一、巨磁电阻材料与信息存储及其对化学的挑战（论文文献综述）
施鹏斐[1]（2009）在《Sr-K-Fe-Mo-O双钙钛矿系列化合物制备与表征》文中研究说明本论文采用传统的固相合成法制得了SrKFeMoO6, Sr2-xKxFeMoO6（x=0.3,0.5,0.7, 0.9）系列,Sr2-xKxFeMoO6（x=0.2,0.4,0.6,0.8）系列和Sr2-xKxFeMo06（x=1.2,1.4,1.6）系列双钙钛矿型化合物样品,利用粉末X射线衍射、振动样品磁强计和四引线法,分别测量了样品的结构、磁学性能和电学性能。主要的研究结论如下：通过对SrKFeMoO6样品的结构、磁性能和电性能的研究得出样品属于单斜晶系,空间群为P21/n,晶格常数为a=5.489A, b=5.468A, c=7.846A,β=89.182°,样品中Fe06和Mo06八面体是有序排列的；样品的磁化强度随着外加磁场强度的增加而增加,样品在室温下的饱和磁化强度为2.55μB,在80K到300K温度范围内磁矩随温度变化缓慢,并且在所测温度范围内没有出现相转变温度,表明居里温度高于300K；样品的电阻率随温度的升高而升高,呈现出金属性,并且表现出明显的磁电阻效应,样品符合双交换模型导电机制。通过对Sr2-xKxFeMoO6（x=0.3,0.5,0.7,0.9）样品的结构和磁电性能的研究得出样品属于单斜晶系,空间群为P21/n,晶胞体积随着K的掺杂量x的增大而增大；磁化强度都随着温度的升高缓慢减小,并且在所测温度范围内没有出现相转变温度,表明居里温度高于300K,磁化强度都随着磁场的增大而增大并趋于饱和,随着K的掺杂量x的增大,样品的磁化强度增大；样品Sr2-xKxFeMoO6（x=0.9）表现出明显的磁电阻效应,符合单磁子散射模型导电机制。通过对Sr2-xKxFeMoO6（x=0.2,0.4,0.6,0.8）样品的结构和磁电性能的研究得出样品属于单斜晶系,空间群为P21/n,样品的晶胞体积随着K掺杂量x的增加先增大后减小；磁化强度都随着温度的升高缓慢减小,并且在所测温度范围内没有出现相转变温度,表明居里温度高于300K；样品的磁化强度都随着磁场的增大而增大并趋于饱和；样品Sr2-xKxFeMoO6（x=0.8）在1T外场的磁电阻效应在所研究温度范围内超过0.7,样品Sr2-xKxFeMoO6（x=0.2, x=0.8）符合双交换模型导电机制,样品Sr2-xKxFeMoO6（x=0.6）符合单磁子散射模型导电机制。通过对Sr2-xKxFeMoO6（x=1.2,1.4,1.6）样品的结构和磁性能的研究,得出样品属于单斜晶系,空间群为P21/n,晶胞体积随着K掺杂量x的增加而增大；磁化强度都随着温度的升高缓慢减小,并且在所测温度范围内没有出现相转变温度,表明居里温度高于300K；样品的磁化强度都随着磁场的增大而增大并趋于饱和；随着K含量x的增加,样品的磁化强度减小
董福营[2]（2007）在《GdCoO3化合物的掺杂与表征及Sr-K-Fe-Mo-O系列化合物的合成和表征》文中指出本论文中,采用了传统的固相反应法合成了系列化合物Gd1-χCaχCo1-χMnχO3（0.0≤x≤1.0）和Sr2-χKχFeMoO6 （χ= 0.4,0.8,1.0,1.2）,分别利用粉末X射线衍射确定了化合物的晶体结构,用振动样品磁强计和四引线法分别测量了样品的磁性能和电性能,得到主要的研究结果如下：1.在化合物GdCoO3掺杂得到系列化合物Gd1-χCaχCo1-χMnχO3 （0.0≤x≤1.0）样品,在整个掺杂范围内,样品的相结构都为正交畸变的GdFe03型结构（空间群为Pbnm）。晶胞参数a、b、c随着Ca和Mn掺入量的增加先增大后减小。所有样品在所测温度范围内均表现为顺磁性,居里温度都低于80K。另外由于Mn和Co粒子之间存在着强耦合作用,导致出现了磁簇。在所测的温度范围内样品都呈现绝缘体性质,而且样品的电阻率随着Ca和Mn的掺入量的增加而相应地降低。另外还对样品的导电机制进行了研究,分别对样品进行了各种电输运模型的拟合,发现有的样品的导电机制符合小极化子模型,有的则在低温时符合绝热小极化子跃迁模型,而在高温时却符合非绝热变程跃迁模型。2.对于Sr2-χKχFeMoO6 （χ= 0.4,0.8,1.0,1.2）系列氧化物,样品Sr2-χKxFeMoO6 （χ=0.8,1.0,1.2）的XRD衍射图谱说明这三种样品的晶体结构属于单斜晶系,空间群为P21,而且随着K含量的增加,晶胞体积逐渐增大；而样品Sr1.6K0.4FeMo06属于面心立方晶系,空间群为Fm3m。所有样品的磁化强度都随着温度的升高缓慢减小,并且在所测量的温度范围内没有出现明显的转折点,说明样品的居里温度都要高于500K；而它们的磁化强度都随着磁场的增大而增大并逐渐趋于饱和,所有样品均表现为铁磁性。另外,随着K掺杂量的逐渐减少,样品的M-T和M-H曲线都呈现有规律的变化。用一个简单的模型：Ms（χ,p）= （1-2p）×（4+χ）,计算出了样品中Fe／Mo的无序度。
姜山[3]（2006）在《软磁薄膜巨磁阻抗效应的理论研究》文中研究说明巨磁阻抗GMI效应即外加静磁场可以显着改变材料交流阻抗的物理效应，利用巨磁阻抗效应制作的磁传感器能够同时满足灵敏度高、尺寸微型化、响应速度快、功耗低、非接触测试和没有磁滞等要求，并且这种传感器使用交流驱动，可以实现调制、解调、滤波、振荡和共振等多种功能，在工程控制方面拥有广阔的应用前景。巨磁阻抗效应一般出现在软磁丝、薄带和薄膜中，其中薄膜GMI传感器适合半导体电路的集成并可应用于批量生产，能大大降低生产成本，因此研究软磁薄膜材料中的巨磁阻抗效应具有重要的实用价值，对它的研究也越来越受到各国研究者的重视。 本文建立了一个由两层软磁性能良好的铁磁材料中间夹一层导电薄膜构成的三明治结构薄膜模型，从理论上研究其巨磁阻抗效应。在该模型中我们重点考虑了磁各向异性的动态分量的影响，这一项在以往的模型中，往往是被忽略的，而在交变电流作用下，尤其是在高频下，这一分量的作用是值得考虑的。研究的主要内容和结论如下： 首先，从“铁磁层/导体层/铁磁层”三明治结构出发，利用经典的Maxwell方程组，结合一定的边界条件，计算出导体层与磁性层的电流分布表达式，得到三明治薄膜的阻抗表达式。 其次，考虑磁性层具有180°条状磁畴。利用Landau-Lifshitz方程，采用Gilbert阻尼形式计算得到了高频下铁磁层的张量磁导率的表达式。在计算中，我们将磁晶各向异性等效场随交变电流变化的动态量纳入Landau-Lifshitz方程进行计算，得到张量磁导率表达式，计算得到横向有效磁导率的表达式。 我们的计算结果与N．A．Usov、董承远、黄灿星等人的未考虑磁各向异性的动态分量的结果进行比较得到：对于具有横向各项异性的三明治薄膜，当纵向外加磁场大小与各向异性等效场大小相当、外加交变电流频率相对较低时，磁各向异性等效场随时间变化的动态分量对有效磁导率的影响不可忽略，当外加直流磁场与磁各向异性场差别较大，或交变电流频率相对较高时，两种模型计算的结果基本一致，此时可以忽略磁各向异性等效场的动态分量的影响。外加静磁场和磁各向异性等效场之间的夹角越大，磁晶各向异性等效场的动态分量对有效磁导率的
赵燕平,由臣,宁保群[4]（2003）在《巨磁电阻材料及应用》文中提出介绍了什么是巨磁电阻效应,以及由此获得的一种新型功能材料—巨磁电阻材料;巨磁电阻材料的不同类型,描述了其特性;此外还介绍了用于计算机硬磁盘驱动器的巨磁电阻磁头和巨磁电阻随机存储器的最新应用和开发,指出巨磁电阻材料在传感器等方面的应用也令人瞩目,有着广阔的市场前景.
严纯华,黄云辉,王哲明,张志力,廖春生,徐光宪[5]（1998）在《巨磁电阻材料与信息存储及其对化学的挑战》文中提出介绍了巨磁电阻材料在信息存储中用于硬盘驱动器读出磁头的巨大应用前景，讨论了当今采用化学方法制备和研究这类材料的进展及存在的问题。
二、巨磁电阻材料与信息存储及其对化学的挑战（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、巨磁电阻材料与信息存储及其对化学的挑战（论文提纲范文）
（1）Sr-K-Fe-Mo-O双钙钛矿系列化合物制备与表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 巨磁电阻效应及应用 |
| 1.3 双钙钛矿型氧化物 |
| 1.4 本文工作的选题依据 |
| 第2章 样品的制备与物性表征 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 固相合成法制备样品 |
| 2.3 样品的物性表征 |
| 第3章 SrKFeMoO_6的结构和电磁性质的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品的晶体结构分析 |
| 3.3 样品磁性能的分析 |
| 3.4 样品电性能分析 |
| 3.5 小结 |
| 第4章 Sr_(2-x)K_xFeMoO_6(x=0.3,0.5,0.7,0.9)的结构和电磁性质的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品的晶体结构分析 |
| 4.3 样品磁性能的分析 |
| 4.4 样品电性能分析 |
| 4.5 小结 |
| 第5章 Sr_(2-x)K_xFeMoO_6(x=0.2,0.4,0.6,0.8)的结构和电磁性质的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品的晶体结构分析 |
| 5.3 样品磁性能的分析 |
| 5.4 样品电性能分析 |
| 5.5 小结 |
| 第6章 Sr_(2-x)K_xFeMoO_6(x=1.2,1.4,1.6)的结构和电磁性质的研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 样品的晶体结构分析 |
| 6.3 样品磁性能的分析 |
| 6.4 小结 |
| 结语 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 |
（2）GdCoO3化合物的掺杂与表征及Sr-K-Fe-Mo-O系列化合物的合成和表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 巨磁电阻材料 |
| 1.2 国内外在该方向上的研究概况 |
| 1.3 钙钛矿型锰氧化物 |
| 1.3.1 钙钛矿型锰氧化物的最新进展 |
| 1.3.2 钙钛矿型锰氧化物的结构 |
| 1.3.3 钙钛矿锰氧化物的磁结构 |
| 1.4 双钙钛矿型氧化物 |
| 1.4.1 双钙钛矿型氧化物的研究进展 |
| 1.4.2 双钙钛矿型氧化物的晶体结构 |
| 1.4.3 双钙钛矿型氧化物的电磁性质 |
| 1.4.4 双钙钛矿型氧化物的电子结构 |
| 1.4.5 A位离子取代对双钙钛矿型氧化物电磁性质的影响 |
| 1.5 钙钛矿型氧化物和双钙钛矿型氧化物的主要合成方法 |
| 1.5.1 固相合成法 |
| 1.5.2 液相合成法 |
| 1.5.3 脉冲激光法 |
| 1.5.4 自蔓延高温合成技术 |
| 1.6 本文工作的选题依据 |
| 第2章 样品的合成与分析方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 固相反应法制备样品 |
| 2.3 样品的分析方法 |
| 2.3.1 样品晶体结构的测定 |
| 2.3.2 样品磁性能的测量 |
| 2.3.3 样品电性能的测量 |
| 第3章 Gd_(1-x)Ca_xCo_(1-x)Mn_xO_3(0.0≤x≤1.0)系列氧化物结构及性质的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验 |
| 3.2.1 样品的制备 |
| 3.2.2 样品的测量 |
| 3.3 结果和讨论 |
| 3.3.1 Gd_(1-x)Ca_xCo_(1-x)Mn_xO_3(0.0≤x≤1.0)系列氧化物的晶体结构分析 |
| 3.3.2 Gd_(1-x)Ca_xCo_(1-x)Mn_xO_3(0.0≤x≤1.0)系列氧化物磁性能分析 |
| 3.3.3 Gd_(1-x)Ca_xCo_(1-x)Mn_xO_3(0.0≤x≤1.0)系列氧化物电性能分析 |
| 3.4 小结 |
| 第4章 Sr_(2-x)K_xFeMoO_6(x=0.4,0.8,1.0,1.2)系列氧化物结构及性质的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验 |
| 4.2.1 样品的制备 |
| 4.2.2 样品的测量 |
| 4.3 结果和讨论 |
| 4.3.1 Sr_(2-x)K_xFeMoO_6(x=0.4,0.8,1.0,1.2)系列氧化物的晶体结构分析 |
| 4.3.2 Sr_(2-x)K_xFeMoO_6(x=1.2,1.0,0.8,0.4)系列氧化物磁性能分析 |
| 4.4 小结 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 致谢 |
（3）软磁薄膜巨磁阻抗效应的理论研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 巨磁阻抗效应的起源与发展历史 |
| 1.2 巨磁阻抗效应的应用 |
| 1.3 GMI效应的理论解释 |
| 1.3.1 单层结构材料巨磁阻抗效应的理论分析 |
| 1.3.2 多层复合结构材料的巨磁阻抗效应的理论研究 |
| 1.4 本论文的工作 |
| 参考文献 |
| 第二章 三明治结构薄膜GMI效应的物理模型及阻抗公式的理论推导 |
| 2.1 三明治薄膜的物理模型 |
| 2.2 等效磁场 |
| 2.3 铁磁层磁畴结构模型 |
| 2.4 高频阻抗表达式的推导 |
| 2.5 高频磁导率的计算 |
| 参考文献 |
| 第三章 对材料GMI效应的计算模拟 |
| 3.1 各向异性等效场的动态分量对有效磁导率的影响 |
| 3.1.1 固定交流电流频率,外加纵向静磁场变化时,各向异性的动态分量对有效磁导率造成的影响 |
| 3.1.2 固定纵向外加静磁场,交变电流频率变化时,各向异性的动态分量对有效磁导率造成的影响。 |
| 3.1.3 固定交流电流频率,横向外加静磁场变化时,各向异性的动态分量对有效磁导率造成的影响。 |
| 3.1.4 各向异性场方向改变时,其动态分量对有效磁导率造成的影响 |
| 3.2 导体层、铁磁层材料的电导率对薄膜GMI效应的影响 |
| 3.2.1 导体层的电导率对薄膜GMI效应的影响 |
| 3.2.2 磁性层的电导率对薄膜GMI效应的影响 |
| 3.3 理论模型与实验结果的比较 |
| 3.3.1 FeCuNbSiB单层膜的磁阻抗比理论结果与实验结果的比较 |
| 3.3.2 FeCuCrVSiB/Ag/FeCuCrVSiB三明治膜的磁阻抗比的理论结果与实验结果的比较 |
| 本章结论 |
| 参考文献 |
| 第四章 结论 |
| 附录 |
| 致谢 |
| 发表文章目录 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（4）巨磁电阻材料及应用（论文提纲范文）
| 1 巨磁电阻效应 |
| 2 巨磁电阻材料 |
| 2.1 磁性金属多层膜 |
| 2.2 自旋阀 |
| 2.3 金属颗粒膜 |
| 2.4 磁性隧道结 |
| 2.5 超巨磁电阻 (CMR:colossal MR) |
| 3 巨磁电阻效应在信息存储等领域中的中的应用 |
| 3.1 GMR效应在计算机硬盘 (HDD) 中的应用 |
| 3.2 GMR效应在随机存储器 (MRAM) 中的应用 |
| 3.3 GMR效应在其它领域中的应用 |
四、巨磁电阻材料与信息存储及其对化学的挑战（论文参考文献）
- [1]Sr-K-Fe-Mo-O双钙钛矿系列化合物制备与表征[D]. 施鹏斐. 河北大学, 2009(03)
- [2]GdCoO3化合物的掺杂与表征及Sr-K-Fe-Mo-O系列化合物的合成和表征[D]. 董福营. 河北大学, 2007(S1)
- [3]软磁薄膜巨磁阻抗效应的理论研究[D]. 姜山. 山东大学, 2006(12)
- [4]巨磁电阻材料及应用[J]. 赵燕平,由臣,宁保群. 天津理工学院学报, 2003(03)
- [5]巨磁电阻材料与信息存储及其对化学的挑战[J]. 严纯华,黄云辉,王哲明,张志力,廖春生,徐光宪. 大学化学, 1998(06)