一、铁电陶瓷固体显示器新进展（论文文献综述）
朱彦[1]（2020）在《稀土掺杂无机光致变色材料的荧光调制行为和光存储特性》文中进行了进一步梳理在当今信息时代,光数据存储正以其长寿命、大容量、低能耗等优点成为一种重要的数据存储技术。而无机光致变色材料因为具有热稳定性好、抗疲劳性强、变色反应速率快、形状稳定等优点,被认为是高密度光学存储器和3D图形存储器件中必不可少的一种材料。但是现阶段的无机光致变色材料在光存储应用中还存在着许多的挑战,如过度金属氧化物（WO3,MO3,TiO2）的可逆性问题,铁电基体材料的变色机理问题,以及某些无机材料的荧光调制问题等等,这些问题的存在阻碍着无机光致变色材料的发展。为了分析和探究无机光致变色材料存在的问题,我们设计如下实验研究内容。首先,双镧系离子(Pr3+/Er3+)共掺杂的Na0.5Bi2.5Nb2O9（NBN）陶瓷表现出良好的多色（红绿）、多模式（上转换/下转换）发光特性,光存储特性以及发光开关特性。特别是在不同的烧结气氛（空气、氧气和氮气）下烧结样品可以很好地控制这些性能。结果表明,氮气中烧结样品的发光开关对比度（ΔRt）和发光强度明显低于空气和O2中烧结的样品。通过X射线光电子能谱（XPS）证明,发射强度和ΔRt值的变化与Bi和Na在不同气氛中挥发产生的缺陷和陷阱密切相关。同时,基于光致变色NBN材料的各种图形显示具有响应快、抗疲劳性能好等优点。然后,稀土离子(Pr3+/Er3+)共掺杂的多功能(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷成功地实现了多色（红绿）和双模式（下转换/上转换）发光特性。同时,通过选择不同的激发或发射波段,可以有效地调节温度灵敏度。基于非热耦合能级I606nm/I550nm（487nm激发）,最高光学温度灵敏度可以达到0.0094K-1,远高于大多数光学温度传感材料。此外,通过控制光致变色反应,该陶瓷还显示出优异的发光开关特性。在太阳光照射下,样品的发光开关对比度（ΔRt）达到60%以上。最后,研究发现了BaMgSiO4:Eu2+（BMS:Eu）材料在不同温度退火处理下出现了发射峰位移,这使得发射峰与吸收峰出现重叠,成功实现了BMS:Eu材料基于光致变色反应的荧光调制行为。通过对发射光谱的拟合可以确定的是BMS:Eu材料的发射峰位移与Eu在BMS基体中的占位改变有关。同时我们也研究了其显色与光存储能力,证明了其在光存储器件中存在显著的应用价值。
刘颖[2]（2016）在《铌镥酸铅基铁电晶体的生长、结构和性能》文中指出反铁电（AFE）晶体在高能量密度的电容器尤其是大尺寸的电容器件中应用前景广阔,其原理是可逆的电致反铁电-铁电相变。压电、铁电晶体的应用十分广泛,可用于制作压电换能器、探测器及存储器等元件。对一些要求较高的应用场合,要求具有优异的物理性能如：高介电常数、高压电活性、高机电耦合系数、高机械品质因子、低损耗等。铅基镥系钙钛矿材料表现出较高的居里温度和良好的性能,因此值得研究。通过助溶剂法生长了Pb（Lu1/2Nb1/2）O3反铁电晶体,晶体具有立方体和八面体的聚形十四面外观及正交相结构。通过X射线衍射及透射电镜观测并区分了两套不同的超晶格衍射,即B位有序及pb2+离子反向位移所致的反铁电有序产生的衍射。通过介温谱测得居里温度为240℃,且介电常数较小（～102）。测量了（111）面PLN晶体的P-E关系曲线,在测量温度200℃、外电场170kV/cm、测量频率10Hz下得到了双电滞回线,通过计算得到了回线的储能密度为3.65 J/cm3。通过以上测试得到的结论表明,PLN反铁电晶体具有较高的居里温度和较大的储能密度,在高能存储方面具有潜在的应用前景,尤其是高密度储能电容器或大尺寸爆电换能装置。采用助溶剂法生长了一系列反铁电La-PLN （LaxPb1-3x/2（Lu1/2Nb1/2）O3, x = 0.01, 0,03,0.05）及Na-La-PLN （（NaxLaxPb1-2x）（Lu1/2Nb1/2）O3, x = 0.06）晶体,并研究了晶体的结构及电学性能。X射线粉末衍射及等离子体发射光谱仪测试表明,La3+及Na+离子进入到晶格当中,晶体仍表现出纯钙钛矿结构的特征。随着La3+离子掺杂浓度的提高,晶体的居里温度却不断降低,从224℃下降到162℃。而Na+离子掺杂则一定程度上提高了晶体的居里温度。与PLN晶体相比,掺杂后晶体的储能密度有显著的提高,以1%La-PLN为例,在200℃时测量的非饱和双电滞回线,经过计算其储能密度已经达到4.5 J/cm3。采用顶部籽晶助溶剂法生长了反铁电Pb（Lu1/2Nb1/2）O3-xPbTiO3 （x = 0.051,0.075）晶体,通过测量不同温度下的P-E曲线,表明PLN-0.075PT晶体室温下为铁电相,随着温度的升高,在一定温度转为反铁电相,这一铁电-反铁电相变温度在介温谱中也可以得到。少量PT掺杂的反铁电PLN-PT晶体开启电场较小,储能密度较大,如160℃下测量PLN-0.075PT晶体的储能密度约为3 J/cm3,这为PLN晶体的改性研究和应用拓展提供了依据。通过顶部籽晶助溶剂法生长了一系列高居里温度的二元PLN-xPT （x = 0.205,0.221,0.235,0.281,0.328,0.423,0.446,0.474,0.489,0.513,0.521,0.554,0.566,0.628）晶体,通过XRD及PLM观测发现部分晶体具有三方相-四方相共存的MPB结构。且位于MPB附近的组分具有较高的居里温度和三方-四方相变温度,如PLN-0.489PT晶体分别为Tc=360℃及TRT=110℃,且表现出高的压电系数d33、机电耦合系数k33、矫顽场Ec及剩余极化强度Pr,分别为1630 pC/N,81%,13.8kV/cm及26.6μC/cm。这些测试结果表明,在MPB区附近的PLN-xPT铁电晶体具有优异的性能,在高居里温度高压电性能的应用领域将有更广的应用范围。从铁电PLN-PT晶体及反铁电PLN-PT晶体的研究结果分析,得到了一个二元体系的室温相图,并在相图中标注出了MPB区,大致位于49%-51%PT位置附近。从相图中可以得到,PLN-xPT随着组分x的增加,结构发生正交相（Bmm2）到三方相（R3m）再到四方相（P4mm）的转变。换个角度说,随着PT含量的增加,材料从反铁电体转变为弛豫型铁电体再到普通铁电体。采用TSSG法成功生长了组分位于MPB附近的三元Pb（Lu1/2Nb1/2）O3-Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-PbTiO3晶体。采用XRD及ICP分析了晶体的组分和结构,结果表明所有的组分均为纯钙钛矿结构。此外还系统的研究了晶体的介电性、压电性及铁电性。随PT含量的增加,晶体的居里温度TC及矫顽场Ec也随之增加。其中0.34PLN-0.31PMN-0.35PT晶体的居里温度、三方-四方相变温度、压电系数、剩余极化强度及矫顽场都较高,分别为Tc=228℃,TRT-=156℃, d33 = 2092 pC/N, Pr=35.5μC/cm及Ec=8.1kV/cm,将在应用温度、热稳定性及电学稳定性要求更高的传感器、驱动器及换能器等领域有很好的应用前景。
解庆红,黄文旵,贺蕴秋[3]（2000）在《掺镧的锆钛酸铅透明陶瓷材料在平板显示器上的应用》文中研究表明介绍了近年来平板显示技术的发展及 4种平板显示器主要的优缺点 ,着重阐述利用掺镧的锆钛酸铅 （PLZT）透明陶瓷材料铁电发射性能在场致发射平板显示器上的应用和它的电光效应在大型投影平板显示器件方面的应用 ,并分析了其发展趋势
范志新[4]（2002）在《电子薄膜材料最佳掺杂含量的理论研究》文中进行了进一步梳理电子薄膜科学在物理学与材料学科中已经形成了一门分支学科。薄膜材料与当代的许多先进科学技术密切相关，所以它的发展非常迅速、应用十分广泛，如电子薄膜、光学薄膜、机械薄膜、防护薄膜、装潢薄膜和节能薄膜等。电子薄膜的研究领域包括高Tc超导薄膜、导电薄膜、电阻薄膜、半导体薄膜、介质薄膜、磁性薄膜、压电薄膜、热电薄膜等。 单一的纯净元素组成的电子薄膜材料的性能往往不能满足实际的需要，必须进行掺杂改性。掺杂的作用是多方面的，对薄膜的力学、电学、光学、化学、结构和形貌等性能都会随掺杂材料的种类和掺杂含量而改变。从本质上来讲，掺杂引起杂质能级，能带变化，改变了晶体的载流子浓度，使晶体结构发生畸变等。掺杂对几乎所有电子薄膜材料都是非常必须和十分重要。 掺杂改性是功能材料科学研究中的永恒的课题，而确定最佳掺杂含量又是这种研究当中最基本的内容之一。每当一种材料成为研究的热点，都会迅即有对其进行的掺杂剂选择，掺杂方法（即制备技术）的选择比较和确定合理的掺杂含量的大量的相关实验的报道。薄膜研究工作者们已经在实验中积累了丰富的经验，发展了许多新技术，也推动了薄膜物理理论的发展。但是长期以来，人们一直认为最佳掺杂含量问题十分复杂，很难用理论来计算最佳掺杂含量，所以没有用理论计算最佳掺杂含量的研究报道。本工作就是对最佳掺杂含量的理论研究。 本工作全面系统地对各种电子薄膜材料掺杂最佳含量的实验结果进行分析，发现普遍性的规律。本研究工作的创新点在于，从薄膜的晶体结构出发，建立起薄膜的物理性能与晶体结构中原子配位数与掺杂原子含量以及薄膜制备方法之间的关系，归纳给出薄膜中外部掺杂的最佳含量理论表达式。以此表达式计算出的掺杂最佳含量值与实验数据相符。 本研究首次给出对氧化锌薄膜的铝掺杂最佳含量的理论计算。理论计算值（2.9894wt％）与实验数据结果（2wt％～3wt％）相符合。 本研究首次给出对各种制备方法的氧化铟薄膜的锡掺杂最佳含量的理论计算。理论计算值（16wt％、10wt％、6.25wt％、2wt％）与实验数据结果（18wt％、10wt％、5wt％、2wt％）相符合。 本研究首次给出对各种制备方法的二氧化锡薄膜的锑掺杂最佳含量的理 电子薄膜村料最佳掺杂含量的理论研究论计算。理论计算值（667at％～9刀gat％、4D4at％～5．51at％、2．45at％～3．34at％。1．48at％～Zat％）与实验数据结果（15at％、7mol％、smol％、1．sat％）比较符A r习 口 本研究首次给出对铁电材料钛酸钡薄膜的钾掺杂和铅钛酸铅的Y掺杂最佳含量的理论计算。理论计算值（4．7Wt％）与实验数据结果（3Wt％～SWt％）比较符合。 本研究首次给出对电致发光材料硫化锌薄膜的锰掺杂和硅基发光材料饵掺杂最佳含量的理论计算。理论计算值与实验数据结果比较符合。 本研究首次给出对气敏材料a－氧化铁薄膜的锡掺杂、二氧化锡钙掺杂和锑掺杂、电热材料碳化硼薄膜的硅掺杂、电致变色材料氧化钨和氧化铝掺杂最佳含量、多种电子陶瓷材料的掺杂最佳含量的理论计算。本研究首次给出对人工晶体锯酸理掺杂、生物医学工程材料的人工骨磷酸三钙锌掺杂和血液相容性材料氧化钛钮掺杂最佳含量的理论计算。理论计算值与实验数据结果相符合。 本研究工作对于研究材料掺杂改性，掺杂对材料性能的影响的机理的认识有重要意义。本研究工作开创了一个全新的材料物理理论领域——一掺杂最佳含量的定量计算，具有源头创新的意义。
陈征[5]（2020）在《PZT/聚酰亚胺压电复合材料的制备及其性能研究》文中认为[Pb(Zr0.53Ti0.47)O3]（PZT）作为一种典型的钙钛矿相压电陶瓷材料,因其具有高介电、高压电性能的优点,在微电子、航空航天、生物医疗等领域受到广泛关注。但PZT陶瓷硬度高、脆性大的特性,限制了其在柔性微电子器件领域上的应用,因此将无机PZT粒子均匀分散于有机聚合物基体中,可以制备得到兼具无机压电陶瓷相和有机聚合物相的复合材料,而一般聚合物在应用过程中存在耐高温性能差的缺陷问题,在长期高温环境下使用会导致器件失效。为了解决这一问题,实验选用耐高温性能较好的聚酰亚胺（PI）作为基体,从而改善压电复合材料的耐高温性能。本文通过溶胶-凝胶法（Sol-gel）合成了稳定性能较好的PZT溶胶,采用热处理工艺和机械研磨工艺制备得到PZT陶瓷粒子,采用过氧化氢对PZT粒子表面进行羟基化预处理,再使用硅烷偶联剂3-氨丙基三乙氧基硅烷（KH550）对PZT粒子进行表面改性处理得到M-PZT粒子,将其与合成得到聚酰胺酸（PAA）中间体混合,最后通过热固化原位聚合工艺制备得到M-PZT/PI压电复合材料。本文主要的研究工作结果如下:1.以乙酸铅、正丙醇锆、钛酸丁酯为原料通过醇解缩聚反应合成PZT溶胶,探讨了催化剂用量、螯合剂用量和水的添加量等因素对PZT溶胶合成的影响,利用p H值、粒径和Zeta电位、紫外-可见光分光光度计表征了PZT溶胶的稳定性,采用XRD对溶胶经热处理工艺制备得到的PZT陶瓷物相进行分析,结合机械研磨工艺制备得到粒径分布均匀、颗粒细化较好的PZT粒子。2.采用TG-DSC联用和TG-FTIR联用的方法,对PZT溶胶的热分解过程进行了系统研究,同时结合Kissinger法、Flynn-Wall-Ozawa法、Achar法和Satava法分别推断出PZT溶胶分热解过程各阶段的表观活化能、指前因子ln A和最概然机理函数。3.采用H2O2对PZT粒子表面进行羟基化预处理,再使用硅烷偶联剂3-氨丙基三乙氧基硅烷（KH550）对PZT粒子进行表面改性处理得到M-PZT粒子,将其与合成得到聚酰胺酸（PAA）中间体混合,最后通过热固化原位聚合工艺制备得到PZT/PI及M-PZT/PI复合材料。研究了复合材料的结构、力学性能、耐高温性能和介电性能。
刘洋[6]（2020）在《铌酸钾钠基陶瓷材料的制备与性能研究》文中研究表明铅基压电陶瓷体系被广泛应用在换能器、谐振器、扬声器等领域,但是铅基体系产品在制备、后期使用过程中都会不可避免的产生对人体及环境具有巨大危害的氧化铅,故众多国家都颁布了一系列法律限制含铅体系的应用。(K0.5Na0.5)Nb O3（KNN）基陶瓷是环境友好的ABO3型钙钛矿结构铁电体,这类陶瓷因其良好的铁电、压电、介电性能而被各国学者与研究人员广泛研究。然而,由于碱金属K+、Na+在烧结时极易挥发,制备的陶瓷经常偏离设计组分,因此借助常压烧结的方法较难制备出高度致密、性能优异的陶瓷。本文以KNN基陶瓷为研究对象,系统的探究了不同氧化物离子掺杂对样品的结构、形貌、铁电、压电、介电、发光及阻抗性能的影响。第一,采用固相反应法制备引入Dy3+的（1-x）Na0.5K0.5Nb O3-x Li Sb O3陶瓷,针对该体系PPT区域附近的结构、形貌、电学性能、荧光性能和缺陷化学进行了系统的研究。发现在组分x=0.04的陶瓷样品中正交相（orthorhombic,O）和四方相（tetragonal,T）两相共存,当前组分表现出最佳性能:Pr=32.2 C/cm2,Ec=12.26k V/cm,T c=325 oC,tanδ≤1.5%（250～400 oC）。借助拉曼光谱和光致发光谱快速响应的优点,可以很好地测量NKN-x LS:0.006Dy3+陶瓷中PPT区域附近的相变。第二,探究了（1-x）KNLNTS-x BT陶瓷的相结构、介电性能、阻抗性能和弛豫行为进行了系统研究。通过传统固相反应法制备了（1-x）KNLNTS-x BT陶瓷,随着钛酸钡含量的改变,陶瓷的相结构由O相（0.00≤x≤0.02）变为O-T两相共存（0.02<x<0.06）结构,最终转变为T相（0.06≤x≤0.10）。将Curie-Weiss定律和修正的Curie-Weiss定律用于分析介电性能。随着钛酸钡的增加,（1-x）KNLNTS-x BT陶瓷的弛豫程度增大,表现出优异的弛豫性能。对于组分x=0.10的压电陶瓷,弥散系数γ达到最大值1.73,这对于发展无铅弛豫铁电体具有很大的吸引力。从其阻抗图谱随温度的变化,发现其弛豫和传导行为与热激活有关,而氧空位是潜在的离子载体。此外,通过Arrhenius拟合,组分x=0.10的压电陶瓷的活化能为0.82（6）e V,说明陶瓷的氧空位浓度较高。第三,通过合成KNLNTS:x Eu陶瓷,探究了Eu2O3对陶瓷的晶相结构、微观形貌、介电性能、极化前后发光性能的影响。发现引入适量Eu3+的KNLNTS:x Eu陶瓷可制备纯相钙钛矿结构。但是,陶瓷的四方性被削弱,陶瓷的晶体对称性得到增强且接近于立方相。增加Eu3+的含量,可获得致密的KNLNTS:x Eu陶瓷,这会降低陶瓷的居里温度且会降低其正交相-四方相的相变温度。通过极化对铁电材料发光强度的调制作用,发现极化会使陶瓷的荧光发射强度降低。合理利用极化对多功能发光铁电材料的调制,为促进显示领域的发展具有重要意义。
J.R.Maldonado,L.Kandersou,李兴教[7]（1972）在《铁电陶瓷固体显示器新进展》文中进行了进一步梳理 锆钛酸铅镧陶瓷（PLZT）应力偏压铁电光导器件已经报导过。他们所用结构为透射式,（在读出操作中,光通个整个器件）。透射式器件具有几个缺点:（a）对于读出光的波长,光导膜必须具有低的损耗。（b）在一个透射式的器件中,不能同时进行写入与读出,除非光导膜对读出光的波长没有反应。（c）假设希望低介入损耗,陶瓷片必须厚到足够产生一个完全半波长的延迟（一般需要片厚为150微米左右）。在应力偏压器件中,分辨率受到与片厚有关的边纹区域所限制（最小分辨元约为1/3片厚）。因此,陶瓷片尺寸必须足以适应所予期的信息元的数目,并且假设使用一个厚片,则器件的分辨率有明显的各向异性,（平行于张力的线条的分辨率小于垂直于张力的线条的分辨率）。在使用薄陶瓷片时,这个效应减少了。
辛凤,张效华,胡跃辉,陈义川[8]（2015）在《功能薄膜材料的制备方法对比与应用前景》文中认为伴随电子信息技术的爆炸性发展,微电子与固体电子技术发展也日新月异,从而促进了薄膜材料在不同领域的广泛应用。反之,高性能薄膜材料的出现也直接促进信息技术的飞跃。电子元器件的发展趋势呈现高速运行,微型与轻薄化,可靠性高,高度集成等趋势,同时与微电子工艺兼容。薄膜材料正好满足多层布线与高度集成等工艺要求。本文综合介绍功能薄膜的制备方法以及优缺点对比。同时也简要介绍了薄膜材料的种类,研究进展以及可能的用途。
陈祝[9]（2006）在《溶胶—凝胶改进工艺制备锆钛酸铅(PbZrxTi1-xO3)铁电薄膜的结构与性能研究》文中进行了进一步梳理近几年，随着铁电薄膜和微电子技术相结合而发展起来的集成铁电学的出现，铁电薄膜的制备、结构、性能及其应用已成为国际上新材料研究十分活跃的领域，其中钙钛矿结构的锆钛酸铅（PbZrxTi（1-x）O3，PZT）铁电薄膜由于具有优越的铁电、介电、压电、热释电、电光、声光效应以及能够与半导体技术兼容等特点，使之成为目前应用最广、研究最深入的铁电薄膜材料之一，是制备NVFRAM（非挥发性随机存储器）的优选材料。铁电薄膜存储器具有非易失性、高速度、高容量、抗辐射与抗干扰性强、操作电压低和可与IC工艺兼容等特点。制备高质量的PZT铁电薄膜是制备高性能铁电存储器的前提与关键，而溶胶—凝胶（Sol-Gel）薄膜制备技术具有工艺与设备简单、成本低、组分可精确控制、薄膜均匀性好、成膜温度低、可大面积和规模化生产等特点。但其薄膜的致密性相对较差，在Sol-Gel工艺中从前驱体有机溶液到无机陶瓷薄膜这一转变过程的控制是获得致密、无针孔和无裂纹薄膜的关键，因此，制备清澈、透明和稳定的PZT前驱体溶胶液及薄膜热处理工艺的控制至关重要。本论文正是针对上述问题和铁电薄膜应用中所涉及的剩余极化的提高、疲劳及漏电流的改善、薄膜生长温度的降低、多层膜和异质结构及电极材料对薄膜性能的影响等系列问题展开研究。主要研究内容及成果有以下几个方面： （1） 研究了两种Sol-Gel改进工艺，一是独立前驱单体溶胶—凝胶薄膜制备方法（专利申请号：200410022548.2）；二是反提拉涂膜法（专利申请号：200410022550.X）。研制的独立前驱单体pb2+、Zr4+和Ti4+有机溶液稳定（存放期长达2年以上），可以按任意Pb／Zr／Ti比例随时、精确地配制PZT前驱体和调节各种掺杂金属离子的种类及掺杂量。反提拉涂膜技术则采用液体重力和气体压力控制方式替代了浸渍提拉涂膜所采用的复杂、昂贵的机械传动装置，此技术成本低，控制方便，一次性涂膜元件数量和形状不受限制，提高了原料的利用率，为大面积与批量化PZT铁电薄膜制备提供了简单可行的方法。 （2） 分析了不同前驱体浓度、提拉速度和提拉角度与沉积薄膜质量和厚度的关系。膜厚实验分析表明，剩余极化强度pr与膜厚d成线性关系。 （3） 研究了PZT前驱体中不同过量Pb含量对薄膜微结构、取向、组成和电性能的影响。当Pb过量20mol％时，薄膜呈现（111）取向生长；当Pb过量10mol％，易形成多晶随机取向钙钛矿结构，其（110）峰取向稍强；当Pb过
郑少英[10]（2014）在《钛酸钡基陶瓷的制备及电学性能研究》文中提出钙钛矿无铅压电材料由于其同时具有介电性、铁电性、压电性等众多耦合性质，在现代科学技术中得到十分广泛的应用，是当前国际研究的热点智能材料之一。然而，钛酸钡陶瓷电学性能比较低，不适于实际应用。因此，本论文通过掺杂改性和缺陷补偿有望进一步提高BT和BNT陶瓷的电学性能。钙钛矿钛酸钡基BaTiO3（BT）和钛酸铋钠基Bi0.5Na0.5TiO3（BNT）无铅压电陶瓷是具有非常独特晶体结构的电子信息材料。实验均采用传统固相合成法，制备了以下体系：（1-x）BaTiO3-x（0.4BaZrO3-0.6CaTiO3）（BCZT）、（1-0.25x）BaTiO3-0.15xCaTiO3-0.1xBaSnO3（BCST）；（1-x）BaTiO3-xBiAlO3（BT-BiA）、0.9BaTiO3-（0.1-x）BiAlO3-xCaTiO3（BT-BiA-CT）和[（Bi0.5Na0.5）1-xYbx]TiO3（BNT-Y1）、[（Bi0.5Na0.5）1-xYbx]Ti1-x/4（Ti）x/4O3（BNT-Y2）以及（Bi0.5Na0.5）（Ti1-xYbx）O3-（BNT-Y3）无铅压电陶瓷。本论文通过研究不同的掺杂量，如ZrO2、La2O3、SnO2、Al2O3、Bi2O3以及CaCO3，得到了BT基陶瓷的结构与电性能之间的关系，以及掺杂量Yb2O3与BNT基陶瓷的结构与性能之间的关系。陶瓷样品通过XRD和Raman结构分析，以及介电性能、铁电性能分析，结果表明：（1）掺杂量x=0.375mol的时候，BCZT陶瓷具有优异的介电，铁电以及压电性能，其中，压电系数d33=420pC/N，机电耦合系数kp=57%，机械品质因数Qm=120。（2） BLZT陶瓷的电导激活能分别是1.71eV，1.31eV，1.13eV和1.19eV，其中x=0.02mol的样品的禁带宽度Eg=3.42eV，是电导激活能的2倍。BLZT陶瓷的介电常数和介电损耗在升温和降温的循环过程均出现了不同的介电异常峰。（3）掺杂量x=0.05mol和0.1mol的时候，BT-BiA陶瓷在高于居里温度部分的介电常数服从Vogel-Fulcher定律，通过定律拟合发现弛豫弥散性是逐渐增大，而且陶瓷是从正常的铁电体逐渐转变为弛豫铁电体。室温下，掺杂量x=0.08mol的时候，样品的电致伸缩系数Q值明显大于铅基陶瓷的电致伸缩系数，热膨胀dl/l和热膨胀系数（）随着温度的升高而不断增加。BT-BiA-CT陶瓷的居里温度随着掺杂量的不断增加而逐渐增加。（4） Yb2O3掺杂的BNT陶瓷获得了比较饱满的电滞回线，以及比较对称的“蝴蝶”状的电致伸缩曲线。其中BNT-Y2陶瓷的剩余极化强度Pr达到了35μC/cm2，而掺杂量x=0.01mol的时候，样品的矫顽场成功的减少到了20kV/cm；BNT-Y1和BNT-Y2陶瓷的应变量s都达到了最大值0.23%。随着温度的不断增加，BNT-Y1，BNT-Y2和BNT-Y3陶瓷均出现了明显的反铁电现象。其中BNT-Y1，BNT-Y2到BNT-Y3陶瓷，出现反铁电现象的温度是逐渐降低。通过讨论不同位置的Yb3+离子掺杂BNT陶瓷，证实BNT-Y2陶瓷中，Yb3+离子存在A离子位置，并且出现了Ti4+离子空位；BNT-Y3陶瓷中，Yb3+离子存在B离子位置，并且出现了氧空位。
二、铁电陶瓷固体显示器新进展（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、铁电陶瓷固体显示器新进展（论文提纲范文）
（1）稀土掺杂无机光致变色材料的荧光调制行为和光存储特性（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 引言 |
| 1 文献综述 |
| 1.1 光致变色材料概述 |
| 1.1.1 光致变色材料的定义 |
| 1.1.2 光致变色材料的发展和现状 |
| 1.2 光致变色材料分类 |
| 1.2.1 有机光致变色材料 |
| 1.2.2 无机光致变色材料 |
| 1.3 稀土掺杂铁电氧化物光致变色材料 |
| 1.3.1 钛酸钡基体系 |
| 1.3.2 钛酸铋钠基体系 |
| 1.3.3 铌酸钾钠基体系 |
| 1.3.4 铋层状结构体系 |
| 1.3.5 稀土掺杂铁电氧化物光致变色材料 |
| 1.4 光致变色原理 |
| 1.4.1 色心 |
| 1.4.2 荧光调制 |
| 1.5 光致变色材料的应用 |
| 1.5.1 光致变色材料的一般应用 |
| 1.5.2 光信息存储应用 |
| 1.6 本文研究内容及意义 |
| 2 样品制备测试方法 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 实验流程 |
| 2.3 样品的性能表征测试 |
| 3 Pr/Er共掺Na_(0.5)Bi_(2.5)Nb_2O_9 陶瓷的缺陷调制发光和光致变色行为 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验结果和讨论 |
| 3.3 小结 |
| 4 双镧系离子掺杂的(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3 陶瓷的光学温度传感和发光开关特性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验结果及讨论 |
| 4.3 小结 |
| 5 Eu激活BaMgSiO_4光致变色陶瓷的发光开关特性及其光存储应用 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验结果及讨论 |
| 5.3 小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 在学研究成果 |
| 致谢 |
（2）铌镥酸铅基铁电晶体的生长、结构和性能（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 压电性、铁电性和反铁电性 |
| 1.2.1 压电性 |
| 1.2.2 铁电性 |
| 1.2.3 反铁电性 |
| 1.2.4 压电、铁电、反铁电的发展历史 |
| 1.3 钙钛矿结构铁电体和反铁电体 |
| 1.3.1 铁电体的分类 |
| 1.3.2 双氧化物铁电体中的钙钛矿型铁电体 |
| 1.3.3 钙钛矿型反铁电体 |
| 1.4 介电弛豫及弛豫型铁电体 |
| 1.5 准同型相界及多元铁电固溶体 |
| 1.5.1 准同型相界及其理论模型 |
| 1.5.2 多元铁电固溶体研究进展 |
| 1.6 铁电体、反铁电体的应用 |
| 1.6.1 铁电体的应用 |
| 1.6.2 反铁电体的应用 |
| 1.7 本论文的研究目的及研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 实验原理和技术方法 |
| 2.1 晶体的生长原理和方法 |
| 2.1.1 晶体的生长原理 |
| 2.1.2 晶体的生长方法 |
| 2.2 晶体的加工和样品制备方法 |
| 2.3 晶体的结构分析方法 |
| 2.3.1 X射线粉末衍射分析方法 |
| 2.3.2 等离子体发射光谱分析方法 |
| 2.3.3 场发射透射电子显微镜分析方法 |
| 2.3.4 偏光显微镜分析方法 |
| 2.4 晶体的电学性能分析方法 |
| 2.4.1 介电性能分析方法 |
| 2.4.2 压电性能分析方法 |
| 2.4.3 机电耦合性能分析方法 |
| 2.4.4 铁电、反铁电性能分析方法 |
| 2.5 其它测量及计算方法 |
| 2.5.1 热分析方法 |
| 2.5.2 其它分析方法 |
| 参考文献 |
| 第三章 反铁电晶体Pb(Lu_(1/2)Nb_(1/2))O_3的生长、结构与性能 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 PLN晶体生长 |
| 3.3 PLN晶体的结构分析 |
| 3.4 PLN晶体的相变特征 |
| 3.5 PLN晶体的反铁电性及储能密度 |
| 3.6 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 反铁电晶体Pb(Lu_(1/2)Nb_(1/2))O_3的掺杂改性研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 La-PLN及Na-La-PLN晶体生长 |
| 4.3 La-PLN及Na-La-PLN晶体的结构分析 |
| 4.4 La-PLN及Na-La-PLN晶体的介电性能 |
| 4.5 La-PLN及Na-La-PLN晶体的反铁电性及储能密度 |
| 4.6 La掺杂及Na-La掺杂改性的意义 |
| 4.7 小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 二元晶体Pb(Lu_(1/2)Nb_(1/2))O_3-PbTiO_3的生长、结构与性能 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 铁电晶体PLN-PT的生长 |
| 5.3 铁电晶体PLN-PT的结构分析 |
| 5.4 MPB区附近铁电晶体PLN-PT的性能分析 |
| 5.4.1 MPB区附近PLN-PT晶体的介电性能 |
| 5.4.2 MPB区附近PLN-PT晶体的压电及铁电性能 |
| 5.4.3 MPB区附近PLN-PT晶体的机电耦合性能 |
| 5.4.4 MPB区附近PLN-PT晶体的结构及电学性能小结 |
| 5.5 PLN-PT晶体的弛豫铁电性 |
| 5.6 反铁电PLN-PT晶体的生长、结构与性能 |
| 5.6.1 反铁电PLN-PT晶体生长 |
| 5.6.2 反铁电PLN-PT晶体的结构分析 |
| 5.6.3 反铁电PLN-PT晶体的介电性能 |
| 5.6.4 反铁电PLN-PT晶体的反铁电性及储能密度 |
| 5.7 二元PLN-PT晶体的相图 |
| 5.8 小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 三元铁电晶体Pb(Lu_(1/2)Nb_(1/2))O_3-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3的生长、结构与性能 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 PLN-PMN-PT晶体生长 |
| 6.3 PLN-PMN-PT晶体结构分析 |
| 6.4 PLN-PMN-PT晶体的电学性能 |
| 6.4.1 PLN-PMN-PT晶体的介电性能 |
| 6.4.2 PLN-PMN-PT晶体的铁电性能 |
| 6.4.3 PLN-PMN-PT晶体的压电及机电耦合性能 |
| 6.4.4 PLN-PMN-PT晶体的结构及电学性能小结 |
| 6.5 小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 攻读学位期间承担的科研任务与主要成果 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（3）掺镧的锆钛酸铅透明陶瓷材料在平板显示器上的应用（论文提纲范文）
| 引言 |
| 1 PLZT的铁电性在FED中的应用 |
| 1.1 FED简介 |
| 1.1.1 FED的工作原理[2] |
| 1.1.2 FED存在的问题 |
| 1.2 PLZT铁电发射系统 |
| 1.2.1 铁电发射原理[4] |
| 1.2.2 铁电发射元件的制作过程[5] |
| 1.2.3 PLZT铁电发射的特点 |
| 1.2.4 用铁电发射系统改进FED显示的装置 |
| 2 PLZT的电光效应在大型投影FPD的应用 |
| 2.1 PLZT电光性 |
| 2.2 二维PLZT光阀的制作过程 (见图6) |
| 2.3 彩色投影显示的结构 |
| 3 结语 |
（4）电子薄膜材料最佳掺杂含量的理论研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 薄膜材料的分类和掺杂的作用 |
| 1.1.1 薄膜材料的分类 |
| 1.1.2 薄膜材料掺杂的作用 |
| 1.2 国内外电子薄膜材料掺杂改性研究进展 |
| 1.2.1 透明导电薄膜掺杂研究的进展 |
| 1.2.2 铁电薄膜掺杂研究的进展 |
| 1.2.3 发光薄膜掺杂研究的进展 |
| 1.2.4 电致变色薄膜掺杂研究的进展 |
| 1.2.5 气敏材料的掺杂研究的进展 |
| 1.3 掺杂最佳含量理论研究工作的创新点和意义 |
| 第二章 电子薄膜材料的晶体结构和能带结构 |
| 2.1 金属氧化物的晶体结构 |
| 2.2 金属氧化物的能带结构 |
| 第三章 薄膜的制备方法和形成过程 |
| 3.1 薄膜制备方法 |
| 3.1.1 真空蒸发沉积 |
| 3.1.2 溅射沉积 |
| 3.1.3 气相生长沉积 |
| 3.1.4 外延沉积 |
| 3.1.5 激光沉积 |
| 3.1.6 溶胶-凝胶技术 |
| 3.1.7 自组装与分子自组装技术 |
| 3.2 薄膜的形成过程 |
| 3.2.1 临界核的形成 |
| 3.2.2 岛的长大与接合 |
| 3.2.3 迷津结构的形成 |
| 3.2.4 连续膜的形成 |
| 3.2.5 生长中缺陷的掺合 |
| 第四章 薄膜材料最佳掺杂含量的定量理论 |
| 4.1 最佳掺杂含量的理论基础 |
| 4.1.1 金属氧化物晶体中的点缺陷 |
| 4.1.2 金属氧化物晶体中的点缺陷理论基础 |
| 4.2 最佳掺杂含量的定量理论 |
| 4.2.1 模型与假设 |
| 4.2.2 拟合抛物线方程与最佳掺杂含量公式 |
| 第五章 薄膜材料最佳掺杂含量理论应用 |
| 5.1 铝掺杂氧化锌薄膜 |
| 5.2 锡掺杂氧化铟薄膜 |
| 5.3 锑掺杂二氧化锡薄膜 |
| 5.4 钾掺杂纳米钛酸钡 |
| 5.5 钇掺杂锆钛酸铅薄膜 |
| 5.6 锰掺杂纳米硫化锌 |
| 5.7 锡掺杂α-氧化铁薄膜 |
| 5.8 硅掺杂碳化硼薄膜 |
| 5.9 硼掺杂碳膜 |
| 5.10 钽掺杂二氧化钛薄膜 |
| 5.11 钼掺杂三氧化钨薄膜 |
| 5.12 铒掺杂硅基发光材料 |
| 5.13 二氧化硅陶瓷 |
| 5.14 三氧化二铝陶瓷 |
| 5.15 氧化锌陶瓷 |
| 5.16 二氧化锡陶瓷 |
| 5.17 铜掺杂氧化铁陶瓷 |
| 5.18 铌酸锂晶体 |
| 5.19 钙掺杂二氧化锡气敏薄膜 |
| 5.20 锑掺杂二氧化锡气敏薄膜 |
| 5.21 铋掺杂二氧化锰电极材料 |
| 5.22 钴掺杂锂镍电池正极材料 |
| 5.23 锌掺杂磷酸三钙人工骨 |
| 5.24 锌掺杂LaSrCuO铜氧化物高温超导材料 |
| 5.25 钛掺杂石墨导热材料 |
| 5.26 Al-Fe合金布线材料 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历 |
| 范志新读博有关论文发表情况 |
（5）PZT/聚酰亚胺压电复合材料的制备及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 有机/无机复合材料 |
| 1.2.1 复合材料的制备方法 |
| 1.2.1.1 纳米粒子直接分散法 |
| 1.2.1.2 Sol-gel法 |
| 1.2.1.3 插层法 |
| 1.2.1.4 有机/无机复合膜法 |
| 1.2.1.5 原位聚合法 |
| 1.2.2 复合材料的应用 |
| 1.2.2.1 高性能复合材料 |
| 1.2.2.2 功能性复合材料 |
| 1.3 压电复合材料 |
| 1.3.1 压电复合材料概念 |
| 1.3.2 0-3型PZT/PI压电复合材料的制备与性能 |
| 1.4 PZT压电陶瓷 |
| 1.4.1 压电材料的概念及特点 |
| 1.4.2 PZT压电陶瓷的结构 |
| 1.4.3 PZT粒子的制备 |
| 1.5 聚酰亚胺 |
| 1.5.1 聚酰亚胺简介 |
| 1.5.2 聚酰亚胺的发展史 |
| 1.5.3 聚酰亚胺的制备方法 |
| 1.5.4 聚酰亚胺性能及应用 |
| 1.6 本论文的研究意义及研究内容 |
| 第二章 稳定性PZT溶胶的制备及其热处理工艺研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 主要药品及仪器 |
| 2.2.2 Sol-gel法制备PZT粒子的原理 |
| 2.2.3 实验路线及制备工艺 |
| 2.2.3.1 PZT溶胶的合成路线 |
| 2.2.3.2 PZT粒子的制备 |
| 2.2.4 表征方法 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 合成PZT溶胶的影响因素研究 |
| 2.3.1.1 溶剂的选择 |
| 2.3.1.2 冰乙酸添加量对PZT溶胶粘度的影响 |
| 2.3.1.3 加水量对PZT溶胶粘度的影响 |
| 2.3.1.4 螯合剂添加量对PZT溶胶粘度的影响 |
| 2.3.2 PZT溶胶的稳定性研究 |
| 2.3.2.1 pH值 |
| 2.3.2.2 纳米粒度及Zeta电位 |
| 2.3.2.3 紫外-可见光分光光谱 |
| 2.3.4 PZT溶胶热处理工艺研究 |
| 2.3.4.1 不同热处理温度下PZT晶体的XRD |
| 2.3.4.2 不同升温速率下PZT晶体的XRD |
| 2.3.4.3 不同保温时间下PZT晶体的XRD |
| 2.3.5 PZT粒子的制备工艺研究 |
| 2.3.5.1 不同研磨时间的PZT粒子粒径分布 |
| 2.3.5.2 PZT粒子的元素化学态与形貌 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 PZT溶胶热分解动力学研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 主要药品及仪器 |
| 3.2.2 样品前处理过程 |
| 3.2.3 表征方法 |
| 3.2.4 热分解动力学模型 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 热重-差示扫描量热分析 |
| 3.3.2 热重-红外光谱联用 |
| 3.3.3 PZT溶胶热解动力学 |
| 3.3.3.1 PZT溶胶的TG-DTG曲线 |
| 3.3.3.2 Kissinger法 |
| 3.3.3.3 Flynn-Wall-Ozawa法 |
| 3.3.3.4 Achar法 |
| 3.3.3.5 Satava法 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 PZT/聚酰亚胺压电复合材料的制备及性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 主要药品及仪器 |
| 4.2.2 PZT粒子表面改性 |
| 4.2.3 PZT/PI压电复合材料材料的制备 |
| 4.2.4 表征方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 聚酰亚胺树脂经不同热处理后的FT-TR |
| 4.3.2 PZT粒子改性前后的XRD |
| 4.3.3 PZT粒子改性前后的亲疏性 |
| 4.3.4 PZT粒子表面接枝率 |
| 4.3.5 复合材料的FT-IR |
| 4.3.6 复合材料力学性能分析 |
| 4.3.7 耐热性能 |
| 4.3.8 介电性能分析 |
| 4.3.9 复合材料的形貌 |
| 4.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间(待)发表的论文 |
| 致谢 |
（6）铌酸钾钠基陶瓷材料的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 压电材料 |
| 1.3 铁电材料 |
| 1.4 压、铁电材料之间的关系 |
| 1.5 无铅压电材料的研究进展 |
| 1.5.1 铋层状结构压电陶瓷 |
| 1.5.2 钨青铜结构压电陶瓷 |
| 1.5.3 钛酸钡基压电陶瓷 |
| 1.5.4 钛酸铋钠基压电陶瓷 |
| 1.5.5 铌酸钾钠基压电陶瓷 |
| 1.6 本文的研究意义及目的 |
| 1.7 本文的主要研究内容 |
| 第2章 实验 |
| 2.1 KNN基压电陶瓷的制备 |
| 2.1.1 实验所用试剂及设备 |
| 2.1.2 样品制备的工艺流程 |
| 2.2 KNN基压电陶瓷的性能表征 |
| 2.2.1 密度测试 |
| 2.2.2 结构表征 |
| 2.2.3 电学性能表征 |
| 第三章 Dy_2O_3对(1-x)Na_(0.5)K_(0.5)NbO_(3-x)LiSbO_3陶瓷性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品制备 |
| 3.3 结构分析 |
| 3.4 微观形貌分析 |
| 3.5 电学性能分析 |
| 3.6 荧光性能分析 |
| 3.7 缺陷分析 |
| 3.8 本章小结 |
| 第四章 BaTiO_3对(K0.44Na_(0.52)Li_(0.04))(Nb_(0.86)Ta_(0.10)Sb_(0.04))O_3陶瓷性能的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品制备 |
| 4.3 结构分析 |
| 4.4 微观形貌分析 |
| 4.5 电学性能分析 |
| 4.6 阻抗性能分析 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 Eu_2O_3对(K_(0.44)Na_(0.52)Li_(0.04))(Nb_(0.86)Ta_(0.10)Sb_(0.04))O_3 陶瓷性能的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品制备 |
| 5.3 结构分析 |
| 5.4 微观形貌分析 |
| 5.5 电学性能分析 |
| 5.6 荧光性能分析 |
| 5.7 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 创新点 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间主要科研成果 |
（8）功能薄膜材料的制备方法对比与应用前景（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 薄膜材料的制备方法 |
| 1.1 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) |
| 1.2 化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD) |
| 1.3 溅射法(Sputtering) |
| 1.4 脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD) |
| 1.5 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE) |
| 1.6 电子束蒸发镀膜(Electron Beam Evaporation Deposition) |
| 1.7 气溶胶沉积工艺(Aerosol Deposition,AD) |
| 2 薄膜材料的种类以及用途 |
| 2.1 透明导电薄膜 |
| 2.2 铁电薄膜 |
| 2.3 磁性薄膜 |
| 3 结束语 |
（9）溶胶—凝胶改进工艺制备锆钛酸铅(PbZrxTi1-xO3)铁电薄膜的结构与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 铁电体及铁电材料概述 |
| 1.2 铁电体的电滞回线及电畴结构 |
| 1.3 ABO_3钙钛矿铁电材料结构及性能 |
| 1.4 铁电薄膜的研制 |
| 1.4.1 铁电薄膜的研究进展及应用 |
| 1.4.2 常用的铁电薄膜制备技术 |
| 1.4.3 铁电薄膜研究存在的问题 |
| 1.5 本论文的技术路线及研究方案 |
| 第二章 溶胶—凝胶工艺改进及PZT薄膜制备研究 |
| 2.1 溶胶—凝胶工艺改进 |
| 2.1.1 传统的溶胶—凝胶技术 |
| 2.1.2 改进的溶胶—凝胶工艺(一)：独立前驱单体法 |
| 2.1.3 改进的溶胶—凝胶涂膜工艺(二)：反提拉涂膜法 |
| 2.2 溶胶—凝胶改进工艺制备PZT薄膜路线图 |
| 2.3 PZT溶胶液的热重、差热分析 |
| 2.4 反提拉涂膜厚度实验 |
| 2.4.1 溶胶浓度对膜厚的影响 |
| 2.4.2 反提拉速度对膜厚的影响 |
| 2.4.3 反提拉角度对膜厚的影响 |
| 2.5 前驱体浓度、组成对薄膜结构与性能的影响 |
| 2.5.1 不同浓度PZT前驱体涂膜实验 |
| 2.5.2 涂膜次数及膜厚与薄膜结构性能的关系 |
| 2.5.3 PZT前驱体中Pb的不同过量摩尔浓度对薄膜织构的影响 |
| 2.5.4 XPS技术对薄膜成分含量及元素损失分析 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 Seeding-layer与PZT多层薄膜结构研究 |
| 3.1 PT seeding-layer及PT／PZT／PT多层薄膜结构分析 |
| 3.2 PT／PZT／PT多层膜结构的电畴观察 |
| 3.3 PT／PZT／PT多层薄膜的电性能分析 |
| 3.4 PT、TiO_2和ZrO_2晶种层与PZT多层薄膜取向 |
| 3.4.1 PT晶种层与PZT多层薄膜取向 |
| 3.4.2 TiO_2和ZrO_2晶种层与PZT多层薄膜取向 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 不同金属阳离子掺杂研究 |
| 4.1 La~(3+)、Sr~(2+)、Ca~(2+)和Ba~(2+)混合离子掺杂 |
| 4.2 混合金属离子掺杂PZT薄膜的结构与性能 |
| 4.3 La~(3+)单独掺杂与La~(3+)和Ca~(2+)混合掺杂 |
| 4.4 不同La~(3+)离子浓度掺杂 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 薄膜热处理工艺研究 |
| 5.1 晶体成核理论 |
| 5.2 热分解(预退火)工艺研究 |
| 5.3 不同退火工艺对薄膜结构和性能影响研究 |
| 5.3.1 快速退火工艺 |
| 5.3.2 退火温度对薄膜结构性能的影响 |
| 5.3.3 退火气氛对薄膜结构性能的影响 |
| 5.3.4 退火温度和气氛对基片电极的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 ZnO陶瓷靶制备工艺及RF溅射薄膜研究 |
| 6.1 ZnO薄膜性能简介和ZnO／PZT多层薄膜设计 |
| 6.2 ZnO掺杂Li~+陶瓷靶的制备 |
| 6.2.1 最佳掺杂Li~+浓度实验 |
| 6.2.2 不同烧结温度实验 |
| 6.2.3 不同成型压力实验 |
| 6.2.4 ZnO溅射靶制备 |
| 6.2.5 不同基片上RF溅射ZnO薄膜试验 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 c轴择优取向ZnO薄膜的RF溅射工艺与结构研究 |
| 7.1 薄膜厚度实验 |
| 7.2 不同的溅射温度试验 |
| 7.3 不同的退火温度实验 |
| 7.4 不同的溅射气氛实验 |
| 7.5 不同的溅射功率实验 |
| 7.6 本章小结 |
| 第八章 PZT／ZnO多层铁电薄膜研究 |
| 8.1 铁电多层膜与异质结构 |
| 8.2 ZnO缓冲层对PZT／ZnO多层膜微结构与取向的影响 |
| 8.3 ZnO-Al_(0.03)氧化物电极对PZT多层薄膜性能的影响 |
| 8.4 本章小结 |
| 第九章 总结与展望 |
| 9.1 本论文主要工作总结 |
| 9.2 本论文主要创新点 |
| 9.3 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 博士期间发表和已录用的文章及专利 |
| 个人简历 |
（10）钛酸钡基陶瓷的制备及电学性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 压电效应 |
| 1.2 铁电体 |
| 1.3 电介质 |
| 1.3.1 极化机制 |
| 1.3.2 电畴 |
| 1.4 无铅压电陶瓷的研究现状 |
| 1.4.1 钛酸钡无铅压电陶瓷 |
| 1.4.2 钛酸铋钠无铅压电陶瓷 |
| 1.4.3 铌酸盐无铅压电陶瓷 |
| 1.5 压电陶瓷的应用 |
| 1.6 本论文提出的研究目的及内容 |
| 1.6.1 研究目的 |
| 1.6.2 研究内容 |
| 第2章 陶瓷样品制备、结构表征及其性能测试 |
| 2.1 前言 |
| 2.2 样品制备 |
| 2.2.1 实验原料 |
| 2.2.2 实验设备 |
| 2.2.3 制备工艺流程图 |
| 2.3 陶瓷样品的结构表征与性能 |
| 2.3.1 晶体结构 X 衍射 |
| 2.3.2 扫描电子显微结构 |
| 2.3.3 共聚焦激光拉曼光谱仪 |
| 2.3.4 电学性能 |
| 2.3.4.1 介电常数 |
| 2.3.4.2 介电损耗 |
| 2.3.4.3 铁电性能 |
| 2.3.4.4 压电系数 |
| 2.3.4.5 机电耦合系数 |
| 2.3.4.6 机械品质因数 |
| 第3章 钙钛酸钡基陶瓷的制备及性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验步骤 |
| 3.3 (1-0.5x)BaTiO_3-0.5x(0.4BaZrO_3-0.6CaTiO_3)陶瓷的结果与讨论 |
| 3.3.1 物相结构 |
| 3.3.2 显微结构 |
| 3.3.3 介电性能 |
| 3.3.4 介电弛豫 |
| 3.3.5 铁电性能 |
| 3.3.6 压电性能 |
| 3.4 Ba_(1-0.15x)Ca_(0.15x)Ti_(1-0.1x)Sn_(0.1x)O_3陶瓷的结果与讨论 |
| 3.4.1 物相结构 |
| 3.4.2 介电性能 |
| 3.4.3 铁电性能 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 La_2O_3掺杂锆钛酸钡基陶瓷的结构与电学性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验步骤 |
| 4.3 (Ba_(1-x)La_xZr_(0.9)Ti_(0.1))_(1-x/4)O_3陶瓷的结果与讨论 |
| 4.3.1 物相结构 |
| 4.3.2 拉曼光谱 |
| 4.3.3 介电性能 |
| 4.3.4 阻抗谱 |
| 4.4 Ba_(0.925-x)La_xCa_(0.075)(Zr_(0.05)Ti_(0.95))O_3陶瓷的结果与讨论 |
| 4.4.1 物相结构 |
| 4.4.2 介电性能 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 钛酸钡-铝酸钡基陶瓷结构与电学性能的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.3 (1-x)BaTiO_(3-x)BiAlO_3陶瓷的结果与分析 |
| 5.3.1 物相结构 |
| 5.3.2 拉曼光谱 |
| 5.3.3 介电性能 |
| 5.3.4 热膨胀系数 |
| 5.3.5 介电弛豫 |
| 5.3.6 常温的铁电性能 |
| 5.3.7 变温的铁电性能 |
| 5.4 0.9BaTiO_3-(1-x)BiAlO_(3-x)CaTiO_3陶瓷的结果与讨论 |
| 5.4.1 物相结构 |
| 5.4.2 拉曼光谱 |
| 5.4.3 介电性能 |
| 5.4.4 介电弛豫 |
| 5.4.5 铁电性能 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 Yb_2O_3掺杂钛酸铋钠陶瓷缺陷补偿机制与电学性能研究 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.3 [(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(1-x)Yb_x]TiO_3陶瓷的结果与讨论 |
| 6.3.1 物相结构 |
| 6.3.2 拉曼光谱 |
| 6.3.3 介电性能 |
| 6.3.4 铁电性能 |
| 6.4 [(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(1-x)Yb_x]Ti_(1-x/4)((?) Ti)_(x/4)O_3陶瓷的结果与讨论 |
| 6.4.1 物相结构 |
| 6.4.2 拉曼光谱 |
| 6.4.3 介电性能 |
| 6.4.4 铁电性能 |
| 6.5 (Bi_(0.5)Na_(0.5))(Ti_(1-x)Yb_x)O_(3-δ)陶瓷的结果与讨论 |
| 6.5.1 物相结构 |
| 6.5.2 拉曼光谱 |
| 6.5.3 介电性能 |
| 6.5.4 铁电性能 |
| 6.6 本章小结 |
| 第7章 结论 |
| 参考文献 |
| 简介 |
| 致谢 |
四、铁电陶瓷固体显示器新进展（论文参考文献）
- [1]稀土掺杂无机光致变色材料的荧光调制行为和光存储特性[D]. 朱彦. 内蒙古科技大学, 2020(01)
- [2]铌镥酸铅基铁电晶体的生长、结构和性能[D]. 刘颖. 福建师范大学, 2016(04)
- [3]掺镧的锆钛酸铅透明陶瓷材料在平板显示器上的应用[J]. 解庆红,黄文旵,贺蕴秋. 玻璃与搪瓷, 2000(06)
- [4]电子薄膜材料最佳掺杂含量的理论研究[D]. 范志新. 河北工业大学, 2002(02)
- [5]PZT/聚酰亚胺压电复合材料的制备及其性能研究[D]. 陈征. 广东工业大学, 2020(02)
- [6]铌酸钾钠基陶瓷材料的制备与性能研究[D]. 刘洋. 齐鲁工业大学, 2020(02)
- [7]铁电陶瓷固体显示器新进展[J]. J.R.Maldonado,L.Kandersou,李兴教. 科技译报, 1972(S1)
- [8]功能薄膜材料的制备方法对比与应用前景[J]. 辛凤,张效华,胡跃辉,陈义川. 陶瓷学报, 2015(03)
- [9]溶胶—凝胶改进工艺制备锆钛酸铅(PbZrxTi1-xO3)铁电薄膜的结构与性能研究[D]. 陈祝. 电子科技大学, 2006(01)
- [10]钛酸钡基陶瓷的制备及电学性能研究[D]. 郑少英. 桂林理工大学, 2014(01)