一、松下电器制成光盘用35mW红光半导体激光器（论文文献综述）
董雅娟[1]（2012）在《GaN基LED新型结构的外延生长和高效LED芯片的研制》文中进行了进一步梳理GaN基LED在大功率高效率的新能源发光二极管中由于其波长涉及蓝光、绿光及蓝绿光范围而备受瞩目。针对目前LED外量子效率不高的现状,本论文提出从外延工艺和芯片制程两个方面采用新型GaN基LED结构,来改善这一缺陷,并得到较好的结果。本论文首先采用MOCVD法生长新型Pits结构GaN基外延,得到亮度的大幅度提升；随后采用专业光学模拟软件Crosslight APSYS对ODR芯片与普通LED芯片进行光学模拟,研究了ODR芯片出光效率和发光强度等各方面的优势,后在流片实验中生产大功率ODR LED与普通LED,并从光学、色度学、可靠性等方面证实了ODR LED的优势。具体包含以下三个部分：1、本实验主要采用在LED的P型GaN部分进行微米级的表面粗化生长来提升亮度,测试结果显示：与普通样品相比,Pits结构样品,PL强度相对提升90%,EL相对提高近39%;小尺寸样品上,比Flat结构样品相比,Pits结构样品亮度相对提升了18.9%,而其正向电压下降了约2.5%,平均仅为3.17V；样品反向特性也较优。20mA小电流工作情况下,与普通样品相比,Pits结构样品电光转换效率相对提高了22.4%,电压下降了0.042V,说明Pits结构样品电流扩散更为均匀,整体质量较好,相对位错也较少。两种结构样品在96h老化前后光电参数变化比较微小,老化结果均为通过。2、采用Crosslight APSYS软件模拟大功率多量子阱GaN基ODR LED三维芯片的光电性能。模拟结果显示：两种LED的I-V特性和内量子效率基本重合,这是因为ODR LED主要是改善LED的光萃取效率；ODR LED与普通LED所发出的光谱曲线基本一致,但ODR LED的光谱强度明显高于普通LED,这是由于ODRLED对量子阱产生的蓝光增加了反射,使其强度增加；在350mA电流时,ODR LED的光强为106.49mcd,比普通LED相对提高了18.93%,但立体发热图显示,ODRLED的热量要稍高于普通LED结构。实验模拟结果对接下来流片实验有一定的指导和建议。3、在前期的光学模拟研究后,通过简单工艺实现大功率GaN基多量子阱ODRLED的研制和生产,并对试制LED样品进行了光学、电学和色参数三个方面性能测试。测试结果发现,ODR芯片比普通芯片的光强提高了244mcd,极大提高了发光强度；ODR LED光通量、光效、色纯度比普通LED分别提高了6.04%、5.74%、78.64%.ODR LED具有绝对优势是其色温要比普通LED的色温低1804K,明显改善大功率LED的色温缺陷。
肖宗湖[2]（2011）在《ZnO材料的制备和GaN基LED器件的研究》文中指出ZnO和GaN同为宽带隙半导体材料,具有相近的晶格特性和光电性能。本文分两部分分别对ZnO和GaN材料（或器件）作了相关研究。第一部分ZnO作为一种新型功能材料,具有优异的光学、电学、机械性能和化学稳定性、热稳定性。由于具有60meV激子束缚能以及很强的紫外受激辐射,ZnO在短波长发光器件方面如LEDs、LDs具有很大的发展潜力。此外,ZnO在可见光区域具有很高的光透过率,通过掺杂可使ZnO薄膜的电阻率降低到10-4Ω.m以下,因此掺杂ZnO薄膜的高透光率和低电阻特性使其成为一种优异的电极材料。本文采用溶胶-凝胶（sol-gel）法制备了ZnO薄膜和稀土元素钇（Y）掺杂ZnO薄膜,对其工艺和性能进行了研究,得到了以下一些有意义的结果：1、通过溶胶-凝胶工艺参数的研究,摸索出最佳工艺,制备出具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。最佳工艺条件为：48h的陈化时间、300℃的预热处理温度和500℃的退火温度。本文ZnO薄膜在可见光范围（λ>390nm）平均透光率超过85%,由Tauc作图法计算出ZnO薄膜的禁带宽度为3.26eV。在ZnO薄膜的光致发光谱中,我们观察到了紫光、蓝光、绿光和黄光。紫光认为是导带与价带之间的直接辐射复合发光,而蓝光、绿光和黄光认为是材料中本征缺陷能级或杂质缺陷能级等局域能级引起的发光。2、Y掺杂ZnO薄膜,由于Y和Zn的离子半径有差异,当Y替代Zn进入ZnO晶格中时,会引起晶格畸变,而导致缺陷的产生,从而使ZnO薄膜的结晶性能变差,ZnO晶粒细化,由（0002）晶面的择优取向生长转变为均向生长。结晶质量的下降和缺陷的增加也使得Y掺杂ZnO薄膜的透光性能变差。3、Y掺杂ZnO薄膜的电阻率存在两种相互竞争的机制,即由Y3+多余一个电子而引起的载流子浓度的增大,和由Y替代Zn产生大量缺陷而导致载流子迁移率的减小,Y掺杂浓度在0.5～1at%之间时,ZnO薄膜的电阻率最小,为30Ω.m。第二部分依靠以GaN基LED为基础的半导体固态照明要替代传统照明光源,在目前看来仍有两个难题需要解决：一个是成本问题,另一个是亮度问题。目前商品化的GaN基LED器件主要是在蓝宝石衬底、SiC衬底、Si衬底等三种异质衬底上采用MOCVD方法外延生长的。行业对LED高亮度的要求,使得目前三种衬底技术都需要做成垂直结构器件。本文结合Si衬底GaN外延技术的成本优势和金属基板具有良好的散热性能,采用电镀技术制备出金属基板大功率GaN基LED,对其性能进行了研究,得到了以下一些有意义的研究结果：1、本文制备的电镀金属基板中的电镀金属均表现出择优取向生长,Pt电极金属层、Au金属保护层和Cu电镀层均以（111）晶面择优取向生长,而Cr电镀层则以Cr（110）晶面为择优取向生长面。2、电镀金属基板转移可以使Si（111）面生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到的张应力减小,甚至转为压应力,从而使InGaN阱层受到的压应力变得更大；而后续处理和芯片制作工艺可以使GaN基LED外延薄膜受到的压应力减小到接近无应力状态,InGaN阱层受到的压应力也随之减小,由压应力引起的量子限制Stark效应也减弱。3、本文制备的电镀金属基板大功率GaN基蓝光LED的典型Ⅰ-Ⅴ特性为开启电压：2.5V@300μA,工作电压：3.45V@350mA,反向击穿电压：25V@10μA;本文制备的电镀金属基板LED具有良好的光功率抗饱和性能和较小的波长漂移,未灌硅胶和未加透镜的Pt电极LED芯片的光输出功率为115mW@350mA,相应的Ag电极芯片为245mW@350mA。本文得到了国家863课题和教育部半导体照明技术创新团队研究经费的资助。
胡建强[3]（2003）在《金属纳米粒子的尺寸和形状可控合成及其表征》文中研究说明金属纳米粒子的特殊性质和潜在应用与它的尺寸和形状密切相关，迄今人们已发展了许多金属纳米粒子的制备方法，但绝大多数方法的产物皆是球形纳米粒子，如何建立可对目标材料进行人为的尺寸和形状调控的简易方法是一个极具挑战的课题。 本论文工作的目标是设计一种简单有效的水相合成方法，制备出尺寸和形状可控的金和银纳米粒子。在作为包裹剂的十二烷基磺酸钠（SDSN）存在下，用柠檬酸钠（Na3C6H5O7）分别还原硝酸银（AgNO3）或氯金酸（HAuCl4）。它最鲜明的特点在于不需要任何模板和种子诱导，仅通过控制还原剂的浓度就可以实现对纳米粒子的尺寸和形状控制，而包裹剂的主要作用是防止粒子聚集和得到更好晶型结构。使用TEM、HRTEM、SEM、AFM、XRD、SAED、ED、UV-Visible和SERS等手段较系统地表征了这些纳米粒子的结构、尺寸、形状及其光学和电学性质。本论文工作获得的主要成果如下： 1．制备了尺寸和长径比可控的银纳米棒和纳米线。还原剂的浓度与纳米棒或纳米线的直径（10-24nm）成线性关系，与纳米棒和纳米线的长径比（8-150）成对数关系。 2．合成出具有蝌蚪和项链形的新颖形状的金纳米粒子。蝌蚪纳米粒子具有新颖的三维结构；蝌蚪纳米粒子的尺寸可控范围为12-31nm（头部宽度），项链形纳米粒子的尺寸可控范围在20-35nm。它们皆具有特殊的光学和电学性质。 3．提出有关纳米粒子的生长模型，分别解释金和银两种金属由还原剂浓度控制粒子生长的生长机理。而两种金属纳米粒子的形状完全不同的主要原因则主要来源于其离子被还原能力的差异和与包裹剂作用能力的不同。 4．合成出尺寸较均一且可控的球形金纳米粒子（10-40nm）。另用种子法合成出单分散性好且尺寸可控的铂包金纳米粒子（8-150nm），并得到了铂纳米粒子的SERS谱图。 总之，该创新的合成方法可望用于上述纳米粒子的批量生产，并可能发展成为合成其它金属的尺寸和形状可控纳米粒子的通用方法。
严寒[4]（2001）在《科技简讯》文中指出TSL-220型可调谐激光器是用于当前密集波分复用（DWDM）的一种高技术标准的可调谐激光器。该激光器内置一个波长监视器,能保证波长设置精度达到±5pm。
国月[5]（1993）在《松下电器制成光盘用35mW红光半导体激光器》文中提出 松下电器产业公司最近研制成振荡波长680nm、最高输出35mW的光盘用半导体激光器。过去的红光半导体激光器,其缺点是,当输出功率提高到25mW以上时会产生多横模。此次制成的半导体激光器,采用一个阱层厚度为8nm、具有极薄激活层的多重量子阱结构,由此降低激活层的折射率,抑制了高次横模的发
林秀华[6]（1994）在《发光二极管及其芯片研究和生产进展》文中研究表明Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体是制作显示器件的重要材料。随着制作工艺日趋成熟，发光二极管已广泛应用于国民经济各部门。文章主要介绍日本及中华台北的发光二极管的结构、特性。
张忱[7]（1993）在《日本光盘材料的现状与发展趋势》文中进行了进一步梳理重点介绍近几年日本光盘基板材料、磁光记录材料和相变光盘材料的现状与发展趋势。
姚绍明,陈维平,张俊逸[8]（1989）在《光信息记录材料中某些新兴内容》文中进行了进一步梳理 本报告论及三种光信息记录材料,特别论及其中的信息记录物质。 第一部分是综合性情况介绍及分析;第二部分分别叙述了三类光信息记录物质。 第一部分 所谓光信息记录材料的涵义是:信息（图象、文字、信号等）以光为载体传送,直接作用于某种物质,此物质能“记住”该信息,并在确定条件下再现（或输出）已记住的信息,具有这种功能的材料便是光信息记录材料。可以感受并记录不同波段电磁波所载送信息的银
张守仁[9]（1984）在《光盘存储器的现状及其主要技术问题》文中提出 一、光盘发展概况相对于利用磁通变化和磁化电流进行读写的磁盘,人们把用光学方式进行读写的圆盘叫做光盘。差不多二十多年以前,在发明激光之后不久,就开始了高密度光学数据存储的研究和发展工作。激光的一个主要特点,就是可聚焦成能量高度集中的极小的光点。在光学记录系统中,在微米大小的记录点上,通常可达到几兆瓦/cm2的峰值强度。激光的这一特性,为超高密度的光学
二、松下电器制成光盘用35mW红光半导体激光器（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、松下电器制成光盘用35mW红光半导体激光器（论文提纲范文）
（1）GaN基LED新型结构的外延生长和高效LED芯片的研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪言 |
| §1.1 引言 |
| §1.2 GaN基LED发展与现状 |
| §1.2.1 GaN基LED发展历史 |
| §1.2.2 GaN基LED近期研究进展 |
| §1.3. MOCVD法生长GaN基LED |
| §1.3.1 MOCVD概述 |
| §1.3.2 外延生长GaN基LED |
| §1.4 本课题研究内容和意义 |
| 第二章 新型GaN基LED外延生长 |
| §2.1 引言 |
| §2.2 实验生长外延片简介 |
| §2.3 实验相关仪器介绍 |
| §2.3.1 MOCVD简介 |
| §2.3.2 测试相关仪器简介 |
| §2.4 新型外延片测试与分析 |
| §2.4.1 外延片数据分析 |
| §2.4.2 裸芯及TO封装数据分析 |
| §2.4.3 可靠性分析 |
| §2.5 本章小结 |
| 第三章 大功率ODR LED光学模拟研究 |
| §3.1 引言 |
| §3.2 APSYS简述 |
| §3.2.1 理论基础 |
| §3.3 ODR LED光学模拟 |
| §3.3.1 ODR LED三维结构模拟 |
| §3.3.2 模拟结果分析 |
| §3.4 本章小结 |
| 第四章 大功率ODR LED实验研究 |
| §4.1 实验样品及封装 |
| §4.2 测试仪器 |
| §4.2.1 测试仪器简介 |
| §4.3 测试结果与分析 |
| §4.3.1 光谱测试 |
| §4.3.2 电学性能测试 |
| §4.3.3 光学性能测试 |
| §4.3.4 色参数性能测试 |
| §4.4 可靠性能分析 |
| §4.4.1. 寿命的结果与分析 |
| §4.4.2. 老化中的光、色、电参数分析 |
| §4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 论文总结与展望 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 待发表文章 |
| 致谢 |
（2）ZnO材料的制备和GaN基LED器件的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 概述 |
| 1.1.1 半导体材料的发展历程 |
| 1.1.2 宽带隙半导体材料 |
| 1.1.2.1 碳化硅(SiC)材料 |
| 1.1.2.2 氮化铝(AlN)材料 |
| 1.1.2.3 金刚石 |
| 1.2 氧化锌(ZnO)材料 |
| 1.2.1 氧化锌的基本性质 |
| 1.2.1.1 氧化锌的晶体结构 |
| 1.2.1.2 氧化锌的本征缺陷 |
| 1.2.1.3 氧化锌的光电性质 |
| 1.2.1.4 氧化锌基稀磁半导体 |
| 1.2.1.5 氧化锌的低维材料特性 |
| 1.2.2 氧化锌薄膜的制备技术 |
| 1.2.2.1 物理方法 |
| 1.2.2.2 化学方法 |
| 1.2.3 氧化锌薄膜的掺杂概况 |
| 1.2.3.1 氧化锌薄膜的n型掺杂 |
| 1.2.3.2 氧化锌薄膜的p型掺杂 |
| 1.3 氮化镓(GaN)基LED材料与器件 |
| 1.3.1 LED的发展历史 |
| 1.3.1.1 LED使用的材料体系 |
| 1.3.1.2 LED的发展历程 |
| 1.3.2 Si衬底GaN基LED的发展 |
| 1.3.3 垂直结构大功率GaN基LED |
| 1.3.3.1 绑定技术 |
| 1.3.3.2 电镀金属基板技术 |
| 1.4 本论文研究的内容及行文安排 |
| 第2章 ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能表征方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 溶胶-凝胶法的基本原理 |
| 2.2.1 溶胶-凝胶法概述 |
| 2.2.2 溶胶-凝胶过程的主要反应 |
| 2.2.3 溶胶-凝胶法的特点 |
| 2.3 溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜 |
| 2.3.1 溶胶的合成 |
| 2.3.2 薄膜的制备 |
| 2.4 薄膜的分析与测试方法 |
| 2.4.1 X射线衍射 |
| 2.4.2 同步热分析 |
| 2.4.3 NKD薄膜分析系统 |
| 2.4.4 光致发光分析方法 |
| 2.4.5 扫描电子显微镜 |
| 2.4.6 原子力显微镜 |
| 2.4.7 四探针测电阻法 |
| 2.4.8 台阶仪 |
| 第3章 溶胶-凝胶法制备工艺参数对ZnO薄膜性能的影响 |
| 3.1 ZnO溶胶-凝胶的热分析(DSC-TGA) |
| 3.2 衬底对ZnO薄膜晶体结构的影响 |
| 3.3 陈化时间对ZnO薄膜晶体结构的影响 |
| 3.4 热处理温度对ZnO薄膜晶体结构的影响 |
| 3.5 厚度对ZnO薄膜结构及表面形貌的影响 |
| 3.6 溶胶-凝胶法ZnO薄膜的生长与形态 |
| 3.6.1 溶胶-凝胶法ZnO薄膜的生长 |
| 3.6.2 ZnO薄膜的生长形态 |
| 3.6.2.1 ZnO薄膜的成核生长 |
| 3.6.2.2 ZnO薄膜的树枝晶生长和分形生长 |
| 3.7 溶胶-凝胶法ZnO薄膜的光学性能 |
| 3.8 小结 |
| 第4章 溶胶-凝胶法制备稀土Y掺杂ZnO薄膜及其性能 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 稀土Y掺杂ZnO薄膜的制备 |
| 4.2.1 溶胶的配置 |
| 4.2.2 ZnO薄膜的制备 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 稀土Y掺杂ZnO溶胶的DSC-TGA分析 |
| 4.3.2 预热处理温度对稀土Y掺杂ZnO薄膜晶体结构的影响 |
| 4.3.3 稀土Y掺杂浓度对ZnO薄膜晶体结构和光电性能的影响 |
| 4.3.3.1 稀土Y掺杂ZnO薄膜的晶体结构 |
| 4.3.3.2 稀土Y掺杂ZnO薄膜的透光性能 |
| 4.3.3.3 稀土Y掺杂ZnO薄膜的发光性能 |
| 4.3.3.4 稀土Y掺杂ZnO薄膜的导电性能 |
| 4.4 小结 |
| 第5章 金属基板大功率GaN基LED的制备及性能 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 硅衬底GaN基LED薄膜材料 |
| 5.2.1 硅衬底GaN基LED薄膜材料的制备 |
| 5.2.2 GaN基LED薄膜材料的结构表征 |
| 5.2.2.1 物相分析 |
| 5.2.2.2 晶格常数的测量 |
| 5.2.2.3 镶嵌结构的测量 |
| 5.3 电镀金属基板GaN基LED的制备 |
| 5.4 电镀金属基板GaN/基LED芯片的性能 |
| 5.4.1 电镀Cu/Cr基板的特性 |
| 5.4.1.1 电镀Cu/Cr基板的厚度 |
| 5.4.1.2 电镀Cr层的形貌 |
| 5.4.1.3 电镀Cu/Cr基板的晶体结构 |
| 5.4.1.4 电镀Cu/Cr基板的硬度 |
| 5.4.2 电镀金属基板GaN/Si LED芯片的光电性能 |
| 5.4.2.1 伏安特性(I-V)分析 |
| 5.4.2.2 电镀金属基板GaN基LED芯片的点测结果 |
| 5.4.2.3 光输出功率饱和特性(P-I)分析 |
| 5.4.2.4 波长漂移特性(WLD-I) |
| 5.4.2.5 外量子效率(EQE)随电流密度(J)的变化分析 |
| 5.5 电镀金属基板GaN基LED薄膜应力应变分析 |
| 5.5.1 实验样品 |
| 5.5.2 高分辨X射线衍射分析 |
| 5.5.3 光致发光(PL)谱分析 |
| 5.5.4 Si衬底GaN基LED薄膜的应力释放 |
| 5.6 小结 |
| 第6章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
（3）金属纳米粒子的尺寸和形状可控合成及其表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 纳米材料的基本概念 |
| 1.1.1 纳米材料的基本概念 |
| 1.1.2 纳米结构单元 |
| 1.2 纳米材料的特性 |
| 1.3 纳米材料的性能 |
| 1.3.1 物理性能 |
| 1.3.2 化学性能 |
| 1.4 纳米结构和纳米材料的应用 |
| 1.4.1 纳米材料的应用 |
| 1.4.2 纳米结构的应用 |
| 1.5 纳米材料的制备 |
| 1.5.1 制备尺寸可控的球形纳米粒子的方法 |
| 1.5.2 制备长径比可控的一维纳米粒子的方法 |
| 1.5.3 制备新颖的、尺寸和形状可控的纳米粒子的方法 |
| 1.6 纳米材料的表征 |
| 1.6.1 TEM、HRTEM和SEM表征 |
| 1.6.2 AFM和STM表征 |
| 1.6.3 UV-Visible吸收光谱表征 |
| 1.6.4 SERS表征 |
| 1.6.5 XRD、HRTEM、EDAX和SAED晶体结构表征 |
| 1.7 本论文的目的和设想 |
| 参考文献 |
| 第二章 实验 |
| 2.1 试剂 |
| 2.2 仪器 |
| 2.3 溶胶纳米粒子的制备 |
| 2.4 溶胶纳米粒子的分离及其表征 |
| 2.5 溶胶纳米粒子性质的表征 |
| 第三章 银纳米粒子的尺寸和形状可控合成及其表征 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 结果及其讨论 |
| 3.2.1 透射电子显微镜和扫描电子显微镜表征 |
| 3.2.2 紫外可见吸收表征 |
| 3.2.3 表面增强拉曼光谱表征 |
| 3.2.4 银纳米棒或纳米线的晶体结构表征 |
| 3.2.5 银纳米棒或纳米线的晶体生长机理 |
| 3.3 结论 |
| 参考文献 |
| 第四章 金纳米粒子的尺寸和形状可控合成及其表征 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 结果与讨论 |
| 4.2.1 透射电子显微镜表征 |
| 4.2.2 原子力显微镜表征 |
| 4.2.3 紫外可见吸收表征 |
| 4.2.4 表面增强拉曼光谱表征 |
| 4.2.5 金蝌蚪纳米粒子电学性质表征 |
| 4.2.6 金纳米粒子的晶体结构表征 |
| 4.2.7 金纳米粒子的晶体生长机理 |
| 4.2.8 银纳米粒子和金纳米粒子的晶体生长机理的比较和探讨 |
| 4.3 结论 |
| 参考文献 |
| 第五章 金和铂包金纳米粒子的尺寸可控合成及其表征 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 结果与讨论 |
| 5.2.1 透射电子显微镜和原子力显微镜表征 |
| 5.2.2 紫外可见吸收表征 |
| 5.2.3 表面增强拉曼光谱表征 |
| 5.2.4 球形金和铂包金纳米粒子的晶体结构表征 |
| 5.2.5 球形金纳米粒子的晶体生长机理的探讨 |
| 5.3 结论 |
| 参考文献 |
| 第六章 尺寸和形状可控的金属纳米粒子的SERS研究 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 结果与讨论 |
| 6.2.1 不同形状的银纳米粒子的SERS研究 |
| 6.2.2 不同形状的金纳米粒子的SERS研究 |
| 6.2.3 不同尺寸的球形和蝌蚪形金纳米粒子的SERS研究 |
| 6.2.4 不同尺寸的铂包金纳米粒子的SERS研究 |
| 6.3 结论 |
| 参考文献 |
| 作者攻读博士学位期间发表与交流论文 |
| 致谢 |
四、松下电器制成光盘用35mW红光半导体激光器（论文参考文献）
- [1]GaN基LED新型结构的外延生长和高效LED芯片的研制[D]. 董雅娟. 扬州大学, 2012(07)
- [2]ZnO材料的制备和GaN基LED器件的研究[D]. 肖宗湖. 南昌大学, 2011(03)
- [3]金属纳米粒子的尺寸和形状可控合成及其表征[D]. 胡建强. 厦门大学, 2003(03)
- [4]科技简讯[J]. 严寒. 光机电信息, 2001(03)
- [5]松下电器制成光盘用35mW红光半导体激光器[J]. 国月. 激光与光电子学进展, 1993(01)
- [6]发光二极管及其芯片研究和生产进展[J]. 林秀华. 半导体光电, 1994(01)
- [7]日本光盘材料的现状与发展趋势[J]. 张忱. 材料导报, 1993(03)
- [8]光信息记录材料中某些新兴内容[J]. 姚绍明,陈维平,张俊逸. 化学进展, 1989(00)
- [9]光盘存储器的现状及其主要技术问题[J]. 张守仁. 计算机研究与发展, 1984(09)