一、KP-200A晶闸管高温贮存加速寿命试验数据处理中若干问题的探讨（论文文献综述）
韩春阳[1]（2020）在《银基触点材料电性能模拟实验与寿命预测方法研究》文中研究表明低压电器是各类电气系统中的重要组成元件,随着各类电气系统精密性、复杂性的提高,对低压电器的可靠性要求也在逐步提高。而触点作为低压电器中执行分断功能的部件,对低压电器的正常工作起着至关重要的作用,因此对触点的可靠性进行研究,有助于提高低压电器的可靠性与寿命。本文开发了一套触点材料电性能模拟试验系统,通过该系统完成了Ag Cd O、Ag Sn O2与Ag Ni三种触点材料的电寿命实验。根据采集到的实验数据,对三种材料的退化机制进行了分析,完成了对Ag Ni触点的寿命预测方法的研究。首先,以推杆型电磁继电器为模拟对象,设计了触点材料电性能模拟试验系统的机械动作结构、测量控制电路和相应的人机交互软件。其中机械结构部分可以实现触点开距、超行程等机械参数的调节功能,电路部分可以实现动作控制、信号调理和数据通信的功能,而软件部分则可以对原始电压电流信号以及力信号进行采集并计算触点静压力、接触电阻、燃弧能量、回跳时间等数据。在直流负载条件下对三种触点进行了电寿命实验,并对采集到的数据进行比较与分析,对触点的退化机制进行分析与解释。其次,提出了一种基于PSO-BP神经网络的触点材料寿命预测方法。首先对采集到的接触电阻、静压力、燃弧时间、回跳时间等性能数据进行预处理,根据单调性、相关性、离散性指标的评价结果,确定了最后一次回跳时间、回跳能量、回跳时间可作为Ag Ni寿命预测所使用的电性能数据。通过PSO-BP神经网络构建了相应的模型并进行训练,训练结果显示选择的三种性能参数与神经网络模型具有较好的预测精度。最后,针对BP神经网络易出现过拟合、测试集表现不佳的问题,构建深度置信网络（DBN）,将性能数据的特征映射到高维空间,利用高维特征数据进行预测,同时利用粒子群优化算法确定了较优的DBN网络节点数。结果表明五层DBN网络的预测精度较高,训练时间适中,可以较好地对触点材料的寿命进行预测。本研究可为触点材料电性能模拟与性能评估提供方法,同时对触点材料失效机理分析以及寿命预测方法的研究也具有一定的参考价值。
汪之琦[2]（2008）在《沟槽结构功率管理器件DMOS的可靠性评估及优化》文中进行了进一步梳理本文主要是研究沟槽结构的功率管理器件DMOS中晶圆基材、绝缘层材料、工艺流程缺陷和设计的布局结构对其可靠性的影响。沟槽结构的DMOS有两大结构特点:第一,多晶硅栅极采用U型槽结构;第二,具有垂直导电性,由于漏极Drain是从芯片的背面引出,所以导通电流ID不是沿芯片水平流动,而是自重掺杂N+区（源极S）出发,经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区,最后垂直向下到达漏极D。电流方向由上至下,流通截面积增大,所以能通过较大的电流。基于产品的这些特点,本试验选用BI、PCT、TC、HAST等加速寿命试验,结合环境温湿度等应力条件和产品的规格电压（VGS,VDS）电流等,验证特定批次产品在现行的工业标准推荐的可靠性测试条件下的表现。此外通过对所得试验结果的总结和分析,推算产品的使用条件（产品结温55°C,外部湿度60%RH）下的寿命周期（MTTF=1.61Х107小时）,现行的工业标准是要求产品生命周期应该大于7年。另外,通过可靠性测试的结果可以更快速地检验产品是否符合设计规范和客户的要求,并且利用SEM,Cross section,TEM等分析手段和工具,对试验中出现的失效样品进行分析,发现产品设计和生产中产生的典型缺陷,如绝缘层缺陷、离子污染、打线键合等,这些有缺陷的产品在加速寿命试验中的失效也证明这些缺陷将会影响产品在工作环境下的耐久性、安全性及功能性,因此,如何防止这些缺陷的产生是产品设计和工艺控制中需要关注的重点。整个试验的完成为改善产品设计,提升产品性能和竞争力提供数据基础和选择方向。本文还对传统可靠性方法存在的一些问题作了讨论。
薛斌,李学敏[3]（1983）在《KP-200A晶闸管高温贮存加速寿命试验数据处理中若干问题的探讨》文中认为本文系“DJ 15电工产品环境技术委员会第三次会议”论文。
二、KP-200A晶闸管高温贮存加速寿命试验数据处理中若干问题的探讨（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、KP-200A晶闸管高温贮存加速寿命试验数据处理中若干问题的探讨（论文提纲范文）
（1）银基触点材料电性能模拟实验与寿命预测方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 课题的研究目的与意义 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.3.1 触点材料研究现状 |
| 1.3.2 触点材料性能测试技术现状 |
| 1.3.3 触点材料寿命预测方法研究现状 |
| 1.4 本文主要研究内容 |
| 第2章 触点材料电性能模拟实验系统设计 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 系统总体方案设计 |
| 2.2.1 系统主要功能与技术指标 |
| 2.2.2 总体方案 |
| 2.3 机械系统设计 |
| 2.4 测量控制电路设计 |
| 2.4.1 电性能参数测量模块 |
| 2.4.2 力信号测量模块 |
| 2.5 系统软件设计 |
| 2.5.1 电性能参数提取计算 |
| 2.5.2 上位机人机交互软件 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 AgCdO、AgSnO_2、AgNi触点材料退化过程与失效机理分析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验条件及典型波形分析 |
| 3.2.1 实验条件 |
| 3.2.2 典型波形分析 |
| 3.3 触点材料电性能退化过程分析 |
| 3.3.1 接触电阻退化过程分析 |
| 3.3.2 电弧退化过程分析 |
| 3.3.3 静压力退化过程分析 |
| 3.3.4 回跳过程分析 |
| 3.3.5 触点失效机理分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 基于PSO-BP神经网络的触点材料寿命预测 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验数据预处理 |
| 4.2.1 小波分析基本原理 |
| 4.2.2 趋势项提取 |
| 4.3 触点性能参数筛选 |
| 4.4 PSO优化BP神经网络 |
| 4.5 基于PSO-BP神经网络的寿命预测实现 |
| 4.6 实验结果与分析 |
| 4.7 本章小结 |
| 第5章 基于深度置信网络的触点材料寿命预测 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 受限玻尔兹曼机 |
| 5.3 DBN网络在触点材料寿命预测中的应用 |
| 5.3.1 RBM单元的构建 |
| 5.3.2 DBN网络模型 |
| 5.3.3 DBN层数及隐含层节点的确定 |
| 5.4 预测结果对比 |
| 5.5 本章小结 |
| 总结 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（2）沟槽结构功率管理器件DMOS的可靠性评估及优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 概述 |
| 1.1 功率半导体行业背景 |
| 1.2 沟槽结构DMOS 的特点 |
| 1.3 功率DMOS 可靠性试验的意义 |
| 1.4 本文结构 |
| 2 沟槽结构的功率DMOS 和可靠性评估方法简介 |
| 2.1 功率场效应晶体管的结构和分类 |
| 2.2 功率场效应晶体管的工作原理 |
| 2.2.1 功率场效应晶体管的特性 |
| 2.2.2 功率场效应晶体管的主要参数 |
| 2.3 功率场效应晶体管的制造过程 |
| 2.4 功率场效应晶体管的优势 |
| 2.5 可靠性评估简介 |
| 2.5.1 可靠性研究的发展 |
| 2.5.2 可靠性技术的数学基础 |
| 3 沟槽结构的功率DMOS 可靠性评估方案 |
| 3.1 可靠性试验的理论基础 |
| 3.2 可靠性试验样品的选择 |
| 3.3 试验方案的制定 |
| 3.3.1 高温老化试验（Burn In） |
| 3.3.2 高加速应力老化试验（HAST） |
| 3.3.3 高低温循环试验（TC） |
| 3.3.4 高湿高压试验（PCT） |
| 3.4 试验流程 |
| 4 功率DMOS 可靠性试验结果分析与讨论 |
| 4.1 试验结果分析 |
| 4.2 失效分析 |
| 4.3 案例分析 |
| 4.3.1 材料污染 |
| 4.3.2 打线键合应力过大（Over Bonding） |
| 4.3.3 晶圆制程缺陷 |
| 4.3.4 导通电阻过高 |
| 4.4 初步结论 |
| 5 沟槽结构功率管理器件DMOS 可靠性改善方案的设计 |
| 5.1 功率场效应晶体管的寄生效应 |
| 5.2 UIS（Unclamped Inductive Switching） |
| 5.3 ESD 静电防护结构 |
| 6 总结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 |
四、KP-200A晶闸管高温贮存加速寿命试验数据处理中若干问题的探讨（论文参考文献）
- [1]银基触点材料电性能模拟实验与寿命预测方法研究[D]. 韩春阳. 江苏科技大学, 2020(03)
- [2]沟槽结构功率管理器件DMOS的可靠性评估及优化[D]. 汪之琦. 上海交通大学, 2008(01)
- [3]KP-200A晶闸管高温贮存加速寿命试验数据处理中若干问题的探讨[J]. 薛斌,李学敏. 特殊电工, 1983(04)