一、用平面内散射的测量方法研究LiNPO_3平面光波导中的光折变效应（论文文献综述）
张彬[1]（2021）在《飞秒激光直写铌酸锂、三硼酸锂和碳化硅晶体光波导及其应用》文中研究说明集成光路可以实现光信号的高速传输和处理,在光通信和量子信息处理中起着至关重要的作用。光波导是集成光子学中最基本的元件之一,可以用于制作多功能、小型化的器件,如波导激光器、分束器、电光调制器、变频器、波导阵列等。在光波导中,光可以被紧紧地限制在一个微米或纳米尺度的体积内,并通过全内反射进行传输。利用低损耗光波导,可以大大提高光密度和非线性相互作用。因此,高性能光波导在集成光学和非线性光学中有着广阔的应用前景。许多技术已被用来制作晶体中的光波导,如质子/离子交换、离子注入/辐照和金属离子热扩散。然而,由上述技术制造的光波导仅限于平面几何结构。采用飞秒激光直写的方法可以制作出埋藏在样品表面以下一定深度的三维波导结构。飞秒激光直写技术是一种灵活的、无掩模的、真正意义上的三维微纳加工技术,已被广泛应用于制作光子学器件和微流控器件（如光量子芯片、波导传感器和光流控芯片）。它在数据存储、玻璃键合、铁电畴反转等方面也起着重要的作用。飞秒激光的超短脉冲宽度和极高的峰值强度是该技术取得巨大成功的重要原因。超短脉冲宽度可以抑制热影响区的形成,从而实现超高精度的材料加工。极高的峰值强度导致透明材料中出现非线性相互作用（如多光子吸收和隧穿电离）。为了实现对晶体的三维精密加工,通常采用显微物镜将近红外飞秒激光聚焦到样品表面或样品内部。飞秒激光诱导的非线性相互作用与自由电子等离子体的产生有关,自由电子等离子体的产生可能导致焦点区域的材料改性。飞秒激光诱导的晶体改性主要分为Ⅰ类改性和Ⅱ类改性。对于Ⅰ类改性,折射率变化为正。在Ⅱ类改性区域发生了负折射率变化。基于这两种改性,在晶体中制备了多种光波导,如单线、双线和凹陷包层光波导。这些光波导已经被用来构造多功能的光子学器件,如电光调制器、分束器、波导激光器和变频器。随着对飞秒激光与晶体相互作用的深入研究,将制作出更具吸引力的波导器件。铌酸锂（LiNbO-3或LN）是一种多功能晶体,具有电光系数大、非线性系数大、透明范围宽、铁电效应好等特点。LiNbO3晶体在频率转换、电光调制和光参量振荡（OPO）等方面起着至关重要的作用。三硼酸锂（LiB3O5或LBO）是一种重要的非线性光学晶体,具有较高的损伤阈值和较宽的透明范围（160～2600nm）。LBO晶体在非线性光学和量子光子学中有着广泛的应用,如二次谐波产生（SHG）、三次谐波产生（THG）、光参量放大（OPA）、OPO和自发参量下转换（SPDC）。碳化硅（SiC）晶体作为最具吸引力的第三代半导体材料之一,对电子学和光子学领域的高功率、高频率应用具有重要意义。SiC晶体在量子光学中也有潜在的应用,如制备高效明亮的单光子源。与块状晶体相比,在LiNbO3、LBO和SiC光波导中可以实现光密度和非线性相互作用的增强,使构建小型化、高性能的新型集成光子学器件成为可能。本论文的研究内容主要包括:1)飞秒激光直写LiNbO3、LBO、SiC晶体光波导;2)利用共聚焦显微拉曼光谱对光波导形成机理进行研究;3)利用端面耦合系统研究光波导的导波特性;4)基于波导的光子学器件的分析与表征。根据所选择的晶体和光子学器件的类型,可以将本文的主要研究内容概括如下:利用飞秒激光多重扫描技术制备的LiNbO3多线波导,实现了模式调控。我们研究了脉冲能量和聚焦深度对制备多线波导的影响,并研究了这些波导在632.8nm和1550nm波长下的导波特性。实验结果表明,通过优化飞秒激光加工参数,可以定制多线波导在通信波段的模式。这项工作在利用LiNbO3多线波导制作新型集成光子学器件方面具有潜在的应用价值。利用室温下的双折射相位匹配技术,在飞秒激光写入的LiNbO3波导中实现了1064nm波长的SHG。基于端面耦合系统,研究了多线、垂直双线和凹陷包层波导在1064 nm波长下的导波特性（即近场模式分布和传输损耗）。我们还研究了波导的导波特性对1064 nm波长倍频的影响。实验结果表明,沿ne偏振方向的导波特性对SHG过程更为重要。凹陷包层波导中的最大转换效率为0.87%,对应的最大SHG峰值功率为40.40W。我们的工作为利用飞秒激光写入的LiNbO3波导制备新型变频器铺平了道路。利用飞秒激光在PPLN晶体中制备了凹陷包层波导。基于三阶的准相位匹配（QPM）,在这些波导中实现了 1064 nm波长的SHG,并且得到了 SHG输出的温度调谐曲线。在相位匹配温度（～94.9℃）下,研究了波导在1064 nm波长下的导波特性。我们还研究了凹陷包层波导中SHG峰值功率和转换效率与输入峰值功率的关系。实验结果表明,当SHG峰值功率达到9.64 W时,最大转换效率为0.075%。该工作为构建多功能、小型化变频器奠定了基础。我们报道了飞秒激光在z切LiNbO3晶体中写入的1D和2D凹陷包层波导阵列。1D波导阵列由三个沿水平方向紧密排列的凹陷包层波导组成。用1550 nm以及1064 nm波长的连续波（CW）激光入射1D波导阵列的每个波导,得到了相应的输出模式图。2D波导阵列（蜂窝状结构）由七个沿水平和垂直方向紧密排列的凹陷包层波导组成。用1064nm波长的CW激光激发2D波导阵列的每个波导,得到了相应的输出光强分布。我们还利用共聚焦显微拉曼光谱实验对凹陷包层波导进行了表征。这些研究结果丰富了 LiNbO3波导阵列的内容,对描述离散系统具有重要意义。利用飞秒激光直写技术在LiNbO3晶体中制备了一种新型的基于波导的偏振光分束器（PBS）。这种单片PBS是由定制的波导结构所构成的,可以很好地分离出沿no和ne偏振方向的线偏振光。在1064nm波长下沿nr和no偏振方向测量时,该PBS的偏振消光比（PER）能分别达到16.60 dB和16.18 dB,对应的插入损耗（IL）分别为3.86 dB和4.15 dB。这种PBS对集成光子学和量子光学中制作紧凑型偏振转换系统具有潜在的应用价值。我们报道了飞秒激光写入LBO晶体中的双线和凹陷包层波导。本工作中进行了共聚焦显微拉曼光谱实验和端面耦合实验。在波导芯处所获得的显微拉曼光谱与块体材料的拉曼光谱基本一致,这表明块体材料的特性在导波区域可以得到很好地保留。此外,这些波导几乎是偏振无关的,可以很好地引导波长为405 nm和810 nm的激光。基于第一类相位匹配,在飞秒激光直写的波导中实现了 810 nm的SHG和405 nm的SPDC。本项工作在集成非线性光学和量子光子学领域具有潜在的应用价值。我们在6H-SiC晶体（SiC族晶体之一,六方晶系结构）中制备了双线和凹陷包层波导。基于端面耦合系统,研究了波导在1064nm波长下的导波特性。利用共聚焦显微拉曼光谱（由532nm激光激发）分析了飞秒激光在6H-SiC晶体中诱导的材料改性。实验结果表明,通过优化飞秒激光加工参数,可以定制波导的模式。此外,光谱蓝移（～787.05 cm-1）主要发生在激光辐照区。根据得到的拉曼强度图和光谱频移图,我们可以得出结论:与块体材料相比,波导芯中的晶格结构几乎没有发生变化。这项工作为制备基于波导的新型集成量子光子学器件奠定了基础。
帖栋修[2]（2018）在《用于三维成像激光雷达的钽铌酸钾晶体研究》文中研究指明钽铌酸钾晶体作为一种新型多功能晶体材料,因其具有显着的二次电光效应而在光强调制、快速变焦、激光扫描等光束控制领域展现出良好的应用前景。本论文的主要研究目的是利用钽铌酸钾晶体在电光强度调制方面的大视场特性来探索解决三维成像激光雷达系统中视场角受限的问题。本文的主要研究内容如下:首先分析了基于电光强度调制的三维成像激光雷达系统视场角受限的原因。建立了锥形光束在单轴晶体和双轴晶体中传播的几何模型,并分别对这两类晶体的锥光干涉模型进行了研究。将三维成像激光雷达系统中原有电光晶体——磷酸二氘钾在外电场作用前后的锥光干涉系统进行建模仿真,从理论上说明了用磷酸二氘钾晶体进行电光强度调制时晶体的光轴分开角对视场的限制。其次对钽铌酸钾晶体在外电场作用前后的锥光干涉进行了建模仿真和实验测量。进一步证实了钽铌酸钾晶体在用于电光强度调制时具有很大的光强调制视场。同时在单轴晶体横向电光效应的基础上对光束在晶体中传输时的相位差和偏振态分别进行了分析。发现了导致钽铌酸钾晶体在电光强度调制时具有大视场特性的主要原因是等色线随外加电场的大范围变化。最后,对钽铌酸钾晶体在电光强度调制时的半波电压和消光比进行了实验测量,分析了半波电压的变化规律和限制消光比的主要因素。并对电光强度调制过程中发现的基于钽铌酸钾晶体的电控双折射效应进行了建模分析,阐明了该现象产生的原因,进一步给出了非寻常光偏转角与电压之间的函数关系。拓展了钽铌酸钾晶体的应用场景。
张进宏[3]（2016）在《基于PPLN的电光调制位相阵列光分束器的研究》文中研究表明阵列光分束器是一种在光信息领域发挥着重要作用的微光学器件。基于周期极化铌酸锂（PPLN）晶体的可调位相阵列光分束器是一种将PPLN的特殊结构用于Talbot衍射光分束的新型阵列器件,其工作原理为：沿PPLN极化方向施加电场,由于晶体的电光效应和压电效应使折射率和厚度随电场变化,形成可调的位相光栅,通过光栅Talbot衍射实现光分束的电控可调。这种阵列分束器能适用于整个LN晶体透射光谱范围,克服了层级相位光栅只针对特定波长控制位相的缺点,并且在高功率应用中能实时调整电场补偿光热效应及光折变效应带给阵列器件的影响,保持器件稳定工作。因此,制备和研究基于PPLN的可调位相阵列分束器具有重要的实际意义,这也是本论文将其作为研究内容的出发点。论文的主要工作包括：理论模拟：对基于PPLN的电场调制Talbot位相型阵列光分束器的衍射建立了理论模型,应用Matlab软件分别对两种六角阵列结构（紧凑型和非紧凑型）进行了理论模拟,研究电场强度、衍射距离和阵列单元占空比对衍射强度分布的影响,获得六角位相阵列光分束器的设计优化参数。结果表明：占空比是光分束器设计的关键,当正反极化方向的区域面积相等时能获得最高的光压缩比,所需电场也最小；对于紧凑型六角阵列,最优占空比D=71%,在取样区内,分数Talbot系数β=0.20衍射处光压缩率最高,最大光强随位相差2△φ在0-0.75π的范围逐步增强,最大可达20单位相对强度。PPLN制备：研究了LN晶体和掺镁铌酸锂（MgLN）晶体外加电场极化反转的温度特性,根据晶片尺寸确定了极化反转工艺的控制参数。（如：温度、电场脉冲波形和重复次数等）,制备了以理论优化参数设计的PPLN晶体和PPMgLN晶体。实验发现：极化反转电场随温度升高而下降,LN极化反转最佳温度是200℃,脉冲波形偏置电压2kV,峰值电压6.4kV; MgLN极化反转最佳温度是100℃,脉冲波形偏置电压1kV,峰值电压1.8kV。PPLN透明电极制备：为了通过电光调制实现调控衍射光分束,选择具有低电阻率、高可见光透过率的锡铟氧化物（ITO）作为电极材料,在PPLN衬底上利用磁控溅射技术制备ITO薄膜,并对其光电性质进行了测试。通过改变基片温度、溅射时间及其它参数优化磁控溅射条件,得到ITO薄膜最佳光电性质的条件为衬底温度320℃,溅射时间为50min,制备的薄膜样品的电阻率为3.41×10-4Ω·cm,可见光平均透光率为74.38%。光分束实验：对所制备的PPLN和PPMgLN可调六角位相型阵列光分束器进行通光测试,实验研究了外加电场强度、衍射距离和阵列单元占空比对衍射强度分布的影响,获得了和理论模拟相吻合的结果。实验表明：衍射强度分布随电场强度变化,改变外加电场或衍射位置可以实现对衍射光斑大小和强度的调节;由于MgLN晶体反转电场低,制备的PPMgLN较PPLN晶体周期单元形貌整齐,且抗光折变能力比较高,衍射光分束效果较好,可作为制备阵列器件的候选材料。最后,总结研究结果,对阵列分束器在实际应用的设计与优化提出合理建议。
田帅[4]（2015）在《基于铌酸锂晶体平面光波导的写入及其实验研究》文中研究指明自1966年人们在铌酸锂晶体内发现光折变效应以来,基于光折变效应的应用研究就取得了迅猛的发展。基于光折变晶体平面光波导写入技术更是光折变晶体研究与应用所取得众多令人瞩目的成果之一。利用传统的平面光波导制备工艺可以获得结构精细的表面光波导,但是传统光波导制备工艺面临着巨大的瓶颈:它需要经过诸多繁杂的制作工艺流程,因此制作周期冗长,制备成本很高。然而用光辐照法基于光折变晶体平面光波导写入技术却能轻松地克服这些缺点,该技术有着工艺流程简便、制备成本低廉、制成收益颇高等优点。本文研究了如何在光折变晶体铌酸锂中写入平面光波导,论文的主要内容如下:1)铌酸锂晶体的光折变效应是本文的理论基础,首先本文对光折变效应的定义与特点做出说明,并介绍光致折射率改变产生的物理流程。此外重点阐明光折变过程的动力学方程（即带运输模型）,最后说明了铌酸锂晶体内光致电荷场的变化过程。2)调制强度呈周期性变化的结构光场是本文重点之一,本文用532nm绿光激光调制菲涅尔双光束干涉场,并用探讨调制干涉场时光源S的位置,讨论双棱镜两种放置方式对调制结构光场的影响,最后测量激光光源的波长以验证所调制光场的正确性。3)若环境光过强会干扰干涉场的写入,因此选取暗室环境对铌酸锂晶体进行平面波导的写入。方法是将铌酸锂晶体样品置于用波长532nm、功率20mW的双光束干涉场中曝光15min30min进行平面光波导的写入。4)对已写入铌酸锂晶体样品的平面光波导的特性进行测量:基于切片干涉法的原理测量晶体样品的折射率分布情况,然后用632 nm的激光直射晶体样品测其波导周期,之后对晶体进行导光测试,最后是测试不同掺杂的铌酸锂晶体的抗光损伤能力。
邱丛贤[5]（2014）在《钪：钛扩散掺杂铌酸锂晶体制备及性能表征》文中研究指明光折变效应限制了铌酸锂晶体在有源和无源器件中的应用。研究发现仅掺杂2mol%钪离子就可以有效抑制铌酸锂晶体的光折变效应。本文致力于研究钪离子在铌酸锂晶体中的扩散掺杂特性,初步探索研究了钪掺杂钛扩散铌酸锂光波导的制作工艺,并对波导性能进行表征。本文的主要工作:1.通过高温扩散制备了钪掺杂铌酸锂晶体,利用二次离子质谱技术研究钪离子的扩散特性,并用棱镜耦合技术研究钪离子对铌酸锂折射率和组分的影响;2.进一步研究了钪-钛共同扩散时钪离子的扩散特性。3.制备了钪-钛共同扩散铌酸锂平面光波导,利用IWKB算法研究波导层折射率变化分布,利用SIMS技术研究了钛离子浓度分布,计算二者之间的关系;4.初步研究钪掺杂钛扩散铌酸锂条形光波导制作工艺,并进行性能表征。本文的研究结果,1.钪离子对铌酸锂晶体的折射率和组分影响很小;钪离子在铌酸锂晶体中的分布依旧服从高斯分布,利用钪离子浓度分布,并结合理论计算,得到了钪离子的扩散系数。实验数据显示其扩散系数随温度的变化满足Arrhenius定律,在此基础上经过线性拟合得到了钪离子的扩散常数、激发能等工艺参数;2.实验发现钛离子有助于钪离子扩散,并得到钪离子扩散特性与钛膜厚度的关系式。分析这种现象的原因是:钛离子扩散较快,先进入晶体以后导致晶体缺陷增加,导致钪离子的扩散速率变大;3.研究表明:铌酸锂波导层折射率变化分布与钛离子浓度分布同样服从高斯分布,得到了两者之间的关系式,发现钪离子对二者之间关系影响不大。4.本文制备的波导可单模传输1.5μm波长的光波,支持TE和TM模式,传输损耗分别为1.4、1.8dB/cm;最后证明了波导中钪离子浓度超过光折变阈值。本文的研究工作获得了大量关于钪掺杂钛扩散铌酸锂光波导实用的工艺参数,为以铌酸锂为基底的有源光波导器件的研发奠定了坚实的基础。
冯先旺[6]（2012）在《内电光调制氦氖气体激光器的研制及其在腔衰荡损耗测量中的应用》文中研究表明氦氖气体激光具有优质的光学质量，其单色性好、线宽窄、发散角小、频率稳定性高、功率稳定度好。调制后的氦氖气体激光，广泛地应用在光学测量、光学传感以及光学研究等领域。外电光调制是氦氖激光普遍采用的一种调制方式，但由于调制装置的核心器件——电光晶体的半波电压很高，因此外电光调制的调制深度不大，调制效率不高。半导体激光调制方便，但相比氦氖气体激光而言，它的光束质量较差，稳定性不够好，从而限制了其在很多场合的应用。如果能将两者的优点结合起来，研制出调制效率高、调制深度大、调制方便并且光束质量好的氦氖气体激光器，可以对调制激光器的应用产生一定的促进作用。一个有代表性的例子是调制氦氖气体激光器用于腔衰荡测量时，内调制方式的调制电压远远小于外调制方式。本文从结构方案、器件选择、调制理论、配置优化等方面对内电光调制氦氖气体激光器进行了较为系统的研究，并且成功地构建了一套基于内调制氦氖气体激光器的腔衰荡损耗测量系统。本文的主要内容和结论如下：1.设计了一种由BBO（β-BaB2BO4）电光晶体、布儒斯特窗和微晶玻璃激光器构成的内电光调制氦氖气体激光器。通过对综合性能的比较，结合实际应用的需求，选择了合适的内调制激光器器件和设计方案。对激光的内电光调制原理进行了分析，理论上证实了内调制方法调制效率高、调制深度大。2.系统研究了影响内调制氦氖气体激光器调制效率的各种因素，包括布儒斯特窗个数、调制元件在腔内的位置分布、晶体安装方位角等等。通过理论和实验研究，发现晶体光轴相对激光器腔轴的倾斜会对激光的调制效率造成非常大的影响。以激光的关断电压为例，仅仅几分的倾斜角，就可能导致激光的关断电压由几百伏变成数千伏。理论上给出了激光调制达到预定指标所允许的晶体安装误差裕量。通过分析，最终得到了内调制激光器的最佳结构配置方案：布儒斯特窗数目为1个；晶体光轴与激光器腔轴平行；激光在布儒斯特窗上的入射面平行于晶体的x轴或y轴。对于同一种电光晶体，在最佳配置状态下，内调制激光器的关断电压仅仅约为外调制方式的1/25。3.通过氦氖气体激光器的速率方程，仿真了激光开启和关断的瞬态变化过程，发现内调制氦氖气体激光器的关断时间比电光效应的弛豫时间长，一般为10ns以上。发现并在实验上印证了激光关断时，内调制激光器对加载在晶体上的电压振荡具有抑制作用，即关断电压的振荡对激光关断光强波形影响不大。当内调制激光器用于腔衰荡损耗测量时，抑制效应大大降低了对晶体施加电压的设计要求。4.根据理论和实验分析得出的结论，优化了调制激光器系统的设计参数，结合实际的工程技术经验，设计了一种便于晶体安装调整、激光输出稳定的一体化内电光调制氦氖气体激光器。5.对激光外调制腔衰荡损耗测量系统进行了初步的研究。激光外调制腔衰荡测量的一个技术瓶颈为电光晶体上施加电压信号的设计。根据电压信号的要求，找到了一种电压幅度为数千伏、上升沿或下降沿达纳秒量级的快沿高压波形发生器设计方案，并利用Pspice进行了仿真分析。对容易造成电路工作失效的原因进行了剖析，并提出了解决方案。6.采用内电光调制氦氖气体激光器设计了一套腔衰荡损耗测量系统。对系统的各个组成部分进行了详细的介绍说明。分析了光电探测器带宽对测量结果造成的影响。设计了测量系统的外围工作电路，并对其性能进行了测试。构建了直腔和折叠腔两种无源腔结构，对腔的损耗进行了测量。测量结果与半导体激光器的测量结果做了对比，两者的测量结果很接近，且氦氖激光的测量结果方差更小。测量得到了其中一个高反膜损耗为77.423ppm，对应的反射率为99.99225%。
周钰杰[7]（2012）在《掺镁铌酸锂脊形光波导设计及制备工艺研究》文中研究指明铌酸锂光波导以其超快响应速度和超宽响应带宽，无自发辐射噪声以及非线性效应丰富等诸多优点被广泛应用于多种全光信号处理技术中，世界上已经有许多科研团队都能制作铌酸锂光波导，但目前适用于全光信号处理的铌酸锂光波导制作在国内尚属空白，制作具有自主知识产权的铌酸锂波导器件在全光通信中具有重要意义。本论文以掺镁铌酸锂晶体为研究对象，对直接键合铌酸锂脊形光波导，黏胶键合铌酸锂脊形光波导，退火质子交换铌酸锂脊形光波导的结构进行设计，优化波导结构参数，并实验研究直接键合，黏胶键合，研磨抛光和ICP干法刻蚀脊形结构相结合制备铌酸锂脊形波导以及退火质子交换与金刚石划片机精密切割脊形结构相结合制备铌酸锂脊形波导的制备工艺，并对所制备的铌酸锂光波导性能进行测试，得出具有较高二阶非线性转换效率的铌酸锂波长转换器件。概括全文的研究成果主要有以下几个方面：（1）在非耗尽近似条件下推导出二阶非线性倍频转换光输出光功率的近似解析表达式。分析影响转换光输出光功率的波导参数，如波导长度，波导光场有效作用面积，准相位匹配条件，晶体非线性系数等，得出提高转换光输出光功率的方法。并得出铌酸锂波导中中o光入射对应TE模式传输，e光入射对应TM模式传输。另外比较周期极化铌酸锂晶体与周期极化掺镁铌酸锂晶体的抗光折变性能，选取具有较高抗光折变性能的掺镁铌酸锂晶体做为铌酸锂波导的衬底。从材料选取以及波导尺寸选择方面为铌酸锂波导的设计提供理论依据。（2）编写有限差分法计算波导本征光场及有限差分光束传播法计算波导传输光场的Matlab程序，并对不同工艺方法制备掺镁铌酸锂脊形波导结构进行模拟设计。模拟得到直接键合掺镁铌酸锂脊形波导最佳波导尺寸，以及在最佳尺寸下1550nm基频光和775nm倍频光的基模光场分布，基模有效折射率以及传输模场分布，从而得到直接键合掺镁铌酸锂脊形波导最佳设计参数（准相位匹配周期，波导宽度，波导高度等）。模拟常用制备退火质子交换波导工艺条件下，宽度为8μm的退火质子交换掺镁铌酸锂脊形波导结构下，基频光和倍频光基模光场分布及有效折射率，从而得到退火质子掺镁铌酸锂脊形波导准相位匹配周期等设计参数。（3）针对直接键合掺镁铌酸锂脊形波导的不足，利用黏胶键合中间胶层折射率与波导层较大折射率差，实现了特殊结构下黏胶掺镁铌酸锂脊形波导基频光和倍频光的单模传输，同时降低波导中光场有效作用面积，增强转换光的输出光功率。（4）对直接键合掺镁铌酸锂脊形波导的制备工艺进行实验研究。对直接键合法和ICP干法刻蚀相结合制备掺镁铌酸锂脊形波导流程中的各项工艺，如掺镁铌酸锂晶体和钽酸锂晶体的直接键合工艺，键合晶圆片中掺镁铌酸锂波导层的减薄抛光处理工艺以及ICP干法刻蚀掺镁铌酸锂晶体工艺进行细致实验研究，通过对工艺原理和影响因素分析，优化实验参数，初步制成脊形的掺镁铌酸锂波导。并选取合适的黏合剂，实现了掺镁铌酸锂/钽酸锂晶体的黏胶键合。（5）对退火质子交换周期极化掺镁铌酸锂脊形波导的制备工艺进行实验研究。通过对退火质子交换法和金刚石划片机精密切割相结合制备退火质子交换周期极化掺镁铌酸锂脊形波导流程中的各项工艺进行细致实验研究，如掺镁铌酸锂晶体的周期极化工艺，掺镁铌酸锂晶体的退火质子交换工艺以及金刚石划片机精密切割周期极化掺镁铌酸锂晶体工艺，制备出具有波长转换性能的退火质子交换周期极化掺镁铌酸锂脊形波导器件。（6）对制备的退火质子交换周期极化掺镁铌酸锂脊形光波导性能进行测试。搭建精密光纤耦合对准平台，用截断法测试波导的传输损耗。然后用紫外点胶法将波导进行耦合封装，测试封装后波导器件的插入损耗及准相位匹配波长。基于此种退火质子交换周期极化掺镁铌酸锂脊形波导中同时级联倍频差频和级联和频差频效应实现可调谐广播式全光波长转换。
黄庆[8]（2012）在《离子辐照铌酸锂波导结构的晶格损伤和倍频效应》文中进行了进一步梳理光电子器件的集成化和小型化是未来发展的趋势,光波导是其基本结构。基于波导结构的波导激光、光波导放大器,基于波导倍频和光学参量振荡的相干激光源以及光折变波导中的空间光孤子等,是国际上的研究热点。光波导的尺度与工作波长在同一个量级上（微米）,因而光的行为与体材料中光的行为不同,其制备往往涉及薄膜生长、刻蚀、光刻等微纳米加工技术。在光波导中,光被束缚在折射率高的区域内以稳定的模式传输,不发散。此外,光波导可以利用材料本身的电光效应、声光效应和非线性效应等性质实现对光的调制,进而实现不同功能的光学器件。有关光波导的研究涉及光学、激光、晶体材料科学、固体物理学、非线性光学、微电子学等多个学科。离子注入作为一种材料改性技术被广泛地应用于金属、绝缘体、磁性材料、非晶和表面物理、化学、医学、冶金等各个领域。它已经发展成为一种比较成熟的波导制备方法,在许多光学晶体、陶瓷、聚合物以及玻璃上形成了光波导结构。其优点在于：可控性好；波导形成机理比较统一,因而适用范围广泛。离子注入,结合光刻、刻蚀等工艺,可以形成条形或脊形光波导。目前在光波导的制备方面,离子注入一般可分为轻离子（H和He）注入和重离子（例如C、O、Si、Ar、Cu等）注入。离子能量一般在0.2MeV-6.0MeV之间。轻离子和重离子的剂量分别在1016ions/cm2和1013ions/cm2-1014ions/cm2量级上。所以相对而言,重离子注入一般能节省大量的注入时间。目前,快重离子（一般指能量在20MeV-数GeV的重离子）辐照作为一种新兴的波导制备方法得到了越来越多的研究。其不仅辐照剂量更低（约1012ions/cm2）,而且在形成波导的机理上与低能离子注入也不相同。离子注入过程往往应用基于Monte-Karlo的SRIM （The Stopping and Range of ions in matter）软件来模拟,它可以计算出离子的射程、离散、分布、电子能量损失分布和核能量损失分布等。对于离子注入后的样品,一般测试其晶格损伤、波导特性、光学性质的变化以及波导中激光、倍频效应等。波导特性包含波导模式的有效折射率、模式的场分布、折射率分布和损耗等,一般能够在棱镜耦合以及端面耦合实验装置上测量得到,或者在此基础上分析得到,并可以通过退火的办法对它们进行优化。RSoft是一个光电子器件的模拟和设计软件,这里应用于波导导模的计算以及基于波导的光学结构的模拟,它包含基于finite-difference beam-propagation method的BeamPROP,基于finite-difference time-domain的FullWA VE,基于plane-wave expansion用于计算光子晶体能带结构的BandSOLVE等计算工具。本文所用材料为铌酸锂（lithium niobate,LiNbO3,LN）。铌酸锂晶体具有优良的电光、声光、光折变、压电、铁电以及光生伏打效应；其双折射率差值大,非线性系数大；具有良好的机械稳定性,容易生长；实施不同元素掺杂之后能够呈现出不同的特性；因而得到了广泛的研究和应用。然而铌酸锂是一个典型的非化学计量比晶体。其同成分点一般在Li/Nb=48.3/51.7-48.6/51.4之间。Li原子的缺失给晶格引入大量的本征缺陷。在近化学计量比铌酸锂（stoichionmetric lithium niobate, SLN）中,Li/Nb比可以达到49.9/50.1。SLN消除了同成分铌酸锂晶体中缺陷的不利影响,改善了晶体的许多性能。本文的工作围绕离子注入或者离子辐照铌酸锂光波导展开,主要包含三方面内容：离子注入铌酸锂的晶格损伤；离子注入或离子辐照光波导的制备；基于波导结构的应用,包括PPLN波导中的倍频效应以及铌酸锂脊形光波导上光子晶体的制备。具体如下：4.0MeV0离子注入铌酸锂在不同的剂量下呈现出不同的晶格损伤分布。低剂量（6×1014ions/cm2）下铌酸锂的晶格损伤分布与SRIM基于核能量损失计算得到的空位浓度分布相吻合；而高剂量（2×1015ions/cm2,4×1015ions/cm2）O离子注入铌酸锂中存在一个非晶表层,且非晶表层的厚度随剂量的增加而增加。这个效应被归因于4.0MeV O离子的电子能量损失,并应用thermal spike模型来描述。由于非晶铌酸锂的折射率比铌酸锂结晶态的折射率低,因而离子注入形成的光波导被折射率降低的非晶表层覆盖。则波长比非晶层厚度小的光波便很难通过棱镜耦合的方式从样品的表面耦合进波导中去。波导区的晶格损伤由卢瑟福背散射和沟道技术测量得到。在前人工作基础上,利用晶格损伤和折射率变化的关系式,计算得到了铌酸锂波导的折射率分布,它与波导的暗模特性曲线相符。通过背散射谱以及损伤分布的比较,70MeV Ar离子辐照在很低的剂量（1×1012ions/cm2）下在质子交换铌酸锂中引起了一定的重结晶效应,即辐照导致了质子交换层损伤的降低以及质子交换层厚度的增宽。在辐照过程中,原质子交换层下面的Li原子沿着与Ar离子入射方向相反的方向移动,补充了原质子交换层中缺失的Li原子。这种效应被归因于快重离子在晶体中大量的电子能量沉积。然而实验表明,6.0MeV的O离子辐照在不同剂量（2×1012ions/cm2,2×1013ions/cm2,6×1014ions/cm2）下都没有能在质子交换铌酸锂中产生相似的效应。相反,6.0MeV O离子注入在低剂量（6×1014ions/cm2）下就能致使整个质子交换层非晶化。因此结合质子交换和低剂量的O离子注入可以在铌酸锂中形成表面损伤层深度可调的埋层光波导。低剂量（2×1012ions/cm2）200MeV Ar离子辐照在SLN晶体中形成了光波导结构。由于辐照深度较大,波导较厚,因此模式很多。暗模特性曲线表示辐照后的样品在1539nm波长支持9个模式,说明波导具有在更长波长（中红外波段）支持导模的潜力。背散射谱显示,经过Ar离子辐照之后,SLN晶体表面的晶格几乎没有损伤。铌酸锂拉曼谱的峰值及其宽度与铌酸锂中Li/Nb比有关。经过比较Ar离子辐照区、SLN衬底以及CLN晶体的拉曼谱,结果表明Ar离子辐照没有改变辐照层中的Li/Nb比,显示出离子注入或者离子辐照在SLN波导制备中的优越性。在极化周期为5μm的周期极化铌酸锂（PPLN）波导中实现了从980nm到490nm波长的倍频。结合光刻,6.0MeV O离子注入在PPLN中形成了平面和条形光波导,剂量为6×1014ions/cm2。暗模特性曲线表明注入后的PPLN样品在1539nm波长下有一个导模,确保了样品在980nm波长下一定支持模式。在倍频实验中,PPLN波导的温度由oven控制。测量并计算了波导以及衬底中的温度调谐曲线。测量结果显示,相同温度下,波导中倍频光波长比衬底中倍频光波长大。计算结果与之相符。在150℃时,在平面波导中所获得的倍频转换效率为4%/（W·cm2）。倍频光的光强可达0.81mW。在110℃时,在条形光波导中获得的倍频转换效率为34.5%/（W.cm2）。获得倍频光的最大光强为1.11mW。背散射谱显示注入后PPLN样品表面的损伤很低。经过HF酸和硝酸混合溶液的腐蚀,样品的表面上显露出铁电畴的边界,说明铁电畴的周期性结构没有遭到氧离子注入的破坏,非线性效应很好地保留了下来。二维光子晶体的能带结构以及对称分布的光子晶体平板的投影能带图通过平面波展开方法计算得到。基于质子交换铌酸锂脊形光波导的光子晶体平板的透射谱通过有限时域差分的方法计算得到。计算表明光子晶体平板具有与相应二维光子晶体相似的特征,因而通常情况下应当以二维光子晶体的能带结构为基础来进行设计。结合光刻掩模以及Ar离子刻蚀在质子交换铌酸锂上形成了脊形光波导。应用聚焦离子束设备在质子交换铌酸锂脊形光波导上制备了filter和光栅结构,并在铌酸锂上测试了二维周期孔洞的刻蚀情况。对于周期为450nm的filter,最大刻蚀深度达到2.5μm；对于周期为540nm的二维孔洞,最大刻蚀深度达到1.8μm。
马宝红[9]（2008）在《光折变效应的理论与实验研究》文中提出光折变效应是近年来在非线性光学领域中发展迅速的一个分支。对于光折变效应的深入研究,既能够充分理解和应用非线性光学的基本知识和基本分析方法,同时也能够更进一步体会到光折变效应的独特之处,从而可以开展对于光折变效应的应用。基于上述考虑,本论文对光折变效应的物理机制、光折变效应原理、光折变效应中的二波混频、四波混频以及光折变效应的应用进行了理论和实验研究。首先,在阅读大量文献资料的基础上,综述了有关光折变效应、技术和材料的发展和研充动态,并利用光折变效应的带输运模型较详细地分析讨论了光折变效应的物理机制及特点;进一步,利用耦合模理论,分析讨论了光折变材料中平面光的二波耦合和四波混频过程,特别是较深入地讨论了实际应用中的高斯光束耦合特性,并结合作者参与的光折变非线性光学的研究工作,重点讨论了光折变材料中的自泵浦（SPPC）、互泵浦（MPPC）以及自泵浦和互泵浦共轭共存效应,给出了实验研究结果;最后,介绍了光折变效应的光信息存储、光学滤波器和自适应光外差探测应用,给出了作者参与的相应研究的实验结果。
高成勇[10]（2008）在《钙离子掺杂的钨青铜型晶体铌酸锶钡的光学特性研究》文中提出具有钨青铜结构的铌酸盐晶体许多是优良的光折变材料,由于其内部存在大量的结构空位,因此可以通过分了设计和离子掺杂进一步提高此类晶体材料的质量或改变其各种性能（如晶体的光折变特性等）。近年来,这方面的研究异常迅速。CSBN((Ca0.28Ba0.72)x(Sr0.60Ba0.40)1-xNb2O6)晶体是由山东大学晶体材料研究所新近生长的一种具有钨青铜结构铌酸盐。经X-ray粉末衍射数据表明:CSBN系列晶体属于四方晶系,空间群为P4bm;具有非中心对称性,类似SBN结构。CSBN晶体内部含有A1,A2,B1,B2和C等结构空位,其中A1位和A2位被Ca2+,Sr2+,Ba2+部分填充,B1和B2位被Nb5+完全充满,而C位未被填充,属于非充满型结构。本文主要对(Ca0.28Ba0.72)x(Sr0.60Ba0.401-xNb2O6晶体的光学特性进行了系统研究。其中包括该晶体的晶格振动光谱特性（拉曼谱,红外吸收谱）及与之相关的热学特性,晶体双折射及偏振光干涉特性,光折变中心及光折变非线性,晶体的体光栅衍射特性和光学自相位共轭等。论文的主要工作包括如下几个方面:1、根据空间群理论计算分析了CSBN系列晶体的晶格振动模式。全面报道了该系列晶体在不同几何配置下的晶格振动谱,并对不同Ca2+掺杂的SBN晶体的晶格振动谱进行了分析比较。CSBN晶体属于钨青铜型晶体,其原胞中含有5个分子式的分子,理论上有135个基本晶格振动模式。本研究中利用激光拉曼散射技术测量了该晶体的室温拉曼光谱,采用傅里叶变换红外分光光度计测量了晶体的红外吸收谱。通过谱图分析,对CSBN各晶体与其他同构晶体类似的特征峰值分别予以确认。在拉曼光谱试验中采用六种配置状态,共观测到了55支简正模;红外吸收光谱试验中共观察到了5条红外谱线。实验中虽未能观察到三重简并的反对称伸缩振动模v3,但对八面体离子的其他四个简正振动模v1,v2,v4及v5进行了确认。对于谱线少的原因,文中分析认为除了样品制备因素外还应与晶体的形成过程有关:由Nb-O八面体络合成晶体时,晶体保持相对稳定,其它金属离子的作用很难改变其整体运动的特点,只产生局部影响;同时,空位的随机性造成晶体的无序,使谱线减弱,造成大波数范围频谱的本底隆起,这直接了影响到许多谱线的观测。2、系统地研究了CSBN各晶体的热学特性。CSBN各晶体表现出了特有的热学性质:沿c轴方向,在居里点下,CSBN各晶体随着温度的增加,表现出负的膨胀特性;高于居里点呈现正膨胀。沿a轴方向,随着温度的升高,该晶体产生热膨胀,其热膨胀系数为正值。CSBN各晶体a向和c向的热导率在居里点附近趋于相同,但偏离居里点表现出较强的各向异性:居里点以上c向的热导率随温度的升高大于a向的热导率;居里点以下c向的热导率小于a向热导率。此种特性的成因被认为是主要由于铌原子的热运动垂直于O—Nb—O链,从而降低了O—O链分离的可能所导致的。3、系统的研究了CSBN晶体的双折射及其偏振光干涉特性。在讨论晶体的双折射与结构的关系的基础上,测量了晶体在偏振光入射下的消光角。通过光心提取法测量了晶体的折射率及双折射率,测量精度达到10-4,并且确定出了激光入射波长为532nm的消光角中k值的大小,即:kCSBN75≈270;kCSBN50≈259;kCSBN25≈255。在未采用传统的偏光显微镜技术前提下,通过自行设计光路,研究了双折射晶体CSBN的锥光干涉特性。结合锥光干涉图,理论分析计算了平行光轴入射的晶体锥光干涉图中干涉级次变化的成因,干涉图由内向外疏密分布的规律以及垂直光轴入射的干涉图的形成原因等;探讨了不同掺杂对晶体的双折射特性的影响;讨论了晶体锥光干涉图随光锥入射角度的变化的规律,定性了小角度旋转晶体后黑色十字劈裂的成因。基于理论分析,利用计算机模拟实现了负单轴晶体的锥光干涉图。根据实验结果判定了文中所使用的CSBN系列晶体均具有良好的光学均匀性,其双折射率梯度均达到10-5。4、根据CSBN晶体的透射谱,研究讨论了CSBN晶体的光折变中心问题。文中通过CSBN晶体的透射谱,计算了该类晶体的在能带吸收边缘附近的衰减指数,分析了晶体的透射特性:CSBN75晶体的衰减指数比较大,代表晶体具有较大无序程度;晶体从396nm至768 nm,由于Ca2+掺杂加强了对该波段的吸收,并且在红光波段（675nm附近）出现了一个新的小吸收峰,相应深陷能级为1.84eV,与未掺杂的SBN透过曲线相比较,CSBN晶体的波长响应范围向红光和红外区扩展。由于在近红外波段,激发光子能量较小,此时的吸收光谱反映的是晶体内缺陷离子的振动特性,或晶体中浅陷阱能级的性质;同时,非计量化学比掺杂可引起Nb-O6八面体团簇周围电势分布的变化,这些因素已足以影响晶体的某些光学特性如晶体吸收特性。基于以上因素,通过分析认为:Ca2+掺杂虽然能够在一定的波长范围内加强了晶体的吸收,可以增强晶体的光折变效应,但Ca2+不可能充当光折变效应的中心。5、从不同的角度系统地研究了CSBN晶体的光致折射率变化的非线性特性。一方面,基于传统的Z-扫描技术进行了装置改进,实施开孔探测和去基模的方法同时进行测量,减少了接受光能的叠加效应,提高了测量灵敏度;利用此改进的技术,试验测定了CSBN25晶体的Z扫描曲线,并且计算了CSBN25晶体的非线性折射系数。另一方面,通过非偏振光写入的方法结合Michelson干涉仪研究了晶体的光致折射率变化特性,并且得到了有关晶体光折变特性的一个重要结论:在激光波长为632.8nm的情况下,CSBN25的折射率呈现正的增长趋势,即Δn＞0,晶体表现为自聚焦的特性。CSBN75的折射率呈现负的增长趋势,即Δn＜0,晶体表现为自散焦的特性;而CSBN50的光致折射率变化呈现特殊的变化趋势,在1min前CSBN50的折射率呈现正的增长趋势,即Δn＞0,1min后CSBN50的折射率呈现负的增长趋势,即Δn＜0;在CSBN50晶体中存在着自聚焦向自散焦的动态转化过程。偏振光写入的方法和非偏振光写入的方法的研究得到了同样的结论,文中对以上结论利用带输运模型理论及热自聚焦诱导光折变非对称自散焦理论进行了比较分析,并且通过分析指出:Feinberg的热自聚焦诱导光折变非对称自散焦理论对CSBN50晶体中观测到的光致自聚焦到自散焦现象的解释是适用的。另外,在此基础上首次研究了CSBN晶体的双折射率动态变化特性。在不同功率的激光入射条件下,定量的测试了CSBN晶体的双折射率变化,根据试验结果描绘了CSBN50中双折射率随入射功率及时间的变化特性曲线。6、以全新的角度研究了CSBN晶体的体光栅衍射特性。文中首先测试了不同偏振态写入情况下的晶体体光栅衍射效率,测试结果表明:不同偏振态入射光的体光栅衍射效率变化规律基本一致,e光的最大衍射效率远大于o光写入时的最大衍射效率,测得的衍射效率变化规律与Kukhtarev及Hong等人的理论符合较好。体光栅衍射效率的测试为该晶体在全息存储和光学信息处理领域的应用奠定了基础。其次,探讨了光折变晶体CSBN75和CSBN50在平面单色偏振光束入射条件下的自衍射特性。试验中发现当入射光偏振为异常偏振时,在远场屏上可观察到明显的自衍射现象并且衍射图形和晶体光轴成一定的夹角,不同掺杂的晶体其形成的夹角大小不同。自衍射起因于晶体噪音栅,文中根据平面光栅衍射理论系统地研究了CSBN75和CSBN50晶体的噪音栅特性,由试验结果确定出了噪音栅的波矢方向,并建立了上述两种晶体的噪音栅模型。显然,噪音栅模型的建构将对合理的限制和利用噪音栅具有较大的现实意义。在自衍射的前提下,实验观察并讨论了CBN28晶体的光感应光散射（光扇效应（前向散射光放大）及散射光锥）,并且分析了该光感应光散射的成因,即:晶体内的入射光,反射光及各向同性的散射光满足了一定的相位匹配条件,各向异性散射光与入射光及反射光分别写入噪音栅,光感应光散射现象是噪音栅波面叠加的结果。更换CSBN系列晶体进行试验,未发现如此强烈的光感应光散射,这说明不同化学计量比的掺杂会直接影响到光折变晶体的光折变特性。另外,还试验分析了汇聚光束入射条件下的晶体的远场衍射特性及其成因,确定了F.S.Chen等人在光折变晶体LiNO3中观察到的现象（即:光致类透镜效应）在CSBN晶体中同样存在。7、研究了CSBN晶体的光学自相位共轭及其应用。在试验中首次观察到了CSBN晶体中“奇异”的自泵浦相位共轭现象,并用“猫式互作用区”理论成功的解释了此种现象的产生机制:入射光束投射到晶体上时,会受到晶体内部的杂质,缺陷,甚至畴结构的散射作用形成多个方向的散射光,从而为晶体内部的四波混频及光扇效应创造条件。散射光和信号光的耦合以及扇形散射光之间的能量竞争,在晶体内部通过折射率的调制形成实时体相位光栅。当入射到晶体表面的光斑尺寸小于0.85mm时,反射光束被相位光栅所调制,从晶体的XOZ平面出射的光束为高频增强了的相位共轭光;当入射到晶体表面的光斑尺寸大于0.9mm时,两互作用区的相位共轭条件被破坏,此时出射的光斑仅为经YOZ平面出射部分和没有经过晶体的部分组成,实验结果表明CSBN75晶体是一种可被用作光学信息处理（如本文中利用此现象实现的光学图像边缘增强处理）的良好材料。另外,本工作中还测试了晶体的自泵浦共轭反射率及响应时间,实验发现CSBN75晶体器件具有较宽的角度响应范围,在很宽的角度范围内都可实现自泵浦相位共轭,掺杂浓度对晶体的光折变效应有较强的影响。
二、用平面内散射的测量方法研究LiNPO_3平面光波导中的光折变效应（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、用平面内散射的测量方法研究LiNPO_3平面光波导中的光折变效应（论文提纲范文）
（1）飞秒激光直写铌酸锂、三硼酸锂和碳化硅晶体光波导及其应用（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号说明 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 本文的主要研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 基本理论和实验方法 |
| 2.1 光波导基本理论 |
| 2.2 飞秒激光直写晶体光波导 |
| 2.3 光波导技术 |
| 2.4 共聚焦微拉曼光谱测试技术 |
| 2.5 光波导中的二次谐波产生与自发参量下转换 |
| 2.6 波导阵列基本理论 |
| 参考文献 |
| 第三章 飞秒激光直写LiNbO_3晶体多线波导及模式调控 |
| 3.1 实验过程 |
| 3.2 结果与讨论 |
| 3.3 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 飞秒激光直写LiNbO_3晶体多线、垂直双线和包层波导中的二次谐波产生 |
| 4.1 实验过程 |
| 4.2 结果与讨论 |
| 4.3 小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 飞秒激光直写PPLN晶体包层波导及二次谐波产生 |
| 5.1 实验过程 |
| 5.2 结果与讨论 |
| 5.3 小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 飞秒激光直写LiNbO_3晶体包层波导阵列及其特性研究 |
| 6.1 一维包层波导阵列及其特性研究 |
| 6.2 二维包层波导阵列及其特性研究 |
| 参考文献 |
| 第七章 基于飞秒激光直写LiNbO_3晶体波导的偏振光分束器及其特性研究 |
| 7.1 实验过程 |
| 7.2 结果与讨论 |
| 7.3 小结 |
| 参考文献 |
| 第八章 飞秒激光直写LBO晶体双线和包层波导中的二次谐波产生和自发参量下转换 |
| 8.1 实验过程 |
| 8.2 结果与讨论 |
| 8.3 小结 |
| 参考文献 |
| 第九章 飞秒激光直写6H-SiC晶体双线和包层波导及模式调控 |
| 9.1 实验过程 |
| 9.2 结果与讨论 |
| 9.3 小结 |
| 参考文献 |
| 第十章 总结与展望 |
| 10.1 总结 |
| 10.2 主要创新点 |
| 10.3 展望 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间的学术成果及获得的奖励 |
| 学术论文 |
| 发明专利 |
| 参加的国内及国际会议 |
| 获得的荣誉、奖励 |
| 附三篇已发表论文 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（2）用于三维成像激光雷达的钽铌酸钾晶体研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 钽铌酸钾晶体国内外研究现状 |
| 1.3 钽铌酸钾晶的电光特性 |
| 1.3.1 晶体的电光效应及典型的电光晶体 |
| 1.3.2 钽铌酸钾晶体的组分及介温特性 |
| 1.3.3 钽铌酸钾晶体的二次电光效应 |
| 1.3.4 钽铌酸钾晶体的电光强度调制原理 |
| 1.4 本章小结 |
| 第2章 基于电光调制的三维成像激光雷达技术简介 |
| 2.1 三维成像激光雷达技术的发展现状 |
| 2.2 光强调制三维成像激光雷达系统的工作原理 |
| 2.3 KD*P晶体在光强调制中引起的视场受限问题 |
| 2.4 KD*P晶体的一次电光效应 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 外电场作用下钽铌酸钾晶体的锥光干涉 |
| 3.1 锥光干涉系统 |
| 3.1.1 单轴晶体的锥光干涉 |
| 3.1.2 双轴晶体的锥光干涉 |
| 3.2 钽铌酸钾晶体锥光干涉实验测量 |
| 3.3 钽铌酸钾晶体锥光干涉仿真分析 |
| 3.4 电光强度调制的视场分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 运用钽铌酸钾晶体实现电光强度调制 |
| 4.1 钽铌酸钾晶体的电光强度调制实验 |
| 4.2 钽铌酸钾晶体的半波电压 |
| 4.3 钽铌酸钾晶体在电光强度调制时的消光比测量 |
| 4.3.1 消光比测量实验结果 |
| 4.3.2 限制消光比的主要因素 |
| 4.4 钽铌酸钾晶体的电控双折射实验 |
| 4.4.1 电控双折射的实验原理 |
| 4.4.2 电控双折射测量结果与分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（3）基于PPLN的电光调制位相阵列光分束器的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 衍射光学与阵列光分束器 |
| 1.2 阵列光分束器应用 |
| 1.3 光学元件基材——铌酸锂晶体 |
| 1.4 铌酸锂晶体应用 |
| 1.5 研究内容与章节安排 |
| 2 标量衍射理论 |
| 2.1 菲涅尔衍射原理 |
| 2.2 基尔霍夫衍射理论 |
| 2.2.1 平面衍射屏的菲涅耳-基尔霍夫衍射公式 |
| 2.2.2 衍射公式与叠加积分 |
| 2.3 衍射规律的频域表达式 |
| 2.3.1 衍射规律的频域描述 |
| 2.3.2 衍射孔径对角谱的效应 |
| 2.4 菲涅耳衍射的近似处理 |
| 2.4.1 初步的近似处理 |
| 2.4.2 菲涅耳近似 |
| 3 TALBOT效应 |
| 3.1 TALBOT效应简介 |
| 3.2 TALBOT效应阵列光分束器 |
| 3.3 一维周期结构的TALBOT效应 |
| 3.4 维周期结构的TALBOT效应 |
| 4 铌酸锂晶体及其极化反转特性 |
| 4.1 铌酸锂晶体的结构和掺杂 |
| 4.2 铌酸锂晶体的介电特性 |
| 4.3 铌酸锂晶体极化反转 |
| 4.3.1 铌酸锂晶体极化 |
| 4.3.2 铁电畴在外加电场作用下的运动 |
| 4.4 铌酸锂铁电畴的观测 |
| 4.5 晶体反转电场和击穿电场温度特性 |
| 5 基于PPLN的可调位相阵列光分束器理论模拟 |
| 5.1 位相差调节原理 |
| 5.2 阵列光分束器理论模型 |
| 5.3 衍射场强度分布模拟 |
| 5.3.1 非紧凑型六角阵列结构 |
| 5.3.2 紧凑型六角阵列结构 |
| 6 PPLN的制备与磁控溅射ITO薄膜电极 |
| 6.1 外加电场极化法制备PPLN |
| 6.2 磁控溅射ITO薄膜电极 |
| 6.3 ITO/LN薄膜光电性质测试 |
| 6.3.1 薄膜物相分析 |
| 6.3.2 薄膜表面形貌 |
| 6.3.3 薄膜电学性质 |
| 6.3.4 薄膜光学性质 |
| 7 可调位相阵列光分束器光学实验 |
| 7.1 非紧凑型六角位相阵列光分束器通光实验 |
| 7.2 紧凑型六角位相阵列光分束器通光实验 |
| 7.3 分析与讨论 |
| 8 总结 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（4）基于铌酸锂晶体平面光波导的写入及其实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 课题研究的目的与意义 |
| 1.3 平面光波导写入的国内外发展现状 |
| 1.3.1 平面波导传统制作工艺 |
| 1.3.2 光写入波导技术发展现状 |
| 1.3.3 光折变晶体内光写入波导技术发展现状 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 |
| 第2章 光波导写入材料的光折变效应 |
| 2.1 光折变效应的定义与特点 |
| 2.1.1 光折变效应的定义 |
| 2.1.2 光折变效应物理机制 |
| 2.1.3 光折变效应主要特点 |
| 2.2 光折变效应的基本方程 |
| 2.2.1 存在条件 |
| 2.2.2 带运输模型 |
| 2.2.3 光致空间电荷场 |
| 2.3 光折变材料概述 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 基于铌酸锂晶体平面光波导写入的理论分析 |
| 3.1 铌酸锂晶体的基本结构 |
| 3.2 辐照光下掺铁铌酸锂晶体的光致折射率变化 |
| 3.2.1 铌酸锂晶体的光折变中心 |
| 3.2.2 铌锂晶体的光致折射率变化 |
| 3.3 掺铁铌酸锂的性能 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 实验室制备基于铌酸锂晶体平面光波导结构 |
| 4.1 双棱镜法调制干涉光场 |
| 4.1.1 双棱镜法中虚光源位置的讨论 |
| 4.1.2 双棱镜放置方式对干涉光场的影响 |
| 4.1.3 双棱镜法测量光波长 |
| 4.2 铌酸锂晶体内波导写入的光路设计 |
| 4.3 光路系统单元器件 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 铌酸锂晶体中写入波导的特性分析 |
| 5.1 用切片干涉法测量波导结构的折射率分布 |
| 5.1.1 切片干法光路 |
| 5.1.2 切片干涉法原理 |
| 5.2 波导周期的测量 |
| 5.3 导光测试 |
| 5.4 抗光损伤测试 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 |
| 致谢 |
（5）钪：钛扩散掺杂铌酸锂晶体制备及性能表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 集成光学概述 |
| 1.2 集成光学器件进展 |
| 1.3 集成光学研究热点 |
| 1.4 铌酸锂晶体的光折变效应 |
| 1.5 本论文的工作内容与研究意义 |
| 第二章 铌酸锂的晶体结构与扩散理论 |
| 2.1 铌酸锂晶体的基本结构 |
| 2.2 铌酸锂晶体的缺陷结构 |
| 2.2.1 铌酸锂晶体的本征缺陷 |
| 2.2.2 铌酸锂晶体的非本征缺陷 |
| 2.3 铌酸锂晶体扩散理论 |
| 2.3.1 Fick定律及相关参数确定 |
| 2.3.2 Boltzmann-Matano方法 |
| 2.3.3 影响扩散的因素 |
| 2.3.4 扩散研究方法原理 |
| 第三章 钪扩散掺杂铌酸锂晶体的制备及表征 |
| 3.1 稀土元素——钪 |
| 3.2 氧化钪的烧结过程 |
| 3.3 掺钪铌酸锂晶体的制备 |
| 3.3.1 样品清洗 |
| 3.3.2 镀膜 |
| 3.3.3 热扩散过程 |
| 3.4 样品表征 |
| 3.4.1 掺杂Sc~(3+)对铌酸锂晶体折射率的影响 |
| 3.4.2 掺杂Sc~(3+)对铌酸锂晶体表面Li_2O浓度的影响 |
| 3.5 Sc~(3+)扩散特性的研究分析 |
| 3.5.1 二次离子质谱分析 |
| 3.5.2 计算钪离子的扩散系数 |
| 3.5.3 计算钪离子的扩散常数以及激活能 |
| 3.5.4 计算钪离子的表面浓度 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 钪钛扩散掺杂铌酸锂光波导初步研究 |
| 4.1 钪掺杂平面光波导的制作及表征 |
| 4.1.1 平面光波导的制作 |
| 4.1.2 平面光波导表征 |
| 4.1.3 波导层折射率分布与钛离子浓度分布关系 |
| 4.2 钛离子加速钪离子扩散 |
| 4.3 钪掺杂钛扩散抗光折变铌酸锂条波导制作的初步研究 |
| 4.3.1 钪掺杂钛扩散铌酸锂条形光波制作 |
| 4.3.2 样品测试 |
| 4.3.2.1 导模的近场分布模斑采集 |
| 4.3.2.2 波导损耗测试 |
| 4.3.2.3 波导的抗光折变性讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（6）内电光调制氦氖气体激光器的研制及其在腔衰荡损耗测量中的应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景及意义 |
| 1.2 激光调制技术 |
| 1.3 膜片反射率或损耗测量 |
| 1.4 论文主要工作及结构安排 |
| 第二章 内电光调制氦氖气体激光器的结构及调制原理 |
| 2.1 内电光调制氦氖气体激光器的结构设计 |
| 2.2 内电光调制氦氖气体激光器的部件选择 |
| 2.2.1 电光晶体的选择 |
| 2.2.1.1 各类电光晶体的介绍 |
| 2.2.1.2 电光晶体的比较 |
| 2.2.2 布儒斯特窗的选择 |
| 2.2.3 氦氖气体激光器的设计 |
| 2.3 内电光调制氦氖气体激光器的调制原理 |
| 2.3.1 BBO晶体的线性电光效应 |
| 2.3.2 氦氖气体激光器的内调制原理 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 影响内电光调制氦氖气体激光器调制效率的因素 |
| 3.1 布儒斯特窗个数对激光调制的影响 |
| 3.2 调制元件在腔内的位置分布对激光调制的影响 |
| 3.3 电光晶体方位角对激光调制的影响 |
| 3.3.1 电光晶体光轴与激光谐振腔轴线平行，绕光轴旋转 |
| 3.3.2 电光晶体相对于激光谐振腔轴线倾斜放置 |
| 3.3.3 电光晶体倾斜允许的裕度分析 |
| 3.4 其他因素的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 内电光调制氦氖气体激光器的输出特性分析 |
| 4.1 内电光调制氦氖气体激光器的调制带宽 |
| 4.2 内电光调制氦氖气体激光器的调制瞬态响应 |
| 4.2.1 激光的建立 |
| 4.2.2 激光的关断 |
| 4.2.3 激光关断电压信号上升沿振荡对激光输出的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 内电光调制氦氖气体激光器一体化的设计 |
| 5.1 激光器的设计 |
| 5.2 电光晶体的安装方式设计 |
| 5.3 一体化设计 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 外调制腔衰荡损耗测量的初步研究 |
| 6.1 腔衰荡损耗测量原理 |
| 6.2 外调制腔衰荡损耗测量 |
| 6.2.1 外调制腔衰荡测量系统的结构和要求 |
| 6.2.2 快沿高压电路的设计 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 内调制氦氖气体激光器在腔衰荡损耗测量中的应用 |
| 7.1 基于内调制氦氖气体激光器的腔衰荡损耗测量系统整体结构 |
| 7.2 基于内调制氦氖激光器的腔衰荡损耗测量系统的设计与实现 |
| 7.2.1 内调制氦氖气体激光器 |
| 7.2.2 模式匹配 |
| 7.2.3 工作电路 |
| 7.2.4 光电探测 |
| 7.2.5 数据采集及处理 |
| 7.3 基于内调制氦氖气体激光器的腔衰荡损耗测量实验研究 |
| 7.3.1 电路工作性能测试 |
| 7.3.2 直腔衰荡腔的测试 |
| 7.3.3 折叠衰荡腔的测试 |
| 7.4 本章小结 |
| 第八章 结论和展望 |
| 8.1 主要工作与结论 |
| 8.2 主要创新点 |
| 8.3 今后工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
（7）掺镁铌酸锂脊形光波导设计及制备工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 周期极化铌酸锂晶体 |
| 1.2 铌酸锂光波导制备工艺研究概况 |
| 1.3 铌酸锂光波导在全光信号处理上的应用 |
| 1.4 研究意义及本论文工作 |
| 2 周期极化铌酸锂光波导结构设计理论基础 |
| 2.1 非线性周期极化铌酸锂波导设计理论 |
| 2.2 铌酸锂波导折射率与模式偏振态的关系 |
| 2.3 掺镁铌酸锂晶体抗光折变性能 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 脊形波导结构设计方法理论基础 |
| 3.1 单模截止条件 |
| 3.2 有限差分法计算波导本征模式 |
| 3.3 有限差分光束传播法分析波导传输模式 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 掺镁铌酸锂脊形光波导结构设计 |
| 4.1 直接键合脊形光波导结构设计 |
| 4.2 黏胶键合脊形光波导结构设计 |
| 4.3 退火质子交换脊形光波导结构设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 直接键合掺镁铌酸锂脊形波导制备工艺 |
| 5.1 工艺流程 |
| 5.2 直接键合工艺研究 |
| 5.3 黏胶键合工艺研究 |
| 5.4 研磨抛光技术 |
| 5.5 干法刻蚀脊形结构工艺研究 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 退火质子交换掺镁铌酸锂脊形波导工艺研究 |
| 6.1 工艺流程 |
| 6.2 掺镁铌酸锂晶体的周期性畴反转 |
| 6.3 周期极化掺镁铌酸锂晶体的退火质子交换工艺 |
| 6.4 金刚石划片机精密切割脊形结构工艺研究 |
| 6.5 本章小结 |
| 7 波导性能测试 |
| 7.1 波导传输损耗性能测试 |
| 7.2 波导耦合封装实验 |
| 7.3 波导性能测试分析 |
| 7.4 本章小结 |
| 8 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 1 攻读博士学位期间发表论文目录 |
| 附录 2 攻读博士学位期间申请专利目录 |
（8）离子辐照铌酸锂波导结构的晶格损伤和倍频效应（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号说明 |
| 第一章 绪论 |
| 参考文献 |
| 第二章 理论基础 |
| 2.1 光波导理论 |
| 2.2 非线性光学理论 |
| 参考文献 |
| 第三章 离子束技术 |
| 3.1 离子注入技术 |
| 3.2 卢瑟福背散射和沟道分析技术 |
| 3.3 氩离子束溅射刻蚀 |
| 3.4 聚焦离子束技术 |
| 参考文献 |
| 第四章 氧离子注入铌酸锂波导的损伤及折射率分布 |
| 4.1 电子能量损失造成的损伤 |
| 4.2 氧离子注入铌酸锂波导的折射率分布 |
| 参考文献 |
| 第五章 离子辐照质子交换铌酸锂的损伤及波导特性 |
| 5.1 电子能量损失引起的重结晶效应 |
| 5.2 O离子辐照质子交换铌酸锂的损伤和波导特性 |
| 参考文献 |
| 第六章 快重离子辐照SLN的光波导结构 |
| 6.1 200MeV Ar离子辐照SLN的光波导结构 |
| 6.2 200MeV Ar离子辐照SLN的损伤及Li/Nb比 |
| 参考文献 |
| 第七章 O离子注入周期极化铌酸锂波导的倍频特性 |
| 7.1 周期极化铌酸锂平面光波导的倍频效应 |
| 7.2 周期极化铌酸锂条形光波导中的倍频效应 |
| 参考文献 |
| 第八章 铌酸锂脊形波导中光子晶体的制备 |
| 8.1 基于铌酸锂波导的光子晶体平板 |
| 8.2 应用FIB在PELN脊形波导上制备光子晶体结构 |
| 参考文献 |
| 第九章 总结 |
| 9.1 主要结果 |
| 9.2 主要创新点 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 |
| 附外文论文 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（9）光折变效应的理论与实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 光折变效应及光折变材料 |
| 1.2 光折变效应研究及应用现状 |
| 1.3 本论文主要工作和内容 |
| 第二章 光折变效应原理 |
| 2.1 光折变效应的物理机制 |
| 2.2 光折变效应的物理模型 |
| 2.3 单束光波的光折变现象 |
| 2.3.1 光扇效应 |
| 2.3.2 光孤子现象 |
| 第三章 光折变效应中的二波混频 |
| 3.1 两束同频率的平面光束的耦合 |
| 3.1.1 平面光束耦合的衍射效率η的分析 |
| 3.1.2 平面光束耦合的增益系数Γ分析 |
| 3.1.3 平面光束耦合分析的总结说明 |
| 3.2 两束高斯光束的耦合 |
| 3.3 本章总结 |
| 第四章 光折变效应中的四波混频 |
| 4.1 光折变效应中的四波混频 |
| 4.2 光折变效应中的自泵浦现象 |
| 4.2.1 自泵浦现象及自泵浦相位共扼器简介 |
| 4.2.2 自泵浦相位共轭器的物理机制以及参数 |
| 4.2.3 自泵浦相位共轭器的实验研究 |
| 4.3 光折变效应中的互泵浦现象 |
| 4.3.1 互泵浦现象及互泵浦相位共扼器简介 |
| 4.3.2 互泵浦相位共轭器的物理机制及主要特征 |
| 4.3.3 光折变晶体中互泵浦现象的实验研究 |
| 4.4 本章总结 |
| 第五章 光折变效应的应用 |
| 5.1 光折变效应在全息存储中的应用 |
| 5.2 基于光折变效应的滤波器 |
| 5.3 光折变效应在光外差探测中的应用 |
| 5.4 本章总结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 研究生在读期间研究成果 |
（10）钙离子掺杂的钨青铜型晶体铌酸锶钡的光学特性研究（论文提纲范文）
| 目录 |
| Table of Contents |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| §1-1 钨青铜型铌酸盐晶体研究概述 |
| 1-1-1 铌酸锶钡(SBN)晶体 |
| 1-1-2 铌酸锶钡钾钠(KNSBN)晶体 |
| 1-1-3 铌酸锶钡钙(CSBN)晶体 |
| 1-1-4 铌酸钡钙(CBN28)晶体 |
| 1-1-5 其他钨青铜型结构晶体 |
| §1-2 掺杂对钨青铜铌酸盐晶体结构及性能影响 |
| §1-3 非线性光折变效应 |
| 1-3-1 非线性光折变效应简介 |
| 1-3-2 钨青铜结构晶体的光折变性能 |
| 1-3-3 钨青铜结构晶体在光折变方面的应用 |
| §1-4 本论文的研究工作 |
| 参考文献 |
| 第二章 CSBN晶体的晶格振动光谱研究 |
| §2-1 引言 |
| §2-2 CSBN晶体的晶体结构和空间群分析 |
| 2-2-1 CSBN材料置备及结构 |
| 2-2-2 P4bm(C_(4v)~2)空间群分析 |
| §2-3 CSBN晶体的拉曼光谱 |
| 2-3-1 实验仪器、样品制备及实验配置 |
| 2-3-2 拉曼光谱结果分析及讨论 |
| §2-4 CSBN晶体的红外光谱 |
| 2-4-1 测试装置和方法 |
| 2-4-2 红外光谱结果分析及讨论 |
| §2-5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 CSBN晶体的热学特性研究 |
| §3-1 引言 |
| §3-2 CSBN晶体的热物理性质 |
| 3-2-1 CSBN晶体的比热 |
| 3-2-2 CSBN晶体的热膨胀 |
| 3-2-3 CSBN晶体的热导率 |
| §3-3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 CSBN晶体的双折射及其偏振光干涉 |
| §4-1 引言 |
| §4-2 CSBN晶体的双折射 |
| 4-2-1 晶体双折射与晶体结构的关系 |
| 4-2-2 CSBN晶体的双折射消光角的测量 |
| 4-2-3 CSBN晶体的折射率及双折射 |
| §4-3 晶体的偏振光干涉理论 |
| 4-3-1 晶片在正交和平行偏光镜下的干涉 |
| 4-3-2 晶片在聚敛偏振光下的干涉现象(锥光干涉图) |
| §4-4 CSBN晶体的锥光干涉 |
| 4-4-1 聚敛偏振光下的CSBN晶体的锥光干涉 |
| 4-4-2 试验结果分析及理论计算 |
| 4-4-3 CSBN晶体的光学均匀性 |
| §4-5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 CSBN晶体的光折变中心 |
| §5-1 引言 |
| §5-2 光折变中心理论 |
| 5-2-1 光折变晶体的缺陷中心的形成 |
| 5-2-2 光折变中心的表征 |
| §5-3 CSBN晶体的透射特性及光折变中心 |
| 5-3-1 CSBN晶体的透射特性 |
| 5-3-2 CSBN晶体的吸收边及其衰减指数 |
| 5-3-3 Ca~(2+)掺杂CSBN的光折变中心判定 |
| §5-4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 CSBN晶体的光折变非线性特性研究 |
| §6-1 引言 |
| §6-2 CSBN晶体的非线性折射率 |
| 6-2-1 三阶非线性相关理论 |
| 6-2-2 Z-扫描技术 |
| 6-2-3 基于Z-扫描技术的非线性折射系数测量 |
| 6-2-4 Z-扫描装置的改进及CSBN25的Z-扫描曲线 |
| §6-3 CSBN晶体的光折变非线性 |
| 6-3-1 非偏振光下基于Michelson干涉法的晶体光折变动态行为 |
| 6-3-2 偏振光写入的CSBN晶体的光折变动态行为 |
| 6-3-3 CSBN50晶体的自聚焦向自散焦的动态转换特性理论诠释 |
| 6-3-4 CSBN晶体的双折射率动态变化特性 |
| §6-4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 钙离子掺杂铌酸盐体相位栅衍射特性研究 |
| §7-1 引言 |
| §7-2 CSBN晶体的体相位栅的衍射效率 |
| §7-3 平面单色光波入射下的CSBN晶体自衍射特性 |
| 7-3-1 实验装置及现象 |
| 7-3-2 平面单色光波入射下自衍射形状的理论分析 |
| 7-3-3 噪音相位光栅的理论模型 |
| §7-4 CBN28晶体的光感应光散射 |
| 7-4-1 CBN28晶体的扇形效应(前向散射光放大) |
| 7-4-2 CBN28晶体的散射光锥 |
| §7-5 聚焦光束入射下的CSBN晶体远场衍射现象 |
| 7-5-1 实验装置及现象 |
| 7-5-2 自衍射现象的成因 |
| §7-6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第八章 CSBN晶体的相位共轭特性研究 |
| §8-1 引言 |
| §8-2 相位共轭理论 |
| 8-2-1 自泵浦相位共轭 |
| 8-2-2 互泵浦相位共轭 |
| §8-3 CSBN晶体中"奇异"的自泵浦相位共轭 |
| 8-3-1 试验现象观察 |
| 8-3-2 试验现象理论分析 |
| §8-4 CSBN晶体的自泵浦相位共轭及其应用 |
| 8-4-1 自泵浦相位共轭的共轭反射率(SPPCM) |
| 8-4-2 自泵浦相位共轭响应时间 |
| 8-4-3 自泵浦相位共轭实现光学图像边缘增强 |
| §8-5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第九章总结 |
| §9-1 主要结论 |
| §9-2 主要创新点 |
| §9-3 有待进一步深入研究的问题 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 |
| 攻读博士学位期间主持或参与的课题 |
| PAPER ONE |
| PAPER TWO |
| Acknowledgments |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
四、用平面内散射的测量方法研究LiNPO_3平面光波导中的光折变效应（论文参考文献）
- [1]飞秒激光直写铌酸锂、三硼酸锂和碳化硅晶体光波导及其应用[D]. 张彬. 山东大学, 2021
- [2]用于三维成像激光雷达的钽铌酸钾晶体研究[D]. 帖栋修. 中国科学院大学(中国科学院光电技术研究所), 2018(10)
- [3]基于PPLN的电光调制位相阵列光分束器的研究[D]. 张进宏. 北京交通大学, 2016(10)
- [4]基于铌酸锂晶体平面光波导的写入及其实验研究[D]. 田帅. 哈尔滨工程大学, 2015(06)
- [5]钪：钛扩散掺杂铌酸锂晶体制备及性能表征[D]. 邱丛贤. 天津大学, 2014(03)
- [6]内电光调制氦氖气体激光器的研制及其在腔衰荡损耗测量中的应用[D]. 冯先旺. 国防科学技术大学, 2012(10)
- [7]掺镁铌酸锂脊形光波导设计及制备工艺研究[D]. 周钰杰. 华中科技大学, 2012(08)
- [8]离子辐照铌酸锂波导结构的晶格损伤和倍频效应[D]. 黄庆. 山东大学, 2012(12)
- [9]光折变效应的理论与实验研究[D]. 马宝红. 西安电子科技大学, 2008(08)
- [10]钙离子掺杂的钨青铜型晶体铌酸锶钡的光学特性研究[D]. 高成勇. 山东大学, 2008(01)