一、关于低噪声微波放大器噪声温度的测量（论文文献综述）
巨乾宇[1]（2021）在《可调谐脉泽低噪声放大器研究》文中认为微波激射器（maser）也被称为脉泽。是一种利用受激辐射原理研发的微波放大器。对于脉泽技术而言,早期受限于其需要在接近绝对零度以及外加强磁场的环境下才能正常工作。伴随着脉泽的不断发展,各类型的常温半导体微波激射器（Room-temperature semiconductor polariton maser）也被研发出来,虽然在实现环境和输出功率上有所突破,若想在常温下使用,仍需要庞大的占地空间和昂贵的仪器设备,这极大的限制了脉泽的实际应用。而放大器作为经常出现在接收机系统的常客,对于接收机前端系统而言有着举足轻重的作用。低噪声放大器的性能对整个收发系统的噪声系数,灵敏度以及动态范围等有着决定性的影响。对整个收发系统来说,第一级低噪声放大器往往在性能指标上有着较高的要求。在军用或者一些高精尖的设备中,现在会通过高温超导接收机系统来达到降低系统的噪声和提高灵敏度的目的。但对于目前的高温超导技术,接收机前端系统包括滤波器和低噪声放大器需要工作在至少77K的温度下,苛刻的条件带来的是不菲的价格,因此基本上不能用于民用设施。本文研究了一种基于常温半导体微波激射器技术的可调谐脉泽低噪声放大器。该低噪声放大器不需要外加直流偏置,取而代之的是通过泵浦信号功能驱动并且实现了选频功能和低噪声放大器相结合,不但解决了用电问题,在空间和成本上也有了巨大的优化。本文的研究工作主要包括以下几个方面:1、对低噪声放大器和HEMT晶体管的发展历程进行了简要介绍。2、对微波激射器（maser）的发展进行了详细介绍并引出了本文的核心理论:常温半导体微波激射器理论。简单介绍了理论的核心思想和验证方法。并依据此理论研发设计了215MHz和475MHz的定频脉泽低噪声放大器。分别实现了3.3dB的噪声,16.47dB的增益以及0.82dB的噪声和38.95dB的增益。3、在定频脉泽低噪声放大器的基础上进行改型,设计了两种加电方式的可调谐脉泽低噪声放大器。调频范围分别为250.2MHz-242MHz和261.4MHz-253.2MHz。噪声系数最低可以达到1.59dB,增益最高为17.899dB,1dB压缩点在通频带内为20dB左右。
杨思磊[2]（2020）在《多频有源集成天线的设计方法研究》文中进行了进一步梳理随着有源集成天线在通信技术中的广泛应用,对有源集成天线的研究在不断深入,但是仍然难以满足越发广泛的应用需求。首先当前现有的有源集成天线设计多集中于单频设计,不能很好的满足目前市场对多频多功能系统的需求;其次,在集成化设计中怎样更好地兼顾有源集成天线的高集成化和高性能仍然需要探索;最后,现有的有源集成天线仿真方法,不能十分完善精准的仿真分析有源集成天线的各种参数特性,不利于设计者快速高效精准地仿真设计有源集成天线。针对上述问题,本文主要开展了有源集成天线高集成高性能、多频设计和仿真设计方法三个方面的研究,主要包括:1)针对高集成化和高性能难以兼顾的问题,本文研究学习了多频阻抗变换原理,并在无源天线和有源模块之间引入多频阻抗变换器,实现多频设计和高集成化设计。2)在有源集成天线的仿真设计,通过接收/发射的等效变换设计,使用有源发射天线等效表征有源接收天线的远场辐射特性,实现有源接收天线的远场辐射特性仿真。3)针对有源集成天线的高集成化设计,有源电路参数特性难以简单有效的仿真计算,最终导致设计结果和预期存在误差的问题,本文通过引入零阻抗的虚拟端口,把有源集成天线的单端口网络模型构造成等效的双端口网络模型,使无源天线的端口阻抗特性能够用于有源电路的参数特性仿真,实现有源电路特性更为准确的计算。4)本文提出了一种改进的多频有源集成天线设计方法,根据上述两种分析模型,在实现了完善精准的仿真分析有源集成天线的各种参数特性的基础上,能够在不同约束准则下高效准确地设计有源集成天线。5)本文基于上述的多频阻抗变换技术和改进的多频有源集成天线设计方法完成了分别满足增益均衡和G/T值均衡两个约束准则的多频有源集成天线设计,并对G/T值均衡的有源集成天线进行加工和测试。实测结果和仿真结果趋势一致,验证了改进的有源集成天线设计方法能够在不同准则要求下设计有源集成天线,对抑制设计误差,提高设计效率,改善有源集成天线的特性有积极的意义。
赵正平[3]（2020）在《碳基纳电子的新进展(续)》文中认为4 GFET MMIC大面积的CVD和外延石墨烯材料以及RF GFET的进展为石墨烯单片集成电路（MMIC）的发展奠定了材料和器件基础,由于石墨烯器件具有特有的双极性能、高电子迁移率、二维电子气、弹道输运以及独特的电子和机械性能等特性,目前石墨烯电子学在混频器、放大器、THz探测器、弹道整流器和柔性电路等五方面已有长足进步。
仲伟业[4]（2020）在《射电天文毫米波多波束低温接收机关键技术研究》文中进行了进一步梳理射电天文学诞生于20世纪30年代,是一门利用射电望远镜探测天体辐射来研究天文问题的学科。一个典型的射电望远镜主要有反射面天线、馈源喇叭、极化网络、接收机和数字终端等组成。亚洲最大口径的全可动射电望远镜-天马望远镜（上海65米射电望远镜）坐落在上海市松江区佘山镇,由上海市科委、中国科学院和中国探月工程共同出资建造。主要工作频率包括L、S、C、X、Ku、K、Ka和Q等八个工作波段,本文研制了天马望远镜国内首套Q波段双波束低温接收机,同时也是天马望远镜的最高频段,解决了高效率、紧凑型宽带馈源喇叭;低损耗、低轴比宽带极化网络;Q波段双波束接收机系统设计与集成等关键技术问题。本文的主要工作如下:（1）研制了高效率、紧凑型宽带馈源喇叭。提出了反射面天线和馈源喇叭联合仿真与优化的思路和方法,实现了电磁场仿真与物理光学仿真之间的无缝衔接,获得了接收灵敏度最优的微波光路与馈源喇叭。利用电磁场仿真软件获得的馈源喇叭远场辐射方向图直接导入到反射面天线中进行物理光学的仿真,优化其目标函数。馈源喇叭采用了一种正弦函数轮廓、可变槽深模式变换区的波纹喇叭,该馈源喇叭口径尺寸小、相位中心稳定,解决了双波束馈源在焦平面空间分布的难点。实物加工采用了切片叠合组装工艺,解决了毫米波段波纹喇叭必须一次整体成形工艺以保证电性能的难点,具有性能优异和加工成本低等优点。加工了两只Q波段馈源喇叭,各项性能指标测试结果优异,验证了设计思路与方法的有效性。（2）研制了低插损、低轴比宽带极化网络。采用差分移相器与正交模转换器组合的形式,解决了在35 GHz至50 GHz工作带宽内各项性能指标均优异的难点,并成功应用于Q波段双波束低温接收机中。极化网络作为射电天文接收机中的核心器件之一,位于馈源喇叭与单片微波集成电路低噪声放大器之间,用于对接收到的极化信号进行分离,其难点在于关键指标太多,主要包括工作带宽、插入损耗、圆极化轴比、极化隔离度、端口隔离度、回波损耗等。差分移相器采用了双壁波纹结构,由于毫米波波长小,加工精度是瓶颈,相比传统的四壁结构,双壁结构降低了加工难度,适应了毫米波频段的特点,但对设计准确性的要求提高了很多,通过设计容差分析与优化仿真,不仅找到了影响指标的关键尺寸,而且优化设计后,减少对关键尺寸的敏感性,提高了加工容差容忍度,在整个频带内实现良好的相移特性和圆极化轴比。正交模转换器采用了双脊结构的Boifot形式。通过容差分析,解决了正交模转换器在子模块组装过程中容易出现谐振点的难点。研制的两组Q波段差分移相器和正交模转换器,其所有技术指标,均达到了设计要求,验证了技术方案与设计方法的有效性。（3）研制了国内首套Q波段双波束低温接收机。采用馈源喇叭、极化网络和单片微波集成电路低噪声放大器整体致冷结构,解决了天马望远镜低频段接收机（L波段至Ku波段）由于馈源喇叭常温工作引入的3-7 K附加噪声问题,有效地降低了接收机噪声温度并提升了接收灵敏度。该接收机工作频率范围为35 GHz至50 GHz。完成了真空低温杜瓦内部结构和技术指标优化,馈源喇叭、噪声注入耦合器、差分移相器、正交模转换器和单片微波集成电路低噪声放大器通过G-10绝热材料进行支撑,并通过冷带连接到制冷机二级制冷平台,工作在低温20 K温区。解决了大口径微波真空窗口引起的热负载问题,在馈源喇叭和微波真空窗口之间安装多层隔热材料作为红外滤波器,并且使其工作在77 K温区。通过优化多层隔热材料的层数和之间的距离,使隔热材料的噪声贡献和馈源网络工作的温度达到最终的平衡。完成了接收机除低温低噪声放大器以外所有无源核心毫米波部件的研制工作,以及整个接收机在天马望远镜上的安装调试工作。另外还介绍了天马望远镜最低频率L波段低温接收机的研制工作。本文研制的高效率、紧凑型宽带馈源;低插损、低轴比宽带极化网络;Q波段双波束低温接收机等均已经在天马望远镜中使用超过三年,获得诸多单天线和甚长基线干涉测量射电天文观测结果。
纪斌[5]（2019）在《低温低噪声放大器产品详细规范制定研究》文中研究表明介绍了低温低噪声放大器产品结构、功能和用途。分析了现行低温低噪声放大器相关标准的适用情况,针对噪声温度、可靠性等质量特性,提出了包含产品全部要求和内容的详细规范制定方案,研究了详细规范中性能参数、测试方法和环境试验等关键技术要素的制定。结果表明:该标准规范了低温低噪声放大器详细要求的制定方法,适用于该产品的设计、制造及质量评价。
张宁[6]（2019）在《GaAs pHEMT噪声模型及低噪声放大器设计研究》文中指出GaAs基pHEMT器件因其高的电子迁移率和低的噪声特性已经广泛应用在无线通信系统射频集成电路设计中,尤其是对噪声和灵敏度高要求的射频前端低噪声放大器（LNA）应用中。随着现代无线通信系统的快速发展,对GaAs MMIC LNA性能指标要求越来越高,由于设计和生产性能优异的LNA需要精确的半导体器件小信号和噪声模型提供理论支持和设计依据,因此,建立精确的器件模型对LNA的电路设计和仿真优化至关重要。基于上述背景,本文重点围绕GaAs pHEMT器件小信号等效电路模型、噪声模型以及模型参数提取方法和低噪声放大器设计等方面展开工作,所取得的主要研究成果包括:1.介绍了GaAs pHEMT器件的基本物理结构参数,基于台湾Win半导体公司提供的0.15μm InGaAs Low Noise pHEMT工艺,建立了精确的GaAs pHEMT小信号等效电路模型。利用微波网络信号矩阵技术,提出了一种根据特殊偏置状态下的简化等效电路拓扑结构来分步提取模型元件参数的提参方法,通过与实测的S参数进行拟合与误差分析,表明所建立的小信号等效电路模型和参数提取方法具有良好的精度（S参数的幅度和相位误差分别低于6%和3度）和宽带（226GHz）等特性,为噪声模型分析和电路设计提供了必要的数据支持。2.从GaAs pHEMT器件噪声产生机理出发,采用噪声功率谱密度和待定噪声因子表达式表征噪声等效电路模型,改进了传统经验公式对噪声源的描述方法。针对高频下寄生元件引入的额外噪声影响,提出了一种基于噪声相关矩阵理论的简便通用噪声去嵌技术,同时考虑了栅极泄露电流产生的散粒噪声效应,修正了PUCEL和POSPIESZALSKI噪声模型的噪声因子解析式,完善了从噪声去嵌到提取噪声因子的GaAs pHEMT噪声等效电路建模流程。并通过噪声参数的仿真数据与实际测量值进行对比分析,验证了该建模方法的准确性。3.通过建立的小信号模型分析了宽带低噪声放大器设计时负载RLC网络对输入匹配的影响,对多频点匹配增益补偿的机制原理进行理论分析,从而提出了采用双边匹配和增益补偿设计思路,以实现全频带内具有优秀的回波损耗和平坦的高增益的要求。基于噪声模型理论分析,设计了812GHz三级CASCADE结构的宽带高增益低噪声放大器,包括电路拓扑结构的选取,输入输出级的电路设计,级间匹配电路的分析以及版图的布局优化,最终的后仿结果显示,在812GHz工作频段内,输入输出回波损耗小于-10dB,小信号增益为33.2±0.5dB,噪声系数小于2dB,全频带内绝对稳定,具有优异的噪声增益特性。
王维波[7]（2019）在《微波毫米波单片集成电路设计技术研究》文中提出随着微波单片集成电路技术的发展,毫米波MMIC芯片的制造加工技术日益成熟,由于毫米波具有分辨率高、带宽大等特点,已经逐渐在雷达探测、毫米波成像、精确制导、点对点局域通信、毫米波防撞雷达等军民领域得到大量应用。近年来,随着“大数据”、“人工智能”及移动互联网时代的来临,万物互联的智能化需求日益迫切,人类需要快速、实时地在任何地点能够处理海量的信息,传统的3G、4G移动通信技术的带宽瓶颈愈加凸显,因此,迫切需要更大带宽的移动通信技术来适应这种新技术的发展,然而,由于微波技术多年的发展,低频段频谱资源已经拥挤不堪,迅速衰竭,无线通信及设备技术不得不向毫米波及更高频段寻找资源,5G毫米波通信技术便应运而生,迅速成为当前工业界及学术界的研究热点。相比传统的通信技术,5G通信技术具有更高的调制带宽、更复杂的调制模式,因此对系统的线性度指标和EVM指标有着更高的要求,然而,由于毫米波芯片工作频率的提高,其噪声系数、线性度、相位噪声、效率等关键性能指标较低频出现明显的恶化,虽然毫米波工作可以在理论上提供丰富的带宽资源,但是器件及电路性能又会因为高频工作而形成不可避免的损失,使得毫米波通信用芯片的研发更为艰难。虽然毫米波MMIC芯片已经在不同领域得到应用,但是大多数芯片产品集中在传统的探测、雷达领域,尚未形成全面面向线性度、EVM、效率等通信系统关键指标兼顾的设计方法,加之高频电磁场耦合效应明显增加、电磁场仿真技术的精度恶化等原因,导致毫米波电路设计技术出现很多新的挑战,本文在这种背景下,通过仔细研究器件模型在高频出现的新情况,探索了毫米波高精度模型提取方法,面向毫米波通信系统的要求,研究不同功能电路的设计理论和方法,最终完成了LNA、PA、Mixer、Multiplier及VCO多种芯片的设计和实际验证,通过这些芯片的设计与制作,为5G毫米波通信电路设计探索了一些重要的思路方法。主要研究内容及研究成果分为以下几个方面:1.为了提高毫米波MMIC设计的精度和成功率,本文研究了毫米波器件模型提取技术。从分析器件模型在高频工作时的分布效应、寄生效应等方面开始,分析了器件模型在毫米波工作时的特点,研究了器件的自热效应、DC-AC色散效应,分布效应等几种高频效应以及电磁场仿真边界条件校准技术,分析了目前使用毫米波器件模型的主要误差来源,提出了一种栅宽、栅指数可以任意精确缩放的小信号模型提取技术,为后续的电路设计提供了很好的基础。2.研究了毫米波功率放大器的效率与线性度兼顾设计问题,通过分析高效率放大器设计中的谐波控制、低损耗匹配网络、有源动态偏置、及高线性“甜区”设计等几种关键技术,研究了器件谐波控制技术和线性度技术的关系及折中的设计方法,同时对功率放大器设计中最为重要的奇模振荡、杂散及分频、栅电流设计等问题进行了研究,最终利用“甜区”偏置和高效率谐波控制补偿结合的方法实现了线性度和高效率性能的折中设计,通过一种Ka波段平衡式功率放大器和一种W波段高功率放大器验证了设计方法的准确性,实现了毫米波通信发射系统关键芯片的设计技术研究。3.研究了毫米波VCO低相位噪声设计技术。通过分析相位噪声的形成机理和物理来源,对比不同形式拓扑结构的VCO电路,讨论了低相位噪声VCO设计的关键技术,通过负阻振荡方法研究了电路的起振和稳定条件对VCO设计的指导作用,详细研究了振荡器地相位噪声设计的偏置选择方法,归纳总结了互相锁定技术在低相位噪声VCO设计中的关键作用,最终通过制作Ka波段和W波段两种VCO MMIC,为高频通信系统的信号源开发做出了探索。4.为了提高毫米波混频器和倍频器的相位噪声、线性度等性能,研究了电路平衡性对电路线性度、相位噪声等性能指标的影响,总结了混频器和倍频器的相位噪声及非线性的来源,分析了巴伦、正交耦合器不平衡性对通信系统的相位噪声及线性度的影响机理,并提出了相应的设计改进方法;同时从二极管非线性模型,高性能混频二极管技术方面研究了限制无源混频器中工作带宽和性能的因素;分析了二极管饱和特性和IQ混频器镜像抑制度的关系,研究了混频器交调信号的产生机理和主要来源和线性化设计技术。最终参考这些理论设计了Ka波段管堆式双平衡混频器、W波段单平衡混频器、C波段宽带IQ混频器和V波段IQ混频器等多款混频器芯片;同时研究了毫米波倍频源的设计方法,通过分析不同电路拓扑的优缺点,分析了E类倍频、平衡式倍频、F类倍频等类型的设计方法,对倍频器及其缓冲放大器的设计要点进行了分析,最终实现了Ka波段高抑制度有源四倍频器芯片及完整的毫米波系统变频电路的设计方案。5.为了提高毫米波低噪声放大器的设计精度,研究了毫米波低噪声放大器的精确设计方法。从分析器件的噪声性能及不同噪声模型的区别入手,结合经典的两端口噪声理论,仔细分析了器件单指栅宽和栅指数的寄生、分布效应,研究了器件偏置点对噪声系数如何施加影响,最终提出了一种可以精确量化的低噪声设计放大器方法,分析得出了最佳单指栅宽和栅指数、最佳偏置工作点、最佳负反馈电感等条件的精确量化依据,同时根据理论分析并提出了面向宽带、窄带要求工作时低噪声放大器设计的设计流程,通过一款W波段低噪声放大器芯片验证了设计理论的正确性,为毫米波接收前端的设计打下了基础。本论文中通过研制几种典型的毫米波电路MMIC,对相关电路设计理论和方法进行了细致的探索,这些理论和方法具有一定的学术和工程价值,文中所有芯片的制作和研制均是基于南京电子器件研究所（NEDI）的化合物半导体工艺平台,其中多款产品已经大量在通信等装备中使用,解决了我国在毫米波雷达、通信领域中一些关键性元器件的国产化,为我国自主研发毫米波芯片做出了一定的探索。本论文主要有以下几种创新性研究成果:（1）提出了一种可有效提高毫米波器件模型精度,并在毫米波频段可实现精确缩放的分布式器件建模技术。研究了毫米波器件模型提取技术中的误差来源,通过对器件高频分布效应、交直流色散效应,以及等器件模型精度的分析,提出了无源校准结构设计和电磁场仿真误差修正方法。利用该模型,设计并制备出输出功率大于5W的3mm波段氮化镓功率放大器芯片,技术指标国际领先。（2）采用F类功率放大和“线性甜区”结合的方法,设计并制备了一种平衡式Ka波段高效高线性中功率放大器芯片。芯片具有附加效率高、线性度指标优良、对负载阻抗变化不敏感等优点,已经成功用于国内的军民电子领域。（3）提出了一种基于最小噪声系数、噪声电阻、器件尺寸等物理参数分析的毫米波低噪声放大器芯片的全局优化性设计方法,避免了传统低噪声电路设计经验引入的随意性,并设计出一种W波段平衡式低噪声芯片,实测结果表明噪声系数等性能良好。
宁高利[8]（2012）在《并行式多频带低噪声放大器的研究与设计》文中指出微波放大器是无线通信系统中一个重要的组成部分，其性能的好坏对整个无线通信系统的性能指标有着举足轻重的作用。随着第三代移动通信技术的快速发展，近年来，对多模式多标准兼容的工作系统的需求越来越多，进而推动了能在多频点工作的低噪声放大器（LNA）的研究。本论文在研究微波低噪声放大器基本理论和分析方法的基础上，针对目前微波放大器研究设计的热点和趋势，重点对其多频带技术进行了研究，并设计了一款能支持多频带同时工作的并行式低噪声放大器。首先，回顾和总结了低噪声放大器的历史和发展现状，在此基础上，阐述了低噪声放大器的各项技术指标的定义，内涵等，及其设计理论，包括设计原则，设计方法和设计步骤等。其次，在阅读大量文献的基础上，总结和介绍了目前存在的几种主流的低噪放的多频带实现方案，并比较了它们之间的优缺点。最后研究并设计了一种能同时工作于无线局域网（WLAN）和全球微波互联接入（WiMAX）应用频段2.4-2.7GHz,3.3-3.8GHz和5.1-5.9GHz的并行式三频带低噪声放大器。该放大器由两个共源级单管放大级级联而成，通过结合使用阶梯阻抗变换器和串并联反馈技术，在工作频段内同时获得了良好的回波损耗、低噪声、高线性度等性能。结果表明该放大器在所需的三个工作频段内的输入输出回波损耗大于12dB，增益大于21dB，噪声系数优于2dB，在同类电路中属于佼佼者。
孙安锋[9]（2012）在《微波低噪声放大器模块的设计与实现》文中研究表明微波低噪声放大器是通信、卫星、雷达、电子对抗和遥测遥控等通信接收系统中不可或缺的关键器件。随着现代无线通信的迅猛发展，特别是一些宽带通信系统的使用，对微波宽带低噪声放大器的需求日益剧增。因此微波宽带低噪声放大器技术得到迅猛发展。微波宽带低噪声放大器的设计难点主要在于宽带匹配网络的实现和对增益平坦度的控制。本文首先介绍了低噪声放大器的基本设计理论，综述了低噪声放大器的各项指标及这些指标的测试方法，详细阐述了低噪声放大器的设计原理以及阻抗匹配原理，并对宽带放大器的结构形式进行了比较，介绍了各种宽带设计方法及宽带匹配理论。在此基础上，设计了三款微波低噪声放大器模块，仿真软件基于Agilent公司ADS，并且加工了放大器电路板，完成了调试工作。设计的前两款微波低噪声放大器模块分别应用于GPS和北斗接收系统，采用了Avago公司的ATF-54143晶体管。测试结果表明，其中用于GPS的低噪声放大器模块工作电流43mA，带内增益有30dB左右，增益平坦度±0.43dB。用于北斗导航系统的低噪声放大器模块工作电流41mA，带内增益有30dB左右，增益平坦度±0.17dB。此两款窄带低噪声放大器具有工作电流小，噪声系数小，增益高，输入输出端口反射系数小等特性。接着我们设计了一款1-2GHz宽带低噪声放大器模块。采用微带加集总元件的方法获得了较宽的阻抗带宽；为了进一步改善阻抗带宽以及增益的平坦度，采用漏极并联负反馈技术，放大器模块获得了较好的增益平坦度。测试结果表明，该低噪声放大器在1-2GHz频段内增益平坦度为±0.8dB，带内增益30dB左右，噪声系数1.56dB，测试工作电流100mA。最后总结了本论文所做的工作，并对后续的工作做了展望。文中给出了本次设计的经验，这些经验对于从事微波电路设计有着很大的帮助。
张英浩[10]（2011）在《毫米波被动双极化探测及相控阵扫描关键技术研究》文中研究指明毫米波辐射计能检测物体毫米波辐射信号的强弱,从而根据物体辐射特性的不同对目标进行探测识别及成像,具有区分金属非金属能力强、穿透雨雾烟尘及衣物等能力强、全天时工作等特点,因此在灵巧弹药末制导、地球环境遥感、大气气象研究、导航和安检等领域具有广泛的应用前景。本文主要对毫米波被动探测中利用物体极化辐射信息对虚假目标识别问题、毫米波被动相控阵成像中相位控制波束扫描问题及毫米波辐射计中逆向辐射、温度补偿及稳定性等相关问题进行理论和实验研究,具体工作如下：1.分析了毫米波超外差式辐射计中本振源相位噪声、混频器端口隔离度等参数对逆向辐射噪声及其引起的噪声温度测量误差的影响,给出了分析模型和解析计算公式,为系统设计时关键部件参数选择提供参考依据。2.提出基于四次谐波混频的毫米波辐射计,采用谐波混频抑制了逆向辐射噪声,采用X波段本振源增强了系统稳定性,降低了系统成本。在对逆向辐射抑制原理分析基础上,设计并研制了8mmm波段系统样机,实测温度灵敏度1.1K。3.针对小体积高集成度平台应用需要,对8mm直接检波式辐射计及其关键部件进行了设计与研制,实测系统样机温度灵敏度0.48K。针对毫米波前端增益-温度变化引起系统输出信号幅度变化,直接在毫米波电路中进行补偿难度较大的情况,提出在视频放大器中加入热敏电阻对系统总增益进行补偿的温度补偿方案。理论和实验分析表明,该方案简单有效,在-40℃～50℃温度范围内,实测补偿后幅度变化减小为原来的20%。4.提出双极化被动探测方案,通过两正交极化通道同时探测增大了系统作用距离,利用物体极化辐射特性的不同对虚假目标水塘进行识别。设计了8mm波段双极化直接检波式辐射计,理论分析表明系统最大作用距离为单通道辐射计的1.16～1.19倍；当目标充满天线波束的60%以上时,系统对水塘的识别概率大于99%。5.提出基于DDS-PLL相控源+四次谐波混频器的有源移相方案,对该方案及其关键部件进行了设计、理论分析和实验验证。该方案采用直接数字频率合成（DDS）在低频控制移相,具有技术难度小、精度高、控制方便等优点,避免了使用毫米波移相器和功率分配网络。此外采用四次谐波混频器,降低了DDS-PLL相控源技术难度和系统成本。
二、关于低噪声微波放大器噪声温度的测量（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、关于低噪声微波放大器噪声温度的测量（论文提纲范文）
（1）可调谐脉泽低噪声放大器研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 |
| 1.2 低噪声放大器的发展现状 |
| 1.3 HEMT高电子迁移率晶体管的发展 |
| 1.4 本文结构安排 |
| 第二章 低噪声放大器基本理论 |
| 2.1 噪声理论 |
| 2.1.1 噪声分类 |
| 2.1.2 等效噪声温度 |
| 2.1.3 噪声系数 |
| 2.2 低噪声放大器的增益 |
| 2.3 低噪声放大器的1dB压缩点 |
| 2.4 低噪声放大器的三阶交调点 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 定频脉泽低噪声放大器设计 |
| 3.1 常温半导体微波激射器(maser)理论 |
| 3.1.1 微波激射器(maser)的发展 |
| 3.1.2 常温半导体微波激射器的理论证明 |
| 3.2 定频脉泽低噪声放大器设计 |
| 3.2.1 电路仿真 |
| 3.2.1.1 HEMT晶体管参数提取 |
| 3.2.1.2 脉泽电路仿真 |
| 3.2.2 电路板设计 |
| 3.2.3 脉泽电路调试与测试 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 可调谐脉泽低噪声放大器设计与测试 |
| 4.1 可调谐脉泽低噪声放大器设计 |
| 4.1.1 直接馈电式可调谐脉泽低噪声放大器设计 |
| 4.1.2 变容二极管式可调谐脉泽低噪声放大器设计 |
| 4.2 系统设计与测试 |
| 4.2.1 仪器校准与损耗测试 |
| 4.2.2 晶体管直接馈电式 |
| 4.2.2.1 直接馈电式可调谐脉泽低噪声放大器测试系统设计 |
| 4.2.2.2 直接馈电式可调谐脉泽低噪声放大器测试 |
| 4.2.3 变容二极管式馈电测试系统 |
| 4.2.3.1 变容二极管式可调谐脉泽低噪声放大器测试系统设计 |
| 4.2.3.2 变容二极管式可调谐脉泽低噪声放大器测试 |
| 4.2.4 泵浦对照测试 |
| 4.2.4.1 射频源系统设计 |
| 4.2.4.2 泵浦对照实验测试 |
| 4.2.5 可调谐脉泽低噪声放大器1dB压缩点测试 |
| 4.2.5.1 1dB压缩点测试系统设计 |
| 4.2.5.2 1dB压缩点测试 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（2）多频有源集成天线的设计方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 研究现状 |
| 1.2.1 单频有源集成天线研究 |
| 1.2.2 多频有源集成天线研究 |
| 1.2.3 有源集成天线的仿真方法研究 |
| 1.2.4 有源集成天线发展趋势和面临的问题 |
| 1.3 主要研究内容和论文结构 |
| 第二章 有源集成天线设计方法 |
| 2.1 微带天线的多频设计 |
| 2.1.1 多模馈电微带天线 |
| 2.1.2 开槽或缝隙加载微带天线 |
| 2.1.3 多枝节微带天线 |
| 2.1.4 堆叠法多频微带天线 |
| 2.2 阻抗变换原理 |
| 2.2.1 小反射和修正小反射(MSRT)理论 |
| 2.2.2 基于最小二乘法的多频宽带阻抗变换器设计 |
| 2.3 有源电路的设计方法 |
| 2.3.1 设计指标和设计方案 |
| 2.3.2 电路设计 |
| 2.3.3 版图设计 |
| 2.4 有源集成天线的指标参数 |
| 2.4.1 有源发射天线的EIRP |
| 2.4.2 有源接收天线的G/T |
| 2.5 基于CST的有源仿真方法 |
| 2.6 ADS的有源仿真方法 |
| 2.7 有源集成天线的场路联合仿真方法 |
| 2.8 本章小结 |
| 第三章 有源集成天线主要模块设计 |
| 3.1 多频微带天线设计 |
| 3.1.1 天线单元设计 |
| 3.1.2 二元阵设计 |
| 3.1.3 单元和二元阵的比较分析 |
| 3.2 接收通道有源模块设计 |
| 3.2.1 有源模块的电路仿真分析 |
| 3.2.2 有源模块的场仿真分析 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 有源集成天线设计方法的改进和应用 |
| 4.1 有源集成天线远场辐射特性的分析模型 |
| 4.1.1 有源集成天线的一体化仿真方法 |
| 4.1.2 有源集成天线的远场辐射特性仿真 |
| 4.2 场路联合的有源集成天线分析模型 |
| 4.2.1 传统的有源电路的参数特性仿真 |
| 4.2.2 有源电路参数特性的精准协同仿真 |
| 4.3 改进的有源集成天线设计方法 |
| 4.4 基于增益均衡的有源集成天线设计 |
| 4.4.1 端口阻抗值的选取 |
| 4.4.2 无源天线-有源模块输入端口的阻抗变换器设计 |
| 4.4.3 有源模块输出端口-50Ω的阻抗变换器设计 |
| 4.4.4 反向发射链路中50Ω-有源模块输入端口的阻抗变换器设计 |
| 4.4.5 反向发射链路有源模块输出端口-无源天线的阻抗变换器设计 |
| 4.4.6 基于增益均衡的有源集成天线的仿真 |
| 4.5 基于G/T值均衡的有源集成天线设计 |
| 4.5.1 端口阻抗值的选取 |
| 4.5.2 无源天线-有源模块输入端口的阻抗变换器设计 |
| 4.5.3 有源模块输出端口-50Ω的阻抗变换器设计 |
| 4.5.4 反向发射链路中50Ω-有源模块输入端口的阻抗变换器设计 |
| 4.5.5 反向发射链路有源模块输出端口-无源天线的阻抗变换器设计 |
| 4.5.6 基于G/T值均衡的有源集成天线的仿真与测试 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 |
（3）碳基纳电子的新进展(续)（论文提纲范文）
| 4 GFET MMIC |
| 5 GNR基逻辑电路 |
| 6 结语 |
（4）射电天文毫米波多波束低温接收机关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 国内外研究背景 |
| 1.2 研究内容的现状 |
| 1.2.1 高效率、紧凑型宽带馈源喇叭 |
| 1.2.2 低损耗、低轴比宽带极化网络 |
| 1.2.3 射电天文毫米波多波束低温接收机 |
| 1.3 论文的主要工作和研究内容 |
| 1.4 本文结构安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 射电望远镜 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 射电望远镜种类 |
| 2.2.1 反射面天线望远镜 |
| 2.2.2 波束形成阵列望远镜 |
| 2.2.3 干涉阵望远镜 |
| 2.3 射电望远镜主要性能指标 |
| 2.3.1 口径效率 |
| 2.3.2 系统噪声温度 |
| 2.3.3 射电望远镜灵敏度 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 高效率、紧凑型宽带馈源喇叭 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 宽带馈源设计 |
| 3.2.1 波纹喇叭工作原理 |
| 3.2.2 混合模式 |
| 3.2.3 波纹喇叭设计方法 |
| 3.3 馈源喇叭和反射面天线联合仿真与优化 |
| 3.4 馈源喇叭测试结果 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 低插损、低轴比宽带极化网络 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 极化网络简介 |
| 4.3 差分移相器 |
| 4.3.1 理论分析与电磁模型 |
| 4.3.2 仿真结果 |
| 4.3.3 测量方案与结果 |
| 4.4 正交模转换器 |
| 4.4.1 简介 |
| 4.4.2 设计与加工 |
| 4.4.3 测量结果 |
| 4.5 馈源喇叭与极化网络整体测试 |
| 4.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 射电天文低温接收机研制 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 接收机系统 |
| 5.3 Q波段双波束低温接收机 |
| 5.3.1 接收机系统拓扑结构 |
| 5.3.2 接收机系统稳定性 |
| 5.3.3 接收机系统框图和指标预测 |
| 5.3.4 低温高真空杜瓦设计 |
| 5.3.5 低噪声放大器 |
| 5.3.6 红外滤波器 |
| 5.3.7 标准矩形波导真空窗口 |
| 5.3.8 常温下变频电子单元 |
| 5.3.9 实验室与射电望远镜测试结果 |
| 5.3.10 天文观测结果 |
| 5.4 L波段低温接收机 |
| 5.4.1 四脊正交模转换器 |
| 5.4.2 低温高真空杜瓦设计 |
| 5.4.3 实验室测试 |
| 5.4.4 天马望远镜测量与观测结果 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 研究展望 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（5）低温低噪声放大器产品详细规范制定研究（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 产品的主要功能、结构和工作环境 |
| 3 现行标准采用可行性分析 |
| 3.1 相关标准分析 |
| 3.2 GJB 8481-2015采用可行性分析 |
| 3.2.1 设计要求 |
| 3.2.2 材料要求 |
| 3.2.3 结构与工艺要求 |
| 3.2.4 环境试验要求 |
| 3.2.5 A组检验 |
| 4 完全型产品详细规范研究 |
| 4.1 规范的总体框架结构 |
| 4.2 规范的水平控制 |
| 4.3 性能参数 |
| 4.4 电参数测试方法 |
| 4.5 环境试验 |
| 5 结论 |
（6）GaAs pHEMT噪声模型及低噪声放大器设计研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 噪声模型研究现状 |
| 1.2.2 低噪声放大器研究现状 |
| 1.3 研究内容和结构安排 |
| 第二章 GaAs pHEMT器件小信号模型 |
| 2.1 HEMT器件原理 |
| 2.2 网络参数矩阵 |
| 2.2.1 二端口网络 |
| 2.2.2 T与 π型网络 |
| 2.3 GaAs pHEMT器件小信号建模 |
| 2.3.1 小信号等效电路 |
| 2.3.2 寄生参数提取 |
| 2.3.3 本征参数提取 |
| 2.3.4 小信号模型验证 |
| 2.4 本章小节 |
| 第三章 GaAs pHEMT器件噪声模型 |
| 3.1 射频噪声理论 |
| 3.1.1 噪声分类 |
| 3.1.2 噪声系数和等效噪声温度 |
| 3.1.3 二端口网络噪声理论 |
| 3.2 GaAs pHEMT器件噪声模型 |
| 3.2.1 噪声模型等效电路 |
| 3.2.2 PUCEL模型 |
| 3.2.3 POSPIESZALSKI模型 |
| 3.3 噪声模型去嵌技术 |
| 3.4 GaAs pHEMT器件噪声建模 |
| 3.4.1 PUCEL噪声模型改进 |
| 3.4.2 POSPIESZALSKI温度噪声模型改进 |
| 3.5 噪声模型验证 |
| 3.6 本章小节 |
| 第四章 宽带高增益低噪声放大器设计 |
| 4.1 宽带低噪声放大器的设计难点 |
| 4.2 宽带低噪声放大器拓扑结构分析 |
| 4.2.1 共栅极放大器 |
| 4.2.2 串联-并联放大器 |
| 4.2.3 源极负反馈放大器 |
| 4.2.4 共源共栅放大器 |
| 4.3 宽带高增益低噪声放大器设计 |
| 4.3.1 输入级电路设计与分析 |
| 4.3.2 级间匹配设计与分析 |
| 4.3.3 后级电路设计与分析 |
| 4.4 总体电路和版图设计 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（7）微波毫米波单片集成电路设计技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 毫米波MMIC技术应用现状 |
| 1.2 课题背景及研制必要性 |
| 1.3 相关研究现状 |
| 1.4 论文研究内容安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 微波毫米波可精确缩放模型技术研究 |
| 2.1 不同类型场效应器件比较 |
| 2.1.1 HEMT及 p HEMT的基本结构 |
| 2.1.2 HEMT及 pHEMT的基本结构MESFET,HEMT及 pHEMT的比较 |
| 2.1.3 增强型和耗尽型pHEMT的比较 |
| 2.1.4 pHEMT的噪声性能 |
| 2.1.5 器件的频率特性 |
| 2.2 经典的小信号等效电路模型 |
| 2.2.1 GaAs MESFET的物理模型 |
| 2.2.2 HEMT和 PHEMT的物理模型 |
| 2.2.3 等效电路模型元件值的确定 |
| 2.3 GaAsFET非线性模型 |
| 2.3.1 经验基模型 |
| 2.3.2 表格基模型 |
| 2.3.3 物理基模型 |
| 2.4 建模技术中的难题 |
| 2.4.1 DC-AC的色散(Dispersion)问题 |
| 2.4.2 模型的误差来源和外推(Extrapolation) |
| 2.4.3 模型的精确缩放(Scaling)问题 |
| 2.5 微波毫米波可精确缩放模型的实现 |
| 2.5.1 电磁场边界条件的修正 |
| 2.5.2 缩放模型的构建 |
| 2.5.3 模型验证 |
| 2.6 EEHEMT、Angelov和 TOM4 模型对比 |
| 2.7 小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 毫米波功率放大器MMIC设计技术研究 |
| 3.1 器件的线性度 |
| 3.2 晶体管的附加效率 |
| 3.3 功率放大器的高效率设计 |
| 3.3.1 F类和逆F类功率放大技术 |
| 3.3.2 器件谐波控制技术研究 |
| 3.4 功率放大器的线性度研究 |
| 3.4.1 静态偏置点与效率和线性度的关系 |
| 3.4.2 最佳线性阻抗匹配时效率和线性度的关系 |
| 3.4.3 谐波阻抗对效率和线性度的影响 |
| 3.4.4 器件的效率线性“甜区”及IMD消除技术 |
| 3.5 IMD频谱不对称的理论分析 |
| 3.6 有源动态偏置对线性度和效率的影响 |
| 3.6.1 有源动态偏置电路对电路P-1及效率的影响 |
| 3.6.2 有源动态偏置对电路高低温特性的影响 |
| 3.7 功率放大器中的栅流设计 |
| 3.7.1 功率放大器磁滞现象研究 |
| 3.7.2 功率退化现象研究 |
| 3.8 大信号阻抗匹配 |
| 3.9 低损耗匹配技术 |
| 3.10 功率放大器稳定性技术研究 |
| 3.10.1 功率放大器的奇模振荡、自激和杂散 |
| 3.10.2 功率放大器的分频 |
| 3.11 功率顶降和热设计研究 |
| 3.12 电路设计仿真 |
| 3.12.1 Ka波段GaAs平衡式功率放大器电路设计 |
| 3.12.2 W波段GaN高功率放大器电路设计 |
| 3.13 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 微波毫米波压控振荡器MMIC电路设计 |
| 4.1 振荡器的相位噪声 |
| 4.1.1 相位噪声及其影响 |
| 4.1.2 器件内部的噪声 |
| 4.1.3 相位噪声的形成 |
| 4.1.4 相位噪声的测量 |
| 4.2 负阻振荡理论 |
| 4.2.1 频率稳定性 |
| 4.2.2 负阻振荡 |
| 4.2.3 振荡的稳定性条件 |
| 4.3 微波毫米波压控振荡器MMIC的主要类型 |
| 4.3.1 推-推结构 |
| 4.3.2 分布式VCO |
| 4.3.3 腔体VCO |
| 4.3.4 交叉耦合型振荡器 |
| 4.3.5 平衡式振荡器 |
| 4.4 低相位噪声振荡电路 |
| 4.4.1 振荡器的相位噪声特性 |
| 4.4.2 不同拓扑结构的相位噪声 |
| 4.5 电路设计及仿真 |
| 4.5.1 振荡电路类型的选择 |
| 4.5.2 振荡器件的最佳尺寸选择 |
| 4.5.3 低相噪振荡器件的最佳偏置点选择 |
| 4.5.4 调谐方式的选择 |
| 4.5.5 低相噪振荡器的设计 |
| 4.6 测试结果及分析 |
| 4.7 小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 微波毫米波混频及倍频MMIC电路设计 |
| 5.1 微波混频基本原理 |
| 5.2 混频器的几种重要性能参数 |
| 5.2.1 单边带噪声(SSB)和双边带噪声(DSB) |
| 5.2.2 三阶互调失真 |
| 5.2.3 镜频干扰 |
| 5.2.4 半中频干扰 |
| 5.3 典型混频器电路结构 |
| 5.3.1 有源型混频器 |
| 5.3.2 无源型混频器 |
| 5.3.3 正交混频器 |
| 5.4 混频器中的非线性和线性化设计 |
| 5.4.1 无源二极管混频器的线性化技术 |
| 5.4.2 单管有源混频器的线性化设计 |
| 5.4.3 双栅混频器的线性化设计 |
| 5.4.4 吉尔伯特混频器的线性化设计 |
| 5.5 二极管混频器中的关键技术研究 |
| 5.5.1 二极管器件非线性模型 |
| 5.5.2 混频器件的可靠性设计 |
| 5.5.3 正交混频镜像抑制度的测试 |
| 5.6 混频器幅度及相位噪声 |
| 5.7 巴伦及正交耦合器端口平衡性的改善 |
| 5.7.1 巴伦端口的平衡性改善 |
| 5.7.2 正交耦合器的平衡性改善 |
| 5.8 毫米波混频器设计 |
| 5.8.1 工艺方案的选择 |
| 5.8.2 电路设计方案 |
| 5.8.3 双平衡混频器设计及仿真结果 |
| 5.8.4 微波正交混频器设计 |
| 5.9 流片及测试结果 |
| 5.10 微波倍频理论 |
| 5.10.1 N次单管有源倍频器 |
| 5.10.2 三倍频器 |
| 5.10.3 二倍频器 |
| 5.11 高效率倍频器设计 |
| 5.11.1 E类倍频器 |
| 5.11.2 平衡式倍频器 |
| 5.11.3 F类倍频器 |
| 5.12 Ka波段四倍频器MMIC设计 |
| 5.12.1 偏置设计 |
| 5.12.2 缓冲放大器的设计 |
| 5.12.3 稳定设计 |
| 5.12.4 相位噪声设计 |
| 5.12.5 版图设计与芯片照片 |
| 5.12.6 电路仿真结果 |
| 5.12.7 测试结果 |
| 5.13 小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 毫米波低噪声放大器MMIC设计技术研究 |
| 6.1 微波器件的噪声模型理论 |
| 6.1.1 两端口噪声网络理论 |
| 6.1.2 微波器件的噪声特性 |
| 6.1.3 噪声温度 |
| 6.1.4 pHEMT的噪声模型 |
| 6.1.5 噪声参量提取及噪声模型结果 |
| 6.2 低噪声放大器设计理论 |
| 6.2.1 低噪声器件最佳栅宽和栅指数的选择技术 |
| 6.2.2 低噪声器件最佳偏置点的选择技术 |
| 6.2.3 宽带低噪声放大器的设计技术 |
| 6.2.4 低噪声放大器的线性度 |
| 6.3 W波段低噪声放大器MMIC的研制 |
| 6.3.1 设计指标 |
| 6.3.2 第一级器件尺寸的选取与设计 |
| 6.3.3 第一级器件偏置的选取与设计 |
| 6.3.4 电路实现的工艺和器件 |
| 6.3.5 电路设计仿真 |
| 6.4 测试结果 |
| 6.5 测试分析 |
| 6.6 小结 |
| 参考文献 |
| 总结与展望 |
| 攻读博士学位期间科研及发表论文情况 |
| 致谢 |
（8）并行式多频带低噪声放大器的研究与设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景及意义 |
| 1.2 国内外研究进展 |
| 1.3 本文主要工作及内容安排 |
| 第二章 低噪声放大器设计简介 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 低噪声放大器基本技术指标 |
| 2.2.1 工作频带 |
| 2.2.2 噪声系数 |
| 2.2.3 端口驻波比 |
| 2.2.4 稳定性 |
| 2.2.5 功率增益 |
| 2.2.6 1dB 压缩点与三阶截点 |
| 2.2.7 动态范围 |
| 2.3 微波放大器设计理论 |
| 2.3.1 放大器设计原则 |
| 2.3.2 放大器设计方法 |
| 2.3.3 放大器设计流程 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 低噪声放大器的多频带技术 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 通路并联式 LNA |
| 3.3 开关式 LNA |
| 3.4 宽带式 LNA |
| 3.5 并行式 LNA |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 并行式多频带低噪声放大器的设计 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 LNA 的模块化设计 |
| 4.2.1 源级具有感性负反馈的输入级 |
| 4.2.2 具有并联负反馈的输出级 |
| 4.2.3 阶梯阻抗变换器式匹配网络 |
| 4.3 LNA 性能分析与讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结束语 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 |
（9）微波低噪声放大器模块的设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波低噪声放大器发展历史及发展趋势 |
| 1.3 论文的主要内容及安排 |
| 第二章 微波低噪声放大器基本理论 |
| 2.1 散射矩阵 |
| 2.2 低噪声放大器的主要指标 |
| 2.2.1 噪声系数（NF）与噪声温度（Te） |
| 2.2.2 增益与增益平坦度 |
| 2.2.3 稳定性 |
| 2.2.4 动态范围和 P1dB |
| 2.2.5 输入输出驻波比 |
| 2.3 低噪声放大器相关参数的测试方法 |
| 2.3.1 输入输出驻波比 |
| 2.3.2 增益的测试 |
| 2.3.3 驻波比的测试 |
| 2.3.4 噪声系数的测试 |
| 2.3.5 P1dB 的测试 |
| 2.3.6 IP3 的测试 |
| 2.4 低噪声放大器的设计步骤 |
| 2.4.1 晶体管的选择 |
| 2.4.2 电路结构形式的选择 |
| 2.4.3 偏置电路结构的选择和设计 |
| 2.4.4 稳定性判断 |
| 2.4.5 确定最合适的输入输出阻抗 |
| 2.4.6 阻抗变换及匹配电路设计 |
| 2.5 宽带微波低噪声放大器的设计 |
| 第三章 用于 GPS 和北斗的低噪声放大器模块的设计 |
| 3.1 GPS 低噪声放大器模块设计 |
| 3.1.1 指标 |
| 3.1.2 链路综合及器件选取 |
| 3.1.3 第一级放大器方案选择 |
| 3.1.4 微波电路板的选择 |
| 3.1.5 偏置电路设计 |
| 3.1.6 稳定性设计 |
| 3.1.7 匹配电路设计 |
| 3.1.8 PCB 版图设计 |
| 3.1.9 调试和测试结果 |
| 3.2 北斗低噪声放大器模块设计 |
| 3.2.1 指标 |
| 3.2.2 链路综合 |
| 3.2.3 稳定性设计 |
| 3.2.4 匹配电路设计 |
| 3.2.5 PCB 版图设计 |
| 3.2.6 调试和测试结果 |
| 第四章 宽带低噪声放大器模块设计 |
| 4.1 指标 |
| 4.2 链路综合及器件选取 |
| 4.3 第一级电路结构选择 |
| 4.4 ATF-54143 稳定性设计，匹配电路设计 |
| 4.5 PCB 版图设计 |
| 4.6 调试和测试结果 |
| 第五章 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 |
（10）毫米波被动双极化探测及相控阵扫描关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 毫米波辐射计 |
| 1.3 极化辐射信息的利用 |
| 1.4 毫米波被动探测 |
| 1.5 毫米波被动成像 |
| 1.6 基于相位可控信号源的有源移相技术 |
| 1.7 本文主要工作 |
| 2 毫米波超外差式辐射计逆向辐射噪声对系统测量影响分析 |
| 2.1 毫米波被动探测及成像原理——物体的毫米波辐射特性 |
| 2.1.1 黑体辐射 |
| 2.1.2 一般物体的辐射 |
| 2.2 毫米波超外差式辐射计 |
| 2.2.1 系统结构 |
| 2.2.2 系统信号分析 |
| 2.2.3 温度灵敏度 |
| 2.3 逆向辐射噪声 |
| 2.4 逆向辐射噪声对测量影响 |
| 2.4.1 逆向辐射噪声对物体噪声温度测量影响 |
| 2.4.2 逆向辐射噪声对目标背景噪声温度差测量影响 |
| 2.5 系统设计考虑 |
| 2.6 小结 |
| 3 毫米波谐波混频辐射计研究 |
| 3.1 谐波混频辐射计逆向辐射抑制原理 |
| 3.1.1 谐波混频电路信号分析 |
| 3.1.2 逆向辐射抑制分析 |
| 3.2 8mm四次谐波混频器研究 |
| 3.3 8mm四次谐波混频辐射计设计与研制 |
| 3.3.1 系统介绍 |
| 3.3.2 性能参数分析 |
| 3.3.3 关键部件及系统样机 |
| 3.4 特性参数测试 |
| 3.4.1 特性参数测试装置及原理 |
| 3.4.2 温度灵敏度测量 |
| 3.4.3 积分时间测量 |
| 3.5 小结 |
| 4 毫米波直接检波式辐射计及其温度补偿研究 |
| 4.1 8mm直接检波式辐射计设计与研制 |
| 4.1.1 系统方案 |
| 4.1.2 毫米波高增益低噪声放大器 |
| 4.1.3 毫米波检波器 |
| 4.1.4 系统样机 |
| 4.2 特性参数测试 |
| 4.3 温度补偿问题研究 |
| 4.3.1 系统温度特性分析 |
| 4.3.2 温度补偿原理 |
| 4.3.3 温度补偿电阻参数选择分析 |
| 4.3.4 实验结果 |
| 4.4 小结 |
| 5 毫米波双极化辐射计及其对虚假目标识别研究 |
| 5.1 双极化辐射计对虚假目标识别及作用距离增大原理 |
| 5.2 系统结构及工作原理 |
| 5.2.1 系统结构 |
| 5.2.2 工作原理及流程 |
| 5.3 作用距离分析 |
| 5.3.1 单通道辐射计作用距离 |
| 5.3.2 双极化辐射计作用距离 |
| 5.4 虚假目标识别分析 |
| 5.5 小结 |
| 6 基于DDS-PLL相控源的毫米波有源移相技术及其波束扫描 |
| 6.1 基于DDS-PLL相控源+四次谐波混频的被动相控阵成像系统分析 |
| 6.1.1 系统工作原理 |
| 6.1.2 孔径效应对系统性能指标影响分析 |
| 6.2 基于DDS-PLL相控源+四次谐波混频器的有源移相原理 |
| 6.2.1 PLL原理 |
| 6.2.2 DDS原理 |
| 6.2.3 DDS激励PLL |
| 6.2.4 DDS-PLL相控源+四次谐波混频器 |
| 6.3 8mm波段有源移相实验电路 |
| 6.3.1 实验电路方案 |
| 6.3.2 DDS研制 |
| 6.3.3 PLL研制 |
| 6.3.4 移相电路实物 |
| 6.4 移相性能测试 |
| 6.4.1 DDS-PLL相控源输出信号移相性能测试 |
| 6.4.2 移相电路对毫米波信号移相性能测试 |
| 6.5 DDS-PLL相控源噪声分析 |
| 6.5.1 DDS噪声分析 |
| 6.5.2 PLL噪声分析 |
| 6.5.3 DDS激励PLL噪声分析 |
| 6.5.4 实际工程设计噪声问题考虑 |
| 6.5.5 电路实物噪声测试与分析 |
| 6.6 小结 |
| 7 全文总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
四、关于低噪声微波放大器噪声温度的测量（论文参考文献）
- [1]可调谐脉泽低噪声放大器研究[D]. 巨乾宇. 电子科技大学, 2021(01)
- [2]多频有源集成天线的设计方法研究[D]. 杨思磊. 上海交通大学, 2020(01)
- [3]碳基纳电子的新进展(续)[J]. 赵正平. 微纳电子技术, 2020(12)
- [4]射电天文毫米波多波束低温接收机关键技术研究[D]. 仲伟业. 东南大学, 2020(01)
- [5]低温低噪声放大器产品详细规范制定研究[J]. 纪斌. 低温与超导, 2019(06)
- [6]GaAs pHEMT噪声模型及低噪声放大器设计研究[D]. 张宁. 西安电子科技大学, 2019(02)
- [7]微波毫米波单片集成电路设计技术研究[D]. 王维波. 东南大学, 2019(05)
- [8]并行式多频带低噪声放大器的研究与设计[D]. 宁高利. 西安电子科技大学, 2012(03)
- [9]微波低噪声放大器模块的设计与实现[D]. 孙安锋. 西安电子科技大学, 2012(04)
- [10]毫米波被动双极化探测及相控阵扫描关键技术研究[D]. 张英浩. 南京理工大学, 2011(05)