一、美帝正在发展一种新的存储技术——光存储器（论文文献综述）
杨广泽[1]（2020）在《基于光注入VCSEL的光学混沌计算研究》文中指出近年来,混沌垂直腔表面发射激光器（VCSEL）被广泛应用于混沌保密通信、混沌雷达测距、混沌光子储备池计算、物理随机数的产生和混沌神经网络等方面。最近,混沌VCSEL又扩展到一个新的领域:混沌计算,这为逻辑光路的实现开辟了一个新的途径。与基于非线性光学效应实现的光学计算装置相比,基于混沌VCSEL的光学混沌计算具有更好的安全性、更灵活的控制手段、更好的抗噪声能力和更低的功耗等优势。然而,光学混沌计算的发展仍处于初始阶段,相关研究工作主要关注于基本逻辑运算的实现（如:AND,OR,NOR等）,对于光学组合逻辑计算和光学时序逻辑计算关注较少,其逻辑输入编码、逻辑输出的阈值判断机制、可重构特性和可靠性等方面还存在许多关键技术难题需要被进一步研究。针对这些问题,本课题主要对如下两个方面进行了探索:（1）研究了光注入VCSEL中两个偏振分量的非线性动力学行为演化,同时探究了偏振双稳态、频率失谐和注入强度之间的相互作用。通过对来自采样光栅分布布拉格反射激光器的两个逻辑输入和一个时钟输入编码,以及对VCSEL的两个偏振分量的逻辑响应输出进行解码,本方案实现了双路并行的光学混沌数据选择计算。通过对注入强度的优化,两个偏振分量输出的正确逻辑响应比特位时间可达100 ps,其中y偏振分量输出的正确逻辑响应比特位时间可达67 ps。输出的成功概率受比特位时间、注入强度和噪声强度的共同影响,研究表明这一方案在较大范围的注入强度和噪声强度内其逻辑响应输出成功率为1。这一基于光注入VCSEL的混沌数据选择计算在噪声不可避免以及需要较快响应速率的应用中具有广阔前景。该部分内容见第三章。（2）研究了保偏光注入下VCSEL的注入强度和偏振双稳性之间的关系,并探究了其两个偏振输出的非线性动力学行为演化。提出了一种新的阈值机制来评判保偏光注入下VCSEL两个偏振部分的逻辑响应输出,实现了时钟同步下的双路并行光学混沌复位-置位（RS）触发和双路并行光学混沌转换（T）触发,其比特位时间为1 ns,并通过控制高幅值复位（转换）触发信号的持续时间,进一步探究了这两种时钟同步触发操作之间的重构。这两种触发操作的触发输出成功概率由复位（转换）信号的持续时间和自发辐射噪声强度相互影响,当复位（转换）信号的持续时间较长,其范围在480 ps到592 ps之间时,RS触发操作的成功概率等于1;当复位（转换）信号的持续时间较短,在116 ps到170 ps之间时,T触发操作的成功概率为1。此外,这两种触发操作对噪声具有很强的鲁棒性。本方案提出的具有时钟同步功能的可重构光学混沌触发操作在噪声不可避免和需要多重触发功能的应用中具有较大潜力。该部分内容见第四章。
尹琦璕[2]（2020）在《多层次相变存储器材料的织构演化与光电特性》文中认为相变存储器具有可靠性高、循环寿命长和存储速度快等优点,被认为是最有发展潜力的存储器之一。随着对计算机及存储技术要求的不断提高,无论是器件设计还是材料优化,相变存储器都在不断的研究与发展中。相变存储器的核心是以硫系化合物为基础的相变材料,这种材料可以从非晶态转变到晶态,其相变和微观结构的演化导致存储器存在电学或光学反差,从而实现数据存储。相变材料的成分、电极层和超点阵结构等均对其晶粒生长、局部原子排列和织构演化有较大的影响,进而影响相变存储器材料的电导率或光学反射率,实现多层次存储。因此,研究相变材料的结构和性能对于相变存储器极为重要。本文主要对经典Ge2Sb2Te5（GST）和新型多层次Ga-Sb相变存储器材料的微观结构、相变机理和应用进行了系统研究,并讨论了相关元素掺杂和超点阵结构相变存储器在性能上的提高机制。首先研究了经典GST薄膜的织构演变,证明Si基底上沉积的亚稳态fcc结构GST薄膜存在立方{100}<001>和旋转立方{100}<011>这两种织构组分,应变能密度最小是GST/Si晶化时产生择尤取向的主要驱动力。SiO2基底上沉积的fcc结构GST薄膜形成了 {110}纤维织构,但择尤取向较弱。稳态hcp结构时,{0001}取向的晶粒有长大优势。因此基底对GST的微观结构有一定影响。而Ti作为电极材料,沉积在Ti电极层上的GST在400℃以上退火会由于Ti的扩散而生成Te2Ti结构。Ti过渡层的加入可以增强GST的力学性能,Ti层有利于释放GST薄膜与基底界面的应变,未平衡应力更小（GST/Ti:0.039N/m2,GST:0.29N/m2）且晶粒尺寸分布均匀,因此GST/Ti的纳米压痕硬度大于GST。其次讨论了 Sn掺杂对GST稳定性和光学反射率的影响。证明Sn的加入代替了 GST结构Ge-Te键中Ge原子的位置而形成了 Sn-Te键,键合状态的改变提高了 GST-Sn的结晶温度与结晶激活能（EΛ从2.48 eV提高到3.57 eV）。同时,Sn掺杂量越多,fcc结构GST-Sn的晶粒尺寸越大,晶界密度越小越有利于电子隧穿,使薄膜的电导激活能减小（Eσ由0.395 eV减小到0.226 eV）,从而提高了薄膜电导率的温度稳定性。另一方面,发现Sn掺杂可以提高GST在整个波长范围内的晶态反射率,从～74%增加到了～81%。因此本文首次建立了相变存储器薄膜择尤取向与光学反射率间的关系,证明由于稳态hcp GST结构的六方对称性,Sn掺杂后GST-Sn结构中{0001}基面织构的增强可以提高GST的晶态光学反射率。随后对新型二元Ga-Sb相变存储薄膜体系的结构与特性进行了研究。证明Ga45Sb55薄膜在相变前后体积收缩比（0.4%）明显小于GST,且Ga15Sb85的结晶激活能可以达到5.96eV。纳米压痕测试发现Ga-Sb薄膜的力学性能明显增强,晶粒尺寸效应是Ga-Sb薄膜硬度提高的主要影响因素。二元Ga-Sb薄膜的热稳定性和结构稳定性明显提高,是一种可靠性更高的相变存储器材料。因此结合Ga-Sb优异的力学性能与稳定性,本文提出了类超点阵[GaSb（x nm）/GST（12 nm）]n相变存储器薄膜。证明这种体系相变前后可以保持多层结构,退火后Ga元素会向相邻GST层扩散,使GaSb的晶格发生畸变。通过器件的电学性能测试,证明[GaSb（6 nm）/GST（12 nm）]6的阈值电压为0.77 V,[GaSb（6 nm）/GST（12 nm）]3的功耗为2.8 × 10-7 W,比单层GST体系低两个数量级,显着降低了相变存储器的功耗。此外还发现该体系存在超硬度效应,[GaSb（x nm）/GST（12 nm）]3的硬度比单层GST提高了 3倍左右。通过计算证明类超点阵结构中GST层的厚度小于临界厚度,位错运动不会穿过界面,是其力学性能提高的主要原因。最后考虑到Ge2Sb2Te5体系的应用基础和器件成熟度,对GaSb掺杂GST薄膜的微观结构与稳定性进行了研究。发现GaSb掺杂的GST中没有出现新相,但各元素的结合能有所改变。通过高分辨透射电镜（HRTEM）观察到了GST-GaSb中fcc结构的（111）面发生滑移而使原子层堆垛次序发生改变的相变过程。通过第一性原理计算,证明掺杂后Ga原子会占据GST中Te原子的位置,带隙减小,体系金属性增强,且Ga原子的d轨道对价带态密度有较明显的贡献。并且证明低量GaSb掺杂（3.4 at.%,5.6 at.%,7.0 at.%）也可以明显提高GST的热稳定性与力学性能,GST-GaSb的结晶温度提高到了 216℃,非晶态硬度增强到4.16 GPa。因此掺杂GaSb有利于提高GST的可靠性,在低掺杂量下可以达到明显的增强效果。
余洋[3]（2019）在《单组份有机电荷俘获分子的设计、合成及高性能有机场效应晶体管存储器研究》文中认为基于有机场效应晶体管（OFET）结构的非易失性存储器不仅具有单只晶体管驱动、非破坏性读取、存储速度快和存储容量大等特点,而且具有成本低、可大面积溶液加工、与柔性衬底相兼容、与目前CMOS电路兼容度高等诸多优点,有望成为新一代存储器的主流替代方案,在存储芯片、柔性集成电路、人工智能等方面展现出了广阔的应用前景。有机场效应晶体管存储器的电荷俘获材料可有效俘获并稳定存储电荷且分子具有可设计性,器件制备工艺简单,已成为目前场效应晶体管器件研究的主流。但分子结构和凝聚态与存储器性能参数之间的关系和存储机理并不明确,开发新型单组份小分子存储材料以提高存储密度和稳定性仍然是一个挑战,因此设计模型系统,研究分子结构与有机薄膜凝聚态光电特性,深入研究分子的构效关系和提高器件性能迫在眉睫,具有重要的科学意义。本论文聚焦基于有机小分子电荷存储层的有机场效应晶体管存储器,重点探究无隧穿阻挡层器件结构中单组份小分子电荷存储材料的分子设计,结合理论计算对分子的热学、光学、电学以及凝聚态薄膜性质进行系统表征,研究小分子的分子结构、电子结构、拓扑构型、能带工程、介电特性等因素对电荷俘获特性的影响,进一步的拓展其在大容量、快速、高稳定性多阶存储器及柔性存储与人工突触方面的应用。主要研究内容及成果如下:1、针对有机存储介质电荷流失问题,发现了分子的电子结构和位阻功能化对双极性电荷俘获和电荷局域化的影响规律,运用多位阻化策略,设计并成功合成出基于三苯胺和氮杂芴的给受体型多位阻分子TPA（PDAF）3,该分子完全分离的HOMO和LUMO能级分别提供理想的空穴和电子俘获位点,实现了双极性电荷存储,其共轭打断的空间位阻提供了分子阻挡层,可以对核心俘获的电荷起到抑制流失的作用。制备的OFET存储器具有高电荷俘获密度、快速的编程速度,优异的维持时间,双极性存储窗口优于目前报道的所有单组分小分子存储材料。2、提出了共轭小分子的格子化效应,设计并合成了一系列基于二芳基芴的小分子材料,闭环结构的纳米格（Grid）分子表现出刚性的分子构象和纳米级孔结构,具有优异的溶解性和成膜性。结合理论计算,系统地研究了分子的光、电、热性质、薄膜形貌以及能带工程。相比未环化的分子,纳米格具有更好的热稳定性、电化学稳定性和形貌稳定性,同时保持较宽的带隙和分离的HOMO/LUMO能级,在连续的薄膜中表现出单一的纳米浮栅行为,为溶液加工型无隧穿阻挡层OFET存储器提供了可行的思路。3、利用纳米格的可溶液加工性、优异的光电性能制备了基于纳米格的无隧穿阻挡层的OFET存储器,并成功解释了分子结构与器件性能之间的构效关系。基于纳米格Grid的存储器实现了大容量的双极性存储,8.21 V/ms的高编程效率,超过1000次的循环耐受性和超高稳定的8阶存储,维持时间理论上可达100年。这种新型有机存储介质兼具高容量、快速写入、长期不挥发性和显着的可扩展性,为新兴有机存储介质的合理设计提供了研究思路。4、为了解释Grid存储器的电荷存储机理,从物理机制的角度对材料薄膜的介电特性进行研究,揭示存储窗口与存储效率的基本原理。利用开尔文扫描探针显微镜技术研究了薄膜的电荷俘获动力学,研究存储薄膜的电荷约束能力,解释Grid中电荷长期维持稳定性的原因。通过理论计算研究了前线分子轨道、静电势、电离势、电子亲和势、偶极矩以及分子内聚能密度,从分子结构和能量的角度解释了分子中电荷存储的位点和高稳定性的原因,提出了基于Grid存储器的合理的电荷存储机制。进而把Grid应用于柔性存储器件,证明了基于Grid的柔性存储器优异的抗弯曲应变的机械耐久性,在1500次弯曲循环后仍保持良好的性能。最后,验证了器件在120℃的热稳定性。Grid存储器在大容量、写入速度和非易失性之间找到了一个平衡,解决了OFET存储器中快速写入和稳定捕获的问题。5、基于纳米格表现出的优异存储性能,利用分子的模块化合成技术可实现丰富的官能团引入以及纳米级孔径的精确调控,进而对纳米格分子进行了拓展。把苯并噻二唑（BT）基团引入纳米格,设计并合成了两种D-A型纳米格,研究了BT基团在纳米格横梁和桥的不同位置对纳米格光学、电学、热学性质的影响以及对纳米格能带结构的定制化调控。基于D-A型纳米格的光敏OFET存储器实现了电和光作为独立的手段对存储器开关的调控,并且获得了较大的存储窗口和响应速度、稳定的读写擦循环耐受性和维持时间。最后,利用D-A型纳米格的纳米孔径和优异的电荷传输特性,通过与TBAPF6掺杂,制备了双端忆阻器的人工突触,成功地模拟了学习过程,突触增强和抑制可塑性。
郭继成[4]（2019）在《脉冲激光诱导Ge-Sb-Te超晶格相变材料结晶机制研究》文中研究表明伴随着信息化时代的来临,人类数据量的暴增和计算机技术的迅猛发展对信息存储器的容量和速度提出了更高的要求。基于相变材料的相变存储器（PCM）被认为是解决这一需求的有效方案。作为相变材料中性能优异的一员,Ge-Sb-Te超晶格材料（GST-SL）不仅可以提高PCM的速度和功耗,而且具备拓扑绝缘等特殊性质。科研人员对GST-SL材料的结构及性质开展了大量研究工作,但关于GST-SL的相变机制还未形成统一理论。基于此,本文采用实验和模拟相结合的方法开展了相关研究。首先,采用脉冲激光诱导非晶GST-SL薄膜晶化,进行工艺筛选并表征薄膜结晶前后的结构和光学性能变化;然后,通过有限元模拟和分子动力学分别探究GST-SL在纳秒激光辐照下的温度场变化和结晶动力学行为;最后,基于实验和模拟结果,探讨GST-SL的超快相变机制。首先,采用皮秒脉冲激光诱导非晶GST-SL薄膜晶化,通过观察薄膜的光学形貌变化,最终发现亚层厚度为4纳米的GST-SL薄膜结晶质量最好且结晶阈值低于普通Ge2Sb2Te5（GST）薄膜;TEM测试结果表明,在皮秒脉冲激光辐照下,GST-SL的晶粒比GST更细,并且GST-SL结构的稳定性更强;通过XRD测试发现:GST-SL在纳秒激光辐照下结晶阈值比GST低57%;拉曼测试表明,较多的GeTe4结构可能是GST-SL相变性能提升的原因;光谱测试结果表明,晶态GST-SL薄膜的光学性能优于GST。通过有限元方法模拟相变薄膜在纳秒激光辐照下的温度场变化,获得了不同能量密度对应的温度-时间曲线,GST-SL和GST的结晶阈值分别对应700 K和1200 K;采用分子动力学模拟了GST-SL和GST原子模型的升温过程,GST-SL展现出了更好的层结构稳定性,且于1400 K左右结构变化较大;随后在非晶化模拟中发现:三个GST-SL模型均出现Sb原子跳入Te-Te层的现象,且Kooi-mix模型的层结构最稳定;而在结晶模拟中发现Kooi-mix和Petrov-mix模型均可以在几个皮秒内回到初始晶态位置,而GST模型的结晶时间在150皮秒以上;最后,综合以上模拟结果推测:GST-SL中稳定的层结构是其相变性能提升的原因,而Sb原子在Te-Te层的跳跃行为是揭开GST-SL相变机制的关键。本文通过实验和模拟探究了GST-SL的结晶特性,阐明了GST-SL薄膜结构的优越性,发现了GST-SL原子模型中的Sb原子跳跃行为,这对探究相变材料的机制和优化相变存储器具有重要的指导意义。
郑穆[5]（2018）在《高密度光存储技术研究》文中认为本文首先介绍高密度光存储技术,然后研究不同富勒烯的光学储存特性、一种新型不对称光存储技术,最后展望了光存储的未来。
张立伟[6]（2015）在《中国期刊数字出版技术变迁研究》文中研究说明在人类社会的发展进程中,出版技术扮演了至关重要的角色,被誉为人类"文明之母",人类社会的每一次文明进化都与出版技术密不可分,出版技术的发展是人类文明进化历史的真实缩影。20世纪80年代中期以来,世界范围内的科学技术日新月异,中国经济、社会、文化等各领域都发生了重大而深刻的变革,电子及网络信息技术飞速发展。在这一背景下,中国期刊数字出版产业迅速崛起,期刊数字出版技术蓬勃发展。目前,从科技史角度对中国期刊数字出版技术发展问题的全面、深入的研究几乎为空白。站在多学科视角对中国期刊数字出版技术变迁进行深入研究,梳理中国期刊数字出版技术的发展脉络,探索其发展规律,对促进我国期刊数字出版业科学发展、深化中国出版史研究、完善出版史学科体系及提升我国文化软实力、推动文化产业乃至国民经济的长期、快速、可持续发展都具有极为重要的理论及现实意义。纵观中国期刊数字出版技术的发展历程,以电子计算机技术的应用、互联网技术的引入与发展、IPV6核心网及3G移动网络技术在期刊数字出版领域的应用等重大技术突破为线索,根据不同时期的政治、经济、文化及社会背景,将中国期刊数字出版技术的变迁过程划分为"期刊数字出版技术的奠基"、"期刊数字出版技术体系的初步形成"、"期刊数字出版技术的创新与发展"三个阶段。党的十一届三中全会以后,我国实行了对内改革、对外开放的政策,经济社会发生了重大变革。改革开放不仅带来了中国经济的腾飞和繁荣,也带来了包括科技、文化、社会等在内的各个领域的蓬勃发展,中国呈现出焕然一新的面貌。在这一时代变革的背景下,人们对文化的需求日益增长,出版业作为文化产业的重要组成部分,迎来了巨大的发展契机。在这一时期,电子计算机技术开始在我国出版领域得到应用,我国实现了一系列出版技术的突破。第一,实现了汉字进入计算机的重大突破,汉字实现了数字化;第二,激光照排技术实现了中国印刷技术的第二次革命,使中国印刷业进入告别"铅与火"、迎来"光与电"的崭新时期;第三,磁、光等信息存储技术的应用颠覆了传统的纸质信息存储方式,实现了信息存储的数字化。这些关键技术的突破奠定了我国出版领域数字化的基础,电子出版技术开始出现,中国出版业迎来了巨大变革。我国在对国外各类磁带数据库、光盘数据库引进的基础上,研发了《中国高等院校学报论文文摘（英文磁带版）》（CUJA）和《中文科技期刊篇名数据库》（光盘版）;出现了以软盘形式出版的电子期刊;方正书版、科印微机排版系统、华光普及型（BD）排版系统、4S高级科技文献书刊编排系统、"WP"软件等计算机排版软件得到了初步应用,我国出现了期刊的数字化萌芽。1994年4月20日,一条带宽只有64K的国际专线接入中国,开通了Internet的全功能服务,中国正式接入互联网,互联网技术开始在中国得到广泛应用。在文化产业崛起、经济全球化及一体化背景下,我国期刊数字出版产业逐步兴起。互联网技术在我国的出现及其在期刊出版领域中的应用赋于了传统期刊出版方式和运营模式以新的活力和内涵,同时也给期刊出版工作带来了深刻的影响和变革。网络信息技术在期刊出版领域的广泛应用,推动了期刊采编技术、制版及印刷技术、发行及阅读技术的数字化变革,期刊出版逐步向网络化、一体化方向发展,我国期刊数字出版技术体系初步形成。"文化产业大发展、大繁荣"与"经济发展方式转变"等一系列政策的实施,推动了我国期刊数字出版产业的又一次重大变革。IPV6核心网的建立及移动3G通信技术的应用,促进了我国期刊数字出版技术的创新与发展。在期刊稿件采编技术发展方面,期刊网络采编系统被广泛采用,一批期刊群采编平台得到了建设与发展,参考文献辅助编校系统及学术不端检测系统在期刊出版过程中得到了普遍应用。在期刊的数字发行与阅读发面,一些OA期刊在线发布平台得以建立,期刊发行实现了开放阅读、自由传播和资源共享;3G移动网络技术的发展使被称为"第五媒体"的手机开始从单纯的通讯工具转向移动媒体终端,三网融合、三屏功能合一技术进一步深入,数字期刊的移动终端阅读技术得到快速发展;采用P2P技术并集合了Flash动画、tvc视频、音频、web控件、3D技术和超级链接等多媒体技术的网络多媒体互动杂志在这一时期大量涌现;移动网络技术的应用及手机网民数量的增长催生了手机阅读市场的壮大,VIVA无线新媒体手机杂志等一书手机期刊出版平台迅速发展。同时,数字出版技术的发展推动了专业期刊平台运营模式的变迁。我国一些数字期刊出版平台先后采用了独家授权数字出版模式;专业期刊平台呈现出市场分工逐步细化的态势;云计算技术的应用实现了期刊数字出版的全流程管理,已经成为我国期刊出版技术进一步发展的方向。纵观中国期刊数字出版技术的发展史,其变迁过程呈现出迅速性、渐进性及集成性的特征;计算机及网络信息技术的应用、经济全球化与经济发展方式转变、工业社会向信息社会的跨越、文化产业的崛起与繁荣、数字出版教育及研究等因素推动了中国期刊数字出版技术的发展;中国期刊数字出版技术的变迁促进了期刊出版的跨媒体融合、增强了人们获取期刊信息的能力、加快了中文期刊走向世界的步伐、推动了期刊数字出版及相关产业的繁荣,并对传统期刊出版业产生了双重影响。未来,期刊数字出版技术将进一步向跨媒体、立体化方向发展;其数字阅读技术将进入"后终端时代",内容依然为王;"注重用户体验"将成为期刊数字出版技术创新的主要方向;期刊数字出版技术的发展对专业人才的需求将会更为迫切;期刊数字出版技术创新的赢利模式将会逐步清晰。目前,我国期刊数字出版技术的发展在人才储备与培养、产业链条及行业标准、版权保护及监管机制、集群创新及赢利模式等方面还存在诸多现实问题,制约着中国期刊数字出版技术的创新。要彻底扫除上述发展的障碍,实现我国期刊数字出版技术的持续创新,就必须在增强自主创新能力方面下功夫。要不断提高期刊数字出版人才的培养水平,在科学整合期刊数字出版产业、优化产业链利益分配的基础上,进一步加强期刊数字出版的版权保护力度,构建有效的监管机制,在更大程度上形成期刊数字出版的集群创新机制及有效的赢利模式。只有这样,才能从根本上促进我国期刊数字出版技术的创新,实现期刊数字出版产业的可持续发展。
陈越佳[7]（2015）在《基于PRAM的分层存储结构设计技术研究》文中进行了进一步梳理与不断提升的计算处理能力相适应,高性能计算机系统的主存系统容量越来越大,随之而来的是主存系统的能耗在系统总能耗中的占比不断攀升。这是因为目前主存系统的存储器主要采用DRAM存储器,而DRAM具有超高的静态功耗,当DRAM容量增大后,主存系统的能耗随之增大。因此,研究新型大容量主存结构是当前计算机存储系统领域的热点问题。相变存储器（PRAM）是一种新型的非易失性存储器,具有良好的可扩放性、低漏电流功耗、数倍于DRAM的存储密度等特性,并且和DRAM一样,PRAM也具有按位访问的特性。因为这些特性,它被认为是替代DRAM作为主存储器的最佳候选者。但是相变存储具有两个致命弱点：1)读写不平衡,写操作的延时和功耗都比较高；2)相变存储器的可写次数具有一定限制。针对上述问题,本文主要开展了下面三个方面的工作：1)综述了传统存储技术及新型存储技术的特性与应用,并且对新型存储技术进行对比,指出了PRAM的优缺点。在此基础上,详细研究了PRAM,主要包括它的工作原理、特性分析和比较、相关应用及目前存在的一些问题。2)研究分析了各种基于PRAM的混合存储系统,并且根据PRAM及SRAM的特性,设计一种以PRAM口SRAM为存储介质的主存系统,该主存系统以大容量的PRAM作为存储数据的主要部分,SRAM则作为PRAM的写缓存,并且将优化的LRFU替换算法应用到SRAM写缓存中,从而有效减少主存系统的时延,提高性能,降低功耗。实验结果表明,本文所设计的混合存储结构的能耗-延时积（EDP）为纯DRAM存储结构的40%；此外,与纯PRAM存储结构相比,可使PRAM的写操作次数下降28.5%,与将SRAM作为Cache目比,PRAM写次数下降13%。3)研究分析PRAM现有的均衡损耗技术,重点研究分析了PRAM的Flip-N-Write损耗均衡算法,在此基础上进行了改进,提出循环移位的方法Shift-Flip-N-Write,从而达到存储行内写均衡的目的,然后结合改进后的段交换技术,均衡整个PRAM的写操作,从而延长PRAM的寿命。实验结果表明,当写操作阈值为256时,本文所设计的Shift-Flip-N-Write算法比Flip-N-Write算法,位最高写次数降低了61%。
刘发茂[8]（2007）在《科学技术哲学视野下的光子学发展研究》文中认为人类在太古时代就已知道了光,并认识了光的重要性。光有时候表现出波动性,有时候表现出粒子性,但它既非经典的粒子,也非经典的波,这就是光的波粒二象性。1917年爱因斯坦在用统计平衡的观点研究黑体辐射的过程中,得出了一个重要结论:自然界存在两种不同的发光方式,一种是自发辐射,一种是受激辐射。1960年5月,世界上第一个可见光输出激光器诞生了。由于激光具有方向性强,相干性好,高能量的特性,使它广泛应用于各个领域。电子作为信息的载体,已为现代科技做出了巨大的贡献。然而,随着社会科技与文明生活的高度发达,人们对信息传输的容量、处理的速度、提取交换的实时性和灵活性,信息传输与享有中的安全性的要求越来越高,电子载体固有特性的局限已表露出来。人们热切期望寻求一种具有更高运作能力,可以替代电子的载体。与电子相比,光子具有更高的信息容量和效率、更快的响应能力、更强的互连能力与并行能力、更大的存储能力等优点。研究作为信息和能量载体的光子行为及其应用的科学——光子学,因此应运而生。基础光子学、光子学与其它科学的交叉丰富了光子学研究的内容、同时也展现了光子学的价值。国际科技界及产业界已经形成舆论和共识,认为光子产业将成为改变世界技术的杠杆,能够影响各国的经济实力和国防实力,并可凭籍光子学技术的抢占先机的发展,在尖端科技较量中夺魁。世界上众多的国家和地区正在加紧策划、实施光子产业的发展,把大量的、越来越多的资金投入到光子学及其技术的研究与开发上去。本论文以科学技术哲学的本体论、价值论、方法论为脉络,对光子学的内涵、发展原因、发展的价值、发展的方法论等进行梳理,并在此基础上通过借鉴美国、日本等国光子产业发展经验,对我国光子产业的发展作出合理的建议。
陈祥[9]（2007）在《全光缓存关键技术的研究》文中研究指明全光信号处理是未来高速光通信网络中克服电子学瓶颈的关键,其中全光缓存是光信号处理中的核心技术之一,近年来受到越来越广泛的关注。全光缓存实现的方案有很多种,其中基于光阈值门和波长转换器的方案有一定的研究价值。SOA光纤环形腔激光器和微环谐振器可用来实现光阈值门功能。在教育部新世纪优秀人才计划（NCET-04-0715）、湖北省杰出青年基金（2006ABB017）项目的资助下,对SOA光纤环形腔激光器实现光阈值门方案进行了理论和实验研究,并对于微环谐振器的应用进行了深入的理论研究和数值模拟。主要内容及研究成果如下:（1）在广泛查阅大量国内外文献的基础上,阐述了全光缓存器和微环谐振器的研究背景,综述了国内外全光缓存器和微环谐振器的研究概况。（2）从载流子浓度的速率方程和光功率传输方程出发,基于半导体光放大器的分段模型,分析了半导体光放大器的动态增益特性。建立了SOA光纤环形腔的理论模型,对10Gbit/s的信号光注入SOA光纤环形腔进行模拟。（3）研究了SOA光纤环形腔构成的光阈值门方案,对由两个环形腔构成光阈值门进行理论模拟,得到10Gbit/s的光阈值门动态特性的数值模拟结果。并对10Gbit/s的光阈值门动态特性进行实验研究,实验结果和理论计算结果相符合。（4）研究了微环谐振器的特性和原理,对微环内非线性增强效应进行了详细的分析。从微环光强传递函数和双光子吸收理论模型出发,分析微环在全光交换中的应用:滤波器、光开关、波长转换、逻辑门。
刘海静[10]（2006）在《RS解码的硬件实现》文中研究表明随着社会科技的发展,信息将会越来越多,如何将这些信息更好地传播和存储成为我们越来越关心的问题。由于光盘的成本低,容量大,易携带,不易损坏和存储速度快等优点,光盘已经成为最主要的存储器之一。随着人们对光存储器研究的不断深入和光存储器不断的推陈出新,从CD-AUDIO,VCD,CD-ROM到DVD,DVD-ROM,DVD-R,DVD+R,DVD-RW,DVD+RW以及DVD-RAM只用了短短的几年时间。由于人们对存储设备的要求不断提高,容量更大速度更快的BLUE RAY（蓝光）以及HD已经有产品出现,光存储器在存储器的领域的地位将会越来越重要。在对光盘数据进行读取过程中需要使用多种类型的RS解码。在ECC模式（包括CD编码,CD解码,DVD的编码,DVD的解码）中,RS（208,192）和RS（182,172）用于DVD的解码过程,RS（45,43）和RS（26,24）用于CD的解码过程。在EFM（8到14的调制）,BCA（burst cutting area）的信息提取以及WOB数据提取中都用到了RS解码。所以对于整个光盘数据的存取,RS解码起着非常重要的作用。由于在解码过程中需要大量的运算,并且解码器被多处使用,所以在整个DVD解码芯片RS编码模块是一个很大的模块。
二、美帝正在发展一种新的存储技术——光存储器（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、美帝正在发展一种新的存储技术——光存储器（论文提纲范文）
（1）基于光注入VCSEL的光学混沌计算研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题来源 |
| 1.2 课题研究背景及意义 |
| 1.3 本文主要工作及结构安排 |
| 2 垂直腔表面发射激光器理论模型 |
| 2.1 垂直腔表面发射激光器基本结构 |
| 2.2 VCSEL的自旋反转模型 |
| 2.3 光注入VCSEL的速率方程 |
| 2.4 光反馈VCSEL的速率方程 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 基于外部光注入VCSEL的光学混沌数据选择逻辑计算 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 理论模型与实现方案 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 基于外部保偏光注入VCSEL的时钟同步光混沌多重触发计算 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 理论模型与实现方案 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
（2）多层次相变存储器材料的织构演化与光电特性（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 新型存储技术 |
| 2.2 相变存储器材料的选择 |
| 2.3 相变存储器材料的研究现状 |
| 2.3.1 Ge-Sb-Te体系相变存储器材料 |
| 2.3.2 Ge_2Sb_2Te_5相变存储器薄膜 |
| 2.3.3 新型相变存储器材料 |
| 2.4 相变存储器材料的元素掺杂 |
| 2.4.1 掺杂后相变存储器薄膜的微观结构 |
| 2.4.2 掺杂后相变存储器薄膜的光电特性 |
| 2.5 相变存储器薄膜的微观结构与织构演化 |
| 2.5.1 相变存储器薄膜的择尤生长 |
| 2.5.2 相变存储器材料的取向与性能 |
| 2.6 相变存储器薄膜的相变机制 |
| 2.7 界面相变存储器(iPCM) |
| 2.7.1 iPCM的性有能特点 |
| 2.7.2 量子阱与超点阵 |
| 2.7.3 相变存储器薄膜的超点阵结构 |
| 2.7.4 相变存储器薄膜的类超点阵结构 |
| 3 研究背景及意义 |
| 3.1 课题来源 |
| 3.2 选题背景及研究意义 |
| 4 研究内容及方法 |
| 4.1 研究内容 |
| 4.1.1 相变存储器薄膜的金属元素掺杂 |
| 4.1.2 相变存储器薄膜的织构演化规律 |
| 4.1.3 新型多层次相变存储器材料的结构与性能 |
| 4.2 研究方法 |
| 4.2.1 研究方案 |
| 4.2.2 实验方案 |
| 5 经典相变存储器材料Ge_2Sb_2Te_5的结构研究 |
| 5.1 相变存储器薄膜GST的微观结构与取向 |
| 5.1.1 GST薄膜的相组成 |
| 5.1.2 GST/Si(100)薄膜的取向分析 |
| 5.1.3 GST/SiO_2薄膜的取向分析 |
| 5.2 电极材料Ti对相变存储器薄膜GST结构的影响 |
| 5.2.1 GST/Ti界面的元素扩散与相组成 |
| 5.2.2 Ti过渡层对GST薄膜微观结构的影响 |
| 5.2.3 Ti过渡层对GST薄膜力学性能的影响 |
| 5.2.4 Ti过渡层对GST薄膜晶粒长大的影响机制 |
| 5.3 小结 |
| 6 Sn掺杂对Ge_2Sb_2Te_5薄膜结构与光电特性的影响 |
| 6.1 GST-Sn相变存储器薄膜的微观结构 |
| 6.1.1 GST-Sn薄膜的成分 |
| 6.1.2 GST-Sn薄膜的相组成 |
| 6.1.3 GST-Sn薄膜的局部原子排列 |
| 6.2 GST-Sn相变存储器薄膜的键合状态与热稳定性 |
| 6.3 GST-Sn相变存储器薄膜的电学特性 |
| 6.4 GST-Sn相变存储器薄膜的光学反射率 |
| 6.4.1 Sn掺杂对GST薄膜光学反射率的影响 |
| 6.4.2 GST-Sn薄膜光学特性的提高机制 |
| 6.5 小结 |
| 7 新型相变存储器材料Ga-Sb的结构与应用研究 |
| 7.1 二元Ga-Sb体系 |
| 7.1.1 不同成分Ga-Sb薄膜的相组成 |
| 7.1.2 相变前后Ga-Sb薄膜的稳定性 |
| 7.1.3 不同成分Ga-Sb薄膜的力学性能 |
| 7.2 类超点阵结构[GaSb/GST]_n薄膜体系 |
| 7.2.1 [GaSb/GST]_n的层间原子扩散 |
| 7.2.2 [GaSb/GST]_n的微观结构 |
| 7.2.3 [GaSb/GST]_n的电学特性与低功耗 |
| 7.2.4 [GaSb/GST]_n的超硬度与超模量效应 |
| 7.3 小结 |
| 8 GaSb掺杂对Ge_2Sb_2Te_5薄膜结构与稳定性的影响 |
| 8.1 GST-GaSb薄膜的微观结构 |
| 8.1.1 GST-GaSb薄膜的成分 |
| 8.1.2 GST-GaSb薄膜的表面形貌 |
| 8.2 GST-GaSb薄膜的相变过程 |
| 8.2.1 GST-GaSb薄膜的结构转变机制 |
| 8.2.2 GST-GaSb薄膜的晶格畸变与微应力 |
| 8.3 GST-GaSb薄膜的原子占位 |
| 8.4 GST-GaSb薄膜的性能与特性 |
| 8.4.1 GST-GaSb的电学特性 |
| 8.4.2 GST-GaSb的力学特性 |
| 8.5 小结 |
| 9 结论 |
| 主要创新点 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（3）单组份有机电荷俘获分子的设计、合成及高性能有机场效应晶体管存储器研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 专用术语注释表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.1.1 有机电子学概述 |
| 1.1.2 有机信息存储技术 |
| 1.1.3 有机信息存储材料 |
| 1.2 有机场效应晶体管存储器 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管存储器的分类 |
| 1.2.2 基于电荷俘获机制的有机场效应晶体管存储器及其工作原理 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管存储器的特征曲线和评价参数 |
| 1.3 有机场效应晶体管存储器的研究进展 |
| 1.4 有机场效应晶体管存储器的挑战 |
| 1.5 基于小分子存储介质的有机场效应晶体管存储器 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 小分子浮栅材料 |
| 1.5.3 自组装小分子电荷存储层 |
| 1.5.4 单组份小分子电荷存储材料 |
| 1.5.5 分子设计 |
| 1.6 本论文的研究思路 |
| 第二章 位阻型给受体小分子的设计合成及OFET存储器研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 主要试剂和药品 |
| 2.2.2 综合测试与表征 |
| 2.2.3 材料合成 |
| 2.2.4 有机场效应晶体管存储器制备与表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 位阻型TPA(PDAF)_n(n=1,2,3)的合成与结构表征 |
| 2.3.2 TPA(PDAF)_n(n=1,2,3)的热稳定性 |
| 2.3.3 TPA(PDAF)_n(n=1,2,3)的光谱性质 |
| 2.3.4 TPA(PDAF)_n(n=1,2,3)的电化学性质 |
| 2.3.5 理论计算 |
| 2.3.6 基于单组份小分子TPA(PDAF)_n(n=1,2,3)的 OFET存储器 |
| 2.3.7 单组份小分子的存储窗口性能分析 |
| 2.3.8 高密度电荷存储分析 |
| 2.3.9 电荷存储机制分析 |
| 2.3.10 电荷存储稳定性分析 |
| 2.3.11 基于TPA(PDAF)_n(n=1,2,3)器件的性能优化 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 芴基纳米格驻极体的设计合成及其性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 主要试剂和药品 |
| 3.2.2 综合测试与表征 |
| 3.2.3 合成实验 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 合成与结构表征 |
| 3.3.2 热稳定性 |
| 3.3.3 光物理性质 |
| 3.3.4 形貌稳定性 |
| 3.3.5 电化学性质 |
| 3.3.6 理论计算 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于纳米格的大容量、快速和超高稳定性的非易失性OFET存储器研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 材料与器件制备 |
| 4.2.2 表征与测试方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 CTE的薄膜形貌与浸润性的影响 |
| 4.3.2 器件结构和能级结构 |
| 4.3.3 OFET存储器的转移和输出特性 |
| 4.3.4 双极性电荷存储分析 |
| 4.3.5 高密度电荷存储分析 |
| 4.3.6 多阶存储 |
| 4.3.7 快速存储 |
| 4.3.8 超稳定性数据存储 |
| 4.3.9 基于Grid的存储器的耐受性 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于Grid存储器的机制分析及柔性和热稳定性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 材料与器件制备 |
| 5.2.2 表征与测试方法 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 电容和介电常数的影响 |
| 5.3.2 电荷俘获的动态可视化研究 |
| 5.3.3 前线分子轨道与静电势 |
| 5.3.4 电离势、电子亲和势及偶极矩 |
| 5.3.5 分子的内聚能密度 |
| 5.3.6 电荷存储机制分析 |
| 5.3.7 基于Grid的柔性OFET存储器 |
| 5.3.8 基于Grid存储器的热稳定性研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 D-A型纳米格的光电特性及其在光敏OFET存储器和人工突触中的应用 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.2.1 主要试剂和药品 |
| 6.2.2 综合测试与表征 |
| 6.2.3 D-A型纳米格的合成 |
| 6.2.4 基于D-A型纳米格的OFET存储器制备 |
| 6.2.5 基于D-A型纳米格的人工突触制备 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 D-A型纳米格的核磁解析 |
| 6.3.2 D-A型纳米格的热分析 |
| 6.3.3 D-A型纳米格的光谱分析 |
| 6.3.4 D-A型纳米格的电化学性质 |
| 6.3.5 D-A型纳米格的理论计算 |
| 6.3.6 基于D-A型纳米格的光敏OFET存储器 |
| 6.3.7 OFET的转移和输出特性 |
| 6.3.8 D-A型纳米格的存储性能研究 |
| 6.3.9 光响应机制研究 |
| 6.3.10 电写入-光擦除循环耐受性 |
| 6.3.11 光敏存储器的维持时间 |
| 6.3.12 基于D-A型纳米格的人工突触 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 论文总结 |
| 7.2 挑战与展望 |
| 参考文献 |
| 附录1 补充数据 |
| 附录2 攻读博士学位期间撰写的论文 |
| 附录3 攻读博士学位期间申请的专利 |
| 附录4 攻读博士学位期间参加的科研项目 |
| 致谢 |
（4）脉冲激光诱导Ge-Sb-Te超晶格相变材料结晶机制研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 相变材料及其特性 |
| 1.2.1 相变存储器 |
| 1.2.2 相变材料 |
| 1.3 超晶格相变材料(GST-SL)特性及结晶机制研究现状 |
| 1.3.1 GST-SL相变材料特性 |
| 1.3.2 GST-SL晶化机理和研究现状 |
| 1.4 本文研究目的及意义 |
| 第2章 实验方案和模拟方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验方案 |
| 2.2.1 GST-SL样品制备 |
| 2.2.2 样品的激光辐照和结构表征 |
| 2.3 模拟方法 |
| 2.3.1 有限元温度场模拟 |
| 2.3.2 第一性原理分子动力学 |
| 2.4 实验仪器介绍 |
| 2.4.1 激光器 |
| 2.4.2 磁控溅射镀膜仪 |
| 2.4.3 服务器和计算软件 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 激光诱导GST-SL薄膜结晶 |
| 3.1 GST-SL相变薄膜制备和工艺筛选 |
| 3.2 结晶相变薄膜的微观形貌分析 |
| 3.3 纳秒激光诱导相变薄膜晶化 |
| 3.3.1 XRD表征结构变化 |
| 3.3.2 拉曼分析 |
| 3.3.3 反射率光谱表征 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 GST-SL结晶过程模拟 |
| 4.1 有限元温度场模拟 |
| 4.2 第一性原理分子动力学模拟 |
| 4.2.1 原子模型构建 |
| 4.2.2 GST-SL热稳定性测试 |
| 4.2.3 GST-SL非晶化模拟 |
| 4.2.4 GST-SL晶化模拟 |
| 4.2.5 键长分布和电子局域函数 |
| 4.2.6 GST-SL结晶机制 |
| 4.3 本章小结 |
| 总结 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间完成的学术成果 |
| 致谢 |
（5）高密度光存储技术研究（论文提纲范文）
| 1. 绪论 |
| 2. 不同富勒烯的光学储存特性 |
| 3. 一种新型不对称光存储技术 |
| 4. 光存储的未来 |
（6）中国期刊数字出版技术变迁研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 绪论 |
| 一、选题依据及意义 |
| 二、相关研究概述 |
| 三、研究方法及研究的重点、难点 |
| 四、研究结构及主要内容 |
| 五、创新之处及存在的问题 |
| 第一章 概念界定、产业发展概况与历史分期 |
| 第一节 相关概念界定 |
| 一、期刊与杂志 |
| 二、电子出版、网络出版与数字出版 |
| 三、期刊数字出版与期刊数字出版技术 |
| 第二节 中国期刊数字出版业的发展概况 |
| 一、传统期刊数字出版平台发展迅猛 |
| 二、多媒体网络杂志数字出版初具规模 |
| 三、期刊数字出版产值波动中增长 |
| 四、期刊数字出版高新技术层出不穷 |
| 第三节 期刊数字出版技术发展的历史分期 |
| 一、中国期刊数字出版技术发展的奠基(1985-1993) |
| 二、中国期刊数字出版技术体系的初步形成(1994-2004) |
| 三、中国期刊数字出版技术的创新与发展(2005-今) |
| 本章小结 |
| 第二章 中国期刊数字出版技术发展的奠基(1985-1993) |
| 第一节 背景:改革开放与文化体制改革的推进 |
| 一、文化体制改革的推进 |
| 二、落后的出版技术与日益增长的文化需求间的矛盾 |
| 三、社会主义市场经济体制初步建立 |
| 四、由封闭半封闭社会向全方位开放社会的转型 |
| 第二节 电子计算机在出版领域中的应用 |
| 第三节 汉字数字化与电子照排技术的突破 |
| 一、"748工程"与汉字数字化 |
| 二、彩色照排技术实现国产化 |
| 三、汉字照排技术对中国出版业的影响 |
| 第四节 信息存储技术的数字化发展 |
| 一、磁存储技术的发展与应用 |
| 二、光存储技术的发展与应用 |
| 第五节 中国期刊的数字化萌芽 |
| 一、高校学报论文磁带文献库的研制 |
| 二、中文科技期刊光盘数据库的研制 |
| 三、软盘电子期刊的发行 |
| 四、计算机排版软件的初步应用 |
| 本章小结 |
| 第三章 中国期刊数字出版技术体系的初步形成(1994-2004) |
| 第一节 背景:文化产业崛起与经济全球化、一体化发展 |
| 一、文化产业崛起与期刊数字出版产业兴起 |
| 二、经济全球化、一体化与期刊数字出版技术革新 |
| 三、网络及信息存储技术为期刊数字出版技术发展奠定坚实基础 |
| 第二节 期刊采编技术的变革 |
| 一、期刊稿件采编流程的改变 |
| 二、期刊编辑模式的转变 |
| 三、计算机排版软件的普遍应用 |
| 第三节 期刊制版及印刷技术的进步 |
| 一、CTP技术实现期刊的计算机直接制版 |
| 二、数字他直接印刷技术的发展与应用 |
| 第四节 期刊发行技术、阅读方式变迁及数字出版产业链的初步形成 |
| 一、网络信息技术条件下的期刊发行技术变迁 |
| 二、网络信息技术条件下的期刊阅读方式变迁 |
| 三、期刊数字出版产业链的初步形成 |
| 第五节 期刊数字出版技术体系的初步形成 |
| 一、期刊数字出版技术体系的内涵及构成 |
| 二、中国期刊数字出版技术体系的形成及轨迹 |
| 本章小结 |
| 第四章 中国期刊数字出版技术的创新与发展(2005-今) |
| 第一节 背景:现代网络技术发展与文化产业大发展大繁荣 |
| 一、文化产业大发展、大繁荣与期刊数字出版产业变革 |
| 二、现代网络技术发展与期刊数字出版技术创新 |
| 三、经济发展方式转变与期刊数字出版技术升级 |
| 第二节 期刊采编技术的创新与发展 |
| 一、期刊网络采编系统的广泛使用 |
| 二、期刊群采编平台的建设与发展 |
| 三、参考文献辅助编校系统的开发与应用 |
| 四、学术不端检测系统的普遍应用 |
| 第三节 期刊发行技术的进步 |
| 一、OA期刊在线发布平台的建立 |
| 二、期刊"优先数字出版"发行技术的应用 |
| 三、期刊手机出版发行技术的兴起 |
| 四、网络多媒体杂志的大量涌现 |
| 第四节 期刊阅读技术的革新 |
| 一、移动网络技术与期刊移动终端阅读 |
| 二、多媒体互动技术与期刊多媒体阅读 |
| 三、"开放存取"技术与期刊开放阅读 |
| 第五节 数字出版技术应用与专业期刊平台运营模式变迁 |
| 一、期刊独家授权数字出版模式的采用 |
| 二、专业期刊平台市场分工的逐步细化 |
| 三、"网络发行量"概念的首次提出 |
| 四、"云计算"技术实现期剥数字出版的全流程管理 |
| 本章小结 |
| 第五章 中国期刊数字出版技术变迁的特征、动因及影响 |
| 第一节 中国期刊数字出版技术变迁的特征 |
| 一、期刊数字出版技术变迁的迅速性 |
| 二、期刊数字出版技术发展的渐进性 |
| 三、期刊数字出版技术创新的集成性 |
| 第二节 中国期刊数字出版技术变迁的动因分析 |
| 一、技术基础:计算机及网络信息技术的发展与应用 |
| 二、经济动因:经济全球化与经济发展方式转变 |
| 三、社会动因:由工业社会向信息社会的跨越 |
| 四、文化动因:从文化产业崛起到文化产业大发展大繁荣 |
| 五、学科支撑:数字出版教育及研究方兴未艾 |
| 第三节 中国期刊数字出版技术变迁的影响 |
| 一、促进了期刊出版的跨媒体融合 |
| 二、增强了人们获取期刊信息的能力 |
| 三、加快了中文期刊走向世界的步伐 |
| 四、推动了期刊数字出版及相关产业的繁荣 |
| 五、对传统期刊出版业的双重影响 |
| 本章小结 |
| 第六章 中国期刊数字出版技术变迁的历史启示 |
| 第一节 中国期刊数字出版技术变迁的借鉴意义 |
| 一、期刊数字出版技术创新要有政府的引导和支持 |
| 二、期刊数字出版技术创新要以市场为导向 |
| 三、教育与科研是期刊数字出版技术创新的基本推动力 |
| 四、业界的合理竞争是推动期刊数字出版技术创新的有效途径 |
| 五、要加强借鉴基础上的自主创新 |
| 第二节 中国期刊数字出版技术的未来发展趋势 |
| 一、期刊数字出版技术将进一步向跨媒体、立体化方向发展 |
| 二、期刊数字阅读技术将进入"后终端时代",内容依然为王 |
| 三、"注重用户体验"将成为期刊数字出版技术创新的主要方向 |
| 四、期刊数字出版技术创新对专业人才的需求将更为迫切 |
| 五、期刊数字出版技木创新的赢利模式将会逐步清晰 |
| 第三节 当前中国期刊数字出版技术创新的制约因素分析 |
| 一、自主创新能力不足,人才匮乏状况凸显 |
| 二、产业链条尚不健全,行业标准严重滞后 |
| 三、版权困局亟需破解,监管机制有待进一步完善 |
| 四、集群创新水平不高,有效的赢利模式还未真正形成 |
| 第四节 提升中国期刊数字出版技术创新水平的对策建议 |
| 一、增强自主创新能力,提高期刊数字出版人才的培养水平 |
| 二、科学整合期刊数字出版产业,优化产业链利益分配 |
| 三、加强期刊数字出版的版权保护力度,构建有效的监管机制 |
| 四、促进期刊数字出版集群创新,逐步形成有效的赢利模式 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 |
| 致谢 |
（7）基于PRAM的分层存储结构设计技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 论文主要研究内容 |
| 1.4 论文组织结构 |
| 第2章 新型存储技术相关研究 |
| 2.1 传统存储技术 |
| 2.2 新型非易失存储技术 |
| 2.3 相变存储器PRAM相关研究 |
| 2.3.1 工作原理 |
| 2.3.2 PRAM特性比较 |
| 2.3.3 PRAM相关应用 |
| 2.3.4 存在问题 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 混合存储模型设计 |
| 3.1 混合存储系统研究现状 |
| 3.2 混合存储结构总体设计 |
| 3.3 替换算法实现 |
| 3.4 能量模型 |
| 3.5 实验与分析 |
| 3.5.1 实验环境 |
| 3.5.2 实验结果 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 损耗均衡算法 |
| 4.1 现有的相变存储器损耗均衡算法 |
| 4.2 一种相变存储系统损耗均衡算法 |
| 4.2.1 基于存储行的损耗均衡机制 |
| 4.2.2 基于存储段的损耗均衡机制 |
| 4.2.3 系统写均衡算法流程 |
| 4.3 实验与分析 |
| 4.3.1 实验环境 |
| 4.3.2 实验结果 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（8）科学技术哲学视野下的光子学发展研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景及研究意义 |
| 1.1.1 研究背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 研究现状 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.3 论文创新之处 |
| 1.4 研究的主要内容和研究的方法 |
| 2 光子学的内涵及发展原因 |
| 2.1 光子学的内涵 |
| 2.1.1 人类对光的探究历程及光子概念的提出 |
| 2.1.2 光子学 |
| 2.2 光子学发展的原因 |
| 2.2.1 电子学的发展及其局限性 |
| 2.2.2 激光的发明 |
| 2.2.3 光学研究从宏观向微观现象的深化 |
| 2.2.4 光子学与其他科学之间形成的交叉 |
| 3 光子学发展的价值 |
| 3.1 基础光子学发展及价值 |
| 3.1.1 光场压缩态的价值 |
| 3.1.2 原子冷却与俘获 |
| 3.1.3 光量子信息科学 |
| 3.2 信息光子学发展及价值 |
| 3.2.1 基于光纤的光通信 |
| 3.2.2 光子信息处理 |
| 3.2.3 光子存贮 |
| 3.2.4 光子显示 |
| 3.3 生物医学光子学发展及价值 |
| 3.3.1 生物光子学发展及价值 |
| 3.3.2 医学光子学发展及价值 |
| 3.4 光子学在军事领域的价值 |
| 3.4.1 激光武器 |
| 3.4.2 激光制导 |
| 3.4.3 激光测距与激光雷达 |
| 3.4.4 激光干扰 |
| 4 光子学发展的方法论反思 |
| 4.1 光子与电子的比较研究 |
| 4.1.1 光子具有更高的信息容量和效率 |
| 4.1.2 光子具有更快的响应能力 |
| 4.1.3 光子具有更强的互连能力与并行能力 |
| 4.1.4 光子具有更大的存储能力 |
| 4.2 光子学与电子学的类比 |
| 4.2.1 从利用电子到利用光子 |
| 4.2.2 从电子学器件的集成到光子学器件的集成 |
| 4.3 光子学与其他学科的交叉融合 |
| 4.3.1 光子学与化学的交融——飞秒化学 |
| 4.3.2 光子学与纳米科技的交融——纳米光子学 |
| 5 发展我国光子产业的思考 |
| 5.1 美国、日本光子产业的发展特点 |
| 5.1.1 美国光子产业发展特点 |
| 5.1.2 日本光子产业发展状况 |
| 5.2 我国光子产业现况及思考 |
| 5.2.1 我国光子产业现况 |
| 5.2.2 我国光子产业发展战略 |
| 5.2.3 发展我国光子产业的思考 |
| 6 结论及进一步研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（9）全光缓存关键技术的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 国内外文献综述 |
| 1.3 本文的工作 |
| 2 SOA环形腔实现光缓存方案及理论模型 |
| 2.1 方案概述 |
| 2.2 SOA分段模型 |
| 2.3 SOA的动态增益特性 |
| 2.4 SOA光纤环形腔的理论模型 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 光阈值门数值模拟和实验结果 |
| 3.1 光阈值门实验结构 |
| 3.2 理论模型 |
| 3.3 实验结果 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 微环谐振器 |
| 4.1 微环谐振器原理 |
| 4.2 微环非线性效应 |
| 4.3 微环在全光交换中的各种应用 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 全文总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文目录 |
（10）RS解码的硬件实现（论文提纲范文）
| 第一章 绪论 |
| 1.1 数字光盘产业现状 |
| 1.2 发展中国数字光盘产业的对策 |
| 1.3 本文所做的工作及研究意义 |
| 第二章 里德-所罗门算法的一些基本概念 |
| 第三章 RS 的编解码的数学算法 |
| 第四章 RS 解码的pipeline 算法 |
| 4.1 Syndrome 多项式计算 |
| 4.2 欧几里德迭代算法 |
| 4.3 Chien-Forney 搜索 |
| 4.4 算法的改进 |
| 第五章 WOBBLE 数据RS(13,8)解码的硬件实现 |
| 5.1 修正Syndrome 多项式生成模块 |
| 5.2 欧几里德迭代算法模块 |
| 5.3 chien-forney 搜索模块 |
| 5.4 结果 |
| 第六章不同信息码符长度的里德-所罗门解码的讨论 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 致谢 |
四、美帝正在发展一种新的存储技术——光存储器（论文参考文献）
- [1]基于光注入VCSEL的光学混沌计算研究[D]. 杨广泽. 五邑大学, 2020
- [2]多层次相变存储器材料的织构演化与光电特性[D]. 尹琦璕. 北京科技大学, 2020(01)
- [3]单组份有机电荷俘获分子的设计、合成及高性能有机场效应晶体管存储器研究[D]. 余洋. 南京邮电大学, 2019(02)
- [4]脉冲激光诱导Ge-Sb-Te超晶格相变材料结晶机制研究[D]. 郭继成. 北京工业大学, 2019(03)
- [5]高密度光存储技术研究[J]. 郑穆. 电子世界, 2018(02)
- [6]中国期刊数字出版技术变迁研究[D]. 张立伟. 南京农业大学, 2015(06)
- [7]基于PRAM的分层存储结构设计技术研究[D]. 陈越佳. 杭州电子科技大学, 2015(06)
- [8]科学技术哲学视野下的光子学发展研究[D]. 刘发茂. 重庆大学, 2007(06)
- [9]全光缓存关键技术的研究[D]. 陈祥. 华中科技大学, 2007(05)
- [10]RS解码的硬件实现[D]. 刘海静. 吉林大学, 2006(10)