一、脉冲式电容器老练仪研制（论文文献综述）
吴轩仪[1]（2020）在《基于碳纳米管X射线测厚仪的研究》文中研究表明本文从X射线测厚仪的实际应用需求和研发需要出发,对X射线测厚仪的工作原理、X射线源的制备、X射线接收装置的选型、测厚系统软件设计等方面进行了深入研究和探讨。本文首先阐述了X射线测厚仪的工作原理和性能指标,研究分析了目前国内实际应用的X射线测厚仪存在的缺陷,指明了本文X射线测厚仪的设计的目标和方向;本文分析了碳纳米管冷阴极X射线源在X射线测厚仪应用上的优势,并完成了碳纳米管X射线源阴极的制备,对X射线源制备工艺进行了优化设计,最终制备得到了形貌和性能都较好的碳纳米管阵列,在此基础上,完成了X射线源的封装;对X射线接收装置进行了细致分析和综合比较,完成了X射线探测器及数字脉冲处理器的选型;对X射线测厚系统的软件部分进行了设计,主要包括参数设置模块和厚度监测模块;最后对碳纳米管X射线测厚仪进行了组装和测试,测试结果表面研制的X射线测厚仪达到了设计目标。取得的主要结论如下:（1）采用工艺优化过后的微波等离子体增强化学气相沉积法制备得到的碳纳米管阵列,制备得到了形貌和发射性能都较为理想的碳纳米管X射线管阴极,通过场发射性能测试,结果表明制备得到的碳纳米管X射线阴极的开启电压为1.49kV,最大发射电流为225μA,电流密度可以达到34.3A/cm2。在此基础上完成了X射线源的封装。（2）针对X射线测厚仪的X射线接收装置及数据处理模块,通过对常用X射线探测器的分析和对比,本文最终选用分辨率高、无需制冷、体积小巧的SDD探测器,数字脉冲处理器选取DPP2型,可实现信号的放大、滤波、AD转换等功能。（3）在X射线测厚系统的软件设计过程中,首先对参数设置模块和厚度监测模块进行了设计,参数设置模块实现了设置参数并测量入射前后的X射线谱的功能,厚度检测模块可以选择校准曲线并实时测量和显示厚度结果。（4）在完成X射线测厚系统的硬件系统制备、选型以及软件系统的设计调试之后,将碳纳米管X射线测厚仪的X射线源、高压电源、X射线探测器、数字脉冲处理器、探测器稳压电源及上位机进行了组装。组装完成后进行X射线测厚仪透射法测量及反射荧光法测量的实验和对比分析,测试结果表明:设计制备的碳纳米管X射线测厚仪达到了预期的厚度测量效果。
周黎斌[2]（2017）在《循环水系统嵌入式电导率仪的开发及应用》文中研究表明随着经济结构的转型和人们生活水平的提高,国家和消费者对水资源的循环利用越来越重视,采用循环水系统的水处理设备也越来越多。循环水在使用过程中由于溶液蒸发、有机物积累,引发管道结垢、腐蚀、生物聚集等问题,给工业循环水系统及中央空调等设备的正常运转带来不利的影响。循环水管道结垢,影响中央空调热交换器的散热效率,增加中央空调循环水设备运转负荷。为了减缓管道腐蚀速度和结垢,保证循环水系统的安全、稳定、高效运转,针对循环水进行有效处理,对企业及居民的安全使用具有重要的意义。首先,本文介绍了循环水处理的背景和国内外研究的现状,并重点说明电导率值对循环水控制系统的重要意义;其次,本文对石墨五电极电导率传感器的设计及测量原理进行了详细的介绍;最后,根据循环水管理系统的水处理要求,开发了一款基于嵌入式系统的电导率检测监控仪。整套仪器由检测电导率的新型五电极电导率传感器、电导率检测装置及系统运行显示装置以及软件等组成。电导率检测传感器是基于石墨材料制作的五电极型电导池结构。电导率显示及检测装置采用了ARM Cortex-M4架构的STM32F407ZGT6芯片以及七寸TFT-LCD电容屏,检测控制软件移植了实时操作系统uCOS-III。通过微处理器DAC模块及外设产生正弦波恒流激励源,通过电导率传感器获得电导率信号,经过电导率检测装置的信号采集及处理,处理后的数据用TFT-LCD屏显示出来。显示界面选择了STemWin图形库进行制作,为现场操作提供了良好的人机交界面。系统经过硬件与检测控制软件的测试,其结果表明本仪器可以把循环水的电导率自动控制在一个合理的范围内。经过实验验证,本系统检测精度高,重现性好,具备良好的存储与通讯性能,可以应用于实际工作。
潘华[3]（2008）在《特高压电器局部放电和交流耐压试验装置的研究与开发》文中研究表明随着电力负荷的快速增长,远距离、大容量输电急需增加超高压、特高压电网。特高压电器是电网中重要组成部分,对特高压电器进行交流耐压和局部放电试验是一项有效的检验方式。本文以研究和开发特高压电器交流耐压和局部放电试验装置选题,具有重要的理论意义和实际应用价值。本文综述了国内外特高压电器交流耐压和局部放电试验装置的现状,分析了不同类型的特高压电器设备的特性。以武汉高压研究院特高压试验基地的1000kV变压器的试验数据为参考,提出了特高压电力变压器的交流耐压和局部放电试验方法和试验回路原理图;在研究分析特高压GIS装置特性的基础上,提出了采用变频串联谐振的方法获取高电压进行试验;论述整个装置中的变频电源和高压电抗器的设计方法,采用现代大功率电力电子器件实现变频高压功能,论述了三极管并联放大方式可以输出超大功率,满足试验需要;针对特高压电器的交流耐压和局部放电试验装置的一些特殊要求,提出了采用变频电源直流保护方式实现安全控制的模式,采用负反馈回路保证了试验中电压稳定度;为了减小局部放电对测量的影响及电子元件发热量的问题提出了解决方案。本文通过对750KV电压等级超高压电器的交流耐压和局部放电试验数据分析说明了本文设计特高压电器局部放电和交流耐压试验装置方案的合理性,证明了此装置工作的可靠性高、安全性好、实用性强,具有良好的应用前景。
吕金壮[4]（2003）在《氧化铝陶瓷的陷阱分布对其真空中沿面闪络特性的影响》文中认为绝缘子在远低于自身以及相同真空间隙的击穿强度下就会发生沿面击穿，这种沿面闪络现象严重制约着真空电气系统的绝缘性能。因此，研究真空中绝缘子沿面闪络现象及其形成机理，寻找提高其闪络电压的方法，无论对于绝缘击穿的理论研究还是实际绝缘子的工程应用都有十分重要的意义。本文以真空绝缘体系中最常用的绝缘材料—高纯度氧化铝陶瓷材料（氧化铝含量在99%以上）为研究对象，通过对三个不同的烧结温度、三种不同添加剂等12类陶瓷试品在冲击电压(0.7/4（s）作用下真空中的沿面闪络特性、表面带电特性的试验，结合热刺激电流试验，研究了加压方式、表面带电、陷阱分布等因素对陶瓷材料真空中沿面闪络性能的影响；从能带理论出发，探索了它们之间的内在联系。首先利用自行研制的TSC系统对12类陶瓷试品开展了TSC试验，根据试验结果得到了陷阱电荷量和陷阱深度这两个参数，分析了烧结温度和添加剂对介质陷阱的影响。分析表明，这两种因素是通过影响陶瓷烧结过程形成不同的缺陷而起作用的；添加剂中金属离子具有多个稳定的化学价态的属性可能是造成浅陷阱能级出现的原因。将不同电压阶段下陶瓷介质的表面带电特性同它的陷阱特性结合起来进行研究。观测到未经闪络处理的某些种类的试品表面电荷随电压升高发生由负到正的变化，同时发现在闪络处理前后它们的表面带电特性不同。分析认为这和表面吸附气体有关。首次观测到某两类试品在闪络处理前后，它们的表面带电始终为负这一现象，这与材料的陷阱结构有关。提出了真空中陶瓷介质表面带电的新机制。在低电场作用下，电极注入自由载流子到介质中，自由载流子可在介质的物理吸附表面态中移动。随着外电场提高，介质－真空－电极三者交界处开始发射电子，表面带电将由表面态、材料的二次电子发射特性、介质本身的陷阱结构共同决定。随着介质表面物理吸附表面态的破坏，材料的二次电子发射特性和固体本身的陷阱将主导介质的表面带电。浅陷阱占优的陷阱结构很可能是使介质表面带负电的主要原因。研究了加压方式对试品沿面闪络性能的影响。在首轮闪络试验中，当加压过程跳过某些电压等级时，会使试品闪络电压提高。它可能是通过直接影响介质表面带电情况实现的。经闪络处理后试品的闪络电压比首轮的要高，并和加压方式无关。分析认为这是由于表面吸附气体被消除的缘故。通过研究介质的陷阱、表面电荷极性、表面电荷量以及闪络发展过程，本文发现，当介质的陷阱密度越大，它的表面电荷量越多，它的闪络性能就越差。陷阱密<WP=5>度越小，可使试品的沿面闪络电压有所提高。浅陷阱占优的陷阱结构可以改善它的闪络性能。陷阱的电荷捕获释放机制在闪络发展过程中起着重要的作用，它与二次电子发射机制一起共同作用于真空中介质的沿面闪络发展过程中。
景为平[5]（2001）在《脉冲式电容器老练仪研制》文中研究说明文章介绍了一种采用脉冲方式对电容器进行老练的仪器的研制。采用该设备可提高工厂电容器的生产效率。
孙鹞鸿[6]（2001）在《电解电容器的脉冲放电特性》文中进行了进一步梳理介绍了电解电容器在高压脉冲放电技术中的一种特殊应用。通过对其脉冲放电特性的试验研究 ,获得了一组技术参数 ,并进行了高温下的寿命试验。采用它作为储能元件的井下电脉冲设备用于油井增油实验取得明显效果
二、脉冲式电容器老练仪研制（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、脉冲式电容器老练仪研制（论文提纲范文）
（1）基于碳纳米管X射线测厚仪的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 测厚仪的主要分类 |
| 1.3 X射线源的发展和研究现状 |
| 1.4 X射线测厚仪的发展和研究现状 |
| 1.5 主要研究内容及章节安排 |
| 第二章 碳纳米管X射线测厚仪的基本原理 |
| 2.1 X射线的产生 |
| 2.2 X射线与物质的相互作用 |
| 2.3 X射线测厚仪的工作原理 |
| 2.4 X射线测厚仪精度测量精度的影响因素 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 碳纳米管X射线源的制备 |
| 3.1 碳纳米管结构及特性 |
| 3.2 场致发射原理 |
| 3.3 碳纳米管场发射阴极的制备 |
| 3.3.1 图案光刻 |
| 3.3.1.1 AZ5214E光刻胶特性 |
| 3.3.1.2 光刻 |
| 3.3.2 真空镀膜工艺 |
| 3.3.3 碳纳米管阵列的生长 |
| 3.4 碳纳米管场发射X射线源的制备 |
| 3.4.1 碳纳米管阴极场发射测试 |
| 3.4.2 碳纳米管X射线源封装 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 X射线测厚仪系统设计 |
| 4.1 X射线测厚仪的硬件结构设计 |
| 4.1.1 X射线测厚仪总体结构简介 |
| 4.1.2 X射线探测器的型号选择 |
| 4.1.2.1 气体探测器 |
| 4.1.2.2 半导体探测器 |
| 4.1.3 数字脉冲处理系统 |
| 4.2 X射线测厚系统软件设计 |
| 4.2.1 X射线测厚软件结构框图及简介 |
| 4.2.2 参数设置 |
| 4.2.3 厚度测量 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 X射线测厚仪的实验分析 |
| 5.1 实验测试 |
| 5.1.1 X射线透射法测厚系统 |
| 5.1.2 X射线反射荧光法测厚系统 |
| 5.1.3 测试样品分析 |
| 5.2 结果分析 |
| 5.2.1 X射线透射法测厚 |
| 5.2.2 X射线反射荧光法测厚 |
| 5.2.3 对比分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（2）循环水系统嵌入式电导率仪的开发及应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.1.1 国内外研究现状 |
| 1.2 论文研究工作 |
| 1.2.1 主要研究工作 |
| 1.2.2 课题创新点 |
| 1.3 本章小结 |
| 第二章 仪器整体设计 |
| 2.1 功能及硬件需求分析 |
| 2.2 电导率基本概念 |
| 2.2.1 电导率仪的应用研究 |
| 2.2.2 电导率检测技术 |
| 2.2.3 本文采用的测量技术 |
| 2.3 五电极电导率检测传感器的设计 |
| 2.3.1 常见电极型电导率检测传感器 |
| 2.4 本文五电极电导率传感器的设计 |
| 2.4.1 温度传感器的选型 |
| 2.4.2 五电极型电导率检测传感器设计 |
| 2.4.3 五电极型电导率检测传感器的制作 |
| 2.4.4 五电极型电导率检测传感器的结构原理 |
| 2.4.5 五电极型电导率检测传感器的测量原理 |
| 2.5 嵌入式系统概述 |
| 2.5.1 嵌入式系统开发与调试 |
| 2.5.2 嵌入式系统微处理器选择 |
| 2.5.3 STM32F4简介 |
| 2.5.4 微处理器的选型 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 系统硬件电路设计 |
| 3.1 硬件电路总体设计 |
| 3.2 微处理器模块核心电路设计 |
| 3.2.1 时钟电路设计 |
| 3.2.2 复位电路设计 |
| 3.2.3 JTAG调试下载电路设计 |
| 3.3 信号发生模块设计 |
| 3.4 信号检测模块设计 |
| 3.4.1 信号采集及隔离模块设计 |
| 3.4.2 信号箝位电路模块设计 |
| 3.5 液位检测模块设计 |
| 3.6 泵电源控制模块设计 |
| 3.7 系统通讯模块设计 |
| 3.7.1 RS485通讯模块设计 |
| 3.7.2 CAN通讯模块设计 |
| 3.8 人机交互模块设计 |
| 3.8.1 TFT-LCD显示模块设计 |
| 3.9 存储器模块设计 |
| 3.10 电源模块设计 |
| 3.11 电路板的制作 |
| 3.11.1 硬件原理图的制作 |
| 3.11.2 PCB图的制作 |
| 3.12 本章小结 |
| 第四章 系统软件功能设计 |
| 4.1 系统软件整体设计 |
| 4.1.1 系统软件集成开发环境 |
| 4.1.2 STM32F4固件库 |
| 4.1.3 系统软件功能需求分析 |
| 4.2 uCOS-Ⅲ在STM32F407上的移植 |
| 4.2.1 uCOS-Ⅲ移植文件 |
| 4.2.2 uCOS-Ⅲ任务状态 |
| 4.3 系统程序设计 |
| 4.3.1 系统初始化程序 |
| 4.4 系统应用程序设计 |
| 4.4.1 DAC波形产生程序设计 |
| 4.4.2 ADC信号检测程序设计 |
| 4.4.3 液位扫描程序设计 |
| 4.4.4 泵电源控制程序设计 |
| 4.4.5 RS485通讯程序设计 |
| 4.4.6 CAN通讯程序设计 |
| 4.5 系统界面显示程序设计 |
| 4.5.1 汉字库设计 |
| 4.5.2 ADC与时钟数据实时显示设计 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 系统运行测试 |
| 5.1 实际硬件电路测试 |
| 5.2 系统软件测试 |
| 5.2.1 GUIBuilder界面显示测试 |
| 5.2.2 系统电阻值校正测试 |
| 5.2.3 温度补偿 |
| 5.2.4 激励源频率选择实验 |
| 5.3 五电极电导率传感器电导池常数标定 |
| 5.4 系统精度与通讯测试 |
| 5.4.1 精度测试实验 |
| 5.4.2 检测重现性实验 |
| 5.4.3 系统存储性能测试 |
| 5.4.4 系统通讯性能测试 |
| 5.5 循环水电导率检测监控系统工业化应用改进 |
| 5.5.1 正弦波波形修正 |
| 5.5.2 硬件电路改进 |
| 5.6 系统执行性能测试 |
| 5.7 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 1 结论 |
| 2 展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（3）特高压电器局部放电和交流耐压试验装置的研究与开发（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 论文研究的背景与意义 |
| 1.2 交流耐压试验和局部放电试验主要研究内容 |
| 1.3 目前同类型的装置发展状况 |
| 1.3.1 无局放串联谐振试验系统的特点 |
| 1.3.2 中频发电机组的特点 |
| 1.3.3 我国目前同类装置的情况 |
| 1.4 课题研究装置的特点 |
| 1.5 主要的技术要求及完成的主要工作 |
| 1.5.1 高压试验用大功率变频电源设计的技术参数要求 |
| 1.5.2 完成的主要工作 |
| 第2章 特高压电器交流耐压和局部放电试验原理研究 |
| 2.1 特高压电力变压器的交流耐压和局部放电试验装置分析 |
| 2.1.1 特高压电力变压器的特点 |
| 2.1.2 特高压电力变压器交流耐压和局部放电试验回路分析 |
| 2.1.3 特高压电力变压器的交流耐压和局部放电试验程序分析 |
| 2.2 特高压GIS 装置的交流耐压和局部放电试验装置分析 |
| 2.2.1 特高压GIS 装置的特点 |
| 2.2.2 特高压GIS 交流耐压和局部放电试验回路分析 |
| 2.2.3 特高压GIS 装置交流耐压和局部放电试验程序分析 |
| 第3章 各个单元的技术性能分析 |
| 3.1 变频电源的技术性能分析 |
| 3.1.1 变频电源基本结构分析 |
| 3.1.2 变频电源信号源的初级放大 |
| 3.1.3 变频电源负反馈回路 |
| 3.1.4 前级放大回路 |
| 3.1.5 变频电源主回路原理分析 |
| 3.1.6 变频电源主回路电源的提供 |
| 3.1.7 放大回路的大功率三极管并联运行分析 |
| 3.1.8 并联运行三极管的选择 |
| 3.1.9 三极管并联使用时的布线考虑 |
| 3.2 高压电抗器的技术性能分析 |
| 3.2.1 串联谐振高压电抗器技术性能分析 |
| 3.2.2 并联补偿高压电抗器技术性能分析 |
| 第4章 特高压电器交流耐压和局部放电试验装置的特殊性能 |
| 4.1 变频电源的保护回路 |
| 4.1.1 变频电源的直流保护 |
| 4.1.2 变频电源辅助回路的保护 |
| 4.2 变频电源主回路的负反馈 |
| 4.3 变频电源的局部放电量控制 |
| 4.4 变频电源散热方法分析 |
| 第5章 模拟现场试验 |
| 5.1 模拟现场试验数据及分析 |
| 结论 |
| 研究总结 |
| 论文展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录A(攻读学位期间发表论文目录) |
| 附录B(攻读学位期间科研成果与获奖) |
| 附录C(相关标准) |
（4）氧化铝陶瓷的陷阱分布对其真空中沿面闪络特性的影响（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章 引言 |
| 1.1 真空中固体绝缘介质沿面闪络现象研究的意义 |
| 1.2 真空中固体绝缘介质沿面闪络现象研究的现状 |
| 1.2.1 影响真空中固体绝缘介质沿面闪络的因素 |
| 1.2.2 关于真空中固体绝缘介质沿面闪络机理的假说 |
| 1.3 绝缘子表面带电现象和陷阱的研究 |
| 1.4 真空中固体绝缘介质沿面闪络研究存在的问题 |
| 1.5 本文的研究内容 |
| 第二章 试验装置及测试方法 |
| 2.1 热刺激电流(TSC)试验研究系统 |
| 2.1.1 TSC简介 |
| 2.1.2 TSC试验系统的设计和实现 |
| 2.1.3 TSC试验的试验方法和程序 |
| 2.1.4 TSC试验系统的校验 |
| 2.2 真空中陶瓷材料的沿面闪络试验系统 |
| 2.2.1 冲击电压源 |
| 2.2.2 电极形式 |
| 2.2.3 真空环境 |
| 2.2.4 沿面闪络试验信号的测量 |
| 2.2.5 实时信号测量与记录 |
| 2.2.6 沿面闪络试验的试验方法 |
| 2.3 小结 |
| 第三章 陶瓷试品的TSC特性和陷阱分布 |
| 3.1 介质材料的陷阱 |
| 3.2 介质陷阱的几种测量方法 |
| 3.2.1 空间电荷限制电流法(SCLC) |
| 3.2.2 光刺激电流法(PSC) |
| 3.2.3 等温衰减电流法(IDC) |
| 3.3 TSC理论和陷阱参数计算方法 |
| 3.4 本文所用陶瓷试品的制备和命名 |
| 3.5 TSC试验结果 |
| 3.6 烧结温度对氧化铝陶瓷试品陷阱分布的影响 |
| 3.7 添加剂对氧化铝陶瓷试品TSC特性和陷阱分布的影响 |
| 3.8 小结 |
| 第四章 氧化铝陶瓷的陷阱特性对其表面带电特性的影响 |
| 4.1 未经闪络处理的试品的表面电荷分布 |
| 4.1.1 各类试品在-2kV至-14kV下的表面电荷分布规律 |
| 4.1.2 各类试品在-16kV至-20kV下的表面电荷分布规律 |
| 4.1.3 各类试品在-22kV直至沿面闪络的表面电荷分布规律 |
| 4.2 闪络处理后各类试品的表面电荷分布 |
| 4.3 试验结果分析 |
| 4.3.1 影响陶瓷试品表面带电的因素 |
| 4.3.2 未经闪络处理的试品在不同电压阶段表面带电的原因 |
| 4.3.3 经闪络处理的试品在不同电压阶段表面带电的原因 |
| 4.4 真空中氧化铝陶瓷的表面带电机制 |
| 4.5 小结 |
| 第五章 氧化铝陶瓷的陷阱特性对其沿面闪络特性的影响 |
| 5.1 不同加电压方式对陶瓷材料沿面闪络性能的影响 |
| 5.1.1 三种加压方式下试品的首轮沿面闪络特性 |
| 5.1.2 经闪络处理后试品的闪络特性 |
| 5.1.3 试验结果分析 |
| 5.2 陶瓷陷阱与其沿面闪络性能的内在联系 |
| 5.2.1 试验结果 |
| 5.2.2 试验结果分析 |
| 5.3 小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致 谢 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及参加的科研工作 |
（6）电解电容器的脉冲放电特性（论文提纲范文）
| 1 前言 |
| 2 设备工作原理 |
| 3 电解电容器脉冲放电试验 |
| 3.1 脉冲放电参数测试 |
| 3.2 电解电容器高温寿命试验 |
| 4 电解电容器使用中的几个问题 |
| 4.1 电容器的选择 |
| 4.2 放电电压的选择 |
| 4.3 电容器的老练 |
| 5 现场试验结果 |
| 6 结论 |
四、脉冲式电容器老练仪研制（论文参考文献）
- [1]基于碳纳米管X射线测厚仪的研究[D]. 吴轩仪. 电子科技大学, 2020(01)
- [2]循环水系统嵌入式电导率仪的开发及应用[D]. 周黎斌. 华南理工大学, 2017(07)
- [3]特高压电器局部放电和交流耐压试验装置的研究与开发[D]. 潘华. 湖南大学, 2008(12)
- [4]氧化铝陶瓷的陷阱分布对其真空中沿面闪络特性的影响[D]. 吕金壮. 华北电力大学（北京）, 2003(04)
- [5]脉冲式电容器老练仪研制[J]. 景为平. 南通工学院学报, 2001(04)
- [6]电解电容器的脉冲放电特性[J]. 孙鹞鸿. 电力电容器, 2001(02)