一、栅控反射极反射速调管（论文文献综述）
李松柏,陈汝淑,刘盛纲[1]（1973）在《国外微波电子管及其应用的新进展》文中研究表明 一、微波管发展简况微波管自出现至今已有几十年的历史,在这期间获得很大的发展（见表1）。最初,微波管主要用于雷达设备和现形加速器,特别是二次大战末期,各中新型微波管
冯进军,廖复疆,朱敏,闫铁昌[2]（2005）在《微型真空电子器件技术研究》文中进行了进一步梳理微波真空电子器件的频率正在向毫米波、亚毫米波甚至太赫兹频率扩展,随着器件频率的提高,高频结构的尺寸越 来越小,传统的机械加工方法已经不能满足零部件精度的要求,需要借助微细加工技术。这一类利用微细加工技术,特别是 深刻技术,如LIGA,DEM,DXRL、DRIE等,制作的真空器件,已经形成一门新兴的交叉学科,微真空电子学及相应的技术和应 用。本文对目前微真空电子器件的现状,深刻技术在器件加工的应用进行了分析,希望对开展这些研究打下基础。
陈青云[3]（2020）在《碳纳米管冷阴极电子光学系统及返波管研究》文中指出真空电子器件在国民经济和国家军事领域有着广泛的应用价值。传统的真空电子器件采用热阴极技术,其缺点是:需要灯丝加热,工作体积庞大;预热时间较长,响应速度慢;工作需要一定的温度,室温下不能工作。场致发射冷阴极由于其自身的优势:无需加热,室温下可以正常工作,响应速度较快,可以实现器件的瞬时性,被人们提出应用于真空电子器件。碳纳米管成为目前场致发射较为理想的冷阴极材料。其优势是:容易生长,成本低;相比于金属尖端,碳管材料不易损坏;具有相当可观的发射电流密度。结合以上诸多分析,本人选用碳纳米管作为发射电子源材料进而设计研究基于冷阴极的大功率真空电子器件。电子光学系统是真空辐射源一个至关重要的组成部分之一,因此,研制具有高质量电子注、大发射电流密度的碳纳米管冷阴极电子光学系统是本论文的一大研究重点。结合该项工作初期的理论计算和实验探索,提出了三种结构的电子光学系统:第一种是单栅结构的阵列式碳纳米管冷阴极电子光学系统,该结构采用栅控式场致发射,可以降低调节电压值;该结构的阴极基底采用的是柱状阵列,柱状体位于控制栅网网孔投影正下方,即每一个阴极柱与栅网网孔同轴,可以有效解决栅网截获的问题,柱状阵列有效降低静电屏蔽的同时可以提高场发射增强因子。仿真结果发现,该电子枪电子注通过率可达100%,阴极表面电场强度为4.8 kV/mm时,0.18 mm2有效发射面积的总发射电流为7 mA。第二种是双栅控制式平面阴极碳纳米管电子光学系统,该结构阴极表面采用阴极栅网对其阵列化,有效解决栅网截获、静电屏蔽效应等问题;与第一种结构相比,其最大的优势就是,该结构采用的是一个完整平面的冷阴极基底,对碳管种植技术要求不高,且阴极基底加工难度大大减小。仿真结果显示,在7.1 kV/mm阴极表面电场强度下,获得总发射电流达76.4 mA,穿过栅网及阳极筒后最终获得电流为76.3 mA,电子注通过率达100%,电子束压缩比为1/10.6。三极管实验结果显示,在7.154 kV/mm阴极表面电场强度下,获得总发射电流达77.1 mA,栅网截获电流为12.1 mA,阳极最终获得65 mA电流,电子注通过率达84.31%。第三种是曲面碳纳米管冷阴极双阳极电子光学系统,该结构采用台锥侧壁作为冷阴极发射面,由于该结构的特殊性,阴极发射面面积被大大提高,从而可以增大发射电流。与第一种和第二种的栅控式结构相比,该结构采用的是控制阳极,无需栅网,有效解决栅网截获问题,很大程度上提高了电子注通过率。仿真结果显示,在6.9 kV/mm阴极表面电场强度下,获得总发射电流达230 mA,电子注通过率达100%;电子束由最初的46.34πmm2被压缩到0.9πmm2,电子注压缩比为1/51.5。二极管实验结果显示,在7 kV/mm的电场强度下,获得最大发射电流为260 mA。第二种和第三种结构有实验结果的验证,因此采用这两种电子光学系统设计了8 mm和0.22 THz两个频段的返波管振荡器。在8 mm频段的返波管振荡器热腔仿真计算的结果中显示,利用第三种电子光学系统结构获得工作电流220 mA,该返波管平均输出功率为180495 W。在220 GHz频段的返波管振荡器热腔仿真的结果中显示,利用第二种电子光学系统结构获得工作电流50 mA,当工作电压为21 kV时,平均输出功率为32 W。基于第三种电子光学系统的8 mm盘荷波导返波管的热测实验结果显示,工作电压调谐范围为36.8837.8 kV时,有两个频率输出信号,分别是33.412 GHz和33.645 GHz,对应工作电流分别是285 mA和248 mA,最大输出功率分别为240 W和230 W。这个实验的输出采用的是一个8 mm圆波导TM01转矩形波导TE10的模式变换器,该模式变换器内两个目标模式之间的传输系数达-1dB时的频率范围为32.334.7 GHz,模式纯度大于99.5%。这项工作是迄今为止首次验证碳纳米管冷阴极在真空电子器件中可以实现百瓦量级的功率输出,其标志着碳纳米管冷阴极在真空电子器件应用中有了跳跃性的进步,为今后小型化、紧凑型的大功率真空辐射源提供了新的实现方法,为发展5G时代的高功率、高频率、超宽带的微型纳米冷阴极辐射源开启一个前沿探索研究。
J.J.Hamiltion,R.J.Jrench[4]（1967）在《栅控反射极反射速调管》文中提出 一、引言反射速调管的反射极调制灵敏度可由以下繁琐形式来表示: Δf/ΔVR=πNf0/（QL-πN）（VB+|VR|） 式中: N为反射极电压模式,即2 3/4,3 3/4……。 f0为工作频率。 QL为谐振腔的有载品质因素。 VB为电子注或谐振腔电压。 |VR|为反射极电压的绝对值。上式证明,当采用高的谐振腔有载品质因素或运用高的电子注电压和最低可应用的反
董玉和[5]（2006）在《微波圆柱和同轴腔高阶横磁模式及其输出耦合》文中认为本文研究了微波圆柱和同轴谐振腔各阶TM模式的特性及其关联参数，给出了模式图；分析了其特性阻抗随腔体尺寸、频率和模式阶数变化的规律。对于圆柱腔，较低阶模的模式间隔较大。在低频段的低阶模可采用较大半径的腔体，而在高频段欲采用低阶模式就必须选用半径很小的腔体。这就限制了功率的提升。而同轴谐振腔在高频段的高阶TMn10模有较大的模式间隔。在同轴腔的长度以其横截面外半径取特定值时，腔内电场峰值位置处的轴向特性阻抗随内径的变化存在极大值；在高频段可以采用很大横截面的腔体结构和很高阶的模式；在给定的频率下，同轴腔体的横截面尺寸与TMn10模式的阶数几乎可以自由选择。理论计算结果与用电磁场软件的模拟结果相一致。所得规律可以为TM模式工作的微波谐振腔的设计提供指导。以避免设计初期冗长的模拟与试错实验，提高了设计的速度和准确性。 计算了微波圆柱和同轴谐振空腔TM模式的无载Q值随腔体尺寸和模式阶数等多种参数的变化规律。计算值与仿真值相符。这对于谐振腔的设计（例如高能加速器）有一定的参考意义。在同轴腔TM模式电场的极大值Ezm位置处引入带间隙的供电子束流通的细金属漂移管后，模拟分析了其结构的系列参数。 根据单端口微波网络的特性，以电磁场计算软件HFSS和ISFEL3D模拟了带漂移管同轴谐振腔TM310模式通过腔体侧壁的小孔和端接矩形波导基模的耦合，得到散射参数S11的幅值与相位随频率而变化的曲线和场分布；计算了输出腔的外Q值随耦合孔尺寸的变化；利用编程计算的腔体结构数据和ISFEL模拟的后处理文件数据，计算了输出腔TM310模式的复数间隙阻抗；为使输出谐振腔的特性阻抗有很好的均匀性，设计了腔内壁通过径向传输线与同轴线耦合的结构；模拟和比较了其不同结构的特性参数，得到了较为理想的结果。
付春华[6]（2013）在《大功率脉冲行波管性能提高的研究》文中研究说明作为行波管的重要种类，耦合腔行波管除了具有一般行波管宽带宽、高增益的优点外，还具有较大的输出功率，这使其作为微波功率末级放大器，获得广泛的应用。耦合腔行波管在功率方面的提升一向是其发展改进的主要方向之一。本文结合一型X波段大功率耦合腔行波管的改进研制工作，对耦合腔行波管的振荡抑制、流通率提高等方面的问题进行了研究和探讨。行波管的振荡是影响其工作可靠性的重要因素。对于采用休斯结构的耦合腔行波管，尤其要重点解决好带边振荡和反射振荡的问题。本文重点针对此两方面进行分析和讨论。对于带边振荡的抑制本文研究分析了损耗钮扣技术。有别于以往的分布衰减方法，损耗钮扣加载后仅在2π模式频率附近产生明显损耗，而对工作频带内的损耗非常轻微，减小了带内增益、效率受到的影响，保证了行波管高增益、高效率时的稳定性。本文利用计算机CAD技术的最新成果，借助大型电磁软件，对加载了损耗钮扣的慢波系统的高频特性和色散特性进行了分析计算，对损耗钮扣的加载位置、钮扣腔尺寸等因素对抑制带边振荡产生的影响进行了探讨。本文对于反射振荡分析了其机理，对行波管慢波线中重点产生反射的部分借助大型电磁软件进行优化，节约了设计和调试时间，获得良好效果。在令慢波线获得较理想匹配特性的同时，也有助于降低增益波动，间接有利于减小散焦，提高动态流通率。本文中提高流通率的工作集中在电子枪和周期永磁聚焦方面。本文分析了栅控电子枪层流性的影响因素，基于本文研制的行波管的具体需求，结合计算机仿真软件对新设计的电子枪进行了优化设计。本文在永磁聚焦方面对双周期永磁聚焦进行了探讨，并将之应用于实践。最后通过对依照文中原则设计的行波管的实际测试，验证了各项设计方案的有效性。
丁耀根[7]（2006）在《大功率微波电真空器件的发展动向》文中研究指明扼要介绍第6届国际真空电子学会议（IVEC2005）和第7届国际高能量密度微波会议（RF2005）发表的论文内容,介绍近年来大功率微波电真空器件,特别在高峰值功率多注速调管,带状注速调管,空间行波管,大功率毫米波器件,器件的计算机模拟等方面取得的研制进展。论文还分析了大功率微波电真空器件的发展动向。
冯慧君[8]（2016）在《220GHz扩展互作用速调管的理论和模拟研究》文中研究表明太赫兹波位于红外波与毫米波之间,速调管在微波电子管中占有重要的地位,具有高增益、大功率、高可靠性等独特的优点,当工作频率到太赫兹频段,扩展互作用速调管是最好的选择之一。因为扩展互作用谐振腔采用多间隙耦合腔结构,能够解决传统单间隙速调管在高频率工作时候存在的高频损耗和高频击穿等问题。本文主要介绍了太赫兹器件和扩展互作用速调管的发展和特点,对国内外扩展互作用速调管的发展现状进行了总结和综述。介绍了速调管的工作原理,对群聚理论和速调管耦合系数进行了推导,从等效电路的角度对谐振腔进行了分析,推导了谐振腔的等效电纳和特性阻抗表达式,并对多次互作用谐振腔和扩展互作用谐振腔的等效参量进行了分析。阐述了空间电荷波理论,并在这个前提下,结合等效电路的理论,对多腔速调管小信号增益进行了推导,并得到四腔速调管的增益表达式。在高频结构设计中,对谐振腔结构、工作模式和周期以及部分结构参数进行了分析和确定,选择矩形梯形慢波结构作为谐振腔结构、2π模为工作模式。对高频结构进行了小信号理论下的仿真计算,在电子注直流电压16.5 kV,电流30 mA的条件下进行粒子模拟得到4.5 W功率输出,频率为214.66 GHz,增益为23.5 dB,电子效率为0.9%,3dB带宽234 MHz。计算了高频结构各谐振腔的参数,基于小信号理论编程对四腔速调管增益进行计算,得到了最大增益为21.45 dB的结果,与仿真结果比较吻合。在小信号下,改变部分参数,得最大增益的变化曲线。基于变化趋势,设计了一个大信号下的模型,在电子注直流电压18 kV,电流150 mA的条件下,得到了160 W功率输出,频率为213.85 GHz,增益为39.5 dB,电子效率为6%,3dB带宽310 MHz,并简要分析了结果参数改变的原因。
闵立涛[9]（2013）在《大功率多注速调管展宽带宽研究》文中研究说明大功率多注速调管具有高输出功率、高增益、高效率的优点，且在带宽方面相对于传统单注速调管具有了明显进步，在部分应用中已接近耦合腔行波管的相对带宽水平。维持既有优势的同时，在带宽性能方面获得提高将是多注速调管重要的发展方向。本文以在保持效率、增益指标的前提下，提高大功率多注速调管的带宽为目标，围绕一型C波段大功率多注速调管的研制工作，在分析与速调管带宽相关的技术原理、带宽和效率等参数的制约关系的基础上，对涉及多注速调管带宽性能的各技术环节和主要设计方案进行了探讨和研究。速调管的群聚带宽是实现速调管带宽指标的基础。各群聚腔的参差调谐是扩展带宽的重要手段，而谐振腔的品质因数Q、特性阻抗R/Q等参量是实现目标的基础。本文讨论了群聚谐振腔加载，以及对如谐振腔漂移间隙、漂移头面积等物理参量选择的原理和制约因素，分析可以有效提高多注速调管的效率-带宽乘积，实现本文目标的手段，并进行了方案验证对比。多注速调管的输出段带宽是实现带宽性能的重要环节，随着参差调谐等技术手段的应用，群聚带宽得到有效扩展，输出段带宽成为决定多注速调管带宽的最重要因素。本文分析了应用于输出段的各技术手段，并借助现代电磁分析软件，设计并实践了一种面向多级滤波器的计算机辅助优化方法。经实际实验验证了其准确性，对于提高研制工作的效率具有积极意义。多电子注工作是多注速调管实现其独特技术性能的基础条件，多电子注在带来如带宽、工作电压等方面的优势时，也对聚焦、阴极发射能力提出更高要求。本文探讨了多电子注对于多注速调管性能实现的意义和各种限制因素。结合本文的分析以及多注速调管的结构特点，制定了阴极调制的方案，有效平衡了多方面的设计需求。最后，依照本文各项分析确定的方案实际制管并测试，证实了本文设计方案的有效性，并在本方案的基础上，还有进一步提高带宽水平的实用的潜力。
廖复疆[10]（1992）在《大功率微波真空电子器件的发展及应用》文中提出本文给出了大功率微波真空电子器件的发展及应用情况。海湾战争证明,微波管仍然是现代军事电子装备的关键器件,其性能的不断改进,大大增强了电子战和雷达系统的成力。真空微电子技术和相对论电子学为微波真空电子器件的发展,奠定了更为广阔的基础。
二、栅控反射极反射速调管（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、栅控反射极反射速调管（论文提纲范文）
（3）碳纳米管冷阴极电子光学系统及返波管研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 场致发射冷阴极概述 |
| 1.2.1 场致发射冷阴极原理 |
| 1.2.2 场致发射冷阴极的发展现状 |
| 1.2.3 碳纳米管冷阴极的发展 |
| 1.3 基于碳纳米管的电子光学系统及真空电子器件的研究进展 |
| 1.3.1 碳纳米管电子光学系统的研究进展 |
| 1.3.2 碳纳米管真空电子器件的研究进展 |
| 1.4 毫米波及太赫兹技术的介绍 |
| 1.4.1 毫米波技术的应用与分类 |
| 1.4.2 太赫兹辐射源的应用与分类 |
| 1.5 毫米波及太赫兹返波管振荡器的研究进展 |
| 1.6 论文工作的主要内容和创新点 |
| 1.6.1 论文工作的主要内容 |
| 1.6.2 论文工作的创新点 |
| 第二章 碳纳米管场致发射理论及单栅结构电子光学系统的研究 |
| 2.1 碳纳米管场致发射基础理论 |
| 2.2 碳纳米管场致发射增强因子的仿真研究分析 |
| 2.3 电子光学系统的基础理论 |
| 2.4 平面栅控碳纳米管冷阴极三极管的实验测试 |
| 2.4.1 平面栅控碳纳米管冷阴极三极管的测试系统 |
| 2.4.2 平面栅控碳纳米管冷阴极三极管阴极测试结果分析 |
| 2.5 单栅结构阵列式碳纳米管冷阴极电子光学系统的研究 |
| 2.5.1 单栅结构阵列式碳纳米管冷阴极二极管的仿真研究 |
| 2.5.2 应用于X射线管的冷阴极微型电子枪的研究 |
| 2.5.2.1 X射线管的介绍 |
| 2.5.2.2 X射线管阵列式碳纳米管冷阴极微型电子枪的仿真研究 |
| 2.5.3 阵列式碳纳米管冷阴极基底实验加工 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 碳纳米管双栅结构和双阳极结构电子光学系统的研究 |
| 3.1 双栅控制式平面阴极碳纳米管电子光学系统的研究 |
| 3.1.1 双栅控制式平面阴极碳纳米管电子光学系统的仿真研究 |
| 3.1.1.1 基于碳纳米管平面冷阴极双栅结构二极管的仿真研究 |
| 3.1.1.2 基于碳纳米管平面冷阴极双栅控制式电子枪的仿真研究 |
| 3.1.2 双栅控制式平面阴极碳纳米管电子光学系统的实验研究 |
| 3.1.2.1 基于碳纳米管平面冷阴极二极管的实验研究 |
| 3.1.2.2 基于碳纳米管平面冷阴极双栅结构三极管的实验研究 |
| 3.2 曲面碳纳米管冷阴极双阳极电子光学系统的研究 |
| 3.2.1 曲面碳纳米管冷阴极双阳极电子光学系统的仿真研究 |
| 3.2.2 曲面碳纳米管冷阴极双阳极电子光学系统的实验研究 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 毫米波及太赫兹频段的盘荷波导返波管理论与仿真研究 |
| 4.1 返波管理论介绍 |
| 4.1.1 返波管工作原理 |
| 4.1.2 返波管负色散空间行波条件 |
| 4.1.3 宽频带电子调谐的条件 |
| 4.2 盘荷波导慢波线以及周期系统理论 |
| 4.2.1 慢波系统的主要特征 |
| 4.2.1.1 色散特性 |
| 4.2.1.2 耦合阻抗 |
| 4.2.2 盘荷波导作为均匀系统 |
| 4.2.3 盘荷波导作为周期系统 |
| 4.3 8mm碳纳米管冷阴极盘荷波导返波管的仿真研究 |
| 4.3.1 8mm盘荷波导周期结构高频特性的仿真研究 |
| 4.3.2 8mm盘荷波导返波管注波互作用的仿真研究 |
| 4.4 0.22THz碳纳米管冷阴极盘荷波导返波管的仿真设计研究 |
| 4.4.1 适用于0.22 THz返波管的双栅控制式冷阴极电子枪的研究 |
| 4.4.2 0.22 THz盘荷波导返波管的仿真研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 基于碳纳米管冷阴极8 mm返波管的实验研究 |
| 5.1 8mm圆波导TM01转矩形波导TE10模式变换器 |
| 5.1.1 圆波导TM01转矩形波导TE01模式变换器的设计与仿真 |
| 5.1.2 圆波导TM01转矩形波导TE01模式变换器的实验研究 |
| 5.2 8mm碳纳米管冷阴极盘荷波导返波管振荡器的实验测试 |
| 5.2.1 8mm碳纳米管冷阴极返波管的伏安特性测试 |
| 5.2.2 8mm碳纳米管冷阴极返波管振荡器的热腔测试 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 课题研究工作的总结 |
| 6.2 课题研究方向的展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（5）微波圆柱和同轴腔高阶横磁模式及其输出耦合（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 本论文的意义、创新点、问题和展望 |
| 1.1.1 本论文的研究意义 |
| 1.1.2 论文的任务和创新点 |
| 一、任务 |
| 二、创新点 |
| 1.1.3 问题和展望 |
| 1.2 速调管的发展史和国内外现状 |
| 1.2.1 速调管的发展史 |
| 1.2.2 国内外多注速调管的现状和发展趋势 |
| 一、多注速调管的现状 |
| 二、多注速调管的发展趋势 |
| 1.3 速调管的结构与工作原理 |
| 1.4 圆柱和同轴谐振腔的高阶横磁(TM)模式 |
| 参考文献 |
| 第二章 圆柱和同轴谐振腔的高阶横磁模式图及特性阻抗 |
| 2.1 理论分析 |
| 2.1.1 圆柱和同轴腔的TM谐振模式及其特性阻抗 |
| 2.1.2 编程计算 |
| 2.2 圆柱和同轴腔高阶TM模式图 |
| 2.2.1 模式图 |
| 2.2.2 高频段大横截面同轴腔结构的模式图 |
| 一、较低阶模(n≤6) |
| 二、特高阶模(n≥10) |
| 2.3 特性阻抗分析 |
| 2.3.1 特性阻抗 |
| 2.3.2 同轴腔特性阻抗随内径b变化的极大值 |
| 2.4 固定频率时腔体尺寸和谐振模式的选择 |
| 2.5 结论 |
| 参考文献 |
| 第三章 圆柱和同轴谐振腔高阶横磁模式的无载Q值 |
| 3.1 圆柱同轴腔TM模式的无载品质因数 |
| 3.2 Q值的理论计算 |
| 3.3 计算结果分析 |
| 3.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第四章 带漂移管同轴谐振腔的模拟研究 |
| 4.1 部分电磁场仿真软件简介 |
| 4.1.1 ISFEL 3D软件简介 |
| 4.1.2 ANSOFT HFSS软件模拟 |
| 4.2 带漂移管同轴腔参数的软件仿真 |
| 4.3 几个范例分析 |
| 4.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第五章 同轴空腔与波导的孔径耦合 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 谐振腔与波导耦合的等效电路 |
| 5.3 计算输出腔的外Q值的反射系数相位法简介 |
| 5.4 同轴腔与端接波导孔径耦合的模拟 |
| 5.4.1 TE_(10)模式矩形波导横截面尺寸 |
| 5.4.2 输出腔耦合端接矩形波导时外Q值的模拟 |
| 5.5 结论 |
| 参考文献 |
| 第六章 带漂移管同轴腔与波导耦合的模拟 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 外Q值的模拟 |
| 6.2.1 耦合孔径尺寸a_2×b_2=12×3mm~2 |
| 6.2.2 耦合孔径尺寸a_2×b_2=9×3mm~2 |
| 6.2.3 耦合孔径尺寸a_2×b_2=12×2mm~2 |
| 6.2.4 耦合孔径尺寸a_2×b_2=14×3mm~2 |
| 6.2.5 同轴腔的内外半径改为b=12mm,a=26mm |
| 6.2.6 波导长度对模拟结果的影响 |
| 6.3 输出腔间隙阻抗的模拟计算 |
| 6.3.1 结构参数b=12mm,a=26mm,r_m=20.75mm |
| 6.3.2 结构参数b=12mm,a=26mm,r_m=18.86mm |
| 6.3.3 复数间隙阻抗的等效电路模型 |
| 6.4 输出腔谐振场分布均匀性的调整 |
| 6.4.1 短路线位置的调整及腔壁的凹陷坑结构的设计 |
| 6.4.2 同轴腔内壁与同轴线的耦合 |
| 6.5 结论 |
| 参考文献 |
| 第七章 结论 |
| 7.1 本文理论研究结果 |
| 7.2 模拟结果 |
| 读博期间发表的相关论文 |
| 致谢 |
（6）大功率脉冲行波管性能提高的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 引言 |
| 1.1 功率行波管概述及原理 |
| 1.1.1 行波管概述 |
| 1.1.2 功率行波管基本结构 |
| 1.1.3 功率行波管基本原理 |
| 1.2 本文研究的主要内容和意义 |
| 第二章 耦合腔行波管振荡的抑制 |
| 2.1 带边振荡的抑制 |
| 2.1.1 耦合腔结构高频特性 |
| 2.1.2 带边振荡 |
| 2.1.3 损耗钮扣抑制带边振荡 |
| 2.2 反射振荡的抑制 |
| 2.2.1 反射振荡 |
| 2.2.2 集中衰减器 |
| 2.2.3 高频匹配特性 |
| 2.2.4 高频输出系统 |
| 第三章 流通率的改善 |
| 3.1 无截获栅控电子枪 |
| 3.1.1 皮尔斯电子枪 |
| 3.1.2 高导流系数电子枪 |
| 3.1.3 栅网的问题 |
| 3.1.4 无截获栅控电子枪的层流性 |
| 3.2 双周期永磁聚焦 |
| 3.2.1 电子注的磁聚焦 |
| 3.2.2 周期永磁聚焦 |
| 3.2.3 双周期永磁聚焦 |
| 第四章 制管验证 |
| 4.1 聚焦系统 |
| 4.2 高频系统 |
| 4.2.1 损耗钮扣的测量 |
| 4.2.2 色散特性 |
| 4.2.3 传输特性 |
| 4.2.4 衰减器和单段匹配 |
| 4.2.5 输能窗 |
| 4.3 电子枪 |
| 4.4 整管性能测试结果 |
| 第五章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
（7）大功率微波电真空器件的发展动向（论文提纲范文）
| 1 大功率微波电真空器件的研究进展 |
| 1.1 多注速调管 |
| 1.2 SBK |
| 1.3 大功率速调管 |
| 1.4 空间行波管和其他空间器件 |
| 1.5 回旋管和其他大功率毫米波器件 |
| 2 计算机辅助设计 |
| 3 大功率微波电真空器件的发展动向 |
（8）220GHz扩展互作用速调管的理论和模拟研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 太赫兹器件发展背景 |
| 1.1.1 太赫兹简介 |
| 1.1.2 太赫兹器件简介 |
| 1.2 扩展互作用速调管的研究背景和发展现状 |
| 1.2.1 速调管的历史简介 |
| 1.2.2 扩展互作用速调管的历史与发展 |
| 1.2.3 扩展互作用速调管的主要发展趋势 |
| 1.3 论文主要研究内容 |
| 第二章 扩展互作用速调管理论 |
| 2.1 传统速调管理论与特性 |
| 2.1.1 速调管工作原理 |
| 2.1.2 速调管中的物理过程 |
| 2.1.2.1 速调管电子群聚的运动学理论 |
| 2.1.2.2 速调管的耦合系数分析 |
| 2.1.3 速调管谐振腔等效电路分析 |
| 2.2 扩展互作用谐振腔等效参量 |
| 2.2.1 多次互作用腔的等效参量分析 |
| 2.2.2 扩展互作用腔的等效参量分析 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 速调管小信号理论分析 |
| 3.1 空间电荷效应与空间电荷波理论分析 |
| 3.1.1 空间电荷波效应 |
| 3.1.2 空间电荷波理论 |
| 3.2 小信号下多腔速调管的增益计算 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 扩展互作用速调管高频结构模拟与理论模型对比 |
| 4.1 高频结构的设计 |
| 4.1.1 谐振腔结构的确定 |
| 4.1.2 工作模式和周期的确定 |
| 4.1.3 其他结构参数的确定 |
| 4.2 扩展互作用速调管高频结构的冷腔设计 |
| 4.2.1 各腔体冷腔结构设计 |
| 4.2.2 整体结构设计 |
| 4.3 高频结构的粒子模拟与小信号计算结果 |
| 4.3.1 高频结构的粒子模拟结果 |
| 4.3.2 小信号程序计算分析 |
| 4.4 大电压大电流下的高频结构粒子模拟 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结束语 |
| 5.1 论文总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（9）大功率多注速调管展宽带宽研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 速调管概述及原理 |
| 1.1.1 速调管概述 |
| 1.1.2 速调管基本结构 |
| 1.1.3 速调管基本原理 |
| 1.2 多注速调管 |
| 1.2.1 速调管主要技术指标 |
| 1.2.2 多注速调管发展及技术特点 |
| 1.2.3 多注速调管带宽特性 |
| 1.3 项目研究的主要内容和意义 |
| 第二章 群聚带宽 |
| 2.1 群聚系统 |
| 2.2 群聚带宽分析 |
| 2.2.1 谐振腔特性阻抗 |
| 2.2.2 电子注导流系数 |
| 2.2.3 谐振腔增益 |
| 2.2.4 谐振腔加载 |
| 2.2.5 群聚段分布组合 |
| 2.3 群聚带宽展宽措施探讨 |
| 2.3.1 漂移头端面面积 |
| 2.3.2 漂移头间隙 |
| 2.3.3 腔体加载 |
| 2.3.4 谐振腔数量 |
| 第三章 输出带宽 |
| 3.1 输出系统 |
| 3.2 输出带宽分析 |
| 3.2.1 谐振腔参量 |
| 3.2.2 滤波器加载 |
| 3.2.3 多间隙谐振腔 |
| 3.2.4 其他方式 |
| 3.3 多级滤波器的优化设计 |
| 第四章 电子注 |
| 4.1 多电子注 |
| 4.1.1 阴极限制 |
| 4.1.2 聚焦限制 |
| 4.1.3 高频性能限制 |
| 4.1.4 工艺实施限制 |
| 4.2 电子注调制方式 |
| 第五章 项目设计及结果验证 |
| 5.1 宽带方案的选取 |
| 5.1.1 主要指标 |
| 5.1.2 设计方案选取 |
| 5.2 方案模拟计算与优化 |
| 5.2.1 群聚谐振腔设计与模拟 |
| 5.2.2 输出系统设计与模拟 |
| 5.2.3 大导流系数多注电子枪设计与模拟 |
| 5.3 实测验证 |
| 5.3.1 冷测 |
| 5.3.2 热测 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
四、栅控反射极反射速调管（论文参考文献）
- [1]国外微波电子管及其应用的新进展[J]. 李松柏,陈汝淑,刘盛纲. 电子管技术, 1973(06)
- [2]微型真空电子器件技术研究[J]. 冯进军,廖复疆,朱敏,闫铁昌. 真空电子技术, 2005(06)
- [3]碳纳米管冷阴极电子光学系统及返波管研究[D]. 陈青云. 电子科技大学, 2020(07)
- [4]栅控反射极反射速调管[J]. J.J.Hamiltion,R.J.Jrench. 电子管技术, 1967(01)
- [5]微波圆柱和同轴腔高阶横磁模式及其输出耦合[D]. 董玉和. 中国科学院研究生院（电子学研究所）, 2006(02)
- [6]大功率脉冲行波管性能提高的研究[D]. 付春华. 电子科技大学, 2013(05)
- [7]大功率微波电真空器件的发展动向[J]. 丁耀根. 真空电子技术, 2006(03)
- [8]220GHz扩展互作用速调管的理论和模拟研究[D]. 冯慧君. 电子科技大学, 2016(02)
- [9]大功率多注速调管展宽带宽研究[D]. 闵立涛. 电子科技大学, 2013(07)
- [10]大功率微波真空电子器件的发展及应用[J]. 廖复疆. 真空电子技术, 1992(01)