一、负性与正性抗蚀剂技术的最新进展（论文文献综述）
魏玮,刘敬成,李虎,穆启道,刘晓亚[1]（2014）在《微电子光致抗蚀剂的发展及应用》文中指出光致抗蚀剂,又称光刻胶,是微电子工业中制作大规模和超大规模集成电路不可或缺的核心材料,因其在国民经济和国防建设中具有战略地位而备受研究者关注。本文梳理了光致抗蚀剂从早期的聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶-叠氮化合物、近紫外G线（436-nm）和I线（365-nm）酚醛树脂-重氮萘醌类光致抗蚀剂,到深紫外（248-nm和193-nm）、真空紫外（157-nm）光致抗蚀剂,再到极紫外（13.5-nm）、电子束、纳米压印、嵌段共聚物自组装、扫描探针等下一代光刻技术用光致抗蚀剂的发展脉络,综述了其研究进展。重点对深紫外化学增幅型光致抗蚀剂体系进行了总结,包括主体成膜树脂、光产酸剂以及溶解抑制剂、碱性化合物等添加剂,并介绍了下一代光刻技术用光致抗蚀剂的最新研究成果。最后对光致抗蚀剂未来的发展前景和方向进行了展望。
王宽,刘敬成,刘仁,穆启道,郑祥飞,纪昌炜,刘晓亚[2]（2016）在《光刻胶用底部抗反射涂层研究进展》文中研究说明随着微电子工业的蓬勃发展,光刻技术向着更高分辨率的方向迈进,运用底部抗反射涂层有效消除光刻技术中的驻波效应、凹缺效应,提高关键尺寸均一性和图案分辨率,引起了广大研究者的关注。本文简要介绍了光刻胶和光刻技术,底部抗反射涂层的分类、基本原理、刻蚀工艺以及其发展状况。重点对底部抗反射涂层的最新研究进展进行了总结,尤其是碱溶型底部抗反射涂层在光刻胶中的应用研究,最后对底部抗反射涂层的发展前景和方向进行了展望。
庞玉莲,邹应全[3]（2015）在《光刻材料的发展及应用》文中认为简述了光刻技术及光刻材料的发展过程及发展趋势,对光刻技术在集成电路和半导体分立器件的微细加工以及印刷电路板、平板显示器、触摸屏等制作过程中的应用进行了概述。并重点围绕光刻胶在集成电路制造中的应用,对其反应机理、应用性能等进行了阐述。同时还对光刻材料的市场特别是中国市场的现状及前景做了一定分析。
陕绍云,王守宏,支云飞[4]（2021）在《基于天然高分子的可再生光刻材料的研究进展》文中研究表明与传统基于石油原料的光刻材料相比,基于天然高分子的可再生光刻材料不仅保留了高分辨率的光刻性能,还具有绿色可再生和无毒显影等优点。重点综述了天然高分子光刻材料中的蛋白类光刻材料和多糖类光刻材料,总结了各种天然高分子光刻材料的优缺点。通过对不同材料光刻机理的深入研究,总结出蛋白质光刻材料的光刻机理主要依靠辐射改变蛋白结构,使其溶解度在显影液中发生改变实现光刻;而天然多糖类光刻材料则主要依赖引入光响应基团实现光刻。最后对基于天然高分子的可再生光刻材料的现存问题进行了分析并对发展前景作出了展望。
卢文娟[5]（2007）在《电子束重复增量扫描产生三维结构的关键技术研究》文中研究说明系统的微小型化始终是当代科技发展的重要方向。微机电系统是在此趋势的推动下发展起来的,具有广泛应用前景的涉及多学科的新兴技术领域,微加工技术是实现微机电系统的关键技术。随着微机电系统的深入研究和快速发展,需要能够精确地产生复杂曲面和各种形状的三维微结构的加工技术与之相适应。当前用于三维微结构加工的技术主要有体硅微加工技术、LIGA（Lithographie、Galvanoformung andAbformung）技术和IH（Integrated Harden Polymer Stereo Lithography）三维光刻技术等。体硅微加工技术和LIGA技术能够制作高精度、高深宽比的陡直微细结构,但其缺点是难于加工各种微曲面和结构较为复杂的器件;IH三维光刻技术从理论上能加工出任意曲面和高深宽比的复杂结构,但因其工艺中x、y向的扫描是靠X/Y工作台的机械移动来完成的,加工精度较低,分辨率目前仅为亚微米级。目前这些微三维加工技术都不能很好地适应今后微机电系统的高速发展,因此需要寻求更好的加工手段。电子束曝光技术是公认的最好的高分辨率图形制作技术,目前主要用于二维精密集成电路掩膜制作。由于电子束理论上可以聚成十几个埃的束斑,易于控制,且其在超大规模集成电路掩膜制造中所起的重要作用到目前为止仍无法用其他方法替代。在实验室条件下,已能将电子束聚焦成尺寸小于2nm的束斑,实现了纳米级曝光。由于辐射剂量不同,可以得到不同深度的抗蚀剂图形。因此,传统的电子束三维加工多是通过改变剂量来实现,但通用电子束曝光系统在曝光过程中剂量无法改变,因此难于直接进行微三维结构的加工。基于自行研制的DSP控制的新型图形发生器,山东大学电子束研究所提出了一种使用通用电子束曝光系统进行微三维加工的新方法——电子束重复增量扫描曝光方法。该扫描方法无需改变曝光剂量,通过改变扫描次数即图形的设计参数来改变曝光总剂量,提高了曝光效率,弥补了通用电子束曝光系统无法改变剂量的缺陷,为通用电子束曝光系统生成三维结构提供了新的方法。该方法可以直接在基片上产生高精度的垂直、曲面、微尖等三维结构,属于电子束直写技术（Electron Beam Direct Writing,EBDW）。新方法的提出,首先需要对其可行性进行研究;再者,为了使新方法能够满足微系统更高精度以及复杂器件结构加工的要求,需要对曝光参数选定、曝光图形设计及数据处理、新方法的应用范围推广等多方面进行深入的研究。本论文主要围绕着电子束重复增量扫描方式的曝光反应机理,电子束能量、剂量对刻蚀深度的影响,曝光图形数据处理,新方法应用前景等关键问题开展深入细致地研究,具体研究工作及创新点概括如下:1.从高分子辐射化学角度对电子束重复增量扫描曝光方法作用于正性抗蚀剂PMMA的实际反应机理进行了深入地研究,并根据Charlesby-Pinner理论推导出辐射剂量与辐射降解程度、降解产物平均分子量间的关系,即辐射剂量越大,辐射降解程度越大,降解后的产物的平均分子量越小,则溶解度越大;反之,辐射剂量越小,辐射降解程度越小,降解后的产物的平均分子量越大,则溶解度越小。通过曝光实验进行了验证,从理论和实验上证明了电子束重复增量扫描曝光方法产生三维结构的可行性。2.采用Monte Carlo模拟和Grun公式两种方法对电子束能量与刻蚀深度间的关系进行深入地研究。研究结果表明:电子束能量越大,在抗蚀剂内的刻蚀深度就越深;电子束能量越大,电子横向作用范围也越大,但抗蚀剂吸收能量密度分布曲线越陡峭,因此,增加入射束能可以减弱邻近效应,有利于提高曝光分辨率。以理论分析结果为参考依据,在SDS-Ⅱ型电子束曝光机中对抗蚀剂PMMA进行曝光实验,得到的实验结果与理论分析结果基本一致,证明了理论分析方法的正确,对电子束微三维曝光实验加速电压的选取起到了重要的指导作用。3.采用Monte Carlo模拟和解析法两种方法对电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系进行深入地研究。研究结论为:电子束曝光剂量越大,刻蚀深度越深;曝光剂量越小,刻蚀深度越浅。以PMMA和TMPTA为抗蚀剂在SDS-Ⅱ型电子束曝光机中进行曝光实验,得到的实验结果与理论分析结果基本一致,验证了该结论的正确性。对液态抗蚀剂TMPTA的分析结果表明上述结论也适用于电子束液态曝光技术。通过Monte Carlo模拟结果,还发现电子的横向扩散范围随曝光剂量的增加而扩大,这会导致各曝光图形之间相互影响,加剧邻近效应,影响曝光图形线宽精度。在电子束微三维曝光实验中,可以根据曝光图形的尺寸及精度要求,以剂量与刻蚀深度间的关系的理论分析结论为指导,合理地选择曝光剂量。4.利用反差经验公式精确地确定电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系,克服了实验方法的繁琐性。通过Monte Carlo模拟得到吸收能量密度来计算反差的方法,也同样避免了大量的实验任务。将计算结果通过曲线拟合得到关系曲线,与实验结果基本一致,验证了该方法的可行性。在给定曝光图形深度的情况下,可根据该关系来精确选择曝光剂量,节省实验时间,提高曝光效率。5.引入微流体力学理论对PCR微流控芯片微通道的结构进行优化设计。以往的文献资料中研究的微通道截面以矩形居多,且目前的加工方法得到的微通道绝大多数都为矩形截面。通过比较横截面积相同的微圆形通道与微矩形通道可知,流体在微圆通道中流动时,由摩擦引起的等效水头损失及表面张力均小于微矩形通道,因此,为了克服这些压力并保证流体在微通道中以一定的速度流动,微圆通道所需的驱动力就会比微矩形通道的要小。6.提出了利用电子束重复增量扫描曝光方式制作PCR微流控芯片微圆通道的新方法。利用电子束重复增量扫描曝光方法可以进行曲面加工的优势,来制作PCR芯片微圆通道。在圆束矢量扫描电子束曝光机JSM-35CF上进行曝光实验,显影后得到边缘光滑的微通道。7.进行了利用电子束重复增量扫描曝光方法制作软刻蚀技术用微三维母版的实验研究。弹性印章是软刻蚀技术的核心,要制作弹性印章就需要有相应的母版。通过对曝光量的计算、工艺过程探讨、曝光实验结果等方面的分析研究,证明了用该方法加工微三维母版的可行性。8.进行了电子束重复增量扫描曝光方式与软刻蚀技术相结合加工微三维器件方法的研究。充分利用电子束重复增量扫描曝光方式与软刻蚀技术的优势,将二者结合起来,有望成为适应微机电系统发展的一种简单、有效、低成本的新微三维加工方法。
郝慧娟[6]（2007）在《电子束光刻的三维加工和邻近效应校正技术研究》文中进行了进一步梳理微机电系统器件的制造要求微三维加工工艺。当前制作三维微结构的技术主要有体硅微加工技术、LIGA（Lithographie，Galvanoformung and Abformung）技术、IH（Integrated Harden Polymer Stereo Lithography）工艺等。体硅微加工技术和LIGA技术能够制作高精度、高深宽比的陡直微细结构，但是难于加工各种微曲面和结构较为复杂的器件；IH三维光刻技术从理论上能加工出任意曲面和任意高深宽比的复杂结构，但因其工艺中X、Y向的扫描是靠X／Y工作台的机械移动来完成的，加工精度较低，分辨率目前仅为亚微米级。为了满足微机电系统的快速发展，需求精度更高的加工手段。电子束光刻技术是目前公认的最好的高分辨率图形制作技术，目前主要用于0.1～0.5μm精密二维掩模制造，而难于生产高深宽比的三维结构。本学位论文围绕着电子束光刻技术直接在基片上产生高精度的垂直、曲面、微尖等三维结构等问题，对电子束光刻、邻近效应校正、显影过程模拟等问题进行了较全面和较深入的研究，提出了多种新的计算方法；根据抗蚀剂吸收能量密度的计算结果，对三维结构进行了邻近效应校正；结合显影模型，模拟了三维结构的显影轮廓。在准确模拟曝光、显影过程的基础上，研究了不同曝光、显影条件对抗蚀剂吸收能量分布、显影线宽、边墙陡度的影响。论文的主要工作集中于电子束三维光刻方法、曝光的计算机模拟、工艺优化，概括如下：1、首次提出了电子束重复增量扫描方式，为通用电子束曝光系统提供了一种新的三维加工方法。曝光实验得到了轮廓清晰的正梯锥1、圆锥、梯锥1的三维结构，验证了该扫描方式的可行性和正确性。重复增量扫描方式无需改变曝光剂量，通过重复、重叠的多次曝光，使光刻图形不同的位置得到不同的曝光总剂量，实现对图形的三维加工；该扫描方式也无需进行复杂的图形分割，避免了图形分割带来的数据量过大的问题，降低了数据传输时间，从而可以降低曝光总时间，提高曝光效率；该扫描方式也不用在光刻过程中改变束斑参数，克服了系统内部扫描频率的限制，为通用电子束光刻系统进行曲面图形的加工提供了条件。2、根据光刻胶的反差的经验公式，提出了曝光剂量与刻蚀深度关系的计算方法，减少了实验次数和由于测量带来的误差，而且为电子束光刻的三维加工提供了重要参数。3、提出了抗蚀剂灵敏度、反差的计算方法，为电子束三维加工和曝光剂量与刻蚀深度关系的计算提供了重要参数。对不同入射电子束能量、抗蚀剂厚度的反差的计算显示：随着入射电子束能量的增加，反差不断减小；随着抗蚀剂厚度的增加，反差不断增大。4、提出了邻近函数的改进形式，并用于计算抗蚀剂吸收能量密度分布，克服了解析法和Monte Carlo模拟法无法克服的局限性，使吸收能量密度的计算真正用于软件中。对不同曝光条件下的抗蚀剂吸收能量密度分布的计算获得了其分布规律，而且得出了优化电子束光刻的工艺条件：（1）随着入射电子束能量的增加，电子的横向分布范围增大，但抗蚀剂的吸收能量密度分布曲线越来越陡峭，即：抗蚀剂单位体积内沉积的能量也越大。因而，高入射电子束能量有利于邻近效应的降低。（2）抗蚀剂厚度对吸收能量密度分布的影响不是很明显，主要影响前散射电子的能量密度分布。抗蚀剂越薄，电子的沉积能量密度分布曲线越陡峭。因而，薄抗蚀剂层有利于邻近效应的降低。（3）低原子序数的衬底产生的背散射电子数目较少，而且电子在衬底中的能量损失率较高，从而由衬底返回胶中的背散射电子在抗蚀剂中的能量沉积密度较小，有利于邻近效应的降低。（4）束斑直径越小，抗蚀剂吸收能量密度分布曲线越陡峭，越有利于邻近效应的降低，提高分辨率。因而，适量的高束能、薄胶层、低原子序数衬底、小束斑有利于邻近效应的降低、分辨率的提高。5、采用了最小二乘非线性曲线拟合的方法确定邻近函数参数，克服了直线拟合带来的α误差较大的问题，比单高斯拟合得到的结果更精确。对不同曝光条件下的参数（α、β、η）的计算获得了其分布规律，不仅能为电子束曝光条件的优化、邻近效应的降低提供理论指导，而且能为邻近效应校正快速地提供精确的参数。（1）随着入射电子束能量的增加，α不断减小，β不断增大，而η几乎不变，表明提高入射电子束能量有利于邻近效应的降低。（2）随着抗蚀剂厚度的增加，α不断增大，β、η变化不明显，说明薄抗蚀剂有利于分辨率的提高和邻近效应的降低。（3）衬底材料对α的影响较小，随着衬底材料原子序数的增大，β减小，η增大，说明低原子序数的衬底材料，有利于邻近效应的降低。6、研究了邻近效应产生的机理，引入累积分布函数计算各关键点的有效曝光剂量。通过预先建立计算过程中需要的各种规则表，计算过程中需要的参数通过查表直接获得，快速、准确地实现曝光图形能量分布的计算。7、提出了水平和深度两个方向分别对三维结构邻近效应进行校正的方法。水平方向采用最大矩形法校正，同时考虑了抗蚀剂不同深度处吸收能量密度分布不同。深度方向的校正从吸收能量密度与曝光剂量的关系上考虑。校正后的曝光过程无需改变曝光剂量，为剂量无法改变的系统提供了三维结构的校正方法。通过预先建立校正过程中需要的各种规则表，校正过程中需要的参数直接查表获得，快速、准确地实现了校正，提高了曝光效率。校正结果显示，邻近效应已大大降低。8、采用了基于遗传算法的最小二乘法确定显影速率参数，与传统的Gauss-Newton迭代法比较显示，基于遗传算法拟合的残差平方和较小，拟合效果更好，而且与参数初始值的选取无关，具有较强的鲁棒性。9、对光线追迹模型中的射线前进算法进行了改进，采用了递归的射线前进算法计算射线轨迹，降低了显影模拟中射线间的不连续性，光线追迹算法也更加精确。研究了不同曝光条件、显影时间对显影线宽Wb、边墙陡度θ的影响，得出了参数的分布规律，不仅为优化电子束曝光和显影工艺提供了参数，也为改进图形设计提供了参数依据。（1）在给定的曝光剂量下，随着加速电压的增大，Wb不断减小，θ值先减小，后增大。（2）在给定的加速电压下，随着曝光剂量增大，Wb、θ不断增大。（3）在给定的加速电压、曝光剂量下，随着抗蚀剂厚度的增加，Wb值不断减小，θ不断增加。（4）随着显影时间的增加，Wb逐渐增大，θ在开始时处于逐渐增加的趋势，当达到一定的最大值时又表现出下降的趋势。
闻芹堂,周建竞[7]（1983）在《国外光致抗蚀剂材料的最新动向》文中研究表明 前言感光性树脂是国外近年来发展较快的一种新型功能高分子材料。光致抗蚀剂.是光刻工艺所采用的感光性树脂的总称,是光刻工艺中不可缺少的重要材料。现在已广泛应用于印刷、电子、照相、涂料、金属加工等工业部门。近年来,随着这些工业部门技术革新的迅速发展,对光致抗蚀剂性能的要求也越来越高,特别是电子工业,制造超大规模集成电路已提到议事日程,原来采用的一般光刻工艺（紫外线曝光）,已不能满足要求。采用波长较短的远紫外,
侯豪情,李悦生,丁孟贤,韩阶平[8]（1996）在《光敏聚酰亚胺合成方法及应用的最新进展》文中进行了进一步梳理从负性、正性和化学增幅三个方面阐述了光敏聚酰亚胺（ＰＳＰＩ）几十年来的研究和发展现状，并做了一定深度的讨论。
魏玉平,丁玉成,李长河[9]（2012）在《纳米压印光刻技术综述》文中进行了进一步梳理文章在阐述纳米压印工艺构成要素的基础上,对几种传统压印技术工艺及其工艺变种进行了简要介绍,总结出了纳米压印中所涉及的几个关键技术问题,并对纳米压印在集成电路制造中所面临的挑战进行了分析。
刘建国[10]（2007）在《耐高温紫外正型光刻胶和248nm深紫外光刻胶的研制》文中研究指明光刻胶是完成微电子制造光刻工艺的关键性基础材料,它决定着微电子技术的发展水平。光刻胶通常由成膜树脂、感光剂、溶剂和一些添加剂组成。在光刻胶的研制方面,我国与国外相比,还有比较大的差距。本文采用新的方法,合成出了一系列光刻胶成膜树脂的单体,包括:N-苯基甲基丙烯酰胺、N-（p-羟基苯基）甲基丙烯酰胺、N-（p-乙酰氧基苯基）甲基丙烯酰胺、对特丁氧酰氧基苯乙烯（PTBOCS）、N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯和N-羟基-3,6-内氧桥-4-环己烯二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯;并对它们进行了FT-IR和1H NMR表征。制备了两种常用的248nm深紫外光刻胶用光致酸发生剂（PAG）对甲基苯磺酸三苯基硫鎓盐和N-羟基邻苯二甲酰亚胺对甲基苯磺酸酯,对它们进行了FT-IR和1H NMR表征,测试了它们的热性能、紫外光吸收性能和溶解性能。结果表明它们适合作深紫外光刻胶的PAG。通过自由基聚合的方法,采用苯乙烯和前面制备的单体合成了三种聚合物:聚苯乙烯共N-（p-羟基苯基）马来酰亚胺,聚N-（p-羟基苯基）甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺和聚N-苯基甲基丙烯酰胺共N-（p-羟基苯基）马来酰亚胺。测试了它们的相关性能。结果表明它们的玻璃化温度Tg均在250℃以上,具有良好的耐高温性能、溶解性能、成膜性能和亲水性,可以用作耐高温紫外正型光刻胶的成膜树脂。利用前面已经合成的单体PTBOCS和N-羟基-3,6-内氧桥-4-环己烯二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯,制备了新的聚合物聚PTBOCS共N-羟基-3,6-内氧桥-4-环己烯二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯,对它进行了FT-IR表征,测试了它的热性能和紫外吸收性能;结果表明,该聚合物具有良好的耐热性能（Tg=175℃）、248nm深紫外光透光性能、溶解性能和成膜性能,并且与基体有良好的结合力,适合作248nm深紫外光刻胶的成膜树脂。而另外一种新的聚合物聚PTBOCS共N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯因其溶解性不好,不适合作光刻胶的成膜树脂。首次将聚N-（p-羟基苯基）甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺和聚N-苯基甲基丙烯酰胺共N-（p-羟基苯基）马来酰亚胺用作耐高温的紫外正型光刻胶的成膜树脂;通过与感光剂重氮奈醌磺酰氯（DNS）和阻溶剂二苯甲酮复配,较详细地探讨了聚N-（p-羟基苯基）甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺—DNS系紫外正型光刻胶的配方组成和与之配套的光刻工艺条件,表明它的成像反差γ=3.001,它的等离子蚀刻速率可以与线形酚醛树脂—重氮萘醌（DNQ）系紫外光刻胶的相比,它的分辨率可以达到1μm左右。开发了一种新的248nm深紫外单层光刻胶体系,成膜树脂采用聚PTBOCS共N-羟基-3,6-内氧桥-4-环己烯二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯,PAG采用对甲基苯磺酸三苯基硫鎓盐,阻溶剂为（4,4’-二特丁氧酰氧基）二苯基丙烷,溶剂采用1:1（v/v）的乙二醇单甲醚乙酸酯（EGMEA）和乳酸乙酯（EL）的混合液,显影液为2.38%（w/w）氢氧化四甲基铵（TMAH）溶液。探讨了该系光刻胶的配方组成和与之配套的光刻工艺条件,结果表明这是一种环境稳定的化学增幅型深紫外光刻胶。它的抗蚀刻能力与线性酚醛树脂—DNQ系光刻胶的基本相同,初步的光刻实验表明,它的分辨率至少在0.5μm左右,它的感光灵敏度为22mJ/cm2。分别探讨了耐高温紫外正型光刻胶聚N-（p-羟基苯基）甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺—DNS系和248nm深紫外光刻胶聚PTBOCS共N-羟基-3,6-内氧桥-4-环己烯二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯—对甲基苯磺酸三苯基硫鎓盐体系的显影成像机理。
二、负性与正性抗蚀剂技术的最新进展（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、负性与正性抗蚀剂技术的最新进展（论文提纲范文）
（1）微电子光致抗蚀剂的发展及应用（论文提纲范文）
| Contents |
| 1 引言 |
| 2 聚乙烯醇肉桂酸酯和环化橡胶负性光致抗蚀剂 |
| 3 G线和I线光致抗蚀剂 |
| 3.1 酚醛树脂-重氮萘醌体系 |
| 3.2 其他体系 |
| 4 深紫外 (DUV) 光致抗蚀剂 |
| 4.1 248-nm光致抗蚀剂 |
| 4.1.1 成膜树脂 |
| 4.1.2 光产酸剂 |
| 4.1.3 添加剂 |
| 4.2 193-nm光致抗蚀剂 |
| 4.2.1 成膜树脂 |
| 4.2.2 光产酸剂 |
| 4.2.3 添加剂 |
| 4.2.4 193-nm浸没式光刻 |
| 5 真空紫外 (157-nm) 光致抗蚀剂 |
| 6 下一代光刻技术用光致抗蚀剂 |
| 6.1 极紫外光刻 (EUVL) |
| 6.2 电子束光刻 (EBL) |
| 6.3 纳米压印光刻 (NIL) |
| 6.4 嵌段共聚物光刻 (BCL) |
| 6.5 扫描探针光刻 (SPL) |
| 7 总结及展望 |
（2）光刻胶用底部抗反射涂层研究进展（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 底部抗反射涂层简介 |
| 2.1 底部抗反射涂层的分类 |
| 2.2 底部抗反射涂层的基本原理 |
| 2.3 底部抗反射涂层的两种工艺 |
| 2.4 底部抗反射涂层的设计要求 |
| 3 底部抗反射涂层研究进展 |
| 3.1 刻蚀型底部抗反射涂层 |
| 3.2 碱溶型底部抗反射涂层 |
| 3.2.1 正性光刻胶用碱溶型底部抗反射涂层 |
| 3.2.2 负性光刻胶用碱溶型底部抗反射涂层 |
| 4 总结与展望 |
（3）光刻材料的发展及应用（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 光刻技术及光刻材料的发展 |
| 2.1 紫外光刻胶 |
| 2.1.1 紫外负性光刻胶 |
| 2.1.2 紫外正性光刻胶 |
| 2.2深紫外光刻胶 |
| 2.2.1248nm深紫外光刻胶 |
| 2.2.2193nm深紫外光刻胶 |
| 2.3EUV 光刻胶材料 |
| 2.3.1 聚对羟基苯乙烯及共聚物 |
| 2.3.2聚碳酸酯类衍生物 |
| 2.3.3分离玻璃光刻胶 |
| 2.3.4聚合物 -PAG 光刻胶材料 |
| 2.3.5 其他光刻胶体系 |
| 2.4电子束光刻胶 |
| 2.5纳米压印光刻胶 |
| 2.5.1热压印光刻胶 |
| 2.5.2紫外压印光刻胶 |
| 3光刻技术及光刻材料在集成电路领域的应用 |
| 4光刻技术及光刻材料在平板显示器产业中的应用 |
| (1)氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)电极的制作 |
| (2)PDP显示器障壁制作 |
| (3)LCD衬垫料制作 |
| (4)彩色滤光片制作 |
| 5 光刻技术及光刻材 料在触摸屏领域的应用 |
| 6光刻技术及光刻材料在其他领域中的应用 |
| 7光刻材料市场现状及展望 |
| 7.1全球市场现状 |
| 7.2国内市场现状 |
| 7.2.1半导体分立器件及集成电路用光刻胶市场现状 |
| 7.2.2平板显示用光刻胶市场现状 |
| 7.3国内光刻胶研发与生产现状 |
| 7.3.1北京科华 |
| 7.3.2苏州瑞红 |
| 8结束语 |
（4）基于天然高分子的可再生光刻材料的研究进展（论文提纲范文）
| 1 光刻机理 |
| 2 动物蛋白光刻材料 |
| 2.1 蚕丝蛋白光刻材料 |
| 2.1.1 蚕丝蛋白的紫外光光刻 |
| 2.1.2 蚕丝蛋白的电子束光刻 |
| 2.1.3 蚕丝蛋白的其他光刻 |
| 2.2 其他蛋白光刻材料 |
| 3 天然提取物与多糖类光刻材料 |
| 3.1 香豆素类光刻材料 |
| 3.2 纤维素类光刻材料 |
| 3.3 壳聚糖类光刻材料 |
| 3.4 其他糖类光刻材料 |
| 4 结语与展望 |
（5）电子束重复增量扫描产生三维结构的关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 缩略词注释表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 微机电系统概述 |
| 1.1.1 微机电系统的概念及特点 |
| 1.1.2 微机电系统的研究领域 |
| 1.1.3 微机电系统的应用 |
| 1.1.4 微机电系统发展现状 |
| 1.1.5 微机电系统的前景 |
| 1.2 微细加工技术 |
| 1.2.1 硅微机械加工技术 |
| 1.2.2 LIGA技术 |
| 1.2.3 特种超精密微机械加工技术 |
| 1.3 本论文研究内容 |
| 1.3.1 论文的研究目的和意义 |
| 1.3.2 主要内容及创新点 |
| 1.3.3 内容安排 |
| 第二章 电子束三维光刻技术 |
| 2.1 电子束曝光技术 |
| 2.1.1 电子束曝光原理 |
| 2.1.2 电子束曝光特点 |
| 2.1.3 电子束曝光方式 |
| 2.1.4 电子束曝光的发展历史 |
| 2.1.5 电子束曝光系统 |
| 2.1.5.1 电子束曝光系统组成 |
| 2.1.5.2 电子束曝光系统分类 |
| 2.1.6 电子束曝光技术的应用 |
| 2.2 电子束微三维光刻技术 |
| 2.2.1 电子束液态曝光技术 |
| 2.2.2 电子束重复增量扫描曝光技术 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 电子束重复增量扫描方式的反应机理研究 |
| 3.1 抗蚀剂性能 |
| 3.1.1 抗蚀剂原理 |
| 3.1.2 抗蚀剂的一般特性 |
| 3.1.3 电子束抗蚀剂 |
| 3.2 重复增量扫描曝光方式反应机理研究 |
| 3.2.1 聚合物辐射的主要化学反应 |
| 3.2.2 辐射降解反应机理 |
| 3.2.3 曝光剂量与辐射降解程度间的关系 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 电子束能量、剂量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.1 电子束能量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.1.1 Monte Carlo模拟法 |
| 4.1.2 Grun射程公式 |
| 4.1.3 能量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.2 电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.2.1 抗蚀剂吸收能量密度的计算 |
| 4.2.1.1 解析法 |
| 4.2.1.2 Monte Carlo模拟法 |
| 4.2.2 曝光剂量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.2.3 用反差确定曝光剂量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.2.3.1 反差定义及计算 |
| 4.2.3.2 PMMA灵敏度定义及计算 |
| 4.2.3.3 曝光剂量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.2.3.4 实验结果分析 |
| 4.3 小结 |
| 第五章 电子束曝光图形数据处理 |
| 5.1 国内外电子束曝光图形数据处理概况 |
| 5.1.1 国外概况 |
| 5.1.2 国内概况 |
| 5.2 曝光图形的设计及注意事项 |
| 5.2.1 曝光图形的设计原则 |
| 5.2.2 L-Edit软件设计曝光图形 |
| 5.2.3 设计时的注意事项 |
| 5.3 曝光图形数据格式转换 |
| 5.3.1 常用数据格式 |
| 5.3.1.1 DXF数据格式 |
| 5.3.1.2 CIF数据格式 |
| 5.3.1.3 机器数据格式——DY51格式 |
| 5.3.1.4 中间数据格式 |
| 5.3.2 数据格式转换过程 |
| 5.3.3 曝光图形数据转换后的结果 |
| 5.4 DSP控制的电子束曝光图形发生器 |
| 5.4.1 DSP控制的图形发生器的工作原理 |
| 5.4.2 图形发生器的基本功能 |
| 5.5 曝光图形数据传输 |
| 5.5.1 PC机数据传输过程 |
| 5.5.2 通讯协议 |
| 5.5.3 人机界面 |
| 5.5.4 图形检验 |
| 5.6 小结 |
| 第六章 电子束三维光刻制作PCR微流控芯片微通道的工艺研究 |
| 6.1 PCR微流控芯片发展意义 |
| 6.1.1 PCR芯片 |
| 6.1.2 国内外研究现状 |
| 6.1.3 发展趋势 |
| 6.2 软刻蚀技术 |
| 6.2.1 软刻蚀技术基本原理 |
| 6.2.2 软刻蚀技术分类及应用 |
| 6.2.2.1 微接触印刷法 |
| 6.2.2.2 复制模塑法 |
| 6.2.2.3 微转移模塑法 |
| 6.2.2.4 毛细管微模塑法 |
| 6.2.2.5 辅助溶剂微模塑法 |
| 6.2.3 软刻蚀技术发展前景 |
| 6.3 重复增量扫描曝光方法加工PCR芯片微通道掩膜版 |
| 6.3.1 微通道结构优化设计 |
| 6.3.2 抗蚀剂图形制作工艺 |
| 6.3.3 实验结果分析 |
| 6.3.4 结论 |
| 6.4 利用软刻蚀技术制作微通道 |
| 6.5 小结 |
| 第七章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间完成的论文及参加的科研工作 |
| 致谢 |
（6）电子束光刻的三维加工和邻近效应校正技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 缩略词注释表 |
| 第一章绪论 |
| 1.1 微机电系统及微细加工技术 |
| 1.1.1 微机电系统概述 |
| 1.1.2 微细加工技术 |
| 1.2 电子束曝光技术 |
| 1.2.1 电子束曝光机组成 |
| 1.2.2 电子束曝光机的曝光原理 |
| 1.2.3 电子束抗蚀剂的特性 |
| 1.2.4 抗蚀剂图形制作工艺 |
| 1.2.5 邻近效应及校正 |
| 1.2.6 电子束曝光的计算机模拟 |
| 1.3 本论文研究内容 |
| 1.3.1 研究的目的和意义 |
| 1.3.2 论文的主要工作与技术创新点 |
| 1.4 论文的内容安排 |
| 第二章电子束重复增量扫描生成三维结构的研究 |
| 2.1 传统的电子束三维加工方法 |
| 2.1.1 低能变能量曝光 |
| 2.1.2 多层抗蚀剂工艺 |
| 2.1.3 变剂量加工 |
| 2.2 电子束重复增量扫描方式 |
| 2.2.1 基于DSP的新型图形发生器 |
| 2.2.2 重复增量扫描方式及曝光模型 |
| 2.2.3 曝光量计算 |
| 2.3 实验结果 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章抗蚀剂吸收能量密度的计算 |
| 3.1 散射效应 |
| 3.2 解析法 |
| 3.3 MONTE CARLO模拟法 |
| 3.3.1 电子在固体中的散射模型 |
| 3.3.2 抗蚀剂吸收能量密度的计算 |
| 3.4 邻近函数法 |
| 3.4.1 邻近函数 |
| 3.4.2 邻近函数参数的确定 |
| 3.4.3 改进的邻近函数 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章三维结构的邻近效应校正 |
| 4.1 邻近效应校正的工艺措施 |
| 4.1.1 改变入射电子束能量 |
| 4.1.2 改变抗蚀剂厚度 |
| 4.1.3 改变衬底材料 |
| 4.2 软件校正 |
| 4.2.1 二维校正 |
| 4.2.2 三维剂量校正 |
| 4.3 邻近效应计算 |
| 4.3.1 互易原理 |
| 4.3.2 图形能量密度的计算 |
| 4.4 重复增量扫描方式校正法 |
| 4.4.1 水平方向的校正 |
| 4.4.2 深度方向的校正 |
| 4.4.3 实验结果 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 三维结构显影的计算机模拟 |
| 5.1 显影速率模型 |
| 5.1.1 Dill方程 |
| 5.1.2 Greeneich方程 |
| 5.1.3 Mack方程 |
| 5.1.4 Notch方程 |
| 5.2 显影速率参数的确定 |
| 5.2.1 Gauss-Newton迭代法 |
| 5.2.2 遗传算法 |
| 5.2.3 结果分析 |
| 5.3 显影模型 |
| 5.3.1 阈值能量密度显影模型 |
| 5.3.2 单元格去除模型 |
| 5.3.3 绳模型 |
| 5.3.4 光线追迹模型 |
| 5.4 光线追迹模型的实现 |
| 5.4.1 算法实现 |
| 5.4.2 射线前进算法的改进 |
| 5.4.3 结果分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间完成的论文及参加的科研工作 |
| 致谢 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（9）纳米压印光刻技术综述（论文提纲范文）
| 1 纳米压印技术的基本原理和工艺 |
| 1.1 热压印技术 |
| 1.2 紫外光固化纳米压印技术 |
| 1.3 微接触压印技术 |
| 1.4 纳米压印技术的发展新进展 |
| 2 纳米压印的关键性技术 |
| 2.1 纳米压印模具制作技术 |
| 2.1.1 电子束直写技术 |
| 2.1.2 蘸水笔直写技术 |
| 2.1.3 聚合物探针阵列技术 |
| 2.1.4 喷墨直写技术 |
| 2.2 纳米压印抗蚀剂的选择 |
| 2.3 蚀刻技术 |
| 2.4 抗粘附技术 |
| 3 纳米压印技术所面临的挑战 |
| 4 结语 |
（10）耐高温紫外正型光刻胶和248nm深紫外光刻胶的研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 微电子技术的发展概况 |
| 1.1.1 国外微电子技术发展现状 |
| 1.1.2 国内微电子技术的发展现状 |
| 1.2 微电子技术与光刻技术的关系 |
| 1.3 光刻技术的研究进展 |
| 1.3.1 光学光刻技术 |
| 1.3.2 非光学光刻技术 |
| 1.4 光致抗蚀剂 |
| 1.4.1 光刻胶的分类 |
| 1.4.2 紫外光刻胶 |
| 1.4.3 深紫外和极紫外光刻胶 |
| 1.4.4 辐射线光刻胶 |
| 1.4.5 光刻胶的国内发展现状 |
| 1.4.6 光刻胶的国内市场预测及推广应用前景 |
| 1.4.7 我国今后光刻胶的发展 |
| 1.5 248nm 深紫外光刻胶 |
| 1.5.1 248nm 深紫外光刻的光源 |
| 1.5.2 化学增幅技术 |
| 1.5.3 248nm 光刻胶 |
| 1.5.4 248nm 光刻胶存在的主要问题及解决途径 |
| 1.6 本课题的意义和主要研究内容 |
| 1.6.1 本课题的意义 |
| 1.6.2 主要研究内容 |
| 2 单体的合成、提纯及表征 |
| 2.1 引言 |
| 2.1.1 应用于光刻胶成膜树脂的单体的一些基本要求 |
| 2.1.2 紫外光刻胶成膜树脂的单体 |
| 2.1.3 248nm 深紫外光刻胶成膜树脂的单体 |
| 2.2 试验部分 |
| 2.2.1 仪器和试剂 |
| 2.2.2 合成 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 环戊二烯的制备 |
| 2.3.2 甲基丙烯酰氯的制备 |
| 2.3.3 5-降冰片烯-2,3,二酸酐的制备 |
| 2.3.4 3,6-内氧桥-4-环己烯二甲酸酐的制备 |
| 2.3.5 N-苯基马来酰亚胺的制备 |
| 2.3.6 N-(p-乙酰氧基苯基)马来酰亚胺的制备 |
| 2.3.7 N-环己基马来酰亚胺的制备 |
| 2.3.8 N-(p-羟基苯基)马来酰亚胺的制备 |
| 2.3.9 N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺的制备 |
| 2.3.10 N-羟基-3,6,内氧桥-4-环己烯二甲酰亚胺的制备 |
| 2.3.11 N-苯基甲基丙烯酰胺的制备 |
| 2.3.12 N-(p-羟基苯基)甲基丙烯酰胺的制备 |
| 2.3.13 N-(p-乙酰氧基苯基)甲基丙烯酰胺的制备 |
| 2.3.14 p-特丁氧酰氧基苯乙烯的制备 |
| 2.3.15 N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯的合成 |
| 2.3.16 N-羟基-3,6-内氧桥-4-环己烯二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯的合成 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 光致产酸剂和其它助剂的合成、表征与性能测试 |
| 3.1 引言 |
| 3.1.1 光敏剂 |
| 3.1.2 助剂 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 仪器和试剂 |
| 3.2.2 合成 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 对甲基苯磺酸三苯基硫鎓盐的制备 |
| 3.3.2 N-羟基邻苯二甲酰亚胺对甲苯磺酸酯的合成 |
| 3.3.3 二苯甲酮的制备 |
| 3.3.4 β-特丁氧酰氧基萘酚的制备 |
| 3.3.5 (4,4’-二特丁氧酰氧基)二苯基丙烷的制备 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 主体成膜树脂的制备、纯化及性能评价 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 仪器和试剂 |
| 4.2.2 实验操作 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 聚苯乙烯共 N-(p-羟基苯基)马来酰亚胺 |
| 4.3.2 聚 N-(p-羟基苯基)甲基丙烯酰胺共 N-苯基马来酰亚胺 |
| 4.3.3 聚 N-苯基甲基丙烯酰胺共 N-(p-羟基苯基)马来酰亚胺 |
| 4.3.4 聚p－特丁氧酰氧基苯乙烯 |
| 4.3.5 聚 PTBOCS 共 N-苯基马来酰亚胺 |
| 4.3.6 聚 PTBOCS 共 N-环己基马来酰亚胺 |
| 4.3.7 聚 PTBOCS 共 N-羟基-3,6-内氧桥-4-环己烯二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯 |
| 4.3.8 聚 PTBOCS 共 N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 光刻胶的配置及其光刻工艺评价 |
| 5.1 引言 |
| 5.1.1 光刻胶的主要性能指标 |
| 5.1.2 光刻工艺 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 仪器和试剂 |
| 5.2.2 实验操作 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 耐高温紫外正型光刻胶 |
| 5.3.2 化学增幅型 248nm 深紫外光刻胶 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 光刻胶显影成像机理的探讨 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.2.1 仪器和试剂 |
| 6.2.2 实验操作 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 邻重氮萘醌系耐高温紫外光刻胶的显影成像 |
| 6.3.2 248nm 深紫外光刻胶的显影成像 |
| 6.4 本章小结 |
| 7 全文总结及展望 |
| 7.1 全文总结 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间公开发表的论文 |
四、负性与正性抗蚀剂技术的最新进展（论文参考文献）
- [1]微电子光致抗蚀剂的发展及应用[J]. 魏玮,刘敬成,李虎,穆启道,刘晓亚. 化学进展, 2014(11)
- [2]光刻胶用底部抗反射涂层研究进展[J]. 王宽,刘敬成,刘仁,穆启道,郑祥飞,纪昌炜,刘晓亚. 影像科学与光化学, 2016(02)
- [3]光刻材料的发展及应用[J]. 庞玉莲,邹应全. 信息记录材料, 2015(01)
- [4]基于天然高分子的可再生光刻材料的研究进展[J]. 陕绍云,王守宏,支云飞. 精细化工, 2021(10)
- [5]电子束重复增量扫描产生三维结构的关键技术研究[D]. 卢文娟. 山东大学, 2007(08)
- [6]电子束光刻的三维加工和邻近效应校正技术研究[D]. 郝慧娟. 山东大学, 2007(03)
- [7]国外光致抗蚀剂材料的最新动向[J]. 闻芹堂,周建竞. 江苏化工, 1983(01)
- [8]光敏聚酰亚胺合成方法及应用的最新进展[J]. 侯豪情,李悦生,丁孟贤,韩阶平. 功能高分子学报, 1996(02)
- [9]纳米压印光刻技术综述[J]. 魏玉平,丁玉成,李长河. 制造技术与机床, 2012(08)
- [10]耐高温紫外正型光刻胶和248nm深紫外光刻胶的研制[D]. 刘建国. 华中科技大学, 2007(05)