅以及其他金属和非金属杂质,其中氧元素含量为4.56%,有机物含量为1.34%。废硅粉经50 MPa压制成型后密度可达0.95 g/cm3,是自然堆积密度的6.8倍。（2）废硅粉团块制备及其物理性质研究。最优工艺条件下,不添加黏结剂时,物料配比为废硅粉:去离子水=10:1,成型模具内径为13 mm,成型压强为60 MPa,保压时间为120 s,得到的团块相对密度为1.199 g/cm3,孔隙率为48.506%。对黏结剂的添加会造成碳污染进行了实验验证,结果表明在惰性气氛下,团块焙烧后黏结剂羟丙基甲基纤维素的剩余量为7.49%。（3）高温过程废硅粉氧化膜的演变及脱除。在氩气气氛下焙烧后,废硅粉主晶相硅的结晶度明显提高,由70.08%提高到92.33%。其表面的非晶型硅氧化膜经焙烧后转变成石英晶型,并且氧元素去除率为26.93%。以石英砂等效替代废硅粉表面的氧化膜,实验表明精炼渣对石英砂的溶解过程主要受到温度和时间影响,精炼渣黏度越低,对石英砂的溶解作用越明显,相同温度和时间下,Ca O-Si O2-Ca F2渣系对石英砂的溶解效果更优。（4）废硅粉熔炼精炼制备再生硅。采用渣硅上下分层布料,Ca O-Al2O3-Si O2渣系和Ca O-Si O2-Ca F2渣系对废硅粉的精炼提纯均有一定效果,再生硅纯度最高为99.8%。金属杂质的去除率随着熔渣碱度的增大呈现先增大后减小的变化,非金属杂质磷的去除率随着熔渣碱度的增大而增大。Ca O-Al2O3-Si O2渣系中渣成分为12Ca O·7Al2O3-5wt%Si O2,对废硅粉的提纯效果最好,此时精炼渣碱度为0.701,硅中金属杂质Al、Ti和P含量分别为217.98 ppmw、26.31 ppmw和10.84 ppmw,去除率分别为72.62%、62.57%和53.81%。Ca O-Si O2-Ca F2渣系中渣成分为48wt%Ca O-32wt%Si O2-20wt%Ca F2,对废硅粉中金属杂质的去除效果最好,此时精炼渣碱度为0.682,硅中金属杂质Al、Ti和Ni含量分别为33.02 ppmw、22.68ppmw、80.50 ppmw,去除率分别为95.85%、67.73%和25.55%。渣成分为56wt%Ca O-24wt%Si O2-20wt%Ca F2,对废硅粉中非金属杂质磷的去除效果最好,此时精炼渣碱度为0.730,硅中磷含量为8.91 ppmw,磷的去除率为62.04%。
石何武,张升学,杨永亮,严大洲[2]（2021）在《多晶硅生产中的氢气平衡分析及优化》文中认为从氢气的制备技术出发,分析甲醇制氢、煤制氢、天然气制氢、水电解制氢等氢气制备技术的优缺点及多晶硅生产工艺中的氢气消耗工序,并根据某多晶硅工厂实际生产数据,分析多晶硅生产过程中的氢气产出和消耗情况,最后针对氢化系统停车泄压、还原系统启停炉、公用辅助系统泄露等氢气消耗较大的环节提出优化建议,从而有效降低多晶硅生产成本。
李有斌,李宏盼,陈叮琳[3]（2020）在《影响尾气回收装置循环氢气质量的因素分析》文中进行了进一步梳理改良西门子法多晶硅生产尾气回收装置尾气粗分离单元、气体输送单元、氯化氢吸收单元、氯化氢解析单元、H2净化单元五个单元,还原炉尾气中杂质BC13, PC13,以及单质B, P等通过烟气吸收、加压冷凝,吸收解析,氢气净化过程中从氢气中分离,提纯后氢气送至还原炉循环利用。文章通过分析5个单元工艺流程中可能存在问题,并提出改进方向可以提高循环氢气杂质去除效果,保证还原炉化学气相沉积过程中循环氢气纯度。
周强[4]（2020）在《利用熔剂与熔渣精炼提纯工业硅及回收硅渣中硅的研究》文中认为单一的精炼方法难以深度去除工业硅中杂质,同时工业硅精炼后产生大量的工业废硅渣未能得到有效处理。本文采用熔剂-定向凝固、熔剂-熔渣-酸洗联合精炼方法对工业硅深度除杂进行研究,同时利用电磁搅拌联合熔渣精炼技术从工业硅渣中回收提纯金属硅。研究表明,向硅中加入1 wt.%的熔剂Mn,能将硅中散乱分布的Al、Ti、Fe和P等杂质富集在熔剂相中,接着在感应炉中对熔剂相进行定向凝固,熔剂中富集的大部分杂质向样品顶部迁移。在熔剂-熔渣-酸洗联合除杂精炼实验研究中,分别用Ca O-Si O2-Ca Cl2、Ca O-Si O2-Al2O3、Ca O-Si O2-Na3Al F6、Ca O-Si O2-Mn O2三元渣系对Al-Si、Sn-Si、Mn-Si合金进行精炼,然后将精炼样品进行两段酸洗,均显示出良好除杂效果。用Ca O-Si O2-Ca Cl2、Ca O-Si O2-Mn O2精炼50 wt.%Mn-Si合金时,除杂效果最佳,Fe的去除率最高达到99.7%,Ti达到95.5%,Ni达到96%,非金属杂质B和P的去除率达到86.4%和85.3%。研究还发现,硅中的硼能被Ca O-Si O2渣剂氧化成Ca3B2O6或形成Ca B2Si2O8进入渣中。酸洗时,暴露在酸性溶液中的可溶性硼氧化物再次溶解到液相中,少量不溶于酸的硼仍保留在硅中。工业硅硅渣中金属硅的分离与提纯实验表明:在1550℃的井式电阻电阻炉中吹入Ar气搅拌2h后,硅能从硅渣中得到有效分离;在功率为15k W的感应炉中利用Ca O-Si O2-Ca Cl2三元渣剂熔炼硅渣60min后,硅的回收率达到96%,同时硅中杂质Al含量从9308.64ppmw降低到174.92ppmw,去除率达98.1%;Ti从807.48ppmw降至143.11ppmw,去除率达到82.2%;B和P的去除率分别为66.6%和36.0%。
石何武,张升学,姜利霞,郑红梅[5]（2020）在《多晶硅生产中废气的分类回收利用》文中研究指明多晶硅生产需要通过排放尾气或者残液的形式排出影响产品纯度的杂质成分,来最终产品的品质,排放的废气大致可以分为:以氮气为主的废气、以氢气为主的废气、含有氯硅烷的废气和含有氢氟酸等酸性气体的废气。本文分别对目前这几类废气的处理措施和利用技术进行了介绍,以期为相关企业提供参考,实现多晶硅生产排放废气的分类回收利用。
沈琛,李超[6]（2020）在《多晶硅还原尾气回收工艺的优化》文中认为阐述了多晶硅还原尾气回收的主要工艺过程,并用Aspen大型过程模拟软件进行了模拟优化,在分析讨论干法回收工艺存在的主要问题的基础上,对现有工艺进行了优化改进。将作为吸收剂的氯硅烷在吸收塔的进料温度从-40℃降至-50℃,HCL解析塔塔顶气液相混合出料改为气相出料,同时增加解析塔换热器,减少了作为吸收剂的氯硅烷循环量,热量利用更加合理,能耗显着下降,大大降低了回收成本,同时回收氢气中杂质质量分数从11.14%减少至5.99%,降低了吸附塔操作负荷,提高了回收氢气品质,有利于多晶硅产品质量的稳定;同时将HCL的回收率从96.61%提高到99.98%,降低了氯耗;与此同时,大幅度降低了冷、热负荷的消耗且采用低品位蒸汽取代高品位蒸汽,节能降耗效果十分明显。
张娜[7]（2019）在《生产电子级多晶硅的影响因素》文中认为多晶硅在诸多领域被广泛的应用。目前改良西门子法以其节能、节省物耗、减少污染等优点被广泛应用于多晶硅生产中。多晶硅生产厂家现在大多只能生产出太阳能级多晶硅,而对电子级多晶硅的生产一直存在着技术瓶颈。文章从生产原料中的硅粉、生产工艺中的精馏工艺、尾气回收工艺、还原工艺分别对生产电子级多晶硅产品质量的影响作了详细地阐述。从工艺参数控制、原料及中间产物质量管控等方面着重加以论述。
周叶明[8]（2019）在《电子级多晶硅循环氢中磷杂质的吸附脱除研究》文中认为电子级多晶硅是制造半导体芯片和大规模集成电路最基础的材料,对我国电子、信息和国家安全领域具有重大意义。电子级多晶硅对产品纯度、杂质控制的要求非常苛刻,其主要影响因素是两种原料即三氯氢硅和循环氢气的纯度,三氯氢硅纯度问题现已基本解决,但循环氢气提纯问题至今没有重大突破。另外,多晶硅还原步骤中,氢气与三氯氢硅原料比为3-10:1,可见循环氢中痕量杂质对高纯电子级硅材料制备影响更大。循环氢中极难去除的磷杂质主要以磷化氢的形式存在,鉴于此,本课题提出用碱金属盐改性γ-Al2O3用于脱除多晶硅还原炉循环氢气中的磷化氢杂质。本文以γ-Al2O3为载体,采用碱金属盐进行改性并利用固定床吸附柱对改性γ-Al2O3进行性能评价,考察了改性条件、吸附操作过程因素和不同再生方式对吸附剂性能的影响,并利用BET、SEM等表征手段检测改性γ-Al2O3改性、吸附、再生前后物理化学特性的变化,揭示吸附机理。主要的结论如下:改性研究阶段,当采用浸渍的负载方法、金属盐选择氯化铜、浸渍浓度为1.3 mol/L、煅烧温度为450℃时,制备出的Cu/γ-Al2O3保持了原有的孔径结构,具有相对最好的磷化氢去除性能,突破实验对应最大吸附量为32.09 mg/g。操作条件研究阶段,在-15-50℃之间,温度越高,吸附性能越好;突破时间随着进气浓度增大而减小,但吸附饱和时总吸附量增加;空速在30.9-92.7h-1为宜;随着氯化氢浓度增加,磷化氢吸附量减小。再生阶段空气煅烧再生对比氮气吹扫再生是更加合适的再生方法。一次空气煅烧再生吸附剂可以达到新鲜吸附剂吸附量的93.6%,四次再生吸附总量可以达到146.1 mg/g。对改性吸附剂进行表征分析得到,氯化铜盐相比铜铝化合物对磷化氢具有更好的反应活性,对化学吸附起主要作用。整个吸附再生过程可以当做一个催化氧化反应,磷被氧化成P2O5或H3PO4,所以吸附剂在再生后依然具备较好的磷化氢去除能力,吸附剂的逐渐失活主要是由于磷氧化物的堆积覆盖了吸附活性位点造成的。
张新红[9]（2019）在《多晶硅原辅料中碳杂质的分析》文中提出碳杂质是多晶硅产品的重要杂质之一。为了更好的控制多晶硅产品中的碳杂质,需要明确碳杂质在生产中的分布及转化原理,寻找控制产品中碳杂质的途径。通过分析多晶硅生产中原辅料中碳杂质的来源和控制方式,进而控制产品中碳杂质。
魏亚魁,张琳,孟坤,刘兴华[10]（2018）在《改良西门子法生产多晶硅工艺的物料平衡》文中研究表明改良西门子法生产多晶硅的过程中,主要的物料包括:氢气、三氯氢硅、硅粉、四氯化硅、二氯二氢硅及氯化氢等。这些物料存在一定的平衡关系,其本质是元素的质量守恒定律。在一个独立的反应系统中,无论各种物质发生何种化学和物理的变化,其所含的各种元素的量是固定不变的,本文依据物料的平衡关系对我公司生产过程中的物料平衡进行了分析,通过降低关键节点的物料损耗,节约生产成本,保障生产高效平稳运行。
二、多晶硅生产中回收氢气的净化（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、多晶硅生产中回收氢气的净化（论文提纲范文）
（1）晶体硅切割废料制备高纯硅的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 光伏发电 |
| 1.3 晶体硅制备方法 |
| 1.3.1 化学法制备晶体硅 |
| 1.3.2 冶金法制备晶体硅 |
| 1.4 晶体硅切割废料的产生及回收现状 |
| 1.4.1 晶体硅切片技术简介 |
| 1.4.2 晶体硅切割废料资源化回收现状 |
| 1.5 课题的研究意义及内容 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 1.5.3 创新点 |
| 第二章 晶体硅切割废硅粉物性研究 |
| 2.1 化学组成分析 |
| 2.2 物相分析 |
| 2.3 粒度分析 |
| 2.4 微观形貌分析 |
| 2.5 硅价态分析 |
| 2.6 热重分析 |
| 2.7 堆积密度分析 |
| 2.8 本章小结 |
| 第三章 晶体硅切割废硅粉团块制备 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验原料与试剂 |
| 3.2.2 实验设备与分析仪器 |
| 3.2.3 实验步骤 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 酸浸体系对废硅粉中杂质镍的去除影响 |
| 3.3.2 废硅粉成型制团 |
| 3.3.3 团块焙烧 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 高温过程废硅粉氧化膜的演变及脱除 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 精炼渣的选择 |
| 4.3 实验部分 |
| 4.3.1 实验原料与试剂 |
| 4.3.2 实验设备与分析仪器 |
| 4.3.3 实验步骤 |
| 4.4 结果与讨论 |
| 4.4.1 焙烧温度对废硅粉结晶度的影响 |
| 4.4.2 精炼渣预熔后的物性分析 |
| 4.4.3 精炼渣对石英砂溶解效果 |
| 4.4.4 精炼渣溶解石英砂过程中的矿相转变 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 晶体硅切割废硅粉熔炼精炼制备再生硅 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 实验原料与试剂 |
| 5.2.2 实验设备与分析仪器 |
| 5.2.3 实验步骤 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 废硅粉原料直接熔炼 |
| 5.3.2 渣硅比对废硅粉熔炼的影响 |
| 5.3.3 布料方式对废硅粉熔炼的影响 |
| 5.3.4 渣成分对废硅粉精炼的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 攻读学位期间学术成果 |
（2）多晶硅生产中的氢气平衡分析及优化（论文提纲范文）
| 0前言 |
| 1 氢气的制备 |
| 1.1 制氢工艺 |
| 1.1.1 甲醇制氢技术 |
| 1.1.2 煤制氢技术 |
| 1.1.3 天然气制氢技术 |
| 1.1.4 水电解制氢技术 |
| 1.2 制氢工艺的选择 |
| 2 氢气的消耗分析 |
| 3 某多晶硅工厂生产系统氢气平衡分析 |
| 3.1 氢气来源分析 |
| 3.1.1 还原炉产氢 |
| 3.1.2 水电解制氢 |
| 3.2 氢气消耗量分析 |
| 3.2.1 氢化系统 |
| 3.2.1. 1 活化干燥下硅粉充压耗氢 |
| 3.2.1. 2 氢化反应耗氢 |
| 3.2.1. 3 二氯二氢硅进氢化系统的压料耗氢 |
| 3.2.1. 4 氢化系统停车泄压耗氢 |
| 3.2.2 还原系统 |
| 3.2.3 精馏提纯系统 |
| 3.2.3. 1 分离塔进料、产品压料用氢 |
| 3.2.3. 2 氯硅烷储罐保压用氢 |
| 3.2.4 干法回收系统 |
| 3.2.4. 1 活性炭彻底再生放空排氢 |
| 3.2.4. 2 深度净化系统排放废气 |
| 3.2.5 公用辅助系统 |
| 3.3 氢气平衡分析 |
| 4 降低氢气消耗的优化措施 |
| 4.1 氢化系统停车卸压耗氢优化 |
| 4.2 还原启停炉氢气损耗优化 |
| 4.2.1 还原炉启炉真空泵的使用 |
| 4.2.2 停炉氢气进泄压氢管线回收 |
| 4.3 公用辅助系统的泄露优化 |
| 5 结束语 |
（3）影响尾气回收装置循环氢气质量的因素分析（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 尾气粗分离单元 |
| 1.1 工艺流程 |
| 1.2 存在问题 |
| 1.3 改进方向 |
| 2 气体输送单元 |
| 2.1 工艺流程 |
| 2.2 存在问题 |
| 2.3 改进方向 |
| 3 氯化氢吸收单元 |
| 3.1 工艺流程 |
| 3.2 存在问题 |
| 3.3 改进方向 |
| 4 氯化氢解析单元 |
| 4.1 工艺流程 |
| 4.2 存在问题 |
| 4.3 改进方向 |
| 5 H2净化单元 |
| 5.1 工艺流程 |
| 5.2 存在问题 |
| 5.3 改进方向 |
| 6 结语 |
（4）利用熔剂与熔渣精炼提纯工业硅及回收硅渣中硅的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 立题背景 |
| 1.1.1 太阳能资源利用前景及分布 |
| 1.1.2 硅产业发展现状 |
| 1.2 工业硅中杂质 |
| 1.2.1 工业硅中主要杂质 |
| 1.2.2 工业硅中杂质来源 |
| 1.2.3 太阳能多晶硅中杂质标准 |
| 1.3 工业硅炉外精炼技术 |
| 1.3.1 湿法冶金技术 |
| 1.3.2 吹气精炼技术 |
| 1.3.3 定向凝固技术 |
| 1.3.4 真空精炼技术 |
| 1.3.5 熔剂精炼技术 |
| 1.3.6 造渣精炼技术 |
| 1.4 硅渣中硅回收的必要性与分离应用现状 |
| 1.4.1 硅渣中硅回收的必要性 |
| 1.4.2 硅渣中硅回收的原理与现状 |
| 1.5 本论文研究的意义、内容及创新点 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 1.5.3 研究的创新点 |
| 第二章 实验原理与方法 |
| 2.1 实验原理 |
| 2.1.1 熔渣精炼 |
| 2.1.2 熔剂-熔渣联合精炼 |
| 2.1.3 造渣-酸洗联合精炼除硼 |
| 2.1.4 硅渣中硅的回收原理 |
| 2.2 实验设备及药品 |
| 2.2.1 实验设备 |
| 2.2.2 实验原料及辅料 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 熔剂与熔渣精炼工业硅研究 |
| 3.1 熔剂精炼结合定向凝固精炼实验 |
| 3.1.1 实验条件 |
| 3.1.2 合金相分析 |
| 3.1.3 精炼条件对杂质去除的影响 |
| 3.2 Sn-Si熔剂-熔渣精炼实验 |
| 3.2.1 实验步骤 |
| 3.2.2 精炼样品微观形貌与物相分析 |
| 3.2.3 精炼效果分析 |
| 3.3 Al-Si熔剂-熔渣精炼实验 |
| 3.3.1 实验步骤 |
| 3.3.2 精炼样品微观形貌分析 |
| 3.3.3 精炼效果分析 |
| 3.4 Mn-Si熔剂-熔渣精炼实验 |
| 3.4.1 实验步骤 |
| 3.4.2 精炼效果分析 |
| 3.5 造渣-酸洗联合精炼除硼研究 |
| 3.5.1 工业硅中含硼物相探讨 |
| 3.5.2 酸浸对硼去除效果的影响 |
| 3.5.3 精炼过程的微观形貌分析 |
| 3.6 造渣精炼技术的工业试验研究 |
| 3.6.1 试验原理 |
| 3.6.2 试验过程 |
| 3.6.3 工业硅实验结果与分析 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 硅渣中硅的回收研究 |
| 4.1 渣硅原料分析 |
| 4.1.1 硅渣微观形貌 |
| 4.1.2 硅渣原料热重分析 |
| 4.1.3 硅渣物相分析 |
| 4.2 高温井式电阻炉中硅的分离实验 |
| 4.2.1 实验方法 |
| 4.2.2 氩气底吹直接分离实验 |
| 4.2.3 氩气顶吹直接分离实验 |
| 4.3 中频感应炉中硅的分离实验 |
| 4.3.1 实验方法及条件 |
| 4.3.2 渣硅分离效果 |
| 4.3.3 分离硅中杂质去除率 |
| 4.4 硅渣中硅回收的工业实验 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 附录A 攻读学位期间发表论文情况和荣誉 |
| 附录B 攻读学位期间参与科研项目情况 |
| 附录C 参加学术交流会议 |
（5）多晶硅生产中废气的分类回收利用（论文提纲范文）
| 1 废气的来源 |
| 2 废气的分类 |
| 3 废气的处理 |
| 3.1 氮气为主的废气处理 |
| 3.2 氢气为主的废气处理 |
| 3.3 含氯硅烷的废气处理 |
| 3.4 酸性废气的处理 |
| 3.5 紧急泄放装置与安全阀排放装置 |
| 4 结论 |
（6）多晶硅还原尾气回收工艺的优化（论文提纲范文）
| 1 现有多晶硅还原尾气干法回收工艺 |
| 1.1 工艺流程 |
| 1.2 工业生产存在的主要问题 |
| (1)吸收效果不理想,回收氢气品质不稳定。 |
| (2)能耗高。 |
| 2 工艺优化方案 |
| 2.1 将吸收剂的温度从-40 ℃降低到-50 ℃。 |
| 2.2 将解析塔塔顶气液相出料改为塔顶气相出料。 |
| 2.3 增加解析塔换热器。 |
| 3 模拟优化及结果比较 |
| 3.1 设计数据 |
| 3.2 工艺要求 |
| 3.3 模拟计算结果及分析 |
| 4 结论 |
（7）生产电子级多晶硅的影响因素（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 电子级多晶硅质量影响因素分析 |
| 2.1 硅粉对产品质量的影响 |
| 2.2 精馏工序对产品质量的影响 |
| 2.3 尾气回收工序对产品质量的影响 |
| 2.4 还原工序对产品质量的影响 |
| 3 结语 |
（8）电子级多晶硅循环氢中磷杂质的吸附脱除研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 硅 |
| 1.1.1 硅的性质 |
| 1.1.2 硅的分类及应用 |
| 1.2 电子级多晶硅 |
| 1.2.1 国内外电子级多晶硅发展现状 |
| 1.2.2 电子级多晶硅生产工艺 |
| 1.2.3 影响电子级多晶硅质量的相关因素 |
| 1.2.4 电子级多晶硅生产流程中杂质问题 |
| 1.3 磷化氢的来源和危害 |
| 1.3.1 磷化氢的结构,物理化学性质 |
| 1.3.2 磷化氢的检测方法 |
| 1.4 磷化氢处理技术现状 |
| 1.4.1 湿法除磷 |
| 1.4.1.1 液相氧化还原法 |
| 1.4.1.2 液相催化氧化法 |
| 1.4.1.3 电催化法 |
| 1.4.1.4 生物法 |
| 1.4.2 干法除磷 |
| 1.4.2.1 燃烧法 |
| 1.4.2.2 催化分解法 |
| 1.4.2.3 吸附法 |
| 1.5 论文研究内容 |
| 第2章 吸附剂的制备及表征 |
| 2.1 实验原料及药品 |
| 2.1.1 实验原料及原料气 |
| 2.1.2 改性活性氧化铝制备 |
| 2.1.3 实验试剂 |
| 2.2 实验装置及实验方法 |
| 2.2.1 实验装置及实验步骤 |
| 2.2.2 再生实验步骤 |
| 2.2.3 吸附剂性能指标评价 |
| 2.3 吸附剂表征 |
| 第3章 改性氧化铝对磷化氢的吸附研究 |
| 3.1 吸附剂改性因素研究 |
| 3.1.1 不同负载方式对吸附性能的影响 |
| 3.1.2 不同过渡金属盐对吸附剂性能的影响 |
| 3.1.3 不同铜盐对吸附剂性能的影响 |
| 3.1.4 不同浸渍浓度对吸附剂性能的影响 |
| 3.1.5 煅烧温度对吸附剂性能的影响 |
| 3.2 吸附操作影响因素研究 |
| 3.2.1 温度对吸附剂性能的影响 |
| 3.2.2 进气浓度对吸附剂性能的影响 |
| 3.2.3 氯化氢浓度对吸附剂性能的影响 |
| 3.2.4 空速对吸附剂性能的影响 |
| 3.3 吸附剂再生研究 |
| 3.3.1 氮气吹扫再生 |
| 3.3.2 空气煅烧法再生 |
| 3.4 工业试验研究 |
| 3.5 吸附剂吸附机理研究 |
| 3.5.1 孔结构分析 |
| 3.5.2 SEM-EDS图谱分析 |
| 3.5.3 H_2-TPR分析 |
| 3.5.4 XRD晶体结构分析 |
| 3.5.5 XPS分析 |
| 3.5.6 TGA分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 结论与展望 |
| 4.1 结论 |
| 4.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间研究成果 |
| 致谢 |
（9）多晶硅原辅料中碳杂质的分析（论文提纲范文）
| 1 各原辅料中碳杂质的控制 |
| 1.1 硅芯中碳杂质的影响 |
| 1.2 三氯氢硅中碳杂质的影响 |
| 1.3 氢气中碳杂质的影响 |
| 2 总结 |
（10）改良西门子法生产多晶硅工艺的物料平衡（论文提纲范文）
| 1 多晶硅生产中主要化学反应 |
| 2 各工序中的物料损耗 |
| 2.1 氢气的损耗 |
| 2.2 硅粉的损耗 |
| 2.3 氯硅烷的损耗 |
| 2.4 HCl气体的损耗 |
| 3 多晶硅生产氯硅烷的平衡 |
| 4 多晶硅生产氢气的平衡 |
| 5 结语 |
四、多晶硅生产中回收氢气的净化（论文参考文献）
- [1]晶体硅切割废料制备高纯硅的研究[D]. 张雪峰. 昆明理工大学, 2021(01)
- [2]多晶硅生产中的氢气平衡分析及优化[J]. 石何武,张升学,杨永亮,严大洲. 有色冶金节能, 2021(01)
- [3]影响尾气回收装置循环氢气质量的因素分析[J]. 李有斌,李宏盼,陈叮琳. 化工管理, 2020(33)
- [4]利用熔剂与熔渣精炼提纯工业硅及回收硅渣中硅的研究[D]. 周强. 昆明理工大学, 2020
- [5]多晶硅生产中废气的分类回收利用[J]. 石何武,张升学,姜利霞,郑红梅. 中国有色冶金, 2020(01)
- [6]多晶硅还原尾气回收工艺的优化[J]. 沈琛,李超. 化学工程, 2020(02)
- [7]生产电子级多晶硅的影响因素[J]. 张娜. 化工管理, 2019(28)
- [8]电子级多晶硅循环氢中磷杂质的吸附脱除研究[D]. 周叶明. 天津大学, 2019(06)
- [9]多晶硅原辅料中碳杂质的分析[J]. 张新红. 云南化工, 2019(01)
- [10]改良西门子法生产多晶硅工艺的物料平衡[J]. 魏亚魁,张琳,孟坤,刘兴华. 广州化工, 2018(23)
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