一、求解析函数表示式的一个简捷方法（论文文献综述）
汪泉[1]（1995）在《《求解析函数表示式一个简捷方法》又及》文中研究指明《求解析函数表示式一个简捷方法》又及汪泉（合肥工业大学）《工科数学)１９９３年第九卷（下）《求解析函数表示式的一个简捷方法)一文，谈到将解析函数一。（。，９）十加（Ｘ，９）表示成。的函数人。)的简捷方法：即在一ｆ(力，。一Ｘ十…中，令ｙ一０．则有：ｗ...
于春利[2]（2005）在《超深亚微米LDD MOSFET器件模型及热载流子可靠性研究》文中指出轻掺杂漏（LDD）工艺已经成为亚微米、超深亚微米MOS器件能够有效地抑止热载流子（HC）效应的标准工艺之一，但它同时也带来了在小尺寸器件模型和热载流子退化机理方面与常规结构器件的差异。本文针对超深亚微米漏工程器件的模型及可靠性的研究，建立了适用于超深亚微米LDD NMOSFET器件的Ⅰ-Ⅴ简捷模型并改善了衬底电流模型的描述。对实验数据的参数提取方法也进行了修正，使提取出的参数更符合实际情况。对热载流子的特殊退化机理从实验和理论两方面进行了详细研究，证实了超深亚微米LDD NMOSFET器件的两阶段退化机理。对低工作电压下的碰撞电离机理进行了较深入的分析，并且验证了在0.18微米CMOS工艺中EES效应和晶格温度升高带来的碰撞电离热助效应的存在，提出了在低电压下器件最坏热载流子应力条件转换的微观机理，并阐述了它们与器件热载流子寿命的关系。主要研究结果如下： 首先通过分析总结典型的短沟MOS器件模型的建模原理和适用范围，建立了适用于深亚微米、超深亚微米LDD NMOSFET的简捷器件模型（Compact model）。模型采用了双曲正切函数的经验描述方法，包括了对反型状态和亚阈状态的描述，结合短沟器件载流子速度饱和理论，充分考虑了各种短沟效应的影响因素。广泛采用理论分析和实验数据相结合的方法，对器件的阈值电压、输出特性、跨导特性、衬底电流等进行了解析分析，使模型的计算简便，且保证一定的精度。 重点分析了衬底电流的机理，在Ⅰ-Ⅴ特性模型的基础上建立了适用于LDD NMOSFET的短沟衬底电流半经验—半解析模型，其中对特征长度l这一非常重要的参数做了改进描述，使之更适合分析薄栅深亚微米器件的衬底电流特性，该模型被用于从亚微米到超深亚微米的LDD NMOSFET的性能描述，得到了与实验数据相一致的模拟结果。 设计并采用0.18微米CMOS工艺制造了LDD NMOSFET器件样品，对传统的参数提取方法进行了改进，提取出了与栅偏压和器件尺寸相关的参数，如阈值电压、源漏串联电阻、有效迁移率、有效沟道长度等等，这些参数的变化规律符合LDD器件的特殊工作机理，并应用到已经建立的器件模型中进行了验证分析，结果显示器件的输出电流特性、跨导特性、转移特性和衬底电流特性等的模拟与测试数据达到了很好的一致性，证明了参数的精确提取对器件建模的重要作用。 通过对自主设计的0.18微米CMOS器件工艺的LDD NMOSFET管芯进行的大量不同的HC应力测试，根据其阈值电压的漂移特点和线性漏电流的退化特性以及饱和趋势，证明了此阶段大多数界面损伤发生在质量较差的侧墙中，随后有更多的负电荷累积在栅—漏重叠区（亚扩散区）及沟道区，进一步证实了热载流子两阶博十论文:超深亚微米LDD MOSFET器件模型及热载流子可靠性研究段退化理论模型。得到具有氧化物侧墙的LDD NMOSFET器件所呈现的两个不同退化阶段的不同机理:第一阶段，侧墙下LDD区漏串联电阻的增加;第二阶段，主要是沟道中迁移率的减小。提出可靠性评估标准。 通过实验的方法验证了超深亚微米LDD NMOSFET的最坏热载流子应力条件的转变，分析了沟道长度、漏电压和温度在决定最坏热载流子应力条件中的作用。研究表明，最坏热载流子应力条件，是器件沟道长度、漏电压以及温度的函数。随着超深亚微米NMOSFET器件尺寸的缩小和电源电压的降低，EES效应和自热效应这样的能量获得机制，对其HC退化的影响越来越大，是出现非幸运电子模型效应的根本原因。 对影响最坏热载流子应力条件的因素进行了深入分析，得出沟长的减小和温度的降低均会促使最坏热载流子的栅压应力条件转变。最坏栅压应力条件从IsuB，MAx（D AHC）转变为Vds=Vgs（C HC），使加速热载流子应力下的器件寿命预测理论需要重新修正。对于某些沟长的器件，栅压应力IsuB，DAHC和Vds二Vgs（C HC）下的器件寿命曲线有交叉现象，因此对于器件的最坏应力条件的评估，不能只在每个应力条件下仅仅考察一个漏偏置电压。 分析了EES效应对低工作电压下的碰撞电离的增强作用。研究表明，电子能量分布（EED）中的高能尾的存在，使EES效应对碰撞电离率M的影响在低温下更明显。栅压vG的增大，使EES比率增加，引起M的增大。在MOSFET中，电子的大部分能量是从高场区获得，因此，高能尾中的电子总数不仅依赖于电子的密度，而且还与器件高场区的电场强度有关。在特定VD下随着LG的减小，漏端的电场增强，EES效应增强。因此，对于低工作电压下抑止热载流子效应的超深亚微米器件的设计，特别是应用于低温环境中的器件设计，EES效应的影响是不可忽视的。 分析了晶格温度对超深亚微米LDD NMOSFET低工作电压下的碰撞电离的增强作用。晶格温度引起的碰撞电离热助效应的研究表明，电子能量分布中的热尾与晶格温度的关系，使低漏电压下的碰撞电离率对于温度的增加更加敏感，晶格温度升高效应增强。随着电源电压等比例降至1 .2V以下，碰撞电离的产生因素从电场转变为晶格温度，自热效应会促使这个问题更加严重。而栅偏压较高时，低漏压下的碰撞电离热助特性可以被EES效应所掩盖。 这些在建立适用于深亚微米、超深亚微米LDD NMOSFET的器件模?
郭武林[3]（1982）在《国外电阻率测深正反演数值解释技术》文中研究说明 由于电测深方法在固体矿产和油气、煤炭的普查和勘探、地热开发、水文和工程地质工作、区域填图与地质构造及深部地质研究等各种地质勘探领域中均有广泛的应用,因此电测深方法技术的理论和应用方面的研究一直受到国外物探工作者的重视。从国外所发表的电法勘探文献来看。有关电阻率测深的文章,始终占有很大比重。随着电子计算技术的日益普及,传统的以二层、三层量板曲线为基础进行对比扣合或用
赵毅菊[4]（2008）在《高中函数教学研究》文中研究表明高中新课程无论从教学方式还是教学内容上都对数学教师提出了更高的标准和要求,是数学教师面临的新课题与新挑战。函数是高中数学的核心内容,是高中数学的一条主线,贯穿高中数学教学的始终。函数内容在高中数学中占有很大比例,与方程,不等式,数列等内容有紧密的联系,并对这些内容的教学产生很大的影响。因此,要切实加强函数的教学研究,尤其是高中数学第二章《函数》的教学研究。函数概念对数学发展的影响旷日持久,如今函数几乎渗透到每一个数学分支。德国着名数学家F·克莱因称函数为数学的“灵魂”,并认为函数概念应该成为中学数学的“基石”。函数概念发展的历史进程源远流长,在教学中向学生介绍函数的发展史,有助于学生对函数内容的理解和掌握。高一学生往往因为《函数》这章掌握不好,而失去了对高中数学学习的兴趣和信心。究其原因,是教师没有立足于高中学生的数学思维特点,没有充分认识到高中学生的数学思维障碍,因而影响了最大限度地因材施教。学生在学习的过程中和解决问题的过程中表现出一些差异,这些差异体现了学生个体在思维能力上的差别,也就是思维品质的差异。因此,研究高中学生的数学思维直接决定着教学效果的优劣。在进行函数的概念和性质的学习和研究时,函数图象是突破点,它是对函数性态的直观表述。由于函数内容的抽象性,长期以来,函数图象教学效果不佳的问题一直困扰着众多师生。伴随着电脑作图技术在各行业的普及与应用,国内外函数图像教学中普遍采用这一新的技术手段辅助数学课堂教学,有力的促进了函数教学向纵深阶段发展。本文通过对教材中函数图像内容的分析和函数图象变换教学实例的探讨,说明运用信息技术条件进行函数图象教学的必要性和优越性。笔者在具体教学过程中,立足于高中学生的数学思维特点,结合多媒体教学,制定了切实可行,行之有效的函数整章教学策略,教师教得有味,学生学得有趣,达到了较佳的教学效果。
何鼎潮,边学平[5]（1992）在《初中数学复习系列讲座 第三讲 六个专题》文中进行了进一步梳理 （一）判别式与韦达定理的应用一元二次方程的根的判别式及韦达定理揭示了根与系数间的关系,是解决一类数学问题的重要工具。凡最后能归结到二次方程根的性质的问题,可通过判别式去解决;凡可归结到根的数值讨论的问题,可利用韦达定理去解决。用判别式与韦达定理时,要注意以下三点: 1.应先将方程化为一般式,尤其是方程右边的项切勿漏掉。 2.应用的前题分别是a≠0和a≠0,△≥0。 3.对方程ax2+bx+C=0（a≠0）的两
徐利治[6]（2019）在《关于普遍本源公式及其导出的公式类——ΣΔD类》文中认为这篇简要综述论及一个普遍本源公式（简记为GSF）以及由它导出的公式类（简称ΣΔD类）.由于GSF能用以推导出许多级数展开式与求和公式及恒等式（包括一系列有名公式）,所以由它演绎出的ΣΔD类,很自然成为离散数学与组合分析中的一个极为宽广的公式类.本文还通过具体例证,探讨了寻求与论证级数求和公式的"嵌入法"技巧,并给出了有关ΣΔD类结构分析的几个注记.
刘安定[7]（2015）在《初中数学应用题教学研究》文中认为随着中学数学教育的发展,更是在实际需要的推动下,解数学应用题逐渐成为中学数学教学的核心。数学应用题是联系数学理论与实际生活的桥梁,当之无愧地成为培养学生应用意识和提高解决问题能力的重要载体,但“应用题难教难学”是一个长期困扰广大师生的难题。在深刻理解《新课标》的基础上,本文采用问卷调查法、访谈法、实验测试法等研究方法,对初中生解应用题的能力进行了调查。调查表明学生解数学应用题能力总体情况不乐观,具体表现为：（1）学生普遍感觉学习应用题比较困难,在各次测试中,大部分学生的应用题得分率不高。（2）学生学习数学应用题主动性不够,课后练习少,学习兴趣淡薄。（3）数学基础知识不扎实,不会对应用题进行分类,不会建立相关模型,不会列式。（4）阅读理解能力欠缺,对文字信息不能理解或理解错误,不能完整读取题目信息,不能将文字信息、符号信息和图表信息转化为数学符号、信息。（5）计算能力有待提高,虽然题目能理解,式子也列对了,但一做就错。（6）生活经验不足,不懂生活中的术语,涉及生活中的新鲜事物就不会做。（7）心理素质差,产生了畏难情绪,看到应用题数据多题目长就放弃；遇到自己不熟悉的题目就放弃。通过访谈和分析调查问卷与测试卷,结合本人的教学经验,我对于影响初中生解数学应用题的因素作了详细分析,主要有：（1）学生生活经验匮乏；（2）学生的阅读理解能力不强；（3）应用题本身的难度系数；（4）学生的运算能力；（5）学生对已学基础知识的掌握程度；（6）学生的解题技能、数学思维习惯；（7）学生对应用题的元认知水平；（8）学生的的非智力因素。针对学生学习数学应用题的影响因素我提出了相应的教学策略：（1）拓广学生的知识面和生活常识；（2）指导学生阅读方法,增强学生应用题理解能力；（3）加强学生应用题解题技能的训练；（4）在实践中培养学生解应用题的基本素养；（5）加强学生解数学应用题的元认知训练；（6）预防学生非智力因素在解答数学应用题过程中的阻碍作用。
徐彬[8]（2000）在《高层建筑结构分析的奇异函数方法》文中进行了进一步梳理本文回顾了高层建筑结构分析方法发展和基本特点。对梁反弯点在跨中假设、刚性楼面假设及截面常系数等假设条件进行了讨论，作者明确提出：a)结构变量具有整体和局部的性质；b)引入奇异函数，可以把多层的柱（或墙）单元用一个受水平构件约束的竖向构件来代替，构建出新的结构分析模型；c)把内力和位移同时取作基本的分析变量用混合法进行结构分析。据此，作者首次将奇异函数与矩阵代数相结合，提出了高层结构分析的奇异函数法。 首先介绍了奇异函数函数的基本概念、相关运算规则和定理。然后利用奇异函数来描述构件受到的集中力、截面阶跃变参数，将不连续量表示为连续函数形式，通过直接积分，导出了竖向构件的外力和变形之间的函数关系式和矩阵方程。 对于剪力墙结构，放弃连续化假设条件，把每个剪力墙作为一个独立的竖向构件，同时直接利用奇异函数描述整个剪力墙结构的侧移、转角和变截面参数，由连梁跨中相对位移协调关系，建立和求解了以连梁剪力为未知量的矩阵方程。 进一步地，放弃反弯点在跨中的假设条件，从两个方面进行分析研究：一方面基于竖向构件基本方程，在满足竖向构件侧移相等的条件下，导出了转角变量的整体方程和局部方程。另一方面，为得到竖向构件的约束弯矩，以一个新的角度建立了水平构件剪力与变形关系式。最后，由节点平衡和协调条件，导出了一般高层结构分析的基本矩阵方程。求解方程的无量纲系数具有梁柱刚度比的意义，因此，方法也被作者称之为所谓的“刚柔相济”之法。 由基本方程推导了结构侧移刚度矩阵D，该矩阵不仅对弯曲型，同时对剪切型抗侧力结构也适用。还给出了空间结构协同分析、结构动力特性分析及结构时程分析的基本方程，作了实例分析。
张波[9]（2013）在《基于导重法的结构拓扑优化方法研究》文中提出目前,工程机械等结构向刚、柔兼备的方向发展,使结构的工作环境日益复杂。减轻结构或机构重量、提高有效载荷、满足独特的服役环境成为设计者追求的永恒理念。结构拓扑优化作为普通优化设计的基础上开展起来的一项新兴技术,其最终目的就是寻找结构的最优设计提案,缩短设计周期,从而很好的解决刚度、柔度等性能特性与结构重量、造价等设计资源之间的矛盾。因此基于有限元分析软件,研究和开发结构拓扑优化方法和其软件既有理论意义,又具有重要的工程应用价值。本文首先介绍了导重法的基本理论及其计算优点。鉴于ABAQUS是工程应用中被广泛运用的有限元计算分析软件,它不但具有强大的计算能力和广泛的模拟功能,还有大量不同类型的单元模型、材料模型和分析过程,以及强大的有限元分析计算能力和处理高度非线性问题的能力。本文把ABAQUS作为二次开发的研究平台,针对体积约束和柔顺度最小的结构拓扑优化问题,结合一种新的插值过滤技术,引入导重法,提出了一种考虑结构柔顺度要求和基于设计空间调整的结构拓扑优化方法,并编制了方法软件。给出的算例结果表明该优化方法具有迭代收敛快、求解效率高等优点,并验证了其正确性和有效性。另外,在针对位移和体积多约束条件情况下求解最小柔顺度的拓扑优化问题,引入导重法及过滤函数,发展了一种基于位移和柔顺度要求的结构拓扑优化方法和软件。给出几个仿真算例,算例结果表明该方法有较好的理论和工程应用价值。
杨燕[10]（2004）在《函数及其图象复习指导》文中提出
二、求解析函数表示式的一个简捷方法（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、求解析函数表示式的一个简捷方法（论文提纲范文）
（2）超深亚微米LDD MOSFET器件模型及热载流子可靠性研究（论文提纲范文）
| 1.绪论 |
| 1.1 超深亚微米MOS器件可靠性对超大规模集成电路进展的影响 |
| 1.2 国内外相关领域的研究进展 |
| 1.3 本论文的主要研究工作 |
| 2.短沟道MOSFET直流模型 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 小尺寸MOSFET模型 |
| 2.3 本章小结 |
| 3.超深亚微米LDD MOSFET器件模型 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 LDD NMOSFET器件本征I-V直流特性模型 |
| 3.3 LDD NMOSFET器件源漏串联电阻模型 |
| 3.4 亚阈区模型 |
| 3.5 模拟结果与分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 4.短沟MOSFET衬底电流模型 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 衬底电流模型 |
| 4.3 LDD MOSFET器件衬底电流模型分析 |
| 4.4 包含衬底电流的LDD MOSFET漏电流模型 |
| 4.5 本章小结 |
| 5.超深亚微米LDD MOSFET器件制备及模型参数提取 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 LDD MOSFET管芯的设计制作与性能测试 |
| 5.3 模型参数提取方法的改进 |
| 5.4 本章小结 |
| 6.超深亚微米LDD NMOSFET器件的热载流子效应与可靠性研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 超深亚微米LDD NMOSFET器件的HC退化特性研究 |
| 6.3 超深亚微米LDD NMOSFET器件的自有退化机理与寿命评估 |
| 6.4 超深亚微米LDD MOSFET最坏热载流子应力条件研究 |
| 6.5 超深亚微米NMOSFET低工作电压下的碰撞电离机理研究 |
| 6.6 本章小结 |
| 7.总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间参加的科研项目、完成的学术论文 |
（4）高中函数教学研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 前言 |
| 1 函数教学的历史概述 |
| 1.1 函数概念的历史发展 |
| 1.1.1 函数概念的酝酿期 |
| 1.1.2 函数概念的形成期 |
| 1.1.3 函数概念的成熟期 |
| 1.1.4 函数概念的完善期 |
| 1.2 克莱因——佩里运动 |
| 1.3 函数教学史 |
| 1.4 各国关于函数的课程标准 |
| 1.5 函数的地位和作用 |
| 2 高中生的思维特点 |
| 2.1 研究高中生数学思维的重要性 |
| 2.2 高中生的思维特点 |
| 2.3 高中生数学思维的表现形式 |
| 2.4 高中生的数学思维障碍 |
| 2.5 高中生数学思维障碍的突破方法 |
| 3 高中函数教学策略 |
| 3.1 高中函数教学内容和教学策略分析 |
| 3.2 高中生学习函数的认知分析 |
| 3.3 函数概念教学策略 |
| 3.3.1 函数概念 |
| 3.3.2 函数概念教学案例及其分析 |
| 3.4 函数性质教学策略 |
| 3.5 指数函数和对数函数的教学策略 |
| 3.6 函数的应用教学策略 |
| 4 现代信息技术条件下高中函数图象教学研究 |
| 4.1 信息技术条件下高中函数图象教学的优越性 |
| 4.2 高中函数图象问题类型 |
| 4.3 信息技术条件下高中函数图象教学模式 |
| 4.4 函数图象变换教学范例 |
| 5 函数教学的总结和建议 |
| 5.1 在高中函数教学中应补充加强的内容 |
| 5.1.1 教学中应补充加强的内容 |
| 5.1.2 高中阶段二次函数教学的升级 |
| 5.1.3 高中二次函数教学案例及其分析 |
| 5.1.4 关于分段函数教学的几类问题 |
| 5.2 对函数教学的总结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（6）关于普遍本源公式及其导出的公式类——ΣΔD类（论文提纲范文）
| 1 一些准备 |
| 2 普遍本源公式及注记 |
| 3 三个级数变换公式 |
| 4 ΣΔD公式类 |
| 5 ΣΔD类中的具体公式 (30例) |
| 6 三元组与嵌入法及注记 |
| 7 简要综述及相关问题简介 |
（7）初中数学应用题教学研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 1. 引言 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 研究意义 |
| 1.3 数学应用题概念的界定 |
| 2. 研究综述 |
| 2.1 数学应用题元认知相关研究 |
| 2.2 数学应用题表征相关研究 |
| 2.3 数学应用题解题相关研究 |
| 2.4 数学应用题解题策略的相关研究 |
| 3. 初中生数学应用题解题的研究设计 |
| 3.1 研究思路 |
| 3.2 研究工具 |
| 3.3 研究目的 |
| 3.4 研究实施 |
| 3.5 数据分析 |
| 4. 影响初中生解应用题的因素分析 |
| 4.1 学生生活经验匮乏 |
| 4.2 学生的阅读理解能力 |
| 4.3 应用题本身的难度系数 |
| 4.4 学生的运算能力 |
| 4.5 学生对已学基础知识的掌握程度 |
| 4.6 学生的解题技能、数学思维习惯 |
| 4.7 学生对应用题的元认知水平 |
| 4.8 学生的的非智力因素 |
| 5. 提高初中生数学应用题解题能力教学策略 |
| 5.1 拓广学生的知识面和生活常识 |
| 5.2 指导学生阅读方法,增强学生应用题理解能力 |
| 5.3 加强学生应用题解题技能的训练 |
| 5.4 在实践中培养学生解应用题的基本素养 |
| 5.5 加强学生解数学应用题的元认知训练 |
| 5.6 预防学生非智力因素在解答数学应用题过程中的阻碍作用 |
| 6. 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 附录一 |
| 附录二 |
| 致谢 |
（8）高层建筑结构分析的奇异函数方法（论文提纲范文）
| 摘要(中文) |
| 摘要(英文) |
| 目录(中文) |
| 目录(英文) |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 回顾 |
| 1.2 高层结构分析方法及假定 |
| 1.3 高层结构分析奇异函数方法概述 |
| 1.4 研究工作的意义 |
| 1.5 本章小结 |
| 第二章 奇异函数基本理论及应用 |
| 本章摘要 |
| 2.1 奇异函数基本概念 |
| 2.2 奇异函数及基本性质、运算 |
| 2.3 分段变系数受弯构件方程的基本解 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 奇异函数应用——变参数剪力墙的分析法 |
| 本章摘要 |
| 3.1 剪力墙概述 |
| 3.2 墙肢单元奇异函数表达式 |
| 3.3 多肢剪力墙结构的求解方程 |
| 3.4 实例计算 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 高层结构分析奇异函数法 |
| 本章摘要 |
| 4.1 基本构思概述 |
| 4.2 竖向构件方程及推导 |
| 4.3 水平构件方程 |
| 4.4 求解方程 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 侧移刚度矩阵与结构分析 |
| 本章摘要 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 结构的侧移刚度 |
| 5.3 平面结构空间协调分析法 |
| 5.4 结构自由振动分析 |
| 5.5 结构地震响应分析法 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 高层框筒结构二阶分析变分摄动法 |
| 本章摘要 |
| 6.1 框筒结构的二阶效应问题 |
| 6.2 计算模型及基本假设 |
| 6.3 微分方程及摄动解 |
| 6.4 算例与结果分析 |
| 6.5 本章小结 |
| 结论 |
| 附录Ⅰ |
| 攻读学位期间发表论文 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（9）基于导重法的结构拓扑优化方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 工程研究背景 |
| 1.2 国内外研究状况 |
| 1.3 本文的研究内容 |
| 第二章 导重法基本理论 |
| 2.1 结构优化设计方法概述 |
| 2.1.1 数学规划法 |
| 2.1.2 最优准则法 |
| 2.1.3 导重法 |
| 2.2 导重准则 |
| 2.2.1 材料约束下求结构最优性能的问题 |
| 2.2.2 性能约束下求结构最少材料的问题 |
| 2.3 小结 |
| 第三章 基于ABAQUS软件的二次开发 |
| 3.1 ABAQUS软件介绍 |
| 3.2 ABAQUS二次开发 |
| 3.2.1 ABAOUS与Python语言 |
| 3.2.2 ABAOUS与Fortran语言 |
| 3.3 小结 |
| 第四章 体积约束下求最小柔顺度的结构拓扑优化 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 材料模型和优化问题建模 |
| 4.2.1 单元拓扑变量和过滤函数 |
| 4.2.2 优化问题模型 |
| 4.3 敏度分析 |
| 4.4 优化模型的求解方法 |
| 4.5 设计空间的调整 |
| 4.6 优化终止条件 |
| 4.7 算例 |
| 4.7.1 一个三维短悬臂梁结构优化设计 |
| 4.7.2 一个三维简支梁结构优化设计 |
| 4.7.3 Michell梁的结构优化设计 |
| 4.7.4 三维MBB梁结构优化设计 |
| 4.7.5 三维L型梁结构优化设计 |
| 4.7.6 柱和牛腿构件组成结构的优化设计 |
| 4.8 小结 |
| 第五章 位移和体积约束下求最小柔顺度的结构拓扑优化 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 材料模型和优化问题建模 |
| 5.2.1 单元拓扑变量和过滤函数 |
| 5.2.2 优化问题模型 |
| 5.3 敏度分析 |
| 5.4 转化的优化模型及其求解方法 |
| 5.5 设计空间的调整 |
| 5.6 优化终止条件 |
| 5.7 算例 |
| 5.7.1 一个三维悬臂梁结构优化设计 |
| 5.7.2 一个三维简支梁结构优化设计 |
| 5.8 小结 |
| 第六章 结论和展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录A 攻读学位期间发表的论文 |
四、求解析函数表示式的一个简捷方法（论文参考文献）
- [1]《求解析函数表示式一个简捷方法》又及[J]. 汪泉. 工科数学, 1995(01)
- [2]超深亚微米LDD MOSFET器件模型及热载流子可靠性研究[D]. 于春利. 西安电子科技大学, 2005(02)
- [3]国外电阻率测深正反演数值解释技术[J]. 郭武林. 石油物探译丛, 1982(03)
- [4]高中函数教学研究[D]. 赵毅菊. 内蒙古师范大学, 2008(12)
- [5]初中数学复习系列讲座 第三讲 六个专题[J]. 何鼎潮,边学平. 中学教研, 1992(03)
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- [8]高层建筑结构分析的奇异函数方法[D]. 徐彬. 华南理工大学, 2000(11)
- [9]基于导重法的结构拓扑优化方法研究[D]. 张波. 长沙理工大学, 2013(06)
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