一、表面作用对GaN喇曼光谱的影响（论文文献综述）
李秋,富东慧,蒋永翔,吴霞[1]（2015）在《微结构残余应力喇曼测量理论与应用》文中指出近些年微喇曼光谱技术在微结构残余应力测量领域受到了广泛关注。简要介绍喇曼光谱应力测量方法的基本原理,重点介绍微喇曼光谱技术力学测量理论及其在微结构残余应力测量应用方面的研究进展。微喇曼光谱技术目前主要应用于立方晶系和六方晶系材料的残余应力测量;已建立的单轴应力、静水应力和双轴应力状态下的喇曼频移-应力定量关系式,是使用该技术进行残余应力测量的理论基础。在今后一段时间内,喇曼残余应力测量技术的发展将集中在复杂应力状态的张量分辨残余应力测量理论、其他类型晶体材料的喇曼应力测量理论以及深度分辨的三维喇曼残余应力测量技术三个方面。
李晓云[2]（2008）在《高灵敏气体激光喇曼光谱的研究及应用》文中进行了进一步梳理激光喇曼光谱作为物质结构、性能分析的有力工具,已经广泛用于固体、液体材料的分析应用。对于痕量气体的分析灵敏度还显不够,增强气体激光喇曼光谱的探测灵敏度具有深远的意义。本文应用激光喇曼光谱增强技术来分析电力变压器中的溶解气体。变压器油中溶解气体分析法（Dissolved Gas Analysis, DGA ）己被公认为是监测和诊断充油电力变压器早期故障、预防灾难性事故的最好方法。各种变压器故障诊断技术都是依据DGA数据、理化数据、电气性能数据等从各自方向进行常规诊断,然后再进行终合分析。而油中溶解气体分析是各种诊断技术的重中之重。探索溶解气体分析的新方法具有重要的现实意义。变压器油中溶解气体的种类通常有十多种,多种痕量气体探测仍然是近年来研究的热点领域。各种气体探测技术都取得了快速发展并在不同的气体探测领域得到了广泛的应用。目前,气相色谱技术被广泛应用于变压器油中溶解气体的诊断,并取得了一定的成功。然而,色谱技术需要通过色谱柱将各种气体成分进行分离,然后对不同的气体成分分别采用不同的气体探测器或不同的气体探测方法进行分析。其测试过程复杂、定性能力和定量重复性都不好。因此,寻找一种简单、直接、同时探测多种气体成分的方法有着现实的意义。气体的喇曼光谱技术就具有以上优点,不需要分离混合气体,使用单一波长的激光器就可以同时检测出油中的多种气体。且具有非常好的定性、定量分析能力。但由于气体分子的喇曼散射信号弱,又有强的瑞利散射的干扰,难以实现多种气体的高灵敏探测。多年来,应用喇曼光谱探测变压器油中溶解气体的研究几乎是空白,随着激光器和探测器技术的发展,本文尝试着通过喇曼光谱技术来实现变压器油中溶解气体的探测。为了提高气体分子的探测灵敏度,我们分别尝试了表面增强喇曼光谱技术（SERS）和激光喇曼光谱方法,也取得了较为满意的结果。首先,通过表面增强喇曼光谱技术研究了一些典型的溶解气体成分,气体表面增强喇曼光谱的探测灵敏度提高了两到三个数量级,这对于许多气体成分的探测具有重要意义。但同时也发现有些气体的喇曼散射光谱线发生了消失、大的频率移动和谱线加宽等现象,这限制了气体成分的定性定量分析。本文从表面增强喇曼光谱的电磁增强机理出发,采用双振子电磁模型,重点对表面增强喇曼谱线的频移问题进行了理论研究。结果发现活性衬底表面大粒子引起的表面等离子体色散、弛豫、辐射阻尼及粒子半径本身都会对喇曼光谱的频移和加宽产生一定的影响,尤其是由活性金属大粒子引起的表面等离子体色散对频移的影响更为明显。现有的理论大都是在小粒子近似下进行数值模拟计算,我们将这个模型的计算拓展到大粒子金属表面的情形,这对于应用双振子电磁模型研究SERS相对频移的问题更推进了一步。对金属活性衬底的制备具有一定的理论指导意义。最后,我们建立了一套完整的用于变压器油中溶解气体分析的激光喇曼实验系统。为了提高气体的探测灵敏度,在气体样品池内设计了一个近共焦增强腔,使得焦点附近的激光功率达到将近9W。为了提高了气体的探测灵敏度,我们还作了一系列的努力（比如腔内设有a notch filter、compound lens等）。使用这套装置,我们成功探测出了华东电力标准油样中分离出的混合气体,并得到了油中八种典型气体的喇曼光谱图。实现了变压器油中溶解气体的高灵敏度探测（几十个ppm量级）。目前处于产品商业转化阶段,这套系统的成功对电力系统的故障诊断将具有革命性的意义。
孙柏[3]（2007）在《PLD技术制备ZnO薄膜及其结构和发光性质研究》文中认为ZnO是一种纤锌矿结构的宽禁带半导体材料，室温下的禁带宽度约为3.37eV，具有优异的光学和电学特性，在透明导电薄膜，表面声波器件、气体传感器和光电器件等方面有着广泛的应用，尤其是高质量ZnO薄膜的室温紫外受激发射的实现，使其成为当前的研究热点。本论文利用PLD技术在Si，SiC，Al2O3衬底上制备了ZnO薄膜，并对工艺进行优化，利用一些常规测试方法和同步辐射实验技术研究了不同生长条件对PLD技术制备的ZnO薄膜结构，光学和电学性质的影响。主要的研究工作及结果如下：1．在Si衬底上ZnO薄膜的生长及其结构和发光性质的研究利用PLD方法，在Si衬底上制备出了单一取向的ZnO薄膜，研究了衬底温度，氧气氛，激光能量和脉冲频率等生长条件对ZnO薄膜的结晶质量的影响，分析了这些影响产生的原因，并利用优化的生长条件制备出了高质量的ZnO薄膜，其（002）峰双晶摇摆曲线的半高宽为1.3°。利用同步辐射XAFS和XPS研究了两个不同衬底温度下（300℃，500℃）生长的ZnO薄膜的局域结构以及薄膜表面元素的化学态和相对含量。研究结果表明，500℃生长的薄膜的结晶质量要好于300℃生长的样品，但500℃生长的薄膜中的O／Zn比却小于300℃生长的薄膜。利用GID研究了薄膜内部不同深度的晶格驰豫过程，结果显示随着X射线探测深度从靠近薄膜表面增加到薄膜与衬底的界面处，两个样品a方向的晶格常数都减小，这说明薄膜内部的应变是不均匀的。PL谱结果表明，ZnO薄膜的紫外发射与它的晶体质量有着非常密切的关系。在用同步辐射作激发源的低温下的光致发光谱中，发现了发光中心位于430nm的紫光发射，我们认为该发射与存在于ZnO—ZnO晶粒间界的界面势阱所引起的界面缺陷能级到价带的跃迁有关，这个界面势阱可能起源于Zn填隙。2．Mn掺杂对ZnO薄膜结构和光学性质的影响利用PLD方法在Si（111）衬底上生长出了Mn掺杂的c轴高度取向的ZnO薄膜。光致发光（PL）结果显示了Mn的掺杂引起了薄膜的带边发射蓝移，强度减弱，紫光发射几乎消失，但绿光发射增强。利用XRD，XAFS，XPS和Raman等实验技术对Mn掺杂的ZnO薄膜的结构进行了研究。XRD和XAFS结果表明Mn进入了ZnO的晶格，处在Zn2+的替代位置形成了Zn0.9Mn0.1O合金薄膜，XAFS和XPS结果从实验上证实了Mn是以+2价的价态存在的，这就导致了掺Mn以后的薄膜带隙变大，在发光谱中表现为带边发射的蓝移。Raman结果表明Mn的掺入对薄膜的晶格振动产生了一定的影响，Zn0.9Mn0.1O合金薄膜与衬底之间的应力要比未掺杂的ZnO薄膜的大。由于掺入的Mn4+与薄膜中的填隙Zn反应自身变为Mn2+，导致薄膜的结晶性变差，薄膜中的填隙Zn减少，O空位增多，引起带边发射和紫光发射减弱，绿光发射增强。3．在SiC或以SiC为缓冲层的Si上生长ZnO薄膜及ZnO／SiC界面研究采用以MBE方法在Si衬底上生长的3C—SiC作为过渡层，利用PLD方法制备了高度c轴取向的ZnO薄膜，研究了衬底温度，氧分压对ZnO薄膜的结晶质量的影响，并分析了产生这些影响的原因。通过对PLD方法的工艺优化，在6H-SiC单晶衬底上制备出了高质量的ZnO薄膜，X射线双晶摇摆曲线结果显示其（002）衍射峰的半高宽仅为0.47°。同步辐射掠入射X射线衍射结果表明该ZnO薄膜和衬底之间的平行于衬底表面a轴方向的实际的晶格失配度仅为5.84％，并且利用X射线Φ扫描技术观察到了该ZnO薄膜（110）等效晶面的六重对称性。由此说明，我们已成功地在6H—SiC单晶衬底上制备出单晶ZnO薄膜。此外，我们还以Si衬底上原位生长的SiC和石墨作为过渡层，利用PLD方法制备ZnO薄膜。通过其电学特性的研究表明，SiC和石墨过渡层的使用，可以极大的提高ZnO和Si衬底组成的p—n结的Ⅰ—Ⅴ特性。利用SRPES和XPS的价带谱和芯能级谱技术，研究了金属Zn在SiC表面的吸附和热氧化过程以及ZnO／SiC异质界面的形成和结构。研究结果表明，在SiC表面沉积金属Zn的初始阶段，Zn可以与SiC衬底表面残留的氧结合。随着Zn覆盖度的增加，表面具有金属特性。在氧气氛中，氧可能会以分子的形式吸附在Zn表面，但也可能与Zn成键或化合。在氧气氛中180℃的温度退火后，一部分Zn被氧化形成ZnO，还有少量Zn因受到热蒸发而逸出表面。在氧气氛中600℃温度退火后，形成的ZnO会阻止金属Zn逸出表面，覆盖的金属Zn全部被氧化而生成ZnO。而在氧气氛中退火时，衬底也会发生轻度氧化，从而导致在ZnO／SiC界面处存在一层很薄的Si的氧化层。根据得到的光电子能谱的实验结果，计算出用Zn热氧化方法形成的ZnO／SiC异质结的价带偏移为1.1eV。4．在Al2O3上生长ZnO薄膜及其界面结构的研究在Al2O3衬底上，利用PLD方法在不同的衬底温度和不同的氧分压下生长了高度c轴取向的ZnO薄膜。XRD和RHEED结果显示了衬底温度和氧分压对ZnO薄膜的生长模式和结晶质量有很大的影响。X射线双晶摇摆曲线结果显示利用PLD方法以Al2O3为衬底，在优化的条件下制备的ZnO薄膜的（002）衍射峰的半高宽仅为0.46°，已经达到了单晶水平。同步辐射掠入射X射线衍射结果显示，随着X射线穿透深度从薄膜表面增大到薄膜和衬底的界面处，450℃和650℃生长的ZnO薄膜的a方向的晶格常数明显增加，而750℃的ZnO薄膜的a方向的晶格常数却略微减小，这说明衬底温度对ZnO薄膜内部不同深度的晶格驰豫有很大的影响。同步辐射掠入射X射线反射结果显示650℃，0.13Pa条件下生长的ZnO薄膜的厚度为46.2nm，表面粗糙度为0.63nm，薄膜与衬底界面的粗糙度为1.41nm。
孟耀勇,廖昱博[4]（2006）在《激光喇曼光谱技术在食品科学中的应用》文中指出激光喇曼光谱技术是一种非侵入、非弹性的光散射技术,它能够无损地提供丰富的分子结构和物质成分的信息。近来它在食品工业领域表现出很大的应用潜力。本文综述了激光喇曼光谱技术在食品科学中的应用及其新进展。主要包括果蔬农药残留的检测、肉类产品质量检测、伪劣食品鉴定、食物蛋白的研究以及食品加工监控等方面的应用。并对喇曼光谱技术在这些方面的应用前景作了进一步的展望。
郭星原[5]（2006）在《ZnO晶须和TiO2单晶的浮区法生长及其光谱研究》文中提出本论文利用浮区法,基于自成核、自生长理论,不用晶种,使用最新型4椭球面反射镜红外聚焦浮区炉（FZ-T-10000-H-VI-VP）在高氧压下首次生长出低缺陷的ZnO晶须.研究了氧压对晶体生长的影响,实验确定了浮区法生长ZnO晶须的最佳氧压条件.结构分析表明所生长的晶体为沿c轴生长的单晶.在室温和93-693K温度下测量了ZnO晶须的喇曼光谱和光致荧光光谱,结果表明在晶体生长过程中选择适当氧压对减少氧缺陷和增加紫外荧光相对绿光荧光的比例是有益的.利用可调功率脉冲激光研究了ZnO晶须在低激发密度下的光致发光过程.此外,使用FZ-T-10000-H-VI-VP单晶炉、在高压氧（0.5MPa）下生长出金红石（TiO2）单晶;XRD和Raman光谱分析证明晶体结构比较完整.对单晶进行了Raman散射研究.在室温Raman谱中观察到四个活性模: B1g（143cm-1）、Eg（446cm-1）、A1g（605cm-1）和B2g（826cm-1）,同时发现迄今为止未见报道的690cm-1的Raman峰,通过变温Raman光谱研究,初步指认其为复合Raman散射过程（Combination scattering）.
吴慧[6]（2006）在《和频振动光谱对气/液界面的研究和相关喇曼光谱研究》文中研究表明和频振动光谱作为一种二阶非线性光学方法,具有独特的界面选择性和敏感性,是研究界面振动光谱、结构及动力学的最强有力的实验手段之一,它在近二十年得到了长足发展。本论文用喇曼和红外光谱的强度比对和频振动光谱定量分析中的键极化模型进行了实验修正;对二甲基苯三种同分异构体的和频振动光谱进行了简单分析;介绍了喇曼光谱的基本原理,并测定了甲醇和乙腈喇曼光谱部分谱线对应的退偏率。本论文分为四章,第一章主要介绍了界面的相关概念、气/液界面的研究历史,以及和频振动光谱这种目前研究气/液界面最有效的方法,还介绍了和频振动光谱的基本原理和如何从实验测定的光谱分析得到界面分子的取向及相关信息;在论文的第二章中,我们首次提出了对键极化模型进行实验修正,利用喇曼和红外光谱的甲基基团的对称伸缩振动峰和反对称伸缩振动峰的强度比,分别对喇曼极化率和红外偶极矩进行了实验修正,由修正后的模型可以定量的得到甲基基团的超极化率,并成功解释了甲醇和D代乙醇的和频振动光谱。第三章主要报道了我们对二甲基苯三种同分异构体的和频振动光谱的实验测定结果,以及对2800c m ?1- 3000c m ?1段的甲基基团的光谱峰的归属,在2870c m ?1附近的为CH 3基团的对称伸缩振动峰,在2960c m ?1附近的为CH 3基团的反对称伸缩振动峰。三种样品的ssp偏振光谱很相似,但ppp偏振光谱却截然不同,这说明这些分子中甲基基团在界面具有不同的取向结构, o-xylene的两个甲基同向,对和频信号的贡献同向,
陈小红[7]（2002）在《GaN材料及MSM结构紫外光电探测器的研究与制备》文中指出GaN是最有前景的直接跃迁宽带隙半导体材料之一，它具有优良的光电性质和优异的机械性能，被认为是制备短波长光电子器件的最佳材料之一。紫外光电探测器可用于科研、军事、太空、环保利其它许多工业领域中。而金属-半导体-金属（MSM）结构的器件因其平面型，工艺简单，便于集成等优点倍受人们的青睐。因此，近年来，用GaN材料制备的MSM光电探测器是人们研究的热门课题之一。本文依据MSM结构探测器的工作原理，设计了器件的结构参数，并分别以蓝宝石和GaAs为衬底材料生长了六方结构和四方结构的GaN材料，在此基础上制备出GaN-MSM紫外光探测器，并取得了一些有意义的结果，我们的器件光响应度最好可达0.21A／w。 本文的主要工作和结果有： （1）通过对GaN的MSM结构探测器的工作原理的分析，我们设计了两种尺寸的器件结构参数，确定了器件的金属电极条宽为2μm，长为100μm，电极间距分别为6μm、10μm两种，器件有效面积分别为104μm×155μm、150μm×155μm。 （2）我们对用MOCVD方法生长的六方相、立方相两类GaN样品材料进行了X射线衍射（XRD），光致发光谱（PL），喇曼（Raman）散射谱的测量，并对测量结果作了较为详细的分析与讨论。通过XRD测量结果计算得出三个样品材料（两个为六方相：1#、2#，一个为立方相：3#）的（002）晶格常数分别为0.5122nm、0.5214nm、0.4469nm。1#、2#样品的PL谱峰均很窄，其FWHM（半峰宽）仅为7.5 nm和10nm，但两个样品的PL谱均出现了黄峰，1#的黄峰较高，其强度超过了带边峰，而2#的黄峰得到很大改善，其黄带／带边峰强度比仅为0.17。3#的PL谱很弱，只在低温下才观测到谱峰。结合Raman的测量结果我们得出2#材料的晶体质量比1#的好，而立方相的3#样品质量最差。 （3）用Ledit7．50版软件绘制出器件的制版版图。用剥离工艺成功地制备了GaN材料的MSM光电探测器。 （4）测量并研究了MSM光探测器的光谱响应，暗电流，光照Ⅰ—Ⅴ特性等。1#、 l＄j gb 2＃探测器均在带边峰有较强的光I咧应，并在长波方向陡峭截止：，可见光光 盲性很好。探测器的暗电流在12V下分别为52以A、27 11A。光灵敏度分 别为 0．18A／W和 0．21A／W，这在国内己经达到较好水平。同I时，我们的 1＃、 2＃探测器均非常耐压，击穿电压高达250V。但3＃探测器没观察到应有的 l响应特性，这与立方相结构的GaN材料生长困难，晶体质量不高有关。目 前，我们也未见有立方相 GaN的 MSM光电探测器的报道。
叶建东,顾书林,王立宗,张荣,施毅,郑有炓[8]（2002）在《掺碳氮化镓的光学性质》文中认为利用喇曼光谱和光致发光谱 ,对采用氢化气相外延淀积方法在MOCVDGaN衬底上生长的掺碳GaN样品的光学性质进行了研究 .结果发现C3H8流量的增加导致载流子浓度的升高 ,喇曼谱出现蓝移 ,E1（LO）声子的Raman强度变弱 .同时光致发光谱中蓝光带和黄光带发光强度随着掺碳浓度的增加先增强后减弱 ,这与掺杂碳的自补偿效应有关 .高碳掺杂量的GaN材料的结构与光学性质均显着下降 .
申德振,金周哲[9]（1983）在《表面作用对GaN喇曼光谱的影响》文中指出引言Ga N多晶是由Ga N单晶小颗粒混合而成的,因此对GaN多晶的喇曼光谱应与Ga N单晶所具有的振动模式有直接的联系,而Ga N单晶是六角结构的C8v单。轴晶体,具有振动模式为
陈秋媚[10]（2021）在《基于表面增强拉曼光谱技术的狼疮Ⅱ号方配伍规律研究》文中指出
二、表面作用对GaN喇曼光谱的影响（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、表面作用对GaN喇曼光谱的影响（论文提纲范文）
（1）微结构残余应力喇曼测量理论与应用（论文提纲范文）
| 0引言 |
| 1喇曼力学测量的基本原理 |
| 2喇曼力学测量理论研究 |
| 3喇曼光谱法在微结构残余应力测量中的应用研究 |
| 4结语 |
（2）高灵敏气体激光喇曼光谱的研究及应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 基于DGA 的故障诊断技术 |
| 1.3 油中溶解气体分析技术的研究现状 |
| 1.4 激光拉曼光谱技术的进展 |
| 1.5 喇曼光谱在气体探测中的应用 |
| 1.6 本文研究的主要内容和章节安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 电力故障与变压器油中溶解气体 |
| 2.1 变压器油中的特征溶解气体 |
| 2.2 变压器常见故障与溶解气体产生的关系 |
| 2.3 气体在油中的溶解 |
| 2.4 正常运行时变压器油中气体含量 |
| 2.5 油中溶解气体含量与变压器故障判断 |
| 2.5.1 基于DGA 数据的故障诊断基本原理 |
| 2.5.2 有无故障诊断 |
| 2.6 油中溶解气体的检测系统 |
| 2.6.1 油中溶解气体的脱出 |
| 2.6.2 油中不同气体成分的分离 |
| 2.6.3 色谱分析技术中的气体检测 |
| 2.6.4 色谱技术与喇曼光谱技术的比较 |
| 2.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 喇曼光谱原理与技术 |
| 3.1 光散射 |
| 3.2 喇曼光谱的基本原理 |
| 3.3 喇曼散射的经典模型处理 |
| 3.4 喇曼散射的量子模型处理 |
| 3.5 喇曼光谱若干分析应用技术 |
| 3.5.1 共振喇曼光谱 |
| 3.5.2 表面增强喇曼光谱 |
| 3.5.3 非线性喇曼效应 |
| 3.6 喇曼光谱技术的发展状况 |
| 3.7 喇曼光谱技术的选择 |
| 参考文献 |
| 第四章 气体的表面增强喇曼光谱的相对频移 |
| 4.1 实验结果中气体分子的相对喇曼频移 |
| 4.2 相对喇曼频移的理论分析 |
| 4.2.1 双振子电磁模型及SERS 的数学表达式 |
| 4.2.2 重离子质量近似下的喇曼增强 |
| 4.2.3 小粒子近似下频移的表达式的简化 |
| 4.2.4 分子吸附在大粒子表面的喇曼频移 |
| 4.2.5 相对频移的数值模拟计算 |
| 4.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 气体的高灵敏腔增强激光喇曼检测 |
| 5.1 激光喇曼光谱检测溶解气体的确立 |
| 5.2 腔增强技术的选择 |
| 5.3 激光喇曼实验系统 |
| 5.3.1 喇曼光谱的激发光源 |
| 5.3.2 激光喇曼增强腔的设计 |
| 5.3.2.1 喇曼多通反射池 |
| 5.3.2.2 用于气体喇曼光谱测量的PBC 腔 |
| 5.3.2.3 近共焦喇曼增强腔 |
| 5.3.3 样品池 |
| 5.3.4 探测系统 |
| 5.4 实验结果与讨论 |
| 5.4.1 使用CCD 探测系统对溶解气体的研究 |
| 5.4.2 PMT-928 系统对溶解气体的研究 |
| 5.4.2.1 标准油样中溶解气体探测 |
| 5.4.2.2 气压和绝对喇曼信号强度的关系 |
| 5.5 总结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 本论文的工作总结 |
| 6.2 今后工作展望 |
| 致谢 |
| 博士期间已发表或录用的论文 |
（3）PLD技术制备ZnO薄膜及其结构和发光性质研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 ZnO的结构和性质 |
| 1.1.1 ZnO的晶体结构 |
| 1.1.2 ZnO薄膜的光学性质 |
| 1.1.3 ZnO薄膜的电学性质 |
| 1.1.3.1 本征ZnO薄膜的电学性能 |
| 1.1.3.2 ZnO薄膜的n型掺杂 |
| 1.1.3.3 ZnO薄膜的p型掺杂 |
| 1.1.4 ZnO合金薄膜的能带调制 |
| §1.2 ZnO薄膜的应用 |
| 1.2.1 太阳能电池透明电极 |
| 1.2.2 压敏元件 |
| 1.2.3 气敏元件 |
| 1.2.4 发光器件 |
| 1.2.5 紫外光探测器 |
| §1.3 ZnO薄膜的制备方法 |
| 1.3.1 化学气相淀积技术 |
| 1.3.2 溅射 |
| 1.3.3 溶胶—凝胶 |
| 1.3.4 分子束外延 |
| 1.3.5 其它薄膜制备方法 |
| §1.4 ZnO薄膜的研究进展 |
| 1.4.1 优质ZnO薄膜的外延生长 |
| 1.4.2 p型ZnO薄膜的研究 |
| 1.4.3 Mn掺杂的ZnO薄膜 |
| 1.4.4 同步辐射在ZnO表征中的研究进展 |
| §1.5 本论文的选题 |
| 参考文献 |
| 第二章 脉冲激光淀积(PLD)技术及其应用 |
| §2.1 PLD技术的工作原理 |
| 2.1.1 PLD的基本物理过程 |
| 2.1.2 脉冲激光淀积技术制备薄膜的理论模型 |
| 2.1.2.1 Singh-Narayan(S-N)理论模型 |
| 2.1.2.2 Zhang-Li(Z-L)理论模型 |
| §2.2 PLD技术的设备和工艺 |
| 2.2.1 PLD技术的设备 |
| 2.2.2 PLD技术的实验工艺 |
| 2.2.3 PLD技术的优势和不足 |
| §2.3 PLD技术的应用 |
| 2.3.1 PLD制备超导薄膜 |
| 2.3.2 PLD制备铁电薄膜 |
| 2.3.3 PLD制备纳米棒 |
| 2.3.4 PLD制备量子点 |
| 2.3.5 PLD制备ZnO薄膜 |
| §2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 在Si衬底上ZnO薄膜的生长及其结构和发光性质的研究 |
| §3.1 ZnO薄膜的制备 |
| §3.2 ZnO薄膜生长条件的优化 |
| 3.2.1 衬底温度对薄膜生长的影响 |
| 3.2.2 氧气氛对薄膜生长的影响 |
| 3.2.3 激光能量对薄膜生长的影响 |
| 3.2.4 激光脉冲频率对薄膜生长的影响 |
| 3.2.5 优化条件生长的ZnO薄膜的XRD结果 |
| §3.3 ZnO薄膜的同步辐射结构表征 |
| 3.3.1 X射线吸收精细结构(XAFS)分析 |
| 3.3.2 X射线光电子能谱(XPS)分析 |
| 3.3.3 同步辐射掠入射X射线衍射结果 |
| §3.4 ZnO薄膜的发光特性的研究 |
| 3.4.1 以激光为激发源的光致发光(PL) |
| 3.4.2 低温下的同步辐射光致发光谱 |
| §3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 Mn掺杂对ZnO薄膜结构和光学性质的影响 |
| §4.1 薄膜的制备和测试方法 |
| §4.2 结果和讨论 |
| 4.2.1 光致发光结果 |
| 4.2.2 XPS结果 |
| 4.2.3 XRD分析 |
| 4.2.4 XAFS的实验结果 |
| 4.2.5 Raman分析 |
| 4.2.6 讨论 |
| §4.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 在SiC或以SiC为缓冲层的Si上生长ZnO薄膜及ZnO/SiC界面研究 |
| §5.1 在Si表面以SiC为过渡层的ZnO薄膜的生长及其结构的研究 |
| 5.1.1 SiC过渡层的制备 |
| 5.1.2 ZnO薄膜的制备 |
| 5.1.3 衬底温度对薄膜结构的影响 |
| 5.1.4 氧气氛对薄膜结构的影响 |
| 5.1.5 过渡层对ZnO薄膜的电学性质的影响 |
| §5.2 单晶SiC表面ZnO薄膜的生长及其结构和发光性质的研究 |
| 5.2.1 常规XRD结果 |
| 5.2.2 同步辐射掠入射X射线衍射结果 |
| 5.2.3 光致发光结果 |
| §5.3 ZnO/SiC界面的同步辐射光电子能谱研究 |
| 5.3.1 实验 |
| 5.3.2 结果和讨论 |
| §5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 在Al_2O_3上生长ZnO薄膜及其界面结构的研究 |
| §6.1 ZnO薄膜的制备 |
| §6.2 ZnO薄膜生长条件的优化 |
| 6.2.1 衬底温度对ZnO薄膜结晶质量的影响 |
| 6.2.2 氧气氛对ZnO薄膜结晶质量的影响 |
| 6.2.3 优化条件下生长的ZnO薄膜的XRD结果 |
| §6.3 ZnO薄膜的同步辐射掠入射X射线衍射和反射研究 |
| 6.3.1 掠入射X射线衍射的探测深度 |
| 6.3.2 衬底温度对ZnO/Al_2O_3界面结构的影响 |
| 6.3.3 氧气氛对ZnO/Al_2O_3界面结构的影响 |
| 6.3.4 ZnO薄膜的掠入射X射线反射研究 |
| §6.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 发表论文 |
| 致谢 |
（4）激光喇曼光谱技术在食品科学中的应用（论文提纲范文）
| 1 激光喇曼光谱技术在食品科学中的应用 |
| 1.1 食品质量检测 |
| 1.2 果蔬农药残留的检测 |
| 1.3 肉类产品质量检测 |
| 1.4 伪劣食品鉴定 |
| 2 食物蛋白的研究 |
| 3 食品加工监控 |
| 4 其它 |
| 5 前景展望 |
（5）ZnO晶须和TiO2单晶的浮区法生长及其光谱研究（论文提纲范文）
| 第一章 绪论 |
| 1.1 ZnO 的物理性质 |
| 1.2 ZnO 的结构 |
| 1.3 ZnO 的应用前景 |
| 1.4 ZnO 单晶的生长技术概述 |
| 1.4.1 助熔剂法 |
| 1.4.2 水热合成法 |
| 1.4.3 气相沉积法 |
| 1.4.4 其它方法 |
| 1.5 本文拟研究的内容,方法和目标 |
| 参考文献 |
| 第二章 熔体法晶体生长原理、生长装置及样品制备 |
| 2.1 熔体法晶体生长理论 |
| 2.1.1 熔体法晶体生长的热力学条件 |
| 2.1.2 熔体法结晶的结构条件 |
| 2.1.3 熔体法晶体生长相变驱动力 |
| 2.2 浮区法单晶生长 |
| 2.2.1 浮区法单晶生长装置 |
| 2.2.2 料棒的制备 |
| 2.2.3 熔体法晶体的生长过程 |
| 2.3 浮区法生长ZnO 晶须 |
| 2.3.1 ZnO 料棒的制备 |
| 2.3.2 浮区法生长ZnO 晶须 |
| 2.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 ZnO 光致发光光谱研究 |
| 3.1 ZnO 的光致发光基本理论 |
| 3.1.1 光致荧光发射 |
| 3.1.2 荧光激活机制 |
| 3.2 生长气氛对晶须发光光谱的影响 |
| 3.3 ZnO 晶须光致发光(PL)与温度的关系 |
| 3.4 ZnO 晶须PL 与激发强度的关系 |
| 3.5 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 ZnO 喇曼光谱研究 |
| 4.1 ZnO 晶体结构的对称性及喇曼光谱测试 |
| 4.1.1 群论确定的 ZnO 喇曼活性模 |
| 4.1.2 ZnO 喇曼散射实验的几何配置 |
| 4.1.3 喇曼光谱测试的优点 |
| 4.2 喇曼光谱测试装置 |
| 4.3 ZnO 的室温喇曼光谱 |
| 4.4 ZnO 喇曼光谱与温度的关系 |
| 4.5 小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 浮区法生长金红石单晶 |
| 5.1 金红石(TiO_2)单晶的研究意义 |
| 5.2 金红石(TiO_2)单晶制备 |
| 5.2.1 预制棒的制备 |
| 5.2.2 金红石单晶生长 |
| 5.3 TiO_2 的X-射线衍射(XRD) |
| 5.3.1 锐钛矿(TiO_2)粉末的XRD |
| 5.3.2 烧结过的TiO_2 原料棒的XRD谱图 |
| 5.3.3 金红石(TiO_2)单晶的XRD |
| 5.3.4 金红石(TiO_2)单晶晶格常数计算 |
| 5.4 金红石(TiO_2)的Raman 光谱 |
| 5.4.1 金红石的结构 |
| 5.4.2 Raman 散射选择定则 |
| 5.4.3 室温Raman 测试结果和分析 |
| 5.4.4 变温Raman 光谱测试结果和分析 |
| 5.5 小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 作者简历 |
| 在读期间发表和已投出的论文 |
| 摘要 |
| 吉林大学博士学位论文原创性声明 |
（6）和频振动光谱对气/液界面的研究和相关喇曼光谱研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 界面研究及和频振动光谱的基础理论 |
| 1.1 界面的研究 |
| 1.1.1 界面的概念及界面研究的内容和意义 |
| 1.1.2 研究气／液界面的各种方法 |
| 1.2 和频光谱(SFG)的产生 |
| 1.2.1 和频光谱的简介 |
| 1.2.2 和频振动光谱的产生原理 |
| 1.3 和频光谱(SFG)的基本原理 |
| 1.3.1 非线性光学过程的产生 |
| 1.3.2 反射式和频光谱的原理 |
| 1.3.3 二阶非线性极化率的对称性 |
| 1.3.4 和频振动光谱的偏振分析 |
| 1.4 界面分子及基团的取向分析 |
| 1.4.1 对称基团的超极化率分析 |
| 1.4.2 界面基团取向分析 |
| 1.5 SFG 研究流程图 |
| 参考文献 |
| 第二章 和频光谱的理论修正 |
| 2.1 计算分子超极化率的几种种方法 |
| 2.1.1 实验测喇曼退偏率的方法 |
| 2.1.2 全分子计算方法 |
| 2.1.3 键极化模型方法 |
| 2.2 键极化模型的实验修正 |
| 2.2.1 键极化模型的局限性 |
| 2.2.2 CH3 基团的分析 |
| 2.2.3 键极化模型对具有 C3v 对称性基团的分析 |
| 2.2.4 键极化模型的修正结果 |
| 2.3 键极化模型的结果 |
| 2.3.1 对 CH30H 的经验修正 |
| 2.3.2 对 CH3CD20H 的经验修正 |
| 2.4 结果与讨论 |
| 2.4.1 结果分析 |
| 2.4.2 结论 |
| 参考文献 |
| 第三章 二甲基苯和频振动光谱的分析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.3 结果与分析 |
| 3.4 总结 |
| 参考文献 |
| 第四章 喇曼光谱和喇曼退偏率的测定 |
| 4.1 喇曼光谱简介 |
| 4.2 喇曼极化率张量 |
| 4.2.1 极化率张量的基本介绍 |
| 4.2.2 极化率椭球 |
| 4.2.3 喇曼极化率的频率依赖性 |
| 4.3 喇曼光谱的偏振特性 |
| 4.3.1 喇曼光谱的偏振特性 |
| 4.3.2 喇曼退偏率的基础知识 |
| 4.4 实验测定喇曼退偏率 |
| 4.4.1 影响喇曼强度的因素 |
| 4.4.2 实验测得的几个分子的喇曼退偏率 |
| 4.5 总结 |
| 参考文献 |
| 附录： C2v对称性分子基团的实验修正公式 |
| 参考文献 |
| 研究生期间的工作 |
| 致谢 |
（7）GaN材料及MSM结构紫外光电探测器的研究与制备（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章 引言 |
| 参考文献 |
| 第二章 GaN的MSM光电探测器的工作原理及器件的结构设计 |
| §2.1 光探测器的分类与一般工作原理 |
| §2.2 GaN的MSM探测器的结构 |
| §2.3 MSM探测器的工作原理 |
| §2.4 电流-电压特性 |
| §2.5 电容-电压特性 |
| §2.6 MSM探测器主要参量及其物理意义 |
| §2.7 器件的具体结构设计 |
| 参考文献 |
| 第三章 材料制备与特性表征 |
| §3.1 GaN材料的结构特性 |
| §3.2 材料生长 |
| §3.3 材料测试与分析 |
| §3.31 X射线衍射（XRD）分析 |
| §3.32 光致发光（PL）谱研究 |
| §3.33 喇曼（Raman）散射谱研究 |
| 参考文献 |
| 第四章 版图设计与器件制备 |
| §4.1 版图设计与制版 |
| §4.2 器件制备 |
| 参考文献 |
| 第五章 GaN的MSM紫外探测器的性能测试与分析 |
| §5.1 暗电流测试 |
| §5.2 光照下的Ⅰ-Ⅴ特性 |
| §5.3 光谱响应 |
| §5.4 击穿电压的测量 |
| §5.5 讨论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 硕士期间完成的论文 |
（8）掺碳氮化镓的光学性质（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 生长方法 |
| 3 结果与讨论 |
| 3.1 喇曼光谱 |
| 3.2 光致发光谱 |
| 4 结语 |
四、表面作用对GaN喇曼光谱的影响（论文参考文献）
- [1]微结构残余应力喇曼测量理论与应用[J]. 李秋,富东慧,蒋永翔,吴霞. 微纳电子技术, 2015(07)
- [2]高灵敏气体激光喇曼光谱的研究及应用[D]. 李晓云. 上海交通大学, 2008(03)
- [3]PLD技术制备ZnO薄膜及其结构和发光性质研究[D]. 孙柏. 中国科学技术大学, 2007(03)
- [4]激光喇曼光谱技术在食品科学中的应用[J]. 孟耀勇,廖昱博. 激光生物学报, 2006(04)
- [5]ZnO晶须和TiO2单晶的浮区法生长及其光谱研究[D]. 郭星原. 吉林大学, 2006(10)
- [6]和频振动光谱对气/液界面的研究和相关喇曼光谱研究[D]. 吴慧. 安徽师范大学, 2006(01)
- [7]GaN材料及MSM结构紫外光电探测器的研究与制备[D]. 陈小红. 厦门大学, 2002(02)
- [8]掺碳氮化镓的光学性质[J]. 叶建东,顾书林,王立宗,张荣,施毅,郑有炓. 半导体学报, 2002(07)
- [9]表面作用对GaN喇曼光谱的影响[A]. 申德振,金周哲. 第二届全国光散射学术会议论文集（上）, 1983
- [10]基于表面增强拉曼光谱技术的狼疮Ⅱ号方配伍规律研究[D]. 陈秋媚. 广州中医药大学, 2021