一、美帝正在发展一种新的存儲技术——光存儲器（论文文献综述）
秦炳[1]（1974）在《光存储材料》文中研究指明 前言计算技术是当代一门十分重要的新技术,目前计算机在各个领域里得到了广泛的应用,其根本的原因在于它能用电学的方法处理和存储大量的信息,随着科学技术的飞速发展,还要求有能够处理更多数据的存储器即大容量存储器。目前大多数的计算机中都采用磁性存储器——磁芯作内存（主存储器）和辅助的磁鼓、磁盘、磁带等,经过了若干年的努力,它们在存储密度、存取速度等方面都有了显著的提高。拿磁芯来说已建立了大规模生产的技术,价格也不断下降,但由于它是分立元件,费工,耗电多,估计今后还会有些发展,但要满足日益增长的要求,看来还是有限制的。60年代发展起来的半导体存储器,开始是采用的二极管矩阵比较笨重,至今由于采用了集成电路特别是
一机部仪表材料研究所技术情报室[2]（1971）在《国外电子计算机用材料动向(上)》文中研究指明 一、前言伟大领袖毛主席教导我们说:“革命就是解放生产力,革命就是促进生产力的发展”。经过无产阶级文化大革命战斗洗礼的我国工人阶级,在毛主席无产阶级革命路线指引下,在党的“九大”团结、胜利的旗帜的光辉照耀下,怀着为伟大领袖毛主席争光,为伟大的社会主义祖国争光的豪情壮志,遵照毛主席“提高警惕,保卫祖国”,“备战、备荒、为人民”的伟大教导,正在三大革命运动中创奇迹。一个大力发展电子工业的群众运动正在全国蓬勃展开,并且已经取得了辉煌成果。全国形势大好,越来越好,正如党的九届二中全会公报指出的:“一个伟大的社会主义革命和社会主义建设的新高潮正在兴起”。
张心正[3]（2001）在《光折变体全息高密度光存储器及其应用》文中认为随着社会的进步及科学技术的发展，尤其是近年来计算机和互联网技术的发展，人们获取、处理、传输、存储和显示的信息量正以指数方式日益增加。未来信息系统对存储容量、数据传输速率及信息寻址速度的要求可以说是永无止境的。高密度数据存储技术始终是信息技术和计算机技术发展中不可缺少的关键环节。体全息存储技术同时具有存储容量大、数据传输速率高和信息寻址速度快等特点，最有可能成为下一代主流存储技术。掺杂铌酸锂晶体（LN）以其易于生长、造价低廉以及性能稳定等优点而得到最广泛的研究，其光栅固定技术和非挥发存储技术也较为成熟。因此，光折变体全息存储器大多基于铌酸锂晶体。目前，光折变存储器在并行计算、光通讯、军事目标快速识别、星载信息存储等方面的研究正方兴未艾。IBM、Optitek和Rockwell等公司纷纷设计了各种光折变体全息存储器原型，并宣布在近期内将该类产品推向市场。 本论文针对目前光折变体全息存储器研究中存在的一些主要难题，开展了一系列的研究工作，具体研究内容及研究结果如下： （1）对掺铁LN晶体中对称扇形噪音的形成和光致光散射光强阈值效应进行了实验研究，成功地验证了我们科研小组提出的LN晶体中扇形噪音形成的多对三波耦合机制。在此基础上，提出了通过对LN晶体进行双掺杂和选择最佳工作光强来实现高耦合系数、低噪音存储的优化方案。并在掺铁镁和掺铁铟LN晶体中实现了快响应速度、低噪音的信息存储。 （2）首次发现了紫外光折变增强效应，该效应的发现为利用更短波长实现全息记录的晶体优化方案打下了基础。 （3）提出了利用极化子效应进行双色选通存储的物理机制，并得到了实验上的验证。 （4）详细分析了Bragg条件对双波长存储的影响，首次利用柱面透镜成功地解释并解决了像场丢失问题；首次对双波长存储中影响再现图像分辨率的因素进行了理论分析，提出了提高再现图像分辨率的方法，并进行了实验验证。 （5）发明了动态差分编码技术，可实现有效信息的自动捕捉，并能减少由于光斑不均匀性等大尺度噪音引起的误码，完成了数字信息的存取。 摘 要 “)介绍了两种特殊的光折变存储器：相关识别器和自泵浦相位共轭器。 门)根据我们科研小组和本论文取得的成果，我们设计了光折变体全息高密度光学存储器的演示系统，并成功制作了原理样机。采用角度复用方式在晶体内记录了大量全息图，并利用双波长存储实现了非挥发读出。
郭继成[4]（2019）在《脉冲激光诱导Ge-Sb-Te超晶格相变材料结晶机制研究》文中研究指明伴随着信息化时代的来临,人类数据量的暴增和计算机技术的迅猛发展对信息存储器的容量和速度提出了更高的要求。基于相变材料的相变存储器（PCM）被认为是解决这一需求的有效方案。作为相变材料中性能优异的一员,Ge-Sb-Te超晶格材料（GST-SL）不仅可以提高PCM的速度和功耗,而且具备拓扑绝缘等特殊性质。科研人员对GST-SL材料的结构及性质开展了大量研究工作,但关于GST-SL的相变机制还未形成统一理论。基于此,本文采用实验和模拟相结合的方法开展了相关研究。首先,采用脉冲激光诱导非晶GST-SL薄膜晶化,进行工艺筛选并表征薄膜结晶前后的结构和光学性能变化;然后,通过有限元模拟和分子动力学分别探究GST-SL在纳秒激光辐照下的温度场变化和结晶动力学行为;最后,基于实验和模拟结果,探讨GST-SL的超快相变机制。首先,采用皮秒脉冲激光诱导非晶GST-SL薄膜晶化,通过观察薄膜的光学形貌变化,最终发现亚层厚度为4纳米的GST-SL薄膜结晶质量最好且结晶阈值低于普通Ge2Sb2Te5（GST）薄膜;TEM测试结果表明,在皮秒脉冲激光辐照下,GST-SL的晶粒比GST更细,并且GST-SL结构的稳定性更强;通过XRD测试发现:GST-SL在纳秒激光辐照下结晶阈值比GST低57%;拉曼测试表明,较多的GeTe4结构可能是GST-SL相变性能提升的原因;光谱测试结果表明,晶态GST-SL薄膜的光学性能优于GST。通过有限元方法模拟相变薄膜在纳秒激光辐照下的温度场变化,获得了不同能量密度对应的温度-时间曲线,GST-SL和GST的结晶阈值分别对应700 K和1200 K;采用分子动力学模拟了GST-SL和GST原子模型的升温过程,GST-SL展现出了更好的层结构稳定性,且于1400 K左右结构变化较大;随后在非晶化模拟中发现:三个GST-SL模型均出现Sb原子跳入Te-Te层的现象,且Kooi-mix模型的层结构最稳定;而在结晶模拟中发现Kooi-mix和Petrov-mix模型均可以在几个皮秒内回到初始晶态位置,而GST模型的结晶时间在150皮秒以上;最后,综合以上模拟结果推测:GST-SL中稳定的层结构是其相变性能提升的原因,而Sb原子在Te-Te层的跳跃行为是揭开GST-SL相变机制的关键。本文通过实验和模拟探究了GST-SL的结晶特性,阐明了GST-SL薄膜结构的优越性,发现了GST-SL原子模型中的Sb原子跳跃行为,这对探究相变材料的机制和优化相变存储器具有重要的指导意义。
姚保利,侯洵[5]（2000）在《纳米光生物分子材料——菌紫质及其在信息科学中的应用》文中认为菌柴质是一种特殊的光敏蛋白质分子,具有光驱动质子泵功能、光致变色效应和光电效应.近年来,随着对光循环机理和材料改性技术的深入研究和发展,菌紫质在信息科学领域的应用日渐增多.本文综述了国内外研究状况和最新发展动态.介绍了菌素质的来源、分子结构、光驱动质子泵功能、光循环（分支光循环）过程、光致变色效应和光电效应.列举了菌紫质在三维光存储、光信息处理、视觉模拟等方面的应用实例.对这种纳米光生物分子材料的应用前景及存在的问题进行了探讨.
余洋[6]（2019）在《单组份有机电荷俘获分子的设计、合成及高性能有机场效应晶体管存储器研究》文中研究表明基于有机场效应晶体管（OFET）结构的非易失性存储器不仅具有单只晶体管驱动、非破坏性读取、存储速度快和存储容量大等特点,而且具有成本低、可大面积溶液加工、与柔性衬底相兼容、与目前CMOS电路兼容度高等诸多优点,有望成为新一代存储器的主流替代方案,在存储芯片、柔性集成电路、人工智能等方面展现出了广阔的应用前景。有机场效应晶体管存储器的电荷俘获材料可有效俘获并稳定存储电荷且分子具有可设计性,器件制备工艺简单,已成为目前场效应晶体管器件研究的主流。但分子结构和凝聚态与存储器性能参数之间的关系和存储机理并不明确,开发新型单组份小分子存储材料以提高存储密度和稳定性仍然是一个挑战,因此设计模型系统,研究分子结构与有机薄膜凝聚态光电特性,深入研究分子的构效关系和提高器件性能迫在眉睫,具有重要的科学意义。本论文聚焦基于有机小分子电荷存储层的有机场效应晶体管存储器,重点探究无隧穿阻挡层器件结构中单组份小分子电荷存储材料的分子设计,结合理论计算对分子的热学、光学、电学以及凝聚态薄膜性质进行系统表征,研究小分子的分子结构、电子结构、拓扑构型、能带工程、介电特性等因素对电荷俘获特性的影响,进一步的拓展其在大容量、快速、高稳定性多阶存储器及柔性存储与人工突触方面的应用。主要研究内容及成果如下:1、针对有机存储介质电荷流失问题,发现了分子的电子结构和位阻功能化对双极性电荷俘获和电荷局域化的影响规律,运用多位阻化策略,设计并成功合成出基于三苯胺和氮杂芴的给受体型多位阻分子TPA（PDAF）3,该分子完全分离的HOMO和LUMO能级分别提供理想的空穴和电子俘获位点,实现了双极性电荷存储,其共轭打断的空间位阻提供了分子阻挡层,可以对核心俘获的电荷起到抑制流失的作用。制备的OFET存储器具有高电荷俘获密度、快速的编程速度,优异的维持时间,双极性存储窗口优于目前报道的所有单组分小分子存储材料。2、提出了共轭小分子的格子化效应,设计并合成了一系列基于二芳基芴的小分子材料,闭环结构的纳米格（Grid）分子表现出刚性的分子构象和纳米级孔结构,具有优异的溶解性和成膜性。结合理论计算,系统地研究了分子的光、电、热性质、薄膜形貌以及能带工程。相比未环化的分子,纳米格具有更好的热稳定性、电化学稳定性和形貌稳定性,同时保持较宽的带隙和分离的HOMO/LUMO能级,在连续的薄膜中表现出单一的纳米浮栅行为,为溶液加工型无隧穿阻挡层OFET存储器提供了可行的思路。3、利用纳米格的可溶液加工性、优异的光电性能制备了基于纳米格的无隧穿阻挡层的OFET存储器,并成功解释了分子结构与器件性能之间的构效关系。基于纳米格Grid的存储器实现了大容量的双极性存储,8.21 V/ms的高编程效率,超过1000次的循环耐受性和超高稳定的8阶存储,维持时间理论上可达100年。这种新型有机存储介质兼具高容量、快速写入、长期不挥发性和显著的可扩展性,为新兴有机存储介质的合理设计提供了研究思路。4、为了解释Grid存储器的电荷存储机理,从物理机制的角度对材料薄膜的介电特性进行研究,揭示存储窗口与存储效率的基本原理。利用开尔文扫描探针显微镜技术研究了薄膜的电荷俘获动力学,研究存储薄膜的电荷约束能力,解释Grid中电荷长期维持稳定性的原因。通过理论计算研究了前线分子轨道、静电势、电离势、电子亲和势、偶极矩以及分子内聚能密度,从分子结构和能量的角度解释了分子中电荷存储的位点和高稳定性的原因,提出了基于Grid存储器的合理的电荷存储机制。进而把Grid应用于柔性存储器件,证明了基于Grid的柔性存储器优异的抗弯曲应变的机械耐久性,在1500次弯曲循环后仍保持良好的性能。最后,验证了器件在120℃的热稳定性。Grid存储器在大容量、写入速度和非易失性之间找到了一个平衡,解决了OFET存储器中快速写入和稳定捕获的问题。5、基于纳米格表现出的优异存储性能,利用分子的模块化合成技术可实现丰富的官能团引入以及纳米级孔径的精确调控,进而对纳米格分子进行了拓展。把苯并噻二唑（BT）基团引入纳米格,设计并合成了两种D-A型纳米格,研究了BT基团在纳米格横梁和桥的不同位置对纳米格光学、电学、热学性质的影响以及对纳米格能带结构的定制化调控。基于D-A型纳米格的光敏OFET存储器实现了电和光作为独立的手段对存储器开关的调控,并且获得了较大的存储窗口和响应速度、稳定的读写擦循环耐受性和维持时间。最后,利用D-A型纳米格的纳米孔径和优异的电荷传输特性,通过与TBAPF6掺杂,制备了双端忆阻器的人工突触,成功地模拟了学习过程,突触增强和抑制可塑性。
张立伟[7]（2015）在《中国期刊数字出版技术变迁研究》文中认为在人类社会的发展进程中,出版技术扮演了至关重要的角色,被誉为人类"文明之母",人类社会的每一次文明进化都与出版技术密不可分,出版技术的发展是人类文明进化历史的真实缩影。20世纪80年代中期以来,世界范围内的科学技术日新月异,中国经济、社会、文化等各领域都发生了重大而深刻的变革,电子及网络信息技术飞速发展。在这一背景下,中国期刊数字出版产业迅速崛起,期刊数字出版技术蓬勃发展。目前,从科技史角度对中国期刊数字出版技术发展问题的全面、深入的研究几乎为空白。站在多学科视角对中国期刊数字出版技术变迁进行深入研究,梳理中国期刊数字出版技术的发展脉络,探索其发展规律,对促进我国期刊数字出版业科学发展、深化中国出版史研究、完善出版史学科体系及提升我国文化软实力、推动文化产业乃至国民经济的长期、快速、可持续发展都具有极为重要的理论及现实意义。纵观中国期刊数字出版技术的发展历程,以电子计算机技术的应用、互联网技术的引入与发展、IPV6核心网及3G移动网络技术在期刊数字出版领域的应用等重大技术突破为线索,根据不同时期的政治、经济、文化及社会背景,将中国期刊数字出版技术的变迁过程划分为"期刊数字出版技术的奠基"、"期刊数字出版技术体系的初步形成"、"期刊数字出版技术的创新与发展"三个阶段。党的十一届三中全会以后,我国实行了对内改革、对外开放的政策,经济社会发生了重大变革。改革开放不仅带来了中国经济的腾飞和繁荣,也带来了包括科技、文化、社会等在内的各个领域的蓬勃发展,中国呈现出焕然一新的面貌。在这一时代变革的背景下,人们对文化的需求日益增长,出版业作为文化产业的重要组成部分,迎来了巨大的发展契机。在这一时期,电子计算机技术开始在我国出版领域得到应用,我国实现了一系列出版技术的突破。第一,实现了汉字进入计算机的重大突破,汉字实现了数字化;第二,激光照排技术实现了中国印刷技术的第二次革命,使中国印刷业进入告别"铅与火"、迎来"光与电"的崭新时期;第三,磁、光等信息存储技术的应用颠覆了传统的纸质信息存储方式,实现了信息存储的数字化。这些关键技术的突破奠定了我国出版领域数字化的基础,电子出版技术开始出现,中国出版业迎来了巨大变革。我国在对国外各类磁带数据库、光盘数据库引进的基础上,研发了《中国高等院校学报论文文摘（英文磁带版）》（CUJA）和《中文科技期刊篇名数据库》（光盘版）;出现了以软盘形式出版的电子期刊;方正书版、科印微机排版系统、华光普及型（BD）排版系统、4S高级科技文献书刊编排系统、"WP"软件等计算机排版软件得到了初步应用,我国出现了期刊的数字化萌芽。1994年4月20日,一条带宽只有64K的国际专线接入中国,开通了Internet的全功能服务,中国正式接入互联网,互联网技术开始在中国得到广泛应用。在文化产业崛起、经济全球化及一体化背景下,我国期刊数字出版产业逐步兴起。互联网技术在我国的出现及其在期刊出版领域中的应用赋于了传统期刊出版方式和运营模式以新的活力和内涵,同时也给期刊出版工作带来了深刻的影响和变革。网络信息技术在期刊出版领域的广泛应用,推动了期刊采编技术、制版及印刷技术、发行及阅读技术的数字化变革,期刊出版逐步向网络化、一体化方向发展,我国期刊数字出版技术体系初步形成。"文化产业大发展、大繁荣"与"经济发展方式转变"等一系列政策的实施,推动了我国期刊数字出版产业的又一次重大变革。IPV6核心网的建立及移动3G通信技术的应用,促进了我国期刊数字出版技术的创新与发展。在期刊稿件采编技术发展方面,期刊网络采编系统被广泛采用,一批期刊群采编平台得到了建设与发展,参考文献辅助编校系统及学术不端检测系统在期刊出版过程中得到了普遍应用。在期刊的数字发行与阅读发面,一些OA期刊在线发布平台得以建立,期刊发行实现了开放阅读、自由传播和资源共享;3G移动网络技术的发展使被称为"第五媒体"的手机开始从单纯的通讯工具转向移动媒体终端,三网融合、三屏功能合一技术进一步深入,数字期刊的移动终端阅读技术得到快速发展;采用P2P技术并集合了Flash动画、tvc视频、音频、web控件、3D技术和超级链接等多媒体技术的网络多媒体互动杂志在这一时期大量涌现;移动网络技术的应用及手机网民数量的增长催生了手机阅读市场的壮大,VIVA无线新媒体手机杂志等一书手机期刊出版平台迅速发展。同时,数字出版技术的发展推动了专业期刊平台运营模式的变迁。我国一些数字期刊出版平台先后采用了独家授权数字出版模式;专业期刊平台呈现出市场分工逐步细化的态势;云计算技术的应用实现了期刊数字出版的全流程管理,已经成为我国期刊出版技术进一步发展的方向。纵观中国期刊数字出版技术的发展史,其变迁过程呈现出迅速性、渐进性及集成性的特征;计算机及网络信息技术的应用、经济全球化与经济发展方式转变、工业社会向信息社会的跨越、文化产业的崛起与繁荣、数字出版教育及研究等因素推动了中国期刊数字出版技术的发展;中国期刊数字出版技术的变迁促进了期刊出版的跨媒体融合、增强了人们获取期刊信息的能力、加快了中文期刊走向世界的步伐、推动了期刊数字出版及相关产业的繁荣,并对传统期刊出版业产生了双重影响。未来,期刊数字出版技术将进一步向跨媒体、立体化方向发展;其数字阅读技术将进入"后终端时代",内容依然为王;"注重用户体验"将成为期刊数字出版技术创新的主要方向;期刊数字出版技术的发展对专业人才的需求将会更为迫切;期刊数字出版技术创新的赢利模式将会逐步清晰。目前,我国期刊数字出版技术的发展在人才储备与培养、产业链条及行业标准、版权保护及监管机制、集群创新及赢利模式等方面还存在诸多现实问题,制约着中国期刊数字出版技术的创新。要彻底扫除上述发展的障碍,实现我国期刊数字出版技术的持续创新,就必须在增强自主创新能力方面下功夫。要不断提高期刊数字出版人才的培养水平,在科学整合期刊数字出版产业、优化产业链利益分配的基础上,进一步加强期刊数字出版的版权保护力度,构建有效的监管机制,在更大程度上形成期刊数字出版的集群创新机制及有效的赢利模式。只有这样,才能从根本上促进我国期刊数字出版技术的创新,实现期刊数字出版产业的可持续发展。
刘泽普,方光旦[8]（1986）在《磁盘技术的发展动向及其前景估计》文中研究表明本文介绍了磁盘技术目前的发展动向。同时,粗略地回顾了与磁盘技术竞争的某些技术特别是光盘技术的发展情况。希望本文有助于对磁盘技术的前景作出正确的估计。
陈越佳[9]（2015）在《基于PRAM的分层存储结构设计技术研究》文中进行了进一步梳理与不断提升的计算处理能力相适应,高性能计算机系统的主存系统容量越来越大,随之而来的是主存系统的能耗在系统总能耗中的占比不断攀升。这是因为目前主存系统的存储器主要采用DRAM存储器,而DRAM具有超高的静态功耗,当DRAM容量增大后,主存系统的能耗随之增大。因此,研究新型大容量主存结构是当前计算机存储系统领域的热点问题。相变存储器（PRAM）是一种新型的非易失性存储器,具有良好的可扩放性、低漏电流功耗、数倍于DRAM的存储密度等特性,并且和DRAM一样,PRAM也具有按位访问的特性。因为这些特性,它被认为是替代DRAM作为主存储器的最佳候选者。但是相变存储具有两个致命弱点：1)读写不平衡,写操作的延时和功耗都比较高；2)相变存储器的可写次数具有一定限制。针对上述问题,本文主要开展了下面三个方面的工作：1)综述了传统存储技术及新型存储技术的特性与应用,并且对新型存储技术进行对比,指出了PRAM的优缺点。在此基础上,详细研究了PRAM,主要包括它的工作原理、特性分析和比较、相关应用及目前存在的一些问题。2)研究分析了各种基于PRAM的混合存储系统,并且根据PRAM及SRAM的特性,设计一种以PRAM口SRAM为存储介质的主存系统,该主存系统以大容量的PRAM作为存储数据的主要部分,SRAM则作为PRAM的写缓存,并且将优化的LRFU替换算法应用到SRAM写缓存中,从而有效减少主存系统的时延,提高性能,降低功耗。实验结果表明,本文所设计的混合存储结构的能耗-延时积（EDP）为纯DRAM存储结构的40%；此外,与纯PRAM存储结构相比,可使PRAM的写操作次数下降28.5%,与将SRAM作为Cache目比,PRAM写次数下降13%。3)研究分析PRAM现有的均衡损耗技术,重点研究分析了PRAM的Flip-N-Write损耗均衡算法,在此基础上进行了改进,提出循环移位的方法Shift-Flip-N-Write,从而达到存储行内写均衡的目的,然后结合改进后的段交换技术,均衡整个PRAM的写操作,从而延长PRAM的寿命。实验结果表明,当写操作阈值为256时,本文所设计的Shift-Flip-N-Write算法比Flip-N-Write算法,位最高写次数降低了61%。
郑穆[10]（2018）在《高密度光存储技术研究》文中认为本文首先介绍高密度光存储技术,然后研究不同富勒烯的光学储存特性、一种新型不对称光存储技术,最后展望了光存储的未来。
二、美帝正在发展一种新的存儲技术——光存儲器（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、美帝正在发展一种新的存儲技术——光存儲器（论文提纲范文）
（3）光折变体全息高密度光存储器及其应用（论文提纲范文）
| 第一章 高密度海量三维存储器与光折变效应 |
| 1.1 存储器的分类与发展 |
| 1.2 光折变效应及其动力学过程 |
| 1.3 光折变体全息存储器的特点与研究进展 |
| 1.4 本论文的研究内容 |
| 第二章 光折变体全息存储材料特性与优化 |
| 2.1 光折变体全息存储材料的性能要求 |
| 2.2 光折变材料 |
| 2.3 铌酸锂晶体的光致光散射效应 |
| 2.4 铌酸锂晶体存储特性的优化 |
| 2.5 铌酸锂晶体的紫外光折变增强效应 |
| 第三章 光折变体全息存储原理及设计 |
| 3.1 不同配置下的光折变全息纪录与读出 |
| 3.2 复用技术 |
| 3.3 衍射效率的均匀化 |
| 3.4 光栅固定技术 |
| 3.5 非挥发全息记录与读出 |
| 第四章 光折变体全息存储器演示系统及原理样机 |
| 4.1 单个器件的设计和要求 |
| 4.2 原理样机 |
| 4.3 技术指标 |
| 第五章 海量存储中的数字编码与解码技术 |
| 5.1 数字存储的编码方式 |
| 5.2 数字存储中的新技术 |
| 5.3 动态差分编码和解码 |
| 第六章 特种光折变存储器 |
| 6.1 相关识别器 |
| 6.2 自泵浦相位共轭器 |
| 第七章 论文总结与未来展望 |
| 7.1 论文总结 |
| 7.2 进一步的研究工作 |
| 7.3 未来展望 |
| 参考文献 |
| 附录1 作者与他人合作已发表及待发表的论文目录 |
| 附录2 专利申请情况 |
| 附录3 鉴定成果 |
| 致谢 |
（4）脉冲激光诱导Ge-Sb-Te超晶格相变材料结晶机制研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 相变材料及其特性 |
| 1.2.1 相变存储器 |
| 1.2.2 相变材料 |
| 1.3 超晶格相变材料(GST-SL)特性及结晶机制研究现状 |
| 1.3.1 GST-SL相变材料特性 |
| 1.3.2 GST-SL晶化机理和研究现状 |
| 1.4 本文研究目的及意义 |
| 第2章 实验方案和模拟方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验方案 |
| 2.2.1 GST-SL样品制备 |
| 2.2.2 样品的激光辐照和结构表征 |
| 2.3 模拟方法 |
| 2.3.1 有限元温度场模拟 |
| 2.3.2 第一性原理分子动力学 |
| 2.4 实验仪器介绍 |
| 2.4.1 激光器 |
| 2.4.2 磁控溅射镀膜仪 |
| 2.4.3 服务器和计算软件 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 激光诱导GST-SL薄膜结晶 |
| 3.1 GST-SL相变薄膜制备和工艺筛选 |
| 3.2 结晶相变薄膜的微观形貌分析 |
| 3.3 纳秒激光诱导相变薄膜晶化 |
| 3.3.1 XRD表征结构变化 |
| 3.3.2 拉曼分析 |
| 3.3.3 反射率光谱表征 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 GST-SL结晶过程模拟 |
| 4.1 有限元温度场模拟 |
| 4.2 第一性原理分子动力学模拟 |
| 4.2.1 原子模型构建 |
| 4.2.2 GST-SL热稳定性测试 |
| 4.2.3 GST-SL非晶化模拟 |
| 4.2.4 GST-SL晶化模拟 |
| 4.2.5 键长分布和电子局域函数 |
| 4.2.6 GST-SL结晶机制 |
| 4.3 本章小结 |
| 总结 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间完成的学术成果 |
| 致谢 |
（6）单组份有机电荷俘获分子的设计、合成及高性能有机场效应晶体管存储器研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 专用术语注释表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.1.1 有机电子学概述 |
| 1.1.2 有机信息存储技术 |
| 1.1.3 有机信息存储材料 |
| 1.2 有机场效应晶体管存储器 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管存储器的分类 |
| 1.2.2 基于电荷俘获机制的有机场效应晶体管存储器及其工作原理 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管存储器的特征曲线和评价参数 |
| 1.3 有机场效应晶体管存储器的研究进展 |
| 1.4 有机场效应晶体管存储器的挑战 |
| 1.5 基于小分子存储介质的有机场效应晶体管存储器 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 小分子浮栅材料 |
| 1.5.3 自组装小分子电荷存储层 |
| 1.5.4 单组份小分子电荷存储材料 |
| 1.5.5 分子设计 |
| 1.6 本论文的研究思路 |
| 第二章 位阻型给受体小分子的设计合成及OFET存储器研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 主要试剂和药品 |
| 2.2.2 综合测试与表征 |
| 2.2.3 材料合成 |
| 2.2.4 有机场效应晶体管存储器制备与表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 位阻型TPA(PDAF)_n(n=1,2,3)的合成与结构表征 |
| 2.3.2 TPA(PDAF)_n(n=1,2,3)的热稳定性 |
| 2.3.3 TPA(PDAF)_n(n=1,2,3)的光谱性质 |
| 2.3.4 TPA(PDAF)_n(n=1,2,3)的电化学性质 |
| 2.3.5 理论计算 |
| 2.3.6 基于单组份小分子TPA(PDAF)_n(n=1,2,3)的 OFET存储器 |
| 2.3.7 单组份小分子的存储窗口性能分析 |
| 2.3.8 高密度电荷存储分析 |
| 2.3.9 电荷存储机制分析 |
| 2.3.10 电荷存储稳定性分析 |
| 2.3.11 基于TPA(PDAF)_n(n=1,2,3)器件的性能优化 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 芴基纳米格驻极体的设计合成及其性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 主要试剂和药品 |
| 3.2.2 综合测试与表征 |
| 3.2.3 合成实验 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 合成与结构表征 |
| 3.3.2 热稳定性 |
| 3.3.3 光物理性质 |
| 3.3.4 形貌稳定性 |
| 3.3.5 电化学性质 |
| 3.3.6 理论计算 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于纳米格的大容量、快速和超高稳定性的非易失性OFET存储器研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 材料与器件制备 |
| 4.2.2 表征与测试方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 CTE的薄膜形貌与浸润性的影响 |
| 4.3.2 器件结构和能级结构 |
| 4.3.3 OFET存储器的转移和输出特性 |
| 4.3.4 双极性电荷存储分析 |
| 4.3.5 高密度电荷存储分析 |
| 4.3.6 多阶存储 |
| 4.3.7 快速存储 |
| 4.3.8 超稳定性数据存储 |
| 4.3.9 基于Grid的存储器的耐受性 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于Grid存储器的机制分析及柔性和热稳定性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 材料与器件制备 |
| 5.2.2 表征与测试方法 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 电容和介电常数的影响 |
| 5.3.2 电荷俘获的动态可视化研究 |
| 5.3.3 前线分子轨道与静电势 |
| 5.3.4 电离势、电子亲和势及偶极矩 |
| 5.3.5 分子的内聚能密度 |
| 5.3.6 电荷存储机制分析 |
| 5.3.7 基于Grid的柔性OFET存储器 |
| 5.3.8 基于Grid存储器的热稳定性研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 D-A型纳米格的光电特性及其在光敏OFET存储器和人工突触中的应用 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.2.1 主要试剂和药品 |
| 6.2.2 综合测试与表征 |
| 6.2.3 D-A型纳米格的合成 |
| 6.2.4 基于D-A型纳米格的OFET存储器制备 |
| 6.2.5 基于D-A型纳米格的人工突触制备 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 D-A型纳米格的核磁解析 |
| 6.3.2 D-A型纳米格的热分析 |
| 6.3.3 D-A型纳米格的光谱分析 |
| 6.3.4 D-A型纳米格的电化学性质 |
| 6.3.5 D-A型纳米格的理论计算 |
| 6.3.6 基于D-A型纳米格的光敏OFET存储器 |
| 6.3.7 OFET的转移和输出特性 |
| 6.3.8 D-A型纳米格的存储性能研究 |
| 6.3.9 光响应机制研究 |
| 6.3.10 电写入-光擦除循环耐受性 |
| 6.3.11 光敏存储器的维持时间 |
| 6.3.12 基于D-A型纳米格的人工突触 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 论文总结 |
| 7.2 挑战与展望 |
| 参考文献 |
| 附录1 补充数据 |
| 附录2 攻读博士学位期间撰写的论文 |
| 附录3 攻读博士学位期间申请的专利 |
| 附录4 攻读博士学位期间参加的科研项目 |
| 致谢 |
（7）中国期刊数字出版技术变迁研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 绪论 |
| 一、选题依据及意义 |
| 二、相关研究概述 |
| 三、研究方法及研究的重点、难点 |
| 四、研究结构及主要内容 |
| 五、创新之处及存在的问题 |
| 第一章 概念界定、产业发展概况与历史分期 |
| 第一节 相关概念界定 |
| 一、期刊与杂志 |
| 二、电子出版、网络出版与数字出版 |
| 三、期刊数字出版与期刊数字出版技术 |
| 第二节 中国期刊数字出版业的发展概况 |
| 一、传统期刊数字出版平台发展迅猛 |
| 二、多媒体网络杂志数字出版初具规模 |
| 三、期刊数字出版产值波动中增长 |
| 四、期刊数字出版高新技术层出不穷 |
| 第三节 期刊数字出版技术发展的历史分期 |
| 一、中国期刊数字出版技术发展的奠基(1985-1993) |
| 二、中国期刊数字出版技术体系的初步形成(1994-2004) |
| 三、中国期刊数字出版技术的创新与发展(2005-今) |
| 本章小结 |
| 第二章 中国期刊数字出版技术发展的奠基(1985-1993) |
| 第一节 背景:改革开放与文化体制改革的推进 |
| 一、文化体制改革的推进 |
| 二、落后的出版技术与日益增长的文化需求间的矛盾 |
| 三、社会主义市场经济体制初步建立 |
| 四、由封闭半封闭社会向全方位开放社会的转型 |
| 第二节 电子计算机在出版领域中的应用 |
| 第三节 汉字数字化与电子照排技术的突破 |
| 一、"748工程"与汉字数字化 |
| 二、彩色照排技术实现国产化 |
| 三、汉字照排技术对中国出版业的影响 |
| 第四节 信息存储技术的数字化发展 |
| 一、磁存储技术的发展与应用 |
| 二、光存储技术的发展与应用 |
| 第五节 中国期刊的数字化萌芽 |
| 一、高校学报论文磁带文献库的研制 |
| 二、中文科技期刊光盘数据库的研制 |
| 三、软盘电子期刊的发行 |
| 四、计算机排版软件的初步应用 |
| 本章小结 |
| 第三章 中国期刊数字出版技术体系的初步形成(1994-2004) |
| 第一节 背景:文化产业崛起与经济全球化、一体化发展 |
| 一、文化产业崛起与期刊数字出版产业兴起 |
| 二、经济全球化、一体化与期刊数字出版技术革新 |
| 三、网络及信息存储技术为期刊数字出版技术发展奠定坚实基础 |
| 第二节 期刊采编技术的变革 |
| 一、期刊稿件采编流程的改变 |
| 二、期刊编辑模式的转变 |
| 三、计算机排版软件的普遍应用 |
| 第三节 期刊制版及印刷技术的进步 |
| 一、CTP技术实现期刊的计算机直接制版 |
| 二、数字他直接印刷技术的发展与应用 |
| 第四节 期刊发行技术、阅读方式变迁及数字出版产业链的初步形成 |
| 一、网络信息技术条件下的期刊发行技术变迁 |
| 二、网络信息技术条件下的期刊阅读方式变迁 |
| 三、期刊数字出版产业链的初步形成 |
| 第五节 期刊数字出版技术体系的初步形成 |
| 一、期刊数字出版技术体系的内涵及构成 |
| 二、中国期刊数字出版技术体系的形成及轨迹 |
| 本章小结 |
| 第四章 中国期刊数字出版技术的创新与发展(2005-今) |
| 第一节 背景:现代网络技术发展与文化产业大发展大繁荣 |
| 一、文化产业大发展、大繁荣与期刊数字出版产业变革 |
| 二、现代网络技术发展与期刊数字出版技术创新 |
| 三、经济发展方式转变与期刊数字出版技术升级 |
| 第二节 期刊采编技术的创新与发展 |
| 一、期刊网络采编系统的广泛使用 |
| 二、期刊群采编平台的建设与发展 |
| 三、参考文献辅助编校系统的开发与应用 |
| 四、学术不端检测系统的普遍应用 |
| 第三节 期刊发行技术的进步 |
| 一、OA期刊在线发布平台的建立 |
| 二、期刊"优先数字出版"发行技术的应用 |
| 三、期刊手机出版发行技术的兴起 |
| 四、网络多媒体杂志的大量涌现 |
| 第四节 期刊阅读技术的革新 |
| 一、移动网络技术与期刊移动终端阅读 |
| 二、多媒体互动技术与期刊多媒体阅读 |
| 三、"开放存取"技术与期刊开放阅读 |
| 第五节 数字出版技术应用与专业期刊平台运营模式变迁 |
| 一、期刊独家授权数字出版模式的采用 |
| 二、专业期刊平台市场分工的逐步细化 |
| 三、"网络发行量"概念的首次提出 |
| 四、"云计算"技术实现期剥数字出版的全流程管理 |
| 本章小结 |
| 第五章 中国期刊数字出版技术变迁的特征、动因及影响 |
| 第一节 中国期刊数字出版技术变迁的特征 |
| 一、期刊数字出版技术变迁的迅速性 |
| 二、期刊数字出版技术发展的渐进性 |
| 三、期刊数字出版技术创新的集成性 |
| 第二节 中国期刊数字出版技术变迁的动因分析 |
| 一、技术基础:计算机及网络信息技术的发展与应用 |
| 二、经济动因:经济全球化与经济发展方式转变 |
| 三、社会动因:由工业社会向信息社会的跨越 |
| 四、文化动因:从文化产业崛起到文化产业大发展大繁荣 |
| 五、学科支撑:数字出版教育及研究方兴未艾 |
| 第三节 中国期刊数字出版技术变迁的影响 |
| 一、促进了期刊出版的跨媒体融合 |
| 二、增强了人们获取期刊信息的能力 |
| 三、加快了中文期刊走向世界的步伐 |
| 四、推动了期刊数字出版及相关产业的繁荣 |
| 五、对传统期刊出版业的双重影响 |
| 本章小结 |
| 第六章 中国期刊数字出版技术变迁的历史启示 |
| 第一节 中国期刊数字出版技术变迁的借鉴意义 |
| 一、期刊数字出版技术创新要有政府的引导和支持 |
| 二、期刊数字出版技术创新要以市场为导向 |
| 三、教育与科研是期刊数字出版技术创新的基本推动力 |
| 四、业界的合理竞争是推动期刊数字出版技术创新的有效途径 |
| 五、要加强借鉴基础上的自主创新 |
| 第二节 中国期刊数字出版技术的未来发展趋势 |
| 一、期刊数字出版技术将进一步向跨媒体、立体化方向发展 |
| 二、期刊数字阅读技术将进入"后终端时代",内容依然为王 |
| 三、"注重用户体验"将成为期刊数字出版技术创新的主要方向 |
| 四、期刊数字出版技术创新对专业人才的需求将更为迫切 |
| 五、期刊数字出版技木创新的赢利模式将会逐步清晰 |
| 第三节 当前中国期刊数字出版技术创新的制约因素分析 |
| 一、自主创新能力不足,人才匮乏状况凸显 |
| 二、产业链条尚不健全,行业标准严重滞后 |
| 三、版权困局亟需破解,监管机制有待进一步完善 |
| 四、集群创新水平不高,有效的赢利模式还未真正形成 |
| 第四节 提升中国期刊数字出版技术创新水平的对策建议 |
| 一、增强自主创新能力,提高期刊数字出版人才的培养水平 |
| 二、科学整合期刊数字出版产业,优化产业链利益分配 |
| 三、加强期刊数字出版的版权保护力度,构建有效的监管机制 |
| 四、促进期刊数字出版集群创新,逐步形成有效的赢利模式 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 |
| 致谢 |
（9）基于PRAM的分层存储结构设计技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 论文主要研究内容 |
| 1.4 论文组织结构 |
| 第2章 新型存储技术相关研究 |
| 2.1 传统存储技术 |
| 2.2 新型非易失存储技术 |
| 2.3 相变存储器PRAM相关研究 |
| 2.3.1 工作原理 |
| 2.3.2 PRAM特性比较 |
| 2.3.3 PRAM相关应用 |
| 2.3.4 存在问题 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 混合存储模型设计 |
| 3.1 混合存储系统研究现状 |
| 3.2 混合存储结构总体设计 |
| 3.3 替换算法实现 |
| 3.4 能量模型 |
| 3.5 实验与分析 |
| 3.5.1 实验环境 |
| 3.5.2 实验结果 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 损耗均衡算法 |
| 4.1 现有的相变存储器损耗均衡算法 |
| 4.2 一种相变存储系统损耗均衡算法 |
| 4.2.1 基于存储行的损耗均衡机制 |
| 4.2.2 基于存储段的损耗均衡机制 |
| 4.2.3 系统写均衡算法流程 |
| 4.3 实验与分析 |
| 4.3.1 实验环境 |
| 4.3.2 实验结果 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（10）高密度光存储技术研究（论文提纲范文）
| 1. 绪论 |
| 2. 不同富勒烯的光学储存特性 |
| 3. 一种新型不对称光存储技术 |
| 4. 光存储的未来 |
四、美帝正在发展一种新的存儲技术——光存儲器（论文参考文献）
- [1]光存储材料[J]. 秦炳. 无机材料学报, 1974(02)
- [2]国外电子计算机用材料动向(上)[J]. 一机部仪表材料研究所技术情报室. 仪表材料, 1971(02)
- [3]光折变体全息高密度光存储器及其应用[D]. 张心正. 南开大学, 2001(01)
- [4]脉冲激光诱导Ge-Sb-Te超晶格相变材料结晶机制研究[D]. 郭继成. 北京工业大学, 2019(03)
- [5]纳米光生物分子材料——菌紫质及其在信息科学中的应用[J]. 姚保利,侯洵. 自然杂志, 2000(05)
- [6]单组份有机电荷俘获分子的设计、合成及高性能有机场效应晶体管存储器研究[D]. 余洋. 南京邮电大学, 2019(02)
- [7]中国期刊数字出版技术变迁研究[D]. 张立伟. 南京农业大学, 2015(06)
- [8]磁盘技术的发展动向及其前景估计[J]. 刘泽普,方光旦. 计算机研究与发展, 1986(10)
- [9]基于PRAM的分层存储结构设计技术研究[D]. 陈越佳. 杭州电子科技大学, 2015(06)
- [10]高密度光存储技术研究[J]. 郑穆. 电子世界, 2018(02)