一、测量高阻电路电压的直流电压表（论文文献综述）
吴海松[1]（2019）在《基于LabVIEW的信号发生器自动计量校准系统研究》文中研究指明信号发生器作为最常见一种提供不同波形、频率以及输出电平幅度的仪器,是各种测试和实验过程中不可缺少的工具,其性能指标在其所使用的工程应用中对试验结果会造成直接的影响。如何判断其性能指标的好坏是摆在工程师面前的问题,计量这一作为保障国家计量单位制的统一和量值的准确可靠的重要手段,也便成为了验证信号发生器性能指标是否良好的重要手段。传统的信号发生器计量校准方法一般都是使用人工手动操作的方式,这一方式费时费力。本论文以信号发生器的自动计量校准为研究对象,通过计算机利用GPIB、USB等总线实现对信号发生器及标准设备的自动控制,利用LabVIEW进行软件编程实现对信号发生器进行自动计量校准、数据处理和证书的生成,完成一套针对信号发生器的自动计量校准系统。本论文主要研究以下内容:信号发生器计量校准现状调查分析、信号发生器参数计量理论与方法研究、相关计量检定规程实施方法分析与研究、整体方案设计、硬件设计与系统搭建、软件设计与实现、软硬件系统联合调试、系统功能指标测试验证、系统实施结果分析、系统误差分析以及不确定评定。本论文首先根据信号发生器计量检定所依据的检定规程以及我单位实际使用情况,确定了本计量校准系统需要完成的计量校准参数以及所要达到性能的指标,根据系统需求分析完成了硬件设计,其次根据系统运行过程的需要设计并制作了具有程控功能的信号调理盒,避免了人工手动更换连接线,保证了信号的稳定性以及自动校准的自动化程度。根据相关原理和计量校准流程的分析,组建了信号发生器自动计量校准硬件平台。然后开展软件需求分析,以LabVIEW这一图形化开发环境作为软件平台,研究并设计了信号发生器计量校准流程,进行了所需模块的设计、界面设计,经多次迭代优化实现了软件功能。最后通过自动测试数据与手动测试数据的对比以及不确定度评定,对系统进行了整体测试与验证,最终的结果表明本文设计的系统实现了最初的设计目标。目前该系统已成功的在本单位信号发生器计量校准工作中投入使用。
张雯[2]（2009）在《酸度计检定仪的研制》文中指出计量是起源于贸易,成长在大工业生产中,现阶段国家对计量的要求,正向着科研和军工方向转变,国际上也是如此,目前国际上科技发展速度非常之快。随着电子技术、计算机及其软件技术的飞速发展,仪器仪表及其测试技术跟着发生根本变化,传统的测量理论、测量技术和方法已不能适应发展的需要,新的测试系统正沿着计算机化、标准化和网络化方向发展。加之我国的检定校准检测事业在近几年的发展蓬勃向上,如何提高我们的检定校准业务水平、保证量值传递的准确性,更好地为企业、为社会服务成了最重要的问题。在我国科学技术高速发展的今天,计量已成为关系到整个质量体系的一个重要环节。国家非常重视,采取了多项举措强化各类计量监管。我国的计量事业正从从前的可有可无上升到了关系企业产品质量和关系企业生存的命脉地位。酸度计是化学实验设备中最常见的一种,与我们的生活息息相关;广泛应用科研、环保、食品、化工、医药、农业、水产养殖等几乎所有的领域,为了保证酸度计的量值准确一致,满足各行各业的需要,必须研制出准确度高、操作简单、携带方便的计量标准器对酸度计进行量值溯源、计量检定或校准。但我国目前生产的酸度计检定仪,还存在一些问题。根据JJG 119-2005实验室pH（酸度）计检定规程,JJG 919-2008酸度计检定仪检定规程的要求,现有的酸度计检定仪已经不能完全满足检定酸度计的要求,为了满足酸度计检定仪新规程的要求。我们需要要研制出一个先进的,高准确度的、自动化的、符合酸度计检定仪检定规程的所有项目要求的酸度计检定仪。
郭俊福[3]（2008）在《宽禁带半导体器件的研制及其测量技术》文中研究表明本学位论文围绕由宽禁带半导体材料SiC和ZnO构成的紫外光电探测器的研制以及宽禁带半导体材料电阻率测量仪器的研制这两方面展开,详细介绍了宽禁带半导体材料ZnO和SiC的性质、材料制备及器件方面的研究,介绍了两者在紫外光电探测器件方面的应用,并重点介绍了四种不同结构的紫外探测器工艺流程、I-V特性、光谱响应特性以及光谱响应随温度、电压的变化,最后还介绍了一台我们研制的基于高精度恒流源的高阻抗四探针测试仪,给出了该四探针测试仪的硬件电路、软件流程等。宽带隙（WBG）半导体材料ZnO具有禁带宽、激子能量大、高化学稳定性和热稳定性等特点,使得目前高质量ZnO材料和器件的制备成为国际上的研究热点之一。目前ZnO薄膜已经广泛应用于气体传感器、太阳能电池、紫外光电探测及激光器等众多领域。同为宽带隙半导体材料的SiC具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优点,特别适合制作光电子、抗辐射、高频、大功率、高温、高压等方面的半导体器件。在一些要求较高的器件方面,SiC已经取代传统的Si成为国际上新的研究热点之一。本论文的研究工作和研究成果主要有:1)Au/n-ZnO/Au MSM结构的紫外增强光电探测的研制通过对该器件工艺的介绍,重点分析了该器件的I-V特性和光电流特性,实验结果表明该器件的光谱响应范围从200nm的紫外光波段到可见光波段,具备制成紫外探测器的条件。当工作在4V以上偏置电压时,电容小于3pF,可望用于较高频的环境。2)Au/n-4H-SiC肖特基紫外光电探测器的研制介绍了该肖特基器件的工艺流程,重点分析了该器件的光谱响应随偏置电压和环境温度的变化,实验结果表明该器件在高温、高压的极限条件下仍然保持着良好的I-V特性及光谱响应特性。该器件光谱响应范围200～400nm,反偏压下光谱响应灵敏度提高,当工作温度高于260℃时,该器件仍然保持良好的紫外响应特性。3)Au/n-ZnO/p-Si结构的紫外增强光电三极管的研制提出了一种以肖特基结作发射极、异质结作集电极的双极型紫外增强型光电三极管（SHBT）,测量了该三极管的I-V特性和光谱响应特性。实验结果表明该器件增强了对200nm到400nm之间的紫外波段光谱响应的灵敏度,同时保留了普通硅基光电三极管的可见光特性,其在370nm处紫外光响应灵敏度相比ZnO/Si异质结紫外光电探测器有着5～10倍的提高。4)Au/n-ZnO/p-SiC结构的紫外光电探测器的研制对该结构的器件I-V特性和光谱响应特性进行了测量并做了理论上的分析。实验结果表明此结构紫外光电探测器具有良好的紫外响应特性和较低的反向漏电流以及很低的结电容。器件光谱响应范围200～400nm,响应峰值在313nm,响应半宽65nm。室温下,反向工作电压大于5V,反向击穿电压达到70V。5)高阻抗四探针测试仪的研制针对目前对宽禁带半导体材料电阻率测量的需求,研制了一台基于精密恒流源电路的高阻抗四探针测试仪,给出了该四探针测试仪的硬件电路和软件流程。其电流源模块量程为lnA-100mA,最小电流分辨率0.5pA,输出电压最高达200V;电压测量模块量程为20mV-2V,输入阻抗高达1013Ω。
孙俊峰[4]（2019）在《RF MEMS器件及其集成技术研究》文中指出射频微机电系统（RF MEMS）是MEMS技术的一个重要分支,也是一项可以对未来射频系统产生重大影响的技术。经过多年的发展,RF MEMS技术取得长足进步,然而其产业化并非一帆风顺,相比集成电路等技术发展还有一定差距,这主要受MEMS器件可靠性低、工艺独特而通用性差、不易与其他系统集成等因素影响,所以研究高可靠性RF MEMS器件以及集成技术具有重要的理论意义和工程应用价值。本文基于国内现有的工艺能力,以RF MEMS开关为切入点,开展高温度稳定性RF MEMS开关、多开关集成的MEMS数控衰减器、RF MEMS开关驱动电路、IC-MEMS单片集成等方面技术研究,取得了多项研究成果。基于表面牺牲层工艺设计制作出一种具有高温度稳定性的直接接触式RF MEMS开关。该开关采用热弯曲固支梁结构,减小温度和应力对开关下拉电压的影响;采用高阻驱动线,实现微波信号与控制信号的隔离;利用辅助图形减小电镀图形失真,解决高深宽比梁的制作难题。测试结果显示,室温下开关在DC20GHz频段内隔离度>25dB、插损<0.45dB,同时开关下拉电压随温度变化率约为-160mV/℃。采用表面牺牲层工艺设计制作出基于RF MEMS开关的DC20GHz三位数控衰减器,衰减范围035dB,步进5dB;该衰减器的信号传输采用共面波导结构,电阻衰减网络采用T型薄膜电阻结构,RF MEMS开关采用带有三个触点的DC接触式悬臂梁结构,并对称放置在电阻衰减网络上下两侧,使得衰减器开关数量最少、结构紧凑。测试结果显示,衰减器在DC20GHz范围内80V开关驱动电压下可实现八个不同衰减态,不同衰减量下带内平坦度<±5%,衰减器插损<1.7dB,各衰减态下端口驻波比<1.65。由于采用RF MEMS开关和薄膜电阻衰减网络,衰减器具有更小尺寸、更高线性度、更低插入损耗和功耗。基于200V SOI BCD工艺设计并实现了RF MEMS开关驱动电路芯片,电路通过采用Cockcroft-Walton电荷泵结构和沟槽（Trench）工艺,优化版图布局布线,选择高阻硅载片等一系列措施,解决了电荷泵电路中晶体管衬底偏置和电容电压过高导致击穿的问题,同时减小了衬底寄生效应,大大提高了电路性能。测试结果显示,芯片在57V电源电压下可分别获得6281V电压输出。通过与RF MEMS开关联合测试,成功实现了6V电压驱动70V下拉电压的RF MEMS开关,芯片功耗为1.78mW。采用类似Post-CMOS集成方法实现RF MEMS开关与IC高压驱动芯片的单片集成,面积约为3.2mm2。研究了RF MEMS开关和IC高压驱动芯片单片集成技术,包括RF MEMS开关与驱动电路一体化设计技术,以及IC-MEMS工艺兼容技术。通过优化高压驱动芯片的布局布线,提高芯片表面平整度,满足MEMS工艺要求;通过选择高阻硅载片,不仅改善驱动电路性能,也提高了RF MEMS开关的射频性能;通过选择合理MEMS工艺减小对IC芯片影响,提高工艺兼容性。测试结果显示,驱动电路在7V电源电压下向RF MEMS开关提供了81V驱动电压,集成实现的RF MEMS开关在DC20GHz范围内插损<1.4dB,端口回波损耗<-19dB,隔离度>18dB。
王慧[5]（2020）在《无刷直流电机定子绕组不平衡故障诊断与评估研究》文中研究表明电机定子绕组的平衡状态将直接影响电机控制系统是否能够正常、稳定、高效的运行,开展电机运行状态下在线监测其定子绕组平衡状态的研究具有重要意义。造成电机定子绕组不平衡的故障种类有很多,其中高电阻连接（HRC）和匝间短路是电机常见的定子故障。无刷直流电动机（BLDCMs）的定子绕组不平衡故障检测方法鲜有报道,因此本文提出了针对无刷直流电机高电阻连接和匝间短路故障检测的研究方法。本文针对型号为57BLF的无刷直流电机在不同相位人工连接了不同大小的电阻,来模拟高电阻连接故障,并介绍了仿真实验、实物实验装置,仿真信号、匀速实验信号、变速实验信号的采集与分析。同理也针对型号为6710的外转子无刷直流电机在不同相位人为短接不同比例的定子绕组匝数,来模拟匝间短路故障,并进行了仿真实验、实物实验分析。根据无刷直流电机的工作原理,研究了无刷直流电机控制系统中电流电压的变化规律,引入了平衡电阻网络来获取控制系统中电机部分的零序电压分量,结合系统回路所对应的理论公式推导,根据故障相位不同零序电压分量与电流呈规律性变化,提出了一个无刷直流电动机高电阻连接和匝间短路故障检测、定位和评估的两步策略。具体实现步骤:第一步,先对电机的零序电压分量（ZSVC）进行采集和分析,根据ZSVC频谱基频分量的幅值来检测HRC和匝间短路故障。第二步,一旦检测到发生不平衡故障,根据ZSVC和三相电流之间的关系推导出三个指示器,来定位故障相位,再根据理论公式估算故障严重程度。通过理论分析、仿真分析和实验分析,三者结果一致,验证了所提策略的有效性。本文所提方法适用于梯形波反电动势的无刷直流电机,具有计算量小、低成本等优点。并在一个微控制器单元上实时实现了HRC故障、匝间短路故障检测算法和电机控制算法,使得所提出的策略在工业应用中具有高效性和灵活性。
高川峻[6]（2020）在《居民区低压直流配电关键技术研究》文中研究表明全球变暖与能源枯竭使得分布式电源和新能源产品得到了大力的推广和发展,电力电子技术的发展使得电力系统用户侧的直流负荷数量上升,这些变化让人们重新关注起直流配电系统,本文的主要研究对象是居民区低压直流配电系统,利用PSCAD软件针对居民区的特点主要分三个部分进行了研究:（1）首先根据居民区的整体情况研究了居民区直流配电系统的整体结构:电压等级、接线方式、组成单元、关键设备器件等,最终确定了10kV、750V和400V的电压等级和对称单极性分层式的母线结构,并采用了光伏电池、蓄电池、电动汽车充电桩和交直流负荷作为主要负荷;（2）然后利用仿真研究居民区直流配电系统各部分的控制方案:各主要单元的控制方案设计、整体模型搭建、进行了在正常运行、光伏发电条件改变和负荷波动这三种不同工况下的仿真,证明了该系统具有一定的可行性;（3）最后对居民区直流配电系统的保护方案进行了探索:各故障类型的分析与建模计算、电容中点接地方式研究与仿真、继电保护方案设计与仿真、用户侧接地保护分析,可知在以上保护方案下,系统具备一定的可靠性,随着直流断路器和故障限流器等保护装置的成熟,其故障保护将会得到更多发展以适应居民区的配电要求。
张江涛[7]（2014）在《宽频带交流电流精密测量关键技术研究》文中研究说明随着电子技术的飞速发展，对高频电流的计量校准需求日益增加。航空航天电子设备、军工产品中的运载工具、移动军事装备、航海装置等的电源系统均对重量和体积有着严格的要求。由于高频电流设备，尤其是大电流设备的体积小、重量轻、性能稳定可靠，新一代航空航天及军工产品的研制都倾向于使用高频电流系统提供电力。在高频冶炼、电力电子以及医学诊疗设备等方面，高频电流的使用也相当广泛。因此，建立宽频带的交流电流国家基准成为目前国际上研究的一个热点问题。各个国家的交流电流国家基准普遍是以交直流转换器为基础，然后采用爬台阶（Step-up）的方法实现各个量程交流电流的量值传递。交流电流溯源通常是以热电变换器10mA的有效值为起始点，然而大量的校准需求则是来自于1A以上乃至100A的高频电流信号，以爬台阶方法将10mA传递到1A需要经过多个步骤。国际上大部分国家建立的交流电流基准在高频100kHz时的电流上限只是10A或20A，传递所积累的不确定度会随着电流的增加而越来越大。另外，高频下交直流差的电流系数是长期以来制约基准技术指标提高的重要因素，国际上目前也没有有效的测量和评定方法。本文提出并实现了一种与国际上完全不同的利用高频电流互感器建立宽频带交流电流国家基准的新方法；研制出新型宽频带交直流差可计算的同轴分流器，将交流电流的溯源起点由10mA提高到了1A；利用二进制电抗分流器和对高频电流互感器比例误差线性的评定，在国际上首次实现了分流器交直流差电流系数的绝对测量；采取电抗分流器进行交流电流的传递，避免了传递过程中由于分流器低端电位不一致造成的不确定性；通过电流系数的评定，结合电流互感器初次级间隔离的优势，改进了10mA到100A交流电流的传递方法，将传递步骤由国际上普遍采用的12步减少到4步，使得新建的高频大电流国家基准的技术指标大幅度提高。本文首先论述了国内外为使用交直流转换法建立交流电流国家基准方面的研究状况，分析和总结了方法中存在的问题，接下来研究了交直流差可计算同轴结构分流器和二进制电抗分流器的设计技术，建立了以1A电流为溯源起点的技术基础，然后研究了高频大电流互感器的同轴结构设计方法以及新的电流传递方法，随后研究了三种绝对测量分流器交直流差电流系数的方法，解决了国际上量程扩展中最大的不确定度分量的评定问题，最后对交流电流基准的测量能力进行了不确定度分析，通过旁证实验对测量方法进行了验证，保证了交流电流国家基准校准能力的可靠和等效。
张维鑫[8]（2020）在《基于并行电法的复电阻率非线性反演研究》文中指出复电阻率法（CR）,又称为频谱激电法（SIP）,是以各类岩、矿石与围岩的频率域激发极化特性差异为物性基础的一种地球物理勘探方法。多参数是复电阻率反演的主要特征,开展复电阻率多参数的非线性反演研究具有一定意义。本文从有限元法数值模拟理论及系统控制理论出发,采用有限元数值模拟方法、人工神经网络非线性反演算法、电路仿真模拟等方法手段,进行了基于并行电法的复电阻率2.5维正演、复电阻率多参数反演以及激励电流源信号分析的研究。复电阻率2.5维正演研究工作以并行电法观测系统作为测量模式基础,以直流电阻率方法作为理论计算基础,在忽略电磁耦合条件下,引入Cole-Cole模型,形成一种基于并行电法的复电阻率正演模拟计算体系。同时在正演计算过程中,引入伪δ源,使源点处奇异特征降低,提升了ILU-BICGSTAB迭代计算的精度。源点附近电位值与解析解电位值的相对误差,降至0.15%以下,离开源点后节点电位相对误差在0.08%以下甚至更小。正演计算流程上,充分吸收并行电法观测模式,引入近似边界条件和并行计算框架,使正演计算的效率得到了进一步提升。电路仿真模拟实验研究发现,单频正弦型信号,仅获得激励单一频率响应,测量精度较高但测量效率低,所花时间成本高;矩形脉冲方波型激励信号,观测稳定场抗干扰能力较强,适合直流电法勘探,同时可以获得靠近主频的谐频响应,较单频信号测量效率有一定提升;M序列伪随机激励信号,第一主瓣频率丰富,相关谱法计算辨识精度高,抗随机干扰能力强,是复电阻率法勘探的较为理想的激励电流源信号。针对复电阻率多参数非线性反演问题,构建了基于量子粒子群算法（QPSO）与BP神经网络相结合的反演算法,反演计算过程中避免了求解各参数偏导矩阵的困难,算法输出即反演结果,逻辑结构简洁明了。反演结果表明,QPSO-BP算法反演对异常边界刻画较为清晰,对各参数数值较为贴近。通过建立煤层底板典型极化异常体地电模型,研究了不同构造形态以及不同导水时刻的视复电阻率幅值、相位和极化率的正演响应特征。发现煤层底板极化异常体的空间范围变化,会引起观测区域内视复电阻率幅值、相位以及极化率的相应变化。针对底板极化异常体反演问题,结合待反演异常体空间结构特征,合理设置训练与测试样本,反演结果表明,QPSO-BP反演算法对有着相似特征的正演观测数据具有良好的联想能力,反演边界刻画较为明显,富水极化异常区反演结果较为吻合。对于较为复杂的底板隐伏断层和底板非常规形态导水通道有着较好的反演效果。
延啸远[9]（2020）在《基于氧化锌、黑磷及其它二维材料薄膜的阻变存储器件的研究》文中研究说明随着5G通信技术的快速发展和信息全球化的步伐加快,信息传输的速度大大提高,同时伴随而来的是移动数据的爆炸式增长。但是,信息化的快速发展也给其他领域带来了挑战。比如存储器领域,技术的发展意味着对存储器的性能:读写速度、存储容量都提出了更高的要求。与此同时,传统半导体存储器却逐步逼近其物理极限,小型化的发展难以为继。所以,存储器技术的革新发展已经成为迫切的热点问题。但是,就传统半导体的阻变存储器而言,虽然已经有了很多对于其工作机理的研究,却仍然缺乏对器件工作过程中的演变和器件失效原因的分析。因此本文主要选择了传统半导体材料氧化锌,制备Ag/ZnO/Pt三明治型阻变存储器,并且系统研究了三种不同结构设计的阻变存储器,讨论了制备参数对器件的影响,并进一步对器件结构进行了优化和改进。同时,通过详细的性能测试和I-V特性分析,我们在Ag/ZnO/Pt器件中观察到了两种异常的电阻状态现象,即“过渡阻态”和“阻态衰减”现象。我们提出了一种新的中间阻态（MRS）的假设,成功解释了氧化锌阻变存储器中异常现象的来源,揭示了氧化锌阻变器件耐久性较差的原因。之后,结合了第一性原理模拟计算的结果,设计了新型器件结构,引入氧化铪HfO2层到氧化锌ZnO阻变存储器中,大幅度提高了器件的开关比与耐久性,进一步验证了“中间阻态”理论。最后,我们在二维材料阻变存储器的方向也做了有益的探索并取得了一些进展,成功制备了基于二维材料的阻变存储器。其中,用被氧化铪HfO2钝化的高结晶质量的黑磷单晶薄片,制备得到了器件性能良好的黑磷阻变存储器,具有超过100个直流（DC）循环周期的耐久性,102的开/关比。同时,根据对比实验的结果,探究了主导黑磷阻变现象的物理机理及氧化铪层在其中的作用。此外,成功制备的FePS3、GeSe2阻变存储器也表现出非常明显的阻变特性。这些二维材料阻变存储器的研究进展,将会有力推动二维材料在阻变存储器领域的发展。综上所述,我们详细的探究了氧化锌阻变存储器中主导机理的演变,提出并验证了“中间组态”理论假设,并基于此设计了新型氧化铪/氧化锌双层阻变器件,极大的提高了器件性能。同时还将阻变存储器的研究经验与二维材料相结合,制备出性能良好的单晶黑磷阻变存储器。这些成果将有利于推动无论是传统半导体阻变存储器,还是新型二维材料阻变存储器的研究进展。
黄旭[10]（2018）在《半导体结构中侧向光伏效应与电阻开关效应研究》文中研究表明侧向光伏效应和电阻开关效应是纳米半导体材料中非常有应用前景的两种效应。侧向光伏效应能够精密地测量微小位移,所以应用于高能物理实验、生物医学应用、工程控制领域。电阻开关效应具有高速度、高密度、低功耗等优点,被认为是下一代的非易失性存储器。本文利用磁控溅射制备了Ni/n-Si、Ni/p-Si、Ag/ZnO/Pt/n-Si、Ag/TaOx/Pt等多种结构,通过AFM、XPS、半导体综合测试仪等研究了样品的形貌、晶体结构、能带结构、光电特性、阻变效应等。并在此基础上研究了表面态、肖特基势垒对侧向光伏效应的影响,以及超低功耗的电阻开关效应。本论文的工作内容有:（1）在p型Si的表面观测到了由于表面态所导致的明显的侧向光伏效应,其表面侧向光伏的灵敏度比传统的基于PN结或肖特基势垒的高了一到两个数量级,这揭示了一种新的侧向光伏效应的产生机制。我们用XPS来研究了样品的能带结构,从而揭示了p-Si表面的侧向光伏效应与表面态导致的表面能带弯曲有关。最后我们用Ni纳米薄膜改变了p-Si的表面态,从而验证了我们的猜想。（2）在p-Si基金属-氧化物-半导体结构中发现增强的侧向光伏效应。我们发现在Ni/SiO2/p-Si结构中的侧向光伏效应比Ni/SiO2/n-Si结构中的效应增加了4倍多。接着我们通过研究纵向的I-V曲线,以及灵敏度与Ni厚度的关系,发现这两种结构中载流子迁移的方向由费米面决定。最后基于连续性方程和扩散方程,我们发现Ni/SiO2/p-Si结构中的增强原因是单位时间（sec）单位面积（cm2）内通过结的光照区域的电子空穴对的数量,而这与接触势垒的高度有关。（3）在Ag/ZnO/Pt/Si结构上观察到无Forming过程的单极型阻变效应,其高阻态值的数量级在103?,低阻态的数量级在10?,操作电压在3 V左右。接着研究了限制电流、ZnO厚度、氧分压浓度等条件对Ag/ZnO/Pt/Si结构中单极型阻变效应的影响。接着我们在Ag/TaOx/Pt结构中发现了超低操作电压的双极型电阻开关效应。而且Ag/TaOx/Pt结构中的双极型电阻开关效应和阈值效应可以在限制电流的控制下相互转变。通过研究了晶粒尺寸与操作电压的关系,以及渝渗模型模拟了不同孔隙率情况下导电细丝的生长过程弄清其物理机制。这一工作对超低功耗存储器以及弄清阻变效应的内在机制都有比较重要的意义。
二、测量高阻电路电压的直流电压表（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、测量高阻电路电压的直流电压表（论文提纲范文）
（1）基于LabVIEW的信号发生器自动计量校准系统研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及项目来源 |
| 1.2 文献综述与国内外研究现状 |
| 1.2.1 文献综述 |
| 1.2.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本单位信号发生器计量校准现状 |
| 1.4 目标及主要研究内容 |
| 1.4.1 信号发生器自动计量校准的实现 |
| 1.4.2 误差的降低以及消除 |
| 1.4.3 证书生成以及数据处理 |
| 1.4.4 系统测试结果验证 |
| 1.5 本论文的结构安排 |
| 1.6 本章小结 |
| 第二章 系统总体设计 |
| 2.1 自动测试系统 |
| 2.1.1 自动测试系统的定义 |
| 2.1.2 自动测试系统的分类 |
| 2.1.3 自动测试系统的架构 |
| 2.2 信号发生器自动计量校准测试系统总体设计 |
| 2.2.1 信号发生器自动计量校准系统需求分析 |
| 2.2.2 信号发生器自动计量校准系统具备的条件 |
| 2.2.3 信号发生器自动计量校准系统设计总体思路 |
| 2.2.4 信号发生器自动计量校准系统总体架构 |
| 2.2.4.1 自动计量校准系统的定义 |
| 2.2.4.2 信号发生器自动计量校准系统的组成 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 系统硬件设计和实现 |
| 3.1 计算机 |
| 3.2 测量仪器 |
| 3.2.1 信号发生器的计量特性 |
| 3.2.1.1 信号发生器原理和分类 |
| 3.2.1.2 信号发生器需计量项目及参数 |
| 3.2.2 信号发生器参数测量方法 |
| 3.2.2.1 测量方法分类 |
| 3.2.2.2 频率 |
| 3.2.2.3 幅度 |
| 3.2.2.4 直流电压 |
| 3.2.2.5 正弦波幅度平坦度 |
| 3.2.2.6 总谐波失真 |
| 3.2.2.7 谐波失真 |
| 3.2.2.8 方波/脉冲相关特性 |
| 3.2.3 信号发生器参数测量选用的测量仪器 |
| 3.2.3.1 系统性能指标 |
| 3.2.3.2 系统选用的测量仪器 |
| 3.3 通信设备 |
| 3.4 辅助设备 |
| 3.4.1 连接线缆 |
| 3.4.2 匹配电阻 |
| 3.4.3 信号调理盒 |
| 3.4.3.1 需求分析 |
| 3.4.3.2 总体设计 |
| 3.4.3.3 电路原理及功能实现 |
| 3.4.3.4 功能验证及性能测试 |
| 3.5 系统硬件集成 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 系统软件设计和实现 |
| 4.1 需求分析 |
| 4.2 软件设计 |
| 4.2.1 软件平台选择 |
| 4.2.1.1 操作系统 |
| 4.2.1.2 软件开发平台 |
| 4.2.1.3 数据库系统 |
| 4.2.1.4 仪器驱动 |
| 4.2.1.5 软件平台其他要求 |
| 4.2.2 软件构架 |
| 4.2.3 软件功能模块设计 |
| 4.2.4 软件流程设计 |
| 4.2.5 软件界面设计 |
| 4.3 软件编程 |
| 4.3.1 软件界面实现 |
| 4.3.2 软件功能模块的实现 |
| 4.3.2.1 用户管理功能模块实现 |
| 4.3.2.2 仪器控制功能模块实现 |
| 4.3.2.3 自动校准功能模块实现 |
| 4.3.2.4 数据处理功能模块实现 |
| 4.3.2.5 证书生成功能模块实现 |
| 4.4 软件调试与测试 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 系统验证与测量不确定度评定 |
| 5.1 系统验证 |
| 5.1.1 系统验证过程 |
| 5.1.2 系统验证结果分析 |
| 5.2 测量不确定度的评定 |
| 5.2.1 测量不确定度评定的流程 |
| 5.2.2 频率测量不确定度评定 |
| 5.2.2.1 不确定度的来源 |
| 5.2.2.2 不确定度的评定 |
| 5.2.3 幅度测量不确定度评定 |
| 5.2.3.1 不确定度的来源 |
| 5.2.3.2 不确定度的评定 |
| 5.2.4 直流电压测量不确定度评定 |
| 5.2.4.1 不确定度的来源 |
| 5.2.4.2 不确定度的评定 |
| 5.2.5 总谐波失真测量不确定度评定 |
| 5.2.5.1 不确定度的来源 |
| 5.2.5.2 不确定度的评定 |
| 5.2.6 谐波失真测量不确定度评定 |
| 5.2.6.1 不确定度的来源 |
| 5.2.6.2 不确定度的评定 |
| 5.2.7 方波/脉冲特性测量不确定度评定 |
| 5.2.7.1 不确定度的来源 |
| 5.2.7.2 不确定度的评定 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 研究总结 |
| 6.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录A 信号发生器检定证书(自动检定生成) |
| 附录B 信号发生器检定证书(手动检定不含封面部分) |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（2）酸度计检定仪的研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景 |
| 1.2 酸度(pH)计检定仪的现状 |
| 1.3 研制酸度(pH)计检定仪的意义、内容和发展前景 |
| 1.3.1 研制新型酸度(pH)计检定仪的意义 |
| 1.3.2 研制新型酸度(pH)计检定仪的内容 |
| 1.3.3 研制新型酸度(pH)计检定仪的目标 |
| 1.4 酸度(pH)计检定仪的工作原理 |
| 第二章 酸度(pH)计检定仪的硬件系统的研制 |
| 2.1 系统的框图 |
| 2.2 酸度(pH)计检定仪的硬件研制 |
| 2.2.1 稳压电源 |
| 2.2.2 基准电压源 |
| 2.2.3 蓄电池电源 |
| 2.2.4 蓄电池的电化学反应机理 |
| 2.2.5 比较选择 |
| 2.2.6 电源电路小结 |
| 2.2.7 基准电压转换 |
| 2.2.8 频率基准 |
| 2.3 显示部分 |
| 2.4 电路结构 |
| 2.4.1 电源脉冲、纹波干扰 |
| 2.4.2 输入端的处理 |
| 2.4.3 布线和焊接 |
| 2.4.4 电平转接问题 |
| 2.4.5 输出电势零点 |
| 2.4.6 高值标准电阻连接 |
| 2.5 面板 |
| 2.6 误差分析 |
| 2.6.1 检定仪基准电压稳定性、环境温度、电源电压引起的误差 |
| 2.6.2 A/D、D/A 转换的误差 |
| 2.7 误差的验证 |
| 第三章 酸度(pH)计检定仪软件系统的研制 |
| 3.1 流程图 |
| 3.2 软件设计 |
| 第四章 实验数据 |
| 4.1 零点偏移 |
| 4.2 电位示值误差 |
| 4.3 pH 示值误差 |
| 4.4 温度补偿器误差 |
| 4.5 高阻器 |
| 4.6 pH 检定仪稳定性 |
| 4.7 实验结论 |
| 第五章 结论与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（3）宽禁带半导体器件的研制及其测量技术（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 宽禁带半导体 |
| 1.2 本论文的主要工作 |
| 参考文献 |
| 第二章 ZnO的性质、材料制备和研究现状 |
| 2.1 ZnO的性质 |
| 2.1.1 ZnO的品格结构 |
| 2.1.2 ZnO薄膜紫外受激发射 |
| 2.1.3 ZnO的透明导电特性 |
| 2.1.4 ZnO的气敏特性 |
| 2.1.5 ZnO的压敏特性 |
| 2.1.6 ZnO的p-n结特性 |
| 2.2 ZnO材料的制备 |
| 2.2.1 溅射法(sputtering) |
| 2.2.2 脉冲激光淀积(PLD)法 |
| 2.2.3 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy) |
| 2.2.4 化学气相沉积法(CVD) |
| 2.2.5 喷雾热解法(Spray Pyrolysis) |
| 2.2.6 溶胶凝胶法(Sol-Gel) |
| 2.2.7 原子层外延生长法(ALE) |
| 2.2.8 蒸发法 |
| 2.2.9 其它技术 |
| 2.3 ZnO掺杂技术简介 |
| 2.4 ZnO器件研究现状 |
| 2.4.1 压电器件 |
| 2.4.2 太阳能电池 |
| 2.4.3 气敏元件 |
| 2.4.4 压敏元件 |
| 2.4.5 紫外探测器 |
| 2.4.6 发光器件 |
| 参考文献 |
| 第三章 SiC的性质、材料制备和研究现状 |
| 3.1 SiC的基本性质 |
| 3.1.1 SiC的多型结构 |
| 3.1.2 SiC的光学性质 |
| 3.1.3 SiC的电学性质 |
| 3.1.4 SiC的热稳定性 |
| 3.1.5 SiC的化学性质 |
| 3.1.6 SiC的掺杂 |
| 3.2 SiC材料的制备 |
| 3.2.1 SiC单晶生长 |
| 3.2.2 SiC单晶缺陷 |
| 3.2.3 SiC薄膜生长 |
| 3.2.4 SiC薄膜缺陷 |
| 3.3 SiC器件研究现状 |
| 3.3.1 肖特基势垒二极管(SBD) |
| 3.3.2 紫外光电器件 |
| 3.3.3 功率MOSFET |
| 3.3.4 异质结器件 |
| 3.3.5 开关器件 |
| 3.3.6 在微电子机械系统(MEMS)的应用 |
| 参考文献 |
| 第四章 Au/n-ZnO/Au MSM结构紫外增强光电探测器 |
| 4.1 光电探测器理论 |
| 4.1.1 光电导探测器 |
| 4.1.2 光伏型探测器 |
| 4.1.3 光电探测器的参数 |
| 4.2 原型器件的制备 |
| 4.3 样品测试与分析 |
| 4.3.1 I-V特性 |
| 4.3.2 C-V特性 |
| 4.3.3 光电流特性 |
| 4.3.4 光电导特性 |
| 4.3.5 光生伏特效应 |
| 4.3.6 器件照片 |
| 4.4 结论和工作展望 |
| 参考文献 |
| 第五章 Au/n-4H-SiC肖特基紫外光电探测器 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 原型器件的制备 |
| 5.3 SiC肖特基紫外探测器基本原理 |
| 5.4 样品测试与分析 |
| 5.4.1 I-V特性 |
| 5.4.2 C-V特性 |
| 5.4.3 光谱响应特性 |
| 5.4.4 光谱响应特性随偏压的变化 |
| 5.4.5 光谱响应特性随温度的变化 |
| 5.4.6 量子效率 |
| 5.4.7 共阴双肖特基SiC紫外探测器 |
| 5.4.8 器件照片 |
| 5.5 结论和工作展望 |
| 参考文献 |
| 第六章 Au/n-ZnO/p-Si结构紫外增强光电三极管 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 原型器件的制备 |
| 6.3 样品测试与分析 |
| 6.3.1 I-V特性 |
| 6.3.2 光电流特性 |
| 6.3.3 器件照片 |
| 6.4 结论和工作展望 |
| 参考文献 |
| 第七章 Au/n-ZnO/p-SiC结构的紫外光电探测器 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 原型器件的制备 |
| 7.3 样品测试与分析 |
| 7.3.1 I-V特性 |
| 7.3.2 光电流特性 |
| 7.3.3 光生功率及效率 |
| 7.3.4 结电容特性 |
| 7.3.5 器件照片 |
| 7.4 结论和工作展望 |
| 参考文献 |
| 第八章 宽禁带半导体材料电阻率的测量:四探针测试仪 |
| 8.1 引言 |
| 8.2 四探针测量电阻率的基本原理 |
| 8.2.1 四探针测量电阻率的基本方法 |
| 8.2.2 常规四探针电阻率测量的基本原理 |
| 8.2.3 四探针电阻率的准测条件分析 |
| 8.2.4 测量电流对测量结果的影响和求最佳电流 |
| 8.3 高阻抗四探针测试仪的硬件电路设计 |
| 8.3.1 总体方案设计 |
| 8.3.2 恒流源电路设计 |
| 8.3.3 高阻抗数字电压表电路设计 |
| 8.3.4 电源电路设计 |
| 8.3.5 主板控制电路设计 |
| 8.4 电路的可靠性问题 |
| 8.4.1 常见的绝缘材料的性质及其比较 |
| 8.4.2 泄露电流 |
| 8.4.3 静电干扰和屏蔽 |
| 8.5 高阻抗四探针测试仪的软件设计 |
| 8.5.1 数字电压表程序流程 |
| 8.5.2 主极控制单片机程序流程 |
| 8.5.3 四探针自动量程的电流设置 |
| 8.6 结论和工作展望 |
| 参考文献 |
| 第九章 总结 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 |
| 致谢 |
（4）RF MEMS器件及其集成技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景和意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 RF MEMS开关 |
| 1.2.2 数控衰减器 |
| 1.2.3 RF MEMS器件与IC芯片的单片集成 |
| 1.3 研究内容及难点 |
| 1.4 章节安排 |
| 参考文献 |
| 第2章 RF MEMS技术和工艺简介 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 RF MEMS技术 |
| 2.2.1 RF MEMS技术的发展历程 |
| 2.2.2 基本RF MEMS器件 |
| 2.2.3 RF MEMS子系统 |
| 2.3 RF MEMS工艺 |
| 2.3.1 RF MEMS体硅工艺 |
| 2.3.2 RF MEMS表面牺牲层工艺 |
| 2.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第3章 高温度稳定性RF MEMS开关研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 高温度稳定性RF MEMS开关设计 |
| 3.2.1 开关机械结构设计 |
| 3.2.2 开关射频性能设计 |
| 3.2.3 开关结构参数确定 |
| 3.3 高温度稳定性RF MEMS开关性能仿真 |
| 3.4 高温度稳定性RF MEMS开关芯片测试 |
| 3.4.1 射频性能测试 |
| 3.4.2 下拉电压温度稳定性测试 |
| 3.5 小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 MEMS数控衰减器研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 MEMS数控衰减器设计 |
| 4.2.1 衰减器拓扑结构 |
| 4.2.2 RF MEMS开关设计 |
| 4.2.3 衰减单元设计 |
| 4.2.4 衰减器性能仿真 |
| 4.3 MEM数控衰减器性能测试 |
| 4.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 RF MEMS开关驱动电路研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 驱动电路工艺 |
| 5.2.1 集成电路工艺种类 |
| 5.2.2 BCD工艺 |
| 5.2.3 BCD工艺特点 |
| 5.2.4 200V SOI-BCD工艺 |
| 5.3 驱动电路原理图设计 |
| 5.3.1 振荡器 |
| 5.3.2 限幅放大器 |
| 5.3.3 升压单元 |
| 5.3.4 输出控制器 |
| 5.3.5 高压测试单元 |
| 5.4 驱动电路版图设计和后仿真 |
| 5.5 芯片测试 |
| 5.6 小结 |
| 参考文献 |
| 第6章 RF MEMS开关与IC芯片集成技术研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 集成方法选择 |
| 6.3 基于类似Post-CMOS集成方法的设计 |
| 6.3.1 用于集成的RF MEMS开关结构参数确定 |
| 6.3.2 RF MEMS开关机械性能仿真 |
| 6.3.3 RF MEMS开关微波性能仿真 |
| 6.4 单片集成工艺 |
| 6.5 集成芯片性能测试 |
| 6.6 小结 |
| 参考文献 |
| 第7章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 在读期间的成果 |
（5）无刷直流电机定子绕组不平衡故障诊断与评估研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及研究意义 |
| 1.2 电机定子绕组故障形式及特征 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.3.1 电机故障诊断技术研究现状 |
| 1.3.2 电机高阻连接故障诊断技术研究现状 |
| 1.3.3 电机匝间短路故障诊断技术研究现状 |
| 1.4 本文研究内容与结构安排 |
| 1.5 论文主要创新点 |
| 第二章 无刷直流电机控制原理与信号采集 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 无刷直流电机的基本结构及工作原理 |
| 2.2.1 无刷直流电机的结构 |
| 2.2.2 无刷直流电机的工作原理 |
| 2.2.3 无刷直流电机的驱动方法 |
| 2.3 电机不平衡故障设置 |
| 2.3.1 高阻连接故障设置 |
| 2.3.2 匝间短路故障设置 |
| 2.4 信号采集与分析 |
| 2.4.1 实验信号采集模块 |
| 2.4.2 信号分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 无刷直流电机的高阻连接故障诊断研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 HRC故障的数学建模与理论分析 |
| 3.2.1 数学建模 |
| 3.2.2 故障诊断的两步策略 |
| 3.3 HRC故障诊断仿真研究 |
| 3.3.1 仿真模型和HRC故障配置 |
| 3.3.2 仿真结果分析 |
| 3.4 HRC故障诊断实验验证 |
| 3.4.1 实验平台搭建 |
| 3.4.2 实验结果分析 |
| 3.4.3 实验结果与仿真结果比较 |
| 3.4.4 实现在线故障诊断 |
| 3.5 方法稳健性和性能分析 |
| 3.5.1 变速和负载条件下的鲁棒性 |
| 3.5.2 与最先进技术的比较 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 无刷直流电机的匝间短路故障诊断研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 匝间短路故障的数学建模与理论分析 |
| 4.2.1 数学建模 |
| 4.2.2 故障诊断的两步策略 |
| 4.3 匝间短路故障诊断仿真分析 |
| 4.3.1 仿真模型和故障配置 |
| 4.3.2 仿真结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 总结 |
| 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 |
| 致谢 |
（6）居民区低压直流配电关键技术研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 变量注释表 |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 主要研究内容和各章节安排 |
| 2 居民区低压直流配电系统的结构 |
| 2.1 电压等级 |
| 2.2 母线结构的选择 |
| 2.3 配电系统主要组成部分 |
| 2.4 居民区负载 |
| 2.5 常用关键器件 |
| 2.6 本章小结 |
| 3 控制方案的建模及稳定性仿真 |
| 3.1 控制方案基本要求 |
| 3.2 PSCAD仿真模型及控制系统的搭建 |
| 3.3 居民区低压直流配电系统稳定性仿真 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 保护方案及故障仿真 |
| 4.1 低压直流系统故障分析 |
| 4.2 变换器直流侧电容中点接地 |
| 4.3 继电保护方案 |
| 4.4 用户侧接地保护 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 总结和展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
| 学位论文数据集 |
（7）宽频带交流电流精密测量关键技术研究（论文提纲范文）
| 内容提要 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 电磁计量基本单位的溯源 |
| 1.1.1 安培的定义与实现 |
| 1.1.2 直流约瑟夫森电压基准 |
| 1.1.3 直流量子化霍尔电阻基准 |
| 1.2 交直流转换测量的发展 |
| 1.2.1 机械式和电子式交直流转换 |
| 1.2.2 单元热电变换器 |
| 1.2.3 多元热电变换器 |
| 1.2.4 平面多元热电变换器 |
| 1.3 高精度宽频带分流器 |
| 1.3.1 同轴鼠笼式分流器 |
| 1.3.2 微电位计 |
| 1.3.3 同轴套筒型大电流分流器 |
| 1.4 交流电流国家基准的实现方法及存在的问题 |
| 1.5 本文研究内容与结构安排 |
| 第2章 交直流差可计算同轴分流器的研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 国际上的交流电阻计算样品 |
| 2.3 交直流差可计算同轴分流器的研制 |
| 2.3.1 设计思想和结构 |
| 2.3.2 电磁场理论分析 |
| 2.3.3 交流分流器的时间常数 |
| 2.3.4 使用锁相放大器测量等效电感 |
| 2.3.5 分流器结构的优化 |
| 2.4 二进制电抗分流器 |
| 2.4.1 基本原理及结构设计 |
| 2.4.2 比例误差分析 |
| 2.4.3 两路电流一致性的自校 |
| 2.5 nH 级空气互感的研制 |
| 2.5.1 四端互感结构设计 |
| 2.5.2 四端互感的准确测量 |
| 2.6 同轴结构分流器交直流差的确定 |
| 2.6.1 分流器等效电感的测量 |
| 2.6.2 分流器分布电容的测量 |
| 2.6.3 交直流差的确定 |
| 2.7 本章小结 |
| 第3章 交流电流量程扩展的方法研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 电流扩展的爬台阶方法 |
| 3.3 高频电流互感器的研制 |
| 3.3.1 单级电流互感器数学模型的分析 |
| 3.3.2 高频下评定单级电流互感器误差的方法 |
| 3.3.3 同轴高频单级电流互感器的实现 |
| 3.3.4 同轴双级电流互感器的设计实现 |
| 3.4 毫伏级交流小电压的校准技术 |
| 3.4.1 二进制感应分压器的自校验 |
| 3.4.2 BIVD 级联构成 8:1 电压比例 |
| 3.5 交流电流量程扩展方法 |
| 3.5.1 量程向上扩展方法 |
| 3.5.2 量程向下扩展 |
| 3.6 两种交流电流量程扩展方法的比较 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 分流器交直流差电流系数的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 电压量程扩展电阻的电压系数 |
| 4.2.1 交直流差电压系数的成因 |
| 4.2.2 降低交直流差电压系数的方法 |
| 4.2.3 国际上高压量程扩展电阻交直流差电压系数评定方法 |
| 4.2.4 我国利用感应分压器评价交直流差电压系数的方法 |
| 4.3 分流器交直流差电流系数的测量方法 |
| 4.3.1 利用二进制电抗分流器测量电流系数 |
| 4.3.2 三支路电抗分流器测量电流系数的方法 |
| 4.3.3 高频单级电流互感器比例误差线性度的分析 |
| 4.3.4 大电流分流器交直流差电流系数的评定方法 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 量值传递实验结果及不确定度评估 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 交流电流量值传递装置 |
| 5.3 10mA~1A 交流电流量值传递的实验结果 |
| 5.3.1 二进制电抗分流器比例误差自校准实验 |
| 5.3.2 量值传递实验结果 |
| 5.3.3 高准确度交流数字电压表频率响应的测定 |
| 5.3.4 测量结果的稳定性考核 |
| 5.4 1 A~100 A 交流电流量值传递的实验结果 |
| 5.4.1 量值传递结果 |
| 5.4.2 量值传递结果 |
| 5.4.3 电流互感器变比误差与大电流分流器交直流差线性度之间的比较 |
| 5.4.4 旁证实验 |
| 5.5 测量不确定度的评估 |
| 5.5.1 交直流差可计算同轴分流器交直流差测量不确定度评估 |
| 5.5.2 10 mA~1 A 电流交直流差的不确定度评估 |
| 5.5.3 2 A~100 A 电流交直流差的不确定度评估 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 全文总结 |
| 6.1 主要研究工作 |
| 6.2 创新点 |
| 6.3 进一步研究建议 |
| 参考文献 |
| 作者简介及攻读博士期间所取得的科研成果 |
| 致谢 |
（8）基于并行电法的复电阻率非线性反演研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 变量注释表 |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 复电阻率法国内外研究现状 |
| 1.3 神经网络国内外研究现状) |
| 1.4 粒子群优化算法国内外研究现状 |
| 1.5 研究主要内容 |
| 2 基于并行电法的复电阻率2.5维正演 |
| 2.1 复电阻率2.5维有限单元法数值模拟 |
| 2.2 基于并行测量模式的复电阻率正演模拟 |
| 2.3 正演算例验证 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 基于SIMULINK仿真的并行电法激励信号频域特征与辨识 |
| 3.1 等效电路模型的建立与其频域响应特征 |
| 3.2 单频正弦型激励信号仿真 |
| 3.3 矩形脉冲方波激励信号仿真 |
| 3.4 M序列伪随机激励信号仿真 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 基于QPSO-BP算法的复电阻率非线性反演 |
| 4.1 量子粒子群优化算法 |
| 4.2 QPSO-BP算法反演建模 |
| 4.3 数值仿真与反演计算 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 煤层底板典型极化异常体正演响应与反演 |
| 5.1 煤层底板多极化异常体 |
| 5.2 煤层底板隐伏导水陷落柱 |
| 5.3 煤层底板隐伏导水断层 |
| 5.4 底板承压水突水监测 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
| 学位论文数据集 |
（9）基于氧化锌、黑磷及其它二维材料薄膜的阻变存储器件的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 半导体存储器 |
| 1.3 新型非易失性存储器 |
| 1.3.1 铁电随机存取存储器(FeRAM) |
| 1.3.2 磁阻随机存取存储器(MRAM) |
| 1.3.3 相变随机存取存储器(PCRAM) |
| 1.3.4 电子自旋磁矩随机存取存储器(STT-MRAM) |
| 1.3.5 阻变存储器(RRAM) |
| 1.4 阻变随机存取存储器(RRAM) |
| 1.4.1 阻变存储器发展历程 |
| 1.4.2 阻变存储器的基本结构与工作过程 |
| 1.4.3 阻变存储器的主要参数性能 |
| 1.4.4 阻变存储器的工作机理 |
| 1.4.5 阻变存储器的前景与挑战 |
| 1.5 二维材料的阻变存储器 |
| 1.6 本文研究内容 |
| 2 基于氧化锌的阻变存储器 |
| 2.1 ZnO圆形顶电极Sandwich-结构RRAM |
| 2.1.1 器件制备 |
| 2.1.2 器件表征与测试 |
| 2.1.3 制备参数对器件的影响 |
| 2.2 ZnO厘米级交叉电极RRAM阵列 |
| 2.2.1 器件制备 |
| 2.2.2 器件表征与测试 |
| 2.2.3 工作层厚度对器件的影响 |
| 2.3 ZnO微米级交叉电极RRAM |
| 2.3.1 器件制备 |
| 2.3.2 器件测试与分析 |
| 2.3.3 器件优化 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 ZnO阻变存储器中异常阻态的机理探究 |
| 3.1 阻变存储器中常见的导电机理 |
| 3.2 器件结构分析 |
| 3.3 氧化锌ZnO阻变存储器中“阻态衰减”现象分析 |
| 3.4 氧化锌阻变存储器中“过渡阻态”现象分析 |
| 3.5 氧化锌阻变存储器异常现象的机理探究 |
| 3.6 异常阻态现象总结 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 HfO_2/ZnO的多层阻变存储器 |
| 4.1 氧化铪、氧化锌中氧空位缺陷情况 |
| 4.2 HfO_2/ZnO的多层圆形顶电极阻变存储器 |
| 4.2.1 器件制备 |
| 4.2.2 器件表征与测试 |
| 4.2.3 器件中氧化铪HfO_2层作用 |
| 4.2.4 HfO_2/ZnO双层阻变器件的工作机理总结 |
| 4.3 HfO_2/ZnO的多层交叉电极阻变存储器 |
| 4.3.1 器件制备 |
| 4.3.2 器件电学测试与分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 基于二维材料的阻变存储器探究 |
| 5.1 黑磷BP阻变存储器 |
| 5.1.1 黑磷单晶生长与表征 |
| 5.1.2 黑磷薄片阻变存储器的制备 |
| 5.1.3 黑磷薄片阻变存储器的基本表征 |
| 5.1.4 氧化铪/黑磷薄片(HfO_2/BP)的双层阻变存储器的制备 |
| 5.1.5 氧化铪/黑磷薄片(HfO_2/BP)的双层阻变存储器的电学特性探究 |
| 5.1.6 氧化铪/黑磷薄片(HfO_2/BP)的双层阻变存储器的机理探究 |
| 5.2 其他二维材料阻变存储器初步探究 |
| 5.2.1 铁磷硫三元化合物阻变存储器(FePS_3 RRAM) |
| 5.2.2 二硒化锗阻变存储器(GeSe_2 RRAM) |
| 5.3 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 主要创新点 |
| 6.3 工作展望 |
| 参考文献 |
| 个人筒历及博士期间发表的研究成果 |
| 个人简历 |
| 科研成果 |
（10）半导体结构中侧向光伏效应与电阻开关效应研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 侧向光伏效应的研究进展及机理 |
| 1.2.1 光生载流子侧向迁移的研究进展 |
| 1.2.2 表面态对载流子迁移的影响 |
| 1.2.3 肖特基势垒对载流子迁移的影响 |
| 1.2.4 侧向光伏效应的机理 |
| 1.3 电阻开关效应的研究进展及机理 |
| 1.3.1 电阻开关效应的研究进展 |
| 1.3.2 电阻开关效应的机理 |
| 1.4 本论文的研究思路及内容 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 样品制备 |
| 2.2 样品测试与表征 |
| 2.2.1 X射线光电子能谱 |
| 2.2.2 原子力显微镜 |
| 2.2.3 半导体综合测试仪 |
| 第三章 p型硅中表面态诱导的侧向光伏 |
| 3.1 样品的制备及测量 |
| 3.2 p-Si表面的侧向光伏的实验结果与讨论 |
| 3.3 p-Si表面侧向光伏效应的理论模型及验证 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 MOS结构中增强的侧向光伏效应 |
| 4.1 Ni/SiO_2/p-Si和Ni/SiO_2/n-Si的制备及测量 |
| 4.2 MOS结构中增强的侧向光伏效应实验结果与讨论 |
| 4.3 MOS结构中增强的侧向光伏效应的理论模型及验证 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 超低功耗非易失性阻变效应 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Ag/ZnO/Pt结构中无forming过程单极型阻变效应 |
| 5.2.1 Ag/ZnO/Pt结构的制备与测量 |
| 5.2.2 Ag/ZnO/Pt结构中单极型电阻开关效应 |
| 5.2.3 Ag/ZnO/Pt结构中电阻转变机理 |
| 5.3 Ag/TaO_x/Pt中超低操作电压的双极型电阻开关效应与阈值效应 |
| 5.3.1 Ag/TaO_x/Pt结构的制备与测量 |
| 5.3.2 Ag/TaO_x/Pt结构中双极型电阻开关效应 |
| 5.3.3 Ag/TaO_x/Pt结构中阈值效应 |
| 5.3.4 Ag/TaO_x/Pt结构中电阻转变机理 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结和展望 |
| 6.1 主要结论 |
| 6.2 课题展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
四、测量高阻电路电压的直流电压表（论文参考文献）
- [1]基于LabVIEW的信号发生器自动计量校准系统研究[D]. 吴海松. 电子科技大学, 2019(01)
- [2]酸度计检定仪的研制[D]. 张雯. 电子科技大学, 2009(11)
- [3]宽禁带半导体器件的研制及其测量技术[D]. 郭俊福. 中国科学技术大学, 2008(06)
- [4]RF MEMS器件及其集成技术研究[D]. 孙俊峰. 东南大学, 2019(05)
- [5]无刷直流电机定子绕组不平衡故障诊断与评估研究[D]. 王慧. 安徽大学, 2020(07)
- [6]居民区低压直流配电关键技术研究[D]. 高川峻. 中国矿业大学, 2020(01)
- [7]宽频带交流电流精密测量关键技术研究[D]. 张江涛. 吉林大学, 2014(09)
- [8]基于并行电法的复电阻率非线性反演研究[D]. 张维鑫. 中国矿业大学, 2020
- [9]基于氧化锌、黑磷及其它二维材料薄膜的阻变存储器件的研究[D]. 延啸远. 浙江大学, 2020(01)
- [10]半导体结构中侧向光伏效应与电阻开关效应研究[D]. 黄旭. 上海交通大学, 2018(01)