一、Bi_2O_3的高压喇曼光谱及其相变（论文文献综述）
王家乐[1]（2021）在《钛酸铋钠基无铅压电陶瓷局域应力场的构建及压电性能研究》文中指出钛酸铋钠(Bi0.5Na0.5TiO3,简称BNT)陶瓷是一种在室温下具有R3c相结构的A位复合钙钛矿铁电材料,具有高居里温度、大的电致应变、良好的弛豫特性和机电耦合性能等特点,有望应用于致动器、滤波器、超声换能器等领域。但是,BNT基陶瓷材料还存在一些问题,如较大的矫顽场和大的应变迟滞,较低的退极化温度（Td）使得陶瓷器件的工作温区较低,限制了 BNT基材料在实际中的应用。因此,本论文以BNT陶瓷为基体,通过热处理工艺和复合氧化物的方式来提高BNT基陶瓷退极化温度、降低其应变迟滞,并探究其中的作用机理。（1）采用固相反应法制备了0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3（BNT-6BT）陶瓷,通过不同的热处理方式,研究了淬火对BNT-6BT陶瓷退极化温度的影响及其机理。介电温谱显示空气淬火和液氮淬火后的样品均表现出更高的弛豫-铁电相转变温度（TF-R）,压电常数（d33）随温度变化图显示淬火可以提高BNT-6BT陶瓷的退极化温度。而液氮淬火氧气退火和液氮淬火氮气退火后样品的TF-R又恢复到原来的温度,结合阻抗测试结果推测BNT-6BT陶瓷退极化温度升高的主要原因不是氧空位,而是淬火后引入的内应力。淬火后的陶瓷中存在应力场,其稳定了铁电相的长程序参量,从而提高了退极化温度。（2）采用固相反应法制备了0.97(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-0.03AgNbO3（BNT-6BT-3AN）陶瓷,在空气中对样品在不同淬火温度进行淬火处理,研究了淬火对BNT-6BT-3AN陶瓷的铁电及压电性能的影响机理。铁电和介电测试证明了遍历性弛豫铁电体BNT-6BT-3AN陶瓷在1000℃以上淬火后会转变为非遍历性弛豫铁电体。600℃退火后,1000℃下淬火的样品恢复为遍历性,而1100℃下淬火的样品依然为非遍历性。XRD精修和Raman测试结果表明淬火不仅可以增加三方相含量和晶格畸变,还可以增加淬火后Bi离子位置的偏移及其周围离子的有序性,从而实现同一组分的样品由遍历性向非遍历性的转变。（3）采用两步固相烧结法制备了0.94Bi0.5Na0.5Ti03-0.06BaTiO3:xZnO（x=0.1,0.2;ZnO粒径分别为纳米级、微米级,形貌为纳米颗粒和纳米棒）复合陶瓷,研究不同粒径和形貌ZnO对BNT-6BT陶瓷压电性能的影响。复合不同粒径和形貌ZnO后均可以提高陶瓷的退极化温度。复合0.1ZnO样品的d33均高于复合0.2ZnO样品的d33。复合陶瓷均出现第二相Zn2TiO4,且第二相并非铁电体,导致BNT-6BT陶瓷铁电性能降低。（4）采用两步固相烧结法制备了0.97(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-0.03AgNbO3:xZnO（x=0,0.01,0.03,0.05）复合陶瓷,研究复合 ZnO 对 BNT-6BT-3AN陶瓷压电性能的影响。结合XRD和EDS表明ZnO与基体发生化学反应生成第二相Zn2TiO4,且Zn2+固溶进BNT-6BT-3AN基体中。随着ZnO含量的增加,复合陶瓷由遍历性转变为非遍历性,当x=0.05时又表现出较小的负应变。复合ZnO后,第二相附近的晶粒表现出核-壳（P4bm/R3c-R3c）结构,靠近第二相的壳为具有铁电性的R3c相,与远离第二相的核为具有弛豫特性的P4bm相及少量的R3c相,两相之间产生耦合,导致BNT-6BT-3AN在施加电场诱导相变时变形受约束,降低了应变迟滞,并且电致应变具有良好的温度稳定性。
王佳佳[2]（2021）在《元素掺杂的（K，Na）NbO3与（Bi，Na）TiO3基压电陶瓷的结构与电学性质的研究》文中指出铅基压电材料凭借其优异的压电性能和稳定的化学性质而被广泛应用于军工领域和日常生活中。但是含铅制品的生产、使用以及后期处理过程会对环境和人体产生危害,因此科研工作者正致力于探索高性能无铅压电材料来取代铅基材料。(K0.5Na0.5)Nb O3（KNN）与(Bi0.5Na0.5)Ti O3（BNT）基无铅压电陶瓷具有优良的电学性质,使得无铅基压电陶瓷取代铅基陶瓷成为可能。本文以KNN基与BNT基两种压电陶瓷体系为研究对象,从构建新型固溶体、提升材料性能和开发多功能铁电体等方面入手,制备多元无铅压电陶瓷,研究其相变、微观结构与电学性能之间的构效关系。主要研究内容及结果如下:（1）采用固相反应法制备了（1-x）Bi0.5(Na0.48K0.52)0.5Ti O3-x Ba ZrO3陶瓷,简称为（1-x）BNKT-x BZ。所制备的样品均显示为纯的钙钛矿结构,BZ进入晶格中形成了稳定的固溶体。研究发现,随着BZ掺杂量的增加,样品平均晶粒尺寸逐渐增大,与纯相BNT相比,BZ的引入可以有效优化（1-x）BNKT-x BZ陶瓷的电学性能。根据修正后的居里外斯定律,系统地研究了样品最高极化温度以及弥散指数的变化,利用阻抗谱分析了陶瓷的阻抗特性,发现该陶瓷的电阻效应与半导体类似。经过浓度比例的调控,当掺杂量为x=0.06时,得到最佳性能参数:最高介电常数εm=4624,介电损耗tanδ=0.0028,退极化温度Td=51°C,最高极化温度Tm=352°C。结果表明,该体系有望成为高温超导体的候选材料。（2）采用稀土元素Sm3+掺杂,制备了（1-x）(K0.48Na0.52)(Nb0.96Sb0.04)O3-x(Bi0.45Na0.5Sm0.05)ZrO3陶瓷,以期望提高KNN基陶瓷材料的性能。通过XRD、SEM、Raman、介电温谱以及PL等测试,对样品的相关性质,包括结构、压电性、介电性、铁电性以及荧光特性,进行了深入的探讨。结果证明,适量BSNZ（x=0.03～0.04）掺杂的样品可以在室温下构建R-T共存区域,材料的电学性能得到了优化,最佳性能参数如下:d33由85 p C/N增加到260 p C/N,室温下的介电常数εRT=2185,最高介电常数εm=4706,居里温度TC=250 oC,剩余极化强度Pr=21μC/cm2,矫顽场Ec=15 k V/cm。经稀土离子Sm3+掺杂的样品,在室温下表现出良好的光致发光性能,使陶瓷兼具压电和发光特性,我们相信该工作对于光电元件和多功能材料的发展应用具有指导意义。（3）将具有ABO3型钙钛矿结构的SrTiO3作为掺杂剂,制备了（0.97-x）(K0.47Na0.50Li0.03)(Nb0.96Sb0.04)O3-0.03(Bi0.45Na0.5Sm0.05)ZrO3-x SrTiO3三元无铅压电陶瓷体系,研究了ST对KNN基压电陶瓷烧结特性、相结构、微观结构与电性能的影响规律。结果表明,ST的掺杂,在陶瓷中构建了O-T共存相区域,自发极化方向增多,电畴翻转几率增加,从而提高了材料的机电性能。在ST掺杂量为x=0.001时,各项性能达到最优:压电常数d33=298 p C/N,室温下的介电常数εRT=1991,最高介电常数εm=7046,居里温度TC=287 oC,剩余极化强度Pr=17μC/cm2,矫顽场Ec=14 k V/cm。该陶瓷体系良好的电学性能使其有望应用于高性能电容材料领域。
陈琪[3]（2021）在《液相中激光制备纳米颗粒及其生长过程的动态光谱研究》文中进行了进一步梳理液相脉冲激光熔蚀（Pulse laser ablation in liquids,PLAL）是一种能够提供局域高温高压非平衡极端条件的纳米材料制备方法,可以获得小尺度、均分散、表面富缺陷的亚稳纳米颗粒。而亚稳颗粒在液相介质中会经历极其复杂的生长演变,最终形成热力学状态稳定的纳米晶,对此演变过程的监测与分析是理解纳米颗粒生长动力学的关键。鉴于此,论文设计并搭建了原位动态光谱分析平台,对PLAL制备亚稳纳米颗粒及其在液相中自发生长与相变过程进行了原位动态光谱监测和分析,论文主要研究内容和成果如下:一、原位动态光谱分析平台的研制原位动态光谱平台包括:液相脉冲激光熔蚀系统、原位动态光谱（等离子体发射光谱、光吸收光谱、荧光光谱、拉曼光谱）采集系统、原位动态成像系统。利用自主设计的光路系统和多功能光学反应腔,可实现以下过程的原位动态监测与分析:液相中脉冲激光与靶材相互作用的动态过程（包括等离子体羽和空化气泡从产生到破灭的演变过程）,亚稳纳米颗粒在液相中生长演变过程。该系统为PLAL制备亚稳纳米材料的相关研究提供了关键技术支撑。二、液相中脉冲激光与物质相互作用过程的原位动态研究利用原位动态光谱采集系统,监测了不同介质中脉冲激光熔蚀不同靶材的等离子体稳态及时间分辨发射光谱。利用原位动态成像系统监测了不同聚焦条件和不同溶剂中脉冲激光诱导等离子体羽、冲击波和空化气泡演变过程。这些动态过程的原位研究为理解PLAL制备纳米晶的机制提供了直接证据,也为PLAL精确制备纳米晶提供了科学依据。三、基于动态光吸收光谱Ag纳米颗粒生长演变的研究利用动态光吸收光谱结合多项去位表征手段,开展了水中PLAL制备的小尺度、均分散、表面未包覆的Ag纳米颗粒在静置、震荡、加铜线引入置换反应体系等不同外加条件下的生长演变过程研究。结果表明:表面未包覆Ag纳米颗粒具有高活性和高反应性,在外界干扰下,表面未包覆Ag纳米颗粒的尺寸、结构、组分等发生明显变化。通过对两种不同极性表面活性剂分子包覆的Ag胶体颗粒的稳定性演变过程的进一步研究,发现由于长链分子在Ag纳米颗粒表面形成了更加紧密的双电层结构,两种表面活性剂分子不同程度地增强了 Ag纳米颗粒稳定性。该工作为液相中亚稳Ag纳米颗粒的优化制备提供了重要的理论和实验支持。四、基于液相原位拉曼光谱Se纳米颗粒相变的研究利用原位动态拉曼光谱系统,开展了 PLAL制备的Se纳米颗粒在不同溶剂中相变过程研究。结果表明:PLAL在水中制备的非晶态Se纳米颗粒,离心再分散到三种不同的极性非质子溶剂中后,非晶Se纳米颗粒发生了明显的取向连接生长,并转变为具有不同形貌结构的三方相Se。对Se纳米颗粒在不同溶剂中的相转变过程进行液相原位拉曼光谱监测,对三方相Se拉曼特征峰强度随陈化时间演变图进行数据拟合分析,发现在不同溶剂中三方相Se的拉曼特征峰强度与陈化时间呈幂函数关系,且相变速率与溶剂分子的极性呈正相关关系。
郑群飞[4]（2021）在《钙钛矿型铁电体和HgTe单晶在高压下的结构和物性研究》文中研究说明高压作为平行于温度、磁场、化学掺杂的物质调控手段,是探索和发现新材料、调控物性和诱导新奇物理现象的重要工具之一。高压能够有效地减小原子（分子）间距离、改变键合的类型,进而诱导可能的晶体结构和电子结构相变,再结合温度、磁场等综合手段,可以在不引入杂质的情况下较“纯净”的、连续调控物性,进而有效地揭示基本物理机制。因而近些年高压技术在凝聚态物质领域发挥着越来越重要的作用,如在铁电材料、拓扑材料和半导体材料的研究中已得到了广泛的应用。金刚石对顶砧装置（Diamond anvil cell,DAC）和大腔体压机（LVP）是产生高压和原位高压性能表征的重要工具。本论文主要利用DAC对含铅和无铅铁电体系0.72Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.28Pb TiO3（PMN-28PT）和0.925(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.075Ba TiO3（NBT-7.5BT）进行了系统的高压结构演化研究;并对传统量子阱材料HgTe高质量单晶（薄膜和体材料）的输运性能和晶体结构进行了较深入地研究,为此类功能材料的设计和应用提供基础理论支持。主要研究内容包括:1、原位高压拉曼光谱研究证实了PMN-28PT单晶经历了两次结构相变,分别为8.3 GPa时由R3m相变为R3c相和15.6 GPa时由R3c相变为R3?c相。原位高压紫外-可见吸收光谱对PMN-28PT单晶在高压下光学性质的研究表明,发现在29.7 GPa时,PMN-28PT单晶的带隙宽度从常压的3.14 e V减小至2.58 e V。光学带隙的变化主要归因于,随着压力的增加,氧八面体受到挤压,因而导致B位阳离子d轨道和O位阴离子2p轨道之间的耦合作用增强,使得导带能量降低。实验结果表明压力对PMN-28PT单晶的晶体结构和光学性质有着出色的调节作用,为新型钙钛矿铁电体的研究提供了新思路。2、原位高压拉曼光谱研究证实了NBT-7.5BT单晶在高达30 GPa的压力范围内,经历了三次结构相变,即从常压的四方相（P4bm）在3.5 GPa的时候转变为四方/立方混合相（P4bm/（I4cm/Pm-3m））,在10 GPa的时候,完全转变为立方相（I4cm/Pm-3m）,在20.5 GPa处,由立方相（I4cm/Pm-3m）转变为未知结构相。通过对NBT-7.5BT单晶在高压下的晶体结构相变系统地分析表明压力加剧了A位阳离子的振动、加剧了氧八面体（BO6）的倾斜和扭转、促进了A位阳离子和B位阳离子之间的耦合过程。3、对HgTe单晶薄膜进行常压下电输运的测量,从实验结果上观察到了其拓扑绝缘体特征。此外,通过对HgTe单晶薄膜和HgTe单晶进行原位高压拉曼光谱的研究表明,在30 GPa压力下,这两种样品均出现了三次结构相变,HgTe单晶薄膜在0.9 GPa、8 GPa和11.7 GPa出现相对应的结构相变,而HgTe单晶大约在3.3 GPa、11.1 GPa和15.6 GPa出现相对应的结构相变。通过对比薄膜和体材料的压力响应,确定衬底的二维应力调控状况,为后续选择合适衬底及HgTe器件外延膜厚度选取提供实验上的支持。
陈俊[5]（2021）在《铌酸钠基无铅陶瓷的组成设计及其电学性能的研究》文中认为铌酸钠陶瓷（NaNbO3:NN）作为一种典型的无铅反铁电（AFE）陶瓷,具备丰富的温度诱导相变过程。通过组成设计来调控其相结构,可以获得优异的机电性能。之前对NN的研究主要集中在相结构的演变及其应变特性,对于NN反铁电的储能应用研究较少。本文以铌酸钠为基体,通过组成设计调控NN的相结构演变,从而获得了良好的铁电、压电性能。同时,通过众多测试手段,深入的探讨了相结构对其储能性能和压电性能影响的内在机理。全文主要内容如下:（1）以NN为基体,通过A/B复合掺杂的方式向其中加入Na0.5La0.5TiO3（LNT）合成（1-x）NN-x LNT（NLNTx）固溶体陶瓷。La3+和Ti4+的复合掺杂不但有效的稳定了NN中的高温AFE R相,也诱发了明显的介电弛豫行为。结果表明,在x=0.16-0.2的组成范围内,陶瓷的储能性能得到了极大的提升。并在弛豫反铁电NLNT0.18中掺入烧结助剂,掺杂烧结助剂后,由于晶粒尺寸减小,电阻率提高,介电损耗降低,击穿场强提高,储能性能进一步提高。HR-TEM和原位拉曼光谱分析证明了APNRs的存在和其在电场下的快速极化响应以及由此带来的高EA-F～30 k V/mm,为本研究取得的优异储能性能提供了良好的理论基础。（2）以0.85NN-0.15LNT为基体,采用适量的Na SbO3（NS）取代其中的NN,制备了新的NN-LNT-NS三元体系。结果表明,Sb离子的加入降低了B位离子的平均极化率,从而起到了稳定NN中AFE相的效果,同时Sb离子的加入也起到了降低陶瓷极化滞后的效果,极大的提升了陶瓷的储能效率。同样对NN-0.15LNT-0.03NS进行烧结优化,从而进一步提升其储能性能,最终获得了Wrec～6.05 J/cm3和η～80.4%的优异储能性能。并测量了其变温和变频的P-E曲线,通过计算发现该陶瓷具备良好的温度和频率稳定性,为陶瓷的实际应用提供了良好的基础。（3）通过固相反应法制备了LiNbO3（LN）和NN的二元固溶体（1-x）NN-x LN陶瓷。结果表明LN的加入稳定了NN中的铁电相,并将纯NN中低温的铁电N相调制到室温。其室温结构随着LN的加入逐渐由正交（O）反铁电P相转变为正交铁电Q相最后再由Q相向三方（R）铁电N相转变。并且在x=0.12时获得了R相和O相的多晶型相界,从而获得了优异的电学性能。同时还通过变温拉曼的方式验证了高温四方相（T）的存在,并给出了NN-LN二元体系相图,为后期的进一步调控提供了结构基础。
方裕强[6]（2020）在《层状亚稳相钼钨系硫属化合物晶体制备、结构与物性研究》文中进行了进一步梳理层状过渡金属硫属化合物（TMDs）凭借其丰富的晶体结构和独特的电学、光学性质,成为凝聚态物理和材料科学领域的研究热点。TMDs的晶体结构受过渡金属原子最外层d轨道电子填充状态的影响。Mo和W原子最外层d轨道电子数为2,易形成三棱柱配位、热力学稳定的2H和3R相MX2（M=Mo、W;X=S、Se）。随着过渡金属原子间d轨道上电子数的增加,三棱柱构型的[MX6]会转变为正八面体或畸变八面体构型,形成亚稳态1T、1T’、1T’’或1T’’’相。亚稳相MX2在高温下会迅速转变为热力学稳定的2H MX2。亚稳相多变的配位构型赋予该类材料诸多新奇的物理性质,但受自身结构稳定性制约,亚稳相MX2晶体的可控制备仍是该领域亟待解决的关键问题。基于此,本论文提出拓扑化学转化合成策略。首先采用高温固相法制备出高质量前驱体AMX2（A=Li、K）晶体。利用碱金属离子的电子注入调控过渡金属原子d轨道的电子数,进而改变[MX6]的配位构型以及增强相邻金属原子间电子云的交叠程度,诱导[MX2]层发生结构相变形成特定的亚稳相结构。再通过低温拓扑化学法脱去碱金属离子,实现了一系列层状亚稳相MX2晶体的可控制备。在此基础上本论文系统地研究了碱金属离子在脱嵌过程中的动力学过程,总结亚稳相结构演化的普适性规律,探索该系列材料的超导、非线性光学和不饱和磁阻等新奇的物理特性。主要取得以下的研究成果:（1）提出利用锂离子插层诱导[Mo S6]构型转变,再通过锂离子脱出以实现亚稳相1T Mo S2晶体制备的新方法。首先通过高温固相反应合成Li Mo S2晶体。层间的锂离子向Mo原子最外层d轨道上注入电子,导致d轨道电子数由2变为3,进而诱导[Mo S6]由三棱柱转变为八面体构型。再利用低温拓扑化学法脱出Li Mo S2层间的锂离子获得亚稳相1T Mo S2晶体。利用单晶X射线衍射首次解析得到1T Mo S2的晶体结构,属于三方晶系,空间群为P-3m1。亚稳相1T Mo S2显示出超导特性,超导转变温度为4 K。（2）利用离子半径更大的钾离子替代锂离子,调控钾离子脱嵌的动力学过程,获得非中心对称的亚稳相1T’’’Mo S2晶体。在高温固相反应合成的前驱体K0.7Mo S2晶体中,[Mo S6]采取扭曲八面体配位形式,并构成2a×2a超结构。利用强氧化性溶液快速脱出K0.7Mo S2晶体中的钾离子,诱导Mo S2层发生进一步的畸变,形成亚稳相1T’’’Mo S2晶体。1T’’’Mo S2属于非心空间群P31m,Mo S2层中近邻的三个Mo原子构成三角形原子团簇。该化合物显示出半导体特性,带隙为0.65 e V,在850 nm波长激发光下显示出的二阶非线性光学响应最强。（3）利用W原子取代Mo原子来增加过渡金属原子间电子云的交叠程度,使得钾离子脱出K0.7WS2晶体后形成更加稳定的1T’结构的WS2层,从而得到亚稳相2M WS2晶体。2M WS2的空间群为C2/m,由单层1T’WS2沿a轴方向平移堆叠形成,层内W原子呈典型的锯齿链排布。常压下2M WS2显示出超导特性,超导转变温度为8.8 K,是目前发现的本征超导温度最高的层状过渡金属硫属化合物超导体。第一性原理计算表明,2M WS2具有拓扑表面态,使其有潜力成为新一代拓扑超导体。（4）结合气相插层法和拓扑化学法制备出亚稳相2M WSe2晶体并发现其常压下的巨磁阻效应和高压下的超导特性。通过高温下钾蒸气和WSe2粉体反应生成三元前驱体K0.65WSe2晶体,脱去钾离子后首次获得亚稳相2M WSe2晶体。常压下2M WSe2在2 K和9 T的测试条件下磁阻值达到3500%,并且没有饱和迹象。在4.2 GPa下2M WSe2晶体出现超导转变,超导转变温度在10.3 GPa下达到最高值7.3 K。第一性原理计算表明2M WSe2常压下为半金属特性,费米面处态密度随着压力的增加而快速增加,从而诱发其在较低的压力下发生超导转变。
刘学[7]（2020）在《高压下LiTaO3的结构和电输运特性研究》文中认为铁电材料由于具有良好的光电、光折变、非线性光学和机电转换等特性,已在电光调制器、谐波发生器、高速开关、全息存储设备、热探测器和滤波器中被广泛应用,是物理、化学和材料等多领域的热门研究对象。众所周知,材料在高压力的作用下,原子间距被极大压缩,因此结构会发生变化,继而出现很多常压条件下不存在的奇特物理和化学现象。本论文就是针对铁电材料钽酸锂（LiTaO3）在高压下的结构和电输运性能开展系统的研究,目的是拓展人们对铁电材料在极端条件下的认识。我们利用金刚石对顶砧技术平台,对LiTaO3进行了高压原位结构和电输运性质的研究,得到如下研究结果:1.利用高压同步辐射X光衍射技术,研究了LiTaO3晶体结构在高压下的变化。当压力增大到38.1GPa时,LiTaO3发生了由空间群R3c到Pnma的结构相变。高压拉曼光谱研究发现,在30GPa之后,LiTaO3样品的拉曼峰虽在减弱,但样品并未发生非晶化,与之前33.2GPa时样品发生非晶化相变的结论明显不同。这可能与我们的样品为多晶形貌和实验中具有较好的静水压环境有关。2.通过高压原位交流阻抗谱,我们发现当压力低于35.1GPa时,Nyquist阻抗谱中的低频区一直存在电感弧。当压力增加到37.2GPa后,电感弧消失。电感弧消失的压力点与相变的压力点接近,证明了电感弧的消失与结构相变相关。通过等效电路拟合,我们认为电感弧的存在与LiTaO3中的电致伸缩效应密切相关,得到了电感随压力的变化关系。此外,我们还对LiTaO3进行了高压原位紫外-可见光吸收光谱测量,发现其带隙随压力的增大而增大,是LiTaO3电阻值随压力增大而增大的原因。
梁永福[8]（2020）在《压力调控典型有机-无机杂化钙钛矿的晶体结构和光电性质》文中研究指明具有ABX3结构的有机-无机杂化钙钛矿（organic-inorganic hybrid perovskite,OIHP）由于其长载流子寿命、高吸收系数、多样的化学组成和晶体结构,现已成为物理、化学、材料及能源等领域的明星材料,并在光伏和光电等诸多材料领域具有巨大的应用潜能。因此,OIHP吸引着世界范围内的科学家开展深入且系统的研究。一方面,钙钛矿材料在电池领域显示了惊人的前景,钙钛矿电池的能量转换效率已经由开始的3.8%迅速提升到目前的25.2%,寿命也提高到上千小时。另一方面,OIHPs独特的结构特性使它具有优异的发光特性。其中,具有高介电系数无机层和低介电系数有机层交替排列的二维（two dimensional,2D）OIHPs拥有天然的量子阱结构和介电限制效应,显示出了优秀的发光性能。迄今为止,钙钛矿材料研究已取得了突破性进展,但是该体系领域仍面临一些关键的挑战和问题:结构稳定性不够高,带隙未达到肖特利-奎伊瑟极限值（1.34 eV）,导电性能较差,发光性能亟待提高,以及晶体结构和性能关系的内在机制尚不清晰。因此,获得具有卓越光电性质的新相或者新结构的OIHPs成为本领域的重要科学问题。压力作为一种独立的热力学参量,可以有效地减小原子间距离、增加相邻电子间的轨道耦合,从而调控物质的晶体结构与电子结构,形成常规条件下无法形成的物质状态。不同于化学掺杂,压力对材料施加作用时不引入其他影响因素,因此被认为是一种“干净”的调控手段,有望获得新结构、新性质的钙钛矿材料。因此,我们选取典型的三维（three dimensional,3D）全无机杂化钙钛矿铯铅碘（CsPbI3）及2D钙钛矿丙胺铅碘[（PA）8Pb5I18],利用原位高压电学、荧光、紫外-可见-红外吸收、同步辐射XRD等实验技术,结合第一性原理计算,实现了压力对这两种钙钛矿材料的结构和性能的调控,获得了创新性成果。1.高压下3D全无机杂化钙钛矿铯铅碘（CsPbI3）晶体结构、带隙、电阻率均发生了变化,并首次获得新型有序金属相,它是一种全新的物质,CsPbI3有序金属相的发现为钙钛矿家族增加了新的成员。具体结果如下:（1）首次在杂化钙钛矿中发现了CsPbI3的新型有序金属相,确定了其晶体结构（空间群为C2/m）。原位高压XRD表明,CsPbI3从6.9 GPa的Pnma相经过混相在18.1 GPa完全转变成具有有序结构的C2/m相,且伴随着PbI6八面体构型的严重扭曲及12%的体积坍塌,这一体积塌缩是目前杂化钙钛矿中最大的。（2）成功实现了肖特利-奎伊瑟极限带隙的调控。在压力的作用下,CsPbI3的光学带隙呈线性降低,并在13.5 GPa减小到肖特利-奎伊瑟极限（1.34 eV）。而更高压力的红外反射光谱表明在42.6 GPa时CsPbI3出现由自由电子主导的金属性。（3）首次原位观测到CsPbI3绝缘体-金属的转变。CsPbI3的电阻率在压力作用下指数减小了11个数量级,并在39.3 GPa发生了绝缘体-金属的转变。（4）揭示了带隙减小和压致金属化的内在机制。基于第一性原理的电子能带和电子局域函数计算确定了这种转变是由PbI6八面体结构的反常变化引起的,并揭示了Pb-I键长和Pb-I-Pb键角的变化对CsPbI3带隙的减小及金属化作用的物理机制。2.高压下2D杂化钙钛矿（PA）8Pb5I18的晶体结构稳定性、带隙及荧光性质研究。我们通过压力调控八面体构型获得了近百倍的荧光增强,揭示了其荧光增强的物理机制,为2D钙钛矿的应用设计提供了科学依据。具体结果如下:（1）首次发现严重倾斜扭曲的PbI6八面体使（PA）8Pb5I18在10.7 GPa发生等结构相变,同时伴随着6%的晶格体积塌缩。（2）在压力的作用下,2D OIHP（PA）8Pb5I18不断变化的Pb-I键长和Pb-I-Pb键角使（PA）8Pb5I18的带隙持续降低。由常压的2.33 eV减小到35.0 GPa的1.26eV。（3）在3.5 GPa（PA）8Pb5I18荧光出现了将近百倍的增强（80倍）。在压力的作用下,（PA）8Pb5I18的荧光从常压较弱的绿色转变为3.5 GPa时耀眼的黄色。高压荧光光谱表明常压下宽而弱的低能量峰在加压过程中增加了近80倍。（4）解释了荧光增强的内在机制。原位高压实验表明:在压力的作用下,PbI6八面体无机层和丙胺分子之间不断增强的氢键可以牵引PbI6八面体沿着I2-I4轴向面外倾斜,扭曲的无机晶格和激子之间产生的强耦合作用使自陷态加深并促进自由激子向自陷激子转变,数量不断增加的自陷激子增加了自身的辐射跃迁概率,成就了近百倍的荧光增强。我们的研究结果表明高压可以有效的优化杂化钙钛矿材料的晶体结构和光电性能,并为解决其稳定性和性能提升等问题提供了新思路和新途径。
乔笑爽[9]（2020）在《Bi0.5Na0.5TiO3基陶瓷的组分设计、介电性能及储能性能研究》文中指出陶瓷储能电容器因具有功率密度高、放电速度快、机械性能强、耐高温、耐腐蚀、工作寿命长等优点,在先进的脉冲功率技术中得到了广泛的应用。近些年来,电子器件的发展方向是无铅化、小型化、轻量化、集成化,因此开发出具有高储能密度的无铅陶瓷储能电容器具有非常重要的现实意义和战略意义。目前无铅陶瓷储能电容器的发展瓶颈主要有两个:1.高有效储能密度（Wrec）和高储能效率（η）难以在同一陶瓷储能电容器中同时获得;2.高Wrec往往需要在非常高的电场强度下获得,限制了陶瓷储能电容器的实际应用。针对以上问题,本文选取非常具有储能潜力的Bi0.5Na0.5TiO3（BNT）陶瓷作为研究对象,拟通过组分设计制备出兼具高Wrec、高η和高储能潜力（ξ）的BNT基陶瓷电容器,并详细研究相结构、击穿电场（Eb）、容忍因子（t）、离子半径、离子价态等因素对陶瓷储能性能的影响,深入剖析陶瓷材料获得高储能性能的物理机制,为制备具有高储能性能的陶瓷材料提供新思路。本文的创新性研究成果如下:1.成功制备出具有较高储能密度和良好介电常数温度稳定性的（1-x）BNT-xSr0.7Bi0.2TiO3（缩写为（1-x）BNT-xSBT）陶瓷,阐明第二组元 SBT 引起BNT陶瓷相结构变化的物理机制。系统研究组分调控对BNT陶瓷微观结构、相结构、弛豫特性、储能性能的影响规律。SBT的引入使得BNT陶瓷的晶胞体积膨胀,晶体结构从极性的三方相逐渐变为弱极性的伪立方相,同时还使得晶粒尺寸从BNT陶瓷的3.79μm减小到0.55BNT-0.45SBT陶瓷的1.27μm。纯BNT陶瓷在室温时为典型的铁电体,电滞回线伴随着较大的饱和极化强度（Ps）和剩余极化强度（Pr）,Wrec仅为0.05 J/cm3。随着SBT含量的增加,BNT陶瓷在高温处（200～320℃）的弛豫铁电相逐渐向室温方向移动,这是因为SBT陶瓷的居里温度为-75℃,远低于BNT陶瓷的320℃。A位异价阳离子Sr2+的引入,造成陶瓷内部的化学组分分布不均匀,不同的区域对应着不同的居里温度,导致陶瓷介电峰的宽化,进而有效地提高陶瓷介电常数的温度稳定性。此外,Sr2+的引入还导致BNT陶瓷内部长程有序的铁电结构被破坏,使得陶瓷的弛豫特性得到提高,进而细化陶瓷的P-E曲线。因此,0.6BNT-0.4SBT陶瓷表现出较大的Wrec（2.2 J/cm3）、较高的η（75%）和较宽的介电常数温度稳定范围（28～326℃）。2.在SrTiO3（ST）陶瓷的A位设计引入稀土离子Sm3+和La3+,成功制备出（1-x）BNT-xSr0.7Sm0.2TiO3（缩写为（1-x）BNT-xSST）陶瓷和（1-x）BNT-xSr0.7La0.2TiO3（缩写为（1-x）BNT-xSLT）陶瓷。揭示陶瓷获得高储能性能的物理机制,发现SST的引入可以有效提高BNT陶瓷的相变电场EF,而SLT的引入可以显着提高BNT陶瓷的击穿电场Eb。由于Sr2+（CN=12,R=1.44 A）的离子半径较大,所以SST和SLT的引入均导致BNT陶瓷晶胞体积膨胀,同时也使得陶瓷的晶体结构从三方相变为伪立方相。纯BNT陶瓷的晶粒尺寸为3.79μm,当x=0.5时,Sm3+和La3+掺杂陶瓷的晶粒尺寸分别降至0.56 μm和0.62μm。当SST含量为0.4时,陶瓷介电常数的温度稳定范围为-46～331℃;当SLT添加量为0.45时,陶瓷介电常数的温度稳定范围为-22～230℃,相比较而言,Sm3+掺杂陶瓷的介电常数具有更好的温度稳定性。此外,SST的引入还可以有效降低BNT陶瓷的t,使得EF提高,即陶瓷的弛豫铁电相-铁电相的驱动电场得到提高。当x从0.2增至0.5时,陶瓷的EF从70 kV/cm提升到180 kV/cm。在高EF作用下,0.6BNT-0.4SST陶瓷表现出优异的储能性能:Wrec=3.52 J/cm3,η=84%。室温时,0.6BNT-0.4SST陶瓷在1kHz下的介电常数为1100,0.55BNT-0.45SLT陶瓷的介电常数为1536,该结果表明在A位掺杂离子半径更大的La3+有助于提高BNT-ST陶瓷的介电常数,进而提高陶瓷的极化强度。此外,SLT的引入还可以有效提高BNT陶瓷的禁带宽度和电阻率,优化陶瓷的绝缘性能,0.55BNT-0.45SLT陶瓷的Eb高达315 kV/cm。在高Eh的作用下,0.55BNT-0.45SLT陶瓷表现出优异的储能性能,Wrec为4.14 J/cm3,η为92.2%。3.在ST陶瓷的B位设计引入不同价态的Sn4+和Ta5+,成功制备出（1-x）BNT-xSrTi0.8Sn0.2O3（缩写为（1-x）BNT-xSTS）陶瓷和（1-x）BNT-xSrTi0.8Ta0.16O3（缩写为（1-x）BNT-xSTT）陶瓷,探究陶瓷中的点缺陷与储能性能之间的相互关联性。系统研究B位不同价态的Sn4+和Ta5+掺杂对BNT-ST陶瓷晶体结构、微观结构、弛豫特性、点缺陷、储能性能的影响。在（1-x）BNT-xSTS陶瓷中,一方面,采用价态更稳定的Sn4+部分取代价态不稳定Ti4+,可以使晶格中氧离子的结合能力增强,抑制点缺陷Ti’Ti的产生;另一方面,STS的引入还具有细化BNT陶瓷晶粒尺寸的作用,当x从0增加至0.5时,晶粒尺寸从3.79μm逐渐减小到1.1μm,击穿电场从120 kV/cm提升至215 kV/cm。最终,0.6BNT-0.4STS陶瓷表现出良好的储能性能:Wrec为2.47 J/cm3,η为83.2%。在（1-x）BNT-xSTT陶瓷中,STT的引入不仅可以抑制点缺陷Ti’Ti的产生,而且为了满足材料电中性的要求,高价态的Ta5+取代Ti4+还会降低陶瓷中的氧空位浓度。与Sn4+掺杂的陶瓷相比,Ta5+掺杂陶瓷具有更小的晶粒尺寸和更高的Eb。0.6BNT-0.4STT陶瓷的晶粒尺寸为0.47μm,远小于 0.6BNT-0.4STS 陶瓷的 1.18μm,因此,0.6BNT-0.4STT 陶瓷具有更高的 Eb（245 kV/cm）。在低点缺陷浓度和高风的共同作用下,0.65BNT-0.35STT陶瓷呈现出更为优异的储能性能:Wrec为3.30 J/cm3,η为90.4%。4.在0.6BNT-0.4SBT陶瓷中引入反铁电体AgNbO3（AN）,成功制备出具有高储能密度和高储能潜力的（1-x）（0.6BNT-0.4SBT）-xAN陶瓷,实现对影响陶瓷储能性能多个因素的综合调控。详细研究陶瓷的氧空位浓度、晶粒尺寸、弛豫特性、容忍因子对陶瓷储能性能的影响规律。阻抗分析结果表明,反铁电体AN的引入可以提高0.6BNT-0.4SBT陶瓷的电阻率和活化能,进而提高陶瓷的绝缘性能。SEM结果表明,AN可以细化陶瓷的晶粒尺寸,x从0增加至0.07时,晶粒尺寸从1.38μm降至0.72μm。此外,由于Ag+和Nb5+与基体中A、B位离子的价态、离子半径、极化率等均不相同,因此AN的引入使得陶瓷中A/B位的阳离子在晶格上分布的无序度增加,导致陶瓷的弛豫行为加强,以及Nb5+具有较高的极化率,因此陶瓷的极化差值ΔP得到有效提高。最后,AN陶瓷的容忍因子（0.93）小于0.6BNT-0.4SBT陶瓷的容忍因子（0.97）,所以AN的引入可以提高EF。在低氧空位浓度、小晶粒尺寸、高ΔP、高EF等多个影响因素的综合作用下,0.95（BNT-SBT）-0.05AN 陶瓷表现出较高的Wrec（3.62 J/cm3）、η（89%）和 Eb（246 kV/cm）,同时还表现出较大的ζ（1.47%）。本论文基于陶瓷的相结构、相变电场、击穿电场、点缺陷与储能性能之间的关联性,通过组分设计成功制备出与SMT（M=Bi3+、La3+、Sm3+）、STN（N=Sn4+、Ta5+）或AN固溶的BNT基储能陶瓷,并阐明各体系陶瓷获得高储能性能的关键物理机制,实现陶瓷同时具有高储能密度、高储能效率和高储能潜力的目标。其中,二元体系的0.55BNT-0.45SLT陶瓷和0.6BNT-0.4SST陶瓷,三元体系的0.95（BNT-SBT）-0.05AN陶瓷为制备高性能的陶瓷储能电容器提供了备选材料。
赵儒杰[10]（2020）在《KNN基压电陶瓷的掺杂改性与相结构研究》文中提出铌酸钾钠（KNN）基压电陶瓷具有较高的的压电常数以及良好的介电和铁电性能,成为了无铅压电材料主要的研究对象。采用固相烧结法制备了Li+、Bi0.5Na0.5ZrO3（BNZ）、CaZrO3（CZ）掺杂的KNN基陶瓷试样,通过调控各元素或第二组元的掺杂组分以及烧结温度,系统的研究了陶瓷的物相结构和显微结构对陶瓷介电以及压电性能的影响。研究表明:当x≤0.03时,0.96(K0.48Na0.52-xLix)Nb O3-0.04Bi0.5Na0.5ZrO3陶瓷为单一的钙钛矿结构,当x=0.05时,陶瓷出现少量的第二相。随着Li+的掺杂,陶瓷的正交相（O）与四方相（T）相变温度(TO-T)明显向室温移动,居里温度TC向高温移动。当x=0.03时,陶瓷在室温下具有最高的O-T相共存比例。另外,烧结温度的改变并没有明显改变陶瓷的物相结构,但烧结温度的提高促进了晶粒的生长。当烧结温度为1120℃且x=0.03时,陶瓷由于极化率的提高表现出良好的电学性能:εr=1344,tanδ=0.036,d33=252 p C/N。其次,在BNZ改性KNN基陶瓷结构与性能的研究中发现各掺杂组分陶瓷均为单一钙钛矿结构,但随着BNZ掺杂量的增多,陶瓷的相结构经历了从单一O相到多相共存最后变为单一的三方相（R）结构。在BNZ的掺杂量为3 mol%时,陶瓷中观察到了纳米结构电畴条纹且其同时存在R-T相界。另外,烧结温度的改变并没有影响陶瓷的晶体结构和物相组成,但适当温度的提高有利于陶瓷的致密化烧结。当烧结温度为1160℃并且BNZ的掺杂量为3 mol%时,样品具有最佳的电学性能:εr=1609,tanδ=0.035,d33=278 p C/N。通过CZ改性KNN基陶瓷结构与性能的研究中发现CZ的引入会使陶瓷的相变温度发生移动,并改变了其物相组成。当CZ的掺杂量为2 mol%时陶瓷在室温下表现为O-T相共存,但CZ掺杂量继续增加至3 mol%时,陶瓷的R-T相界被严重抑制导致其压电性能也随之降低。在1170℃的烧结温度下且CZ的掺杂量为2mol%时,陶瓷中由于O-T相界的存在以及良好的致密度和较大的晶粒尺寸表现出较好的电学性能:εr=1230,tanδ=0.06,d33=178 pC/N。图49幅;表4个;参68篇。
二、Bi_2O_3的高压喇曼光谱及其相变（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、Bi_2O_3的高压喇曼光谱及其相变（论文提纲范文）
（1）钛酸铋钠基无铅压电陶瓷局域应力场的构建及压电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 前言 |
| 1.1 压电陶瓷 |
| 1.1.1 压电性能概述 |
| 1.1.2 压电陶瓷的发展历程 |
| 1.2 无铅压电陶瓷的分类 |
| 1.2.1 钛酸钡基无铅压电陶瓷 |
| 1.2.2 铌酸钾钠基无铅压电陶瓷 |
| 1.2.3 铁酸铋基无铅压电陶瓷 |
| 1.2.4 钛酸铋钠基无铅压电陶瓷 |
| 1.3 钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的结构与性能 |
| 1.3.1 钛酸铋钠的结构分析 |
| 1.3.2 钛酸铋钠的相变分析 |
| 1.3.3 钛酸铋钠的电致应变分析 |
| 1.4 钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的退极化行为 |
| 1.4.1 钛酸铋钠基无铅压电陶瓷退极化机制 |
| 1.4.2 钛酸铋钠基无铅压电陶瓷退极化研究进展 |
| 1.5 本文的主要研究思路 |
| 2 实验材料和方法 |
| 2.1 研究方案 |
| 2.2 实验所用原料及实验设备 |
| 2.3 陶瓷制备步骤及烧结工艺 |
| 2.4 组织结构表征与性能测试方法 |
| 2.4.1 组织结构表征 |
| 2.4.2 性能测试 |
| 3 热处理工艺对BNT基陶瓷压电性能的改性机理研究 |
| 3.1 热处理工艺对BNT-6BT陶瓷压电性能提升机制的研究 |
| 3.1.1 引言 |
| 3.1.2 样品的制备与测试 |
| 3.1.3 淬火后BNT-6BT陶瓷的介电温谱 |
| 3.1.4 陶瓷中氧空位缺陷分析 |
| 3.1.5 热处理工艺对BNT-6BT陶瓷微观结构影响 |
| 3.1.6 小结 |
| 3.2 热处理工艺对BNT-6BT-3AN陶瓷压电性能的研究 |
| 3.2.1 引言 |
| 3.2.2 样品制备与测试 |
| 3.2.3 热处理工艺对BNT-6BT-3AN陶瓷压电性能的影响 |
| 3.2.4 热处理工艺对BNT-6BT-3AN陶瓷相结构的影响 |
| 3.2.5 小结 |
| 4 BNT:ZnO复合陶瓷压电性能及改性机制研究 |
| 4.1 复合不同粒径及形貌ZnO对BNT-6BT陶瓷退极化行为研究 |
| 4.1.1 引言 |
| 4.1.2 样品制备与测试 |
| 4.1.3 复合不同粒径及形貌ZnO对BNT-6BT陶瓷微观结构影响 |
| 4.1.4 复合不同粒径及形貌ZnO对BNT-6BT陶瓷压电、铁电性能影响 |
| 4.1.5 小结 |
| 4.2 BNT-6BT-3AN:ZnO(nm)复合陶瓷的电致应变性能研究 |
| 4.2.1 引言 |
| 4.2.2 样品制备与测试 |
| 4.2.3 BNT-6BT-3AN:ZnO复合陶瓷微观结构分析 |
| 4.2.4 BNT-6BT-3AN:ZnO复合陶瓷压电、铁电性能分析 |
| 4.2.5 BNT-6BT-3AN:ZnO复合陶瓷的电致应变性能 |
| 4.2.6 BNT-6BT-3AN:ZnO复合陶瓷应变耦合机制分析 |
| 4.2.7 小结 |
| 5 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间主要研究成果 |
| 攻读学位期间获得的奖励 |
（2）元素掺杂的（K，Na）NbO3与（Bi，Na）TiO3基压电陶瓷的结构与电学性质的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究意义 |
| 1.2 压电效应与压电材料 |
| 1.2.1 压电效应 |
| 1.2.2 压电材料 |
| 1.3 钙钛矿结构无铅压电材料的分类 |
| 1.3.1 BT基无铅压电陶瓷 |
| 1.3.2 BNT基无铅压电陶瓷 |
| 1.3.3 KNN基无铅压电陶瓷 |
| 1.4 存在的问题 |
| 1.4.1 掺杂改性 |
| 1.4.2 工艺改性 |
| 1.5 本论文研究目的及主要研究内容 |
| 1.5.1 研究目的 |
| 1.5.2 主要研究内容及技术路线 |
| 第2章 无铅压电陶瓷的制备、表征与性能测试 |
| 2.1 实验原料与测试设备 |
| 2.2 样品制备工艺流程 |
| 2.2.1 配料 |
| 2.2.2 球磨 |
| 2.2.3 预烧 |
| 2.2.4 细磨 |
| 2.2.5 造粒成型 |
| 2.2.6 排胶 |
| 2.2.7 烧结 |
| 2.2.8 抛光 |
| 2.2.9 批银与极化 |
| 2.3 无铅压电陶瓷的表征与性能测试 |
| 2.3.1 致密度分析 |
| 2.3.2 物相结构分析 |
| 2.3.3 显微结构分析 |
| 2.3.4 压电性能测试 |
| 2.3.5 介电性能测试 |
| 2.3.6 铁电性能测试 |
| 2.3.7 光谱特性 |
| 第3章 BaZrO_3掺杂对Bi_(0.5)(Na_(0.48)K_(0.52))_(0.5)Ti O_3陶瓷结构与性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品制备 |
| 3.3 相结构分析 |
| 3.4 微观结构分析 |
| 3.5 介电性能分析 |
| 3.6 阻抗特性分析 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 (Bi_(0.45)Sm_(0.05)Na_(0.5))ZrO_3掺杂对(K_(0.48)Na_(0.52))(Nb_(0.96)Sb_(0.04))O_3陶瓷结构与性能的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品制备 |
| 4.3 相结构分析 |
| 4.3.1 XRD分析 |
| 4.3.2 Raman分析 |
| 4.4 微观结构分析 |
| 4.5 介电性能分析 |
| 4.6 铁电性能分析 |
| 4.7 荧光光谱分析 |
| 4.8 本章小结 |
| 第5章 SrTiO_3掺杂对0.97(K_(0.47)Na_(0.52)Li_(0.03))(Nb_(0.96)Sb_(0.04))O_3-0.03(Bi_(0.45)Na_(0.5)Sm_(0.05))ZrO_3陶瓷结构与性能的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品制备 |
| 5.3 相结构分析 |
| 5.3.1 XRD分析 |
| 5.3.2 Raman分析 |
| 5.4 微观结构分析 |
| 5.5 介电性能分析 |
| 5.6 铁电性能分析 |
| 5.7 压电性能分析 |
| 5.8 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 创新点 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间主要科研成果 |
（3）液相中激光制备纳米颗粒及其生长过程的动态光谱研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.1.1 经典成核生长理论 |
| 1.1.2 其他成核生长机制简介 |
| 1.2 液相脉冲激光熔蚀技术 |
| 1.2.1 液相脉冲激光熔蚀技术的发展 |
| 1.2.2 液相脉冲激光熔蚀技术制备纳米材料的机理 |
| 1.2.3 液相脉冲激光熔蚀技术制备纳米材料的特性 |
| 1.3 液相中纳米材料原位表征 |
| 1.3.1 液相原位透射电子显微技术 |
| 1.3.2 液相原位X射线技术 |
| 1.3.3 液相原位动态光谱分析技术 |
| 1.4 本论文主要研究内容和意义 |
| 1.4.1 论文主要研究内容 |
| 1.4.2 论文研究意义 |
| 参考文献 |
| 第2章 液相中脉冲激光制备亚稳纳米颗粒原位动态光谱平台研制 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 液相中脉冲激光制备亚稳纳米颗粒原位动态光谱平台 |
| 2.3 液相脉冲激光熔蚀制备系统 |
| 2.4 液相中脉冲激光诱导等离子体光发射谱采集系统 |
| 2.5 等离子体羽、空化气泡时间分辨影像采集系统 |
| 2.6 液相中原位动态光吸收谱、荧光光谱采集系统 |
| 2.7 液相原位动态拉曼光谱采集系统 |
| 2.8 小结 |
| 参考文献 |
| 第3章 液相中脉冲激光与物质相互作用过程原位动态研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 化学试剂及靶材 |
| 3.2.2 液相脉冲激光熔蚀参数 |
| 3.2.3 等离子体发射光谱采集系统参数 |
| 3.2.4 原位动态成像采集系统参数 |
| 3.2.5 其他表征方法 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 液相中脉冲激光诱导等离子体发射光谱研究 |
| 3.3.2 不同熔蚀条件下等离子体羽成像研究 |
| 3.3.3 不同熔蚀条件下冲击波阴影成像研究 |
| 3.3.4 不同熔蚀条件下空化气泡阴影成像研究 |
| 3.3.5 不同熔蚀条件下熔蚀坑形貌特征 |
| 3.3.6 平行激光与朝材相互作用的独特现象 |
| 3.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 基于动态光吸收光谱Ag纳米颗粒生长演变研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 化学试剂及靶材 |
| 4.2.2 液相脉冲激光熔蚀制备Ag纳米颗粒 |
| 4.2.3 动态光吸收光谱及其他表征方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 表面无包覆Ag纳米颗粒的表征 |
| 4.3.2 表面无包覆Ag纳米颗粒的分散稳定性研究 |
| 4.3.3 表面无包覆Ag纳米颗粒的结构稳定性研究 |
| 4.3.4 表面无包覆Ag纳米颗粒的化学稳定性研究 |
| 4.3.5 表面包覆的Ag纳米颗粒的结构研究 |
| 4.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 基于液相原位拉曼光谱Se纳米颗粒相变研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 化学试剂及靶材 |
| 5.2.2 液相脉冲激光熔蚀制备Se纳米颗粒以及液相原位拉曼监测 |
| 5.2.3 形貌、结构以及相转变的表征方法 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 液相脉冲激光熔蚀制备表面无包覆Se纳米颗粒的特征 |
| 5.3.2 不同极性非质子溶剂中形成的三方Se的形态和相结构 |
| 5.3.3 液相原位拉曼监测Se胶体在不同溶剂中的相变 |
| 5.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第6章 全文总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（4）钙钛矿型铁电体和HgTe单晶在高压下的结构和物性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 钙钛矿型铁电材料的研究概况 |
| 1.2.1 钙钛矿型铁电体简介 |
| 1.2.2 钙钛矿型铁电体在高压下的研究进展 |
| 1.3 HgTe的研究概况 |
| 1.4 本论文的研究内容 |
| 第2章 实验技术和表征方法 |
| 2.1 高压实验技术 |
| 2.1.1 金刚石对顶砧装置 |
| 2.1.2 金刚石对顶砧的装样技术 |
| 2.2 实验表征方法 |
| 2.2.1 高压拉曼光谱 |
| 2.2.2 高压光致发光光谱 |
| 2.2.3 高压紫外-可见吸收光谱 |
| 2.2.4 钙钛矿型铁电材料的高压电学性质表征 |
| 2.2.5 HgTe单晶薄膜的电学输运表征 |
| 第3章 钙钛矿型铁电体PMN-28PT单晶的高压研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 PMN-28PT单晶的常压结构表征 |
| 3.3 PMN-28PT单晶的高压拉曼光谱研究 |
| 3.4 PMN-28PT单晶的高压光致发光光谱研究 |
| 3.5 PMN-28PT单晶的高压紫外-可见吸收光谱研究 |
| 3.6 PMN-28PT单晶的高压原位电滞回线研究 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 钙钛矿型铁电体NBT-7.5BT单晶的高压研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 NBT-7.5BT单晶的常压结构表征 |
| 4.3 NBT-7.5BT单晶的高压拉曼光谱研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 HgTe 单晶薄膜和HgTe 单晶的物性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 HgTe单晶薄膜的常压基本性质 |
| 5.3 HgTe单晶薄膜的高压拉曼光谱研究 |
| 5.4 HgTe单晶的高压拉曼光谱研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（5）铌酸钠基无铅陶瓷的组成设计及其电学性能的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 铁电和压电材料 |
| 1.2.1 压电陶瓷和压电性 |
| 1.2.2 铁电体和铁电性 |
| 1.2.3 反铁电体 |
| 1.3 储能陶瓷电介质 |
| 1.3.1 储能陶瓷电介质的基本参数 |
| 1.3.2 储能陶瓷分类 |
| 1.3.3 反铁电储能陶瓷的进展 |
| 1.4 铌酸钠基陶瓷的研究进展 |
| 1.5 本论文的选题意义及研究内容 |
| 第二章 材料的制备和性能表征 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验原料及仪器设备 |
| 2.3 陶瓷样品的制备及工艺流程 |
| 2.4 陶瓷样品的结构表征及测试 |
| 2.4.1 陶瓷的物相结构表征 |
| 2.4.2 显微形貌分析 |
| 2.4.3 电学性能测试 |
| 第三章 (1-x)NaNbO_3-xLa_(0.5)Na_(0.5)TiO_3陶瓷的相变及其储能性能的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 结果与讨论 |
| 3.2.1 (1-x)NaNbO_3-xLa_(0.5)Na_(0.5)TiO_3陶瓷组成的相结构演变 |
| 3.2.2 (1-x)NaNbO_3-xLa_(0.5)Na_(0.5)TiO_3陶瓷的铁电和储能性能 |
| 3.2.3 0.82NaNbO_3-0.18La_(0.5)Na_(0.5)TiO_3陶瓷的电击穿性能分析 |
| 3.2.4 0.82NaNbO_3-0.18La_(0.5)Na_(0.5)TiO_3-BCB的储能和充放电性能 |
| 3.2.5 陶瓷样品的畴形貌及其在电场下的相转变过程 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 (0.85-x)NN-0.15LNT-xNS陶瓷的相变及其储能特性研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 结果和讨论 |
| 4.2.1 (0.85-x)NN-0.15LNT-xNS陶瓷的相结构分析 |
| 4.2.2 (0.85-x)NN-0.15LNT-xNS陶瓷的P-E曲线及其储能性能 |
| 4.2.3 NN-15LNT-3NS陶瓷的显微形貌及其击穿性能分析 |
| 4.2.4 NN-15LNT-3NS+MnO_2陶瓷的电滞回线和储能性能 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 NN-LN陶瓷的相结构演变及压电性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 结果与讨论 |
| 5.2.1 NN-LN陶瓷的相结构组成演变 |
| 5.2.2 NN-LN陶瓷的铁电和压电性能 |
| 5.2.3 NN-LN陶瓷的温度诱导的相变规律 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论和展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 |
（6）层状亚稳相钼钨系硫属化合物晶体制备、结构与物性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 TMDs的晶体结构 |
| 1.3 TMDs的物理性质 |
| 1.3.1 TMDs的非线性光学研究 |
| 1.3.2 TMDs的超导研究 |
| 1.4 亚稳相MX2的合成方法 |
| 1.4.1 化学嵌入剥离法 |
| 1.4.2 超临界CO_2辅助剥离法 |
| 1.4.3 溶液法 |
| 1.4.4 外部辐射法 |
| 1.4.5 化学气相沉积法 |
| 1.5 亚稳相MX2合成进展及关键问题 |
| 1.6 本论文的选题背景和研究内容 |
| 第二章 实验使用的试剂、仪器及表征测试方法 |
| 2.1 实验试剂 |
| 2.2 实验设备 |
| 2.3 表征方法 |
| 2.3.1 单晶X射线衍射仪 |
| 2.3.2 粉末X射线衍射仪 |
| 2.3.3 扫描透射电子显微镜 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜及X射线能谱 |
| 2.3.5 拉曼光谱表征 |
| 2.3.6 紫外-可见吸收光谱表征 |
| 2.3.7 电感耦合等离子体光谱仪 |
| 2.3.8 高压同步辐射X射线衍射表征 |
| 2.4 性能测试 |
| 2.4.1 电阻和磁化率测试 |
| 2.4.2 比热测试 |
| 2.4.3 二阶非线性光学测试 |
| 2.4.4 量子振荡测试 |
| 2.4.5 高压下电输运测试 |
| 第3章 亚稳相MX2晶体的拓扑化学制备 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 亚稳相晶体结构演化 |
| 3.2.1 1TMoS2形成过程 |
| 3.2.2 1T'''MoS2和2M WX_2(X= S,Se)形成过程 |
| 3.3 拓扑化学法制备亚稳相MX2影响因素 |
| 3.3.1 前驱体AMX_2(A= Li,K)制备方法调控 |
| 3.3.2 碱金属离子脱嵌过程反应时间调控 |
| 3.3.3 碱金属离子脱嵌过程反应溶剂调控 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 亚稳相1TMOS_2晶体的制备、结构解析及超导研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 材料制备 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 1TMoS_2的晶体结构描述 |
| 4.3.2 粉末X射线衍射及拉曼光谱 |
| 4.3.3 X射线能谱和原子发射光谱分析 |
| 4.3.4 扫描透射电子显微镜表征分析 |
| 4.3.5 磁学性质 |
| 4.3.6 电学性质 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 亚稳相1T'''MOS_2晶体的制备、结构及非线性光学研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品合成 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 1T'''MoS_2晶体的结构描述 |
| 5.3.2 扫描透射电子显微镜表征分析 |
| 5.3.3 X射线衍射、拉曼光谱和差热分析 |
| 5.3.4 半导体特性 |
| 5.3.5 二阶非线性光学性质 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 亚稳相2M WS_2晶体的制备、结构及超导研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 样品合成 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 2M WS_2的晶体结构描述及表征分析 |
| 6.3.2 晶体形貌及元素分析 |
| 6.3.3 低温下的比热、电阻和磁化率 |
| 6.3.4 超导的上临界磁场分析 |
| 6.3.5 载流子浓度和迁移率 |
| 6.3.6 晶体的声子谱计算 |
| 6.3.7 电子能带结构计算 |
| 6.3.8 量子振荡测试 |
| 6.3.9 2M WS_2的拓扑表面态 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 亚稳相2M WSe_2的巨磁阻效应和高压超导研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 样品合成 |
| 7.3 结果与讨论 |
| 7.3.1 2M WSe_2的晶体结构描述 |
| 7.3.2 结构表征分析 |
| 7.3.3 常压下的巨磁阻性质 |
| 7.3.4 载流子浓度和迁移率 |
| 7.3.5 高压下的超导特性 |
| 7.3.6 超导的上临界磁场分析 |
| 7.3.7 高压下的同步辐射XRD分析 |
| 7.3.8 不同压力下的能带结构计算 |
| 7.4 本章小结 |
| 第8章 全文总结与展望 |
| 8.1 全文总结 |
| 8.2 展望 |
| 参考文献 |
| 附录 晶体学数据参数 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（7）高压下LiTaO3的结构和电输运特性研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 铁电材料简介 |
| 1.2 LiTaO_3 的研究背景 |
| 1.2.1 LiTaO_3 的结构研究背景 |
| 1.2.2 LiTaO_3 的高压结构研究背景 |
| 1.3 LiTaO_3 的高压研究意义 |
| 1.3.1 高压电学研究意义 |
| 1.4 论文选题目的及意义 |
| 1.5 论文主要内容 |
| 第二章 实验技术与原理 |
| 2.1 高压实验装置 |
| 2.1.1 金刚石对顶砧装置 |
| 2.1.2 绝缘垫片的制备 |
| 2.1.3 电极的制备 |
| 2.1.4 压力标定 |
| 2.1.5 传压介质 |
| 2.2 高压原位电学实验测试方法 |
| 2.3 高压同步辐射X光衍射 |
| 第三章 高压下LiTaO_3的结构性质研究 |
| 3.1 样品LiTaO_3的表征 |
| 3.2 样品LiTaO_3 的电子扫描电镜图和能量色散X射线 |
| 3.3 高压下LiTaO_3的同步辐射X射线衍射研究 |
| 3.4 LiTaO_3 的高压原位拉曼光谱研究 |
| 3.5 LiTaO_3 的高压紫外-可见吸收光谱研究 |
| 3.6 总结 |
| 第四章 高压下LiTaO_3的电输运性质 |
| 4.1 高压下LiTaO_3的交流阻抗谱测量 |
| 4.2 总结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及科研成果 |
| 致谢 |
（8）压力调控典型有机-无机杂化钙钛矿的晶体结构和光电性质（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 高压物理学简介 |
| 1.2 有机-无机杂化钙钛矿概述 |
| 1.2.1 三维有机-无机杂化钙钛矿 |
| 1.2.2 二维有机-无机杂化钙钛矿 |
| 1.3 高压下杂化钙钛矿的研究现状 |
| 1.4 论文各部分内容简介 |
| 第二章 金刚石对顶砧装置原位高压实验测量技术 |
| 2.1 高压实验技术和方法发展简介 |
| 2.2 金刚石对顶砧装置 |
| 2.2.1 金刚石对顶砧装置(DAC)的原理及组成 |
| 2.2.2 压力的标定 |
| 2.3 本论文涉及的原位高压实验测量技术 |
| 2.3.1 高压电输运测量技术 |
| 2.3.2 高压反射和吸收光谱 |
| 2.3.3 高压拉曼光谱 |
| 2.3.4 高压荧光光谱测量技术 |
| 2.3.5 高压同步辐射X射线 |
| 第三章 高压下全无机钙钛矿铯铅碘CsPbI_3 的结构及金属性研究 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.3 理论计算方法 |
| 3.4 结果与讨论 |
| 3.4.1 CsPbI_3 的高压紫外-可见吸收光谱 |
| 3.4.2 CsPbI_3 的高压红外反射光谱 |
| 3.4.3 CsPbI_3 的高压电学测量 |
| 3.4.4 CsPbI_3 的高压同步辐射XRD实验 |
| 3.4.5 计算高压下CsPbI_3 的电子能带 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 二维有机杂化钙钛矿(C_3H_7NH_3)_8Pb_5I_18 的高压研究 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 高压荧光和紫外-可见吸收光谱 |
| 4.3.2 高压同步辐射X射线粉末衍射谱 |
| 4.3.3 高压红外吸收光谱 |
| 4.3.4 高压时间分辨荧光光谱及自陷态模型 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结 |
| 参考文献 |
| 个人简介 |
| 学术成果 |
| 致谢 |
（9）Bi0.5Na0.5TiO3基陶瓷的组分设计、介电性能及储能性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电介质电容器 |
| 1.2.1 电介质电容器的工作原理 |
| 1.2.2 电介质电容器储能密度的计算方法 |
| 1.2.3 电介质储能材料的分类 |
| 1.3 储能陶瓷材料的研究现状 |
| 1.3.1 线性材料 |
| 1.3.2 反铁电体 |
| 1.3.3 弛豫铁电体 |
| 1.4 影响陶瓷储能性能的关键因素 |
| 1.4.1 介电常数 |
| 1.4.2 介电损耗 |
| 1.4.3 击穿电场 |
| 1.4.4 铁电畴 |
| 1.4.5 容忍因子 |
| 1.5 论文的选题依据与研究内容 |
| 1.5.1 选题依据 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第2章 陶瓷样品的制备技术与晶体结构、微观结构、电性能、储能性能的表征 |
| 2.1 陶瓷样品的制备 |
| 2.1.1 主要原料 |
| 2.1.2 配方 |
| 2.1.3 制备工艺 |
| 2.2 陶瓷样品的性能表征 |
| 2.2.1 BNT基陶瓷烧结性的表征 |
| 2.2.2 BNT基陶瓷晶体结构的表征 |
| 2.2.3 BNT基陶瓷微观结构的表征 |
| 2.2.4 BNT基陶瓷介电性能的表征 |
| 2.2.5 BNT基陶瓷禁带宽度的表征 |
| 2.2.6 BNT基陶瓷铁电性能和储能性能的表征 |
| 第3章 BNT-SBT陶瓷的相结构调控与电性能研究 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 (1-x)BNT-xSBT陶瓷的制备 |
| 3.3 (1-x)BNT-xSBT陶瓷的烧结性与微观形貌 |
| 3.4 (1-x)BNT-xSBT陶瓷相结构变化的物理机制 |
| 3.5 (1-x)BNT-xSBT陶瓷铁电性能的研究 |
| 3.6 (1-x)BNT-xSBT陶瓷储能性能的研究 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 BNT-SMT (M=La~(3+)、Sm~(3+))陶瓷的结构与电性能研究 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 BNT-SST陶瓷结构、介电性能和储能性能的研究 |
| 4.2.1 (1-x)BNT-xSST陶瓷的晶体结构 |
| 4.2.2 (1-x)BNT-xSST陶瓷显微结构对击穿电场的影响 |
| 4.2.3 (1-x)BNT-xSST陶瓷的介电性能 |
| 4.2.4 (1-x)BNT-xSST陶瓷的相变电场与储能性能的关联性 |
| 4.3 BNT-SLT陶瓷结构、介电性能和储能性能的研究 |
| 4.3.1 (1-x)BNT-xSLT陶瓷的晶体结构 |
| 4.3.2 (1-x)BNT-xSLT陶瓷介电性能的研究 |
| 4.3.3 (1-x)BNT-xSLT陶瓷击穿机制的研究 |
| 4.3.4 (1-x)BNT-xSLT陶瓷储能性能的研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 BNT-STN(N=Sn4~+、Ta5~+)陶瓷的结构与电性能研究 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 BNT-STS陶瓷结构和电性能的研究 |
| 5.2.1 (1-x)BNT-xSTS陶瓷的晶体结构 |
| 5.2.2 (1-x)BNT-xSTS陶瓷的显微结构 |
| 5.2.3 (1-x)BNT-xSTS陶瓷介电性能的研究 |
| 5.2.4 (1-x)BNT-xSTS陶瓷介电弛豫机制的研究 |
| 5.2.5 (1-x)BNT-xSTS陶瓷的储能性能 |
| 5.3 BNT-STT陶瓷结构和电性能的研究 |
| 5.3.1 (1-x)BNT-xSTT陶瓷的晶体结构 |
| 5.3.2 (1-x)BNT-xSTT陶瓷的微观形貌 |
| 5.3.3 (1-x)BNT-xSTT陶瓷介电性能的研究 |
| 5.3.4 (1-x)BNT-xSTT陶瓷的点缺陷与绝缘性能的关联性 |
| 5.3.5 (1-x)BNT-xSTT陶瓷的储能性能 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 BNT-SBT-AN陶瓷储能机制的研究 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 AN固溶对BNT-SBT陶瓷相结构的影响 |
| 6.3 (1-x)(BNT-SBT)-xAN陶瓷弛豫行为的调控 |
| 6.4 (1-x)(BNT-SBT)-xAN陶瓷击穿电场的调控 |
| 6.5 (1-x)(BNT-SBT)-xAN陶瓷相变电场的调控 |
| 6.6 (1-x)(BNT-SBT)-xAN陶瓷的储能性能 |
| 6.7 SMT(M=Bi~(3+)、La~(3+)、Sm~(3+))、STN(N=Sn~(4+)、Ta~(5+))或AN固溶对BNT陶瓷介电、铁电和储能性能的影响 |
| 6.8 本章小结 |
| 第7章 结论和展望 |
| 7.1 全文主要结论 |
| 7.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间科研成果 |
（10）KNN基压电陶瓷的掺杂改性与相结构研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 引言 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 压电材料概述 |
| 1.1.1 压电效应及其原理 |
| 1.1.2 铁电体与电畴 |
| 1.1.3 铁电体的压电性 |
| 1.2 压电陶瓷分类及研究现状 |
| 1.2.1 铅基压电陶瓷 |
| 1.2.2 无铅压电陶瓷 |
| 1.3 KNN基压电陶瓷的研究现状 |
| 1.3.1 KNN基压电陶瓷简介 |
| 1.3.2 KNN基压电陶瓷的改性研究 |
| 1.4 课题研究目的与内容 |
| 第2章 实验研究方案 |
| 2.1 实验方案与组分设计 |
| 2.2 实验原料与设备 |
| 2.2.1 实验药品 |
| 2.2.2 实验设备 |
| 2.3 工艺流程 |
| 2.4 实验测试方法 |
| 2.4.1 XRD分析 |
| 2.4.2 SEM分析 |
| 2.4.3 体积密度测定 |
| 2.4.4 拉曼光谱测试 |
| 2.4.5 介电性能测试 |
| 2.4.6 压电性能测试 |
| 第3章 Li~+改性KNN基压电陶瓷的结构与性能研究 |
| 3.1 Li~+掺杂对KNN基压电陶瓷结构与电性能的影响 |
| 3.1.1 Li~+掺杂量对KNL_xN-BNZ陶瓷相结构的影响 |
| 3.1.2 Li~+掺杂量对KNL_xN-BNZ陶瓷微观结构的影响 |
| 3.1.3 Li~+掺杂量对KNL_xN-BNZ陶瓷电性能的影响 |
| 3.2 烧结温度对KNL_(0.03)N-BNZ压电陶瓷结构与电性能的影响 |
| 3.2.1 烧结温度对KNL_(0.03)N-BNZ陶瓷相结构的影响 |
| 3.2.2 烧结温度对KNL_(0.03)N-BNZ陶瓷微观结构的影响 |
| 3.2.3 烧结温度对KNL_(0.03)N-BNZ陶瓷电性能的影响 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 (Bi_(0.5)Na_(0.5))ZrO_3 改性KNN基压电陶瓷的结构与性能研究 |
| 4.1 BNZ掺杂对KNN基压电陶瓷结构与电性能的影响 |
| 4.1.1 BNZ掺杂量对KNNS-x BNZ陶瓷相结构的影响 |
| 4.1.2 BNZ掺杂量对KNNS-x BNZ陶瓷微观结构的影响 |
| 4.1.3 BNZ掺杂量对KNNS-x BNZ陶瓷电性能的影响 |
| 4.2 烧结温度对KNNS-0.03BNZ压电陶瓷结构与电性能的影响 |
| 4.2.1 烧结温度对KNNS-0.03BNZ陶瓷相结构的影响 |
| 4.2.2 烧结温度对KNNS-0.03BNZ陶瓷微观结构的影响 |
| 4.2.3 烧结温度对KNNS-0.03BNZ陶瓷电性能的影响 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 CaZrO_3 改性KNN基压电陶瓷的结构与性能研究 |
| 5.1 CZ掺杂量对KNNS-x CZ陶瓷相结构的影响 |
| 5.2 CZ掺杂量对KNNS-x CZ陶瓷微观结构的影响 |
| 5.3 CZ掺杂量对KNNS-x CZ陶瓷电性能的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 导师简介 |
| 作者简介 |
| 学位论文数据集 |
四、Bi_2O_3的高压喇曼光谱及其相变（论文参考文献）
- [1]钛酸铋钠基无铅压电陶瓷局域应力场的构建及压电性能研究[D]. 王家乐. 西安理工大学, 2021(01)
- [2]元素掺杂的（K，Na）NbO3与（Bi，Na）TiO3基压电陶瓷的结构与电学性质的研究[D]. 王佳佳. 齐鲁工业大学, 2021(09)
- [3]液相中激光制备纳米颗粒及其生长过程的动态光谱研究[D]. 陈琪. 中国科学技术大学, 2021(09)
- [4]钙钛矿型铁电体和HgTe单晶在高压下的结构和物性研究[D]. 郑群飞. 上海师范大学, 2021(07)
- [5]铌酸钠基无铅陶瓷的组成设计及其电学性能的研究[D]. 陈俊. 合肥工业大学, 2021
- [6]层状亚稳相钼钨系硫属化合物晶体制备、结构与物性研究[D]. 方裕强. 中国科学院大学(中国科学院上海硅酸盐研究所), 2020(03)
- [7]高压下LiTaO3的结构和电输运特性研究[D]. 刘学. 吉林大学, 2020(08)
- [8]压力调控典型有机-无机杂化钙钛矿的晶体结构和光电性质[D]. 梁永福. 吉林大学, 2020(08)
- [9]Bi0.5Na0.5TiO3基陶瓷的组分设计、介电性能及储能性能研究[D]. 乔笑爽. 陕西师范大学, 2020
- [10]KNN基压电陶瓷的掺杂改性与相结构研究[D]. 赵儒杰. 华北理工大学, 2020(02)