一、HMMC中虚孤子对非共振X~((3))的贡献(论文文献综述)
曹高清[1](2015)在《磁场和手征化学势对费米系统中相变的影响》文中提出高能核物理中,受近年来手征磁效应研究的启发和在格点量子色动力学计算中反常磁场效应发现的激发,人们在色动力学相变的研究中越来越多地考虑磁场和手征化学势的效应。这方面的研究,一方面可以增进对目前已知结果的理解,另一方面也可以加深人们对这些物理量的效应的全面认识。本论文着眼于实际研究的需要以及个人研究的兴趣,全面讨论了磁场和手征化学势对手征相变、π超流相变和色超导相变的影响。其中,对于磁场下带电荷的π超流相变和色超导相变的研究,我们分别采用金斯堡-朗道展开方法和“旋转”磁场的办法简化问题的讨论。另外,因为之前手征化学势的效应的讨论比较少,我们还系统地讨论了在不同维度下它对手征恢复相变以及集体模式的影响。从计算结果来看,手征凝聚和色凝聚都随着磁场的增大而增大(磁催化效应),但是π超流会随磁场增大而更不容易存在(反磁催化效应)。随着手征化学势的增大,手征凝聚、π凝聚和色凝聚都会增大,这是因为他们都是相同手性粒子(或正反粒子)之间的凝聚。如果同时考虑磁场和手征化学势,则会产生有趣的dHvA振荡效应——这种效应的产生不仅与相变的类型有关,还与研究的维度有关。不同维度下,手征化学势的存在总是更有利于手征凝聚的产生的——只要吸引的耦合常数不为零,非零的手征化学势必然意味着非零的手征凝聚,这与磁场的效应很相似。除此之外,论文还讨论了高密时色超导中晶体结构的LOFF态的存在以及密度和磁场对2+1维系统拓扑相变的影响。我们利用小矩阵近似的方法较准确地得到:在传统的LO态到正常态的相变点附近,体立方结构的序参数更容易存在。对于BCS-BEC拓扑相变,利用非相对论的有限温度场论方法研究发现:集体激发模式的声速对应于热力学势的二级偏导,同样是可以反映拓扑相变的行为的。磁场下Kosterlits-Thouless相变的研究很复杂,但是利用Ritus方法最终可以写出考虑了手征化学势后的能隙方程和相位刚度的显式表达式;研究表明:单独的磁场会增大Kosterlits-Thouless相变的温度,但是进一步考虑手征化学势后相变温度随磁场会出现一个低谷——这同样是dHvA振荡效应。
刘晓娜[2](2013)在《量子点分子的光学非线性》文中研究指明纳米加工工艺的不断发展不仅提高了纳米结构的质量而且极大地扩展了低维受限系统的结构,量子点分子的出现,为人们研究通过局部控制结构的组分和纳米颗粒间的距离来调节能级受限度和耦合强度提供了一种工具,量子点分子本身具有不同于传统分子的特殊的性质,使其在光信息存储、光通讯、光学测量、新型光电子器件等光学领域和量子信息方面备受关注,成为近些年研究的热点。本文主要采用有效质量近似、旋转波近似、Born-Oppenheimer近似、传输矩阵以及局域场理论等方法研究和探讨了两个纳米颗粒组成的量子点分子在激光场作用下的光学非线性效应。引言部分我们介绍了目前量子点分子的研究进展,并在此基础上提出本论文的主要工作思路。第二章重点介绍了非线性光学极化率的微扰理论和密度矩阵方法并指出了这些方法的优点和缺点以及适用范围,我们选取了参量过程和非参量过程中一些代表性的光学效应进行了详细的描述。第三章介绍了量子点分子理论模型和计算方法。本文的具体研究工作主要为:1.在非对称结构中基于二能级模型,利用旋转波近似,引入密度矩阵的变量代换,求解密度矩阵方程,经过计算,得到了四个不同频率的光相互作用时的一阶、二阶和三阶密度矩阵元,根据极化理论最终得到了三阶极化率的解析表达式。这一表达式可以预测非线性极化率的数值以及显示了极化率对于系统的一些特征参数的参量相关。2.单频光入射到纵向堆栈的双量子点分子时,在单电子隧穿和偶极-偶极相互作用的耦合原理上,我们采用半经典理论,在有效质量近似和绝热近似的条件下利用传输矩阵的方法求解双量子点分子的本征问题。从密度矩阵出发,忽略高次谐波和非共振项可得三阶密度矩阵元,在此理论基础上我们重点讨论了当入射光强达到一定值时纵向耦合的双量子点分子中的非参量进程:发生于分子1s成键态到1s反键态之间的饱和吸收效应。研究表明饱和吸收效应的出现和半高宽强烈地依赖于分子的几何结构参数和入射光强,在一定的范围内,两个量子点之间的距离越大,发生饱和吸收越容易,饱和强度也变大,并且入射光越强,饱和吸收也会越明显;当上下量子点的尺寸半径比较接近,或者两个量子盘的厚度较薄时,吸收峰发生红移,饱和吸收带出现在THz频域,并且我们注意到在高入射光强下,饱和吸收光谱被强烈地漂白,吸收峰被展宽。饱和吸收现象只能发生在量子点分子强耦合区域,这一区域通过量子点之间的距离来表征,在本文所选的参数范围内数值是4.0nm~15.4nm,饱和强度为0.7~1.2MW/cm2。计算结果与相关的实验数据相吻合,介质的弛豫对于饱和吸收效应也有一定的影响。饱和吸收光谱可以消除多普勒加宽,这部分研究在信息存储和光学测量方面有一定的参考价值。3.研究了激光场作用下杂化结构分子中的非线性光学性质。利用单带有效质量理论求解Schrodinger方程得到载流子的能级结构,金属纳米颗粒(MNP)中的等离子体共振放大了SQD内部所感受到的电场,应予于区分有效场与宏观场,为此在我们所研究的杂化系统模型中引入局域场理论,考虑了金属纳米颗粒(MNP)的多极极化(N=10)作用,在二能级模型系统中通过求解光学Bloch方程得到局域场因子和上下能级粒子数差的解析表达式,从理论上详细地探讨了微观参量和电场极化方向对于杂化结构中参量过程:三次谐波(THG)效应和四波混频(FWM)效应的影响。(a).对杂化系统中THG效应进行理论分析和数值计算时选择核壳CdSe/ZnS量子点中阱内1p态和阱外1s态为两个跃迁能级。研究表明:相比于裸量子点时的情况下,电场的极化方向影响|χTHG(3)|幅值的大小和共振峰的位置,这主要是由自相互作用造成的。当电场极化平行于系统主轴时,随着两个纳米颗粒之间距离的增大,最优距离R0将会出现,并且最优距离随着量子点尺寸的增大而减小;类似的,MNP的尺寸也存在一个最优半径使得|χTHG(3)|的幅值达到最大且最优半径随着量子点壳层半径的增大而减小,极化率的强度随之增加,然而对于核半径增大时来说情况是相反的,即最优半径随着核半径的增大而增大,极化率的强度随之减小。(b).其次我们考虑了激光场作用下杂化系统中的激子-等离子体耦合作用,在MNP局域和非局域光学响应条件下,选择核壳量子点中的激子基态和激子第一激发态为跃迁的两个能级,详细地讨论了杂化系统中的FWM响应。研究表明:MNP的多极极化对共振峰的位置有极大的影响。通过控制杂化系统的几何参数和电场的极化方向可使非线性效应得到明显的增强。电场极化沿着z轴时非线性效应增强,杂化结构中的FWM响应曲线有一个很强的吸收带出现;当电场垂直于z轴时,非线性效应减弱,两种情况下的数量级之比约为100,与已有的实验结果是基本吻合的。MNP尺寸的增加,使得中心频率红移,与电场极化的方向无关。此外,极化平行于系统主轴时,尺寸较大的SQD中的吸收明显地增强了约4.75倍,当两个纳米颗粒之间表面距离大于80nm时,SQD和MNP之间的相互作用基本消失。通过计算发现当FWM响应表现的比较强时,应该考虑非局域效应。最后,研究了两个入射光频率的失谐量对于非线性响应的影响。我们的计算结果显示这一结构除了在量子信息领域中发挥着重要作用外,在光学开关和光传输领域中也有巨大的潜力。本文的研究对于纳米结构的设计和制造、优化和预测非线性光学性质等起到了一定的指导作用。
周海春[3](2012)在《金属—分布式布拉格反射镜结构中的光学Tamm态》文中研究说明光学Tamm态(OTS)是由固体物理中的Tamm态类比而来,由A. V. Kavokin等人于2005年首次提出。固体物理中的Tamm态指的是一种电子局域表面态,而OTS是一种界面模,即与OTS相应的增强的场局域在两不同材料的分界面处。OTS广泛的存在于一维光子晶体异质结和金属-分布式Bragg反射镜(DBR)结构中。与传统的表面模相比,OTS可由TE或TM偏振光直接激发,无需特定的入射角,即使是在垂直入射情形下也可以激发。在反射谱中,OTS与光子带隙范围内尖锐的反射dip相联系,具有较窄的半高谱宽,可用于滤波器及高灵敏度传感器的设计。此外,OTS还在极化激元激光器(有腔或无腔)、光开关、增强的Faraday旋转与增强的Kerr效应等领域有着潜在的或实际的应用价值,因此对OTS的研究在近年来倍受关注。本论文以含金属薄膜的平面半导体结构为研究对象,基于传输矩阵方法,理论揭示了多重光学Tamm态的存在,发现了由本征能量相同的两OTS耦合所导致的模的劈裂现象,探讨了由OTS与量子阱激子的强相互作用所形成的Tamm等离子体极化激元(TPP)的特性及伴随的Rabi劈裂现象。论文的主要创新点如下:(1)平面波垂直入射到金属-DBR结构中,通过改变与金属银薄膜相邻电介质层(top layer)的厚度,发现反射谱中光子带隙范围内出现了多个反射dip。进一步研究发现,这些反射dip是由金属-top layer界面处不同本征能量的OTS的激发所造成的。OTS的本征能量主要依赖于top layer的厚度并随着top layer厚度的变化在带隙范围内连续可调。在特定的波长下,OTS随着top layer厚度的变化而周期性的出现。并给出了在实验上比较易于观测到该结构中OTS的金属银薄膜的厚度范围。最后指出多重光学Tamm态可应用于光通讯系统中多通道滤波器的设计。’(2)将两个金属-DBR结构通过金属薄膜连接在一起用于研究两OTS的耦合作用,合理的设计与金属薄膜相邻的两电介质层的厚度,使得在金属薄膜两侧界面处激发的OTS的本征能量相同。发现在反射谱中光子带隙范围内存在着模的劈裂现象,劈裂成高能量分支(HEB)和低能量分支(LEB),且劈裂的能量随着金属银薄膜厚度的减小而增大。依据电场在该结构中的空间分布,我们指出HEB和LEB并非与两个独立的OTS相对应,而是分别对应于两OTS的反对称耦合和对称耦合。HEB和LEB的差频处于宽广的太赫兹范围内,且随着金属银薄膜厚度的变化连续可调,可应用于太赫兹发射装置的设计。(3)研究了含量子阱工作物质的金属-DBR结构中OTS与量子阱激子间的相互作用。通过改变金属银薄膜的厚度来调节OTS的本征频率,当OTS的频率与量子阱激子的频率相近时,OTS与激子的强相互作用形成TPP,并分裂成高能量TPP分支和低能量TPP分支,在反射谱中则呈现出明显的反交叉现象。改变量子阱在与金属相邻的电介质层top layer中的位置,发现Rabi劈裂能量随量子阱位置的变化在空间上呈周期性的振荡。量子阱处在top layer中电场的波腹位置处,Rabi劈裂能量达最大值;而在电场的波节位置处,量子阱激子没能被有效激发,Rabi劈裂现象消失。在斜入射情形下,产生Rabi劈裂时,激子的频率存在着蓝移。
华芳霞[4](2008)在《对于求解非线性微分方程的若干渐近法的研究》文中研究说明在研究现有的几种求解线性和非线性方程的渐近法的基础上,将其用来求解非线性微分方程。对于非线性问题的研究,很多方法局限于弱非线性方程的求解上,而对于求解强的非线性问题的方法并不多。根据近年来对非线性问题的不同研究方法及不同的方程来计算分析各个方法的优劣,对以前未能求解的一些方程运用合适的渐近法给出渐近解,从而为大部分不同类非线性微分方程的求解提供统一的、有效的解法。另外,通过对所得解的性质分析讨论解的各种物理形态并做出误差估计。采用渐近法的理论,包括欧拉-拉格朗日方程方程、变分理论、里茨法等基础知识,借鉴何吉欢教授的研究成果,采用类似的方法,结合实际例子,同时参考其它关于非线性微分方程的求解方法及理论对一些非线性偏微分方程给出有意义的新解。通过利用何吉欢教授提出的变分近似法、变分迭代法、凑合反推法及指数函数法,首先用不同方法求解一部分重要的偏微分方程,如Duffing方程、Riccati方程、Lambert方程、Kdv方程等,从这些方程的求解过程中分析各个方法,从而对其它微分方程如变系数非线性薛定谔方程、耦合的Klein-Gordon-Schr?dinger(K-G-S)方程、(2+1)维破裂孤子方程及几种线性的和非线性的薛定谔方程找到求解方法。
卢克清[5](2001)在《有偏压的光伏光折变晶体中空间孤子的研究》文中提出研究了有偏压的光伏光折变晶体中空间孤子的理论,从理论上预言了一类稳态的空间光孤子??屏蔽光伏孤子;研究了光伏非线性的空间孤子从自聚焦向自散焦(或自散焦向自聚焦)的转化,发现了稳态空间孤子明暗转化的条件;采用微扰的理论对屏蔽光伏孤子的自偏转进行了研究,获得了孤子光束演化的特性;从理论上提出了非相干耦合屏蔽光伏孤子对和多分量耦合稳态空间光孤子;发展了稳态矢量空间孤子的理论,得到了自耦合和交叉耦合矢量屏蔽光伏孤子以及自耦合和交叉耦合矢量光伏孤子;对有偏压的光伏光折变晶体中调制不稳定性的理论进行了研究,得了调制不稳定性增长率的特性。从理论上证明了屏蔽孤子和光伏孤子的物理系统可以转化为屏蔽光伏孤子的物理系统,屏蔽光伏孤子的理论可以转化为屏蔽孤子和光伏孤子的理论,取得了如下的主要结果: 从理论上证明了有偏压的光伏光折变晶体中存在着稳态的空间光孤子(屏蔽光伏孤子)。它起源于对外电场的非均匀空间屏蔽和光伏效应,这不同于稳态的屏蔽孤子和稳态的光伏孤子。屏蔽孤子起源于对外电场的非均匀空间屏蔽,而光伏孤子起源于光伏效应。当光伏效应为零时,屏蔽光伏孤子的物理系统就转化为屏蔽孤子的物理系统,屏蔽光伏孤子的空间电荷场就转化为屏蔽孤子的空间电荷场,屏蔽光伏孤子的非线性波动方程就转化为屏蔽孤子的非线性波动方程,屏蔽光伏孤子就转化为屏蔽孤子;当外电场为零时,屏蔽光伏孤子的物理系统就转化为光伏孤子的物理系统,屏蔽光伏孤子的空间电荷场就转化为光伏孤子的空间电荷场,屏蔽光伏孤子的非线性波动方程就转化为光伏孤子的非线性波动方程,屏蔽光伏孤子就转化为光伏孤子,同时还预言了闭路的光伏孤子也存在着灰孤子;屏蔽孤子和光伏孤子的研究可以转化为屏蔽光伏孤子的研究上。从理论上证明用改变外电场的极性和旋转光偏振方向的方法能够实现屏蔽光伏孤子的明、暗转换。在适当的条件下,用增加外电压的方法能够实现屏蔽光伏孤子的光伏非线性从自聚焦向自散焦(或自散焦向自聚焦)的转化。在强偏压的条件下,屏蔽光伏孤子的光伏非线性可以用改变
黄燕萍[6](2000)在《偶氮苯光学材料研制及其三阶非线性光学性能研究》文中提出本文提出制各偶氮苯有机三阶光学非线性材料的三个要求,即分子双键数为~10,使其有较大的χ3;分子具有非简并基态,使其产生光激励极化子或双极化子;分子在光驱动下产生电荷转移(CT)态的几率大。在研制成样品材料4-氮甲基氨基-4’-硝基偶氮苯(MANA)和4-氮二甲基氨基-4’-硝基偶氮苯(DMANA)以及线性吸收系数更小的偶氮苯材料4′-(2″,4″,6″-三氯苯偶氮氨基)-苯偶氮-4-硝基苯等样品1-4后,采用甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为主体,用研制的样品为客体,制成光学薄膜。对自制的偶氮苯样品作吸收光谱、荧光光谱、线性吸收系数、线性折射率以及液体样品的浓度和薄膜样品的膜厚等的测量。并用软件包HYPERCHEM对样品作量子化学计算,得到包括111个能级的能态结构,各能级的自旋量子数,偶极矩,振子强度和跃迁矩等参数。对量子化学计算中所使用的各种近似算法的精确程度作了讨论。并用C++语言编制了程序,计算得到样品分子的微观三阶非线性超极化率和宏观三阶非线性极化率。 用Z-Scan技术和四波混频方法测量了自制样品掺杂膜的χ3值、时间响应、品质因子、双光子吸收系数等。各个样品χ3的实验值表明,带氯原子取代基的样品比带碘原子、溴原子取代基的样品更好,对此作了初步分析。还对影响χ3的瞬时光栅作用作了讨论。 为进一步提高材料的χ3值,用355nm紫外激光泵浦样品,使其处于激发态,再用532nm激光做双波耦合实验。测得激发态增强的χ3值,它比基态时提高了一个数量级。用激子相位空间充满理论对非线性效应的激发态增 强作了圆满的解释。/)的时间响应包含着一个快过程和一个慢过程。实验 证实了这一特征。快过程响应时间为PS量级,保持着基态/)的快速时间响 应的特点。理论上的探讨表明,快过程对应于材料从激发态通过内转换机制 向低位激发态的弛豫过程,慢过程则与低位激发态寿命,引起的因子e-”’有 关。 鉴于光学双稳态是有机材料能否实现光逻辑门和全光开关的重要因素, 本文研究了样品薄膜的色散型光学双稳性能。在棱镜表面涂布一层样品薄 膜,制成法布里-琅罗准波导结构,当调偏角大于导模线宽,臣输入光强达到 一定阈值时,输入输出特性曲线表现出双稳态特性。从实验数据中推算出样 品材料的 n。*)在5:12n。处的值为 sxlo-‘cm’/W,与用简并四彼混频测得的结 果 2.gxlo‘cm‘/y基本符合。 综观本文工作,表明自制的一类偶氮苯有机材料具有较高的/)值、快 速的时间响应和光学双稳特性。说明该材料在光子器件方面具有潜在应用前 景。
姚端正,熊贵光[7](1992)在《HMMC中虚孤子对非共振X(3)的贡献》文中研究指明本文应用激发态三阶微扰理论,推导计算了具有准一维电子系统的卤桥接混合价金属络合物(HMMC)、这种天然量子线材料的非共振三阶非线性光学极化率 xs。并分析了在具有双重简并基态结构的材料中,虚孤子效应对非共振 x3贡献的机制。
二、HMMC中虚孤子对非共振X~((3))的贡献(论文开题报告)
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、HMMC中虚孤子对非共振X~((3))的贡献(论文提纲范文)
(1)磁场和手征化学势对费米系统中相变的影响(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第1章 QCD相变及拓扑相变 |
1.1 强磁场中的QCD相变 |
1.1.1 反磁催化和手征磁效应 |
1.1.2 手征对称性破缺和恢复 |
1.1.3 色超导中的磁效应 |
1.1.4 π超流中的磁效应 |
1.2 QCD物质中的LOFF态 |
1.2.1 目前的研究进展 |
1.2.2 QCD中的LOFF态相图 |
1.3 拓扑相变 |
1.3.1 Kosterlitz–Thouless相变 |
1.3.2 超冷原子中的拓扑相变 |
1.4 四费米子相互作用理论 |
1.5 论文的组织和符号约定 |
第2章 手征化学势的一般效应 |
2.1 能隙方程和激发模式 |
2.2 1 + 1维费米子系统 |
2.2.1 手征对称性破缺 |
2.2.2 集体激发模式 |
2.2.3 温度效应 |
2.3 2 + 1维费米子系统 |
2.3.1 手征对称性破缺 |
2.3.2 集体激发模式 |
2.3.3 温度效应 |
2.4 3 + 1维费米子系统 |
2.4.1 手征对称性破缺 |
2.4.2 集体激发模式 |
2.4.3 温度效应 |
2.5 小结 |
第3章 手征化学势和磁场在QCD相变中的效应 |
3.1 2 + 1维费米子系统中的手征相变 |
3.1.1 真空正规化与能隙方程 |
3.1.2 集体激发模式 |
3.2 π超流与反磁催化效应 |
3.2.1 手征化学势的效应 |
3.2.2 金斯堡-朗道展开与磁场效应 |
3.3 QCD物质中的手征破缺相与色超导相 |
3.3.1 “旋转”磁场与能隙方程 |
3.3.2 手征化学势和磁场效应 |
3.4 小结 |
第4章 色超导中的LOFF态 |
4.1 固体物理中的能带计算方法 |
4.2 小矩阵近似 |
4.3 BCC态较低能的区域 |
4.4 小节 |
第5章 2 + 1维费米子系统中的拓扑相变 |
5.1 非相对论费米气中的BCS-BEC过渡 |
5.1.1 p波无自旋费米气 |
5.1.2 p波配对的量子相变和集体激发 |
5.1.3 d波配对的量子相变和集体激发 |
5.2 相对论费米系统中的Kosterlitz-Thouless相变 |
5.2.1 能隙方程与刚度 |
5.2.2 KT相变中的d Hv A振荡 |
5.3 小节 |
第6章 总结与展望 |
参考文献 |
致谢 |
附录A 磁场下π超流的金斯堡-朗道展开系数 |
A.1 二次项系数A的真空正规化 |
A.2 四次项系数B的推导 |
附录B Ritus方法与介子传播子 |
B.1 Goldstone定理 |
B.2 2 + 1维低能激发的相位刚度 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 |
(2)量子点分子的光学非线性(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 引言 |
1.1 双量子点分子研究进展 |
1.2 杂化结构研究进展 |
1.3 低维受限结构的光学非线性 |
1.4 本文研究工作概要 |
第二章 非线性光学极化率的量子力学理论 |
2.1 非线性光学极化率的微扰理论 |
2.2 非线性光学极化率的密度矩阵理论 |
2.2.1 线性极化率的密度矩阵计算 |
2.2.2 二阶极化率的密度矩阵计算 |
2.2.3 三阶极化率的密度矩阵计算 |
2.3 参量和非参量光学非线性 |
2.3.1 饱和吸收(SA) |
2.3.2 三次谐波(THG) |
2.3.3 四波混频(FWM) |
第三章 量子点分子介绍 |
3.1 双量子点分子 |
3.1.1 侧向耦合量子点 |
3.1.2 纵向耦合量子点 |
3.2 半导体-金属杂化结构 |
第四章 双量子点分子的三阶光学非线性 |
4.1 非对称量子结构中的密度矩阵方程 |
4.1.1 单频单色光 |
4.1.2 多个不同频率的单色光 |
4.2 双量子点分子中的饱和吸收效应 |
4.3 本章小结 |
第五章 半导体-金属纳米颗粒杂化分子结构中的三阶光学非线性 |
5.1 局域场理论和多极作用模型 |
5.2 SQD-MNP杂化分子中的三次谐波(THG)效应 |
5.3 SQD-MNP杂化分子中的四波混频(FWM)响应 |
5.4 本章小结 |
第六章 总结和展望 |
附录 非对称结构中密度矩阵的计算 |
参考文献 |
博士期间发表的论文 |
致谢 |
(3)金属—分布式布拉格反射镜结构中的光学Tamm态(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
论文中部分词汇的英文缩写 |
1 引言 |
1.1 光学Tamm态的概念 |
1.2 国内外研究概况及发展趋势 |
1.3 本论文的主要工作及结构安排 |
2 金属-DBR结构中的传输矩阵理论 |
2.1 层状结构中的传输矩阵方法 |
2.2 单色平面波在金属银薄膜表面的反射特性 |
2.3 本章小结 |
3 金属-DBR结构中的多重光学Tamm态 |
3.1 金属-DBR结构中的反射谱 |
3.2 金属-DBR结构中光学Tamm态存在的条件 |
3.3 光学Tamm态的色散关系 |
3.4 多重光学Tamm态的应用 |
3.5 本章小结 |
4 两光学Tamm态的耦合 |
4.1 两光学Tamm态耦合的结构 |
4.2 两光学Tamm态的耦合现象 |
4.3 两光学Tamm态耦合的理论模型 |
4.4 依赖于偏振态的两光学Tamm态的耦合作用 |
4.5 耦合光学Tamm态的应用 |
4.6 本章小结 |
5 光学Tamm态与量子阱激子的相互作用 |
5.1 量子阱中的激子 |
5.2 结构对光学Tamm态与激子相互作用的影响 |
5.3 偏振态对光学Tamm态与激子相互作用的影响 |
5.4 光学Tamm态与激子相互作用的理论模型 |
5.5 本章小结 |
6 总结和展望 |
致谢 |
参考文献 |
附录1 攻读学位期间发表论文目录 |
(4)对于求解非线性微分方程的若干渐近法的研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第1章 绪论 |
1.1 渐近法的历史及现状分析 |
1.1.1 渐近法的历史发展 |
1.1.2 渐近方法现阶段发展状况 |
1.1.3 渐近方法的组成部分 |
1.2 选题的意义及全文的结构 |
1.2.1 选题的意义 |
1.2.2 全文的结构 |
第2章 变分近似法 |
2.1 变分近似法的基础知识 |
2.1.1 欧拉-拉格朗日方程 |
2.1.2 变分理论 |
2.1.3 里茨法 |
2.2 求解变系数非线性薛定谔方程的变分理论 |
2.3 求解耦合的Klein-Gordon-Schr?dinger(K-G-S)方程的变分理论 |
2.4 求解(2+1)维破裂孤子方程 |
2.5 本章小结 |
第3章 变分迭代法 |
3.1 变分迭代法的基本思想 |
3.2 利用变分迭代法来求解几种薛定谔方程 |
3.2.1 第一种线性薛定谔方程 |
3.2.2 第二种线性薛定谔方程 |
3.2.3 一种非线性薛定谔方程 |
3.2.4 高阶非线性薛定谔方程 |
3.3 本章小结 |
第4章 指数函数法 |
4.1 介绍 |
4.2 指数函数法的基本思想 |
4.3 范例 |
4.4 利用指数函数法求解(3+1)维 Klein-Gordon-Schr?dinger方程 |
4.5 本章小结 |
结论 |
参考文献 |
攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 |
致谢 |
作者简介 |
(5)有偏压的光伏光折变晶体中空间孤子的研究(论文提纲范文)
1. 绪论 |
2. 光折变晶体中的空间光孤子 |
2.1 准稳态孤子 |
2.2 光伏孤子 |
2.3 屏蔽孤子 |
2.4 本章小结 |
3. 短路屏蔽光伏孤子非线性波动方程的稳态解 |
3.1 空间电荷场 |
3.2 非线性波动方程 |
3.3 孤子解 |
3.4 短路低振幅屏蔽光伏孤子的稳态解 |
3.5 短路屏蔽光伏孤子稳态解的特性 |
2.6 本章小结 |
4. 短路屏蔽光伏孤子非线性波动方程的演化解 |
4.1 理论模型 |
4.2 孤子解 |
4.3 低振幅的孤子解 |
4.4 讨论 |
4.5 本章小结 |
5. 短路屏蔽光伏孤子的自偏转 |
5.1 空间电荷场 |
5.2 非线性波动方程 |
5.3 孤子的自偏转 |
5.4 低振幅孤子的自偏转 |
5.5 本章小结 |
6. 有外电阻屏蔽光伏孤子非线性波动方程的稳态解 |
6.1 空间电荷场与非线性波动方程 |
6.2 孤子解 |
6.3 低振幅非归一化有外电阻的屏蔽光伏孤子 |
6.4 非归一化有外电阻的屏蔽光伏孤子的特性 |
6.5 本章小结 |
7. 有外电阻屏蔽光伏孤子非线性波动方程的演化解 |
7.1 理论模型 |
7.2 孤子解 |
7.3 低振幅的孤子解 |
7.4 讨论 |
7.5 本章小结 |
8. 有外电阻的屏蔽光伏孤子的自偏转 |
8.1 空间电荷场 |
8.2 非线性波动方程 |
8.3 孤子的自偏转 |
8.4 低振幅孤子的自偏转 |
8.5 本章小结 |
9. 非相干耦合稳态屏蔽光伏孤子对 |
9.1 非相干耦合的演化方程 |
9.2 明—明孤子对 |
9.3 暗—暗孤子对 |
9.4 明—暗孤子对 |
9.5 屏蔽光伏孤子对的特性 |
9.6 低振幅屏蔽光伏孤子对 |
9.7 本章小结 |
10. 多分量耦合稳态空间光孤子 |
10.1 非线性波动方程 |
10.2 2N—分量的明孤子 |
10.3 2N—分量的暗孤子 |
10.4 2N—分量的明—暗孤子 |
10.5 多分量稳态屏蔽光伏孤子的特性 |
10.6 低振幅多分量屏蔽光伏孤子 |
10.7 本章小结 |
11. 明—暗矢量稳态屏蔽光伏孤子 |
11.1 非线性波动方程 |
11.2 明—暗矢量孤子的数值解 |
11.3 明—暗矢量孤子的解析解 |
11.4 明—暗矢量屏蔽光伏孤子的特性 |
11.5 本章小结 |
12. 结论 |
致谢 |
参考文献 |
攻读博士学位期间的研究成果(论文、项目、获奖·) |
作者简况表 |
指导教师简况表 |
(6)偶氮苯光学材料研制及其三阶非线性光学性能研究(论文提纲范文)
中文摘要 |
英文摘要 |
第一章 绪论:有机非线性光学材料及器件的研究概况 |
1.1 前言 |
1.2 非线性光学与非线性光学材料概述 |
1.2.1 研究简史 |
1.2.2 有机非线性光学材料的研究概况 |
1.3 π共轭偶氮苯材料的研究 |
1.4 有机非线性光学材料、器件的应用 |
1.5 有机和高分子光子学 |
1.6 本论文内容安排 |
第二章 偶氮苯材料的研究和制备 |
2.1 引言 |
2.2 有机材料结构与性能关系的理论探讨 |
2.2.1 有机分子结构与三阶电极化率 |
2.2.2 有机材料中光生载流子的产生机制 |
2.2.3 三阶非线性光学响应对材料的要求 |
2.3 材料样品的制备及其基本参数的测量 |
2.3.1 引言 |
2.3.2 样品及其薄膜的制备 |
2.3.3 材料样品的吸收谱 |
2.3.4 用m~-线法测量薄膜厚度及折射率 |
第三章 偶氮苯样品的三阶非线性电极化率的理论计算 |
3.1 引言 |
3.2 分子轨道理论 |
3.2.1 自治场分子轨道法 |
3.2.2 分子轨道自治场方程的解 |
3.2.3 从头计算和近似计算 |
3.3 偶氮苯样品的量子化学计算 |
3.3.1 计算结果 |
3.3.2 讨论 |
3.4 偶氮苯样品材料三阶分子超极化率γ及X~({3})理论计算 |
3.4.1 计算机程序的编制与计算 |
3.4.2 结果与讨论 |
第四章 推拉型偶氮化合物三阶非线性光学性能的Z-Scan实验测量 |
4.1 三阶非线性光学性能的实验测量 |
4.1.1 引言 |
4.1.2 Z-Scan技术的理论基础 |
1.自作用效应 |
2. Z-Scan技术的理论 |
4.1.3 实验测量 |
4.1.4 结果讨论 |
4.1.5 结论 |
4.2 推拉型偶氮化合物双光子吸收系数的测量 |
4.2.1 引言 |
4.2.2 双光子吸收的基本理论 |
4.2.3 实验测量 |
4.2.4 结果讨论 |
4.2.5 结论 |
第五章 偶氮苯化合物X~({3})及其响应时间的相位共轭四波混频研究 |
5.1 引言 |
5.2 前向简并四波混频技术的理论探讨 |
5.2.1 非线性介质内强光相互作用的耦合波方程 |
5.2.2 多波相互作用的耦合波方程及其近似解 |
5.2.3 前向简并四波混频技术的理论 |
5.2.4 对X~({3})产生贡献的物理机制 |
5.3 前向简并四波混频实验测量 |
5.4 结果和讨论 |
5.5 小结 |
第六章 偶氮苯材料三阶非线性光学性能的激发态增强 |
6.1 引言 |
6.2 三阶非线性电极化率的激发态增强的理论探讨 |
6.3 实验 |
6.4 结果和讨论 |
6.5 结论 |
第七章 偶氮苯掺杂膜的色散型光学双稳态 |
7.1 引言 |
7.2 光学双稳态的理论描述 |
7.3 实验 |
7.4 结果讨论 |
第八章 总结 |
8.1 本文的主要工作和创新点 |
8.2 今后工作展望 |
参考文献 |
致谢 |
攻读博士学位期间发表的论文 |
四、HMMC中虚孤子对非共振X~((3))的贡献(论文参考文献)
- [1]磁场和手征化学势对费米系统中相变的影响[D]. 曹高清. 清华大学, 2015(07)
- [2]量子点分子的光学非线性[D]. 刘晓娜. 武汉大学, 2013(07)
- [3]金属—分布式布拉格反射镜结构中的光学Tamm态[D]. 周海春. 华中科技大学, 2012(09)
- [4]对于求解非线性微分方程的若干渐近法的研究[D]. 华芳霞. 燕山大学, 2008(04)
- [5]有偏压的光伏光折变晶体中空间孤子的研究[D]. 卢克清. 西安交通大学, 2001(06)
- [6]偶氮苯光学材料研制及其三阶非线性光学性能研究[D]. 黄燕萍. 华东师范大学, 2000(01)
- [7]HMMC中虚孤子对非共振X(3)的贡献[J]. 姚端正,熊贵光. 武汉大学学报(自然科学版), 1992(04)