一、随意取向Fe单晶Kossel花样简便分析法(论文文献综述)
教育部[1](2020)在《教育部关于印发普通高中课程方案和语文等学科课程标准(2017年版2020年修订)的通知》文中研究表明教材[2020]3号各省、自治区、直辖市教育厅(教委),新疆生产建设兵团教育局:为深入贯彻党的十九届四中全会精神和全国教育大会精神,落实立德树人根本任务,完善中小学课程体系,我部组织对普通高中课程方案和语文等学科课程标准(2017年版)进行了修订。普通高中课程方案以及思想政治、语文、
黄涛[2](2006)在《异步轧制高纯铝箔织构控制的研究》文中研究说明高纯铝箔是制作高压电容器的关键材料,具有立方取向的晶粒在腐蚀过程中形成隧道蚀坑,有利于获得高的比电容,因此高纯铝箔高的立方织构含量,是获得高比电容的前提条件。长期以来材料科学工作者不断地致力于高纯铝箔微取向流变行为的研究,尤其是最近几年在这一领域取得了很大的进展,但这些成果大都是在同步轧制条件下取得的。本文在异步轧制条件下对高纯铝箔微取向流变行为进行了研究,以期获得高的立方织构含量。 本文选用西南铝厂提供的高纯铝板,对其进行不同速比,不同形变量的冷轧,再进行不同工艺制度的退火。采用X射线衍射术测定样品宏观织构,借助透射电子显微镜进行显微组织观察,利用电子背散射衍射技术进行微区织构分析,结合各部分实验结果,讨论了不同工艺参数对异步轧制高纯铝箔织构和显微组织的影响。通过分析高纯铝箔冷轧后退火的再结晶初期,立方取向晶核的形成过程及立方取向晶粒的长大行为,探讨了高纯铝箔立方织构形成的规律,以求更加系统地控制高纯铝箔立方织构的形成和发展。 研究表明:异步轧制与同步轧制的冷轧织构有较大差异。高纯铝箔在异步轧制下慢辊和快辊两侧的织构类型明显不同,尤其是旋转立方织构{001}<110>的含量上的差异更大,快辊侧随形变量的增加冷轧织构主要为S织构{123}<634>和{102}织构;而慢辊侧则主要为C织构{112}<111>和旋转立方织构{001}<110>。在异步轧制下,快、慢速辊侧之间的各中间层的织构类型也各有不同。 退火再结晶织构在快、慢辊侧的差异减小,织构类型趋于一致。 异步轧制参数对冷轧和再结晶织构有显着的影响。在速比1.17或形变量98.7%处,冷轧织构明显变化。形变量为98.7%的样品,在500℃退火2h,立方织构体积分数随速比近线性增加,形变量大于98.7%时,立方织构含量明显降低。 退火温度和保温时间对异步轧制高纯铝箔的立方织构有较大的影响。形变量为96.7%~98.7%的样品,经500℃~600℃保温2h退火,可得强的立方织构。形变量为99.2%的样品,需经600℃保温2h~3h退火,能获得强的立方织构。低温预回复对不同速比、形变量样品有不同的影响,但对形变量99.2%样品影响最显着。经三段式600℃等温退火,促进了速比1.17、形变量99.2%样品立方织构的形成和发展。 异步轧制高纯铝箔在退火过程中,立方织构的形成存在一个阈值温度,该温度与异步轧制速比成反比。 异步轧制的作用可导致剪切带,在剪切带所包括的区域内集中了非常高的局部塑性变形,提高了高纯铝箔的形变储能,可以提供良好的形核和长大条件。立方亚晶优先在C取向形变基体内形核并长大,定向形核机制为主要因素。{001}<110>和{102}
杨传铮[3](1983)在《《1982年全国X射线衍射学术会议》论文摘要及题录》文中研究说明中国金属学会、中国物理学会于1982年12月15~20日在上海宝山宾馆联合召开了《1982年全国 X 射线衍射学术会议》现将会议宣读论文的摘要与书面交流论文的题目刊登于下,以供从事这方面专业的读者参考.
王冠英[4](1984)在《随意取向Fe单晶Kossel花样简便分析法》文中提出 Fe单晶样品用自身特征辐射Fe—Kα拍摄透镜Kossel花样线条较少,而且片状Fe单晶的特定晶面方向在实验上也不易摆准。照片图1上的Kossel花样用以往的分析方法求点阵参数α很难列出严格的解析方程(非近似);然而用虚晶面理,方便地找出两个虚晶面族(6/5 0 12/5)、(12/5 0 6/5)(参见图2),再加上晶面族(101)、(202)共四个联合列出求点阵参数α的非近似联立方程组为:
王冠英[5](1983)在《随意取向Fe单晶Kossel花样简便分析法》文中认为 Fe单晶样品用自身特征辐射Fe—Kα拍摄透镜Kossel花样线条较少,而且片状Fe单晶的特定晶面方向在实验上也不易摆准。照片图1上的Kossel花样用以往的分析方法求点阵参数α很难列出严格的解析方程(非近似);然而用虚晶面理,方便地找出两个虚晶面族(6/5 0 12/5)、(12/5 0 6/5)(参见图2),再加上晶面族(101)、(202)共四个联合列出求点阵参数α的非近似联立方程组为:
翟新生[6](2013)在《异步轧制高压电子铝箔织构演化行为及机制研究》文中研究说明本文以高压电解电容器阳极用高纯铝箔为对象,研究了微量元素含量对织构以及电性能的影响规律及机制,明确了不同微量元素的含量与分布对铝箔织构组成、含量以及电性能的影响规律,对于有效控制织构类型和含量,获得高含量立方织构具有重要意义;针对终轧前有无预备退火处理的高纯铝箔,进行不同速比的张力、无张力冷轧,研究了不同工艺参数对异步轧制高纯铝箔冷轧、再结晶织构的影响规律,探讨了异步轧制工艺参数对高纯铝箔微取向流变行为的作用机制,以期为获得更高的立方织构含量提供依据;针对张力异步轧制高纯铝箔,系统分析了退火过程中冷轧织构与再结晶织构之间的转化关系,探讨了铝箔中立方织构的演化规律,为高纯电子铝箔产品实际生产工艺优化提供理论依据。研究发现,高纯铝箔含有的微量元素(Si、Fe、Cu、Pb、B、Mg、Ti、Mn、 Zn、V、Cr、Ga等)以Fe、Si、Cu和Pb含量较高,其中Fe、Si元素含量显着影响铝箔的电性能,控制Fe、Si含量,可有效提高铝箔的织构和电性能;而Cu和Pb元素含量的变化,对铝箔的织构和电性能无明显影响。微量元素在铝箔表面一定范围内的富集,有利于强织构的形成,而不显着影响成品电性能。微量元素的平均含量以及在表面的富集程度直接控制铝箔织构组成与最终电性能。而微量元素浓度在近表面深度方向上的波动,可导致在腐蚀发孔过程中微量元素的微观作用机制发生改变,影响隧道孔的稳定生长。尤其是表面Fe、Cu等元素浓度梯度的作用不可忽视。高纯铝箔的冷轧织构组成以S、C以及B织构为主。但异步轧制的与同步轧制相比,主要织构的相对含量不同。无张力异步轧制,随着速比的增加,快、慢辊侧S织构与C织构、立方织构与旋转立方织构有相同的变化趋势,高斯织构始终保持在含量较低的水平。张力异步轧制时,快、慢辊各织构的含量随速比的变化不明显,立方织构含量不高,而S织构和C织构的含量增加。以速比1.06异步冷轧软态铝箔,其织构的含量达最高值,经再结晶退火后,其立方织构的含量亦可达到最高值。以速比1.06异步冷轧硬态铝箔,其织构含量高于相同工艺下软态铝箔的含量,经相同的退火工艺处理后,硬态铝箔立方织构的含量仍高于软态铝箔的含量。由此,终道次异步冷轧以硬态铝箔为原料,有利于获得高含量的立方织构,提高铝箔的电性能。研究表明,高纯铝箔终道次异步轧制前的预备退火,可促进最终成品退火时冷轧织构向立方织构的转变,是高纯铝箔获得高含量立方织构的必要的工序。此外,控制终道次异步轧制(速比为1.06)张力,可为最终成品退火时立方取向织构的形核和发展提供更有利的条件。适宜提高退火温度有利于获得高立方织构含量及强度的成品铝箔。但温度过高会有相反影响,本研究推荐异步轧制高纯铝箔最终退火温度以500℃为宜。异步轧制高纯铝箔最终退火过程中,立方织构比其他再结晶织构具有绝对的生长优势。立方取向以平面应变方式发展,可使大多数位错在退火过程中滑移出变形晶体,进而立方取向亚结构的位错密度明显低于其它取向的亚结构,使立方取向亚结构在退火过程中易于形成低缺陷密度的再结晶晶核,而后长大。
翟朝峰[7](2020)在《金刚石/石墨复合纳米薄膜制备及电化学传感研究》文中认为电化学传感器具有灵敏、便携、成本低廉等优点,在保证饮用水安全、预防诊治疾病等关乎生命健康的领域有着重要的应用研究前景。在构建电化学传感器过程中,开发性能优异的电极材料十分关键。金刚石/石墨复合纳米薄膜材料不仅拥有sp3-碳键金刚石和sp2-碳键石墨的综合性质,具有机械性质优异、电化学势窗宽、背景电流低、导电性好,以及电化学活性高等特点,而且拥有通过裁剪结构调控其物理化学性质的能力,在构建高性能电化学传感电极方面拥有广阔潜力。本论文主要以金刚石/石墨复合纳米薄膜为研究对象,开展其生长制备、微观结构分析、生长机制探讨、电化学性质分析,以及电化学传感性能评价的研究。首先,采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,在高衬底温度(>1000℃)和高CH4浓度(≥8%)条件下制备金刚石/石墨(D/G)纳米片复合薄膜,其中D/G纳米片由石墨壳层包裹金刚石核芯结构组成。经过分析,纳米金刚石过渡层中孪晶缺陷横向诱发和石墨包裹层侧面阻止被认为是导致D/G纳米片生长的重要条件。通过调控薄膜微观结构,开发出宽电化学势窗(3.18 V),低背景双电层电容,以及优异电化学活性的非掺杂D/G-8%纳米片复合薄膜电极。分析表明惰性厚金刚石核芯可以明显影响高电化学活性薄石墨壳层棱边上发生的电化学反应,因此其呈现出上述综合金刚石和石墨特点的电化学性质。采用阳极溶出伏安方法检测重金属离子实验表明,D/G-8%传感电极兼具高信噪比和高灵敏度,在单独和同时检测Zn(Ⅱ)、Cd(Ⅱ)、Pb(Ⅱ)、Cu(Ⅱ)时均表现出低的检出限(<10μg·L-1),满足饮用水中重金属标准限值的有关规定。其次,采用MPCVD技术,利用突出样品台制备新型金刚石/碳纳米墙(D/C)复合薄膜,该薄膜由金刚石纳米片和湍流石墨相构成的碳纳米墙(CNWs)相互交错组成。经过分析,金刚石纳米片优先生长和衬底表面等离子体密度增加相互耦合被认为是CNWs在金刚石纳米片两侧萌生的重要原因。通过在D/C复合薄膜上负载CuO构建了 CuO@D/C传感电极,该传感电极在检测葡萄糖实验中呈现出高灵敏度(1650μA·cm-2·mM-1)、低定量限(0.5×10-6M)、良好的长期稳定性,以及优异的回收率(94.21%~104.18%),对预防诊治糖尿病具有重要意义。上述优异性能是高效换能单元—D/C复合结构和高活性生物识别单元—CuO纳米颗粒协同作用的结果。最后,开发了氢等离子体处理转化D/C复合结构来构筑多孔金刚石纳米结构的方法。在处理过程中,原子氢能够将CNWs中sp2-键碳转化为sp3-键碳并生长在金刚石纳米片两侧,使得金刚石纳米片增厚并交错连接成为多孔金刚石纳米结构。上述方法简单高效,将推动多孔金刚石纳米结构在电化学传感领域的应用研究。
王冠英[8](1984)在《透射Kossel花样分析法》文中研究说明 Kossel花样不仅能用细聚焦x—光机拍摄,而且也能用电子探针拍摄。对于透射Kossel花样,用电子探针拍摄更为有利。这主要是因为电子探针的电子束直径。样品吸收电流(x—光靶电流)调节方便,拍摄环境是真空和可任意选择样品上的微区等。本文讨论的透射Kossel花样分析法是用日本JXA—3A型电子探针透射Kossel照相机的拍照,借助于虚晶面的概念展开的。
汪卫华[9](2013)在《非晶态物质的本质和特性》文中认为非晶态物质是复杂的多体相互作用体系,其基本特征是原子和电子结构复杂,微观结构长程无序,体系在能量上处在亚稳态,具有复杂的多重弛豫行为,其物理、化学和力学性质、特征及结构随时间演化。不稳定,随机性,不可逆是非晶物质的基本要素,自组织,复杂性,时间在非晶物质中起重要作用。复杂的非晶态物质有很多基本而独特的性质。非晶态物质的复杂性没有能阻挡住人们对它的兴趣和研究。现在人们把越来越多的目光从相对简单的有序物质体系关注到复杂相互作用的无序非晶体系。近几十年来,非晶的研究在无序中发现有序,在纷繁和复杂中寻求简单和美,引领了新的研究方向,导致很多新概念、新思想、新方法、新工艺、新模型和理论,以及新物质观的产生。非晶态合金(又称金属玻璃)是50多年前偶然发现的一类新型非晶材料。非晶合金的发现极大地丰富了金属物理的研究内容,带动了非晶态物理和材料的蓬勃发展,把非晶物理研究推向凝聚态物理的前沿。今天,非晶物理已成为凝聚态物理的一个重要和有挑战性的分支。非晶态材料不仅成为性能独特、在日常生活和高新技术领域都广泛使用的新材料,同时也成为研究材料科学和凝聚态物理中一些重要科学问题的模型体系。本文试图用科普的语言,以非晶合金为典型非晶物质综述非晶物理和材料的发展历史和精彩故事、介绍非晶科学中的主要概念、研究方法、重要科学问题和难题、非晶材料的形成机理、结构特征、非晶的本质、非晶中的重要转变–玻璃转变、非晶中的重要理论模型、物理和力学性能及非晶材料的各种应用等方面的研究概况和最新的重要进展。还介绍了非晶领域今后的研究动态及趋势,以及这门学科面临的重要问题、发展前景和方向。
王冠英[10](1983)在《透射Kossel花样分析法》文中进行了进一步梳理 Kossel花样不仅能用细聚焦x—光机拍摄,而且也能用电子探针拍摄。对于透射Kossel花样,用电子探针拍摄更为有利。这主要是因为电子探针的电子束直径。样品吸收电流(x—光靶电流)调节方便,拍摄环境是真空和可任意选择样品上的微区等。本文讨论的透射Kossel花样分析法是用日本JXA—3A型电子探针透射Kossel照相机的拍照,借助于虚晶面的概念展开的。
二、随意取向Fe单晶Kossel花样简便分析法(论文开题报告)
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、随意取向Fe单晶Kossel花样简便分析法(论文提纲范文)
(2)异步轧制高纯铝箔织构控制的研究(论文提纲范文)
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学位论文版权使用授权书 |
摘要 |
Abstract |
第一章 文献综述 |
1.1 高压电解电容器用高纯铝箔的生产及现状 |
1.2 常规(同步)轧制高纯铝箔织构的研究状况 |
1.2.1 高纯铝箔冷轧织构的研究概况 |
1.2.2 高纯铝箔再结晶织构的研究概况 |
1.3 异步轧制技术的发展及研究现状 |
1.3.1 异步轧制技术的发展 |
1.3.2 异步轧制技术的特点 |
1.4 再结晶织构的理论研究 |
1.4.1 定向形核理论 |
1.4.2 定向生长理论 |
1.4.3 定向形核-定向生长理论 |
1.5.1 立方织构的形成条件 |
1.5.2 立方织构的形成机制 |
1.6 本研究工作的主要内容 |
第二章 轧制板材织构的ODF分析法及EBSD技术 |
2.1 ODF分析法 |
2.1.1 晶粒三维取向分布函数 |
2.1.2 利用极图计算ODF |
2.1.3 晶粒取向分布图(ODF)的分析 |
2.1.4 面心立方金属ODF分析 |
2.2 EBSD技术 |
2.2.1 电子背散射花样(EBSD)的产生原理 |
2.2.2 EBSD样品的准备 |
2.2.3 EBSD的应用 |
第三章 实验材料与实验方法 |
3.1 实验材料 |
3.2 实验方案 |
3.2.1 测量冷轧织构 |
3.2.2 测量冷轧分层织构 |
3.2.3 测量再结晶织构 |
3.3 实验测量方法 |
3.3.1 织构的X射线测定 |
3.3.2 显微硬度测量 |
3.3.3 显微组织观察 |
3.3.4 EBSD测定 |
第四章 异步轧制高纯铝箔的冷轧织构 |
4.1 引言 |
4.2 高纯铝箔的冷轧织构 |
4.3 高纯铝箔的冷轧分层织构 |
4.4 工艺参数对高纯铝箔冷轧织构的影响 |
4.4.1 形变量对冷轧织构的影响 |
4.4.2 速比对冷轧织构的影响 |
4.5 分析与讨论 |
4.5.1 异步轧制下冷轧织构 |
4.5.2 异步轧制下冷轧分层织构 |
4.5.3 异步轧制下工艺参数与冷轧织构 |
4.6 本章小结 |
第五章 异步轧制高纯铝箔的再结晶织构 |
5.1 引言 |
5.2 高纯铝箔的再结晶织构 |
5.3 工艺参数对高纯铝箔再结晶织构的影响 |
5.3.1 形变量对再结晶织构的影响 |
5.3.2 速比对再结晶织构的影响 |
5.3.3 温度对再结晶织构的影响 |
5.3.4 退火保温时间对再结晶织构的影响 |
5.3.5 预回复退火对再结晶织构的影响 |
5.4 速比对立方织构阈值温度的影响 |
5.5 分析与讨论 |
5.5.1 异步轧制下再结晶织构 |
5.5.2 异步轧制下工艺参数与再结晶织构 |
5.6 本章小结 |
第六章 异步轧制高纯铝箔立方织构形成的微观过程 |
6.1 引言 |
6.2 高纯铝箔冷轧织构的成因 |
6.2.1 层错能对冷轧织构的影响 |
6.2.2 高层错能金属的形变亚结构 |
6.3 高纯铝箔立方织构形成的微观过程 |
6.3.1 高纯铝箔的TEM观测 |
6.3.2 高纯铝箔的EBSD分析 |
6.4 分析与讨论 |
6.5 本章小结 |
第七章 结论 |
参考文献 |
致谢 |
攻读博士学位期间所发表的学术论文 |
作者简介 |
(6)异步轧制高压电子铝箔织构演化行为及机制研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第1章 绪论 |
1.1 高压电解电容器用高纯铝箔的研究及发展现状 |
1.2 影响高纯铝箔立方织构形成及分布的主要因素 |
1.2.1 化学成分对高纯铝箔立方织构及性能的影响 |
1.2.2 工艺过程对高纯铝箔再结晶织构的影响 |
1.3 同步轧制生产高纯铝箔过程中的织构控制 |
1.4 异步轧制技术的发展及研究现状 |
1.4.1 异步轧制技术的发展 |
1.4.2 异步轧制技术的特点 |
1.4.3 异步轧制工艺与织构形成的关系 |
1.5 冷轧高纯铝箔的再结晶行为与织构演化 |
1.5.1 再结晶的概念及过程 |
1.5.2 高纯铝箔再结晶织构形成机制及类型 |
1.6.1 变形基体中的立方取向亚结构 |
1.6.2 立方取向核的生成 |
1.6.3 立方取向核的生长 |
1.6.4 主导立方织构的生成 |
1.7 晶体材料织构的ODF分析法 |
1.7.1 晶粒取向分布图(ODF)的分析 |
1.7.2 面心立方金属ODF分析 |
1.8 晶体取向的EBSD分析技术 |
1.8.1 电子背散射花样(EBSD)的产生原理 |
1.8.2 EBSD样品的准备 |
1.8.3 EBSD的应用 |
1.9 本论文的主要内容、目的和意义 |
第2章 实验材料及研究方法 |
2.1 试验材料 |
2.2 高纯铝箔的异步冷轧制度 |
2.3 高纯铝箔的退火工艺 |
2.4 高纯铝箔织构的测定 |
2.4.1 测量冷轧织构 |
2.4.2 测量冷轧中间层织构 |
2.4.3 测量退火再结晶织构 |
2.5 研究方法 |
2.5.1 铝箔微量元素含量及分布表征 |
2.5.2 金相显微组织观察 |
2.5.3 X-射线衍射测量织构 |
2.5.4 EBSD微观织构测试 |
第3章 微量元素含量及分布对铝箔织构及性能的影响 |
3.1 引言 |
3.2 研究结果 |
3.2.1 微量元素的分布 |
3.2.2 织构含量及分布 |
3.2.3 腐蚀性能及电性能 |
3.3 微量元素对铝箔织构及性能的影响机制分析 |
3.4 本章小结 |
第4章 异步轧制对铝箔组织及织构的影响 |
4.1 引言 |
4.2 异步轧制对高纯铝箔显微组织的影响 |
4.3 异步轧制工艺对高纯铝箔织构的影响 |
4.3.1 速比对高纯铝箔冷轧织构的影响 |
4.3.2 张力对高纯铝箔冷轧织构的影响 |
4.4 本章小结 |
第5章 退火对铝箔组织及织构的影响 |
5.1 引言 |
5.2 预备退火及轧制制度对再结晶织构的影响 |
5.2.1 预备退火对再结晶织构的影响 |
5.2.2 速比对再结晶织构的影响 |
5.2.3 快慢辊侧再结晶织构的比较 |
5.3 退火制度下再结晶织构的变化趋势 |
5.3.1 退火铝箔的金相显微组织 |
5.3.2 退火温度对再结晶织构的影响 |
5.3.3 退火时间对再结晶织构的影响 |
5.3.4 退火温度及时间对再结晶过程的双重作用 |
5.4 本章小结 |
第6章 再结晶退火过程中铝箔的织构演化行为 |
6.0 引言 |
6.1 临界退火温度范围的确定 |
6.2 宏观再结晶过程分析 |
6.2.1 不同退火时间下的铝箔再结晶宏观织构表征 |
6.2.2 铝箔再结晶织构演化机制的EBSD分析 |
6.3 本章小结 |
第7章 结论 |
参考文献 |
创新点 |
博士期间发表论文及获奖情况 |
致谢 |
附件 |
(7)金刚石/石墨复合纳米薄膜制备及电化学传感研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第1章 绪论 |
1.1 前言 |
1.2 重金属和葡萄糖分析技术 |
1.2.1 分析化学基础 |
1.2.2 重金属分析研究现状 |
1.2.3 葡萄糖分析研究现状 |
1.3 金刚石/石墨复合纳米薄膜 |
1.3.1 金刚石/石墨纳米线复合薄膜 |
1.3.2 金刚石/石墨纳米片复合薄膜 |
1.3.3 金刚石/碳纳米墙复合薄膜 |
1.4 本文选题目的、意义和内容 |
第2章 实验方法 |
2.1 实验设备 |
2.2 测试表征方法 |
2.3 实验试剂和材料 |
第3章 金刚石/石墨纳米片复合薄膜生长研究 |
3.1 引言 |
3.2 实验部分 |
3.2.1 制备金刚石/石墨纳米片复合薄膜 |
3.2.2 化学法处理金刚石/石墨纳米片复合薄膜 |
3.3 结果与讨论 |
3.3.1 金刚石/石墨纳米片薄膜材料表征 |
3.3.2 金刚石/石墨纳米片薄膜制备条件分析 |
3.3.3 金刚石/石墨纳米片薄膜生长过程分析 |
3.3.4 金刚石/石墨纳米片薄膜生长微观分析 |
3.3.5 金刚石/石墨纳米片薄膜生长机制讨论 |
3.4 本章小结 |
第4章 金刚石/石墨纳米片薄膜电化学性质调控及其检测重金属离子 |
4.1 引言 |
4.2 实验部分 |
4.2.1 制备金刚石/石墨纳米片复合薄膜 |
4.2.2 电化学行为测试表征 |
4.2.3 重金属离子检测 |
4.3 结果与讨论 |
4.3.1 金刚石/石墨纳米片薄膜材料表征 |
4.3.2 金刚石/石墨纳米片薄膜电化学性质表征 |
4.3.3 金刚石/石墨纳米片薄膜结构与电化学性质关系 |
4.3.4 重金属离子检测实验参数优化 |
4.3.5 单独检测Zn(Ⅱ)、Cd(Ⅱ)、Pb(Ⅱ)、Cu(Ⅱ) |
4.3.6 同时检测Zn(Ⅱ)、Cd(Ⅱ)、Pb(Ⅱ)、Cu(Ⅱ) |
4.4 本章小结 |
第5章 金刚石/碳纳米墙复合薄膜生长研究 |
5.1 引言 |
5.2 实验部分 |
5.2.1 制备金刚石/碳纳米墙复合薄膜 |
5.2.2 实验参数调变与控制制备 |
5.3 结果与讨论 |
5.3.1 金刚石/碳纳米墙薄膜材料表征 |
5.3.2 金刚石/碳纳米墙薄膜制备条件分析 |
5.3.3 金刚石/碳纳米墙薄膜生长过程分析 |
5.3.4 金刚石/碳纳米墙薄膜生长机制讨论 |
5.3.5 金刚石/碳纳米墙薄膜控制制备 |
5.4 本章小结 |
第6章 构建金刚石/碳纳米墙基葡萄糖传感器 |
6.1 引言 |
6.2 实验部分 |
6.2.1 制备金刚石/碳纳米墙负载CuO电极 |
6.2.2 电化学方法检测葡萄糖 |
6.3 结果与讨论 |
6.3.1 构建金刚石/碳纳米墙负载CuO电极 |
6.3.2 电催化氧化葡萄糖行为研究 |
6.3.3 检测葡萄糖实验条件优化 |
6.3.4 检测葡萄糖性能评价 |
6.3.5 检测人体血清中葡萄糖 |
6.3.6 电极结构与性能关系 |
6.4 本章小结 |
第7章 处理转化金刚石/碳纳米墙构筑多孔金刚石纳米结构 |
7.1 引言 |
7.2 实验部分 |
7.2.1 制备金刚石/碳纳米墙支撑金刚石的分层结构 |
7.2.2 控制制备多孔金刚石纳米结构 |
7.3 结果与讨论 |
7.3.1 分层结构材料表征 |
7.3.2 氢等离子体处理转化机制分析 |
7.3.3 控制制备多孔金刚石纳米结构 |
7.4 本章小结 |
第8章 全文总结与展望 |
8.1 论文的主要结论 |
8.2 论文的主要创新点 |
8.3 展望 |
参考文献 |
致谢 |
在读期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 |
作者简介 |
四、随意取向Fe单晶Kossel花样简便分析法(论文参考文献)
- [1]教育部关于印发普通高中课程方案和语文等学科课程标准(2017年版2020年修订)的通知[J]. 教育部. 中华人民共和国教育部公报, 2020(06)
- [2]异步轧制高纯铝箔织构控制的研究[D]. 黄涛. 东北大学, 2006(12)
- [3]《1982年全国X射线衍射学术会议》论文摘要及题录[J]. 杨传铮. 理化检验.物理分册, 1983(02)
- [4]随意取向Fe单晶Kossel花样简便分析法[J]. 王冠英. 电子显微学报, 1984(04)
- [5]随意取向Fe单晶Kossel花样简便分析法[A]. 王冠英. 第三次中国电子显微学会议论文摘要集(二), 1983
- [6]异步轧制高压电子铝箔织构演化行为及机制研究[D]. 翟新生. 东北大学, 2013(03)
- [7]金刚石/石墨复合纳米薄膜制备及电化学传感研究[D]. 翟朝峰. 中国科学技术大学, 2020(01)
- [8]透射Kossel花样分析法[J]. 王冠英. 电子显微学报, 1984(04)
- [9]非晶态物质的本质和特性[J]. 汪卫华. 物理学进展, 2013(05)
- [10]透射Kossel花样分析法[A]. 王冠英. 第三次中国电子显微学会议论文摘要集(二), 1983