一、用低对称性带轴CBED图中holz线测量点阵常数（论文文献综述）
邹化民,王仁卉,龙毅[1]（1984）在《用低对称性带轴CBED图中holz线测量点阵常数》文中研究表明 用会聚束电子衍射中高阶劳厄带效应产生的holz线测定点阵常数时,通常用（111）带轴图中的holz线。本文探讨在高对称性带轴CBED图中不易观察到holz效应的情况下,用低对称性带铀CBED图中holz线测量点阵常数的可能性。对奥氏体不锈钢和纯铝的不同带轴的CBED图中的holz效应进行了观察。CBED在装有普通SAP极靴的JEOL 100C×H上实现.加速电压120kV。由于奥氏体不锈钢的特征温度较高,原子质量较大,热运动所引起的原子的均方位移较小,Debye—Waller因子较大,（111）带轴的holz线清晰可见,而铝的原子质量较小,Debye—Waller因子较小、（111）带轴的holz线很难观察到。
邹化民,王仁卉,龙毅[2]（1983）在《用低对称性带轴CBED图中holz线测量点阵常数》文中研究表明 用会聚束电子衍射中高阶劳厄带效应产生的holz线测定点阵常数时,通常用（111）带轴图中的holz线。本文探讨在高对称性带轴CBED图中不易观察到holz效应的情况下,用低对称性带铀CBED图中holz线测量点阵常数的可能性。对奥氏体不锈钢和纯铝的不同带轴的CBED图中的holz效应进行了观察。CBED在装有普通SAP极靴的JEOL 100C×H上实现.加速电压120kV。由于奥氏体不锈钢的特征温度较高,原子质量较大,热运动所引起的原子的均方位移较小,Debye—Waller因子较大,（111）带轴的holz线清晰可见,而铝的原子质量较小,Debye—Waller因子较小、（111）带轴的holz线很难观察到。
郑会[3]（2008）在《马氏体相变切变角和点阵常数测定的新方法》文中进行了进一步梳理材料表征是材料科学的重要组成部分,而针对材料微观结构及其变化的材料表征新方法和新技术越来越成为揭示材料性能和本质的重要手段。本文以原子力显微镜（AFM）为手段,利用其超高的分辨率对马氏体相变表面浮凸进行了表征,观察了浮凸的二维形貌并精确测定了预抛光的Fe-25Mn-6Si-5Cr（wt%）形状记忆合金中的应力诱发马氏体和Fe-23Ni-0.55C（wt%）合金中的热诱发马氏体的浮凸角。测得的Fe-25Mn-6Si-5Cr合金中3个马氏体变体浮凸角为3.058°、2.424°和2.835°,Fe-23Ni-0.55C合金中4个马氏体变体浮凸角为3.6°、6.3°、4.9°和5.3°。总结了石玮等和杨志刚等对浮凸角进行修正计算马氏体相变切变角的方法并指出了其中对于切变方向的错误假定,分析了其方法的局限性。对上述两种合金的实例计算也证明了用他们的方法计算的切变角与理论值有很大的差距,达几度到几十度。结合Bergeon等关于浮凸角正确的晶体学模型建立了用尝试-校核法和四面体模型法求解样品自由表面晶体学指数的标准流程,改进了马氏体相变切变角的计算方法,并编写了相关的MATLAB计算程序来解决其中繁杂的计算问题。对上述两种合金实例计算表明,改进后的方法达到了很高的精度,计算值与理论值误差很小,分别只有1.33°、0.20°、0.26°和0.13°、1.42°、0.12°、1.22°,说明了改进方法的普遍有效性。对会聚束电子衍射（CBED）的高阶劳厄带（HOLZ）线进行了计算机模拟,建立了fcc、bcc和hcp三种结构[113]带轴的标准HOLZ线图,并以纯Al和相变诱发塑性（TRIP）钢残余奥氏体为例研究了加速电压和点阵常数对HOLZ线位置的影响。提出了通过HOLZ线精确测量点阵常数,以表征TRIP钢残余奥氏体微区碳浓度分布,进而研究其稳定性的方法,并有待进一步实验研究。
孟杨[4]（2010）在《双相不锈钢表层沉淀相的特征及相变晶体学研究》文中提出相变晶体学是定量描述相变后材料组织的知识。双相不锈钢相变系统是具有表面浮突现象的扩散型相变,对其复杂的形貌和相变晶体学特征的定量分析,有助于人们加深对沉淀相变晶体学规律的理解,相变过程中的组织形貌为分析和控制组织提供工具。本论文工作深入研究了00Cr25Ni7Mo3双相不锈钢合金系统奥氏体在铁素体基体表面沉淀析出的相变晶体学,综合应用扫描电子显微镜、背散射电子衍射、原子探针研究了表层奥氏体沉淀相的三维形貌和表面浮突现象,实验发现针状形貌是表面沉淀相的基本单元,复杂形貌的分枝均呈针状。应用透射电子显微镜对表层有代表性的3种针状沉淀相与基体的位向关系、长轴方向、界面取向等进行了表征。定量分析结果表明丰富多变的表面沉淀相的形貌及其晶体学特征与样品表面取向密切相关。本工作将表面因素引入O线模型,提出表面约束判据。运用扩展O线模型结合位移分解的方法对3种针状沉淀相的晶体学做出了合理的定量解释,特别是解释了表面特有的现象比如两相中相关柏氏矢量偏离、界面位错与长轴方向偏离以及带有“缓冲层”的双惯习面现象等。扩展O线方法具有普适性,可以用于其它约束条件的相变系统中。本工作的分析表明,在表层沉淀相与基体之间可以构成V型双惯习面,这是表层特有的三维形貌。双惯习面可以以不同的方式实现,例如孪晶对片条的基体/沉淀相1/沉淀相2/基体的结构,以及带有缓冲层片条的基体1/沉淀相/基体2的三明治结构。本工作还提出了基体倾转参与组织演化的模型,解释了“缓冲层”结构产生的原因,证实了相变系统在相变应力作用下由有理向无理位向关系转变的组织演化猜测。奥氏体析出时会在表面形成单倾或者双倾性的表面浮突。本工作应用背散射电子衍射技术和原子探针技术定位观测了表面浮突的结构。发现双倾型浮突由一对呈孪晶关系的片条组成而单倾型的浮突是单晶片条。
吴力军[5]（2002）在《Bi系和Y系高温超导材料的形成机理、结构与缺陷的研究》文中研究指明Bi2Sr2Ca2Cu3O10+δ （Bi-2223）和YBa2Cu3O7-δ（YBCO）是在电力设备和强磁体等领域最具应用潜力的高温超导体。我们使用现代透射电子显微镜系统地研究了这两种重要超导体的形成机理及其结构特征。 首先，研究了四种具有不同原始粉的 Bi2Sr2Ca2Cu3O10 相在银管内的合轴和形成。微观结构特征显示出合轴与形成运动学与处理技术和原始粉的相组成密切相关。合轴过程是由铋铜化合物沿 a-b 面的择优长大及山银套所施加的限制所达成的。而 Bi2Sr2Ca2Cu3O10 相的形成机理则取决于是否有过量的液相存在，或者是插入型或者是一般的形核与长大型。我们还确定了在（Bi,Pb）2Sr2CaCu2O8+δ （Bi-2212）到 Bi-2223 转变期间形成的中间相的结构。中间相（Ca,Sr）5+x（Pb,Bi）3+yCuOδ具有c心单斜点阵，点阵常数为 a=1.723nm，b=0.978nm，c=0.342nm，和 α=93.5°。（Ca,Sr）CuO2和（Ca,Sr）14Cu24O41+δ为相混合物，在其基体上有纳米大小的析出物。前者的基体结构具有面心单斜对称性，单胞常数为a=1.105nm，b=0.643nm，c=0.347nm，和β=92.3°；后者的析出相则为面心正交点阵，点阵常数为a=1.147nm，b=1.339nm和c=0.277nm。我们还进一步讨论了这些中间相的结构演变及其与主相 Bi-2212 和 Bi-2223的关系。 我们通过使用透射电镜观察部分和完全热处理样品的组织与结构，研究了BaF2工艺（即后沉积反应合成外延 YBCO 膜工艺） 中 YBCO 在 SrTiO3和CeO2基底上的形核与长大。通过物理蒸发沉积方法按化学计量把Y，Cu和BaF2蒸发到基底上得到的多晶原始膜系由Y，Cu和BaF2微晶组成。在流动的N2，O2和H2O反应气体气氛中经短时间热处理后，原始膜很快就转变成（Y，Ba）氧氟化合物和Cu2O。研究结果表明 YBCO 在界面上的优先形核是因为（Y，Ba）氧氟化合物对 SrTiO3的强烈化学亲和力以及氧氟化合物的（111）面与SrTiO3的（001）表面合轴后导致的 YBCO形成激活能的减小。在薄的 （膜厚≤2-3μm）原始膜中，c轴垂直于 SrTiO3表面的YBCO 核直接从已合轴的氧氟化合物或有序氧氟化合物中形成。但在厚的 （膜厚=5μm）原始膜中，氧氟化合物分解并与 Cu2O 反应形成一无序的立方过渡相，该立方相然后有序化形成具有三个取向变体的 YBCO 核。这三个取向变体中，其中之一的 c 轴垂直于SrTiO3的（001）表面，而另外两个则平行于SrTiO3的表面，从而解释了厚膜中 a/b 取向 YBCO 的形成。对于 c 轴 YBCO 的长大机制，我们发现一旦 c 轴 YBCO 覆盖了基底表面，就有一薄层液相在 YBCO 和未反应的原始膜间形成。c 轴 YBCO 的长大机制是 YBCO 从含有Y，Ba，Cu和O的液相层中外延析出到已经存在的 c 轴 YBCO 层中，而成分近似为(Y0.3,Ba0.7)(O0.15,F0.85)2的（Y,Ba）氧氟化合物在其与液相层的界面上分解并释放出 HF 到反应气氛中。氧氟化合物和 Cu2O（或CuO）的分解为液相层提供了必须的阳离子和氧。我们用电子衍射，EDS，EELS 和高分辨象确定了无序、有序氧氟化合物，过渡立方相和原始膜与 SrTiO3基底的反应化合物的成分与结构。 开发了一种新的电子衍射技术来测量 Bi-2212，YBCO 和 MgB2 中的电荷密度。该技术是在透射电子显微镜中把电子束聚焦在样品的上方 （或下方） 从而同时在很多 Bragg 衍射盘中得到阴影象，或平行记录暗场象 （简称为PARODI）。对于楔型晶体；该技术提供了可同时记录许多衍射的厚度条纹或 Pendellsung 条纹的方法，它确保了所有衍射盘中的厚度变化和入射电子束取向等实验条件是相同的。对于具有大单胞的复杂晶体，强度仅仅随激发误差变化的传统会聚束电子衍射可能缺乏足够的独立数据来精确拟合结构因子，因此必须采用小的会聚角以避兔密集排列的衍射盘互相重叠。但是PARODI技术，提供了更多的独立信息，我们得到了额外的强度随样品厚度变化的数据，因而可用来精确测量晶体中电子分布的傅里叶单元。我们使用PARODI方法确定了Bi《212，YBCO和最近刚发现的MgBZ超导体的低指数电子结构因子。高的测量精度使我们能够探测很小的电荷转换井可检验对这些重要晶体电子结构的第一原理的计算。对于 Bi上212和 YBCO，我们发现对电子结构模型的小的调整是必须的，但对MgB引 实验测量与第一原理计算符合得很好。 将PARODI技术进一步扩展到使用相干光源这一新领域（例如在装备有场离子发射枪的透射电镜中）形成了相干PARODI技术并用来精确测定晶体中缺陷的位移矢量。我们用该技术研究了 Bi上2高温超导体中的层错和伴有垂直于晶界面位移的扭转晶界。我们观察到了由面缺陷引起的强烈的相干条纹，这种条纹即使在入射电子束平行于缺陷面时也如此，这与根据模型计算的花样一致。通过使用相干PARODI技术，我们测量的 Bi上212中面缺陷的位移矢量的精度达到了 1皮米门”“米)，这是目前世界上在测量缺陷位移方面达到的最高精度，比以前的技术提高了将近一个数量级。对Bi系超导体中各种层错的位移矢量的测量表明该体系的抽出或插人CuoyCa双层的厚度为O．3切土O刀0二删。在B仁22二的扭转晶界中，我们观察到晶界处有一垂直
王俊忠[6]（2007）在《半导体材料和器件的微结构与微区应力的EBSD研究》文中研究表明随着微电子器件和光电子器件向着高速化和高集成度方向的迅速发展,半导体外延结构及金属互连线的微观结构特征,以及多层膜之间在制备和使用过程中引入的应力,对电子器件的可靠性、使用寿命和出光率等起着关键的作用。本论文采用高分辨热场发射扫描电镜（TFE-SEM）与电子背散射衍射仪（EBSD）的一体化分析系统,测试了微电子器件金属化系统和半导体外延系统中的微结构、微织构及微区应力/应变特征,研究了微结构与半导体材料和器件制备工艺的相关性,以及对器件失效及可靠性的影响。本项工作对EBSD菊池衍射花样的收集参数和标定参数进行了分析和优化,对TSL EBSD系统的空间分辨率进行了测评,得出空间分辨率约为30nm40nm。在此基础上,测试了超大规模集成电路（VLSI）中的Al互连线和甚大规模集成电路（ULSI）的Cu互连线,以及GaN/蓝宝石系统和GaAs/AlGaAs系统中微结构及微区应力分布特征。研究了采用传统的反应离子刻蚀工艺制备的Al互连线和采用大马士革凹槽工艺制备的Cu互连线的晶粒结构、取向、大小、形态及分布。结果表明:沉积态2μm宽的Al互连线和Cu互连线的平均晶粒尺寸分别为120nm和60～70nm。Al互连线在300℃、2.5hr退火后,晶粒尺寸增大至180nm,且趋于均匀;Cu互连线随着线宽由0.5μm增加到4μm,晶粒尺寸由30～40nm增大到80～90nm。350℃退火后,Al晶粒长大并呈近竹节结构,从而减小了金属离子沿晶界的扩散,提高了互连线的电徙动失效中值寿命（MTF）和激活能（Qa）。2μm宽沉积态的Al互连线具有很强的（111）丝织构,退火后（111）织构得到进一步的发展。在Cu互连线中,沿大马士革结构的凹槽侧壁垂直生长的晶粒和孪晶使得（111）织构弱化。在Al互连线中,Σ1晶界高达16.4%,并随着退火温度的升高增加至18.7%;Cu互连线的Σ3晶界（孪晶界）高达79.5%。孪晶界和小角度晶界这些低能构型的稳定晶界,均有利于提高互连线抗电徙动的能力。此外,采用EBSD菊池花样的质量参数IQImage Quality,作为应力敏感参数。Al互连线退火后,平均IQ值和（111）、（100）和（110）取向晶粒的IQ（111）、IQ（110）和IQ（100）均有所提高,表明退火使Al互连线的残余应力得到释放。IQ（111）大于IQ（100）和IQ（110）,反映出不同晶体学取向的弹性模量存在的差异。在GaN/蓝宝石和GaAs/AlGaAs外延系统中,采用EBSD的IQ值、Hough变换的峰值及小角度错配等参数,作为应力/应变敏感参数,表征单晶外延生长薄膜中的晶格畸变程度和微区应力分布特征。研究结果表明:在GaN结构中应力缓冲层（Buffer层）附近的菊池线明锐程度降低,IQ值和Hough峰值最低,随着与Buffer层距离的增加,菊池线的锐化程度,IQ值和Hough峰值逐渐提高,以IQ和Hough峰的统计值显示出晶格畸变范围,表明以Buffer层为中心存在一个200nm～700nm的应变场。由计算可知Buffer层附近的位错密度达8×1011/m2。EBSD测量GaN外延层与蓝宝石衬底存在着30°错配,计算的二者错配度为16%。结构通过20～30nm的Buffer层使应力应变释放,提高了外延生长的晶体质量,从而可保证发光二极管有源区的出光效率。在GaAs/AlGaAs多层周期生长的外延系统中,错配度0.14%,GaAs层的IQ值沿外延生长方向逐渐下降29%,表明外延结构中缺陷逐渐累加。AlGaAs层中由于衍射强度低而未能测量出IQ值,说明IQ值能反映出由于散射因子差异而造成的衍射强度的差异。采用快速傅立叶变换（FFT）和反变换（IFFT）,对应变和非应变区域的Kikuchi花样进行处理和计算,可实现衍射强度的比较。通过对Kikuchi花样进行相关函数分析,可得到GaN/蓝宝石结构中应变区域相对于无应变区域的晶带轴的微小位移量。
二、用低对称性带轴CBED图中holz线测量点阵常数（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、用低对称性带轴CBED图中holz线测量点阵常数（论文提纲范文）
（3）马氏体相变切变角和点阵常数测定的新方法（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 形状记忆效应和形状记忆材料 |
| 1.1.1 形状记忆效应概述 |
| 1.1.2 晶体中的形状记忆效应 |
| 1.2 马氏体相变与马氏体 |
| 1.2.1 马氏体相变的定义 |
| 1.2.2 马氏体相变的主要特征 |
| 1.3 马氏体相变晶体学表象理论 |
| 1.4 原子力显微镜简述及其在马氏体相变研究中的应用 |
| 1.4.1 AFM 的工作原理 |
| 1.4.2 AFM 的优点和应用 |
| 1.5 TRIP 效应和TRIP 钢 |
| 1.5.1 TRIP 钢微观组织及其形成机理 |
| 1.5.2 残余奥氏体的稳定性 |
| 1.6 分析电子显微学与会聚束电子衍射 |
| 1.6.1 电子衍射基本原理 |
| 1.6.2 分析电子显微学 |
| 1.6.3 会聚束电子衍射 |
| 1.7 本文研究背景及内容 |
| 第二章 马氏体相变浮凸的AFM 表征 |
| 2.1 材料和样品的制备 |
| 2.1.1 Fe-25Mn-6Si-5Cr(wt%)合金试样的制备 |
| 2.1.2 Fe-23Ni-0.55C(wt%)合金试样的制备 |
| 2.2 马氏体相变浮凸的AFM 表征 |
| 2.2.1 测量原理 |
| 2.2.2 应力诱发马氏体和热诱发马氏体浮凸的AFM 表征 |
| 第三章 马氏体相变切变角计算的改进 |
| 3.1 马氏体相变切变角计算原理 |
| 3.1.1 马氏体相变切变角 |
| 3.1.2 实测浮凸角与理论切变角的差异及浮凸角的修正 |
| 3.2 对杨志刚和石玮计算方法的评论 |
| 3.2.1 对杨志刚方法的评论 |
| 3.2.2 对石玮方法的评论 |
| 3.3 马氏体相变切变角计算的改进 |
| 3.3.1 浮凸角与相变切变角正确的晶体学关系 |
| 3.3.2 运用四面体模型计算相变切变角 |
| 3.3.3 运用尝试-校核法计算相变切变角 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 计算机模拟CBED-HOLZ 线及其在成分表征中的应用结论 |
| 4.1 CBED 与HOLZ 线 |
| 4.1.1 CBED 花样的获得 |
| 4.1.2 HOLZ 线的获得 |
| 4.1.3 HOLZ 线的形成 |
| 4.2 HOLZ 线计算机模拟的算法 |
| 4.2.1 求HOLZ 线的偏离角α |
| 4.2.2 绘制HOLZ 线花样 |
| 4.3 HOLZ 线模拟实例 |
| 4.3.1 三种结构的标准HOLZ 线 |
| 4.3.2 加速电压的影响 |
| 4.3.3 点阵常数的影响和TRIP 钢残余奥氏体成分表征 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 附录一：相变切变角计算程序 |
| 附录二：HOLZ 线模拟程序 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
（4）双相不锈钢表层沉淀相的特征及相变晶体学研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 选题背景和选题意义 |
| 1.2 文献综述 |
| 1.2.1 相变晶体学理论 |
| 1.2.2 对表面浮突的解释 |
| 1.2.3 双相不锈钢系统的研究 |
| 1.3 研究方法和论文结构 |
| 1.3.1 研究内容 |
| 1.3.2 研究方法 |
| 1.3.3 论文结构 |
| 第2章 表层奥氏体/铁素体的晶体学特征 |
| 2.1 合金选择和热处理 |
| 2.2 用于表层组织TEM 观察的样品制备 |
| 2.2.1 纵截面样品 |
| 2.2.2 横截面样品 |
| 2.3 表面组织的三维形貌 |
| 2.4 深度信息 |
| 2.5 表层组织晶体学规律 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 表层奥氏体沉淀相的晶体学研究 |
| 3.1 本章引论 |
| 3.2 表层样品的晶格常数变化 |
| 3.3 晶体学测量方法 |
| 3.3.1 位向关系 |
| 3.3.2 精确表征界面取向 |
| 3.3.3 长轴方向 |
| 3.4 测量结果 |
| 3.4.1 第 I 类表面沉淀相 |
| 3.4.2 第 II 类表面沉淀相 |
| 3.4.3 第 III 类表面沉淀相 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 扩展 O 线模型对表层γ/α相变晶体学的解释 |
| 4.1 本章引论 |
| 4.2 O 线模型求解方法 |
| 4.3 相变应变场分析 |
| 4.4 第I 类沉淀相 |
| 4.5 第II 类沉淀相 |
| 4.6 第III 类沉淀相 |
| 4.7 本章小结 |
| 第5章 表面浮突的晶体学研究 |
| 5.1 本章引论 |
| 5.2 O 线模型对表面浮突的解释 |
| 5.3 表面条纹 |
| 5.4 基体“鼓包” |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 结论 |
| 参考文献 |
| 附录 A |
| 附录 B |
| 附录 C |
| 致谢 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（5）Bi系和Y系高温超导材料的形成机理、结构与缺陷的研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章、 绪论 |
| 1.1. 超导体研究的回顾 |
| 1.1.1. 超导体的发现 |
| 1.1.2. 超导电性的微观理论 |
| 1.1.3. 两种类型超导体 |
| 1.1.4. “温度壁垒”问题 |
| 1.2. 高温超导体的兴起 |
| 1.3. 高温超导体的结构特征 |
| 1.3.1. YBa_2Cu_3O_（7-δ） |
| 1.3.2. Bi_2Sr_2Ca_（n-1）Cu_nO_（2n+4）（Bi-2201，Bi-2212，Bi-2223） |
| 1.4. 高温超导体的微观机理 |
| 1.5. 高温超导体的应用研究 |
| 1.6. 本论文的研究方向和主要内容 |
| 第二章、 实验工具 |
| 2.1. 简介 |
| 2.2. 电子衍射 |
| 2.2.1. 电子波 |
| 2.2.2. 电子衍射几何学 |
| 2.2.3. 几何构图法确定未知晶体的点阵 |
| 2.2.4. 电子衍射强度的动力学计算 |
| 2.3. 高分辨象及其模拟计算 |
| 2.4. X射线能量色散谱（EDS） |
| 2.5. 电子能量损失谱（EELS） |
| 第三章、 Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_（10）／Ag复合带材中Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_（10）相的合轴与形成的运动学研究 |
| 3.1. 引言 |
| 3.2. 实验过程 |
| 3.3. 实验结果与讨论 |
| 3.3.1. 热处理早期阶段的微观结构和成分演变 |
| 3.3.1.1. 原位透射X射线衍射测量 |
| 3.3.1.2. 电镜分析 |
| 3.3.2. Bi-2223的形成 |
| 3.3.2.1. 带A在845℃空气中的热处理 |
| 3.3.2.2. 带B在840℃空气中的热处理 |
| 3.3.2.3. 带C在840℃空气中的热处理 |
| 3.3.3. Bi-2212到Bi-2223相变其间形成的中间析出相 |
| 3.3.3.1. （Ca,Sr）_（5+X）（Pb,Bi）_（3+y）CuO_（12+δ）（531相）的晶体结构 |
| 3.3.3.2. （Ca,Sr）CuO_2的晶体结构 |
| 3.3.3.3. （Ca,Sr）_（14）Cu_（24）O_（41+δ）的晶体结构 |
| 3.3.3.4. 结构／相的演变 |
| 3.4. 小结 |
| 第四章、 BaF_2后沉积反应过程中YBa_2Cu_3O_7在SrTiO_3和CeO_2基底上的形核与长大 |
| 4.1. 引言 |
| 4.2. 实验过程 |
| 4.3. 实验结果与讨论 |
| 4.3.1. SrTiO_3基底上3μm厚的YBCO |
| 4.3.1.1. 沉积态和735℃加热10分钟的样品 |
| 4.3.1.2. 735℃加热25分钟 |
| 4.3.1.3. 735℃加热40分钟 |
| 4.3.1.4. 735℃加热300-1800分钟 |
| 4.3.2. CeO_2基底上1μm厚的YBCO |
| 4.3.2.1. 735℃加热10分钟 |
| 4.3.2.2. 735℃加热25分钟 |
| 4.3.2.3. 735℃加热40分钟 |
| 4.3.2.4. 735℃加热600分钟 |
| 4.3.3. 非晶层的化学成分分析 |
| 4.3.4. 5μm厚原始膜中a或b轴YBCO的形核机制 |
| 4.3.5. 氧氟化合物和YBCO／SrTiO_3界面化合物的晶体结构 |
| 4.3.5.1. Y-Ba氧氟化合物 |
| 4.3.5.2. Sr-Ti-Ba-O，在YBCO和SrTiO_3间的界面反映层 |
| 4.4. 小结 |
| 第五章、 用电子衍射定量确定超导体中的电荷转移 |
| 5.1. 引言 |
| 5.2. 电荷密度和电荷转移 |
| 5.3 电子光源对晶体中价电子的敏感性 |
| 5.3.1 小角度散射下的带电荷原子的电子散射振幅 |
| 5.3.2. 离子晶体在靠近传播方向的结构因子（s≈0） |
| 5.3.3. 电荷分布和点阵位移对结构因子的影响 |
| 5.4. 定量测量结构因子的新的电子衍射方法 |
| 5.5. YBa_2Cu_3O_7和Bi_2Sr_2CaCu_2O_（8+δ）的价电子分布 |
| 5.5.1. YBa_2Cu_3O_7 |
| 5.5.2. Bi_2Sr_2CaCu_2O_（8+δ） |
| 5.6. MgB_2的价电子分布 |
| 5.7. 小结 |
| 第六章、 用相干PARODI方法定量分析Bi基高温超导体中的层错和扭转晶界 |
| 6.1. 引言 |
| 6.2. 实验 |
| 6.3. 相干PARODI衍射 |
| 6.3.1. 由缺陷的点阵位移引起的衬度 |
| 6.3.2. 由于平均内电势在晶界附近的变化引起的衬度 |
| 6.3.3. 误差分析 |
| 6.4. 界面和平面缺陷的观察及其解释 |
| 6.4.1. Bi-2201和Bi-2212之间的界面 |
| 6.4.2. 层错 |
| 6.4.2.1. Bi-2212中的抽出型层错 |
| 6.4.2.2. Bi-2212中的插入型层错 |
| 6.4.2.3. Bi-2223中的抽出型层错 |
| 6.4.3. 晶界 |
| 6.4.3.1. 倾斜晶界 |
| 6.4.3.2. Bi-2212中的扭转晶界 |
| 6.5. 多次散射对相干PARODI衍射的影响 |
| 6.6. 讨论 |
| 6.7. 小结 |
| 第七章、 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录（攻读学位期间发表论文目录） |
（6）半导体材料和器件的微结构与微区应力的EBSD研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 EBSD 技术概述 |
| 1.1.1 EBSD 发展概况. |
| 1.1.2 EBSD 测试原理 |
| 1.2 EBSD 在半导体材料与器件中的应用 |
| 1.2.1 VLSI 和ULSI 金属化系统 |
| 1.2.2 半导体材料和光电子器件 |
| 1.3 本课题研究内容（课题来源） |
| 第2章 EBSD 花样采集系统及测量参数分析 |
| 2.1 SEM－EBSD 分析系统 |
| 2.1.1 扫描电镜（SEM） |
| 2.1.2 电子背散射衍射仪（EBSD） |
| 2.2 EBSD 菊池花样中的应力敏感参数 |
| 2.2.1 应力/应变菊池花样的特征 |
| 2.2.2 图像质量（IQ）和Hough 变换 |
| 2.2.3 可信度（CI） |
| 2.2.4 匹配度（Fit） |
| 2.2.5 晶格转动及错配 |
| 2.3 EBSD 花样采集系统参数的优化 |
| 2.3.1 加速电压（HV） |
| 2.3.2 工作距离（WD） |
| 2.3.3 探测距离（DD） |
| 2.3.4 菊池花样收集参数 |
| 2.4 EBSD 测量精度及分辨率 |
| 2.4.1 信息深度 |
| 2.4.2 空间分辨率和角度分辨率 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 EBSD 测试样品 |
| 3.1 VLSI 和ULSI 金属化系统 |
| 3.1.1 Al 互连线样品 |
| 3.1.2 Cu 互连线样品 |
| 3.2 半导体外延系统 |
| 3.2.1 GaN/蓝宝石结构 |
| 3.2.2 GaAs/AlGaAs 结构 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 金属互连线的微结构及局域应力 |
| 4.1 Al 互连线和Cu 互连线的微结构 |
| 4.1.1 晶粒尺寸及形态 |
| 4.1.2 晶体学取向 |
| 4.1.3 晶界类型 |
| 4.2 Al 互连线中的应力 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 半导体外延结构中弹性应变的EBSD 分析 |
| 5.1 GaN/蓝宝石异质外延结构中的应力分布 |
| 5.1.1 不同厚度的应力缓冲层（Buffer） |
| 5.1.2 不同厚度的表面覆盖层 |
| 5.2 GaAs/AlGaAs 外延结构中的应力分布 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 EBSD 菊池花样的处理、分析和计算 |
| 6.1 Kikuchi 花样的快速傅立叶处理 |
| 6.2 Kikuchi 花样晶带轴的微小移动 |
| 6.3 EBSD 应力敏感参数的提取 |
| 6.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间所发表的学术论文 |
| 致谢 |
四、用低对称性带轴CBED图中holz线测量点阵常数（论文参考文献）
- [1]用低对称性带轴CBED图中holz线测量点阵常数[J]. 邹化民,王仁卉,龙毅. 电子显微学报, 1984(04)
- [2]用低对称性带轴CBED图中holz线测量点阵常数[A]. 邹化民,王仁卉,龙毅. 第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）, 1983
- [3]马氏体相变切变角和点阵常数测定的新方法[D]. 郑会. 上海交通大学, 2008(06)
- [4]双相不锈钢表层沉淀相的特征及相变晶体学研究[D]. 孟杨. 清华大学, 2010(08)
- [5]Bi系和Y系高温超导材料的形成机理、结构与缺陷的研究[D]. 吴力军. 湖南大学, 2002(02)
- [6]半导体材料和器件的微结构与微区应力的EBSD研究[D]. 王俊忠. 北京工业大学, 2007(06)