一、ZnO压敏电阻片导电模型的实验探讨（论文文献综述）
何群[1]（2019）在《氧化锌压敏电阻热电特性的研究》文中研究表明ZnO压敏电阻是电子和信息化领域重要的过电压防护器件,对电子与通信系统的运行安全至关重要。其在正常工作电压下长期有泄漏电流流过而发生老化,老化后影响电力电子的稳定运行,由于ZnO压敏电阻在运行中主要受电压和温度的影响,因此在加速老化试验系统上进行压敏电阻热电特性的研究,研究成果为ZnO压敏的寿命评估提供了有意义的论据,具有一定的理论价值和工程实用价值。本文建立了 ZnO压敏电阻交、直流老化试验系统,解决了压敏电阻小电流区信号难以精确提取的技术难点,及长期人工手动测量和监测的弊端。基于Visual Basic进行软件开发,实现了电流信号以及施加在压敏电阻两端的电压信号的准确采集、数据校准、交直流参数处理与显示、数据库管理和报表生成等功能。老化系统中交流电压下,流过压敏电阻的阻性电流通过计算机编程中的容性电流谐波分次补偿算法得到,并实现了对压敏电阻电压、全电流、阻性电流峰值、容性电流、功率损耗等交流参数的测量;在直流电压下,实现了对压敏电阻外施电压、全电流、功率损耗等直流参数的测量。在搭建ZnO压敏电阻老化试验系统的基础上,开展了热电应力下压敏电阻温度特性、荷电率特性试验以及直流老化特性的变化规律研究。试验结果表明:1)直流电压下,ZnO压敏电阻的泄漏电流和功耗随荷电率增大有下降趋势,而交流电压下泄漏电流和功耗随荷电率增大而增大,并通过老化机理对试验现象进行对比解释;2)压敏电阻直流老化试验中,在97%荷电率和145℃温度条件下,10K250压敏电阻的泄漏电流经历了快速下降、缓慢上升、激增三个变化阶段;在泄漏电流的急剧增长点（泄漏电流增长到初始值的900%）,其压敏电压变化幅度小于1%。实验结果对研究ZnO压敏电阻老化试验判据提供了有价值的参考。
严群[2]（2003）在《稀土氧化物及纳米氧化锌掺杂压敏材料的制备及机理研究》文中进行了进一步梳理本文通过添加微量稀土和部分纳米级粉料提高氧化锌压敏阀片的压敏性能，研究纳米级粉料对氧化锌压敏阀片性能的影响规律及机理，并首次系统地研究稀土氧化物对氧化锌压敏阀片性能的影响机理，使氧化锌避雷器阀片的性能在保证通流能力及泄漏电流基本保持不变的条件下，其压敏电位梯度大幅度提高，实验室样品结果达到550V／mm以上，以期在工程应用中达到甚至超过国外400V／mm的先进水平，较之国内200V／mm的普通水平提高100％甚至以上。 首先研究了烧结工艺对氧化锌压敏阀片几种主要电气性能的影响，对烧结工艺进行了筛选和优化。研究结果表明，氧化锌压敏阀片的最佳烧成制度为：随炉连续缓慢升温至1150℃进行烧结，保温2.5小时后，随炉缓慢冷却。 在传统配方的氧化锌压敏阀片原料中添加微量稀土氧化物Nd2O3、CeO2、La2O3，研究各种稀土氧化物的添加量对氧化锌压敏阀片主要电性能的影响规律，优化氧化锌压敏阀片原料中稀土氧化物的添加量。研究结果表明，三种稀土添加剂中，Nd2O3提高压敏电位梯度的作用最为显著，La2O3次之，CeO2最弱，而且当Nd2O3的含量为0.04 mol％时，压敏阀片的三个主要电性能指标都达到最佳值（电位梯度最高约达583.25V／mm，漏电流小，压比低），而添加La2O3或CeO2的压敏阀片的三个主要电性能指标最佳值所对应的成分却并不一致，因此适量的Nd2O3显著提高压敏电位梯度的同时，可降低漏电流四川大学博士学位论文和压比，使压敏阀片具有优良的综合电性能。 在传统配方的氧化锌压敏阀片原料中添加一定量的纳米氧化锌，研究纳米氧化锌的添加量对压敏阀片主要电性能的影响规律，优化压敏阀片原料中纳米氧化锌的添加量。研究结果表明，压敏阀片中加入纳米氧化锌后，其压敏电位梯度显著提高，当纳米ZnO含量达到SOwt%时，压敏电位梯度可达613.73vlmm。纳米氧化锌的添加量为10wt%时，压敏电位梯度较高，漏电流最小，压比较低，即压敏阀片的综合电性能较好。 运用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EPO）、X射线衍射仪（XRO）、显微图像分析系统对试样进行显微组织结构分析，并用X一射线光电子能谱仪（XPS）对试样表层的Zn的电子结合能进行分析，研究稀土氧化物和纳米级粉料影响氧化锌压敏阀片性能的机理，结果表明，NdZO3、CeOZ和LaZO3加入氧化锌压敏阀片中，一方面，含稀土元素的相（以原相形式独立存在的CeOZ相、LaZO3相、含Nd的新相NaZNdZSbZ（ZnZAIO12））钉扎在晶界，阻碍晶界运动;另一方面，稀土添加剂NdZO3、CeOZ和LaZO3在陶瓷烧结过程中使ZnO晶体的自由电子浓度增大，填隙锌离子Zni的总浓度下降，因而填隙锌离子的传质能力下降，抑制了ZnO晶粒的生长。因此，NdZO3、CeOZ和LaZO3加入到氧化锌压敏阀片中，使ZnO晶粒尺寸减小，并使晶粒分布更为均匀，从而改善了压敏阀片的综合电性能。加入的稀土量存在一个最佳值，若加入量过多，将导致稀土元素在晶界富Bi相和富Sb相中的富集，造成晶界高阻层势垒电阻值的降低，非线性特性劣化。 对添加纳米氧化锌的试样进行显微组织结构分析，结果表明压敏阀片中加入纳米氧化锌后，使ZnO晶粒尺寸减小，其原因是:在烧结过程中，包裹在亚微米ZnO颗粒上的纳米ZnO粒子，降低了亚微米颗粒的表面活性，使亚微米ZnO颗粒之间的空位扩散传质减弱，阻碍了晶界迁移，使晶粒尺寸减小，从而改善了压敏阀片的综合电性能。加入的纳米氧化锌的量存在一个最佳值，若加入量过多，将导致过量的纳米氧化锌粉体中的团聚体在烧结时先行收缩，生成微气孔，而开放型的微气孔会吸附空气中的水蒸汽，造成漏电流、压比等电性能劣化。 稀土或纳米ZnO加入到压敏阀片中，对试样表层Zn的电子结合能并未四川大学博士学位论文产生明显的影响。因此，可以初步认为加入适量稀土或纳米ZnO提高压敏阀片的压敏电位梯度，其原因主要归结于减小ZnO晶粒尺寸。这一结论是根据现有的初步的试验结果得出的，关于这一问题，还有待于进一步的深入研究。 运用固体物理、半导体和电子薄膜材料的相关理论，建立数学模型，推导出了最佳掺杂含量的理论计算式，并将之推广到高温烧结的氧化锌压敏陶瓷材料，运用这一计算式定量计算NdZO3、CeOZ和LaZO3等稀土掺杂的最佳含量，计算结果与本文的实验结果比较符合。 应用日ash软件，以动画的形式模拟氧化锌压敏阀片的导电过程，较为直观地展示氧化锌压敏阀片导电的双肖特基势垒模型，这对于我们深入理解氧化锌压敏阀片的导电机理，进一步提高氧化锌压敏阀片的综合电性能，有一定的启发意义。
禹争光[3]（2005）在《氧化锌压敏电阻电输运特性及大通流器件设计研究》文中研究表明ZnO压敏电阻由于具有优良的非线性特性、大的浪涌吸收能力以及较高的工作稳定性而在电子、电力领域得到了迅速发展和广泛应用。对大通流容量和高性能的发展要求,是近期压敏电阻的研究热点和未来主要发展方向。论文系统地研究了ZnO压敏电阻界面态、界面电输运机理和大通流下压敏电阻的蜕化现象。对纳米材料、微波等离子烧结和烧结过程氧的影响关系等方面,取得了以下理论和实际应用方面的研究结果。 论文首先对ZnO压敏电阻空间电荷限制电流、隧穿等现有导电机理分析基础上,研究掺杂材料和氧在界面造成的缺陷,利用光电子能谱（XPS）、阴极荧光谱（CL）对压敏电阻界面陷阱进行分析,证实陷阱态模型并分析陷阱能级分布。通过泊松（Poisson）方程推导出界面空间电荷模型,通过大通流下压敏电阻的蜕化过程分析,讨论提高压敏电阻大通流对陶瓷均匀性、晶粒粒度分布等的要求,提出论文实验研究方向。 论文对ZnO压敏电阻原材料制备、掺杂工艺对器件电性能和抗蜕化能力影响研究。阐述了三种材料制备或掺杂工艺:（1）.溶胶-凝胶法均相共沉制备纳米复合材料;（2）.直流电弧等离子方法制备纳米氧化铋材料:（3）.部分掺杂材料采用硝酸盐“液相掺杂”。实验通过波分色散谱（WDS）、TEM、SEM、XRD分析手段和电压-电流电性能测试对纳米材料及制备、压敏电阻微观结构、晶相、富Bi相液相烧结特点电性能进行表征和分析,综合评价三种方法工艺成本优缺点,获得了漏电流小（1.3μA）,通流能力大（6000A/cm2）器件。解释了纳米材料制备的压敏电阻电蜕化过程。 为提高烧结效率,缩短烧结时间,对压敏电阻常规微波烧结和微波等离子体烧结过程进行了分析研究,从Kelvin理论、瓷体烧结收缩率、微观形貌和压敏电阻非线性系数等方面比较了常规微波烧结与微波等离子烧结方式烧结ZnO
胡军,龙望成,何金良,刘俊[4]（2011）在《ZnO压敏电阻残压比的影响因素分析》文中研究说明ZnO压敏电阻作为避雷器的核心元件,已经被广泛地应用于电力系统雷电防护设备之中。残压比是ZnO压敏电阻避雷器的重要参数,它决定了电力系统的过电压保护水平和电力设备绝缘要求。为此,分析了ZnO压敏电阻残压比的宏观影响因素,利用维诺网格模型和晶界导电模型研究了微结构参数和晶界参数对ZnO压敏电阻残压比的影响规律。晶粒尺寸、晶粒不均匀度、晶粒施主数密度和晶界表面态密度主要在参考电压区域影响残压比,而晶粒电阻率主要在残压区域影响残压比。基于相关分析结论,提出了低残压比ZnO压敏电阻的试验研究路线,为研究低残压比ZnO压敏电阻提供了基本的理论依据和指导方向。
洪秀成[5]（2009）在《稀土氧化物掺杂改性氧化锌压敏电阻的研究》文中研究指明ZnO压敏电阻片是以ZnO为主要成分,添加某种压敏形成剂(如Bi2O3和Pr6O11)以及其他多种金属氧化物,经高温烧结而成的半导体陶瓷,在高压输变电线路、城市地铁和电气化铁路接触网系统中应用广泛。高性能ZnO压敏电阻片作为ZnO避雷器的核心部件,其性能及制造技术直接制约着ZnO避雷器的发展。因此,提高ZnO压敏电阻片的性能是高压电网系统中加强对雷电浪涌防护的重要研究课题。本文通过稀土氧化物掺杂进行成分优化,制备高压输变电用Bi2O3系ZnO压敏电阻片,探讨了不同烧结工艺下的晶粒生长动力学,并研究开发新型Pr6O11系ZnO压敏电阻片以改善Bi2O3系压敏电阻片添加物多、Bi2O3易挥发及高电阻抗性等缺点。在稀土氧化物掺杂量为0.20.8mol%范围内,探讨了稀土氧化物（Y2O3、Er2O3）及掺杂量对Bi2O3系ZnO压敏电阻片微观结构和电性能的影响,得出最佳的稀土氧化物及其掺杂区间。实验结果表明:掺杂0.6mol%Y2O3时,试样的综合性能最佳,其性能指标分别为:电位梯度:505V/mm;非线性系数:29.6;漏电流:345μA。研究了Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3压敏电阻片晶粒生长动力学。实验结果表明:试样的平均晶粒尺寸,随着烧结温度的提高和烧结时间的延长而长大。当掺杂0.6mol% Y2O3的ZnO压敏电阻片在1030℃下烧结保温2h后,试样的平均晶粒尺寸最小,约为1.5μm;1070℃下烧结保温8h的试样平均晶粒尺寸最大,约为4.2μm。根据晶粒生长动力学方程,计算得到掺杂0.6mol%Y2O3的ZnO-Bi2O3压敏电阻片的晶粒生长动力学指数n=4,晶粒生长活化能Q=1182kJ/mol。探讨了添加不同CeO2含量对Pr6O11系ZnO压敏电阻片显微结构及电性能的影响,以期能满足特高压输变电用高电位梯度的应用需求。结果表明:随着CeO2掺杂量的增加,ZnO-Pr6O11系压敏电阻片电位梯度和非线性系数有明显的提高,在掺杂量为1.0mol%时达到峰值,分别为548V/mm和42。XRD、SEM检测分析表明:CeO2并不与ZnO及其他氧化物生成新相,而是以CeO2的形式独立存在,抑制了（Zni）·的生成,致使填隙锌离子的传质能力下降,从而减小ZnO晶粒尺寸,并改善了压敏电阻片的晶界结构和成分。讨论了Pr6O11系ZnO压敏电阻片的球磨、模压成型、烧结过程的影响因素。研究发现:本体系ZnO压敏电阻材料的球磨工艺应采用无水乙醇作球磨液体介质,不宜采用蒸馏水。采用两次先后加压、适当减小成型压力以及增加保温时间可以减少压制过程中出现的层裂现象。50℃/h的烧结速度比较理想,烧结后的试样气孔较少。
李盛涛[6]（1998）在《ZnO压敏电阻片的基础研究和技术发展动态》文中研究说明从非欧姆导电机理、老化机理的深化和完善、功能微观结构作用和控制、粉料预处理和制造技术等方面对zno压敏电阻片的基础理论研究进行了概括；并指出，从技术发展动态看，主要是降低残压比、提高单位体积的能量耐受能力、提高压敏电位梯度、提高长期老化性能。
郑文奎[7]（2013）在《高压梯度ZnO压敏电阻器的配方及制备工艺研究》文中研究指明ZnO压敏电阻器凭借着优秀的电学性能已被广泛应用于电子保护中，现今最具代表性的产品包括多层片式压敏电阻器（MLCV）和特高压ZnO避雷器。随着我国经济的高速发展，对于保护元件的高性能、大通流能力的要求不断提高，针对国内生产的商用ZnO压敏电阻器压敏电压梯度偏低、残压比较高、成本较高的特点，本课题对这些问题展开研究。本论文基于掺杂SnO2的ZnO配方改善压敏电阻器的电学性能。本实验主要从两方面进行研究：通过正交试验设计方法对配方优化，正交试验结果确定了配方的调整趋势：适当的提高Mn和Co的添加量，保持Bi含量不变，适当降低Sn的添加量；另一方面，探索CoMnBiNi溶胶态复合添加剂的制备工艺，发现采用溶胶态复合添加剂制备ZnO压敏电阻很好地提高了元件微观结构的均匀性。实验结果表明溶胶法制备的元件团聚现象减少，添加剂在晶界处的分布更加均匀，测试结果一致性更好，性能更加稳定，制备的元件的小电流参数均值压敏电压为449.6V/mm，非线性为47，漏电流为0.76μA，8/20μs测试中压敏电压变化率为10%时，元件的通流值为国标值的107%，残压比为1.92。在用XRD进行物相分析时，发现掺杂的ZnO的衍射角略微减小，通过CASTEP仿真计算与实验结果对比分析认为Mn掺杂在引起晶格畸变过程中起主要作用，使晶面间距增大，衍射角减小。
张春龙[8]（2020）在《多脉冲雷击下ZnO压敏电阻的电流热效应研究》文中认为ZnO压敏电阻在实际应用中常常因遭受雷击发热而导致热崩溃和起火燃烧。针对目前实验室中ZnO压敏电阻的单脉冲雷电冲击实验无法真实有效模拟自然雷击的问题,开展ZnO压敏电阻在多脉冲雷击下的电流热效应研究,对提高ZnO压敏电阻的雷电防护性能和安全性能具有重要的理论意义和应用价值。本文设计并搭建了多脉冲雷电冲击测试平台,从宏观损坏和微观损坏特性两个方面研究了多脉冲下ZnO压敏电阻的热损坏特性及损坏机理。基于电性能参数变化和温度变化,研究了多脉冲下不同波形参数对ZnO压敏电阻的老化特性的影响。对多脉冲下ZnO压敏电阻的能量吸收特性进行了仿真与模拟研究,根据冲击实验和模拟结果提出雷电防护性能提升改进方法。本文的主要研究内容和成果如下:（1）设计了放电时间1（?）s～999（?）s（短间隔）和1ms～999ms（长间隔）、精度±1（?）s之内、连续闪击时间间隔可调、不同波形的20脉冲雷电冲击测试实验系统,并进行了多脉冲下ZnO压敏电阻耐受冲击能力测试。结果表明不同种类ZnO压敏电阻平均冲击寿命差异显著,耐受冲击能力与自身材料和结构密切相关。（2）研究了多脉冲下ZnO压敏电阻热损坏机理,重点分析了施加工频动作负载、盐雾和潮湿环境条件下ZnO压敏电阻的热损坏特性。结果表明热物理性能和结构非均匀性导致表面温升不均匀,产生的温度梯度热应力导致ZnO压敏电阻损毁。多脉冲下ZnO压敏电阻微观晶界非均匀性越大,能量吸收集中程度JmaxJav越高,非均匀性最大的区域最先达到破裂损坏能量。非均匀系数δ为1.8时,能量吸收能力仅为400J/cm3。动作负载下ZnO压敏电阻会因热平衡失衡发生短路起火,经潮湿和盐雾环境处理后,水分子进入晶界层发生化学反应产生碱性OH-破坏晶界层结构,大大降低ZnO压敏电阻耐受冲击能力。（3）利用扫描电镜在微观层面研究了ZnO压敏电阻在多脉冲电流下的晶界层结构和晶相材料的性能变化。发现晶界层中微量元素种类和晶界尺寸会影响ZnO压敏电阻耐受多脉冲冲击能力。随着冲击次数的增加ZnO压敏电阻的晶粒结构不断发生蜕变,内部离子迁移的不均性和微观晶界层的非均匀性导致局部能量密度过大引起局部温升过高,最终使得晶胞可变晶界电阻发生熔穿,局部高温可能导致ZnO压敏电阻内部Bi元素在不同晶相中发生转变。（4）研究了不同波形参数脉冲电流对ZnO压敏电阻老化特性的影响。建立了波形参数脉冲间隔、脉冲数量、冲击次数与老化速率和表面平均温升的关系,基于等效能量法分析了3脉冲、4脉冲和5脉冲下ZnO压敏电阻的老化特性。结果表明,脉冲数量、脉冲间隔等波形参数决定了ZnO压敏电阻老化速率,脉冲能量的增加会加速ZnO压敏电阻老化。当注入相同能量时,多脉冲破坏力大于单脉冲,提出了能量叠加累积效应理论解释ZnO压敏电阻的多脉冲老化机理。（5）采用Voronoi网络几何模型仿真了ZnO压敏电阻的微观结构,以双肖特基势垒导电机理模型模拟了微观晶界等效电路,指出了多脉冲下非均匀性对ZnO压敏电阻能量吸收能力的影响。根据多脉冲下ZnO压敏电阻冲击实验和模拟结果,提出了ZnO压敏电阻边角缺陷的改进方法,并根据热效应提出SPD专用短路电流脱离器应对起火燃烧问题。
盛沨[9]（2019）在《压敏型电涌保护器的劣化性能及检测方法研究》文中指出压敏型电涌保护器是电力通信领域十分重要的过电压保护设备,对系统设备的安全有效运行起着至关重要的作用。长时间工作会受到来自雷电脉冲和过电压等外界应力的影响,其核心——ZnO压敏电阻会逐渐出现劣化现象。研究压敏型电涌保护器的雷电冲击劣化性能以及检测方法具有重要的意义。具体的研究内容如下:1)多脉冲雷电冲击下的劣化实验研究。不同于目前传统的单脉冲冲击实验,连续多脉冲冲击实验更能真实地研究雷电冲击时压敏型电涌保护器的参数变化。利用新型多脉冲雷电发生器进行冲击实验,通过改变脉冲数量、时间间隔和脉冲幅值等参数,从ZnO压敏电阻的电性能、热性能等方面定量研究其劣化特性。结果表明:ZnO压敏电阻在经过多脉冲冲击后,泄漏电流会产生跃变;压敏电压表现为先上升后下降,不同于多次单脉冲冲击下的下降趋势;电容值在小范围内波动起伏,不同于多次单脉冲冲击下的上升现象;表面温度分布并不均匀;脉冲间隔的长短对样片的能量吸收影响很小。实验结论为制定多脉冲雷电冲击下电涌保护器的性能指标和劣化预警提供参考。2)多脉冲雷电冲击下的漏电流和温度分布的预测模型研究。根据多脉冲模拟雷电冲击实验的结果,建立参数理论预测模型。（a）利用漏电流的不可逆性以及遗传算法的自适应性和解决非线性问题的优越性,建立了基于遗传算法的漏电流拟合模型。（b）引入瞬态热阻抗模型,通过散热的变化来研究每次冲击过程的能量净吸收状况。（c）建立基于BP神经网络的温度分布模型,可通过压敏电阻表面的温度情况来实现脱扣。3)压敏型电涌保护器的漏电流检测方法研究。根据多脉冲冲击下ZnO压敏电阻电流变化特性,设计一种低功耗的低压电涌保护器测试仪,提高了检测的便捷性;针对高压系统下传统的容性电流补偿法受电网谐波干扰、移相电流法适用范围小等问题,提出一种改进的移相电流算法,利用相位关系求解容性电流并提取阻性分量,经过仿真与FFT分析,提高了检测的精度。多脉冲冲击实验结论、参数模型和漏电流检测方法的研究为厂家研制性能更优的压敏电阻或开发电涌保护器的在线检测产品奠定了理论基础。
陈璞阳[10]（2015）在《8/20μs电流冲击作用下ZnO压敏电阻特性变化的分析》文中研究指明压敏电阻由于受到大电流的冲击,其内部结构不可避免地存在老化劣化现象,将会对系统的安全运行产生较大隐患。基于上述原因,研究大电流冲击作用下,ZnO压敏电阻特性变化具有较重要的现实意义。本文围绕ZnO压敏电阻在大电流冲击老化作用下器件特性变化这一问题,基于8/20μs电流冲击老化试验,对ZnO压敏电阻样品的宏观电容量特性,残压比,交流老化特性在试验前后性能的变化进行了相应分析,并得到下述结论：ZnO压敏电阻的C-t特性曲线在接受冲击后呈现出先降低后增长的趋势,基于Block-Model对影响ZnO压敏电阻宏观电容量的参数进行分析可知,宏观电容量的变化是由中电场区域生成的深能级施主复合和界面态俘获电子释放过程导致的,提出宏观电容量的变化可以作为判断老化的依据。通过实验表明在标称电流（In）冲击下,宏观电容量呈现先小幅下降,后不断上升趋势；宏观电容量和压敏电压的乘积在老化初期基本不变,老化到一定程度后急剧下降,而在最大电流（Imx）冲击下,宏观电容量快速上升且宏观电容量和压敏电压的乘积不断下降,在此实验结论基础上描述了冲击老化过程中晶界特性的变化特征,并得出结合宏观电容量能够更及时有效地衡量压敏电阻老化程度的结论。ZnO压敏电阻的残压比在标称电流（In）冲击老化试验过程中呈现缓慢降低--缓慢增加--快速上升的变化趋势；根据双肖特基势垒同热老化理论,得出冲击过程中残压比的大小主要由晶界层状态所决定,残压比快速上升阶段是由于晶界层大量破坏的结论,并由此提出了通过残压比变化率来衡量压敏电阻老化程度的新方法。基于ZnO压敏电阻交直流老化机理的理论分析,发现适当次数的8/20μs电流冲击作用会增强ZnO压敏电阻的交流耐受能力；ZnO压敏电阻的U1mA和Uo.1mA在交流老化过程中呈现小幅上升、缓慢下降、快速减小的趋势,非线性系数则呈现持续缓慢降低而后快速下降的趋势,结合上述趋势,进一步证明了不同老化阶段的老化机理,对实际中ZnO压敏电阻老化劣化的分析具有参考价值。
二、ZnO压敏电阻片导电模型的实验探讨（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、ZnO压敏电阻片导电模型的实验探讨（论文提纲范文）
（1）氧化锌压敏电阻热电特性的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题的研究背景及意义 |
| 1.2 ZnO压敏电阻的研究现状 |
| 1.2.1 ZnO压敏电阻的基础理论 |
| 1.2.2 ZnO压敏电阻参数测量技术的发展 |
| 1.2.3 ZnO压敏电阻的研究现状 |
| 1.3 本文的研究内容 |
| 2 交直流老化系统硬件设计 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 高压源设计 |
| 2.3 试品箱选取 |
| 2.4 测量信号的提取及电路设计 |
| 2.4.1 泄漏电流信号的提取 |
| 2.4.2 电压源信号的提取 |
| 2.4.3 多路信号巡回采集回路的设计 |
| 2.5 保护电路设计 |
| 2.6 本章小结 |
| 3 老化系统的计算机测试系统及软件开发 |
| 3.1 ZnO压敏电阻老化系统计算机测试系统的设计 |
| 3.2 ZnO压敏电阻老化系统的软件开发 |
| 3.2.1 软件实现的功能 |
| 3.2.2 数据分析处理 |
| 3.2.3 数据采集与处理主流程 |
| 3.2.4 数据存储与数据库设计 |
| 3.2.5 仪表界面设计 |
| 3.3 实验平台测试数据的校准 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 ZnO压敏电阻的热电特性 |
| 4.1 压敏电阻特性试验方法 |
| 4.2 压敏电阻的交、直流暂态特性试验 |
| 4.2.1 交、直流暂态试验结果 |
| 4.2.2 交、直流暂态特性试验结果分析 |
| 4.3 直流老化试验 |
| 4.3.1 直流老化试验结果 |
| 4.3.2 直流老化试验结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表论文及学术成果 |
| 致谢 |
（2）稀土氧化物及纳米氧化锌掺杂压敏材料的制备及机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 氧化锌压敏材料及其工程应用 |
| 1.1.1 压敏特性 |
| 1.1.2 氧化锌压敏材料及其工程应用 |
| 1.1.3 氧化锌压敏陶瓷在避雷器中的应用发展概况 |
| 1.2 氧化锌压敏阀片的国内外研究现状和发展趋势 |
| 1.2.1 制备工艺的发展概况 |
| 1.2.2 基础理论的研究进展 |
| 1.2.3 技术发展动态 |
| 1.3 氧化锌压敏阀片的研究中有待进一步解决的问题 |
| 1.4 本文的学术思路、研究目标及意义 |
| 1.4.1 本文的学术思路及研究目标 |
| 1.4.2 本研究的意义 |
| 1.5 本文的研究内容 |
| 1.6 本文的技术路线和研究方法 |
| 1.6.1 技术路线 |
| 1.6.2 研究方法 |
| 1.7 本文的创新点 |
| 1.7.1 采用稀土添加剂 |
| 1.7.2 原料采用部分纳米级粉料 |
| 2 材料的成分设计及实验方法 |
| 2.1 试样的成分设计 |
| 2.2 试样的制备 |
| 2.3 试样的宏观电性能测试 |
| 2.4 试样的微观组织结构分析 |
| 2.5 试样的X-射线光电子能谱(XPS)分析 |
| 3 氧化锌压敏阀片烧结工艺的参数优化 |
| 3.1 工艺设计 |
| 3.2 烧成温度参数优化及其对氧化锌压敏阀片电性能的影响 |
| 3.3 保温时间参数优化及其对氧化锌压敏阀片电性能的影响 |
| 3.4 升温方式参数优化及其对氧化锌压敏阀片电性能的影响 |
| 3.5 冷却方式参数优化及其对氧化锌压敏阀片电性能的影响 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 掺杂对氧化锌压敏阀片电性能的影响 |
| 4.1 稀土氧化物对氧化锌压敏阀片电性能的影响 |
| 4.1.1 Nd_2O_3对氧化锌压敏阀片电性能的影响 |
| 4.1.2 CeO_2对氧化锌压敏阀片电性能的影响 |
| 4.1.3 La_2O_3对氧化锌压敏阀片电性能的影响 |
| 4.1.4 Nd_2O_3、CeO_2、La_2O_3三种添加剂作用对比分析 |
| 4.2 纳米氧化锌对压敏阀片电性能的影响 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 掺杂氧化锌压敏阀片的显微组织结构 |
| 5.1 稀土掺杂氧化锌压敏阀片的显微组织结构 |
| 5.1.1 稀土掺杂氧化锌压敏阀片的断口形貌 |
| 5.1.2 稀土掺杂氧化锌压敏阀片的显微组织及成分分布 |
| 5.1.3 稀士掺杂氧化锌压敏阀片的晶粒大小统计分析 |
| 5.1.4 稀土掺杂氧化锌压敏阀片的物相分析 |
| 5.2 纳米氧化锌掺杂压敏阀片的显微组织结构 |
| 5.2.1 纳米氧化锌掺杂的压敏阀片的断口形貌 |
| 5.2.2 纳米氧化锌掺杂的压敏阀片的显微组织 |
| 5.2.3 纳米氧化锌掺杂的压敏阀片的晶粒大小统计分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 掺杂氧化锌压敏阀片的X-射线光电子能谱(XPS)分析 |
| 6.1 稀土掺杂氧化锌压敏阀片的XPS分析 |
| 6.2 纳米氧化锌掺杂的压敏阀片的XPS分析 |
| 6.3 本章小结 |
| 7 掺杂对氧化锌压敏阀片电性能的作用机制分析 |
| 7.1 稀土氧化物对氧化锌压敏阀片电性能的作用机制分析 |
| 7.2 纳米氧化锌对压敏阀片电性能的作用机制分析 |
| 7.3 本章小结 |
| 8 氧化锌压敏阀片最佳稀土掺杂量的数学模型及理论计算式 |
| 9 氧化锌压敏阀片导电模型的计算机模拟 |
| 9.1 氧化锌压敏阀片的伏-安特性 |
| 9.2 氧化锌压敏阀片导电的双肖特基势垒模型 |
| 9.3 氧化锌压敏阀片导电模型的计算机模拟在FLASH中的实现 |
| 9.4 本章小结 |
| 10 结论 |
| 参考文献 |
| 作者在读期间科研成果简介 |
| 声明 |
| 致谢 |
（3）氧化锌压敏电阻电输运特性及大通流器件设计研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 压敏电阻发展概况 |
| 1.2 氧化锌压敏电阻基本特性 |
| 1.2.1 ZnO压敏电阻电性能及基本概念 |
| 1.2.1.1 压敏电压 |
| 1.2.1.2 压敏电阻非线性系数 |
| 1.2.1.3 通流值 |
| 1.2.1.4 漏电流 |
| 1.2.1.5 能量耐量 |
| 1.2.2 ZnO压敏电阻晶相与结构 |
| 1.2.3 ZnO压敏电阻制备工艺 |
| 1.2.4 ZnO压敏电阻的应用和发展 |
| 1.3 氧化锌压敏电阻研究动态 |
| 1.3.1 ZnO压敏电阻相关机理研究现状 |
| 1.3.2 ZnO压敏电阻的蜕化 |
| 1.3.3 ZnO压敏电阻器件发展现状 |
| 1.3.4 ZnO压敏电阻发展方向预测 |
| 1.4 论文的选题和研究内容 |
| 1.4.1 大通流ZnO压敏电阻研制难点及意义 |
| 1.4.2 压敏电阻界面电输运研究 |
| 1.4.3 ZnO压敏电阻界面电输运研究意义 |
| 1.5 论文的研究路线和内容 |
| 1.5.1 论文采取的技术路线 |
| 1.5.2 论文研究内容 |
| 1.5.3 课题来源 |
| 第二章 ZnO压敏电阻非线性导电机理研究 |
| 2.1 前言 |
| 2.2 ZnO压敏电阻中的界面态 |
| 2.2.1 界面氧分析 |
| 2.2.2 掺杂离子的偏析 |
| 2.2.3 界面分析小结 |
| 2.3 对双肖特基势垒中的陷阱态的研究 |
| 2.3.1 光电子能谱(XPS)价带测试 |
| 2.3.2 XPS分析界面陷阱态 |
| 2.3.3 阴极荧光谱分析 |
| 2.3.4 陷阱态的Poisson方程推导 |
| 2.4 ZnO压敏电阻蜕化过程 |
| 2.4.1 ZnO压敏电阻脉冲作用下蜕化和失效 |
| 2.5 大通流与材料结构关系 |
| 2.5.1 提高ZnO压敏电阻通流量问题 |
| 2.5.1.1 提高结构均匀性 |
| 2.5.1.2 成分均匀性 |
| 2.5.1.3 电流密度分布均匀性的影响 |
| 2.5.2 ZnO压敏电阻通流能力设计 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 纳米材料对器件的影响 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 纳米复合粉体 |
| 3.2.1 纳米复合粉体的制备及表征 |
| 3.2.2 对压敏电阻通流能力的影响 |
| 3.2.3 小结 |
| 3.3 纳米氧化铋 |
| 3.3.1 纳米氧化铋的制备及表征 |
| 3.3.2 波谱分析(WDS)简介 |
| 3.3.3 氧化铋在氧化锌压敏电阻中分布 |
| 3.3.4 纳米氧化铋对压敏电阻器通流能力的影响 |
| 3.3.5 纳米材料器件电蜕化分析 |
| 3.3.6 小结 |
| 3.4 液相掺杂法 |
| 3.4.1 Co和Mn掺杂材料对压敏电阻性能的影响 |
| 3.4.2 液相掺杂实验 |
| 3.4.3 电学性能比较 |
| 3.4.4 结果分析 |
| 3.4.5 小结 |
| 3.5 三种方式制备压敏电阻性能比较 |
| 3.5.1 实验方法 |
| 3.5.2 结果分析 |
| 3.5.3 显微结构均匀性对压敏电阻电性能的影响 |
| 3.5.4 大电流冲击下压敏电阻蜕化讨论 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 ZnO压敏电阻微波烧结 |
| 4.1 前言 |
| 4.1.1 烧结过程的能量和物质的传递 |
| 4.1.1.1 烧结过程的能态分析 |
| 4.1.1.2 烧结推动力 |
| 4.1.1.3 传质的基本关系式——Kelvin方程 |
| 4.1.1.4 ZnO压敏电阻具有液相烧 |
| 4.2 微波烧结分析 |
| 4.2.1 微波烧结原理 |
| 4.2.2 微波烧结特点 |
| 4.2.3 微波烧结机理研究 |
| 4.2.4 微波烧结工艺问题 |
| 4.3 实验部分 |
| 4.3.1 微波烧结步骤与方法 |
| 4.3.2 微波与微波等离子烧结升温曲线 |
| 4.4 实验结果与讨论 |
| 4.4.1 等离子烧结特点 |
| 4.4.2 微波、等离子烧结对压敏电阻形貌的影响 |
| 4.4.3 微波等离子烧结时间的确定 |
| 4.4.4 压敏电阻微波等离子烧结固相反应分析 |
| 4.4.5 微波等离子烧结对压敏电阻电性能的影响 |
| 4.4.6 微波等离子烧结均匀性研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 ZnO压敏电阻中氧元素研究 |
| 5.1 前言 |
| 5.1.1 过渡金属氧化物中的原子价控制电导 |
| 5.1.2 过渡金属氧化物中的跳跃电导 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 实验步骤与方法 |
| 5.2.2 分析检测 |
| 5.3 ZnO电导率与烧结氧分压关 |
| 5.4 氧分压对晶界电阻率的影响 |
| 5.4.1 ZnO压敏电阻界面电阻率分析 |
| 5.4.2 界面上氧浓度的变化对ZnO压敏电阻器件性能影响 |
| 5.5 低氧分压退火器件稳定性研究 |
| 5.5.1 烧结降温速度与漏电流关系 |
| 5.5.2 退火过程氧缺陷的扩散和化学反应研究 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 本论文创新之处 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 发表文章 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（4）ZnO压敏电阻残压比的影响因素分析（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 残压比影响机制 |
| 2 数值仿真模型 |
| 3 残压比影响因素分析 |
| 4 低残压比ZnO压敏电阻研究路线 |
| 5 结论 |
（5）稀土氧化物掺杂改性氧化锌压敏电阻的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 ZnO压敏电阻的研究进展 |
| 1.2.1 ZnO压敏电阻发展历程 |
| 1.2.2 导电机理 |
| 1.2.3 老化机理 |
| 1.2.4 添加剂 |
| 1.2.5 制备工艺技术研究进展 |
| 1.3 ZnO压敏电阻的应用及发展趋势 |
| 1.3.1 应用 |
| 1.3.2 发展趋势 |
| 1.4 本文研究目的、意义和内容 |
| 1.4.1 研究目的和意义 |
| 1.4.2 本课题的研究内容 |
| 第二章 ZnO压敏电阻的理论基础 |
| 2.1 ZnO压敏电阻的结构 |
| 2.1.1 ZnO压敏电阻的基本结构 |
| 2.1.2 ZnO晶体的能带结构 |
| 2.2 ZnO 压敏电阻的特性及性能参数 |
| 2.2.1 ZnO压敏电阻I-V特性 |
| 2.2.2 常用性能参数 |
| 第三章 材料设计与测试 |
| 3.1 材料组成设计 |
| 3.1.1 原材料 |
| 3.1.2 材料配方组成 |
| 3.2 实验设备及制备工艺 |
| 3.2.1 实验设备 |
| 3.2.2 制备工艺 |
| 3.3 性能检测 |
| 3.3.1 体积密度和吸水率 |
| 3.3.2 试样电性能和微观组织结构测试 |
| 第四章 稀土氧化物对 ZnO-Bi_20_3 系压敏电阻性能及微观结构的影响 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 稀土氧化物掺杂对压敏电阻性能的影响 |
| 4.2.1 掺杂Y_20_3、Er_20_3 对压敏电阻物理性能的影响 |
| 4.2.2 掺杂Y_20_3、Er_20_3 对压敏电阻电性能的影响 |
| 4.3 稀土氧化物掺杂对ZnO 压敏电阻微观结构的影响 |
| 4.3.1 Y_20_3、Er_20_3 掺杂对晶相组成的影响 |
| 4.3.2 Y_20_3、Er_20_3 掺杂对显微结构的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 掺杂 Y_20_3 的氧化锌压敏电阻晶粒生长研究 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 实验方法及数据处理 |
| 5.2.1 生坯的制备 |
| 5.2.2 物料综合热分析 |
| 5.2.3 数据处理 |
| 5.3 试样的物理性能 |
| 5.4 ZnO 晶粒生长动力学研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 稀土氧化物掺杂ZnO-Pr_60_(11)系压敏电阻的研究 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 实验过程 |
| 6.2.1 样品的制备 |
| 6.2.2 试样性能和微观结构测试 |
| 6.3 Ce0_2 掺杂的镨系ZnO压敏电阻的物相分析 |
| 6.4 Ce0_2 掺杂的镨系ZnO压敏电阻的结构分析 |
| 6.5 Ce0_2 掺杂对镨系ZnO压敏电阻性能的影响 |
| 6.6 ZnO-Pr_60_(11)系压敏电阻工艺过程探讨 |
| 6.6.1 球磨液体介质对料浆的影响 |
| 6.6.2 成型过程的影响因素 |
| 6.6.3 烧结速率对试样的影响 |
| 6.7 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 A 攻读学位期间发表的学术论文 |
（7）高压梯度ZnO压敏电阻器的配方及制备工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 压敏电阻器的发展 |
| 1.2 选题的确定 |
| 1.2.1 课题的意义 |
| 1.2.2 实验方案的确定 |
| 第二章 压敏电阻器产品类型及技术现状 |
| 2.1 TiO2基压敏电阻器 |
| 2.2 SrTiO3压敏电阻器 |
| 2.3 微型压敏电阻器 |
| 2.4 低压压敏电阻器 |
| 2.5 多层片式压敏电阻器 |
| 2.6 SnO2压敏电阻器 |
| 2.7 高压交直流 ZnO 压敏电阻器 |
| 2.7.1 交流高压 ZnO 压敏电阻器 |
| 2.7.2 直流高压 ZnO 压敏电阻器 |
| 第三章 氧化锌压敏电阻器的基本理论 |
| 3.1 氧化锌简介 |
| 3.1.1 ZnO 晶体结构 |
| 3.1.2 ZnO 能带结构 |
| 3.1.3 ZnO 缺陷结构 |
| 3.1.4 ZnO 压敏电阻器的晶相和结构 |
| 3.2 氧化锌压敏电阻器的机理 |
| 3.2.1 工作机理 |
| 3.2.2 导电机理 |
| 3.2.2.1 机理研究发展历程 |
| 3.2.2.2 双 Schottky 势垒模型 |
| 3.2.3 老化机理 |
| 3.3 氧化锌压敏电阻器电学性能 |
| 3.3.1 电学性能简介 |
| 3.3.2 电学性能参数 |
| 3.4 氧化锌压敏电阻器制备工艺 |
| 3.4.1 制备工艺简介 |
| 3.4.2 溶胶-凝胶法 |
| 3.4.2.1 Sol-Gel 简介 |
| 3.4.2.2 Sol-Gel 的原理 |
| 3.4.2.3 Sol-Gel 的特点 |
| 第四章 实验过程及结果分析 |
| 4.1 配方体系的优化 |
| 4.1.1 正交试验设计方法简介 |
| 4.1.2 正交试验因素的选择 |
| 4.1.3 实验结果及分析 |
| 4.2 制备工艺研究 |
| 4.2.1 溶胶态复合添加剂制备 ZnO 压敏电阻器 |
| 4.2.1.1 溶胶态复合添加剂的制备原理介绍 |
| 4.2.1.2 CoMnBiNi 溶胶态复合添加剂的制备 |
| 4.2.1.3 工艺过程的选择 |
| 4.2.1.4 制备 ZnO 压敏电阻器 |
| 4.2.2 元件测试结果分析 |
| 4.2.3 表征结果 |
| 4.2.3.1 X 射线衍射(XRD) |
| 4.2.3.2 X 荧光能谱(XRF) |
| 4.2.3.3 TG-DTA |
| 4.2.3.4 扫描电镜(SEM) |
| 4.2.4 表征结果分析 |
| 4.2.5 锡溶胶制备 |
| 4.3 CASTEP 仿真 |
| 4.3.1 构建模型和计算方法 |
| 4.3.2 结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（8）多脉冲雷击下ZnO压敏电阻的电流热效应研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究目的和意义 |
| 1.2 国内外研究进展 |
| 1.2.1 单脉冲下ZnO压敏电阻特性的研究进展 |
| 1.2.2 多脉冲雷电流特性的研究进展 |
| 1.2.3 多脉冲下ZnO压敏电阻特性的研究进展 |
| 1.3 问题的提出 |
| 1.4 研究内容和章节安排 |
| 1.4.1 研究内容 |
| 1.4.2 章节安排 |
| 第二章 多脉冲雷电冲击实验简述及耐受冲击能力研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验平台的搭建 |
| 2.2.1 基本原理和电路 |
| 2.2.2 设备技术参数 |
| 2.2.3 脉冲触发系统的研制 |
| 2.2.4 冲击电流模拟 |
| 2.3 实验模型的建立 |
| 2.3.1 冲击实验脉冲波形 |
| 2.3.2 冲击实验流程 |
| 2.4 多脉冲下ZnO压敏电阻的耐受冲击能力研究 |
| 2.4.1 威布尔分布模型 |
| 2.4.2 ZnO压敏电阻的多脉冲冲击寿命分布 |
| 2.4.3 ZnO压敏电阻损坏形式 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 多脉冲下ZnO压敏电阻冲击热损坏特性与机理分析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 多脉冲下ZnO压敏电阻破坏机理 |
| 3.2.1 ZnO压敏电阻的温升特性 |
| 3.2.2 热应力对ZnO压敏电阻冲击寿命的影响 |
| 3.2.3 ZnO压敏电阻非均匀性对能量吸收能力的影响 |
| 3.3 动作负载下ZnO压敏电阻的热损坏特性 |
| 3.3.1 工频负载下冲击损坏及失效模式 |
| 3.3.2 起火燃烧失效机理分析 |
| 3.4 不同环境多脉冲下ZnO压敏电阻的热损坏特性研究 |
| 3.4.1 实验方案设计 |
| 3.4.2 不同环境条件下ZnO压敏电阻热损坏特性对比分析 |
| 3.4.3 特殊环境条件下的ZnO压敏电阻热损坏机理 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 多脉冲下ZnO压敏电阻的微观损坏特性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 ZnO压敏电阻的基本微观特性分析 |
| 4.3 不同种类ZnO压敏电阻的微观晶界结构和材料特性 |
| 4.3.1 A类ZnO压敏电阻微观特性分析 |
| 4.3.2 B类ZnO压敏电阻微观特性分析 |
| 4.3.3 C类ZnO压敏电阻微观特性分析 |
| 4.4 ZnO压敏电阻的微观劣化机理 |
| 4.4.1 基于线性链理论的损坏机理 |
| 4.4.2 ZnO压敏电阻晶粒结构的蜕变 |
| 4.4.3 ZnO压敏电阻的晶相材料变化 |
| 4.5 基于BP神经网络的多脉冲下ZnO压敏电阻温升预测 |
| 4.5.1 微观晶界参数与温升之间的关系 |
| 4.5.2 BP神经网络 |
| 4.5.3 ZnO压敏电阻温升的神经网络模拟 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 多脉冲波形参数对ZnO压敏电阻老化特性的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 等幅值电流冲击下ZnO压敏电阻的电性能参数变化 |
| 5.2.1 非线性特性变化 |
| 5.2.2 压敏电压和泄漏电流变化 |
| 5.3 多脉冲波形参数对ZnO压敏电阻老化特性的影响分析 |
| 5.3.1 脉冲间隔对ZnO压敏电阻老化特性的影响 |
| 5.3.2 脉冲数量对ZnO压敏电阻老化特性的影响 |
| 5.4 不同波形参数与ZnO压敏电阻的温升关系 |
| 5.4.1 脉冲数量对表面温升的影响 |
| 5.4.2 脉冲间隔和冲击次数对表面温升的影响 |
| 5.5 基于等效能量的不同波形冲击下ZnO压敏电阻老化特性 |
| 5.5.1 多脉冲电流和单脉冲8/20μs电流等效能量换算 |
| 5.5.2 多脉冲和等效能量单脉冲下ZnO压敏电阻冲击结果分析 |
| 5.6 多脉冲下ZnO压敏电阻老化机理 |
| 5.6.1 离子迁移引起的肖特基势垒畸变 |
| 5.6.2 多脉冲下ZnO压敏电阻能量叠加累积效应 |
| 5.6.3 单脉冲和多脉冲老化规律差异性原因分析 |
| 5.7 本章小结 |
| 第六章 ZnO压敏电阻等效电路模拟与提高多脉冲雷电防护措施 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 ZnO压敏电阻等效电路模型的建立 |
| 6.2.1 ZnO压敏电阻微观晶界结构仿真 |
| 6.2.2 ZnO压敏电阻晶界等效电路模型 |
| 6.2.3 流过ZnO压敏电阻的微观电流和焦耳热模拟 |
| 6.3 ZnO压敏电阻等效电路模拟结果分析 |
| 6.3.1 微观结构非均匀性对ZnO压敏电阻能量吸收能力的影响 |
| 6.3.2 微观电性能非均匀性对ZnO压敏电阻能量吸收能力的影响 |
| 6.4 ZnO压敏电阻微观晶界结构改进方法 |
| 6.5 多脉冲下SPD短路失效专用脱离器 |
| 6.5.1 外置脱离器与SPD非线性元件的参数配合 |
| 6.5.2 SPD专用短路电流脱离器 |
| 6.6 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 论文的特色与创新点 |
| 7.3 讨论与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
（9）压敏型电涌保护器的劣化性能及检测方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 电涌保护器的雷电冲击劣化性能研究进展 |
| 1.2.2 压敏型电涌保护器检测方法的研究进展 |
| 1.3 论文研究内容 |
| 1.4 论文组织结构 |
| 第二章 压敏型电涌保护器的劣化机理及特性概述 |
| 2.1 ZnO压敏电阻的微观结构 |
| 2.2 ZnO压敏电阻的劣化机理及双肖特基势垒导电理论 |
| 2.3 ZnO压敏电阻的V-I特性 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 电涌保护器性能测试平台 |
| 3.1 冲击电流发生器 |
| 3.1.1 冲击电流发生器的原理 |
| 3.1.2 冲击电流发生器电流幅值的调节 |
| 3.2 组合波冲击发生器 |
| 3.2.1 组合波的定义及参数 |
| 3.2.2 组合波冲击发生器的原理 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 多脉冲雷电冲击下压敏型电涌保护器的劣化实验研究 |
| 4.1 多脉冲雷电冲击平台 |
| 4.2 实验器材以及实验判定标准 |
| 4.2.1 实验器材 |
| 4.2.2 实验判定标准 |
| 4.3 实验方案以及实验数据 |
| 4.3.1不同脉冲间隔的对比实验 |
| 4.3.2不同脉冲数量的对比实验 |
| 4.3.3不同脉冲幅值的对比实验 |
| 4.4 实验结果分析比较 |
| 4.4.1 耐受性能 |
| 4.4.2 电性能 |
| 4.4.3 热性能 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 多脉冲冲击下压敏型电涌保护器的参数预测模型研究 |
| 5.1 基于遗传算法的漏电流拟合模型 |
| 5.1.1 遗传算法拟合建模原理 |
| 5.1.2 建模结果分析 |
| 5.2 基于瞬态热阻抗模型的电涌保护器能量分析 |
| 5.2.1 压敏型电涌保护器的能量吸收特性 |
| 5.2.2 瞬态热阻抗模型 |
| 5.3 基于BP神经网络的温度分布模型 |
| 5.3.1 神经网络模型 |
| 5.3.2 BP神经网络 |
| 5.3.3 建模结果分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 压敏型电涌保护器的漏电流检测方法研究 |
| 6.1 低压系统中压敏型电涌保护器的检测方法 |
| 6.1.1 低压电涌保护器测试仪的硬件系统设计 |
| 6.1.2 系统测试数据 |
| 6.2 高压系统中压敏型电涌保护器的在线检测方法 |
| 6.2.1 等效电路模型 |
| 6.2.2 经典的阻性电流提取算法 |
| 6.2.3 改进的移相电流法 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（10）8/20μs电流冲击作用下ZnO压敏电阻特性变化的分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究目的及意义 |
| 1.2 国内外发展现状 |
| 1.2.1 ZnO压敏电阻宏观电容量研究现状 |
| 1.2.2 ZnO压敏电阻残压比研究现状 |
| 1.2.3 ZnO压敏电阻交流老化特性的研究现状 |
| 1.2.4 ZnO压敏电阻老化性能研究现状 |
| 1.3 论文的研究内容及安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 8/20μs电流冲击对ZnO压敏电阻宏观电容量的影响 |
| 2.1 氧化锌压敏电阻宏观电容量 |
| 2.1.1 基于砖块模型的宏观电容量计算方法 |
| 2.1.2 宏观电容量与阻性电流的关系 |
| 2.2 ZnO压敏电阻导电机理 |
| 2.2.1 微观结构 |
| 2.2.2 晶界势垒模型 |
| 2.2.2.1 低电场区域的导电机理 |
| 2.2.2.2 中电场区域的导电机理 |
| 2.2.2.3 高电场区域的导电机理 |
| 2.2.3 氧化锌压敏电阻片的老化劣化机理 |
| 2.2.3.1 直流老化机理 |
| 2.2.3.2 交流老化机理 |
| 2.2.3.3 冲击老化机理 |
| 2.3 8/20μs电流冲击后ZnO压敏电阻宏观电容量随时间变化特性 |
| 2.3.1 研究目的 |
| 2.3.2 试验样品及设备 |
| 2.3.3 冲击老化试验过程 |
| 2.3.4 实验结果及其分析 |
| 2.3.4.1 冲击老化实验结果 |
| 2.3.4.2 分析与讨论 |
| 2.3.5 结论 |
| 2.4 8/20μs电流冲击后ZnO压敏电阻宏观电容量老化特性的变化 |
| 2.4.1 宏观电容量与压敏电压U_(1mA)的关系 |
| 2.4.2 试验样品与设备 |
| 2.4.3 8/20μs电流冲击试验过程与注意事项 |
| 2.4.4 标称冲击电流(I_n)试验 |
| 2.4.5 最大冲击电流(I_(max))试验 |
| 2.4.6 结论 |
| 2.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 8/20μs电流冲击后ZnO压敏电阻残压比的变化 |
| 3.1 残压比的研究意义 |
| 3.1.1 残压比的影响因素 |
| 3.2 实验方案及结果分析 |
| 3.2.1 实验试样与测试设备 |
| 3.2.2 标称电流(I_n)冲击老化实验 |
| 3.2.3 最大电流(I_(max))冲击老化实验 |
| 3.3 结论 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 8/20μs电流冲击对ZnO压敏电阻交流老化特性的影响 |
| 4.1 ZnO压敏电阻交流老化特性的研究意义 |
| 4.1.1 ZnO压敏电阻的特性参数 |
| 4.2 实验方案 |
| 4.2.1 实验试样与测试设备 |
| 4.2.2 冲击老化实验 |
| 4.2.3 交流老化实验 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 冲击后样品静态参数的变化 |
| 4.3.2 交流老化后样品静态参数的变化 |
| 4.4 结论 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 总结 |
| 作者简介 |
| 致谢 |
四、ZnO压敏电阻片导电模型的实验探讨（论文参考文献）
- [1]氧化锌压敏电阻热电特性的研究[D]. 何群. 西安建筑科技大学, 2019(06)
- [2]稀土氧化物及纳米氧化锌掺杂压敏材料的制备及机理研究[D]. 严群. 四川大学, 2003(02)
- [3]氧化锌压敏电阻电输运特性及大通流器件设计研究[D]. 禹争光. 电子科技大学, 2005(07)
- [4]ZnO压敏电阻残压比的影响因素分析[J]. 胡军,龙望成,何金良,刘俊. 高电压技术, 2011(03)
- [5]稀土氧化物掺杂改性氧化锌压敏电阻的研究[D]. 洪秀成. 长沙理工大学, 2009(02)
- [6]ZnO压敏电阻片的基础研究和技术发展动态[J]. 李盛涛. 电瓷避雷器, 1998(03)
- [7]高压梯度ZnO压敏电阻器的配方及制备工艺研究[D]. 郑文奎. 西安电子科技大学, 2013(01)
- [8]多脉冲雷击下ZnO压敏电阻的电流热效应研究[D]. 张春龙. 南京信息工程大学, 2020(01)
- [9]压敏型电涌保护器的劣化性能及检测方法研究[D]. 盛沨. 南京信息工程大学, 2019(03)
- [10]8/20μs电流冲击作用下ZnO压敏电阻特性变化的分析[D]. 陈璞阳. 南京信息工程大学, 2015(01)