一、A NEW METHOD FOR OBTAINING LARGE ANGLE CONVERGENT BEAM ELECTRON DIFFRACTION（论文文献综述）
冯国光[1]（1984）在《大角度会聚束电子衍射的新方法》文中进行了进一步梳理会聚束电子衍射是测定晶体点群、空间群的有效方法。要清楚地判断会聚束电子衍射图样的对称性,电子束的会聚角要大,但衍射盘不能重叠。本文提出了一种新方法来获得不重叠的大角度会聚束电子衍射。新方法是使电子束离焦,固定样品,从而保留了样品的同心倾动位置,作大角度倾动时不会失去原来感兴趣的区域。新方法在原理上和田中等人提出的方法相同,但优越性更大。同时也研究了大束斑（≥2μm）大角度会聚束电子衍射。
宋晨之[2]（2019）在《层状纳米材料莫尔结构与相变的电子显微学研究》文中研究说明透射电子显微镜（TEM）是表征材料微观结构强有力的工具。带有球差校正（aberration-corrected）的透射电镜更是因其出众的原子级分辨率、能直接探测材料中元素种类和价态而获得研究者们的青睐。在最近20年里,球差校正器（aberration corrector）的发明和改进使透射电镜的空间分辨率得到了关键性的提升,目前电镜的横向分辨率已经小到几十皮米,可与原子直径相比拟。值得关注的是,扫描透射电镜（STEM）的纵向分辨率也因球差校正器的引入而获得了极大提升,目前已经达到了纳米级。理论模拟证明,随着技术的发展,在不久的将来纵向分辨率将也能达到原子级。纵向分辨率的提高发掘出了STEM更多的应用潜力,使原位快速地获取样品的三维信息、表征复杂的内部结构成为现实。此外,另一项基于透射电子显微镜的先进技术——原位技术的发展给在电镜中操纵和测量样品提供了途径,使人们能够实时地观测微观区域在多种外场作用下的结构演变,并同时测量演化过程中力、热、光、电、电化学和催化等物理和化学性质。球差校正电镜与原位技术的联合,实现了原子级的结构表征与性质测量以及多场调控同步进行,达到了真正的“所见即所得”的目的。本论文基于先进的球差校正透射电子显微镜和原位透射电镜技术,研究了几种层状纳米材料的结构,以及结构相变与物理性质之间的关系。包括Cu2Se纳米片中的莫尔图案（Moirépattern）;Cu2Se纳米片电致相变、阻变现象;Mo S2锂化导致的结构相变与光学性质等。本论文主要研究内容和取得的结果如下:1.提出了一种辨别纳米材料中长周期图案（Long-period patterens,LPPs）种类的方法。我们以Cu2Se纳米片为例,基于球差STEM的电子束断层扫描成像（Depth sectioning）的方法,深入探究了Cu2Se纳米片中的一类反常的LPPs,首次实现了对晶体材料的上下层原子级成像,揭示了该LPP为转角堆叠结构造成的莫尔图案。该方法解决了一直以来在电镜中莫尔图案与晶格调制结构图案（Modulated crystal pattern）难以区分的问题,为进一步探索结构的成因提供了基础。2.通过多种手段表征了热电材料Cu2Se纳米片的晶体结构,利用球差校正电镜和旋转电子衍射（RED）三维重构法,揭示了水热法合成的Cu2Se纳米片中的面缺陷,解释了RED中长倒易杆的来源。另外,利用原位电学系统,发现了具有超离子特性的材料Cu2Se在电场作用下的可逆结构相变、阻变现象,并探究了电场诱导析出的纳米颗粒的成分、机械性能和量子化的导电特性,为解释热电材料在电场下的性能衰变提供了思路。3.利用原位光学-电学系统,在TEM中对Mo S2进行原位锂化,同时测量了Mo S2锂化前后的阴极荧光（CL）光谱,发现了锂化后Mo S2的带边发射峰产生淬灭。用球差校正电镜在原子尺度上观测了锂化过程中产生的多种1T’相超结构,并研究了锂化过程的可逆性问题。
梅志,顾明元,吴人洁[3]（1996）在《金属基复合材料残余应力测量的新方法》文中进行了进一步梳理概述了Ｘ射线衍射和中子衍射法在测量金属基复合材料残余应力时的不足，结合实例介绍了同步辐射Ｘ射线能量色散法和会聚束电子衍射法的测量原理和特点。最后对这两种方法进行了分析比较。
冯国光[4]（1984）在《一种新的大角度会聚束电子衍射方法》文中指出 一、引言 电子衍射带轴图样提供了丰富的晶体学信息,其中最明显的是对称性,带轴图样可以用会聚束或弯曲轮廓方法得到。会聚束电子衍射（CBED）方法更好,用这方法可以从更小的区域得到更多更准确的信息。要清楚地判断会聚束带轴图样的对称性,电子束的会聚角（a）
张敏[5]（2015）在《扫描透射电镜中玻姆量子轨迹的计算模拟》文中提出电子衍射是电子波动性的主要特征,它被广泛用于研究物质的结构特征。基于电子衍射的实验手段可以得到包含样品结构信息的衍射花样,我们通过对衍射花样进行分析,就能得到关于样品的结构信息。其中,在对实验数据的分析方面,要求能够对电子与晶体的相互作用有着很好的理解。我们从玻姆量子轨迹方法出发,研究扫描透射电镜中电子衍射的动力学过程,有着直观又精确的优点。首先数值求解含时薛定谔方程,解得波函数在晶体中的演化,然后根据玻姆理论计算量子轨迹。量子轨迹理论最初是由de Broglie在其导波理论中提出,随后由Bohm予以推广并发展成为玻姆量子轨迹理论。量子轨迹理论表明波函数除了表示几率还包含了其他重要信息。我们定义一个量子力学系统,它由有着精确定义的位置的粒子组成,但粒子的位置是随时间连续变化的函数。而控制粒子运动的波是在时间和空间中不断扩散的。量子轨迹理论从轨迹的角度出发为解释量子现象提供了一个新的视角,并且还可用来作为研究电子与晶体相互作用的新的计算方法。玻姆量子轨迹方法可以精确到具体的晶体结构,这在最新的原子级材料表征方面能得到广泛的应用。在第一章绪论中我们介绍了电子与晶体的相互作用过程,包括电子衍射和散射问题,以及扫描透射电子显微术的理论背景和电子显微学的计算模拟。在后面的模拟计算中我们就是以扫描透射电镜中入射会聚束与晶体的相互作用为研究对象。第二章介绍的玻姆量子轨迹方法是本文计算的理论基础,包括玻姆力学的基本理论公式,主要的应用及量子轨迹的具体计算方法。第三章我们系统讨论了电子衍射的计算模拟方法。转化为求解薛定谔方程问题,分为含时计算方法和不含时计算方法。其中比较常用的含时的计算方法为劈裂算符方法,不含时的有多层法、Bloch波方法以及散射矩阵法。含时方法主要用来解决低能入射问题,高能入射问题主要采用不含时方法。多层法可以模拟相干STEM图像,而Bloch波方法则不能用于模拟高分辨STEM图像。第四章我们通过对扫描透射电镜中玻姆量子轨迹的计算模拟,研究了电子在晶体衍射中的动力学过程。玻姆量子轨迹方法可以和经典的Monte Carlo方法相结合,发展出研究电子与固体相互作用的新方法。我们计算了STEM入射电子束在Cu晶体中的波函数分布和玻姆量子轨迹结果。首先讨论了欠焦量对STEM探针在样品表面上扫描会聚束斑的影响,其次,通过傅里叶变换多层法数值求解薛定谔方程得到电子波函数,为了展示电子波函数在晶体中的演化,我们采取了晶体表面上两个特征的入射位置作为代表：原子列的正上方和两个相邻原子列中间,在演化过程中玻姆轨迹会渐渐向附近的原子列所处的位置运动,与波函数强度分布的演化规律相一致。玻姆轨迹能够为研究电子和晶体相互作用过程提供直观的图像,可以精确到具体的晶体结构,极大地有利于对电子在晶体中散射问题的研究。在经典散射理论中只能得到近似离散射中心无穷远处电子的散射截面,在第五章中我们基于玻姆量子轨迹理论,研究了计算散射截面的新方法。该方法不同于经典的卢瑟福散射截面的计算,可以研究电子在原子近场处弹性散射的微分散射截面。我们用屏蔽库仑势来构建散射的中心势场,量子轨迹是用劈裂算符方法数值求解含时薛定谔方程得到的,劈裂算符方法可以很高效地求得随时间演化的波函数的结果,再对速度进行积分就可以得到量子轨迹。根据截面的定义,通过统计量子轨迹散射到空间单位立体角内的概率,我们就能得到微分散射截面结果。本文以二维情况下位于原点处的单个Au原子的散射问题为例,计算了散射波函数分布,玻姆量子轨迹和微分散射截面。并针对不同入射能量,势场类型（吸引势、排斥势）等模拟参数对结果的影响进行了讨论。玻姆量子轨迹方法为研究电子和散射中心相互作用的动力学过程提供了直观的视角,原理上我们还可以将该方法用来研究电子和结构更复杂的纳米体系材料的相干散射问题。第六章是对全文进行的总结
孙岳魁[6]（2005）在《各向异性材料中的电子能量损失理论及其应用》文中进行了进一步梳理在使用电子能量损失谱研究各向异性材料时,得到的谱线的精细结构对于材料的取向敏感,这使对各向异性材料的电子结构以及相关性质的定量研究十分困难。本文从描述非弹性散射的基本理论出发,建立了一套完整的针对各向异性系统的非弹性散射模型,从原理上解释了内壳层激发电子能量损失谱的取向效应,并首次给出了谱线精细结构随实验收集条件和样品取向变化的定量解释。模型从计算非弹性电子的角度分布特征出发,预测了能够消除样品取向效应的幻角的存在条件和大小,使我们可以在纳米尺度上直接得到各向异性材料的本征电子结构的定量分析结果。在模型中引入相对论效应使得我们对高速电子与材料作用时的纵向场和横向场之间的量子干涉作用产生重新认识。在以往的非弹性散射理论忽略的相干作用被指出对幻角条件的理论值确定有重要的影响。通过对实验参数的精确测量以及对实验结果的优化处理,我们对非弹性电子角度分布和电子能量损失谱幻角条件进行了系统的测量。幻角条件和电子能量损失谱的取向依赖性与相干的相对论模型预测的结果相符得很好。幻角和角度分布的测量结果给出了量子干涉存在的直接实验证据。利用各向异性电子结构、样品取向信息、实验收集条件三者之间的定量关系,我们提出了一系列新的电子能量损失谱实验方法来对各向异性材料进行研究。例如我们指出了各向异性电子结构可以表达为幻角电子能量损失谱和二向色性谱的加和形式,并对其物理意义和实际测量方法进行了阐述。另一个例子是我们利用电子能量损失谱判断了非晶碳薄膜掺杂Co元素后碳原子sp2构型的变化,并进一步对薄膜微观特征和物理性质之间的联系进行了讨论。最后,我们利用电子能量损失谱仪的光路特征,提出可以从CCD捕捉的二维电子能量损失谱图像中提取取向信息,从而对单轴各向异性系统进行三维定位。结合在BN晶粒中的实验,我们证明这种方法在高空间分辨的取向探测中具有很好的应用前景。
邹晓冬,万威,HOVMLLER Sven[7]（2010）在《定量三维电子显微术及三维电子衍射》文中进行了进一步梳理用电子晶体学可以确定尺度在微米甚至纳米级晶体的原子结构。它所要求的晶体尺寸比X射线晶体学所需的小百万倍。确定晶体的原子结构既可通过对高分辨电子显微像作图像处理,也可直接用电子衍射数据。同时还可将高分辨电子显微像和电子衍射数据与X射线粉末衍射结合起来确定晶体结构。如果晶体的单胞很大,原子在任何方向上的投影都有重叠,确定晶体的原子结构则需要拍摄一系列不同晶带轴的电子衍射图及高分辨像,再将其综合起来重构晶体的三维静电势图,以得到晶体的原子位置。本文将概括地介绍最近十几年中电子晶体学的一些最新进展及其在无机晶体结构解析方面的一些最新应用实例。
Michiyoshi Tanaka,Masami Terauch,王德荣[8]（1989）在《会聚束电子衍射中晶带轴和±G暗场图像的同时观察》文中认为在会聚束衍射中（CBED）.晶体点群和空间群的标准测量方法需要四种类型的图象（正常衍射图,明埸象,暗场象和±G暗场象）.在同一胶片上同时获取四种图象的方法已经报导过（JEOL,NEWS,24E.62,1986）。然而该方法所需要的样品必须具有1μm直径,相同厚度,无弯曲的薄区。因此此,法不适用于实际应用.本文介绍一种从样品中100nm直径薄区获得这些图象的具有使用价值的方法.该方法是通过调节物镜励磁电流和中间镜励磁电流来观察的:它的应用结果也作相应的描述。
张秋波[9]（2019）在《纳米材料的表界面结构调控及其动态过程的原位研究》文中研究表明当材料的尺寸降到纳米尺度时,材料表界面结构对其性能的影响越发显着。合理的调控纳米材料的表界面结构、阐明结构与性能之间的对应关系对理解纳米材料在各种应用中的工作机制,探究新异物性,设计新型纳米功能器件而言意义重大。本论文基于原位透射电子显微学方法,以半导体材料为例,研究了其在不同外场作用下的表界面结构的原位调控机理及其新异物性。主要研究内容和结果如下:1.电场作用下硫化物异质界面结构的原位调控。（1）发明了一种电驱动的原位阳离子交换方法,利用这种方法能够精确的调控单体纳米晶的异质界面结构。（2）原位观察了电场作用下CdS/Cu2S异质界面结构的形成过程,包括:镉的升华、铜的电溶解、铜离子的迁移以及CdS/Cu2S核壳结构的形成。（3）深入探讨了电驱动阳离子交换方法调控异质界面结构的动力机制:电驱动阳离子交换反应是欧姆热和电场力共同作用的结果;迁入的阳离子来源于金属活性电极,并由电场力驱动进入CdS纳米材料体内;迁出的Cd阳离子是在欧姆热的作用下升华进入了真空环境中。2.电场作用下Cu2S/W界面结构的原位调控。（1）原位观察了Cu2S/W界面处可逆的铜析出-回吸现象,发现了Cu2S纳米线的赝电弹性行为,整个过程包括:低辉铜矿相到高辉铜矿相的转换,铜离子的迁移和积累,铜突触的成核、生长以及自发的回吸。（2）研究了赝电弹性现象的电化学动力机制:Cu离子的析出是由外部电场力驱动的,而铜的回吸是化学电位梯度驱动的。（3）成功的将Cu2S纳米线的赝电弹性应用于纳米机械系统。构建的Cu2S纳米线电执行器可用于推动微小物体在纳米/亚纳米的精度下移动,且其具有较好的可重复性。3.电子束辐照下过氧化银纳米颗粒表面结构的调控。（1）原位对比观察了有（无）Ag表面吸附体的Ag2O2纳米晶两种截然不同的刻蚀过程。表面吸附Ag的Ag2O2纳米晶发生非平衡形状演变,其刻蚀过程包括:球形到方形的刻蚀、两侧刻蚀和底部刻蚀。（2）揭示了电子束刻蚀过程中Ag表面吸附体对Ag2O2纳米晶表面结构的调控机理。Ag表面吸附体可以选择性的吸附在Ag2O2纳米晶表面的特定位置,防止其覆盖的原子被刻蚀,同时也起到阻断表面原子扩散路径的作用。本文从原子尺度上理解了半导体材料的表界面结构的原位调控机制和新异物性,为复杂表界面结构材料的制备和新型功能器件的设计提供了理论基础。
李威[10]（2016）在《电脉冲对变形纯铝微观结构的影响及其作用机理》文中研究说明电脉冲因其独特的热、电、磁、力等物理效应,可广泛地应用于多方面的微观结构调控以及多种辅助成型工艺,在材料的定向微观结构调控及新材料的制备等领域具有良好的工业应用前景。然而,电脉冲对材料的作用机理尚不明确,限制了电脉冲技术的进一步发展。本文以成分单一、结构简单且无固态相变的纯铝材料为研究对象,通过准原位TEM和EBSD观察以及位错滑移迹分析等手段,从微观结构演化角度分析了电脉冲的作用机理。具体地,从动力学和热力学两方面,研究了电脉冲对变形纯铝整体微观结构演化以及单根位错滑移行为的影响,并分析和归纳了电脉冲影响材料微观结构占主导的物理效应及其作用机理。动力学上,主要关注电脉冲对变形纯铝晶界和位错结构演化快慢及演化途径的影响;热力学上,重点关注电脉冲是否能够为晶界和位错的迁移提供额外的驱动力。本文的研究结果表明:（1）在变形纯铝的回复和再结晶过程中,电脉冲虽然在热力学上为晶界和位错的迁移所提供的驱动力很小,但是在动力学上却能显着地提升材料微观结构演化的速率,并在一定程度上改变微观结构的演化途径。电脉冲导致变形纯铝微观结构演化途径的改变主要集中在回复阶段。例如,合适强度的电脉冲处理可以快速地降低轧制纯铝的晶内位错密度,而保持材料的晶粒度基本不变;较高强度的电脉冲处理可以使得轧制纯铝的晶界回复机制由传统热处理作用下的晶界三叉点迁移转变成亚晶界的消减,并同时引起材料晶内位错密度的急剧升高。（2）在极低的温度下（如T<135 K）,电脉冲可以使得轧制纯铝（面心立方结构）发生高温的（如T>453 K）位错非八面体滑移。位错非八面体滑移的开动显着地增加了位错运动的自由度,解释了电脉冲作用下变形纯铝快速的回复和再结晶行为。另外,电脉冲作用下位错非八面体滑移的发现还为前人广泛报道的电致塑性提供了新的理论解释。（3）在电脉冲的多种物理效应中,选择性加热效应与电脉冲作用下变形纯铝的微观结构演化规律及其位错非八面体滑移行为密切相关。由于晶体缺陷比晶内无缺陷处的电阻率大,电脉冲可能会选择性地集中加热材料的晶界和位错等缺陷,加速材料晶界和位错的运动,从而显着地加速变形纯铝的回复和再结晶过程。另外,电脉冲在位错芯处导致的局部高温还会使得位错发生非八面体晶面滑移。由于材料的晶界和位错总体积份额小(10-3–10-2),选择性加热效应导致的局部高温不会反映在材料整体的宏观温升上,因此选择性加热效应仍属于电脉冲的“非宏观热效应”。上述的研究表明,对电脉冲作用下微观结构演化的直接观察可以加深电脉冲作用机理的认识,为电脉冲技术的发展提供帮助。
二、A NEW METHOD FOR OBTAINING LARGE ANGLE CONVERGENT BEAM ELECTRON DIFFRACTION（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、A NEW METHOD FOR OBTAINING LARGE ANGLE CONVERGENT BEAM ELECTRON DIFFRACTION（论文提纲范文）
（2）层状纳米材料莫尔结构与相变的电子显微学研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.1.1透射电子显微镜 |
| 1.2 球差校正技术 |
| 1.3 原位技术 |
| 1.3.1 原位电学系统 |
| 1.3.2 原位力学系统 |
| 1.3.3 原位光学系统 |
| 1.3.4 原位光学-电学系统 |
| 1.3.5 原位电化学系统 |
| 1.3.6 原位液相环境系统 |
| 1.3.7 原位热学系统 |
| 1.4 层状纳米材料 |
| 1.4.1 莫尔结构 |
| 1.4.2 微观相变 |
| 1.4.3 Cu_2Se纳米片材料 |
| 1.4.4 MoS_2材料 |
| 1.5 本论文的研究内容 |
| 第2章 Cu2Se纳米片中一类长周期图案的研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 长周期图案 |
| 2.2.1 晶格调制结构 |
| 2.2.2 莫尔图案 |
| 2.3 Cu_2Se纳米片中长周期图案的传统研究手段 |
| 2.3.1 Cu_2Se纳米片形貌与晶格结构 |
| 2.3.2 传统透射电镜分析 |
| 2.3.3 纳米结构纵向信息的获取方法 |
| 2.4 基于球差校正STEM的断层成像法 |
| 2.4.1 工作原理 |
| 2.4.2 欠焦系列像分析 |
| 2.4.3 原子模型与像模拟 |
| 2.4.4 断层成像法纵向分辨率的影响因素 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 Cu_2Se纳米片原位电学研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 铜硒样品结构的确定 |
| 3.2.1 综合物相表征方法 |
| 3.2.2 选区电子衍射 |
| 3.2.3 三维旋转电子衍射 |
| 3.3 电场调制下的结构与物性变化 |
| 3.3.1 实验方法 |
| 3.3.2 电致相变现象 |
| 3.4 微晶“液滴”析出 |
| 3.4.1 小尺寸效应 |
| 3.4.2 量子限域效应 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 二硫化钼的原位锂化相变研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 原子分辨率的二硫化钼锂化研究 |
| 4.2.1 实验方法 |
| 4.2.2 原子级结构与元素分布表征 |
| 4.2.3 锂化过程的可逆性 |
| 4.3 二硫化钼锂化的阴极荧光光谱研究 |
| 4.3.1 阴极荧光光谱原理 |
| 4.3.2 MoS_2的光学特性 |
| 4.3.3 原位光电测试系统 |
| 4.3.4 MoS_2的CL光谱 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 总结 |
| 参考文献 |
| 个人简历及发表文章目录 |
| 致谢 |
（5）扫描透射电镜中玻姆量子轨迹的计算模拟（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 电子与固体相互作用 |
| 1.1.1 电子衍射 |
| 1.1.2 电子散射 |
| 1.2 扫描透射电子显微技术 |
| 1.3 电子显微学的计算模拟 |
| 1.3.1 高分辨扫描透射Z衬度成像 |
| 1.3.2 玻姆量子轨迹方法研究电子衍射 |
| 第二章 玻姆量子轨迹方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 玻姆理论基本公式 |
| 2.3 玻姆量子轨迹研究粒子衍射 |
| 2.3.1 单缝及双缝衍射 |
| 2.3.2 多缝衍射 |
| 2.4 玻姆量子轨迹研究Talbot效应 |
| 2.5 量子轨迹的计算方法 |
| 2.5.1 量子力学的流体动力学解释 |
| 2.5.2 轨迹的计算方法 |
| 2.6 量子轨迹的计算方法 |
| 第三章 电子衍射的动力学模拟 |
| 3.1 劈裂算符方法 |
| 3.2 多层法 |
| 3.2.1 基本公式 |
| 3.2.2 多层法计算方法 |
| 3.3 Bloch波方法 |
| 第四章 STEM中玻姆量子轨迹的计算模拟 |
| 4.1 理论基础 |
| 4.2 会聚束模拟 |
| 4.3 晶体内电势分布 |
| 4.3.1 单个原子的散射势场 |
| 4.3.2 晶体散射势场 |
| 4.4 波函数 |
| 4.5 玻姆量子轨迹 |
| 4.6 Si晶体中的量子轨迹 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 玻姆量子轨迹方法计算电子微分散射截面 |
| 5.1 入射电子的微分弹性散射截面 |
| 5.1.1 散射截面的定义 |
| 5.1.2 散射的量子力学描述 |
| 5.2 Mott截面 |
| 5.3 玻姆轨迹方法研究散射问题 |
| 5.3.1 理论基础 |
| 5.3.2 屏蔽库仑势场 |
| 5.3.3 含时薛定谔方程波函数的演化 |
| 5.3.4 玻姆轨迹及散射截面结果 |
| 5.3.5 玻姆轨迹方法研究石墨烯结构的散射 |
| 5.4 量子与经典轨迹的区别 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 总结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表的和待发表的学术论文 |
（6）各向异性材料中的电子能量损失理论及其应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 电子能量损失谱的发展史 |
| 1.2 内壳层电子能量损失谱的应用 |
| 1.2.1 定量标定化学成份 |
| 1.2.2 作为元素化学环境的指纹 |
| 1.2.3 与理论模拟结合,探测激发态精细结构 |
| 1.3 各向异性材料电子能量损失谱的取向效应 |
| 1.3.1 对于取向效应的研究 |
| 1.3.2 利用取向效应研究各向异性电子结构 |
| 1.3.3 电子能量损失谱的幻角条件 |
| 1.3.4 各向异性材料电子能量损失谱的研究方向 |
| 1.4 本论文各部分的主要内容 |
| 第2章 各向异性材料中的非弹性电子散射 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 电子能量损失谱方向效应的定性解释 |
| 2.3 非弹性电子散射模型 |
| 2.3.1 介电函数理论架构下的二次微分散射截面分析 |
| 2.3.2 量子力学架构下的二次微分散射截面分析 |
| 2.3.3 角度积分的散射截面特征 |
| 2.4 幻角条件 |
| 2.4.1 平行光入射条件下的幻角条件 |
| 2.4.2 会聚束对幻角条件的影响 |
| 2.4.3 幻角谱的物理意义 |
| 2.4.4 取向幻角 |
| 2.5 相对论效应对方向效应和幻角条件的影响 |
| 2.5.1 电子能量损失谱的相对论效应 |
| 2.5.2 相对论效应修正后的幻角条件 |
| 2.5.3 量子干涉项的存在及其讨论 |
| 2.6 小结 |
| 第3章 电子能量损失谱的幻角条件的实验确定 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验参数的定义及精确测量 |
| 3.2.1 接收角 |
| 3.2.2 会聚角 |
| 3.2.3 谱各向异性因子 |
| 3.2.4 样品取向 |
| 3.3 实验方法和结果 |
| 3.3.1 幻角条件和方向效应的实验确定 |
| 3.3.2 不同元素吸收边锋的对比 |
| 3.3.3 不同高压下碳吸收边峰的幻角条件 |
| 3.4 实验测量非弹性电子的角度分布 |
| 3.4.1 利用能量过滤像测量角度分布 |
| 3.4.2 实验结论及与理论角分布的对比 |
| 3.5 小结 |
| 第4章 利用幻角谱和二向色性谱表征各向异性电子结构 |
| 4.1 引言 |
| 4.1.1 各向异性电子结构的表征 |
| 4.1.2 二向色性的定义和分类 |
| 4.2 理论分析和实验 |
| 4.2.1 幻角谱加二向色性谱的表达方式 |
| 4.2.2 实验确定——多元统计方法 |
| 4.2.3 主变量分析理论模拟谱线的结果 |
| 4.2.4 主变量分析在实验谱线中的应用分析 |
| 4.3 小结 |
| 第5章 利用能量损失谱表征金属掺杂非晶碳薄膜微观结构 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.3 实验结果 |
| 5.3.1 碳原子构型择优取向的判断 |
| 5.3.2 对微观结构与性能之间的联系的讨论 |
| 5.4 小结 |
| 第6章 利用电子能量损失谱确定样品三维取向 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验原理与方案设计 |
| 6.2.1 电子能量损失谱仪的光路评价 |
| 6.2.2 角度分布与一维线形分布的联系——分析 |
| 6.2.3 角度分布与一维线形分布的联系——验证 |
| 6.2.4 确定单轴各向异性材料c 轴三维取向 |
| 6.3 实验结果与讨论 |
| 6.4 小结 |
| 第7章 结论 |
| 附录A 取向依赖关系和幻角条件的推导 |
| 附录B 会聚束对幻角条件的影响 |
| 附录C 推导考虑相对论效应的幻角条件 |
| 附录D 单轴各向异性系统中非弹性散射电子角度分布 |
| 附录E 谱仪CCD 记录二维损失谱图像的强度分析 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（7）定量三维电子显微术及三维电子衍射（论文提纲范文）
| 1 利用高分辨电子显微像确定无机晶体结构 |
| 1.1 高分辨像的直接解释 |
| 1.2 通过晶体学图像处理从高分辨像中得到投影电势 |
| 1.3 结合不同投影方向的高分辨像获得晶体三维结构 |
| 2 利用电子衍射确定晶体结构 |
| 2.1 数据收集和数据简化 |
| 2.2 利用电子衍射数据解析晶体结构 |
| 3 高分辨像、电子衍射与X射线粉末衍射结合解析晶体结构 |
| 3.1 粉末衍射的标定及晶胞和空间群的确定 |
| 3.2 高分辨像与X射线粉末衍射结合解析晶体结构 |
| 3.3 电子衍射与X射线粉末衍射结合解析晶体结构 |
| 4 结构精修 |
| 5 结论 |
（9）纳米材料的表界面结构调控及其动态过程的原位研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 纳米材料表界面概述 |
| 1.2 研究纳米材料表界面结构调控及其动态过程的必要性 |
| 1.3 透射电镜原位调控材料表界面结构的研究现状 |
| 1.3.1 电子束辐照调控表界面结构的原位研究 |
| 1.3.2 力场调控表界面结构的原位研究 |
| 1.3.3 热场调控表界面结构的原位研究 |
| 1.3.4 电场调控表界面结构的原位研究 |
| 1.3.5 气氛环境下调控表界面结构的原位研究 |
| 1.3.6 液体环境下调控表界面结构的原位研究 |
| 1.4 本论文的研究内容和意义 |
| 第二章 透射电子显微学 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 透射电子显微镜基本构造与成像原理 |
| 2.3 像差与球差校正原理 |
| 2.4 高分辨像成像及元素成分分析原理 |
| 2.5 原位透射电子显微学 |
| 第三章 电场作用下硫化物异质界面结构的原位调控 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.2.1 CdS纳米线以及金属电极的制备 |
| 3.2.2 透射电镜中Cu(Au,Ag,Li.)/CdS/W实验装置的原位构建 |
| 3.3 实验结果和讨论 |
| 3.3.1 CdS/Cu_2S核壳结构纳米线的原位生成 |
| 3.3.2 施加偏压的时间和大小对CdS/Cu_2S异质结构的影响 |
| 3.3.3 电驱动阳离子交换的物理机制 |
| 3.3.4 电驱动阳离子交换法的普适性 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 电场作用下Cu_2S/W界面结构的原位调控 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 Cu_2S纳米线的赝电弹性形变 |
| 4.3.2 Cu_2S纳米线在赝电弹性形变过程中的微观结构演化 |
| 4.3.3 赝电弹性的电化学动力机制 |
| 4.3.4 赝电弹性在纳米机械系统中的应用 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 电子束辐照下过氧化银纳米颗粒表面结构的调控 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.2.1 AgVO_3 纳米棒的合成 |
| 5.2.2 Ag_2O_2 纳米颗粒的原位制备 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 无Ag表面吸附体Ag_2O_2 纳米晶的平衡形状演变 |
| 5.3.2 有Ag表面吸附体的Ag_2O_2 纳米晶的非平衡形状演变 |
| 5.3.3 Ag表面吸附体对Ag_2O_2 形状演化的调节性 |
| 5.3.4 Ag_2O_2 纳米晶的左右两侧不等速刻蚀 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表论文及奖励 |
| 致谢 |
（10）电脉冲对变形纯铝微观结构的影响及其作用机理（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1. 引言 |
| 1.2. 电脉冲在材料微观结构调控和辅助成型方面的应用 |
| 1.2.1. 电脉冲微观结构调控 |
| 1.2.2. 电脉冲辅助成型 |
| 1.3. 电脉冲作用于材料的物理效应 |
| 1.3.1. 焦耳热效应 |
| 1.3.2. 电效应 |
| 1.3.3. 磁效应 |
| 1.3.4. 力效应 |
| 1.4. 电脉冲对纯金属微观结构的作用机理 |
| 1.4.1. 电子风理论 |
| 1.4.2. 位错迁移率促进唯象理论 |
| 1.4.3. 磁场解钉理论 |
| 1.4.4. 选择性加热理论 |
| 1.5. 课题研究的背景意义及主要研究内容 |
| 1.5.1. 研究背景和意义 |
| 1.5.2. 研究内容 |
| 1.5.3. 研究方案 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1. 实验材料 |
| 2.1.1. 纯铝原材料的选择 |
| 2.1.2. 变形态纯铝的制备 |
| 2.1.3. 回复和再结晶态纯铝的制备 |
| 2.2. 电脉冲处理 |
| 2.3. 微观结构表征 |
| 2.3.1. TEM |
| 2.3.2. EBSD |
| 2.3.3. 准原位TEM和 EBSD |
| 第三章 电脉冲对变形纯铝回复行为的影响 |
| 3.1. 引言 |
| 3.2. 实验方案 |
| 3.3. 实验结果 |
| 3.3.1. 电脉冲对变形纯铝晶界和位错结构的影响 |
| 3.3.1.1. 变形纯铝的晶界和位错结构 |
| 3.3.1.2. 变形纯铝的晶粒度随脉冲电流的演化 |
| 3.3.1.3. 变形纯铝的位错结构随脉冲电流的演化 |
| 3.3.2. 电脉冲和热处理对变形纯铝晶界和位错结构影响的对比 |
| 3.3.3. 电脉冲对退火态纯铝晶界和位错结构的影响 |
| 3.3.3.1. 电脉冲对回复态纯铝的晶界和位错结构影响 |
| 3.3.3.2. 电脉冲对完全再结晶态纯铝晶界和位错结构的影响 |
| 3.4. 分析和讨论 |
| 3.4.1. 电脉冲对变形纯铝回复动力学和热力学的影响 |
| 3.4.1.1. 电脉冲对变形纯铝回复动力学的影响 |
| 3.4.1.2. 电脉冲对变形纯铝回复热力学的影响 |
| 3.4.2. 电脉冲影响变形纯铝回复过程的物理效应 |
| 3.4.2.1. 宏观热效应 |
| 3.4.2.2. 非宏观热效应 |
| 3.4.3. 电脉冲对变形纯铝回复过程的影响在其它材料中的适用性 |
| 3.5. 本章小结 |
| 第四章 电脉冲对变形纯铝再结晶行为的影响 |
| 4.1. 引言 |
| 4.2. 实验方案 |
| 4.3. 实验结果 |
| 4.3.1. 电脉冲对变形纯铝在再结晶过程中微观结构演化的影响 |
| 4.3.1.1. 变形纯铝的织构 |
| 4.3.1.2. 电脉冲和热处理作用下再结晶微观结构演化的对比 |
| 4.3.1.3. 电脉冲和热处理导致的再结晶微观结构的对比 |
| 4.3.3. 电脉冲对完全再结晶态纯铝晶界迁移的影响 |
| 4.4. 分析和讨论 |
| 4.4.1. 电脉冲对变形纯铝再结晶动力学和热力学的影响 |
| 4.4.1.1. 电脉冲对变形纯铝再结晶动力学的影响 |
| 4.4.1.2. 电脉冲对变形纯铝再结晶热力学的影响 |
| 4.4.2. 电脉冲导致变形纯铝再结晶的物理效应 |
| 4.4.2.1. 宏观热效应 |
| 4.4.2.2. 非宏观热效应 |
| 4.4.3. 电脉冲致变形纯铝再结晶的高效性 |
| 4.5. 本章小结 |
| 第五章 电脉冲作用下变形纯铝位错滑移行为的研究 |
| 5.1. 引言 |
| 5.2. 实验方案 |
| 5.3. 实验结果 |
| 5.3.1. 回复过程中纯铝位错的滑移行为 |
| 5.3.1.1. 八面体晶面的位错滑移 |
| 5.3.1.2. 非八面体晶面的位错滑移 |
| 5.3.2. 再结晶过程中纯铝位错的滑移行为 |
| 5.3.2.1. 八面体晶面和低指数非八面体晶面的位错交滑移 |
| 5.3.2.2. 八面体晶面和高指数非八面体晶面的位错交滑移 |
| 5.4. 分析和讨论 |
| 5.4.1. 电脉冲导致位错非八面体滑移的物理效应 |
| 5.4.1.1. 宏观热效应 |
| 5.4.1.2. 非宏观热效应 |
| 5.4.2. 位错非八面体滑移的起源和特征 |
| 5.4.3. 位错非八面体滑移对材料微观结构演化的影响 |
| 5.5. 本章小结 |
| 第六章 全文总结 |
| 6.1. 主要结论 |
| 6.2. 主要创新点 |
| 6.3. 课题研究的展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间论文发表情况 |
| 致谢 |
四、A NEW METHOD FOR OBTAINING LARGE ANGLE CONVERGENT BEAM ELECTRON DIFFRACTION（论文参考文献）
- [1]大角度会聚束电子衍射的新方法[J]. 冯国光. 物理学报, 1984(09)
- [2]层状纳米材料莫尔结构与相变的电子显微学研究[D]. 宋晨之. 中国科学院大学(中国科学院物理研究所), 2019(01)
- [3]金属基复合材料残余应力测量的新方法[J]. 梅志,顾明元,吴人洁. 宇航材料工艺, 1996(06)
- [4]一种新的大角度会聚束电子衍射方法[J]. 冯国光. 科学通报, 1984(15)
- [5]扫描透射电镜中玻姆量子轨迹的计算模拟[D]. 张敏. 中国科学技术大学, 2015(09)
- [6]各向异性材料中的电子能量损失理论及其应用[D]. 孙岳魁. 清华大学, 2005(08)
- [7]定量三维电子显微术及三维电子衍射[J]. 邹晓冬,万威,HOVMLLER Sven. 电子显微学报, 2010(03)
- [8]会聚束电子衍射中晶带轴和±G暗场图像的同时观察[J]. Michiyoshi Tanaka,Masami Terauch,王德荣. 世界地质, 1989(02)
- [9]纳米材料的表界面结构调控及其动态过程的原位研究[D]. 张秋波. 东南大学, 2019(03)
- [10]电脉冲对变形纯铝微观结构的影响及其作用机理[D]. 李威. 上海交通大学, 2016(03)