一、砷化镓中非晶态与晶态界面的高分辨象（论文文献综述）
梁静国[1]（1984）在《砷化镓中非晶态与晶态界面的高分辨象》文中提出 离子注入进行掺杂是制备新型半导体器件的重要手段。研究离子注入产生的缺陷的形态与通过不同退火方式引起这些缺陷组态的变化对器件的工艺有重要的意义。国外在硅材料上已有不少这方面的工作。在砷化镓单晶片上用光刻法制备具有廿微米乘廿微米方格孔的筛状二氧化硅掩蔽层,通过方格孔注入磷离子在方格孔内形成非晶砷化镓薄层,在方格孔外在二氧化硅掩蔽层下仍为晶态砷化镓。将砷化镓薄片制备成透射电镜样品,用JEM—200CX及顶插式超高分辨样品台拍摄方格孔边缘处的晶态与非晶态的界面的晶格象。结果表明晶态区与非晶态区之间具有原子尺度上的界面,说明晶态到非晶态的相变是一级相变。在非晶态区内可观察到直径约为10埃到20埃间的晶态小岛。大量高分辨象的细节有待进一步的解释。
梁静国[2]（1983）在《砷化镓中非晶态与晶态界面的高分辨象》文中研究指明 离子注入进行掺杂是制备新型半导体器件的重要手段。研究离子注入产生的缺陷的形态与通过不同退火方式引起这些缺陷组态的变化对器件的工艺有重要的意义。国外在硅材料上已有不少这方面的工作。在砷化镓单晶片上用光刻法制备具有廿微米乘廿微米方格孔的筛状二氧化硅掩蔽层,通过方格孔注入磷离子在方格孔内形成非晶砷化镓薄层,在方格孔外在二氧化硅掩蔽层下仍为晶态砷化镓。将砷化镓薄片制备成透射电镜样品,用JEM—200CX及顶插式超高分辨样品台拍摄方格孔边缘处的晶态与非晶态的界面的晶格象。结果表明晶态区与非晶态区之间具有原子尺度上的界面,说明晶态到非晶态的相变是一级相变。在非晶态区内可观察到直径约为10埃到20埃间的晶态小岛。大量高分辨象的细节有待进一步的解释。
胡殷[3]（2010）在《氙离子轰击与强磁场处理作用下的材料表面行为》文中认为辐照损伤与强磁场影响,既是磁约束聚变反应堆内的基本环境,也广泛存在于其他的科研和工程实践中。研究材料在这两种影响因素作用下的行为,具有重要的科学意义和应用价值。本论文使用了多种研究手段和分析方法,尝试分析这两种因素对几类典型材料的表面作用过程。主要的研究内容和成果如下:首先,考察了单晶Si块体材料表面的辐照损伤过程。发现受辐照区域的损伤效果受到轰击参数条件的控制:高能量高剂量的Xe+会使辐照区域发生纳米级的肿胀效果,而低能量的Xe+会导致凹陷效果。进一步的实验和数据模拟证明,这两种不同的损伤效果是由辐照作用中的表面溅射和内部损伤两种因素叠加的结果。其次,使用Xe+轰击,研究了Mo-Re合金多晶薄膜的表面辐照损伤行为。通过观察不同合金含量（Re原子含量:0 % 8.4 %）的Mo-Re合金薄膜的表面辐照损伤现象,发现Re的存在显着影响了合金薄膜的抗辐照损伤性能,并获得了抗辐照性能最佳的的合金配比（Re原子含量:5.2 %）。当Re的含量增加到8.4 %时,薄膜在离子辐照后出现了局域非晶化等内部变化,证明Re的成分过多会降低薄膜的耐辐照稳定性。再次,研究了静态强磁场对顺磁半导体材料V2O5氧化结晶过程的影响。V2O3薄膜经过530°C下的空气退火,可以氧化结晶得到V2O5纳米棒。把静态强磁场施加于上述的氧化结晶过程,当磁场方向与样品表面法线方向平行时,随着磁场强度增大,氧化结晶获得的V2O5晶体棒尺度增大并且缺陷浓度下降。静磁场的洛仑兹力效应对熔体对流的阻碍作用可能是导致上述现象的原因。最后,尝试使用强磁场调控Fe纳米结构的取向性质。采用倾斜生长法（GLAD）制备得到了具有磁各向异性的Fe纳米棒阵列,预先在Fe薄膜与单晶Si基片之间沉积Au缓冲层,以改善纳米棒与基片的连接状况。在高真空退火过程中施加静态强磁场作用,对Fe纳米棒阵列的排布取向实现了磁致偏转,也改变了薄膜整体的易磁化方向。强磁场对磁各向异性纳米颗粒的磁力矩作用是上述偏转现象的驱动力。
二、砷化镓中非晶态与晶态界面的高分辨象（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、砷化镓中非晶态与晶态界面的高分辨象（论文提纲范文）
（3）氙离子轰击与强磁场处理作用下的材料表面行为（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 磁约束核聚变环境与相关的材料研究 |
| 1.2.1 磁约束核聚变的基本原理和 ITER 装置 |
| 1.2.2 磁约束聚变堆内材料的服役环境与材料选择 |
| 1.3 材料在辐照损伤环境下的行为 |
| 1.3.1 辐照损伤环境概述 |
| 1.3.2 辐照损伤的具体作用过程 |
| 1.3.3 Si 基片——典型的辐照损伤研究对象 |
| 1.3.4 Mo-Re 合金——在辐照损伤环境中实际应用的材料 |
| 1.4 材料在强磁场环境作用下的行为 |
| 1.4.1 强磁场环境综述 |
| 1.4.2 强磁场对材料的常见影响作用模式 |
| 1.4.3 强磁场环境作用于顺磁性 V_20_5 的结晶过程 |
| 1.4.4 强磁环境中的 Fe 纳米棒阵列薄膜 |
| 1.5 本文的研究内容及其意义 |
| 第2章 实验方法和实验设备介绍 |
| 2.1 实验内容 |
| 2.2 实验仪器及试剂 |
| 2.3 实验过程 |
| 2.3.1 基片的清洗方法 |
| 2.3.2 薄膜制备 |
| 2.3.3 离子束轰击处理 |
| 2.3.4 磁场热退火 |
| 2.3.5 形貌测量与显微分析 |
| 2.3.6 物相结构分析 |
| 2.3.7 性能测试 |
| 第3章 Xe~+轰击单晶 Si 表面 |
| 3.1 离子轰击实验方案与条件参数选择 |
| 3.2 单晶Si 基片表面的形貌与结构变化 |
| 3.2.1 SEM 观察结果 |
| 3.2.2 白光干涉表面形貌仪分析结果 |
| 3.2.3 Raman 光谱分析结果 |
| 3.3 单晶Si 基片表面形貌变化的规律总结与原理分析 |
| 3.3.1 表面形貌变化与离子轰击条件的关系 |
| 3.3.2 TEM 观察损伤区截面和SRIM 程序模拟 |
| 3.3.3 离子轰击对材料表面损伤情况——表面粗糙度分析 |
| 3.4 辐照后单晶Si 基片表面的性能变化 |
| 3.4.1 表面电阻性能测试 |
| 3.4.2 纳米碳管的选择性生长 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 Xe~+轰击钼铼合金薄膜 |
| 4.1 Mo-Re 合金薄膜的制备 |
| 4.1.1 用磁控溅射法制备Mo-Re 合金薄膜 |
| 4.1.2 控制合金薄膜的厚度与成份 |
| 4.1.3 合金薄膜的形貌、成分和结构分析 |
| 4.2 离子轰击实验方案与参数选择 |
| 4.3 轰击后合金薄膜的表面状况 |
| 4.3.1 表面溅射深度和粗糙度的测量 |
| 4.3.2 Re 含量对薄膜表面溅射行为的影响 |
| 4.4 轰击后合金薄膜的内部结构变化 |
| 4.4.1 晶体析出物 |
| 4.4.2 非晶区域及其形成过程 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 在强磁场中制备V_20_5 纳米结构 |
| 5.1 V_20_5 薄膜的制备 |
| 5.1.1 热氧化法制备V_20_3 薄膜 |
| 5.1.2 进一步退火处理得到V_20_5 |
| 5.2 在强磁场中制备V_20_5 纳米结构 |
| 5.3 磁场条件对薄膜的影响 |
| 5.3.1 磁场对薄膜形貌的影响 |
| 5.3.2 磁场对晶体结构的影响 |
| 5.3.3 磁场对发光性能的影响 |
| 5.4 强磁场对氧化钒纳米结构的作用机理解释 |
| 5.4.1 强磁场对氧化钒材料的作用模式 |
| 5.4.2 磁场对氧化钒结晶过程的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 强磁场调控铁纳米棒阵列的取向 |
| 6.1 铁纳米棒阵列的制备 |
| 6.1.1 倾斜生长法制备铁纳米结构 |
| 6.1.2 铁纳米棒阵列的磁各向异性 |
| 6.2 设计调控铁纳米棒阵列取向的方案 |
| 6.2.1 强磁场与铁纳米棒的作用 |
| 6.2.2 使铁纳米棒获得转动自由度 |
| 6.2.3 研究 Au 薄膜的退火特性 |
| 6.3 强磁场对 Fe 纳米棒阵列的作用 |
| 6.3.1 在 Au 薄膜上斜生长 Fe 纳米棒 |
| 6.3.2 在强磁场中进行真空退火 |
| 6.3.3 退火处理对纳米棒阵列的作用效果 |
| 6.4 旋转过程前后 Fe 纳米棒阵列的变化 |
| 6.4.1 纳米棒阵列的结构形貌变化 |
| 6.4.2 薄膜的磁性能变化 |
| 6.5 本章小结 |
| 第7章 全文总结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 |
四、砷化镓中非晶态与晶态界面的高分辨象（论文参考文献）
- [1]砷化镓中非晶态与晶态界面的高分辨象[J]. 梁静国. 电子显微学报, 1984(04)
- [2]砷化镓中非晶态与晶态界面的高分辨象[A]. 梁静国. 第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）, 1983
- [3]氙离子轰击与强磁场处理作用下的材料表面行为[D]. 胡殷. 清华大学, 2010(05)