一、电子束管有机膜涂复工艺总结报告（论文文献综述）
杨露萍[1]（2016）在《便携式高分辨率X射线CCD相机的研究》文中进行了进一步梳理X射线成像技术以其广泛的应用前景被用于医疗诊断、工业无损检测以及安检等领域中且越来越受到市场的青睐。本论文主要研制了一款高分辨率、低成本、低剂量的X射线CCD相机,适用于牙科诊断、电路板检测及其他小部件的成像检测领域。论文主要的研究内容是:依据现有X射线成像器件的发展现状,精心选用高分辨率的硫氧化钆感光屏、一代微光像增强器、光纤光锥以及CCD相机作为组件,在现有实验条件下采用光纤耦合的方法将带有X射线感光屏的像增强器与CCD相机进行耦合。选取成本低转换效率高的硫氧化钆作为转换材料,制备较薄涂层厚度的感光屏,以满足低剂量及高分辨率的设计要求,为获取高的分辨率而牺牲的粉层发光亮度是通过微光像增强器将获取的光学影像信息进行增强来实现的,增强后的光学影像完全可以满足CCD相机的成像要求。本文提出了一种比较好的耦合方法,试图采用光锥代替像增强器的输出面板,将像增强器的输出荧光屏直接制作在光锥上,然后将带有光锥的像增强器与CCD相机进行耦合,这种方法不仅可以降低成本又可以提高系统的分辨率,随后通过实验先将像增强器与光锥的大端面进行耦合,来模拟上述设想,再将带有像增强器的光锥小端面与CCD进行耦合,最终制备出的原理样机达到了13 LP/mm的分辨率,实现了较高分辨率的要求。通过调整X光管的管电压及电流来控制X射线的光通量,分析了不同剂量下物体的像质变化,考虑到被检测物体厚度及其内部材质的不同,其对X射线吸收系数也不同,为了获得高对比度、清晰的图像质量,选取合适的X射线剂量也是本论文研究的重要内容之一。采用铜靶X光管作为射线源对一些实物进行了成像探测,比如小黄鱼、树叶、芯片卡、排针与排线以及盒装订书针等,从采集卡获取的图像中可以明显的分辨出小黄鱼的鱼骨结构、树叶的脉络、芯片的结构、排针与排线的材质分布以及盒中订书针的位置分布与结构等,基本实现了系统对多种小部件成像检测的要求;另外考虑到本论文研制的X射线CCD相机对深紫外有一定的量子效率,采用深紫外LED光源对指纹进行探测,能够观察到指纹的清晰脉络。总之,本文采用X射线感光屏与一代微光像增强器输入端直接耦合,然后通过光纤光锥耦合的方法将光锥的两端分别与像增强器及CCD进行耦合,实现了在较小X射线剂量下较高分辨率的成像,保证感光屏高分辨率的情况下通过像增强器对影像的增强克服了在高分辨率与量子效率之间的矛盾。是一种折中处理图像质量的技术手段,一定程度上为采用这种技术手段来实现产品的批量生产提供了一个很好的方向。
蒋刚[2]（2011）在《GT公司SL易逝产品项目投资的可行性分析》文中提出近年来,项目可行性分析的相关理论和方法已经非常成熟,并且在各个领域得到了广泛运用。但是易逝性产品项目投资的可行性分析又与一般产品项目投资有一定的区别。本文对GT公司的SL易逝性产品项目进行了深入调查,收集了相关的数据和信息,然后根据易逝性产品的一些特性,并结合可行性分析的相关理论和方法对该项目进行了具体分析论证。以期对易逝性产品项目投资的可行性分析起到积极的贡献作用,并为易逝性产品项目投资的可行性分析实证研究注入新的血液。GT公司SL易逝性产品项目较一般产品投资项目相比,具有科技含量高、产品易逝、风险不易确定等特征,因此如何运用可行性分析的相关理论和方法对该项目投资做好可行性分析,是本文研究的主要问题。主要研究成果是:1、根据市场需求分析的相关理论和方法,对SL易逝性产品项目从市场需求、市场分类、产品生命周期、竞争能力等方面进行了分析论证,既运用了相关理论和方法,又密切结合了项目的实际情况;2、运用财务分析理论及方法对SL易逝性产品项目的财务指标进行了分析运算,根据运算结果得出:项目的财务指标通过净现值测算后项目可行,同时由于该项目产品易逝,投入后产品利润较高,回收期较短。最后对可能影响项目的两个因素即产品销售价格、原材料成本进行了敏感性分析;3、一般性项目的风险分析一般采用多因素敏感性分析的方法。但是SL易逝性产品项目的不确定因素较多,因此采用了专家调查表法和层次分析法,构建了风险分析模型,将定性分析和定量分析相结合,综合进行项目的风险分析。企业在进行易逝性产品项目投资的可行性分析时,要根据其科技含量高、易逝的特征重点关注其生命周期所处阶段,以便采取合适的投资策略。另外企业在进行易逝产品项目进行风险分析时,要对项目的各种因素进行考虑,采取定性和定量分析相结合的方法,而不是只看预期的投资回报。
节忠海[3]（2006）在《顶发射有机电致发光器件的设计与制作》文中研究说明为了提高顶发射有机电致发光器件的性能,我们对顶发射器件中存在的微腔现象做了具体的理论分析,并计算得到了微腔结构的器件中的腔长,由于微腔效应的存在使得在出光方向上的光得到放大,计算结果和实际结果相对吻合较好。同时我们还计算得到了光谱,和实际光谱有一定差别的原因在于我们为了方便计算,假设激子都在距离界面一个扩散长度的地方复合发光.而实际上由于扩散长度是一个平均值所以每个激子复合发光的位置都是不一样的。在实际实验中我们采用了掺杂和非掺杂两种结构方式。实验中利用经紫外臭氧表面修饰（2Ag（s）+O3（g）→Ag2O（s）+O2（g））的银作为阳极（以降低空穴的注入势垒,增加注入效率）,以Alq作为发光层,以半透明的Al/Ag作为阴极,选择空穴注入材料m-MTDATA,作为空穴注入层,从而降低了器件的开启电压。同时采用我们提出的有机物掩模生长的新工艺,解决了大面积生长有机物时漏电流大的问题,在硅衬底上制备出高亮度顶发射有机发光器件。同时我们还在顶发射器件的半透明阴极上生长增透膜,并且采用交替生长Al/Ag阴极的结构来提高器件的性能,用这种阴极结构制备的顶发射有机电发光器件有效地改善了光的耦合输出,并且具有这种多层阴极结构的器件和具有普通阴极结构Al （4 nm）/Ag （12 nm）的器件相比,其亮度在7V到21V内增加了1.9-3.1倍。
赵振元[4]（2006）在《硅基顶发射有机电致发光器件的研究》文中进行了进一步梳理为改善电子的注入我们在电子传输和发光层Alq3与半透明阴极Al/Ag之间增加电子缓冲层ZnO。器件的结构为Si/SiO2/Ag（100nm）/Ag2O（30s）/m-MTDATA（45nm）/NPB（25nm）/Alq3（60nm）/ZnO/Al（4nm）/Ag（12nm）。电子缓冲层ZnO的引入既起到了降低电子注入的有效势垒又起到了增加在Alq3/ZnO界面的空穴势垒,使更多的载流子在有源区结合。这导致了器件开启电压的降低及发光亮度和电流效率的增加。我们在器件结构为Si/SiO2/Ag（70nm）/Ag2O（30s）/ m-MTDATA（45nm）/NPB（5nm）/ Alq3（50nm）/LiF（1nm）/Al（0.3nm）/Ag（18nm）的上面蒸发ZnS增透层,以改善器件的透射性能。考虑到Al既能提供有效的电子注入又尽量减少其在可见光区域的吸收,我们调整了Al的厚度,发现当Al为0.3nm时为最优。在Al（0.3nm）/Ag（18nm）的阴极上面增加了32nm厚ZnS折射率匹配层,这样我们得到了最大亮度和最大电流效率分别为145474 cd/m2 （13 V）,12.2 cd/A （5 V）的器件。
牛霞[5]（2006）在《基于新型蓝光材料的白色有机电致发光器件的研究》文中进行了进一步梳理有机电致发光显示器件（OLED）作为一种新型的固体平板化显示器件,凭借着驱动电压低,效率高,可柔性化等优势和广阔的市场应用前景,成为近年来发展十分迅速的显示技术。其中白光OLED器件涵盖整个可见光区的红、绿、蓝三种基色,可以很容易地获得全彩色显示器件,同时还可以作为液晶背光源和固态照明光源使用。因此,白光OLED的研究具有非常重要的科学意义和使用价值。本文以制备和研究结构简单的OLED为工作重点,并以提高器件中蓝光成分为主要工作。简单介绍了OLED的发展历程,并重点介绍了白光OLED的研究进展和实际应用的意义,以及器件的发光原理和影响发光性能的主要因素。首次尝试将聚合物和小分子材料相结合,采用旋涂的方法形成发光层,简化器件制备工艺,同时两者的结合可以进行优势互补,充分提高器件的整体性能。首先对本实验选用的新型有机小分子蓝光材料TBPe,进行了简单的性能分析,并通过与其结构相似的蓝光材料的对比,表明其对掺杂浓度的要求相对较低,同时也分析了其与聚合物混合制备器件的可行性。制备了结构为:ITO/白色发光层/BCP/Alq3/Mg:Ag的单一发光层白光OLED。通过多组实验对比,最终确定了最佳染料掺杂浓度和结构的器件,最佳色坐标为（0.33,0.38）,十分接近白色等能点,且不随外加驱动电压的变化而显着变化。为了进一步提高器件的发光性能,考虑到不同有机材料所适用的不同制备方法,我们依照传统的制作工艺,制备了以PVK:TBPe为蓝色发光层和Alq3:rubrene为橙黄色发光层的双层白光器件。通过适当调节发光层的掺杂比例和厚度,得到了发光性能比较理想的白光器件。我们还尝试将本身可以发绿白光,且兼具电子传输特性的材料Zn（BTZ）2替代Alq3作发光层的母体材料。器件的启亮电压下降到6V左右,最大亮度达到1300cd/m2,最大外量子效率为0.31%,最佳色坐标为（0.32,0.36）。通过对比发现,双层器件的各项光电性能均比单层器件有明显提高,我们根据有机材料的能级结构和能量传输理论,结合OLED的发光机理和能量传输原理,初步分析了双层器件的发光过程,以及性能提高的根本原因在于合理地选择材料和设计器件结构。最后我们选择了另一种蓝光材料NPB和空穴阻挡材料BCP,将电子和空穴的复合区域限制在空穴传输层中,分别制备了蓝色和橙红色发光器件。通过合理设计器件结构和调节发光层厚度,使两种发光以恰当比例相混合,制备了一种新型的白光器件,结构为:ITO/PVK:MEH-PPV/NPB/BCP/Alq3/Mg:Ag。器件在5V左右启亮,而且随着外加电压的变化,色坐标从（0.32,0.31）变为（0.33,0.29）,均在白色发光区之内,器件的最大亮度为2320cd/m2,最大外量子效率为0.52%。通过合理地选择高效的发光材料和试验条件的改善,提高发光层的质量,完善器件结构,器件的发光性能有望大幅提高,这也是我们下一步工作的重点。
孟猛[6]（2005）在《对提高白光有机电致发光器件性能的研究》文中研究指明本论文的主要工作为利用已有材料,从器件结构入手,分别制作了掺杂型和非掺杂型两种器件,从而提高白光有机电致发光器件的亮度、效率以及色坐标稳定性等方面的性能。我们首次将高效率的荧光染料rubrene 超薄层引入到白光器件中,制备了器件结构为ITO/NPB（50nm）/rubrene（0.1nm）/TPBI（50nm）/LiF/Al 和ITO/m-MTDATA（30nm）/NPB（20nm）/rubrene（0.1nm）/TPBI（40nm）/Alq3 （10nm）/LiF/Al 的非掺杂型白光器件,器件的最大效率可达4.29 lm/W,在10V 的驱动电压下,亮度达到10000cd/m2,此外,器件的色坐标随电压变化不明显。我们制备了基于ADN: rubrene 的单层掺杂的高效白光器件,此器件的特点在于在器件中发光的只是ADN:rubrene 掺杂层,其它层只是辅助载流子的注入、传输。器件的最大亮度超过20000cd/m2,最高效率为5.1cd/A（3.2lm/W）,电压从10V 变化到19V 时色坐标只有微小的变化,从（0.34,0.38）变化到（0.33,0.36）,完全在白光范围。另外,我们还制备了高效率高亮度的基于Ag2O 超薄层的电极修饰有机电致发光器件,该电极修饰方法同样适用于白光有机发光器件。
国营七七三厂蒸铝小组[7]（1977）在《电子束管有机膜涂复工艺总结报告》文中研究说明 有机膜涂复工艺,我们于74年底开始进行试验,经过一年的努力,75年国庆节前夕,基本完成,在这段时间里,我们在党委的领导下,得到成都工学院和晨光化工厂的大力协助,制得有机膜新材料:聚甲基丙烯酸异丁酯、甲基丙烯酸异丁酯单体和类似国外B-72树酯等。使得我厂的有机膜工艺得到彻底的改进。从75年底起,在生产过程中,我们
上海电珠五厂[8]（1977）在《9″显象管排气工艺的革新》文中研究说明 前言 英明领袖华主席为首的党中央作出了抓纲治国的战略决策,全国掀起了大打揭批“四人帮”的人民战争和工业学大庆、农业学大寨的群众运动,“大干社会主义有理,大干社会主义有功,大干社会主义光荣”的响亮口号在全国范围内激发起社会主义革命和社会主义建设热潮。 伟大领袖毛主席指出:“这是一种责任。你有那么多人,你有那么一块大地方,资源那么丰富,又听说搞了社会主义,据说是有优越性,结果你搞了五、六十年还不能超过美国,你象个什么样子呢?那就要从地球上开除你的球籍!所以,超过美国,不仅有可能,而且完全有
蒙乃勉,毛临渊[9]（1976）在《电子束管有机膜工艺试验总结报告》文中研究指明 在电子束管生产过程中,凡是须要铝化的管子,通常在铝化之前,涂复一层厚度约为15～20μ的有机薄膜。其目的:一方面防止铝的蒸汽直接浸透到屏上,另一方面使铝膜具有镜面状态。增加反射能力,提高荧光屏的亮度。因此我们要求有机膜有一定的机械强度,能形成光滑完整的薄膜,并且易于烧毁、灼减量低等等。过去,我厂生产用的有机膜材料,是硝化
二、电子束管有机膜涂复工艺总结报告（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、电子束管有机膜涂复工艺总结报告（论文提纲范文）
（1）便携式高分辨率X射线CCD相机的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 X射线成像检测技术的发展 |
| 1.2 数字化的X射线实时成像器件 |
| 1.2.1 平板DR |
| 1.2.2 X射线CCD及CMOS相机 |
| 1.3 X射线CCD相机的发展现状及本论文的研究意义 |
| 1.4 本文的主要研究工作 |
| 1.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第2章 X射线CCD相机的制备 |
| 2.1 X射线感光屏 |
| 2.1.1 X射线转换材料的选取 |
| 2.1.2 X射线感光屏的制备 |
| 2.2 像增强器的选取 |
| 2.3 中继耦合器件的选取 |
| 2.4 CCD相机的选取 |
| 2.5 器件之间的耦合 |
| 2.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第3章 X射线CCD相机的测试 |
| 3.1 可见光源下系统的分辨率测试 |
| 3.1.1 美国THORLABS 1951 USAF R1DS1N分辨率测试靶 |
| 3.1.2 视频采集卡 |
| 3.1.3 分辨率的成像测试 |
| 3.2 X射线光源下系统的分辨率测试 |
| 3.2.1 德国PTW FREIBURG L659041高分辨率测试卡 |
| 3.2.2 X光管 |
| 3.2.3 分辨率的成像测试 |
| 3.3 系统的灰度曲线与对比度分析 |
| 3.4 管电压及电流与图像对比度的关系 |
| 3.4.1 管电压与图像对比度的关系 |
| 3.4.2 管电流与图像对比度的关系 |
| 3.5 系统对实物成像的测试 |
| 3.6 深紫外光源下系统对指纹的成像测试 |
| 3.6.1 深紫外LED光源 |
| 3.6.2 指纹的成像测试 |
| 3.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 结论与展望 |
| 4.1 结论 |
| 4.2 展望 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 |
（2）GT公司SL易逝产品项目投资的可行性分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 导论 |
| 1.1 研究的背景 |
| 1.2 国内外研究状况综述 |
| 1.3 研究的意义 |
| 1.4 研究的内容与方法 |
| 第二章 易逝产品基本特征及可行性分析的相关理论和方法 |
| 2.1 易逝产品的基本特征 |
| 2.2 市场需求分析理论和方法 |
| 2.3 财务可行性分析理论和方法 |
| 2.4 风险分析理论和方法 |
| 第三章 GT公司及SL易逝产品项目概况 |
| 3.1 GT 公司简介 |
| 3.2 GT 公司发展规划 |
| 3.3 SL 易逝产品项目概述 |
| 3.3.1 SL 易逝产品项目合资单位的基本情况 |
| 3.3.2 SL 易逝产品项目主要原材料及协作关系 |
| 3.3.3 SL 易逝产品项目主要生产工艺流程 |
| 3.4 SL 易逝产品项目投资的必要性 |
| 3.5 SL 易逝产品项目主要特征 |
| 第四章 SL 易逝产品项目的市场需求分析 |
| 4.1 数据来源说明 |
| 4.2 TFT-LCD 产业现状及需求分析 |
| 4.2.1 我国TFT-LCD 产业现状 |
| 4.2.2 中小尺寸TFT-LCD 市场分析 |
| 4.3 TFT-LCD 面板减薄市场现状 |
| 4.3.1 TFT-LCD 面板减薄需求产生及技术原理简介 |
| 4.3.2 TFT-LCD 减薄市场状况 |
| 4.4 SL 易逝产品项目的市场需求分析 |
| 4.4.1 SL 易逝产品项目成都地区市场需求状况分析 |
| 4.4.2 SL 易逝产品项目成都地区市场供给状况分析 |
| 4.4.3 SL 易逝产品项目的市场分类 |
| 4.4.4 SL 易逝产品项目的产品价格分析 |
| 4.5 SL 产品易逝项目的竞争力分析 |
| 4.6 SL 易逝产品项目生命周期及发展预测 |
| 第五章 SL 易逝产品项目的财务可行性分析 |
| 5.1 SL 易逝产品项目投资估算 |
| 5.1.1 SL 易逝产品项目投资概算 |
| 5.1.2 SL 易逝产品项目的投资构成及资金筹措 |
| 5.2 SL 易逝产品项目的财务可行性分析 |
| 第六章 SL 易逝产品项目的风险分析 |
| 6.1 SL 易逝产品项目的风险识别 |
| 6.2 SL 易逝产品项目的风险因素分析及应对措施 |
| 6.3 SL 易逝产品项目的风险评价 |
| 第七章 结束语 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（3）顶发射有机电致发光器件的设计与制作（论文提纲范文）
| 第一章 有机电致发光器件概述 |
| 1.1 有机电致发光器件的发展历史、现状及发展趋势 |
| 1.1.1 有机电致发光器件的发展历史 |
| 1.1.2 有机电致发光器件的发展现状 |
| 1.1.3 有机电致发光器件存在的问题及展望 |
| 1.2 电致发光过程的基本知识 |
| 1.2.1 有机材料的电学特性 |
| 1.2.2 有机分子内的光物理过程 |
| 1.3 有机电致发光器件的结构及发光原理 |
| 1.3.1 有机电致发光器件常见的器件结构 |
| 1.3.2 有机电致发光器件的发光原理 |
| 1.4 有机电致发光器件性能的主要参数 |
| 1.5 本论文的主要工作 |
| 参考文献 |
| 第二章 通过微腔效应提高顶发射有机发光器件的性能 |
| 2.1 顶发射有机发光器件总体设计及微腔效应理论 |
| 2.1.1 顶发射有机发光器件所需要的实验设备 |
| 2.1.2 阳极及其缓冲层的选择 |
| 2.1.3 阴极及其缓冲层的选择 |
| 2.1.4 顶发射有机电致发光材料的制备 |
| 2.1.5 微腔效应理论 |
| 2.2 基于Alq3作为发光层的高效率顶发射有机电致发光器件设计 |
| 2.2.1 基于Alq3 作为发光层的顶发射有机电致发光器件的结构 |
| 2.2.2 通过微腔效应计算有机层厚度 |
| 2.3 基于Alq3 作为发光层的顶发射有机电致发光器件光电性能的分析 |
| 2.3.1 器件光谱特性分析 |
| 2.3.2 电流-电压及亮度-电压特性分析 |
| 2.3.3 微腔效应对器件的影响 |
| 2.4 基于Alq3 掺杂C545T 作为发光层的高效率顶发射有机电致发光器件设计 |
| 2.4.1 基于Alq3 掺杂 C545T 作为发光层的高效率顶发射有机电致发光器件结构 |
| 2.4.2 通过微腔效应计算有机层厚度 |
| 2.5 基于Alq3 掺杂C545T 作为发光层的顶发射有机电致发光器件的光电性能的分析 |
| 2.6 结论 |
| 参考文献 |
| 第三章 通过多层半透明阴极结构和增透膜提高顶发射有机电致发光器件的性能 |
| 3.1 高性能的顶发射有机电致发光器件结构 |
| 3.2 器件的光电特性分析 |
| 3.2.1 Alq3 增透膜对透射率的影响 |
| 3.2.2 电流－电压及亮度－电压特性分析 |
| 3.3 白光器件的效率及色度 |
| 3.4 结论 |
| 参考文献 |
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 致 谢 |
（4）硅基顶发射有机电致发光器件的研究（论文提纲范文）
| 内容提要 |
| 第一章 有机电致发光器件综述 |
| 1.1 有机电致发光器件的发展历史及产业化现状 |
| 1.1.1 有机电致发光器件的发展历史 |
| 1.1.2 有机电致发光器件的产业化现状及发展前景 |
| 1.2 有机材料的导电性及发光过程 |
| 1.2.1 有机材料的导电性 |
| 1.2.2 有机分子内的光物理过程 |
| 1.3 有机电致发光器件的结构及发光原理 |
| 1.3.1 有机电致发光器件常见的器件结构 |
| 1.3.2 有机电致发光器件的发光机理 |
| 1.4 有机电致发光器件性能的主要参数 |
| 1.5 本论文的主要工作 |
| 参考文献 |
| 第二章 基于 ZnO 作电子缓冲层的硅基顶发射器件 |
| 2.1 电子缓冲（注入）层的选择 |
| 2.1.1 电子缓冲（注入）层的分类 |
| 2.1.2 ZnO 电子缓冲层的选择 |
| 2.2 硅基顶发射器件的制备 |
| 2.3 器件光电性能的分析 |
| 2.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第三章 基于 ZnS作增透膜的硅基顶发射器件 |
| 3.1 ZnS 作为增透膜的优缺点 |
| 3.2 硅基顶发射器件的制备 |
| 3.3 光电性能的分析 |
| 3.4 结论 |
| 参考文献 |
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 致谢 |
（5）基于新型蓝光材料的白色有机电致发光器件的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 第一节 有机电致发光的特点、种类和制备 |
| 第二节 有机电致发光的发展历程和产业化现状 |
| 第三节 白色有机电致发光器件的研究概况 |
| 第四节 本论文的主要研究工作 |
| 第二章 有机电致发光的基本理论 |
| 第一节 有机电致发光器件的发光机理和工作过程 |
| 第二节 有机电致发光器件的材料和结构类型 |
| 第三节 影响有机电致发光器件发光性能的因素分析 |
| 第四节 本章小结 |
| 第三章 聚合物母体掺杂小分子染料的单一发光层 WOLED 的研究 |
| 第一节 WOLED 制备的一般过程和光电性能测试研究 |
| 第二节 TBPe 新型蓝光材料的发光性能 |
| 第三节 掺杂TBPe 蓝光染料的单一发光层WOLED 的性能研究 |
| 第四节 本章小结 |
| 第四章 含聚合物和小分子混合蓝光层的双层 WOLED 研究 |
| 第一节 引言 |
| 第二节 以TBPe 为蓝光材料的双层WOLED 的制备和性能研究 |
| 第三节 双层器件性能提高的分析和研究 |
| 第四节 本章小结 |
| 第五章 含聚合物红色和小分子蓝色发光层的双层 WOLED 研究 |
| 第一节 引言 |
| 第二节 以NPB 为蓝光材料的双层WOLED 的制备和性能研究 |
| 第三节 本章小结 |
| 第六章 全文总结和展望 |
| 一、全文总结 |
| 二、本论文的创新之处 |
| 三、需要进一步开展的工作 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 致谢 |
（6）对提高白光有机电致发光器件性能的研究（论文提纲范文）
| 第一章 引言 |
| 1.1 有机电致发光器件的发展历程及其特点 |
| 1.2 有机电致发光器件的结构和原理 |
| 1.2.1 有机/聚合物电发光器件的结构 |
| 1.2.2 有机半导体材料的分子结构特征 |
| 1.2.3 有机半导体材料的激发态衰减 |
| 1.2.4 有机发光器件的电致发光原理 |
| 1.3 评价有机电致发光器件性能的主要参数 |
| 1.4 本论文的主要工作 |
| 参考文献 |
| 第二章 基于rubrene 超薄层的多层黄光及白光发光器件 |
| 2.1 rubrene 的发光机理 |
| 2.1.1 rubrene 掺杂器件的发光机理 |
| 2.1.2 rubrene 超薄层的发光机理 |
| 2.1.3 小结 |
| 2.2 基于 rubrene 超薄层的高效率多层结构黄光器件 |
| 2.2.1 样品的制备及器件结构 |
| 2.2.2 rubrene 的厚度对器件性能的影响 |
| 2.2.3 多层黄光器件的光电特性 |
| 2.2.4 数据分析 |
| 2.2.5 小结 |
| 2.3 基于 rubrene 超薄层的高效率多层结构白光器件 |
| 2.3.1 样品的制备及器件结构 |
| 2.3.2 白光器件光电特性的讨论 |
| 2.3.3 小结 |
| 2.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第三章 基于rubrene 的掺杂型单层有机电致白光器件 |
| 3.1 rubrene 掺杂器件的发光机理 |
| 3.2 基于rubrene 的掺杂型单层有机电致白光器件 |
| 3.2.1 样品的制备及器件结构 |
| 3.2.2 器件的发光机制 |
| 3.2.3 白光器件的光电特性 |
| 3.2.4 小结 |
| 3.3 结论 |
| 参考文献 |
| 第四章 基于 Ag_2O 超薄层的电极修饰器件 |
| 4.1 提高 ITO 作为发光器件阳极的性能的方法 |
| 4.2 基于Ag_2O超薄层的电极修饰器件 |
| 4.2.1 样品的制备及器件的结构 |
| 4.2.2 器件光电特性的讨论 |
| 4.2.3 小结 |
| 4.3 结论 |
| 参考文献 |
| 结论 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 致谢 |
| 导师及作者简介 |
四、电子束管有机膜涂复工艺总结报告（论文参考文献）
- [1]便携式高分辨率X射线CCD相机的研究[D]. 杨露萍. 河南大学, 2016(03)
- [2]GT公司SL易逝产品项目投资的可行性分析[D]. 蒋刚. 电子科技大学, 2011(12)
- [3]顶发射有机电致发光器件的设计与制作[D]. 节忠海. 吉林大学, 2006(05)
- [4]硅基顶发射有机电致发光器件的研究[D]. 赵振元. 吉林大学, 2006(05)
- [5]基于新型蓝光材料的白色有机电致发光器件的研究[D]. 牛霞. 天津理工大学, 2006(03)
- [6]对提高白光有机电致发光器件性能的研究[D]. 孟猛. 吉林大学, 2005(06)
- [7]电子束管有机膜涂复工艺总结报告[J]. 国营七七三厂蒸铝小组. 电子管技术, 1977(S1)
- [8]9″显象管排气工艺的革新[J]. 上海电珠五厂. 玻璃与搪瓷, 1977(06)
- [9]电子束管有机膜工艺试验总结报告[J]. 蒙乃勉,毛临渊. 真空电子技术, 1976(05)
标签：电致发光;