一、用测量单晶硅正电子寿命谱来确定最佳的FWHM的方法（论文文献综述）
沈洋[1]（2019）在《金刚石薄膜及异质结的生长与性质研究》文中研究表明金刚石材料因其具有较宽的带隙、高载流子迁移率以及高击穿电压等优异的性能,被科学家誉为“终极半导体材料”,广泛地应用于高功率器件、辐射探测器及日盲紫外探测器等领域。另一方面,随着量子调控技术的不断发展,基于金刚石氮空位色心（Nitrogen-vacancy center,NV center）的固态单光子源,由于在室温下具有稳定性好、退相干时间长、量子态可读取等特性,将其与光学微腔或其他高品质因子的半导体微纳结构形成复合耦合系统后,可以建造更高品质的量子密钥分配系统,因此已成为固态量子信息研究领域的研究热点。同时,将P型金刚石薄膜与其他n型宽禁带半导体结合构成异质pn结,在高温及高功率电子器件领域的应用也具有较高的研究价值。本论文主要以实验合成为主,辅之以基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了不同生长参数对金刚石薄膜外延质量的影响、不同浓度的氮气以及氧气对金刚石NV色心的调控规律、大尺寸ZnO基纳米金刚石的制备与表征以及一维纳米ZnO/碳纳米管（CNT）核壳结构的电学与光学性质等。研究成果主要包括:1.采用微波等离子体化学气相沉积方法成功合成出高质量的多晶金刚石薄膜。综合多种材料表征手段分析了不同甲烷浓度、不同微波功率以及是否添加氧气对金刚石薄膜质量的影响,结果显示:甲烷浓度的增高,导致金刚石膜的沉积速率增加,而薄膜的质量却随之降低;同时,金刚石薄膜的生长晶向也发生明显转变;微波输出功率的增大有利于金刚石膜沉积速率的增加,同时薄膜质量也有所提升;另外,在沉积金刚石膜的过程中添加一定的氧气也有利于金刚石薄膜质量的提升。2.制备了高质量的同质外延单晶金刚石薄膜,并研究了不同浓度的硼掺杂和氮掺杂对金刚石薄膜生长速率、生长质量和表面形貌的影响。研究表明:低浓度的甲烷有利于高质量单晶金刚石的形成;高浓度的硼对金刚石薄膜的生长具有抑制作用,同时金刚石表面出现了与硼等离子体相关的刻蚀坑;而氮引起生长速率的增加是通过增强表面H的脱附从而使表面获得有效激活导致的,随着氮浓度的增加,金刚石薄膜表面的“台阶”宽度逐渐变小。3.研究了不同浓度的氮气对金刚石薄膜中近表面NV色心发光强度以及分布的调控作用。结果表明,不同氮浓度下NV-强度的变化是两种原因竞争下的综合结果:一是由于NV色心的形成导致的光致发光强度的增强,另外一种是由于金刚石膜晶体质量下降从而引起的光致发光强度的猝灭;氮浓度的增加有利于金刚石NV色心发光强度的增强,但同时也导致NV色心的分布产生明显的聚集现象;快速振镜共聚焦测试系统显示金刚石NV色心的发光区域主要聚集在其生长的“台阶”附近,且在台阶边缘处发光强度达到峰值。4.针对高浓度的氮气使得金刚石NV色心出现发光分布聚集的现象,开展了氧气对金刚石NV色心的调控研究。研究发现,氧气的引入会对金刚石NV色心的发光强度与分布具有明显的调控作用;低氧浓度使薄膜质量得到明显提升,因而促进了金刚石NV色心的形成;而在高氧浓度条件下,薄膜质量明显下降,氧优先刻蚀了由于氮催化作用形成的“小台阶”,因而抑制了部分NV色心的发光,导致NV色心整体的发光强度大大降低、分布更加离散;结合体系形成能的计算结果,说明了氧原子在金刚石NV色心体系中主要以间隙或替位的方式存在;并且随着氧浓度增加,形成能先降低后升高,从微观原子角度解释了不同氧浓度对金刚石NV色心形成的作用。通过氧气对金刚石NV色心强度以及空间分布的调控,后续再结合电子束光刻工艺等,可为设计强度可控、空间分布稳定的室温单光子源提供一个可选择的技术手段。5.p型金刚石与n型ZnO复合异质结器件是一种理想的电注入器件,同时金刚石的高热导率可以为解决ZnO等宽禁带半导体的自加热问题提供一种可行的解决方法。但在金刚石薄膜生长过程中,氢等离子体会对ZnO基底产生极强的刻蚀作用。针对该问题,提出利用两步生长法,先在ZnO衬底上覆盖一层薄的硅插入层,再进行MPCVD纳米金刚石膜的生长。研究显示,硅插入层可以有效缓解金刚石薄膜生长过程中等离子氢的刻蚀作用,并且在H2/CH4等离子体中硅薄膜会首先形成一层薄SiC层,该层又充当了后续纳米金刚石薄膜生长的成核层。该研究可以为后续大尺寸ZnO或GaN基金刚石异质结的生长以及器件的制备提供一种可行的技术参考。6.针对ZnO与碳基异质结器件的光电性能,采用基于密度泛函的第一性原理计算方法,开展了一维纳米ZnO@CNT核壳结构的电学与光学性质的研究。分别构建了金属型和半导体型CNT与纳米ZnO核壳结构体系,重点分析了不同CNT尺寸以及外加应力对金属型CNT@ZnO核壳结构稳定性以及电学性能的影响。研究发现,当手性指数n=m=9时,CNT@ZnO核壳结构形成能最低,结构最为稳定;复合之后,CNT与ZnO通过弱的范德华力结合,整体能带结构显示金属特性,而内部ZnO保持宽禁带的本质;随着外加应力的增大,复合体系Dirac点上移至导带,同时,内部ZnO的导带底也逐步降低,而其价带顶保持不变,导致ZnO带隙变窄,从而可实现对ZnO纳米结构电学性能的调节。该研究可以为后续纳米器件的应用以及设计新型功能性纳米器件提供一些激励性的想法。
谷冰川[2]（2019）在《正电子湮没寿命谱中的新分析方法、脉冲束技术和应用》文中研究说明现代材料科学领域的研究常常围绕着三个重要问题,材料的物理化学性质,材料的微观结构和材料的制备合成。其中材料的微观结构决定了它的宏观特性,多年以来,人们付出了诸多努力来探寻和理解材料结构与其性质之间的关联,并发展出了各种探测材料微观结构的工具和方法。在材料的众多类型微观结构中,缺陷一直扮演着非常重要的角色。比如在半导体等材料当中,即便是含量很少的原子级缺陷都可能对样品的电学、光学性质产生重大影响,因此对于材料内部缺陷的表征就显得尤为重要。而正电子,作为电子的反粒子,由于其会被缺陷所捕获并与周围电子发生湮没,湮没光子携带了内部电子的能量、动量、位置及缺陷状态等信息,是探测材料缺陷的敏感探针之一。从20世纪50年代最早的正电子湮没谱测量到今天,正电子湮没谱学技术发展出了各种测量和表征材料微结构的手段和分析方法,已经成为表征材料中原子级缺陷的最有力的工具之一。然而随着人们在物质科学领域的探索逐渐深入,研究的微观尺度不断缩小,对于表征方法的要求也越来越高。人们希望可以更精确地表征小如原子级尺度的缺陷;对于薄膜样品,希望能够得到更加定量描述参数,如正电子的湮没寿命。这对于拥有数十年发展历史的正电子湮没谱学来说依然是挑战。寿命谱是正电子湮没谱学中最为常用的技术,本文将立足于寿命谱的分析,技术,和应用三个方向,尝试解决正电子湮没寿命谱在当今应用中的一些困难和瓶颈问题,旨在令正电子湮没技术的分析更加精确,适用的范围更加广泛,在物质科学的研究中有更广阔的应用。本论文从发展新型的正电子湮没寿命分析方法、建立脉冲慢正电子束流和正电子应用于热电材料三个方面开展研究工作。主要研究内容如下:（1）在寿命谱的分析方面,我们独立开发了一个基于CosmoMC软件包,利用MCMCI-BI方法的解谱程序,用来分析正电子湮没寿命谱。该程序可以直接应用于寿命谱的解谱,并给出更可靠的和更具鲁棒性的全局最优解,结果几乎独立于参数初始猜想。我们用模拟的理论寿命谱和实验的标准样品检验了程序的可靠性,其结果的准确度与常规解谱软件LTv9达到了同一水平。另一方面,此方法给出了更多丰富的信息如参数后验概率分布和可信区间等等,避免了全局最优解的丢失。我们还仔细分析了各个参数之间相关性等更精细的结果。与采用类似算法的PAScual程序相比,此方法准确性更高,参数的后验概率分布的计算更可信。（2）在慢正电子技术发展方面,我们自行设计和搭建了脉冲慢正电子束装置。其中包括直流慢正电子产生部分RGM和用于将束流脉冲化的时间调制部分。利用G4beamine软件的模拟,得到了两种斩波器和两个聚束器在不同参数下的工作情况,以及他们之间协同工作时所需要的电压,相位关系等参数信息。在实际测量当中我们发现偏转式斩波器的通过率过低,所以最终选择反射式斩波器。搭建并调试了包括斩波器预聚束和主聚束器在内的束流脉冲化系统和时间测量系统,得到了时间分辨为650 ps,束斑直径约10 mm的脉冲化束流,峰底比约400:1。（3）在正电子的应用方面,我们将寿命谱应用于热电材料的表征当中,通过固相反应法合成了 Cu1-xAg1-ySe（x=0,0.2,0.4;y=0,0.2）。XRD 图谱,SEM照片和DSC曲线显示理想比例的CuAgSe样品是纯相,Ag缺乏的样品(CuAg0.98Se)接近纯相,其他Cu缺乏的样品有明显杂相。正电子湮没寿命谱证明了不仅在Ag缺乏的样品中存在Ag空位,在Cu缺乏的样品中也由于形成了Ag2Se杂相也存在Ag空位,导致第二寿命强度上升。在室温下,元素缺乏的样品(Cu0.98AgSe,CuAg0.98Se,Cu0.98Ag0.98Se 和 Cu0.96AgSe)的热电性质和理想比例的CuAgSe相近。当温度升高时,由于Cu空位和Ag空位提供了更多空穴,导致p型载流子占据主导地位,材料发生n-p转变,S的绝对值迅速降低。S的变化主导了样品的ZT值变化,元素缺乏样品的ZT会随温度的升高迅速降低,直至400 K左右时降低至0。但理想比例的CuAgSe样品并未发现S的大幅波动,由室温到450 K,ZT有从0.4-0.5的小幅上升。我们的实验明确了 CuAgSe基化合物中Ag缺陷和Cu缺陷的存在主导了材料在βα相变温度之前的n-p转变,厘清了其缺陷与热电性质的内在联系,直接证明了 CuAgSe基化合物中的缺陷是影响其ZT值的最重要的因素。
杜可[3]（2019）在《有序介孔In2O3的合成及其热电性能的研究》文中研究指明目前,全球每年的能源消耗大约为4.1×1020 J。并且到本世纪末,预计经济增长和人口总数将超过全世界能源消耗速度的三倍左右。当今世界,人们使用的主要能源仍旧是化石能源,但化石能源属于不可再生资源,目前已经勘测的能源已所剩无几。除此之外,由于化石能源的使用,使得全球化的环境问题变得愈发严俊。毋庸置疑,能源危机和环境恶化将会是本世纪全球需要关注的两大难题。热电材料的出现有望解决以上难题,热电材料可以直接将热能转换为电能,并且不会造成环境污染,是一种较为理想的绿色能源材料,有望减轻全球能源危机。此外,光电转换器件只对太阳能中的短波长部分敏感,而热电转换技术不仅可以将太阳能中短波长部分转换成电能,对中长波段同样可以实现转换,增加了太阳能的利用效率。所以,近几年热电转换材料由于其优异的热电转换性能吸引了大量研究者的关注。热电效应是基于三种重要的输运现象,分别为:塞贝克（Seebeck）效应、汤姆逊（Thomson）效应和帕尔贴（Peltier）效应。利用塞贝克效应我们能将热能转换为电能,而热电制冷我们可以通过帕尔贴效应来实现。热电材料的能量转换效率采用无量纲性能优值（ZT=（S2?T）/?）进行评价,ZT值与材料的塞贝克系数（S）、电导率（?）及热导率（?）相关。由于热电材料属于半导体材料,所以电子热导率的贡献较小。因此,进一步提高ZT的有效途径是增强声子的散射从而实现晶格热导率的降低。近年来有专家指出,改善热电性能的最佳途径是通过一些实验手段调控热电材料的微观结构。多孔热电材料就是将热电材料制备成孔洞结构,这种结构可极大的降低材料的热导率,从而提高材料的热电转换效率。本论文利用硬模板法制备出了两种不同孔径大小的In2O3热电材料。制备过程分为两步:首先制备了两种不同孔径大小的介孔SiO2（KIT-6）。通过水热法以,TEOS(C8H20O4Si)作为硅源,P123（EO20-PO70-EO20）作为结构导向剂合成了介孔KIT-6。孔径的大小通过水热温度调节。本论文中我们选用50℃和100℃两个温度,在这两个温度下制备出不同孔径大小的模板。高分辨率透射电镜（HRTEM）、小角X射线衍射（SAXRD）、氮气吸附/脱附、正电子湮没寿命谱测试均表明合成的样品中存在有序的介孔结构。HRTEM图像和SAXRD表明,KIT-6模板由大量具有立方Ia3d对称性的双连续有序介孔结构组成。并且当水热温度从50℃变到100℃时,孔洞结构变得更加有序,孔径和孔容都随之增加。50℃-KIT-6和100℃-KIT-6样品的单点BET（P/P0=0.2）比表面积分别为683m2g-1and 723 m2g-1,孔体积最高分别可达到0.4 cm3g-11 and 0.8 cm3g-1。利用上面合成的KIT-6为模板,进一步合成了两种不同孔径大小的介孔In2O3（分别命名为50℃-In2O3和100℃-In2O3）。小角SAXRD和HRTEM测试结果均表明合成的In2O3中存在有序的孔洞结构。样品的氮气吸附/脱附测试结果表明两种In2O3样品的孔径尺寸分别为11 nm和9 nm。正电子湮没寿命谱测试结果也表明In2O3样品中存在微孔和介孔,并且100℃-In2O3样品的孔径比50℃-In2O3样品的孔径小。样品50℃-In2O3和100℃-In2O3的孔隙率分别为44%和40%。为了对比研究,我们将商业化的纳米In2O3（30 nm,纯度>99.9%）进行等离子烧结（SPS）并测量其热电性能。等离子的烧结温度分别为600℃、800℃和900℃,压强为80 MPa,时间为五分钟,对应的样品命名为SPS-600、SPS-800和SPS-900。介孔样品与SPS-900样品相比,热导率低了一个数量级。对于100℃-In2O3样品,在室温25℃时,其热导率低至0.58 Wm-1K-1。此外,介孔样品的电导率由于孔洞结构的存在比经SPS处理过的In2O3纳米晶体低,但是塞贝克系数增加了。由于ZT值与电导率和塞贝克的平方的乘积成正比,所以塞贝克系数的增加部分的补偿了电导率的降低对ZT值的影响。样品的ZT值在300℃时达到0.08,是未引入孔洞结构的样品的三倍。我们的研究结果强烈表明,孔结构的构建是降低In2O3的热导率,从而提高热电性能的有效途径。
侯克玉[4]（2011）在《缺陷结构与石墨铁磁性的关联性研究》文中提出石墨的铁磁有序已经研究了很长一段时间,而且已经有大量的文献指出石墨的铁磁性是石墨的本质特性,与石墨的缺陷有关。但是在石墨中存在的缺陷类型有很多,到底哪一种缺陷使得石墨产生了磁性呢?近年来,有大量的文献指出通过离子注入的方式在石墨中产生的空位缺陷、间隙原子缺陷和空位吸附H等缺陷会具有净余磁矩,从而使得石墨具有铁磁性。我们都知道离子注入方式使得石墨产生了具有净余磁矩的缺陷,但是同时它也会导致石墨内部结构发生变化,到底是何种结构变化和石墨的铁磁性具有直接关系呢?一直也没有一个很好的解释。所以本文从实验上用原位XRD测量方法和测量拉曼光谱方法来分析离子注入后石墨内部结构的变化情况,然后用近边X射线吸收谱方法研究离子注入后石墨内部化学结构的变化。我们主要采用12C+注入高定向热解石墨（HOPG）使石墨具有空位缺陷和间隙原子缺陷,从而使石墨具有磁性。采用超导量子干涉仪装置测量石墨在注入前后的室温磁性变化,发现12C+注入可以调节石墨铁磁性。当注入剂量≤2×1015cm-2时,石墨的铁磁性随着注入剂量增加而增强,注入在缺陷层增加最大铁磁饱和磁矩可以达到9.3emu/g;如果注入剂量超过2×1015cm-2,石墨磁性随着注入剂量增加而减弱,主要是因为此时石墨内部变成无序结构,破坏了石墨缺陷磁矩之间的耦合作用。所以石墨铁磁有序确实与缺陷有关,通过适当调节注入剂量可以调节石墨注入层的缺陷浓度,使石墨缺陷磁矩间的耦合作用增强,从而增强石墨的铁磁性。注入的离子及形成的缺陷在表面缺陷层的分布是属于高斯分布,在平均阻止深度里的缺陷和离子是最多的。所以我们采用多次不同能量注入的方法,使石墨的缺陷层的缺陷密度尽量均匀分布,发现石墨的铁磁还能再次继续增加。因此石墨的铁磁性与缺陷有关,通过改变离子注入能量和离子注入剂量能有效调控石墨铁磁有序。根据我们的研究得知,碳离子注入高定向热解石墨后引起的空位缺陷是使石墨产生磁性的主要原因,而在200℃退火一小时后,发现空位缺陷明显减少使得磁性消失。既然碳离子注入产生了空位缺陷,那么它肯定也会引起石墨内部结构的变化,所以我们用原位XRD测量方法研究了石墨内部结构的变化与石墨磁性变化的系。实验表明在离子注入后的样品谱线（002）峰附近发现有其他的峰形成,说明原子相互作用减弱,从而使得缺陷形成,导致层间距变大。伴随着退火过程,（002）主峰旁边的其它小峰逐渐消失,而经过200℃退火后主峰附近的其它小峰全部消失。而后我们又分别测量了在不同温度下的XRD图谱,发现随着温度的升高衍射峰的峰位角在逐渐的减小,可见石墨产生了缺陷从而使得层间距在逐渐的增大。我们在不同能量多次注入中我们发现在开始的注入过程中随着注入的增多石墨的铁磁性在逐渐的变强,而当注入量过大时,也就是超过2×1015cm-2的时候,石墨的铁磁性又开始变小。我们分别测量了几步注入后样品的拉曼光谱,企图找到石墨磁性变化与石墨内部结构的变化的关系。通过测量我们发现,在注入量过大时,在～1140 cm-1处会观察到一个峰,说明石墨的六环结构开始遭到破坏,也预示着高有序石墨开始向无序结构变化。
欧宏炜[5]（2009）在《金属氧化物功能材料奇异电子结构的高分辨角分辨光电子能谱研究》文中研究说明强关联电子材料，特别是金属氧化物材料，因具有多自由度竞争（电荷、自旋、轨道、晶格等）和低维性，呈现出丰富多彩的物理性质和物质形态（例如，高温超导，巨热电势效应等），以及潜在的巨大应用价值，不仅成为凝聚态物理学界最热门的研究课题，更得到工业界的广泛关注。近年来，随着研究的不断深入，新型非常规高温超导体和更高热电系数材料的不断出现，金属氧化物功能材料引起越来越广泛的兴趣，促进了物理、化学、材料学等多个学科科学家间的紧密合作。目前，同步辐射技术与实验仪器的不断进步，为研究各种新型材料提供了强大的实验工具，并已有效地应用于研究新型电子材料的电子结构、相变和各种有序现象、小尺度结构和微量分析等方面。其中，角分辨光电子能谱作为目前唯一可以同时测量固体中费米能级附近电子能带结构、价电子的能量、运动方向和散射性质的实验手段，被广泛的应用于研究各种关联电子材料的电子结构、相变及其中的各种有序现象。本文介绍了利用高分辨角分辨光电子能谱技术对具有高热电系数的不匹配层状结构氧化物和三角晶格钴氧化合物，以及新发现的铁基高温超导体等材料的电子结构进行系统的研究，得到了以下结果：1．结合同步辐射技术，利用高分辨角分辨光电子能谱对具有巨热电系数的不匹配层状结构氧化物材料Bi2Ba1.3K0.6Co2.1O7.94（BBKCO）的电子结构进行了细致的研究，揭示了在巨大应变存在下氧化物界面的电子结构。BBKCO的结构是由交替堆叠的岩盐结构[BiO／BaO]层和六角的[CoO2]层构成，我们发现不同氧化物层的低能电子态被分别局限在界面两边的各自层内，但是仍然会受到另一边的非公度晶体场的散射作用。并且，由于岩盐层[BiO／BaO]巨大应力的存在，而导致产生大的电荷转移到邻近的[CoO2]层。此外，我们还发现另一个奇异的性质，就是由于界面效应而被增强的电子-声子相互作用。我们的工作为理解氧化物界面上的物理问题提供了电子结构基础，并且也为将来设计氧化物电子学器件提供了重要的指导意义。2．利用高分辨角分辨光电子能谱技术对不同掺杂三角晶格钴氧化合物AxCoO2（A=Na，K）的电子结构进行了系统研究。这类材料不仅具有较高的热电系数，其中NaxCoO2还是非常规超导体NaxCoO2·yH2O的母体材料，因此研究AxCoO2的电子结构及费米面的拓扑结构对解释其超导机理及热电性能有着重要的辅助作用。我们通过对不同掺杂样品的测量比较，得到了母体材料AxCoO2细致的能带结构、准粒子散射率及费米面拓扑结构等信息，加深了对这类钴氧化合物及其超导样品的理解。3．对新型铁基高温超导体SmO1-xFxFeAs的电子结构进行了角积分光电子能谱研究。我们通过研究1111系铁基超导体SmO1-xFxFeAs费米面附近的态密度随着温度变化而发生的演化，发现随着温度降低，在所有掺杂样品中都存在明显的态密度压制，并且观察到了两个特征能量尺度——10meV和80meV。但是，这两个能量尺度并不随着掺杂变化而发生变化，存在于所有掺杂样品中。对于10meV能量尺度的态密度压制，我们认为是由于反常的不随掺杂变化的正常态赝能隙导致的，当进入超导态时，它将演变为超导能隙；而对于80meV的压制，我们提醒指出，这可能是由于多晶样品中的杂质因素导致的。我们的工作在铁基超导体发现早期，首先对该类样品进行了系统细致的光电子能谱研究，为后续研究提供了很好的参考作用。4．利用高分辨角分辨光电子能谱技术对新型铁基超导体BaFe2-xNixAs2（x=0.1，0.16，0.2）单晶样品的电子结构进行了系统研究。我们的结果显示，作为122系铁基超导体母体材料的BaFe2As2的Fe位原子被同样带有磁性的Ni原子替代，这三种掺杂样中均不存在SDW而仅是超导现象，表现在能带结构上，就是随着Ni掺杂增加，能带仅表现出刚带模型的特点——费米能级的提高以及对应的能带向下推移，没有出现具有SDW转变特征的的能带劈裂及折叠现象，提供了一个简单清晰的能带结构图像，为研究其它铁基高温超导体的电子结构提供了参考意义。
王宇鑫[6]（2008）在《硅基半导体中微观缺陷和电子结构对材料光电性能的影响》文中指出本文用正电子湮没技术研究了正电子辐照、光照射以及低温热处理对单晶硅太阳电池的微观缺陷和输出特性的影响。采用电子陶瓷工艺,在不同的烧结温度下制备了多孔二氧化硅陶瓷,用正电子湮没寿命谱和多普勒展宽谱对其微观缺陷和结构进行研究。实验结果表明:（1）采用正电子湮没辐射作为光源时,太阳电池无电流和电压输出,正电子辐照前后太阳能电池样品的I-U特性曲线基本重合。正电子对样品的辐照损伤有限,不改变太阳能电池的伏安输出特性。（2）单晶硅太阳电池的光电转换效率随光照时间的增加而呈总体下降的态势,且下降一定程度后转换效率基本不变。经历150℃和200℃热处理之后,效率衰减可以回复,在200℃下热处理回复程度更好。（3）太阳电池样品在经历12小时的长时间灯光辐照过程中,转换效率逐渐下降,然后达到一个稳定的值。样品被灯光辐照后,其商谱的峰高下降,峰位对应的动量增大。在经历200℃左右热处理之后,效率衰减又可以回复。对应的商谱峰高上升,但仍低于原来的峰高,峰值对应的动量减小。（4）辐照后电池样品中的硼氧复合体缺陷回复速率与热处理温度有关,热处理温度越高,缺陷回复的程度越高,缺陷中的氧含量越低。对应的商谱谱峰中,150℃热处理的太阳电池样品商谱峰的峰高较低,峰位对应的电子动量较高。200℃热处理的太阳电池样品商谱的峰高较高,峰位对应的电子动量较低。（5）氧原子中的2p电子动量高于硅原子的3p电子动量,因此,二氧化硅商谱在11.8×10-3m0c处有一个相对较高的峰值。（6）原态二氧化硅微观缺陷较多,孔隙较大,因此其商谱峰值低于二氧化硅晶体的峰值。（7）在低于1000℃下烧结的二氧化硅烧结体,其谱峰峰高随烧结温度的升高而逐渐下降,长寿命τ3的值随烧结温度的升高而上升。（8）在1000℃、1150℃、1250℃下烧结的二氧化硅烧结体,其谱峰峰值随着烧结温度的升高而逐渐升高,寿命参数τ1、τ2和τ3的值随着烧结温度的升高而逐渐下降。（9）在1250℃、1350℃、1500℃下烧结的二氧化硅烧结体发生了晶型转变,其谱峰峰值随着烧结温度的升高而逐渐降低,寿命参数τ1、τ2和τ3的值随着烧结温度的升高而逐渐升高。
楚广[7]（2007）在《ICF用纳米金属铜、银和铝材料的制备、微结构表征和性能研究》文中研究表明采用自悬浮定向流方法制备金属Cu、Ag和Al纳米粉体和真空手套箱技术进行隔绝空气防氧化装料，然后在惰性气体保护下由可控制精密液压机进行冷（高）压和真空温压技术分别制备出相对密度分别为96.7％、98.1％和98.5％左右的纳米Cu、Ag和Al块体材料，对压制过程的工艺技术、纳米晶体材料的微观结构和性能进行了深入系统的研究，得到如下主要结果：（1）采用自悬浮定向流法制备金属Cu纳米粉体。在10％He和90％Ar的混合气流中和在Ar气气流中制备的纳米Cu粒子形貌呈球形、平均粒度分别为45nm左右和60nm；纳米Cu粒子表面Cu和O元素的原子比为94.88：5.12，有少量氧化亚铜和氧化铜的混合物存在，但在其（包括热分析后的残留物）表面中未发现Ar和N元素。（2）在He气和Ar气流中制备的纳米Ag粉的平均粒径分别为15nm和80nm；在He气流中制备的粒径小些，颗粒基本为球形。熔点为959.7℃，比粗晶银的熔点（961.93℃）低2.23℃。（3）在Ar气流中制备的纳米Al粉的平均粒度为50nm的球形金属纳米Al粉，放置半年后含氧量（Wt％）为8.2％。在Ar气流中，新纳米铝粉的熔点为649.7℃。在纳米铝粉中未发现Ar元素存在；而在N2气流中进行热分析后的纳米铝粉残余物中发现有N元素，说明纳米铝粉在热分析的加热过程中与N发生了化学反应。（4）对于冷压法制备金属纳米晶体Cu样品而言，压力对最终样品的密度影响很大，密度随着压力的升高而增大。材料的热稳定性好，晶粒度未退火时为19.9nm，微应变为0.233％。200℃退火三小时后，晶粒长大不明显，约为30.5nm，微应变为0.18％。。正电子湮没测试表明材料中的微观缺陷主要是单空位及空位团，大空隙的含量很少，随着压制压力的增大，材料中的空位团的相对含量增加，单空位减少，微空隙基本不变。（5）冷压法制备金属纳米晶体Cu样品的显微硬度为1.55～1.90GPa，约为常规粗晶Cu材料的3～4倍；电阻率在室温下约为1.56×10-7Ω·m，是粗晶Cu在室温下电阻率(0.167×10-7Ω·m)的9倍。纳米Cu块体材料作靶的激光转换成X射线（Ka线）的转换效率在一激光强度为3×1018W／cm2时，比常规Cu材料高5倍。有较好的应用前景。（6）冷压法制备的金属纳米晶体Al、Ag的样品在室温下显微硬度分别为2.11、1.26GPa。分别是粗晶Al的14倍，粗晶Ag的2.5倍。它们的熔点分别为645.9℃和955.9℃，表现出纳米材料低熔点的特点。室温下纳米晶体Ag的电阻率为1.475×10-7Ω·m，是粗晶银在室温下的电阻率(1.59×10-8Ω·m)的9倍。（7）用真空温压法成功制备了相对密度分别为96.15％、99.66％、97.9％的纳米金属Cu、Ag和Al块体材料，压力增大，延长保压时间，提高压制温度，均有利于其密度的提高。它们的显微硬度分别为3.8GPa、1.2GPa、1.65GPa，是相应普通粗晶材料的8倍、3倍和5倍，体现了纳米金属块体材料的高硬度特性。（8）纳米金属铜块体材料具有较好的热稳定性，在1.5GPa和200℃下压制的样品的平均晶粒度为25.3nm、微应变为0.047％。样品的正电子湮没平均寿命τ为257.07ps，比未抽真空冷压法的（221.70ps）增加36ps。说明真空温压对纳米块体铜的微观结构有影响；其微观缺陷尺寸有所增大。（9）目前，我们制备的纳米晶体材料已经在ICF物理实验中得到初步的应用，本项目获2006年度军队科技进步三等奖。
王丽君,征洋[8]（1991）在《用测量单晶硅正电子寿命谱来确定最佳的FWHM的方法》文中认为本文用高纯单晶硅作为标准样品,利用正电子寿命谱仪测量其寿命谱,用POSITRONFIT-EXTFNDED程序对其进行处理时,用一系列FWHM值作单高斯拟合,得到相应的单晶硅的平均寿命τ及其拟合度Q,取拟合度Q最小且τ也最接近标准寿命所输入的 FWHM作为最佳的数值。此法确定的 FWHM=220ps,以及用 RESOLUTION程序得到 FWHM=219ps,两者十分符合。
二、用测量单晶硅正电子寿命谱来确定最佳的FWHM的方法（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、用测量单晶硅正电子寿命谱来确定最佳的FWHM的方法（论文提纲范文）
（1）金刚石薄膜及异质结的生长与性质研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 金刚石的结构、性质及应用前景 |
| 1.2.1 金刚石的晶体结构 |
| 1.2.2 金刚石的性质以及应用前景 |
| 1.3 人工合成金刚石的历史 |
| 1.4 金刚石薄膜的制备方法及生长机理 |
| 1.4.1 高温高压(HPHT)法 |
| 1.4.2 化学气相沉积(CVD)法 |
| 1.4.3 CVD金刚石的生长机理与生长模式 |
| 1.5 金刚石NV色心的性质及应用简介 |
| 1.5.1 NV色心在磁场探测领域的应用 |
| 1.5.2 NV色心在温度探测领域的应用 |
| 1.5.3 NV色心在自旋探测领域的应用 |
| 1.6 论文主要工作及结构安排 |
| 1.7 本章参考文献 |
| 第二章 实验装置与材料表征方法 |
| 2.1 实验装置 |
| 2.2 材料表征方法 |
| 2.2.1 激光拉曼光谱(Raman) |
| 2.2.2 光致发光光谱(PL) |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) |
| 2.2.4 光学显微镜(OM) |
| 2.2.5 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.2.6 X射线衍射谱(XRD) |
| 2.2.7 共聚焦荧光扫描显微镜(Confocal scanning microscope) |
| 2.3 本章小结 |
| 2.4 本章参考文献 |
| 第三章 CVD多晶金刚石薄膜外延生长的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 衬底预处理 |
| 3.3 工艺参数对金刚石薄膜外延生长的影响 |
| 3.3.1 甲烷浓度对金刚石薄膜生长的影响 |
| 3.3.2 微波功率对金刚石薄膜生长的影响 |
| 3.3.3 添加氧气对金刚石薄膜生长的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 3.5 本章参考文献 |
| 第四章 金刚石薄膜的同质外延生长与掺杂 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 金刚石薄膜的同质外延生长研究 |
| 4.3 金刚石薄膜的硼掺杂研究 |
| 4.4 金刚石薄膜的氮掺杂研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 4.6 本章参考文献 |
| 第五章 CVD单晶金刚石的NV色心调控研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 氮气浓度对金刚石NV色心的影响研究 |
| 5.3 氧气浓度对金刚石NV色心影响的研究 |
| 5.3.1 不同氧浓度金刚石样品的制备 |
| 5.3.2 实验结果与分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 5.5 本章参考文献 |
| 第六章 氧化锌/纳米金刚石异质结的制备与表征 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 样品制备 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 Al_2O_3/ZnO异质外延薄膜的生长与质量表征 |
| 6.3.2 Al_2O_3/ZnO/Si薄膜的生长与质量表征 |
| 6.3.3 Al_2O_3/ZnO/Si/NCD薄膜的生长与质量表征 |
| 6.4 本章小结 |
| 6.5 本章参考文献 |
| 第七章 碳纳米管/纳米氧化锌异质结光学与电学性能研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 计算方法与计算模型 |
| 7.3 计算结果与讨论 |
| 7.3.1 ZnO@(9,9)CNT复合结构形成能 |
| 7.3.2 ZnO@(9,9)CNT复合结构能带结构和态密度 |
| 7.3.3 ZnO@(9,9)CNT复合结构光学吸收谱 |
| 7.4 半导体型CNT包裹纳米氧化锌电学与光学性能研究 |
| 7.4.1 计算方法与计算模型 |
| 7.4.2 半导体型CNT包裹纳米氧化锌的电子结构 |
| 7.4.3 半导体型CNT包裹纳米氧化锌的光学吸收谱 |
| 7.5 本章小结 |
| 7.6 本章参考文献 |
| 第八章 总结与展望 |
| 8.1 论文工作总结 |
| 8.2 研究展望 |
| 致谢 |
| 博士期间研究成果 |
（2）正电子湮没寿命谱中的新分析方法、脉冲束技术和应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 本文的主要结构 |
| 1.3 本文在以下几个方面有所创新 |
| 第2章 研究方法与背景 |
| 2.1 正电子研究的基础理论 |
| 2.1.1 正电的发现 |
| 2.1.2 正电子谱学的发展 |
| 2.1.3 正电子与物质的相互作用 |
| 2.1.4 电子-正电子的二分量密度泛函理论 |
| 2.2 正电子湮没实验技术 |
| 2.2.1 正电子源 |
| 2.2.2 正电子湮没寿命谱 |
| 2.2.3 正电子多普勒展宽谱 |
| 2.2.4 湮没辐射角关联谱 |
| 2.2.5 慢正电子束技术 |
| 参考文献 |
| 第3章 正电子湮没寿命谱的精确分析新方法 |
| 3.1 研究的意义和背景 |
| 3.1.1 正电子湮没寿命解谱及常用方法简介 |
| 3.1.2 目前常用解谱方法存在的问题 |
| 3.2 理论模型 |
| 3.2.1 贝叶斯推断 |
| 3.2.2 参数估计方法 |
| 3.2.3 马尔可夫链蒙特卡罗 |
| 3.2.4 CosmoMC简介 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 模拟寿命谱的结果 |
| 3.3.2 应用于真实寿命谱的结果 |
| 3.3.3 解谱中输入参数对结果的影响 |
| 3.4 程序可用性 |
| 3.4.1 程序的使用 |
| 3.4.2 抽样与计算效率 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 脉冲慢正电子束的搭建和测试 |
| 4.1 脉冲慢正电子束简介 |
| 4.2 总体设计 |
| 4.3 慢正电子束 |
| 4.4 时间聚焦 |
| 4.4.1 斩波器 |
| 4.4.2 聚束器 |
| 4.5 装配与调试结果 |
| 4.5.1 聚束器安装测试 |
| 4.5.2 束流调试 |
| 4.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 正电子湮没技术对热电材料中缺陷与性质关系的研究 |
| 5.1 热电材料的背景介绍 |
| 5.2 不同化学计量比的CuAgSe化合物的缺陷及热电性质研究 |
| 5.2.1 CuAgSe材料研究背景 |
| 5.2.2 样品制备 |
| 5.2.3 测试与表征 |
| 5.2.4 分析与讨论 |
| 5.2.5 小结 |
| 参考文献 |
| 第6章 总结与展望 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 |
| 致谢 |
（3）有序介孔In2O3的合成及其热电性能的研究（论文提纲范文）
| 论文创新点 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 引言 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 多孔材料概述 |
| 1.1.1 多孔材料简介 |
| 1.1.2 多孔材料制备方法 |
| 1.1.3 多孔材料的应用 |
| 1.2 热电材料概述 |
| 1.2.1 热电效应简介 |
| 1.2.1.1 塞贝克(Seebeck)效应 |
| 1.2.1.2 帕尔贴(Peltier)效应 |
| 1.2.1.3 汤姆逊(Thomson)效应 |
| 1.2.2 热电优值 |
| 1.2.3 影响热电性能的因素 |
| 1.2.4 提高热电材料热电优值的方法 |
| 1.2.4.1 降低尺寸 |
| 1.2.4.2 晶粒细化 |
| 1.2.4.3 引入第二相 |
| 1.3 本文的研究思路和主要内容 |
| 第二章 实验表征方法 |
| 2.1 X射线衍射 |
| 2.2 扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM） |
| 2.3 氮气吸附/脱附 |
| 2.4 正电子湮没谱学(PAS) |
| 2.4.1 正电子谱学基础概述 |
| 2.4.1.1 正电子的发现过程 |
| 2.4.1.2 正电子的产生 |
| 2.4.1.3 正电子的湮没 |
| 2.4.2 电子偶素的形成及湮没 |
| 2.4.3 正电子寿命测量 |
| 2.4.4 正电子寿命谱分析 |
| 2.4.4.1 正电子寿命谱的分立分析方法 |
| 2.4.4.2 正电子寿命谱的连续分布分析方法 |
| 2.4.5 正电子湮没谱学的特点及主要应用领域 |
| 2.4.5.1 正电子湮没谱学的特点 |
| 2.4.5.2 正电子湮没谱学的主要应用领域 |
| 2.5 热重分析(TG/TGA)和差示扫描量热法(DSC) |
| 2.6 密度测试 |
| 2.7 热扩散系数的测试 |
| 2.8 塞贝克系数和电导率测试 |
| 第三章 介孔SiO_2 的合成及结构分析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 介孔SiO_2(KIT-6)的合成 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 小角度X射线衍射结果分析 |
| 3.3.2 氮气吸附/脱附测试结果 |
| 3.3.3 HRTEM结果分析 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 介孔In_2O_3的合成及结构分析 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 介孔In_2O_3的合成 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 广角X射线衍射 |
| 4.3.2 小角X射线衍射 |
| 4.3.3 HRTEM |
| 4.3.4 氮气吸附/脱附测试结果 |
| 4.3.5 正电子湮没寿命谱(PALS) |
| 4.3.6 扫描电子显微镜(SEM) |
| 4.4 小结 |
| 第五章 介孔In_2O_3 和经SPS后 In_2O_3 的热电性能 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验结果与讨论 |
| 5.2.1 电导率和塞贝克系数测试结果 |
| 5.2.2 热导率测试结果 |
| 5.2.3 ZT |
| 5.3 小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 硕士期间科研成果 |
| 致谢 |
（4）缺陷结构与石墨铁磁性的关联性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 符号说明 |
| 第一章:绪言 |
| 1.1 石墨的结构与性质 |
| 1.1.1 石墨的结构 |
| 1.1.2 石墨的性质 |
| 1.2 纯碳材料的铁磁性研究 |
| 1.2.1 纯碳材料室温铁磁性的实验发现和理论研究 |
| 1.2.2 石墨铁磁机理的控讨 |
| 1.3 磁性理论和石墨磁性 |
| 1.3.1 磁性理论 |
| 1.3.2 石墨磁性研究 |
| 1.3.2.1 理论研究 |
| 1.3.2.2 实验研究 |
| 1.4 本论文的研究意义与研究内容 |
| 1.4.1 碳材料铁磁性研究的重要意义 |
| 1.4.2 本论文的主要研究内容和结论 |
| 参考文献 |
| 第二章:主要实验技术与表征手段 |
| 2.1 离子注入实验原理 |
| 2.1.1 离子注入设备简介 |
| 2.1.2 载能离子与固体相互作用理论基础 |
| 2.2 磁性测量技术 |
| 2.3 XRD实验原理 |
| 2.4 拉曼光谱原理 |
| 2.5 X射线近边吸收谱原理 |
| 参考文献 |
| 第三章:石墨铁磁性的XRD研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章:基于拉曼光谱的石墨铁磁性与缺陷的关系研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第五章:石墨铁磁性的X射线近边吸收谱研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.4 氮化硅窗口的制作 |
| 5.5 石墨烯的制备 |
| 5.6 小结 |
| 参考文献 |
| 第六章:总结展望 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的专利及论文 |
| 附:发表专利 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（5）金属氧化物功能材料奇异电子结构的高分辨角分辨光电子能谱研究（论文提纲范文）
| 目录 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 引言 |
| 第一章 实验设备 |
| 1.1 角分辨光电子能谱谱仪技术简介 |
| 1.2 复旦角分辨光电子能谱谱仪系统的搭建和优化 |
| 1.3 实验涉及同步辐射实验装置 |
| 1.4 样品准备和物性测量 |
| 1.5 相关参考文献 |
| 第二章 具有高热电系数的不匹配层状结构金属氧化物Bi_2Ba_(1.3)K_(0.6)Co_(2.1)O_(7.94)的界面电子结构研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验方法 |
| 2.3 试验结果及讨论 |
| 2.4 小结 |
| 2.5 相关参考文献 |
| 第三章 三角晶格钴氧化物A_xCoO_2(A=Na,K)的电子结构研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.3 实验结果及讨论 |
| 3.4 小结 |
| 3.5 相关参考文献 |
| 第四章 新型铁基超导体SmO_(1-x)F_xFeAs的角积分光电子能谱研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.3 实验结果及讨论 |
| 4.4 小结 |
| 4.5 相关参考文献 |
| 第五章 电子型掺杂铁基超导体BaFe_(2-x)Ni_xAs_2的电子结构研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验方法 |
| 5.3 实验结果及讨论 |
| 5.4 小结 |
| 5.5 相关参考文献 |
| 第六章 主要结论 |
| 博士期间论文发表情况 |
| 致谢 |
（6）硅基半导体中微观缺陷和电子结构对材料光电性能的影响（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 太阳能电池的发展历程及现状 |
| 1.2 晶体硅太阳电池材料中的缺陷和杂质 |
| 1.2.1 直拉单晶硅中的位错 |
| 1.2.2 直拉单晶硅中的氧 |
| 1.2.3 直拉单晶硅中的碳杂质 |
| 1.2.4 直拉单晶硅中的氢杂质 |
| 1.2.5 直拉单晶硅中的金属杂质和沉淀 |
| 1.3 单晶硅中光致衰减的研究现状 |
| 1.4 SiO_2陶瓷的烧结 |
| 1.4.1 陶瓷烧结的相关知识 |
| 1.4.2 SiO_2体系相图 |
| 1.5 研究方法、内容和意义 |
| 第二章 正电子湮没技术原理 |
| 2.1 概述 |
| 2.2 正电子学的基本理论 |
| 2.2.1 正电子及正电子湮没 |
| 2.2.2 正电子湮没率和电子密度 |
| 2.2.2.1 均匀电子气系统中的正电子湮没率 |
| 2.2.2.2 非均匀电子系统中的正电子湮没率 |
| 2.3 正电子实验方法 |
| 2.3.1 正电子湮没寿命谱测量 |
| 2.3.2 多普勒展宽能谱测量 |
| 第三章 单晶硅太阳电池 |
| 3.1 太阳能电池的原理 |
| 3.1.1 p-n结的能带结构 |
| 3.1.2 光生伏特效应 |
| 3.2 晶体硅太阳能电池 |
| 3.2.1 晶体硅太阳能电池的结构 |
| 3.2.2 晶体硅太阳能电池的等效电路 |
| 3.2.3 晶体硅太阳电池的相关参数 |
| 3.3 单晶硅太阳电池的制备 |
| 3.3.1 高纯多晶硅的制备 |
| 3.3.2 单晶硅的制备 |
| 3.3.3 硅晶片的加工 |
| 3.3.4 扩散制结 |
| 3.3.5 氮化硅钝化与APCVD淀积TiO_2减反射层 |
| 3.3.6 丝网印刷正背面电极浆料，共烧形成金属接触 |
| 第四章 单晶硅太阳电池效率与缺陷研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.3 实验过程及结果讨论 |
| 4.3.1 单晶硅太阳电池输出特性测试 |
| 4.3.2 单晶硅太阳电池正电子辐照测试 |
| 4.3.3 单晶硅太阳电池灯光辐照测试 |
| 4.3.4 热处理对单晶硅太阳电池转换效率的影响 |
| 4.3.5 灯光辐照-热处理两步处理过程的正电子湮没多普勒展宽谱 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 多孔SiO_2的正电子湮没研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 正电子寿命谱研究 |
| 5.3.2 符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱测试 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 总结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 硕士期间完成论文情况 |
（7）ICF用纳米金属铜、银和铝材料的制备、微结构表征和性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 纳米材料的性质 |
| 1.1.1 纳米材料的概念 |
| 1.1.2 纳米材料的分类 |
| 1.2 纳米材料的应用及前景 |
| 1.2.1 纳米材料在催化剂方面的应用 |
| 1.2.2 纳米材料在陶瓷领域的应用 |
| 1.2.3 纳米材料在微电子学上的应用 |
| 1.2.4 纳米材料在生物工程上的应用 |
| 1.2.5 纳米材料在光电领域的应用 |
| 1.2.6 纳米材料在吸波材料方面的应用 |
| 1.2.7 纳米材料在含能材料方面的应用 |
| 1.2.8 纳米块体材料在航空航天领域方面的应用 |
| 1.2.9 大块纳米晶材料的其它应用 |
| 1.3 国内外纳米金属粉制备技术的研究进展 |
| 1.3.1 气相法 |
| 1.3.2 液相法 |
| 1.3.3 固相法 |
| 1.4 块状纳米材料制备方法研究进展 |
| 1.4.1 惰性气体凝聚原位加压成形法 |
| 1.4.2 机械合金研磨(Mechanical Alloying)结合加压成块法 |
| 1.4.3 非晶晶化法 |
| 1.4.4 电沉积法 |
| 1.4.5 粉末冶金法 |
| 1.4.6 大塑性变形法(SPD) |
| 1.5 块体纳米材料的性能研究进展 |
| 1.5.1 块体纳米材料的力学性能 |
| 1.5.2 纳米晶材料的磁性能 |
| 1.5.3 纳米晶材料的电学性能 |
| 1.5.4 纳米晶材料的热稳定性 |
| 1.5.5 纳米晶材料的其他性能 |
| 1.5.6 块体纳米材料中存在的问题 |
| 1.6 研究目的与主要内容和意义 |
| 1.6.1 研究目的和意义 |
| 1.6.2 主要研究内容 |
| 1.7 研究方法 |
| 第二章 纳米 Cu粉的制备与微结构和性能表征 |
| 2.1 自悬浮定向流法的制备原理 |
| 2.2 实验操作 |
| 2.3 纳米 Cu粉的制备 |
| 2.4 透射电子显微镜(TEM)分析与讨论 |
| 2.5 X射线衍射(XRD)分析与讨论 |
| 2.6 紫外—可见光分光光度计(UV-Vis)分析 |
| 2.7 热分析 |
| 2.8 XPS分析 |
| 2.9 本章小结 |
| 第三章 纳米 Ag粉的微结构和性能表征 |
| 3.1 透射电子显微镜(TEM)分析与讨论 |
| 3.2 X射线衍射(XRD)分析与讨论 |
| 3.3 紫外—可见光分光光度计(UV-Vis)分析 |
| 3.4 能量色散谱(EDAX)分析 |
| 3.5 热分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 纳米 Al粉的结构和性能表征 |
| 4.1 用 TEM研究纳米金属 Al粉的形貌 |
| 4.2 纳米 Al粉的物相分析 |
| 4.3 紫外—可见光分光光度计(UV-Vis)分析 |
| 4.4 热分析 |
| 4.5 XPS分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 自悬浮定向流-冷压法制备金属 Cu纳米块体材料的研究 |
| 5.1 工艺流程及操作条件 |
| 5.1.1 工艺流程 |
| 5.1.2 装料 |
| 5.1.3 压制成型 |
| 5.2 样品密度的影响因素研究 |
| 5.2.1 金属纳米粉体的表面氧化物的影响 |
| 5.2.2 压制方式的影响 |
| 5.2.3 压制压力的影响 |
| 5.2.4 保压时间的影响 |
| 5.3 显微硬度研究 |
| 5.3.1 表面抛光对硬度的影响 |
| 5.3.2 压制工艺条件对硬度的影响 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 正交试验研究 |
| 6.1 正交表的选择 |
| 6.1.1 试验指标 |
| 6.1.2 因素、水平选取 |
| 6.1.3 正交表的选择 |
| 6.2 结果与分析 |
| 6.2.1 极差分析 |
| 6.2.2 方差分析 |
| 6.3 小结 |
| 第七章 纳米 Cu块体材料的X射线衍射与正电子湮没研究 |
| 7.1 X射线衍射分析 |
| 7.2 正电子湮没寿命分析 |
| 7.3 小结 |
| 第八章 纳米金属 Cu靶材的微结构与性能研究 |
| 8.1 纳米金属 Cu靶材的微结构表征 |
| 8.1.1 扫描电镜、场发射扫描电镜(FESEM)和能谱(EDAX)分析与讨论 |
| 8.1.2 透射电子显微镜(TEM)的表征 |
| 8.2 纳米金属 Cu靶材的性能研究 |
| 8.2.1 电阻率 |
| 8.2.2 热分析 |
| 8.3 在 ICF中的应用研究[激光转换成X射线(K_α线)的效率] |
| 8.4 小结 |
| 第九章 纳米金属 Ag和 Al块体材料的初步研究 |
| 9.1 样品的制备 |
| 9.2 微结构和性能初步表征 |
| 9.2.1 X射线衍射(XRD)分析 |
| 9.2.2 场发射扫描电镜(FESEM)分析与讨论 |
| 9.2.3 显微硬度 |
| 9.2.4 热分析 |
| 9.2.5 电阻率 |
| 9.3 小结 |
| 第十章 用真空温压技术制备纳米金属块体材料 |
| 10.1 试验研究 |
| 10.1.1 制粉及装模 |
| 10.1.2 真空室温压制 |
| 10.1.3 真空加温压制 |
| 10.2 结果与分析 |
| 10.2.1 纳米 Cu块体的真空室温压制工艺对密度和硬度的影响 |
| 10.2.2 纳米 Cu块体的真空温压工艺研究 |
| 10.2.3 纳米 Ag块体材料的真空温压工艺研究 |
| 10.2.4 纳米 Al块体材料的真空温压工艺研究 |
| 10.3 本章小结 |
| 第十一章 结论与建议 |
| 11.1 结论 |
| 11.2 建议 |
| 参考文献 |
| 附录1 博士期间发表的文章 |
| 附录2 博士期间参加的科研项目及其获奖情况 |
| 致谢 |
| 附录 |
四、用测量单晶硅正电子寿命谱来确定最佳的FWHM的方法（论文参考文献）
- [1]金刚石薄膜及异质结的生长与性质研究[D]. 沈洋. 南京大学, 2019(11)
- [2]正电子湮没寿命谱中的新分析方法、脉冲束技术和应用[D]. 谷冰川. 中国科学技术大学, 2019(02)
- [3]有序介孔In2O3的合成及其热电性能的研究[D]. 杜可. 武汉大学, 2019(06)
- [4]缺陷结构与石墨铁磁性的关联性研究[D]. 侯克玉. 山东大学, 2011(04)
- [5]金属氧化物功能材料奇异电子结构的高分辨角分辨光电子能谱研究[D]. 欧宏炜. 复旦大学, 2009(11)
- [6]硅基半导体中微观缺陷和电子结构对材料光电性能的影响[D]. 王宇鑫. 广西大学, 2008(01)
- [7]ICF用纳米金属铜、银和铝材料的制备、微结构表征和性能研究[D]. 楚广. 中南大学, 2007(01)
- [8]用测量单晶硅正电子寿命谱来确定最佳的FWHM的方法[J]. 王丽君,征洋. 实验室研究与探索, 1991(04)