一、砷化镓中缺陷阴极荧光的时间分辨研究（论文文献综述）
林兰英[1]（1983）在《国内外化合物半导体材料特性研究的进展》文中研究说明本文叙述了化合物材料特性研究不断深入对提高材料和器件质量的重要性,简单介绍了研究化合物材料中杂质和缺陷的主要方法及其进展。着重对化合物材料特性研究的一些方面作了讨论,其中包括:1)高纯砷化镓中的电子迁移率以及浅杂质的识别;2)砷化镓中深中心性质的研究;3)化合物半导体中缺陷的电镜研究;4)半绝缘砷化镓的研究;5)磷化铟中杂质和缺陷的性质。
董增印[2]（2018）在《基于多孔氮化镓的HVPE法生长氮化镓单晶》文中研究指明氮化镓被广泛应用于光电子和电力电子器件之中。由于氮化镓体单晶的研究进展落后于氮化镓器件的研究进展,商品化的氮化镓器件通常是在异质衬底上制备的。但是异质外延所导致的氮化镓结晶质量变差严重限制了器件的性能,因此制备同质氮化镓衬底成为解决这种困境的关键所在。由于生长速度快、设备相对简单等优点,氢化物气相外延（HVPE）法被认为是最有希望获得自支撑氮化镓衬底的方法之一,但是由于HVPE氮化镓是在异质衬底上生长的,氮化镓厚膜和异质衬底的分离成为获得自支撑氮化镓衬底的一个难题。目前常用的剥离方法有机械研磨、激光剥离等方法,但是这些方法一般工艺复杂,成本比较高。本论文的研究工作是采用2种不同的方法制备2英寸的自支撑氮化镓衬底。研究内容及结果如下:1.开发了一种二氧化硅胶体旋涂制备多孔氮化镓层并基于这种多孔层剥离制备自支撑氮化镓衬底的新方法。优化旋涂工艺,确定4000 rpm转速下得到的纳米二氧化硅球层厚度径向分布均匀。研究了不同厚度的多孔氮化镓层对其上生长的氮化镓厚膜质量的影响,结果表明多孔氮化镓层过厚会导致氮化镓厚膜质量变差;而厚度过薄则无法形成多孔结构。最终选择180-240 nm的多孔氮化镓层。在多孔氮化镓上继续生长氮化镓厚膜,最终得到基本无残余应力的自支撑氮化镓衬底,位错密度小于107cm-2,曲率半径为7.4 m。2.采用原位氮化金属钛膜法制备自支撑氮化镓衬底。优化磁控溅射工艺,得到20 nm厚的金属钛膜。研究了不同退火时间、不同的氨气和氢气流速比对制备的氮化钛的影响,结果表明随着退火时间的延长（或氢气比重的增大）,氮化钛的热凝聚越强,获得的纳米网结构氮化钛层的孔洞越大。最终选择的退火工艺为氨气和氢气流速比为1:4和退火时间为30 min。在纳米网结构氮化钛层上以不同Ⅴ/Ⅲ比生长氮化镓,发现Ⅴ/Ⅲ比能够影响多孔氮化镓层的孔隙的大小,而Ⅴ/Ⅲ比为10生长的氮化镓孔隙长度最大,对氮化镓厚膜中的位错抑制效果好。3.采用HRXRD、常温PL和SIMS对比两种方法制备的自支撑氮化镓衬底的结晶质量和杂质含量,发现采用原位氮化金属钛膜制备的自支撑氮化镓衬底的质量相比旋涂二氧化硅胶体得到的结晶质量更好,杂质元素硅的含量更低。
孙卫忠[3]（2006）在《半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶中的杂质与缺陷》文中研究表明GaAs晶体是一种电学性能优越的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，以其为衬底制作的半导体器件及集成电路，由于具有信息处理速度快等优点而受到青睐，成为近年来研究的热点。以液封直拉半绝缘GaAs为衬底的金属半导体场效应晶体管（MESFET）器件是超大规模集成电路和单片微波集成电路广泛采用的器件结构，但衬底的位错、杂质及微缺陷严重影响材料的电学均匀性，进而影响器件的性能和寿命，因此研究LEC法生长SI-GaAs（LEC SI-GaAs）衬底材料中的位错、微缺陷、杂质及它们对器件性能的影响，对GaAs集成电路和相关器件的设计及制造是非常必要的。 本课题采用超声AB腐蚀法、熔融KOH腐蚀法、X射线异常透射形貌、透射电镜、扫描电镜和X射线电子探针微区分析等分析技术对SI-GaAs单晶的位错与微缺陷、杂质等进行了系统研究，并探讨了这些缺陷对MESFET器件电参数的影响。 发现几乎所有高位错密度的SI-GaAs单晶都具有网络状胞状结构或系属结构，首次对该胞状结构和系属结构的形成机制进行了研究，从晶体生长和冷却过程的热应力、弹性形变引起位错的运动和反应考虑，分析了该结构的形成机理与过程。认为这是由高密度位错（EPD）运动和反应所形成的小角度晶界的集合群。 发现SI-GaAs中微缺陷是点缺陷凝聚的结果，它们以微沉淀、小位错环或杂质原子与本征点缺陷复合体的形式存在于砷化镓中。微缺陷的大小在微米量级，φ2″和φ3″晶片中微缺陷的分布规律有差异。多数微缺陷被位错吸附而缀饰于位错上，极少数受位错的吸附作用小，位于剥光区。 发现晶片中位错密度和分布严重影响碳的微区分布，高密度位错区，位错形成较小的胞状结构，胞内无孤立位错，碳在单个胞内呈U型分布；较低密度位错区，胞状结构直径较大，胞内存在孤立位错，碳在单个胞内呈W型分布。分散排列的高密度和低密度位错区，位错线上和完整区碳浓度变化不大。SI-GaAs中胞状结构是引起碳不均匀分布的主要原因。对这种不均匀分布的机理及对材料电学特性的影响进行了分析。 以LEC SI-GaAs晶体为衬底制作注入型MESFET器件，研究了GaAs衬底中AB微缺陷和MESFET器件电性能（包括跨导、饱和漏电流和阈值电压）的关系，并对其影响机理进
唐蕾[4]（2003）在《半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究》文中研究指明砷化镓（GaAs）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子迁移率高、直接跃迁型能带结构等优点，其用途主要在两方面：一为SI-GaAs微电子器件；一为半导体GaAs光电子器件。目前，液封直拉技术生长GaAs单晶获得了广泛关注，因为它能够以合理的成本生产大直径的半绝缘单晶。半绝缘材料是生产集成电路等微电子器件的良好材料，而这种应用就要求整个晶片具有很高的均匀性。研究证明，SI-GaAs衬底电学特性的不均匀与材料中深能级微缺陷，特别是EL2（深能级施主，被认为是As的反位缺陷的复合体）有极大的关系，而这些深能级微缺陷又与热应力形成的长入位错有密切联系。 本课题采用择优腐蚀法、X射线异常透射形貌、透射电镜、扫描电镜和能量色散谱等实验方法研究SI-GaAs单晶的位错与微缺陷。发现几乎所有高位错密度的SI-GaAs单晶的表层都具有网络状胞状结构或系属结构，首次对该胞状结构和系属结构的形成机制进行了研究；直接观察微缺陷，配合EDS（能量色散谱）鉴定SI-GaAs中微缺陷的物理本质，同时分析其产生原因，讨论与位错的相互作用。最后用扫描电镜观察胞状或系属结构，来评估其对衬底电学参数不均匀性的影响。 研究成果对材料和器件生产者了解晶体缺陷对于器件生产的危害，改进材料生产工艺，控制生产流程以及提高器件质量等方面提供理论依据。
王硕[5]（2020）在《HVPE-GaN光致发光测试分析及应用研究》文中研究说明氮化镓（GaN）是由Ⅲ族元素Ga和Ⅴ族元素N组成的直接宽带隙化合物半导体材料。GaN物理化学性质稳定,具有优异的光电特性,不仅是制备高性能发光器件的理想材料,也是制备光电子器件和高功率器件的关键材料之一。氢化物气相外延（HVPE）技术是目前实现GaN体材料产业化最具潜力的生长方法。光致发光测试操作简单,无破坏性而且具有较高的灵敏度,在半导体材料及器件的生产和研究中是基础的也是必要的传统测试方法。开展HVPE-GaN光致发光测试分析及其应用研究对提高GaN晶体质量、加快产业化进程、开发测试方法等具有重要意义。这项工作以系列HVPE生长的GaN（HVPE-GaN）样品为研究对象,围绕光致发光测试分析及应用开发这一主题展开研究。论文主要工作如下:1、基于光致发光基本原理,通过具体实例阐述了光致发光测试基本方法。成功采集并分析了不同GaN样品的光致发光谱,丰富和完善了HVPE-GaN样品的光谱数据库。2、将国内常用于生物医学领域的双光子激发光致发光测试系统应用于非故意掺杂GaN样品三维位错分布的无损表征,成功采集到了200（X）×200（Y）×70（Z）μm3的三维位错分布图像。借助阴极荧光测试验证了测试结果的有效性,结果表明使用双光子激发光致发光测试表征GaN材料的三维位错分布是可靠的。3、结合光致发光和二次离子质谱测试,重点分析了Ge掺杂GaN样品光致发光谱中位于3.473eV（4K）处激子发射线以下23meV和16meV的两个发光线与杂质的相关性。结合光致发光和霍尔测试,从能带层面分析了Ge掺杂GaN样品中光致发光特性与载流子浓度之间的相关性。使用光致发光谱的主峰全宽（ΔE）与载流子浓度（n）之间的依赖关系计算得到的载流子浓度与实验测得的载流子浓度之间的误差小于1个数量级。结果表明光致发光测试是表征Ge掺杂GaN材料中杂质和载流子浓度的一种可行方法。这项工作在研究光致发光测试分析及其应用拓展的同时表征了样品中位错、应力、杂质及载流子浓度等指标,不仅反映了系列HVPE-GaN样品的晶体质量,丰富了HVPE-GaN光谱数据库,也为传统光致发光测试分析方法的新用途开发提供了参考。
陈飞飞[6]（2019）在《AlN：Eu薄膜及相关材料的结构和光学特性的研究》文中研究指明稀土离子掺入AlN形成的新型材料将稀土离子优良的光学、磁学性质与AlN优异的电学性质集于一体,在探测器件、激光器、照明显示器件以及稀磁半导体等众多领域具有光明的应用前景和较高的商业价值,因此成为目前研究的热门材料之一。本文采用HVPE方法在蓝宝石衬底上制备厚度约290 nm的AlN薄膜,随后采用离子注入的手段将Eu、Tm、Pr和Er注入AlN层,制备出一系列稀土离子单掺、双掺以及三掺AlN的样品。采用EDX检测样品的成分,以Raman和XRD为结构表征手段,CL和PL为光学表征手段,主要研究离子注入剂量、退火温度和共掺对样品的结构和光学特性的影响。研究的主要内容和分析结果如下:1.研究了退火温度对AlN:Eu样品的元素成分、结构和光学特性的影响,在EDX谱中,发现退火温度对样品中O元素的含量有较大影响,当退火温度增加时,O元素的含量变少。1040℃的退火能够释放离子注入引入的应力,使得AlN薄膜的晶格损伤得到一定程度的修复。AlN:Eu样品在1000℃下退火时,Eu离子的发光强度最强,超过1000℃,发光强度下降。2.研究了Eu离子注入剂量对AlN:Eu样品的结构和光学特性的影响。结果表明:剂量为1×10155 at/cm2的Eu离子注入AlN产生的空位能释放晶格中的应力;随着注入剂量的增加,Eu离子的发光强度增强,缺陷发光强度减弱直至消失。低温下AlN:Eu薄膜的PL谱包含丰富的发射峰,根据发射峰的强度和峰位随温度的变化将发射峰对应到Eu离子4f能级跃迁。3.对AlN:Eu/Tm、AlN:Eu/Pr、AlN:Eu/Er和AlN:Eu/Pr/Tm样品的发光光谱进行了深入的分析,发现在Eu、Tm和Pr离子之间存在着能量的传递,并且是由Tm和Pr离子单向传递给Eu离子,以及Pr离子单向传递给Tm离子。随着稀土离子的注入剂量比的变化,样品发光的色度坐标发生变化,且在AlN:Eu/Pr/Tm样品中,进一步增加Pr离子的剂量,有望实现材料的白光发射。4.研究了测量温度对AlN:Eu/Pr样品的光致发光特性的影响,观察到当温度从3.5 K升高到280 K时,Eu和Pr离子的发射峰强度出现显着降低,而Pr离子527 nm发射峰和Eu离子545 nm的发射峰出现蓝移。低温下,Eu离子604 nm和625 nm的发射峰出现分裂。通过改变离子注入剂量、离子种类以及退火条件,能够有效地提高材料的发光效率以及实现对材料发光颜色的调控,这在照明和全色显示领域具有重大意义。
赵彦桥[7]（2007）在《大直径SI-GaAs中缺陷的微观特性及其分布》文中研究指明GaAs是发展最快的第二代化合物半导体材料,具有迁移率高、直接跃迁型能带结构等优点,适合制造高频、高速器件和电路。作为基础半导体材料的半绝缘砷化镓（SI-GaAs）市场需求很大,其相关电子器件已发展到光通讯、卫星通讯、网络技术等诸多领域。器件和市场的需要对GaAs单晶材料提出了越来越高的要求,要求它在增大单晶直径的同时,还要减少晶体中的缺陷,不断提高各项物理参数及其均匀性等。因此对大直径SI-GaAs中的缺陷研究至关重要。本文主要采用标准配比的AB腐蚀液和熔融KOH腐蚀液对6英寸SI-GaAs晶片进行化学腐蚀,利用金相显微镜、扫描电镜和原子力显微镜来显示和检测缺陷的形貌、分布、密度等方面的情况,发现了不同形貌的位错和微缺陷。并利用PL Mapping技术,检测了样品的均匀性,得到了样品中缺陷的整体分布状况,研究了缺陷的微观特性和形成机理。实验结果表明,大直径SI-GaAs晶片,经化学腐蚀后表面出现了明显的位错胞状结构和网状结构,随着腐蚀时间的延长还会出现环状位错和枣核形层错结构等特殊缺陷形貌;SI-GaAs中的位错和微缺陷是紧密联系并且相互作用的;沿样品的直径方向位错密度呈U型分布;SI-GaAs中各种缺陷形貌的形成与晶体的结晶学方向和晶体的生长工艺等因素有关。以上研究结果有助于材料和器件生产者了解晶体缺陷对于器件生产的影响,改进材料生产工艺,提高器件质量等。
李腾坤[8]（2020）在《GaN体单晶的氨热法生长及物性研究》文中研究表明氮化镓（GaN）体单晶为制作高性能GaN基器件提供高质量、大尺寸、任意取向的单晶衬底材料。氨热法由于具有近热力学平衡条件下生长、易规模放大等优点,被认为是一种能够实现GaN体单晶产业化的生长技术。本论文围绕氨热法生长GaN体单晶设备及晶体生长特性展开研究,采用自主搭建的氨热生长系统,优选矿化剂,获得了高质量GaN体单晶,并研究了不同极性面籽晶生长特性,主要研究内容如下:1、自主搭建氨热生长系统。该系统生长温度能够达到600℃,生长压力可以达到300MPa,并通过计算模拟和实验相结合,设计了挡板开孔率及籽晶架结构,优化了高压釜内部温场、流场。系统压力偏差低至0.5MPa/d,验证了设备的稳定性和可靠性。本工作为氨热法法生长GaN体单晶的研究,提供了可靠的保障。2、矿化剂优选及点缺陷研究。探索了酸性矿化剂NH4Cl生长GaN体单晶及其存在的对高压釜腐蚀问题。研究了添加碱性矿化剂KNH2生长GaN体单晶,经过实验条件的优化,实现了高质量c面、非极性和半极性面GaN体单晶的生长,并研究了添加半密封内衬及退火处理对点缺陷的影响。添加半封闭内衬研究结果表明,短周期生长过程中,添加半封闭内衬有效降低釜壁材料相关杂质浓度。3、非极性、半极性GaN体单晶氨热法生长习性研究。使用非极性（10-10）面、半极性（20-21）面和（10-11）面HVPE-GaN籽晶,研究了氨热法GaN体单晶生长习性。观察到了三种不同的表面特征,包括丘状、板岩状和椭球状。通过GaN体单晶的截面测试,观察了不同晶面的生长速率和演化过程。根据生长速率,构建了氨热法GaN生长的动力学Wulff曲线,以预测晶体生长的平衡形态,得到了氨热法GaN体单晶生长的稳定面为m面、{10-11}面和（000-1）面。4、不同极性面HVPE籽晶氨热法GaN体单晶应力分布研究。研究了（11-20）面、（10-10）面、（20-21）面和（10-11）面氨热法GaN单晶的应力分布。阴极荧光（CL）清晰地显示了 HVPE GaN籽晶和氨热法GaN的界面信息;二次离子质谱（SIMS）和霍尔（Hall）测试了杂质浓度和自由载流子浓度。此外,通过Raman光谱E2（high）声子峰频移研究了应力分布。结果表明,氨热法GaN体单晶中的压应力约为35MPa,氨热法GaN界面相对籽晶的压应力约为60MPa。5、氨热法GaN体单晶不同生长区域的特性研究。根据光学性质的不同,生长区域分为Ga-polar、N-polar,wingl和wing2等四个区域。Raman光谱进一步表征了不同区域的应力分布,其中wing2区域相对于其他区域存在约40MPa压应力,对于wing2区域的形成还需要进一步的研究。在氨热法GaN体单晶的生长中,a向侧向生长速率最快,为了进一步扩大籽晶的尺寸,需要利用a向侧向生长的优势。
杨新荣[9]（2004）在《非掺半绝缘砷化镓中位错对碳微区分布的影响》文中研究表明液封直拉法生产的半绝缘砷化镓单晶（LEC SI-GaAs）被广泛用于微波器件和高频集成电路的衬底材料，成为当代信息产业的重要材料之一。随着器件向更大功率、更大集成度的发展，对材料衬底的均匀性、微区均匀性，提出了更高的要求。而非掺LEC SI-GaAs中的高密度位错，往往形成胞状结构；其它杂质和点缺陷的形成与分布与该结构密切相关，并导致GaAs材料电学和光学特性的不均匀。另外，目前普遍认为非掺SI-GaAs单晶的半绝缘特性是浅受主碳和深施主EL2相互补偿的结果。因此碳和EL2的微区均匀性直接决定着GaAs材料电阻率的均匀性。随着单晶生长技术的发展，通过退火，由于SI-GaAs中理论化学配比偏离，EL2浓度可被控制在1～1.5×1016／cm-3，且分布均匀。因此碳的分布就成为决定SI-GaAs材料电阻率均匀性的一个关键因素。所以，研究碳微区均匀性就显得非常重要。 本文通过AB腐蚀、KOH腐蚀，金相显微镜观察，透射电镜能谱分析，电子探针X射线微区分析，研究了液封直拉法生长的非掺半绝缘砷化镓（LEC，SI-GaAs）单晶中碳的微区分布。发现晶片中位错密度和分布严重影响碳的微区分布，高密度位错区，位错形成较小的胞状结构，胞内无孤立位错，碳在单个胞内呈U型分布；较低密度位错区，胞状结构直径较大，胞内存在孤立位错，碳在单个胞内呈W型分布。分散排列的高密度和低密度位错区，位错线上和完整区碳浓度变化不大。因此，本文认为SI-GaAs中胞状结构是引起碳不均匀分布的主要原因，本文还研究了造成这种不均匀分布的机理，及对材料电学特性的影响。 本文的研究成果对材料和器件生产者了解晶体缺陷对于器件生产的危害，改进材料生产工艺，控制生产流程以及提高器件质量等方面提供理论依据。
王明月[10]（2009）在《GaN光致发光谱与穿透位错特性研究》文中研究说明氮化镓（GaN）是宽禁带直接带隙半导体材料,具有优良的光学和电学性质,在蓝绿到紫外波段的光电子器件和高功率微波器件等领域有着广泛的应用前景。在GaN基光电子器件中,材料中的缺陷和杂质所产生的深能级发光会降低带间辐射复合跃迁的发光效率。在众多有关GaN薄膜光致发光（PL）特性研究的报道中,不同的样品所测的光致发光谱不尽相同,特别是对GaN半导体材料深能级发光的起源,不同文献的解释存在争议。因此,进一步研究GaN的光致发光谱是必要的。本文采用四种不同光源作为激发光源,实验研究了金属有机物汽相外延方法（MOVPE）在蓝宝石衬底上生长的GaN的光致发光光谱特性。结果发现采用氙灯光源和He-Cd激光器两种连续光作为激发光源时,PL谱中均出现较宽的黄带发光,其中心波长位于550nm附近。而采用YAG激光器和He-Cd激光器两种脉冲光作激发光源时,PL谱中主要出现中心波长位于约365nm的带边发光峰,而未出现黄带发光。结果表明蓝宝石衬底上MOVPE生长GaN薄膜的PL谱中黄带发光特性与激发光源性质有关。这对于进一步研究深能级的起源有一定的参考价值。GaN的深能级发光特别是黄带发光与材料的本生位错缺陷直接相关。GaN通常在蓝宝石衬底上异质外延生长,然而蓝宝石异质外延衬底与GaN之间存在较大的晶格失配,导致GaN外延层中的位错缺陷密度高达108-1010cm-2。延伸到GaN表面的穿透位错（TDs）会形成非辐射复合中心和光散射中心,降低光电子器件发光效率。有文献报道只有纯螺型TDs和混合型TDs才是非辐射复合中心,也有报道部分纯刃型TDs对非平衡少数载流子有一定的非辐射复合作用。总之,人们对穿透位错类型与非辐射复合中心的对应关系尚无统一的认识。因此,研究GaN的穿透位错特性将有助于揭示其深能级发光机理。本论文采用原子力显微镜（AFM）同位观测方法,对MOCVD生长GaN样品标记区域进行表面形貌测试,统计得到每个位错坑的半径和深度在腐蚀前和2次腐蚀后的变化,并根据位错坑的初始位置,结构和腐蚀速率判定各位错对应的类型。结果发现,热磷酸腐蚀后位错坑的半径和深度存在一定对应关系,其中半径大的腐蚀坑的深度也较大,而半径小的腐蚀坑的深度也较小。按半径和深度大小可分为大坑和小坑两类,这两类所占的百分比分别为52.7%和47.3%。小坑在腐蚀前位于GaN自然生长面的台阶面上,为刃位错,而大坑在腐蚀前位于台阶终结处,为混合位错或螺位错。位错坑结构腐蚀前后同位跟踪分析还发现,位错坑的结构随着腐蚀时间而变化,这意味着位错坑结构与位错类型不存在一一对应关系。另外,实验数据显示两种位错坑半径的腐蚀速率几乎都是其深度腐蚀速率的10倍左右,说明GaN在热磷酸腐蚀时的横向腐蚀速率大于其纵向腐蚀速率,这解释了实验观察到的刃位错形成的小腐蚀坑在长时间腐蚀后,因超出AFM所能分辨的范围而“消失”的现象。把80分钟腐蚀后GaN样品的阴极荧光（CL）全色显微图像与扫描电镜（SEM）在同一微区获得的显微图像进行对比分析,分析发现SEM得到的80分钟腐蚀样品的腐蚀坑密度与AFM结果一致,然而CL显微图像中非辐射复合中心密度是这一腐蚀坑密度的2倍。这说明经过80分钟腐蚀后,占样品总位错密度一半的刃位错在AFM和SEM下几乎全部“消失”,但作为穿透位错,刃位错实际仍然存在于样品中,因此在CL显微图像中仍然能观测到这部分刃位错,也说明刃位错和带有螺分量的位错均是非辐射复合中心。这为进一步深入研究单个不同类型位错区域的发光特性奠定了基础。
二、砷化镓中缺陷阴极荧光的时间分辨研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、砷化镓中缺陷阴极荧光的时间分辨研究（论文提纲范文）
（2）基于多孔氮化镓的HVPE法生长氮化镓单晶（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 氮化镓的结构与特性 |
| 1.2 氮化镓体单晶生长方法 |
| 1.3 HVPE法生长自支撑氮化镓衬底 |
| 1.4 同质衬底外延氮化镓 |
| 1.5 本文的工作安排 |
| 第2章 实验平台及表征方法 |
| 2.1 HVPE生长氮化镓的基本理论 |
| 2.1.1 HVPE生长氮化镓的热力学理论 |
| 2.1.2 HVPE系统的工作原理 |
| 2.2 GaN材料的表征 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 |
| 2.2.2 高分辨X射线衍射 |
| 2.2.3 拉曼光谱 |
| 2.2.4 光致发光谱 |
| 2.2.5 原子力显微镜 |
| 2.2.6 二次离子质谱仪 |
| 第3章 二氧化硅胶体旋涂制备多孔氮化镓及HVPE氮化镓厚膜剥离 |
| 3.1 二氧化硅胶体旋涂法制备自支撑氮化镓衬底的生长工艺 |
| 3.2 匀胶机转速对纳米二氧化硅球层均匀性的影响 |
| 3.3 多孔氮化镓层厚度对高质量氮化镓厚膜的影响 |
| 3.4 使用多孔氮化镓结构衬底生长自支撑氮化镓衬底 |
| 3.4.1 自支撑氮化镓晶体的残余应力 |
| 3.4.2 自支撑氮化镓晶体的曲率半径 |
| 3.4.3 自支撑氮化镓晶体的位错密度 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 原位氮化金属钛膜法制备多孔氮化镓层实现氮化镓厚膜剥离 |
| 4.1 原位氮化金属钛膜法制备自支撑氮化镓衬底的工艺流程 |
| 4.2 磁控溅射制备金属钛膜 |
| 4.2.1 磁控溅射原理 |
| 4.2.2 磁控溅射镀金属Ti膜 |
| 4.3 不同退火条件对纳米网结构氮化钛层的影响 |
| 4.4 不同Ⅴ/Ⅲ比对氮化镓质量的影响 |
| 4.4.1 不同Ⅴ/Ⅲ比对多孔氮化镓层孔隙的影响 |
| 4.4.2 不同Ⅴ/Ⅲ比对氮化镓厚膜结晶质量的影响 |
| 4.4.3 不同Ⅴ/Ⅲ比对氮化镓厚膜中位错的抑制效果 |
| 4.5 使用多孔氮化镓结构衬底生长自支撑氮化镓衬底 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 自支撑氮化镓衬底的性质研究 |
| 5.1 自支撑氮化镓衬底的结构分析 |
| 5.2 自支撑氮化镓衬底的光学特性 |
| 5.3 自支撑氮化镓衬底的杂质含量 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 |
| 致谢 |
（3）半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶中的杂质与缺陷（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 文献综述 |
| §1.1 GaAs材料的结构、特点及应用 |
| 1.1.1 前言 |
| 1.1.2 GaAs材料的结构 |
| 1.1.3 GaAs材料的性质 |
| 1.1.4 GaAs材料的应用 |
| 1.1.5 SI-GaAs材料的特性 |
| §1.2 SI-GaAs技术的发展及重要性 |
| §1.3 国内外SI-GaAs晶体研究的热点问题 |
| 1.3.1 SI-GaAs晶体中的点缺陷 |
| 1.3.2 SI-GaAs晶体中位错的研究 |
| 1.3.3 SI-GaAs单晶中胞状结构和系属结构的研究 |
| 1.3.4 SI-GaAs单晶中位错的电活性问题 |
| §1.4 研究SI-GaAs晶体中微缺陷与杂质的重要意义 |
| 1.4.1 SI-GaAs中单晶中微缺陷的研究现状 |
| 1.4.2 SI-GaAs单晶中主要杂质的研究现状 |
| 1.4.3 研究SI-GaAs单晶中微缺陷与杂质的重要意义 |
| §1.5 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 SI-GaAs单晶的生长工艺 |
| §2.1 GaAs单晶的生长 |
| 2.1.1 LEC技术 |
| 2.1.2.VGF/VB技术 |
| 2.1.3 其它生长技术 |
| §2.2 SI-GaAs单晶的生长 |
| 第三章 SI-GaAs单晶中的位错 |
| §3.1 SI-GaAs单晶中位错的显示 |
| 3.1.1 腐蚀机理 |
| 3.1.2 实验过程 |
| 3.1.3 实验结果 |
| §3.2 SI-GaAs单晶中的位错网络 |
| 3.2.1 X射线透射形貌技术 |
| 3.2.2 实验过程 |
| 3.2.3 实验结果 |
| §3.3 SI-GaAs单晶中胞状结构的本质 |
| 3.3.1 塑性变形的原因 |
| 3.3.2 塑性变形第一阶段 |
| 3.3.3 塑性变形第二阶段 |
| 3.3.4 塑性变形第三阶段 |
| 3.3.5 回复过程 |
| §3.4 小结 |
| 第四章 SI-GaAs单晶中的微缺陷 |
| §4.1 SI-GaAs单晶中微缺陷的观察 |
| 4.1.1 透射电镜(TEM)技术 |
| 4.1.2 SI-GaAs中微缺陷的TEM观察 |
| 4.1.3 超声AB腐蚀SI-GaAs中微缺陷的显微观察 |
| 4.1.4 SI-GaAs单晶中微缺陷与位错的相互作用 |
| 4.1.5 其它因素引起的缺陷 |
| §4.2 SI-GaAs单晶中微缺陷的实质及形成 |
| 4.2.1 微缺陷的实质 |
| 4.2.2 微缺陷的形成 |
| §4.3 小结 |
| 第五章 SI-GaAs单晶中的杂质 |
| §5.1 LEC SI-GaAs中主要杂质及EL2缺陷 |
| 5.1.1 As沉淀及其对EL2的影响 |
| 5.1.2 EL2深施主缺陷 |
| 5.1.3 碳杂质 |
| §5.2 LEC SI-GaAs中碳杂质的微区分布 |
| 5.2.1 透射电镜能谱分析研究SI-GaAs单晶中碳的微区分布 |
| 5.2.2 EPMA研究SI-GaAs单晶中碳的微区分布 |
| §5.3 小结 |
| 第六章 SI-GaAs衬底微缺陷对MESFET器件性能的影响 |
| §6.1 MESFET器件结构特性和制造工艺 |
| 6.1.1 GaAs M ESFET器件结构 |
| 6.1.2 MESFET器件的特性 |
| 6.1.3 GaAs MESFET器件的制造工艺 |
| §6.2 LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件参数的影响 |
| 6.2.1 LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件跨导的影响 |
| 6.2.2 LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件饱和漏电流的影响 |
| 6.2.3 LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件阈值电压的影响 |
| 6.2.4 LEC SI-GaAs微缺陷对MESFET器件电学参数影响的分析 |
| §6.3 小结 |
| 第七章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 |
（4）半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究（论文提纲范文）
| 第一章 文献综述 |
| §1.1 GaAs材料的结构、特点 |
| 1.1.1 前言 |
| 1.1.2 GaAs材料的结构和性质 |
| §1.2 GaAs单晶生长 |
| 1.2.1 常用GaAs单晶的生长 |
| 1.2.2 SI-GaAs单晶生长 |
| §1.3 GaAs材料的应用领域和市场前景 |
| 1.3.1 GaAs材料的应用领域 |
| 1.3.2 GaAs材料的市场前景 |
| §1.4 非掺杂LEC法生长的SI-GaAs单晶中常见的缺陷 |
| 1.4.1 点缺陷 |
| 1.4.2 体缺陷 |
| 1.4.3 线缺陷 |
| §1.5 SI-GaAs单晶中位错的研究 |
| 1.5.1 SI-GaAs单晶中位错的类型、位错反应、滑移、攀移的研究 |
| 1.5.1.1 前言 |
| 1.5.1.2 SI-GaAs单晶中位错的增殖 |
| 1.5.2 SI—GaAs单晶锭中位错的引入机制、位错的类型及分布、交滑移、攀移机制的研究 |
| 1.5.2.1 前言 |
| 1.5.2.2 实验方法 |
| 1.5.2.3 结果与讨论 |
| 1.5.2.4 结论 |
| 1.5.3 LEC SI-GaAs单晶中位错的运动速度及其电活性的研究 |
| 1.5.4 SI-GaAs单晶中微缺陷与胞状结构之间的关系 |
| 1.5.4.1 引言 |
| 1.5.4.2 SI-GaAs晶体中的微缺陷 |
| 1.5.4.3 分析与讨论 |
| 1.5.5 LEC SI-GaAs单晶中位错的运动速度及其电活性的研究 |
| §1.6 研究非掺LEC法拉制的SI—GaAs晶体中缺陷的重要意义 |
| §1.7 本论文的研究重点和实验方法的确定 |
| 第二章 扫描电镜 |
| §2.1 实验（位错胞状结构对于材料电阻率的影响） |
| 2.1.1 前言 |
| 2.1.2 实验方法 |
| 2.1.3 结果 |
| 2.1.4 讨论 |
| 第三章 X射线透射形貌技术 |
| §3.1 X射线透射形貌技术的原理 |
| §3.2 LEC法拉制的SI-GaAs单晶中位错形成胞状结构和系属结构的研究 |
| 3.2.1 实验设备、实验样品参数及制备 |
| 3.2.2 实验步骤 |
| 3.2.3 实验结果 |
| 3.2.4 分析与讨论 |
| 3.2.4.1 塑性变形的原因 |
| 3.2.4.2 塑性变形第一阶段 |
| 3.2.4.3 塑性变形第二阶段 |
| 3.2.4.4 塑性变形第三阶段 |
| 3.2.4.5 回复过程 |
| 3.2.4.6 结论 |
| 第四章 透射电镜（TEM）和能谱仪研究GaAs晶体中的微缺陷和位错 |
| §4.1 透射电镜的构造及原理 |
| 4.1.1 工作原理 |
| 4.1.2 样品制备 |
| 4.1.3 典型应用 |
| §4.2 TEM（透射电镜）和EDX研究SI-GaAs单晶中的缺陷 |
| 4.2.1 引言 |
| 4.2.2 实验 |
| 4.2.3 实验结果 |
| 4.2.4 讨论 |
| 4.2.5 结论 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学位论文 |
（5）HVPE-GaN光致发光测试分析及应用研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 GaN材料特性及其优势 |
| 1.3 GaN材料的制备方法 |
| 1.3.1 高压氮气溶液法(HPNS) |
| 1.3.2 钠流法(Na Flux) |
| 1.3.3 氨热法(Ammonothermal) |
| 1.3.4 氢化物气相外延(HVPE) |
| 1.4 光致发光测试在GaN相关研究中的应用 |
| 1.4.1 PL测试应用于晶体质量表征和杂质及缺陷识别 |
| 1.4.2 PL测试分析与GaN基光电器件性能之间的联系 |
| 1.4.3 PL测试用于分析影响GaN材料与器件性能的物理机制 |
| 1.5 本文研究内容 |
| 2 GaN光致发光测试及其扩展应用研究 |
| 2.1 光致发光原理 |
| 2.2 光致发光测试系统 |
| 2.3 实验结果与讨论 |
| 2.3.1 非掺GaNPL测试分析 |
| 2.3.2 铁(Fe)掺杂GaN PL测试分析 |
| 2.3.3 锗(Germanium,Ge)掺杂GaN PL测试分析 |
| 2.4 光致发光扩展测试 |
| 2.4.1 双光子激发光致发光(Two Photon Excitation Photoluminescence,2PPL) |
| 2.4.2 阴极荧光(Cathodoluminescence,CL) |
| 2.4.3 实验结果与讨论 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 Ge掺杂GaN光致发光特性与杂质含量的相关性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品制备 |
| 3.3 检测方法 |
| 3.3.1 阴极荧光(Cathodoluminescence,CL) |
| 3.3.2 显微拉曼(micro-Raman) |
| 3.3.3 二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectrometry,SIMS) |
| 3.3.4 光致发光(Photoluminescence,PL) |
| 3.4 实验结果与讨论 |
| 3.4.1 样品位错密度 |
| 3.4.2 应力测试 |
| 3.4.3 光致发光谱分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 Ge掺杂GaN光致发光特性与载流子浓度的相关性研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品制备 |
| 4.3 检测方法 |
| 4.3.1 霍尔测试(Hall) |
| 4.3.2 光致发光(Photoluminescence,PL) |
| 4.4 实验结果与讨论 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 全文总结 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（6）AlN：Eu薄膜及相关材料的结构和光学特性的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 AlN的研究概述 |
| 1.2.1 AlN的结构和性质 |
| 1.2.2 AlN中的缺陷类型 |
| 1.2.3 AlN的制备方法 |
| 1.3 稀土离子掺杂AlN的研究概述 |
| 1.3.1 稀土元素的基本特性 |
| 1.3.2 稀土离子的激发机制和能量传递机制 |
| 1.3.3 影响稀土离子发光的主要因素 |
| 1.3.4 稀土离子掺杂AlN材料的研究现状 |
| 1.4 本论文研究内容 |
| 第二章 稀土离子掺杂AlN材料的制备和表征方法 |
| 2.1 离子注入 |
| 2.2 热退火 |
| 2.3 表征方法 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 |
| 2.3.2 X射线衍射 |
| 2.3.3 拉曼散射 |
| 2.3.4 能量色散X射线光谱仪 |
| 2.3.5 阴极荧光光谱 |
| 2.3.6 光致发光光谱 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 AlN:Eu薄膜的结构和光学特性 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 样品制备 |
| 3.2.2 样品测试 |
| 3.3 AlN:Eu薄膜材料的结构特性 |
| 3.3.1 样品成分 |
| 3.3.2 结构特性 |
| 3.4 AlN:Eu薄膜材料的光学特性 |
| 3.4.1 室温光学特性 |
| 3.4.2 低温光学特性 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 Eu和其他稀土离子共掺杂AlN材料的结构和光学特性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 样品制备 |
| 4.2.2 样品测试 |
| 4.3 光学特性 |
| 4.3.1 Eu、Tm离子共掺杂AlN |
| 4.3.2 Eu、Pr离子共掺杂AlN |
| 4.3.3 Eu、Er离子共掺杂AlN |
| 4.3.4 Eu、Pr和Tm三掺杂AlN |
| 4.4 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 图表目录 |
| 致谢 |
| 作者简历 |
（7）大直径SI-GaAs中缺陷的微观特性及其分布（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1-1 GaAs 材料的结构、性质、应用领域及其发展 |
| 1-1-1 砷化镓晶体的结构特点 |
| 1-1-2 砷化镓晶体的性质 |
| 1-1-3 砷化镓的发展及其应用领域 |
| 1-2 GaAs 晶体生长工艺 |
| 1-3 GaAs 单晶材料中的缺陷 |
| 1-3-1 晶体缺陷概述 |
| 1-3-2 GaAs 中的点缺陷 |
| 1-3-3 GaAs 晶体中的线缺陷 |
| 1-3-4 GaAs 晶体中的面缺陷 |
| 1-3-5 GaAs 中的体缺陷 |
| 1-3-6 GaAs 晶体中的微缺陷 |
| 1-4 GaAs 晶体中缺陷的显示和检测 |
| 1-4-1 GaAs 缺陷显示方法 |
| 1-4-2 GaAs 中缺陷的检测技术 |
| 1-5 研究SI-GaAs 中缺陷的意义 |
| 1-6 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 实验方法 |
| 2-1 样品制备 |
| 2-2 缺陷的腐蚀 |
| 2-2-1 AB 腐蚀和超声AB 腐蚀法 |
| 2-2-2 KOH 腐蚀法 |
| 2-3 缺陷检测 |
| 2-3-1 金相显微镜 |
| 2-3-2 扫描电子显微镜 |
| 2-3-3 原子力显微镜 |
| 2-3-4 PL Mapping 技术 |
| 第三章 SI-GaAs 中的缺陷形貌 |
| 3-1 引言 |
| 3-2 AB 腐蚀法显示缺陷 |
| 3-2-1 实验过程 |
| 3-2-2 结果与讨论 |
| 3-3 KOH 腐蚀法显示缺陷 |
| 3-3-1 实验过程 |
| 3-3-2 结果与讨论 |
| 3-4 腐蚀条件不同对腐蚀形貌的影响 |
| 3-4-1 不同腐蚀时间下不同的腐蚀形貌 |
| 3-4-2 不同腐蚀方法下不同的腐蚀形貌 |
| 3-5 小结 |
| 第四章 SI-GaAs 中缺陷的微观特性及其形成机理 |
| 4-1 位错的成因 |
| 4-1-1 胞状和系属结构产生的原因及特性 |
| 4-1-2 环形位错的成因 |
| 4-2 微缺陷的形成过程 |
| 4-3 位错腐蚀坑的形成 |
| 4-3-1 腐蚀坑的形成过程 |
| 4-3-2 蚀坑法分析SI-GaAs 中的位错 |
| 4-4 小结 |
| 第五章 大直径 SI-GaAs 晶体中缺陷分布 |
| 5-1 引言 |
| 5-2 实验 |
| 5-2-1 实验样品和仪器 |
| 5-2-2 实验过程 |
| 5-2-3 结果和讨论 |
| 5-3 SI-GaAs 中位错分布及其密度的测定 |
| 5-4 小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 |
（8）GaN体单晶的氨热法生长及物性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物材料及器件的研究意义 |
| 1.2 GaN材料的特性 |
| 1.3 GaN单晶衬底的优势 |
| 1.4 GaN体单晶生长技术难点 |
| 1.5 论文研究思路及主要工作 |
| 第2章 GaN体单晶生长技术及测试方法 |
| 2.1 HVPE法生长技术 |
| 2.1.1 HVPE法技术特点 |
| 2.1.2 HVPE法生长GaN体单晶的进展 |
| 2.2 高压溶液法生长技术 |
| 2.2.1 高压溶液法技术特点 |
| 2.2.2 高压溶液法生长GaN体单晶进展 |
| 2.3 助熔剂法生长技术 |
| 2.3.1 助熔剂法技术特点 |
| 2.3.2 助熔剂法生长GaN体单晶进展 |
| 2.4 氨热法生长技术 |
| 2.4.1 氨热法技术特点 |
| 2.4.2 氨热法生长GaN体单晶进展 |
| 2.5 GaN体单晶不同生长方法对比 |
| 2.6 材料表征方法 |
| 2.7 本章小结 |
| 第3章 氨热法生长系统搭建与GaN体单晶生长探索 |
| 3.1 氨热法设备国际发展现状 |
| 3.2 氨热法GaN体单晶生长设备研制 |
| 3.3 氨热法生长过程的温场、流场模拟 |
| 3.4 设备压力稳定性验证 |
| 3.5 氨热法生长GaN的热力学过程 |
| 3.6 氨热法生长GaN的矿化剂优选 |
| 3.6.1 酸性矿化剂探索 |
| 3.6.2 碱性矿化剂KNH_2 |
| 3.6.3 KNH2矿化剂体系生长GaN体单晶 |
| 3.6.4 氨热法GaN体单晶点缺陷研究 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 氨热法GaN体单晶生长习性研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.3 实验结果与分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 氨热法GaN体单晶应力分布研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验方法 |
| 5.3 实验结果与分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 氨热法GaN体单晶侧向生长研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 氨热法GaN侧向生长应用 |
| 6.3 侧向生长区域的杂质浓度分布及其影响 |
| 6.4 实验方法 |
| 6.5 实验结果与分析 |
| 6.6 本章小结 |
| 第7章 全文总结及展望 |
| 7.1 全文总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（9）非掺半绝缘砷化镓中位错对碳微区分布的影响（论文提纲范文）
| 第一章 文献综述 |
| 1-1 GaAs材料的结构、特点及应用 |
| 1-1-1 GaAs材料的结构 |
| 1-1-2 GaAs材料的特性 |
| 1-1-3 GaAs材料的应用领域和市场前景 |
| 1-1-4 SI-GaAs材料特性 |
| 1-2 GaAs单晶生长工艺 |
| 1-2-1 GaAs单晶生长 |
| 1-2-2 SI-GaAs单晶生长 |
| 1-3 GaAs晶体中的缺陷 |
| 1-3-1 GaAs晶体中点缺陷 |
| 1-3-2 GaAs晶体中位错 |
| 1-4 SI-GaAs晶体中的缺陷 |
| 1-4-1 SI-GaAs中主要剩余电活性杂质 |
| 1-4-2 SI-GaAs中主要点缺陷 |
| 1-4-3 SI-GaAs单晶中位错及分布 |
| 1-4-4 SI-GaAs单晶中胞状结构的本质和形成机理 |
| 1-5 研究非掺LEC法拉制的SI-GaAs单晶中碳微区分布的重要意义 |
| 1-6 本论文研究重点和实验方法的确定 |
| 第二章 SI-GaAs中主要点缺陷As沉淀、EL2和C受主缺陷 |
| 2-1 As沉淀及其对EL2的影响 |
| 2-2 EL2施主中心 |
| 2-2-1 EL2深施主缺陷及其构成模型 |
| 2-2-2 EL2的浓度及其分布 |
| 2-3 碳受主缺陷 |
| 2-3-1 碳杂质的引入 |
| 2-3-2 碳杂质的萃取 |
| 2-3-3 影响单晶中碳浓度的因素 |
| 2-3-4 GaAs单晶中碳的分布 |
| 2-3-5 C对LEC SI-GaAs材料特性的影响 |
| 2-4 LEC SI-GaAs中电学补偿机理分析 |
| 第三章 SI-GaAs中位错的显示腐蚀方法 |
| 3-1 AB腐蚀 |
| 3-1-1 腐蚀法的原理 |
| 3-1-2 电化学腐蚀条件及腐蚀液各成分的作用 |
| 3-2 腐蚀过程 |
| 3-2-1 样品准备 |
| 3-2-2 AB腐蚀液配制 |
| 3-2-3 腐蚀工艺 |
| 3-3 腐蚀结果及分析 |
| 第四章 透射电镜能谱分析研究SI-GaAs中碳的微区分布 |
| 4-1 透射电镜能谱分析原理及样品制备 |
| 4-1-1 透射电镜能谱分析原理 |
| 4-1-2 透射电镜样品制备 |
| 4-1-3 位错成像衬度分析 |
| 4-2 透射电镜能谱分析研究SI-GaAs单晶中碳的微区分布 |
| 4-2-1 样品准备及实验 |
| 4-2-2 实验结果 |
| 4-2-3 结果分析及讨论 |
| 第五章 EPMA分析SI-GaAs中C受主的微区分布 |
| 5.1 电子探针X射线微区分析仪原理 |
| 5-1-1 电子探针基本原理 |
| 5-1-2 X射线波谱仪原理 |
| 5-2 EPMA分析非掺LEC SI-GaAs中碳的微区分布 |
| 5-2-1 样品及实验 |
| 5-2-2 实验结果 |
| 5-2-3 结果分析及讨论 |
| 5-2-4 小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 |
（10）GaN光致发光谱与穿透位错特性研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景、目的和意义 |
| 1.2 GaN 晶体结构与材料特性 |
| 1.2.1 晶体结构 |
| 1.2.2 物理性质 |
| 1.2.3 化学性质 |
| 1.2.4 电学性质 |
| 1.2.5 光学性质 |
| 1.3 GaN 材料的制备 |
| 1.3.1 GaN 外延生长 |
| 1.3.2 GaN 外延衬底 |
| 1.4 GaN 材料的应用 |
| 1.4.1 GaN 基发光器件 |
| 1.4.2 GaN 其它应用 |
| 1.5 本文主要研究内容 |
| 2 GaN 光致发光特性研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 GaN 光致发光的物理过程 |
| 2.3 实验 |
| 2.4 PL 谱结果与分析 |
| 2.4.1 连续光激发PL 谱 |
| 2.4.2 脉冲光激发PL 谱 |
| 2.5 小结 |
| 3 GaN 穿透位错类型及发光特性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 GaN 中的穿透位错 |
| 3.3 化学腐蚀结合AFM 同位观测和阴极荧光显微观测 |
| 3.4 实验结果与分析 |
| 3.4.1 腐蚀条件分析 |
| 3.4.2 AFM 同位观测 |
| 3.4.3 阴极荧光(CL)显微观测 |
| 3.5 小结 |
| 4 结论 |
| 参考文献 |
| 附：作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录、科研情况 |
| 致谢 |
四、砷化镓中缺陷阴极荧光的时间分辨研究（论文参考文献）
- [1]国内外化合物半导体材料特性研究的进展[J]. 林兰英. 稀有金属, 1983(05)
- [2]基于多孔氮化镓的HVPE法生长氮化镓单晶[D]. 董增印. 河北工业大学, 2018(07)
- [3]半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶中的杂质与缺陷[D]. 孙卫忠. 河北工业大学, 2006(04)
- [4]半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究[D]. 唐蕾. 河北工业大学, 2003(04)
- [5]HVPE-GaN光致发光测试分析及应用研究[D]. 王硕. 重庆师范大学, 2020(04)
- [6]AlN：Eu薄膜及相关材料的结构和光学特性的研究[D]. 陈飞飞. 苏州科技大学, 2019(01)
- [7]大直径SI-GaAs中缺陷的微观特性及其分布[D]. 赵彦桥. 河北工业大学, 2007(07)
- [8]GaN体单晶的氨热法生长及物性研究[D]. 李腾坤. 中国科学技术大学, 2020(01)
- [9]非掺半绝缘砷化镓中位错对碳微区分布的影响[D]. 杨新荣. 河北工业大学, 2004(03)
- [10]GaN光致发光谱与穿透位错特性研究[D]. 王明月. 重庆师范大学, 2009(02)