一、室温下钛酸锶单晶的布里渊散射（论文文献综述）
姚迪[1]（2018）在《挠曲电效应系数定量表征的理论研究》文中研究说明挠曲电效应是描述材料中电极化强度和应变梯度相互作用的一种新型的力电耦合效应。该效应可存在于所有介电材料中,并且随着材料尺寸的减小而增加,因此在微纳米尺度下具有重要的应用前景。挠曲电效应系数的定量表征是挠曲电效应发展与应用的前提和基础。本论文基于理论推导和数值分析,对挠曲电系数表征方法进行了较为系统的理论研究,提出了结合弯曲实验与压缩实验获得单晶立方相材料的全部挠曲电系数张量分量的测量方法,为挠曲电系数实验表征奠定了理论基础。本论文的主要工作包括:（1）建立了变截面悬臂梁的挠曲电系数表征模型。通过结合变截面悬臂梁弯曲模型与不同晶向的等截面弯曲梁测试方法,从理论上获得了立方相材料三个挠曲电系数张量分量,为实验测量挠曲电系数张量分量提供了一种新方法。（2）建立了变截面体压缩的挠曲电系数精确表征模型。理论推导出受压缩变截面体内部的精确应变场,通过结合单晶三点弯曲实验,计算得到了立方相材料的挠曲电系数张量分量值。并将该模型与变截面体压缩的挠曲电系数近似表征模型进行了对比研究,验证了在挠曲电系数测量中采用精确表征模型的必要性。（3）发展了微纳尺度下压电材料挠曲电系数的测试表征方法。通过建立变截面压电纳米锥在考虑挠曲电效应下的压缩刚度模型,提出了基于纳米压缩技术,通过测量等截面和变截面压电体的压缩刚度变化,获得材料的等效纵向挠曲电系数。同时通过数值模拟计算对纳米压缩试样尺寸进行了优化,提高了挠曲电系数定量表征的准确性。以上研究工作从理论上发展了挠曲电效应系数的表征方法,为实验上定量表征挠曲电系数张量分量奠定了理论基础。
高倩倩[2]（2014）在《Mn掺杂ZnO室温铁磁性及金属—半导体电致电阻效应研究》文中进行了进一步梳理稀磁半导体由于可以同时利用电子的自旋和电荷这两个自由度而引起了研究者的广泛关注。目前研究热点主要是寻找具有室温铁磁性的稀磁半导体材料和探讨其铁磁性的起源。ZnO基稀磁半导体材料作为宽禁带半导体,具有优异的电学和光学性能,同时表现出室温铁磁性,因此对ZnO基稀磁半导体的制备、铁磁性起源、自旋相关输运性质的研究具有重要的意义。目前,由于缺乏对锰掺杂氧化锌体系的系统研究,导致对ZnO基稀磁半导体的室温铁磁性的起源存在争议。电致电阻效应是当前研究的热点,可以应用到下一代的随机访问存储器件中。一些实验组对有关金属/SNTO（SrNbxTi1-xO3）输运以及电致电阻效应进行了研究,但是对于其阻变机理仍存在争议,响应时间比较慢,因此需要做更深入的研究。本论文针对上述问题展开研究,主要包括两大部分：一部分是锰掺杂氧化锌体系室温铁磁性研究,另一部分是Pt/SrNbxTi1-xO3的电致电阻效应研究。主要实验内容安排如下1.不同N2/H2退火温度的Zn0.98Mn0.02O薄膜室温铁磁性的研究为了研究锰掺杂氧化锌薄膜的室温铁磁性的起源,我们系统地研究不同N2/H2退火温度对Zn0.98Mn0.02O薄膜的结构和室温铁磁性的影响。通过射频磁控溅射法将Zn1-xMnxO薄膜沉积到硅衬底上,室温下表现为顺磁性。制备的薄膜在不同温度下（600℃-750℃）N2/H2（99.999%）气氛中退火1h。当退火温度超过640℃后,薄膜表面出现了泡沫状的非晶物质。磁性测量结果表明,退火的薄膜由室温顺磁性转变为室温铁磁性,并且随着退火温度的升高,饱和磁化强度逐渐增加直到退火温度达到750℃。XPS和PL光谱的解谱结果分析表明—价氧空位的浓度与低温退火的薄膜的室温铁磁性有直接关系。不同退火温度薄膜中铁磁性的起源是由两部分组成的：退火温度低于640℃的薄膜中,束缚磁极化子模型可以解释薄膜的室温铁磁性的来源；当温度高于640℃时,薄膜表面析出的泡沫状非晶物质可以增加晶界面积与晶粒体积的比值来提高磁化强度,此时铁磁性的增加是由薄膜表面的磁性的非晶物质导致的。2.多次退火对Zn0.98Mn0.02O薄膜的铁磁性的影响磁控溅射制备的薄膜分别在氧气和氮气气氛下不同温度预退火3h。当预退火温度未超过700℃时,退火过程能促进薄膜中的锰离子逐渐的取代了锌离子的位置,随着预退火温度的增加,通过SEM观察到薄膜表面出现了析出物,通过分析确定此析出物是ZnMn2O4。所有预退火的样品在N2/H2（99.999%）气氛下630℃退火1h后,预退火的薄膜由原来的室温顺磁性变成室温铁磁性,经比较后发现,在氮气700℃预退火的薄膜中铁磁性是最强的。对于多次退火的Zn0.98Mn0.02O薄膜的铁磁性起源可以用束缚磁极化子模型来解释。最后我们讨论了ZnMn2O4出现在薄膜的表面的原因。3. Zn1-xMnxO纳米颗粒的室温铁磁性的研究首先,利用共沉淀法制备不同锰掺杂浓度的Zn1-xMnxO纳米颗粒,研究锰掺杂浓度对纳米颗粒结构和室温铁磁性的影响。然后Zn0.92Mn0.08gO纳米颗粒分别放入氧气,氩气,一氧化碳,氢气中700℃退火0.5h。样品的吸收光谱和Raman光谱测量结果证明更多的氧空位出现在H2和CO退火的样品中。对样品的PL光谱的黄绿发光峰进行高斯解谱的结果分析显示一价氧空位所占的浓度和比例越大的样品,对应的室温铁磁性越强,这为一价氧空位在诱导室温铁磁性中的重要作用提供了的证据。4.铌掺杂钛酸锶单晶的电致电阻效应研究了退火处理对SrTiO3:Nb单晶的电致电阻效应的影响。退火处理的条件是氧气气氛下400℃退火0.5h。通过分析样品的I-V和C-F曲线发现Nb掺杂浓度,电成型过程和热处理都可以增加界面处的界面态,即缺陷态。退火处理通过增加样品表面的吸附氧的浓度来增加界面处的界面态,经过电成型后退火的样品的电致电阻效应的响应时间得到进一步缩短。电致电阻效应产生的原因可以归因为在Pt/SNTO界面处发生的电子的捕获和脱离过程。上述结果有利于更深入的理解电致电阻效应。
吴丰民[3]（2013）在《铁电单晶铌铟镁酸铅—钛酸铅结构及电光性质研究》文中研究说明弛豫铁电固溶体单晶因其具有十分优异的压电、机电等性能广泛地应用于传感器、超声马达及超声换能器等器件当中。最近几年，高质量、均匀的三元弛豫铁电单晶铌铟镁酸铅-钛酸铅[Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3，（PIN-PMN-PT）]备受研究领域的瞩目，在具有优异压电与机电等特性的同时，其高的居里温度、相变温度和大矫顽场等优良特性使之有很大潜力成为新一代的声功能材料。本论文以弛豫铁电单晶铌铟镁酸铅-钛酸铅为研究对象，利用拉曼散射光谱、透射光谱、马赫-曾德干涉等光学研究手段，在材料的相结构及相转换、能带结构和电光性能等方面展开了系统全面的研究。首先利用拉曼散射光谱对材料的相结构以及相转换进行设计研究。对准同型相界组分0.24PIN-0.43PMN-0.33PT单晶的拉曼光谱进行Gauss拟合得到一系列的拉曼模式，通过分析拉曼模式的数量推断出室温下，单晶为单斜相结构。通过测试单晶样品表面不同区域的偏振拉曼光谱，判断出该组分单晶不同单斜相（MA、MB和MC）共存。通过研究该单晶材料偏振拉曼光谱随温度变化情况，并根据拉曼谱线的移动及合并，判断出单晶材料的相变过程，单斜到四方的相变温度为85°C，四方相到立方相的相转换温度为200°C。同时根据拉曼峰强度的比值分析了相变过程单晶晶格振动及畴结构变化。通过XRD和TSDC分析了材料的相变过程，并研究了[111]c极化0.24PIN-0.43PMN-0.33PT单晶介温曲线中，从67°C升高到82°C时，介电系数出现了不连续跳变显示了在此温区发生多次相变。最后通过分析电场诱导下的单晶的偏振拉曼光谱分析出了MB到MC单斜相结构的相变过程。对单畴单晶材料的能带结构及相关物理参数进行研究。将0.24PIN-0.49PMN-0.27PT单晶沿[111]c方向极化成稳定的单畴状态，具有较高的光学透过率，可以达到64%左右。和多畴态准同型相界组分0.24PIN-0.43PMN-0.33PT单晶进行对比，多畴态单晶由于其畴壁对光的散射作用会导致透射率降低，通过透射率计算材料吸收系数，进而求出了单晶直接禁带宽度和间接禁带宽度，分别为3.18eV和2.96eV。通过测试变温透射率，将室温和居里温度以上透射率进行对比发现单晶室温下的透射率和顺电相时的透射率非常接近，表明单晶在室温下可以极化成稳定的单畴状态。最后运用椭偏仪测量了单晶的折射率，通过最小二乘法拟合出了单晶折射率的塞尔迈耶尔色散方程，并通过线性拟合折射率关系得出了色散方程的相关参数。优异的基本光学性质表明该单晶在光学器件领域有很大的应用潜力。全面研究不同组分单晶的电光系数张量以及电光系数的温度稳定性。利用偏光显微镜观测不同组分0.24PIN-（0.76-x）PMN-xPT单晶的畴结构，利用布儒斯特角法测量了各组分单晶的寻常光折射率no和非寻常光折射率ne，同时制作压电振子测试了单晶材料的横向压电应变系数d31。选用改进的马赫-曾德干涉系统测量了各组分单晶的电光系数。对于准同型相界组分的单晶，其沿着[001]c方向极化后，得到的最大的有效电光系数高达204pm/V，而单畴态的单晶也具有较高的电光系数，均高于传统的电光晶体LiNbO3。由此可计算出材料具有的较小半波电压，同时我们还发现单晶PIN-PMN-PT具有较好的温度稳定性。因此，高的电光系数、较小的半波电压以及较好的温度稳定性使得该单晶材料在特定的应用领域中可以替代传统的LiNbO3晶体。实验证实对准同型相界组分单晶沿[011]c方向极化可诱导出稳定的单畴态，而此单畴态具有优异的透光性能和较高的电光系数分量。
王芳[4]（2013）在《二氧化钛纳米结构材料的修饰和光电化学性质研究》文中提出二氧化钛（TiO2）由于其独特的物理和化学性质，使之成为了太阳能电池，光子晶体，光催化，气体传感器，电致变色和自清洁材料等领域广泛研究的材料之一。光生载流子的分离效率较低和对太阳光的利用率较低是阻碍该材料发展的一个重要因素。迄今为止，有许多方法和策略用于提高TiO2的光电化学性能，如复合其他半导体，敏化染料，负载金属和碳纳米粒子等，或采用过渡金属（如金，钯，铂，铑等），非金属元素（如氮，硫，碘，氟等）进行掺杂。然而，通过这些方法会引入一些新的问题：如表面性质不稳定，或材料不便于进一步的修饰和功能化。为了解决这一问题，我们提出了两种新的途径：一是通过TiO2材料自身结构变化，而不是修饰和掺杂其他异质性物种；二是构筑新型的纳米调控体系，以达到控制TiO2光电化学性质的目的。鉴于以上几点，本论文工作制备出小尺寸纳米环修饰TiO2纳米管的复合纳米结构和碳量子点（CQDs）修饰的TiO2纳米管复合纳米结构，并对其性质进行了表征。此外，我们还以阳极氧化法制备的TiO2纳米管为前驱体利用水热法制备出SrTiO3纳米薄膜，并用CQDs对其修饰，研究其光电化学和光电催化性质。本论文围绕以上内容，主要开展了以下几个方面的工作:（1）通过一个简单的两步阳极氧化法构筑二氧化钛纳米环/管复合结构。对所制备的样品进行了X射线衍射，扫描电子显微镜，光致发光光谱和紫外-可见吸收光谱，拉曼光谱，光电化学等性质的表征。光电化学性质测量表明：该复合结构具有高的光-电转换效率，快速的电子传输速度，和受表面调控的光电响应等特点。通过对复合结构和纯纳米管的电化学阻抗谱和光电转换效率的研究进一步表明，异质环/管复合结构的形成对光生电荷的动力学行为（包括电荷分离效率和输运能力）起着重要的作用。TiO2纳米环/管复合结构大大提高了电荷分离效率和光电转化能力。相关工作已发表于Journal of Physical Chemistry C。（2）我们采用浸渍沉积法，首次将CQDs颗粒成功地负载到TiO2纳米管（TNTs）的内外壁表面，有效地提高了TiO2纳米管的吸光范围和光电转换效果。通过构筑TiO2和CQDs的界面，借助偏压调控二者之间能量/电荷转移的过程实现了对光电转换状态的有效调控。由于碳量子点具有上转换荧光特性和电子给体/受体的性能，在CQDs/TNTs体系中可实现多种能量/电子转移的状态，实现了多态调控的逻辑行为。相关工作已发表于Nanoscale。（3）以TiO2纳米管阵列为前驱体，采用水热法合成了SrTiO3薄膜材料。结合电沉积法将CQDs对SrTiO3薄膜进行修饰，研究其光电性质。CQDs/SrTiO3作为光阳极，能够将近红外光子能量转换为光电流，同时实现CQDs和SrTiO3异质结构之间的电子/空穴高效分离。相关工作已发表于New Journal of Chemistry。综上所述，本研究所制备的TiO2纳米环/管复合结构阵列电极、偏压处理调控下的CQDs修饰的TiO2纳米管阵列电极、CQDs修饰的SrTiO3纳米薄膜阵列电极，不仅扩展了TiO2纳米管阵列电极的光响应范围和应用能力，而且还提高了光生电子-空穴对的分离效率，从而提高其光电催化能力，有助于推动光催化技术向实用化进一步发展。
杨文煌,周佩玲,李从周[5]（1983）在《室温下钛酸锶单晶的布里渊散射》文中研究说明一、引言钛酸锶发现于50年代末,由于它具有若干奇特的物理性质,所以无论从晶体生长的角度,还是从物理性质的研究角度来看,钛酸锶晶体至今仍是科学工作者感兴趣的研究对象。钛酸锶单晶具有许多重要的应用,在航天工业和太阳能利用研究中,都受到重视。本文主要通过光散射的测量,来研究
常英传,侯德森,李从周[6]（1983）在《从纯熔体中生长钛酸锶单晶》文中研究说明从纯熔体中,用慢降温的方法由定向籽晶上生长出中φ45×1Omm 的钛酸锶单晶。熔体的熔点约2080℃。刚生长完的晶体,由于缺氧呈兰黑色,经过退火处理可得浅黄色透明晶体。测定了晶体的光学透过率和介电常数。并进行了 X 射线衍射、磁共振以及室温下的布里渊散射等项研究。
二、室温下钛酸锶单晶的布里渊散射（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、室温下钛酸锶单晶的布里渊散射（论文提纲范文）
（1）挠曲电效应系数定量表征的理论研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 挠曲电效应简介 |
| 1.2 挠曲电效应的发展 |
| 1.3 挠曲电效应的定量表征研究 |
| 1.3.1 弯曲方法 |
| 1.3.2 压缩方法 |
| 1.3.3 其他方法 |
| 1.3.4 挠曲电系数的理论计算工作 |
| 1.3.5 目前挠曲电系数表征研究中存在的问题 |
| 1.4 本论文的主要工作 |
| 第2章 挠曲电系数的弯曲表征模型 |
| 2.1 等截面单晶微梁弯曲模型 |
| 2.1.1 等截面梁在弯曲过程中的位移场推导 |
| 2.1.2 单晶微梁的挠曲电效应表达式推导 |
| 2.2 变截面单晶微梁弯曲模型 |
| 2.2.1 挠曲电系数表征方程的建立 |
| 2.2.2 数值分析 |
| 2.3 小结 |
| 第3章 挠曲电系数的压缩表征模型 |
| 3.1 近似形式的单轴压缩表征模型 |
| 3.1.1 挠曲电效应方程组的建立 |
| 3.1.2 数值分析 |
| 3.2 精确形式的单轴压缩模型 |
| 3.2.1 梯形台内部应力场推导 |
| 3.2.2 梯形台模型内的挠曲电效应推导 |
| 3.2.3 数值分析 |
| 3.3 小结 |
| 第4章 挠曲电系数的纳米压缩表征方法研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 理论推导 |
| 4.3 数值分析 |
| 4.4 小结 |
| 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 |
| 致谢 |
（2）Mn掺杂ZnO室温铁磁性及金属—半导体电致电阻效应研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 稀磁半导体 |
| 1.2.1 稀磁半导体基本情况介绍 |
| 1.2.2 稀磁半导体的磁性起源 |
| 1.3 氧化锌基稀磁半导体的性质与研究现状 |
| 1.4 金属—半导体器件的电致电阻效应 |
| 1.4.1 金属-半导体结构器件的研究历史 |
| 1.4.2 电致电阻效应的物理机制 |
| 1.5 本论文的选题目的及意义 |
| 参考文献 |
| 第二章 薄膜制备、结构表征及物性测量 |
| 2.1 薄膜的概述 |
| 2.2 薄膜的形成过程 |
| 2.3 磁控溅射的概述 |
| 2.3.1 磁控溅射的工作原理 |
| 2.3.2 射频磁控溅射的特点 |
| 2.4 稀磁半导体材料常用的表征技术 |
| 2.4.1 X射线衍射 |
| 2.4.2 X射线光电子能谱 |
| 2.4.3 扫描电子显微镜 |
| 2.4.4 拉曼光谱 |
| 2.4.5 紫外-可见吸收光谱 |
| 2.4.6 PL光谱 |
| 2.4.7 SQUID-VSM磁学测量系统 |
| 参考文献 |
| 第三章 Mn掺杂ZnO薄膜以及退火的室温铁磁性的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Zn_(1-x)Mn_xO多晶靶材及薄膜的制备过程 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 Zn_(1-x)Mn_xO多晶靶材及薄膜结构的分析 |
| 3.3.2 掺杂浓度对Zn_(1-x)Mn_xO薄膜形貌的影响 |
| 3.3.3 掺杂浓度对Zn_(1-x)Mn_xO薄膜室温拉曼光谱的影响 |
| 3.3.4 Zn_(1-x)Mn_xO薄膜中元素的化学价态分析 |
| 3.3.5 掺杂浓度对Zn_(1-x)Mn_xO薄膜室温下磁性质的影响 |
| 3.4 Zn_(0.98)Mn_(0.02)O薄膜退火处理 |
| 3.5 实验结果与分析 |
| 3.5.1 退火温度对Zn_(0.98)Mn_(0.02)O薄膜结构的影响 |
| 3.5.2 退火温度对Zn_(0.98)Mn_(0.02)O薄膜室温磁性的影响 |
| 3.5.3 退火温度对Zn_(0.98)Mn_(0.02)O薄膜表面形貌的影响 |
| 3.5.4 退火温度对Zn_(0.98)Mn_(0.02)O薄膜拉曼光谱的影响 |
| 3.5.5 退火温度对Zn_(0.98)Mn_(0.02)O薄膜中缺陷影响的研究 |
| 3.5.5.1 退火温度对Zn_(0.98)Mn_(0.02)O薄膜中元素价态及氧空位的影响 |
| 3.5.5.2 退火温度对Zn_(0.98)Mn_(0.02)O薄膜PL光谱的影响 |
| 3.5.5.3 退火薄膜中载流子浓度变化的分析 |
| 3.6 N_2/H_2退火Zn_(0.98)Mn_(0.02)O薄膜室温铁磁性的起源讨论 |
| 3.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 多次退火调控Mn掺杂ZnO薄膜室温铁磁性的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品制备 |
| 4.2.1 薄膜样品的退火条件 |
| 4.2.2 制备的ZnMn_2O_4纳米颗粒 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 预退火对Zn_(0.98)Mn_(0.02)O薄膜表面形貌影响的分析 |
| 4.3.2 预退火对Zn_(0.98)Mn_(0.02)O薄膜结构影响的分析 |
| 4.3.2.1 XRD结果分析 |
| 4.3.2.2 拉曼光谱分析 |
| 4.3.3 预退火对Zn_(0.98)Mn_(0.02)O薄膜室温磁性的影响 |
| 4.3.4 多次退火对Zn_(0.98)Mn_(0.02)O薄膜中缺陷的分析 |
| 4.3.4.1 PL光谱分析 |
| 4.3.4.2 薄膜中载流子浓度的分析 |
| 4.3.5 多次退火对Zn_(0.98)Mn_(0.02)O室温铁磁性起源的讨论 |
| 4.3.6 薄膜表面出现ZnM_2O_4原因的讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 不同气氛退火Mn掺杂ZnO纳米颗粒室温铁磁性的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Zn_(1-x)Mn_xO纳米颗粒的制备 |
| 5.3 实验结果与分析 |
| 5.3.1 掺杂浓度对Zn_(1-x)Mn_xO纳米颗粒结构的影响 |
| 5.3.2 Zn_(1-x)Mn_xO纳米颗粒的形貌 |
| 5.3.3 掺杂浓度对Zn_(1-x)Mn_xO纳米颗粒拉曼光谱的影响 |
| 5.3.4 掺杂浓度对Zn_(1-x)Mn_xO纳米颗粒室温磁性的影响 |
| 5.4 退火气氛对Zn_(0.92)Mn_(0.08)O纳米颗粒性能影响的研究 |
| 5.4.1 Zn_(0.92)Mn_(0.08)O颗粒中锰离子价态分析 |
| 5.4.2 退火气氛对Zn_(0.92)Mn_(0.08)O纳米颗粒物相的影响 |
| 5.4.3 退火气氛对Zn_(0.92)Mn_(0.08)O纳米颗粒室温磁性的影响 |
| 5.4.4 退火气氛对Zn_(0.92)Mn_(0.08)O纳米颗粒中缺陷的影响的研究 |
| 5.4.4.1 吸收光谱的分析 |
| 5.4.4.2 拉曼光谱的分析 |
| 5.4.4.3 PL光谱的分析 |
| 5.5 Zn_(0.92)M_(0.08)O纳米颗粒室温铁磁性产生的机理 |
| 5.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 Nb掺杂SrTiO_3单晶电致电阻效应的研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 样品的处理与测量仪器 |
| 6.3 实验结果与讨论 |
| 6.3.1 退火对Pt/SrTiO_3：Nb输运性质的影响 |
| 6.3.2 退火对Pt/SrTiO_3：Nb电阻转换行为的影响 |
| 6.3.3 退火对Pt/SrTiO_3：Nb变温I-V特性曲线及界面势垒的影响 |
| 6.3.4 退火对SrTiO_3：Nb表面元素化学计量数的影响 |
| 6.3.5 Pt/SrTiO_3：Nb电容-频率(C-F)的测量 |
| 6.3.6 Pt/SrTiO_3：Nb电致电阻效应物理起源的探讨 |
| 6.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 研究成果总结 |
| 7.2 研究中存在的问题及今后展望 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（3）铁电单晶铌铟镁酸铅—钛酸铅结构及电光性质研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 铁电体的主要特征 |
| 1.2.1 电滞回线特性 |
| 1.2.2 铁电体的相变特征及准同型相界 |
| 1.2.3 畴工程化 |
| 1.3 Relaxor-PT 型铁电单晶的研究现状 |
| 1.3.1 钙钛矿型弛豫铁电体 |
| 1.3.2 Relaxor-PT 型弛豫铁电单晶的发展 |
| 1.3.3 Relaxor-PT 型弛豫铁电单晶的电学性能 |
| 1.3.4 Relaxor-PT 型弛豫铁电单晶的光学研究 |
| 1.3.5 PIN-PMN-PT 单晶的研究现状 |
| 1.4 课题来源及研究的目的和意义 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 |
| 第2章 相界组分 PIN-PMN-PT 单晶的相结构及相变研究 |
| 2.1 晶格振动的拉曼光谱理论 |
| 2.1.1 拉曼散射的电动力学及量子理论 |
| 2.1.2 拉曼散射的选择定律 |
| 2.2 Relaxor-PT 型铁电单晶的单斜相结构 |
| 2.3 单晶的加工及相关实验 |
| 2.4 单晶相结构的拉曼光谱研究 |
| 2.5 单晶相转换的拉曼光谱研究 |
| 2.5.1 相变过程的拉曼光谱变化 |
| 2.5.2 相变过程拉曼振动模式 |
| 2.6 相转换的 XRD 及 TSDC 研究 |
| 2.6.1 未极化单晶相变过程的 XRD 研究 |
| 2.6.2 [111]_c极化单晶相变过程的 TSDC 研究 |
| 2.7 电场诱导单晶的拉曼光谱变化 |
| 2.8 本章小结 |
| 第3章 单畴 PIN-PMN-PT 单晶的光学能带结构性质研究 |
| 3.1 单晶样品的加工 |
| 3.2 光学带间跃迁 |
| 3.2.1 单晶的透光性能 |
| 3.2.2 单晶的光学禁带宽度 |
| 3.2.3 单晶的变温透光特性 |
| 3.3 折射率色散 |
| 3.3.1 消光系数和折射率 |
| 3.3.2 折射率的 Sellmeier 色散方程及参数 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 PIN-PMN-PT 单晶线性电光性能研究 |
| 4.1 线性电光系数矩阵 |
| 4.1.1 三方晶系 C_(3v)-3m 对称性单晶的线性电光效应 |
| 4.1.2 四方晶系 C_4对称性单晶的线性电光效应 |
| 4.2 单晶的加工及相关实验 |
| 4.3 相关参数的测量 |
| 4.3.1 折射率 n_o和 n_e的测量 |
| 4.3.2 压电应变系数 d_(31)的测量 |
| 4.4 线性电光系数的测量 |
| 4.4.1 马赫-曾德干涉系统 |
| 4.4.2 电光系数的测量与计算 |
| 4.4.3 测试结果的比较与分析 |
| 4.4.4 电光系数的温度稳定性 |
| 4.5 [011]_c极化准同型相界组分单晶电光系数 |
| 4.6 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（4）二氧化钛纳米结构材料的修饰和光电化学性质研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第一章 引言 |
| 1.1 纳米半导体材料 |
| 1.1.1 纳米半导体材料的制备 |
| 1.1.2 纳米半导体材料的特性 |
| 1.2 TiO_2纳米材料的光电催化技术研究背景 |
| 1.2.1 TiO_2纳米材料基本物理化学性质 |
| 1.2.2 TiO_2的晶体结构 |
| 1.2.3 TiO_2纳米材料的光电催化及光电转换 |
| 1.3 TiO_2纳米管阵列的制备、应用及改性 |
| 1.3.1 TiO_2纳米管阵列的制备 |
| 1.3.2 TiO_2纳米管阵列的应用 |
| 1.3.3 TiO_2纳米管的改性 |
| 1.4 SrTiO_3纳米材料的研究进展 |
| 1.4.1 SrTiO_3的半导体化 |
| 1.4.2 SrTiO_3纳米材料的制备 |
| 1.4.3 SrTiO_3材料的光电化学应用 |
| 1.5 选题依据、目的、意义和内容 |
| 1.5.1 选题的依据 |
| 1.5.2 研究目的和意义 |
| 1.5.3 研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 样品的制备、结构表征、光电化学性质测试 |
| 2.1 TiO_2纳米管的制备 |
| 2.1.1 引言 |
| 2.1.2 实验原料 |
| 2.1.3 实验中所使用的主要仪器 |
| 2.1.4 TiO_2纳米管阵列的阳极氧化制备 |
| 2.2 SrTiO_3纳米颗粒膜的制备 |
| 2.2.1 引言 |
| 2.2.2 实验原料 |
| 2.2.3 实验方法 |
| 2.3 样品的结构表征 |
| 2.3.1 X 射线衍射测试(XRD) |
| 2.3.2 Raman 光谱 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜和能量色散 X 射线分析 |
| 2.3.4 透射电子显微镜 |
| 2.3.5 漫反射谱 |
| 2.4 样品的光电化学性质测试 |
| 2.4.1 循环伏安法测试 |
| 2.4.2 电化学阻抗谱 |
| 2.4.3 光电转化效率即入射单色光子-电子转化效率 |
| 参考文献 |
| 第三章 两步法合成 TiO_2纳米管/纳米环复合结构的光电性质研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 TiO_2纳米管/环复合结构的制备 |
| 3.2.2 乙二胺回流修饰氮的实验方法 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 TiO_2纳米管阵列和管/环复合结构阵列的形貌及结构表征 |
| 3.3.2 TiO_2纳米管阵列和管/环复合结构阵列的光学性质分析 |
| 3.3.3 TiO_2纳米管阵列和管/环复合结构阵列的光电化学性能 |
| 3.3.4 TiO_2纳米管和纳米管/环复合结构阵列的氮(N)修饰 |
| 3.3.5 TiO_2纳米管和纳米管/环复合结构阵列的紫外光电子能谱 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 CQDs 修饰 TiO_2纳米管阵列的光电性能及偏压调控下的逻辑行为研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.2.1 碳量子点的制备 |
| 4.2.2 光电化学和电化学测量 |
| 4.3 实验结果与分析 |
| 4.3.1 微结构表征 |
| 4.3.2 CQDs 的光学性质 |
| 4.3.3 CQDs/TNTS 异质结构的光电化学性质 |
| 4.3.4 CQDs/TNTS 体系的偏压调控性质研究 |
| 4.3.5 CQDs/TNTS 体系的偏压调控下光电转换机理讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 CQDs 修饰 SrTiO_3纳米颗粒薄膜的光电性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 TiO_2纳米管的制备和 SrTiO_3纳米颗粒薄膜的制备 |
| 5.2.2 采用电沉积法以碳量子点(CQDS)修饰 SrTiO_374 |
| 5.2.3 电化学性质测试 |
| 5.3 实验结果与讨论 |
| 5.3.1 CQDs/SrTiO_3复合纳米薄膜的形貌与结构表征 |
| 5.3.2 CQDs/SrTiO_3复合纳米薄膜的光学性质研究 |
| 5.3.3 CQDs/SrTiO_3复合纳米薄膜的光电化学性质研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 本论文的主要结论 |
| 本论文的创新 |
| 博士期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
四、室温下钛酸锶单晶的布里渊散射（论文参考文献）
- [1]挠曲电效应系数定量表征的理论研究[D]. 姚迪. 北京理工大学, 2018(07)
- [2]Mn掺杂ZnO室温铁磁性及金属—半导体电致电阻效应研究[D]. 高倩倩. 中国科学技术大学, 2014(10)
- [3]铁电单晶铌铟镁酸铅—钛酸铅结构及电光性质研究[D]. 吴丰民. 哈尔滨工业大学, 2013(01)
- [4]二氧化钛纳米结构材料的修饰和光电化学性质研究[D]. 王芳. 苏州大学, 2013(09)
- [5]室温下钛酸锶单晶的布里渊散射[A]. 杨文煌,周佩玲,李从周. 第二届全国光散射学术会议论文集（下）, 1983
- [6]从纯熔体中生长钛酸锶单晶[J]. 常英传,侯德森,李从周. 人工晶体, 1983(02)