一、用鍺集成电路制作徽微秒計算机（论文文献综述）
本刊编写组[1]（1972）在《超高速数字电路的现状及发展趋势》文中提出 毛主席教导我们说:“美国确实有科学,有技术,可惜抓在资本家手里,不抓在人民手里,其用处就是对内剥削和压迫,对外侵略和杀人。”美帝和苏修为了对外侵略和对内剥削的需要,都在加速发展数字处理系统和数字通讯系统。自从1946年美帝为陆军研制的计算弹导学的计算机ENIAG问世以来,数字系统的典型代表——数字计算机向着自己确定的目标——提高信息处理能力、高可靠性、小型化的方向发展。归纳起来经历了如下几个时期:
董良[2]（2004）在《MEMS集成室温红外探测器研究》文中研究指明近年来，采用微机械室温红外探测器实现热成像是MEMS领域和光学成像领域的研究热点。本文深入系统地研究了a-Si薄膜、polySiGe薄膜和a-Si TFT等三种常规硅基材料和器件的制备方法和热电特性，开发了一套新型的基于多孔硅牺牲层技术的MEMS-IC集成工艺，利用该工艺成功地制作了a-Si和polySiGe薄膜电阻式测辐射热计，在国际上首次提出并实现了基于a-Si TFT的室温红外探测器单元与8×8阵列原型，器件初步具备了室温红外热成像的能力。论文首先研究了采用PECVD制备高品质a-Si薄膜的工艺，通过气相掺杂有效地调整了薄膜电阻率；采用UHVCVD制备了polySiGe薄膜，优化了热处理工艺条件；制作出了具有电学特性较好的a-Si TFT。测试并分析了a-Si和polySiGe薄膜的电阻温度特性和a-Si TFT的沟道电流温度特性，为实现高性能的室温红外探测器提供了热敏感元件。其次，系统地研究了多孔硅的生长规律，实现了在中等电阻率的硅衬底上选择性地制备多孔硅作为牺牲层，开发了一种新型的基于多孔硅牺牲层技术的MEMS-IC集成工艺，提出了采用Si3N4/SiO2复合膜保护先行多孔硅的方法，研究了MOS关键工艺对封闭多孔硅的影响。在理论分析和结构设计的基础上，对a-Si、polySiGe测辐射热计和a-Si TFT室温红外探测器进行了版图和工艺设计，采用基于多孔硅牺牲层技术的MEMS-IC集成工艺制作了多种结构尺寸的a-Si和PolySiGe测辐射热计，并且首次实现了a-Si TFT室温红外探测器及阵列，进行了多次工艺流水，器件成品率较高。搭建了黑体辐射响应和热成像测试平台，系统地测试了单元器件的电压灵敏度、热响应时间常数、噪声功率谱密度和探测率，二维阵列的均匀性等性能参数。结果表明，斩波频率为30Hz时，a-Si和polySiGe测辐射热计的最高探测率分别达到2.23×108和3.75×108cmHz1/2W-1，TFT室温红外探测器的最高探测率可达1.02×109 cmHz1/2W-1，达到目前国际先进水平。对8×8 TFT红外探测器阵列进行了初步的热成像实验，结果表明器件具备了热成像能力。
薛舫时[3]（1979）在《微波半导体器件发展动向的分析》文中认为 一、引言 早在三十年代,人们就已经开始研究能传输微波能量的金属波导和产生微波能量的几种微波电子管,为微波技术的实验研究打下了良好的基础。二次世界大战期间,微波技术在雷达和通信领域内获得了成功的应用,战争的需求大大推动了这门新技术的发展。 但是,当时的微波电子管可靠性还不够高,体积庞大,需要高电压,而且调谐复
王宏臣[4]（2006）在《氧化钒薄膜及非致冷红外探测器阵列研究》文中研究表明自上世纪九十年代以来,非致冷红外成像技术取得了重大突破,引发了红外技术的第三次革命。与前两代致冷型光子红外探测器相比,第三代非致冷热敏红外探测器由于在室温下工作,无需制冷,因此在系统成本、重量、功耗和可靠性等方面都具有明显优势。第三代非致冷红外探测器主要包括微测辐射热计和热释电探测器两种类型。与具有相当竞争力的热释电红外探测器相比,微测辐射热计具有动态范围大,响应线性度好、制造成本低等独特优点。此外,微测辐射热计工作时无需斩波,成像系统无任何活动部件,这有助于降低成像系统成本和提高系统可靠性,在军事或者民用诸多领域内都具有更广泛的应用前景。本文围绕微测辐射热计的热敏材料、工作原理、绝热结构、读出电路和器件集成等关键技术,展开了深入系统的研究,主要研究内容和成果综述如下:在材料制备方面,（1）开展了氧化钒热敏薄膜制备技术研究,利用低温反应离子束溅射和磁控溅射在石英和Si3N4/Si衬底上制备了方块电阻为2050 k?的混合相VOx和亚稳态相VO2（B）热敏薄膜,薄膜淀积温度控制在250℃以下,与大规模集成电路工艺兼容。所制备的热敏薄膜室温时的电阻温度系数约为-2.2%-2.5%K-1,达到国际先进水平。（2）完成了纳米VO2薄膜生长方法的研究,利用两步法（低温溅射和后退火）工艺在Si3N4薄膜覆盖的石英和硅衬底上制备了晶粒尺寸约为810 nm的VO2薄膜。测试结果表明该纳米VO2薄膜的热滞回线明显向室温移动,薄膜的金属-半导体相变温度由常规VO2材料的68℃下降到纳米VO2的34℃,该结果为国际首次报道。在器件研制方面,（1）研究了微测辐射热计的工作原理,依据微测辐射热计的电热模型和热敏材料的电压-电流关系曲线,利用等效热导概念简化了探测器的热平衡方程,对探测器在直流、脉冲偏置以及非小信号条件下的响应率进行了分析计算。讨论了影响微测辐射热计红外探测信噪比的关键影响因素,为后续测辐射热计红外探测器的结构和电学参数设计提供了依据。（2）开展了微测辐射热计绝热微桥结构制作方法的研究,利用多孔硅和光敏聚酰亚胺薄膜作为牺牲层材料,在国内率先研制出了128元单层线阵和32×32双层面阵微桥结构阵列。（3）针对由CMOS制造工艺引入的读出电路芯片表面的不平坦特性,进行了芯片平坦化研究。利用BCB旋涂和化学镀技术,对电路芯片进行了平坦化,芯片表面不平坦度从平坦化前的2μm减少至平坦化后的0.13μm,为微测辐射热计阵列和读出电路的单片集成铺平了道路。（4）进行了微测辐射热计阵列与读出电路的单片集成研究,研制出国内首个单片式带微桥结构的32×32微测辐射热计红外探测器焦平面阵列。在真空封装环境下,焦平面的像元黑体响应率和噪声等效功率分别达到1.4×104 V/W和8.4×10-10 W,为进一步研制单片式、高性能的非致冷红外焦平面阵列奠定了基础。
马超[5]（2007）在《水射流微细加工技术的研究》文中研究表明微细加工技术是精密加工技术的一个分支，是指加工微小尺寸零件的生产加工技术。而磨料水射流加工是一种新型的冷加工技术，可以达到微纳加工级别。微细加工技术是现代加工技术中的重要研究课题之一，对于先进制造技术的发展具有重大的意义。本论文对微细加工技术，水射流技术和磨料水射流切割机理等内容进行了系统研究。较详细的分析、比较几种典型的微细加工方法。通过对半导体加工工艺的分析研究，提出了用磨料水射流切割半导体材料，包括晶圆的切割、芯片的终端封装切割。由于水射流在加工过程中没有热反应区，可以达到较高的切割精度，特别在半导体行业中，较传统微细加工方法具有无可比拟的优越性。而且，水射流可以切割任意形状的工件，所以比传统的金刚石锯片切割有较高的优越性。本论文利用现有的水射流加工设备，通过对砷化镓等半导体材料和金属基合金材料的切割实验，对用磨料水射流切割加工半导体材料的可行性进行了研究，同时，对磨料水射流的加工精度，工件表面的粗糙度以及加工后工件的物理、化学性质变化，以及磨料对工件产生的微观影响进行了深入研究。研究表明，磨料水射流可以切割金属基合金，平均工作温度不高于100℃，会对工件的表面性状产生影响，但不会影响工件的内部组织，会产生明显微观切痕，可以用来切割半导体材料。本论文对水射流微细加工技术的研究和应用具有重要的理论意义和实用价值。
许平[6]（2020）在《CVD金刚石膜辐射探测器的研制与性能研究》文中认为随着核技术的广泛应用,核辐射探测器所面临的应用环境也变得越来越苛刻。辐射防护及辐射环境的安全可控也变得越来越重要。传统的半导体材料如硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等制成的半导体核辐射探测器,已经难以满足核裂变、核聚变、加速器、外太空等高温、高辐射环境下安全服役的要求,必须寻找新的材料制作新一代核辐射探测器。金刚石具有优异的光、电、热、机械及抗辐照性能,己成为制作新一代辐射探测器的首选材料。探测器级金刚石膜的制备、金刚石探测器的研制、各种辐射环境中金刚石膜探测器的应用,已经成为国内外辐射探测技术领域比较热门的课题。由于辐射探测技术往往与国防建设等有着直接密切的关系,目前人工合成高品质的金刚石及金刚石探测器核心技术,主要掌握在奥地利、美国的少数几家公司手中,我国使用的一些高品质金刚石探测器依赖于进口。研制用于强辐射环境下的高品质金刚石探测器,掌握自主知识产权,有利于实现核心部件的国产化。本文简要阐述了核辐射的概念、四种常见核辐射的探测原理、三类辐射探测器及探测器主要的性能指标、金刚石探测器的三个优势特点。重点介绍了国内外金刚石探测器相关的研究进展,通过分析金刚石探测器对带电粒子、中子探测的工作原理、金刚石探测器的性能指标、制作方法等,归纳总结出了金刚石探测器的制备所面临的难点和解决办法。最为突出的困难是:人造金刚石膜是有缺陷的晶体材料,材料品质难以达到探测器理想性能的要求。解决办法一是优化制备工艺过程参数提高金刚石膜的纯度并减少晶界缺陷,满足探测器的要求。二是设计制备多样化的金刚石探测器电极结构,满足不同环境安全服役的需求。本文采用优化了的电子辅助化学气相沉积装置（Electron Assisted Chemical Vapor Deposition,EACVD）制备了探测器级金刚石膜。依据各种服役环境的需求,研制了X射线、中子、磁脉冲等三种金刚石膜探测器。并分别在Z箍缩X射线、核聚变中子辐射、大脉冲电流强磁场辐射环境下,进行了一系列探测、实验评价。本文采用蒸发率明显低于钨、热电子发射率要比钨高近1个数量级的钽热丝替代原EACVD装置中的钨热丝,并将钽热丝阵列丝间距优化减至4mm、热丝均匀等离子体面积优化增至60mm×60mm;将原EACVD装置中的沉积台冷却水道优化为环状细流道,以提高金刚石膜沉积台温度均匀性;将原EACVD装置中的直流放电模式优化为脉冲放电模式,抑制电弧放电以减少热丝溅射形成的膜杂质,并制备出了晶粒尺度达百微米级的高纯度金刚石膜。针对Z箍缩装置X射线探测的特点,本文将叉指宽度为25μm、相邻叉指间距为25μm的叉指电极,印在60mm×60mm×500μm的晶粒尺度百微米级高纯金刚石膜上,制成X射线探测器,并在Z箍缩强X射线装置上进行了实验测量,验证了该金刚石探测器具有良好的鲁棒性,可应用于高能量脉冲X射线探测。本文采用4.5mm×4.5mm×500μm的单晶金刚石膜和由一个平板金电极与一个轨道形金电极形成的三明治结构,研制出了用于氘氚聚变中子探测的金刚石中子探测器。电场分布数值模拟结果表明该结构电极附近电场明显增强,单位面积的电极收集的电流强度也增强了2倍;在30kV/cm的电场下,实测的探测器暗电流小于0.1nA;该探测器测量的D-T聚变中子源通量约为7.5×105/（s.cm2）,并测到了中子能谱12C（n,α）9Be反应的中心为8.28MeV的特征峰,其能量分辨率优于1.69%;同时还检测到了一个中心能量为6.52MeV的12C（n,n’）3α反应特征峰,其能量分辨率大于7.67%。本文采用优化后的EACVD装置制备了厚度为20μm的多晶金刚石膜作为基体和绝缘材料;利用金刚石膜正反表面上刻印内径、宽度和厚度分别为0.8 mm、50μm和1μm的金环组成两个对称的差分回路研制出了差分磁探针。脉冲磁场的实际测量结果表明,该差分磁探针信号匹配符号反转、显示了良好的共模抑制比、具有ns级时间分辨率和mm级空间分辨率。
杜锴[7]（2014）在《Al2O3/AlGaN/GaN MOSHEMT器件制备及特性研究》文中研究指明由于势垒高度有限、表面缺陷等原因而导致的栅漏电问题限制了AlGaN/GaN HEMT器件在高温、高频和高功率工作时的可靠性。随后出现的金属-氧化物-半导体MOSHEMT结构使问题得到了解决,其中发挥主要作用的就是结构中淀积在半导体材料上的栅介质层,栅介质层的好坏对器件整体的性能起到至关重要的作用。本文中使用MOCVD设备在蓝宝石衬底上生长异质结材料,其组成成分为:40nm AlN成核层,1400nm非故意掺杂GaN外延层,1.5nmAlN阻挡层和25nm Al0.3Ga0.7N势垒层。室温下霍尔效应测试得到AlGaN/GaN异质结2DEG面密度和迁移率分别为1.1?1013 cm-2和1140 cm2/V?s。制作MOSHEMT器件过程中,栅氧化层的淀积是至关重要的一个步骤。第四章中,为了进行对比实验,本文中将同一片AlGaN/GaN异质结材料分为三份并使用ALD方法分别淀积了厚度为3.5nm、7.5nm和10nm的Al2O3栅介质层。对三种不同栅介质厚度的器件统一进行了测试并绘制了C-V特性曲线。通过测试我们发现,Al2O3层较薄时,栅电容相对较大。较厚的Al2O3介质层具有更好的钝化效果,较薄的钝化层并不能完全消除MOCVD异质外延生长时AlGaN表面的不平整性所带来的影响。第二节中,通过对不同介质层厚度器件的C-V测试和仿真,确定了在Al2O3/AlGaN界面处存在有带正电的固定电荷Qif=2.2×1013cm-2。仿真证明其存在会使器件的阈值电压增大,C-V曲线沿负向漂移。第三节中使用Terman高频法,通过计算得出氧化层厚度为3.5nm、7.5nm和10nm时界面陷阱电荷密度Dit分别为（0.621.16）?1013 cm-2eV-1,（0.881.9）?1013cm-2eV-1和（0.652.44）?1013 cm-2eV-1。随着栅介质厚度的增大,界面陷阱密度也随之增大。随着Al2O3介质厚度的增加,介质层向多晶态转变,可能出现的缺陷增多,同时介质层体陷阱的作用已不可忽视,所以总体测试结果应略大于实际值。第四节使用器件模拟仿真了不同能级、不同俘获面积的界面陷阱电荷对瞬态特性的影响。分析发现,能级越浅、俘获面积越大的界面陷阱电荷对器件瞬态特性的影响越大。第五章中,将同一片AlGaN/GaN材料分为两部分,一部分使用ALD淀积10nm Al2O3氧化层,另一部分先使用plasma氧化处理10min,再使用ALD方法淀积8nm Al2O3氧化层做成器件进行对比实验。通过测试分析,发现使用plasma氧化处理过的器件阈值电压有正向漂移的趋势,这可能与处理过程使得Al2O3/AlGaN界面处的固定正电荷减少有关。
眭程乐[8]（2013）在《光互连基本器件性能研究》文中提出随着现代通信中的传输速率不断提高，电互连逐渐成为通信容量提升的瓶颈。而基于CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）工艺的片上光互连系统能够在有限可接受的功耗范围内为多核之间的并行运算以及快速光交换带来革命性的变化，因此近年来片上光互连系统得到广泛研究。本文围绕光互连系统分别从系统和器件两方面进行讨论。前者主要从系统角度分析仿真器件的基本性能，为后面研究器件表面粗糙效应奠定基础。而表面粗糙效应分析使得前面的系统角度分析更加全面而深入。1.在系统方面，研究人员对硅基光互连器件在芯片内全局互连和片上光网络内的应用还没有进行较为全面的研究，所以从系统角度分析光互连器件具有较大的现实意义。对此，我们做了如下工作：根据项目需要，对光互连硅光子基本器件进行性能分析。然后用FDTD（finite difference time domain） solution和MODEANALYSIS工具对不同类型的波导、微环谐振器和微盘谐振器在不同场合的应用进行了仿真，得到了这些器件的FSR、Q值、损耗、3dB带宽等参数。这些工作为下一步的系统分析提供了基础。2.在器件方面，随着器件尺寸越来越小以及高折射率误差（HIC）工艺的广泛应用，器件的表面粗糙对器件的性能影响变得越来越突出，因此有必要对其进行全面深入的研究。我们的工作有:（1）提出了一种基于小波分解的微盘谐振器表面粗糙效应分析方法。首次将小波分解引入微盘谐振器表面粗糙效应分析，该方法可以独立分析器件表面粗糙起伏程度及起伏的一阶导数对Q值的影响。分析和仿真结果表明：在多数情况下，表面粗糙起伏的一阶导数是表面粗糙影响微盘谐振器Q值的主要因素。（2）从统计学的角度讨论了波导粗糙表面的逼近方式。首先，建立了波导粗糙表面的数学统计模型，证明了波导表面起伏引起的后向反射场是一个鞅。接下来根据随机变量收敛的相关理论，分析了对波导粗糙表面起伏的逼近方式。分析表明，目前广泛使用的微元法可以有效分析粗糙表面对光波的二次特征（功率、Q值、3dB带宽等）的影响。但是在相干光通信中，如果我们需要分析粗糙表面对一次光信号特征（如光相位）的影响，这时微元法失效。
许振嘉[9]（1976）在《半导体材料研究的进展(一)》文中指出 一百多年前,人们把一类电阻率介于金属和绝缘体之间的物质称作半导体.那时分类的依据并不严格,对这类物质的应用前景也很模糊.在三十年代,量子力学被应用到固体现象后,对半导体才有较严格的了解.四十年代末,用锗制作的晶体管试验成功,电子学学科开始发生了深刻的变革,半导体科学技术得到了广泛应用.近二十多年来,半导体科学技术有了巨大的发展,同时逐步形成了半导体材料研究这样一个综合的半导体研究领域.它包括物理、化
亨利 F·泰勒,周少辉[10]（1984）在《甚高速光纤数据总线技术及设计依据》文中研究说明本文评述了甚高速光纤数据传输技术,估价了环路总线的数据率极限。单信道传输的最高数据率估算在5～10千兆比特/秒范围内,但对于并行互连线路或载频复用线路,总线容量可增至100千兆比特/秒或更大。在高数据率干线和相对低速终端之间,本文建议用循环光纤环路作缓冲器,并据此原理提出了一个总线终端设计。
二、用鍺集成电路制作徽微秒計算机（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、用鍺集成电路制作徽微秒計算机（论文提纲范文）
（2）MEMS集成室温红外探测器研究（论文提纲范文）
| 摘 要 |
| ABSTRACT(英文摘要) |
| 第一章 引 言 |
| 1.1 MEMS 技术概述 |
| 1.1.1 MEMS的发展历史 |
| 1.1.2 从元件到系统 |
| 1.1.3 微机械加工的基本技术 |
| 1.2 红外探测器及其阵列的概述 |
| 1.2.1 红外探测器的分类与比较 |
| 1.2.2 红外探测器的主要性能指标 |
| 1.2.3 室温红外探测器的研究进展 |
| 1.2.4 室温红外探测器的发展趋势与应用前景 |
| 1.3 本论文的研究目的及意义 |
| 1.3.1 室温红外探测器的热敏感元件的研究 |
| 1.3.2 一种新型的MEMS-IC集成工艺的研究 |
| 1.3.3 两种测辐射热计室温红外探测器的设计和实现 |
| 1.3.4 非晶硅薄膜晶体管室温红外探测的设计和实现 |
| 第二章 室温红外探测器的热敏感元件研究 |
| 2.1 半导体热敏薄膜电阻 |
| 2.1.1 半导体薄膜电阻温度特性 |
| 2.1.2 a-Si薄膜热敏电阻 |
| 2.1.2.1 a-Si薄膜及其制备方法 |
| 2.1.2.2 a-Si电导率的测试方法 |
| 2.1.2.3 a-Si电导率与淀积条件的关系 |
| 2.1.2.4 a-Si含氢量与淀积条件的关系 |
| 2.1.2.5 a-Si薄膜的电阻温度特性 |
| 2.1.3 PolySiGe薄膜热敏电阻 |
| 2.1.3.1 PolySiGe薄膜及其制备方法 |
| 2.1.3.2 PolySiGe薄膜的微结构分析 |
| 2.1.3.3 PolySiGe薄膜的热处理 |
| 2.1.3.4 PolySiGe薄膜的电阻温度特性 |
| 2.2 非晶硅薄膜晶体管 |
| 2.2.1 a-Si TFT的结构 |
| 2.2.2 沟道电流温度特性分析 |
| 2.2.3 a-Si TFT的薄膜体系 |
| 2.2.3.1 a-SiNx绝缘栅介质层 |
| 2.2.3.2 本征a-Si有源层 |
| 2.2.3.3 p+-a-Si电极接触层 |
| 2.2.3.4 SiON钝化层 |
| 2.2.4 a-Si TFT的制作 |
| 2.2.5 a-Si TFT的电学特性 |
| 2.2.6 沟道电流温度特性的测试 |
| 2.3 几种热敏元件的比较 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 基于多孔硅微机械加工技术的MEMS-IC集成工艺研究 |
| 3.1 多孔硅基本理论 |
| 3.2 多孔硅生长特性 |
| 3.2.1 HF浓度的影响 |
| 3.2.2 电流密度的影响 |
| 3.2.3 硅片电阻率的影响 |
| 3.3 中阻硅衬底上选择性制备多孔硅 |
| 3.3.1 重掺杂法 |
| 3.3.2 直接阳极氧化法 |
| 3.4 基于多孔硅牺牲层技术的MEMS-IC集成工艺技术 |
| 3.4.1 集成工艺基本方案 |
| 3.4.2 关键工艺 |
| 3.4.2.1 多孔硅的清洗 |
| 3.4.2.2 多孔硅的封闭保护 |
| 3.4.2.3 MOS关键工艺对封闭多孔硅的影响 |
| 3.4.2.4 多孔硅释放工艺 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 基于热敏电阻的室温红外探测器的研究 |
| 4.1 微机械测辐射热计原理和性能参数 |
| 4.1.1 基本工作原理 |
| 4.1.2 性能参数 |
| 4.2 微机械测辐射热计的设计与分析 |
| 4.2.1 测辐射热计的薄膜结构 |
| 4.2.2 结构参数与灵敏度的解析模型 |
| 4.2.3 有限元分析模型 |
| 4.2.4 结构参数与性能的关系 |
| 4.2.5 优化结构的FEA分析 |
| 4.3 集成式微机械测辐射热计的制作 |
| 4.3.1 工艺设计 |
| 4.3.1.1 a-Si测辐射热计的工艺设计 |
| 4.3.1.2 PolySiGe测辐射热计的工艺设计 |
| 4.3.2 版图设计 |
| 4.3.3 流水结果 |
| 4.4 微机械测辐射热计的性能测试 |
| 4.4.1 测试系统与方法 |
| 4.4.2 单元器件的性能测试 |
| 4.4.2.1 基本性能结果 |
| 4.4.2.2 斩波频率响应 |
| 4.4.2.3 电源电压对性能的影响 |
| 4.4.3 器件热学参数的测试 |
| 4.4.4 阵列均匀性测试 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器的研究 |
| 5.1 微机械TFT红外探测器的原理和性能参数 |
| 5.1.1 基本工作原理 |
| 5.1.2 性能参数 |
| 5.2 TFT室温红外探测器的设计与分析 |
| 5.2.1 结构设计 |
| 5.2.2 有限元分析模型 |
| 5.2.3 结构参数与性能的关系 |
| 5.2.4 优化结构的FEA分析 |
| 5.3 二维阵列电路的设计 |
| 5.3.1 电路工作原理 |
| 5.3.2 信号读出电路 |
| 5.3.3 移位寄存器 |
| 5.4 集成式TFT室温红外探测器的制作 |
| 5.4.1 工艺设计 |
| 5.4.2 版图设计 |
| 5.4.3 流水结果 |
| 5.5 TFT红外探测器的性能测试 |
| 5.5.1 单元器件的性能测试 |
| 5.5.1.1 基本性能结果 |
| 5.5.1.2 斩波频率响应 |
| 5.5.1.3 栅压对性能的影响 |
| 5.5.1.4 电源电压对性能的影响 |
| 5.5.2 阵列均匀性测试 |
| 5.5.3 热成像特性测试 |
| 5.5.3.1 热成像实验基础 |
| 5.5.3.2 热成像实验装置 |
| 5.5.3.3 热成像结果与讨论 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 6.1 论文工作主要成果 |
| 6.2 论文工作的创新点 |
| 6.3 对进一步研究工作的展望 |
| 参考文献 |
| 致谢及声明 |
| 附录 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的学术论文 |
（4）氧化钒薄膜及非致冷红外探测器阵列研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 红外探测器分类和发展简史 |
| 1.3 微测辐射热计红外探测器 |
| 1.4 国内外研究现状与发展预测 |
| 1.5 课题研究目的和意义 |
| 1.6 技术方案与研究内容 |
| 1.7 论文安排 |
| 2 氧化钒热敏薄膜制备与性能研究 |
| 2.1 测辐射热计热敏材料 |
| 2.2 氧化钒热敏薄膜及制备工艺选择 |
| 2.3 离子束溅射制备氧化钒薄膜 |
| 2.4 磁控溅射制备氧化钒薄膜 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 低温相变纳米二氧化钒薄膜研究 |
| 3.1 纳米二氧化钒薄膜制备 |
| 3.2 纳米二氧化钒薄膜测试分析 |
| 3.3 纳晶结构对VO_2薄膜相变特性的影响分析 |
| 3.4 二氧化钒薄膜微型光开关 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 测辐射热计红外探测器器件理论 |
| 4.1 微测辐射热计工作原理 |
| 4.2 微测辐射热计响应分析 |
| 4.3 微测辐射热计噪声分析 |
| 4.4 微测辐射热计信噪比 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 热绝缘微桥结构设计与制作 |
| 5.1 热绝缘微桥结构 |
| 5.2 微桥结构设计 |
| 5.3 微桥结构制作方法及关键工艺研究 |
| 5.4 128 元线阵微桥结构研制 |
| 5.5 32×32 面阵微桥结构研制 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 焦平面读出电路芯片平坦化研究 |
| 6.1 焦平面读出电路设计与制作 |
| 6.2 焦平面读出电路芯片的平坦化 |
| 6.3 互连孔刻蚀与填充 |
| 6.4 本章小结 |
| 7 微测辐射热计阵列与读出电路单片集成 |
| 7.1 微测辐射热计阵列设计 |
| 7.2 微测辐射热计阵列与读出电路单片集成 |
| 7.3 焦平面真空封装 |
| 7.4 焦平面性能测试 |
| 7.5 本章小结 |
| 8 全文总结和课题展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文目录 |
| 附录2 攻读学位期间申请专利目录 |
| 附录3 攻读学位期间获奖目录 |
（5）水射流微细加工技术的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 1 绪论 |
| 1.1 微细加工技术 |
| 1.2 水射流切割技术 |
| 1.3 水射流技术国内外的发展状况 |
| 1.4 课题的提出与主要研究内容 |
| 2 磨料水射流技术的理论研究 |
| 2.1 水射流技术 |
| 2.2 流体的基本性质 |
| 2.3 磨料水射流技术 |
| 2.4 磨料水射流的切割机理 |
| 2.5 影响水射流切割性能的因素 |
| 2.6 本章小结 |
| 3 微细加工技术 |
| 3.1 微细切削加工技术 |
| 3.2 激光加工技术 |
| 3.3 电子束加工技术 |
| 3.4 离子束加工 |
| 3.5 磨料水射流微细加工技术 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 磨料水射流切割半导体材料的研究 |
| 4.1 半导体材料的特性 |
| 4.2 半导体加工工艺流程分析 |
| 4.3 水射流引导激光切割半导体材料研究 |
| 4.4 磨料水射流切割半导体材料的研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 磨料水射流切割半导体材料和封装材料的实验研究 |
| 5.1 实验研究目的 |
| 5.2 实验设备和测试仪器 |
| 5.3 切割砷化镓试验 |
| 5.4 切割金属基合金试验 |
| 5.5 实验结论 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 结论和建议 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 建议 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间参加的科研项目 |
| 攻读硕士期间发表的论文 |
| 致谢 |
（6）CVD金刚石膜辐射探测器的研制与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景与研究内容 |
| 1.1.1 研究背景 |
| 1.1.2 研究目的及研究内容 |
| 1.1.3 研究思路及创新点 |
| 1.2 核辐射探测原理 |
| 1.2.1 核辐射 |
| 1.2.2 带电重粒子与物质相互作用及探测原理 |
| 1.2.3 快电子与物质相互作用及探测原理 |
| 1.2.4 X/γ射线与物质相互作用及探测原理 |
| 1.2.5 中子与物质相互作用及探测原理 |
| 1.3 常用的核辐射探测器 |
| 1.3.1 气体探测器 |
| 1.3.2 闪烁体探测器 |
| 1.3.3 半导体探测器 |
| 1.4 辐射探测器的主要性能指标 |
| 1.5 金刚石辐射探测器的优势 |
| 1.5.1 金刚石辐射探测器的材料优势 |
| 1.5.2 金刚石辐射探测器的性能优势 |
| 1.5.3 金刚石辐射探测器的广泛应用 |
| 第2章 金刚石辐射探测器的研究 |
| 2.1 金刚石辐射探测器的国内外研究现状 |
| 2.1.1 国外研究现状 |
| 2.1.2 国内研究现状 |
| 2.2 金刚石辐射探测器的工作原理 |
| 2.2.1 金刚石带电粒子及电磁辐射探测器的工作原理 |
| 2.2.2 金刚石中子探测器的工作原理 |
| 2.3 金刚石辐射探测器的性能指标 |
| 2.4 金刚石辐射探测器的制作过程 |
| 2.5 金刚石辐射探测器制备的难点及解决方法 |
| 2.5.1 金刚石探测器制备的难点 |
| 2.5.2 解决办法 |
| 第3章 金刚石膜的制备及EACVD装置的优化 |
| 3.1 金刚石的性质及类别 |
| 3.2 金刚石膜的性质及应用 |
| 3.3 CVD金刚石膜的制备方法 |
| 3.3.1 金刚石(膜)的制备方法 |
| 3.3.2 几种常用CVD方法的比较 |
| 3.4 金刚石膜的表征方法 |
| 3.5 金刚石膜的成膜机理及EACVD装置优化 |
| 3.5.1 CVD成膜机理 |
| 3.5.2 EACVD装置优化 |
| 第4章 多晶金刚石膜X射线探测器的研制及其在Z箍缩X射线探测中的性能 |
| 4.1 应用背景介绍 |
| 4.2 多晶金刚石膜X射线探测器的研制 |
| 4.2.1 金刚石膜材料的选择 |
| 4.2.2 金刚石膜的制备 |
| 4.2.3 金刚石膜的表征 |
| 4.2.4 金刚石膜的电极制作 |
| 4.2.5 金刚石膜探测器的封装 |
| 4.2.6 金刚石膜探测器的电学特性测试 |
| 4.3 探测器的标定及Z箍缩实验测量结果 |
| 4.4 小结 |
| 第5章 单晶金刚石膜中子探测器的研制及其在14.1MeV氘氚聚变中子探测中的性能 |
| 5.1 应用背景介绍 |
| 5.2 金刚石中子探测器的研制 |
| 5.3 D-T核聚变反应中子的探测 |
| 5.4 小结 |
| 第6章 CVD多晶金刚石膜脉冲磁场探测器的研制及其探测性能 |
| 6.1 应用背景介绍 |
| 6.2 脉冲磁场差分探测器的研制 |
| 6.3 脉冲磁场差分探测器的测试 |
| 6.4 小结 |
| 第7章 总结和展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者攻读学位期间的科研成果 |
| 致谢 |
（7）Al2O3/AlGaN/GaN MOSHEMT器件制备及特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 宽禁带半导体材料的发展 |
| 1.2 GaN基HEMT器件的研究步伐 |
| 1.3 AlGaN/GaN MOSHEMT研究的意义 |
| 1.4 本文主要结构及工作安排 |
| 第二章 测试方法及模拟工具 |
| 2.1 X射线光电子能谱（XPS） |
| 2.2 透射电子显微镜（TEM） |
| 2.3 原子力显微镜（AFM） |
| 2.4 范德堡霍尔效应测试（Hall） |
| 2.5 电容-电压测试（C-V） |
| 2.6 本文所用的仿真软件介绍 |
| 2.7 本章总结 |
| 第三章 AlGaN/GaN MOSHEMT器件概述 |
| 3.1 AlGaN/GaN异质结的极化理论 |
| 3.2 AlGaN/GaN MOSHEMT中的氧化电荷 |
| 3.3 AlGaN/GaN MOSHEMT的制造工艺 |
| 3.4 本章总结 |
| 第四章 Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSHEMT特性研究 |
| 4.1 实验材料的选取和处理 |
| 4.2 界面固定电荷对器件C-V特性的影响及其密度的计算 |
| 4.3 界面陷阱电荷对器件C-V特性的影响及其密度的计算 |
| 4.4 界面陷阱电荷对器件开关瞬态特性的影响 |
| 4.5 本章总结 |
| 第五章 不同栅氧化层制备工艺的AlGaN/Ga N MOSHEMT特性研究 |
| 5.1 不同栅氧化层制备方法及器件工艺 |
| 5.2 不同栅氧化层处理方法对器件电学特性的影响 |
| 5.3 本章总结 |
| 第六章 总结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
| 1.基本情况 |
| 2.教育背景 |
| 3.攻读硕士学位期间的研究成果 |
（8）光互连基本器件性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 光互连的定义及起源 |
| 1.2 光互连的应用前景及发展趋势 |
| 1.3 片上光互连的研究现状 |
| 1.4 本文的工作内容 |
| 第二章 光互连用硅光子器件的制造工艺及基本原理 |
| 2.1 硅光子器件制造技术 |
| 2.1.1 聚焦离子束铣削 |
| 2.1.2 电子束曝光 |
| 2.1.3 纳米压印技术 |
| 2.1.4 光学曝光 |
| 2.1.5 干法刻蚀 |
| 2.1.6 小结 |
| 2.2 光互连光子器件的基本原理及发展现状 |
| 2.2.1 光源 |
| 2.2.2 调制器 |
| 2.2.3 波导 |
| 2.2.4 光交换 |
| 2.2.5 光探测器 |
| 2.2.6 耦合器 |
| 2.3 小结 |
| 第三章 基本光器件性能分析及仿真EQUATION CHAPTER 3 SECTION 3 |
| 3.1 波导 |
| 3.1.1 条形波导 |
| 3.1.2 弯曲波导（bend waveguide） |
| 3.2 微环谐振器 |
| 3.2.1 微环谐振器的基本原理及主要性能参数 |
| 3.2.2 单环 |
| 3.2.3 多环 |
| 3.2.4 不同交叉波导及交换单元 |
| 3.3 微盘谐振器和回廊耳语模 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 光互连器件表面粗糙效应的统计模型分析EQUATION CHAPTER (NEXT) SECTION 1 |
| 4.1 粗糙表面数学模型 |
| 4.2 随机微分方程及微元法 |
| 4.3 光器件粗糙表面起伏的鞅性及收敛方式 |
| 第五章 基于小波分解的微盘 / 微环表面粗糙效应分析EQUATION CHAPTER (NEXT) SECTION 5 |
| 5.1 背景介绍 |
| 5.2 小波分解 |
| 5.3 小波逼近表面粗糙起伏的合理性证明 |
| 5.4 小波逼近表面粗糙起伏的方法 |
| 5.5 微盘谐振器表面粗糙效应分析 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 本文小结 |
| 参考文献 |
| 附录 缩略词 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 |
四、用鍺集成电路制作徽微秒計算机（论文参考文献）
- [1]超高速数字电路的现状及发展趋势[J]. 本刊编写组. 微电子学, 1972(02)
- [2]MEMS集成室温红外探测器研究[D]. 董良. 清华大学, 2004(03)
- [3]微波半导体器件发展动向的分析[J]. 薛舫时. 半导体技术, 1979(05)
- [4]氧化钒薄膜及非致冷红外探测器阵列研究[D]. 王宏臣. 华中科技大学, 2006(03)
- [5]水射流微细加工技术的研究[D]. 马超. 西华大学, 2007(03)
- [6]CVD金刚石膜辐射探测器的研制与性能研究[D]. 许平. 南华大学, 2020(01)
- [7]Al2O3/AlGaN/GaN MOSHEMT器件制备及特性研究[D]. 杜锴. 西安电子科技大学, 2014(03)
- [8]光互连基本器件性能研究[D]. 眭程乐. 上海交通大学, 2013(04)
- [9]半导体材料研究的进展(一)[J]. 许振嘉. 科学通报, 1976(03)
- [10]甚高速光纤数据总线技术及设计依据[J]. 亨利 F·泰勒,周少辉. 激光通信, 1984(04)