一、亚微米BaTiO_3 X7R MLC细晶陶瓷介质材料的介电性能研究（论文文献综述）
张宝林[1]（2013）在《低温烧结热稳定BaTiO3基陶瓷介质材料研究》文中认为本文主要研究以BaTiO3基陶瓷介质材料为基础，通过掺杂改性、添加玻璃和不同的制备工艺实现高热稳定性、高介电性能、低温烧结的目标，制造出了满足电子工业协会（Electronic Industries Association,EIA）标准的X7R、X8R、X8R-BX、X9R以及具有超宽温度范围（-55℃到230℃）稳定性的陶瓷介质材料。并且运用现代微观分析手段XRD、SEM等，对其内在机理进行了分析。主要的研究内容及结果如下：1.我们在BaTiO3基陶瓷材料中，添加5wt%ZnO-B2O3、改变制备工艺，成功的降低了烧结温度，实现低温烧结（烧结温度850℃930℃），性能参数如下：室温介电常数ε25oC≥2500,介电损耗tanδ≤1.0%,-55℃到125℃范围内最大电容量变化率不超过±10%。另外，对BaTiO3基陶瓷材料进行改性，添加CaTiO3等添加剂，进行了钽电容器替代产品的探索性研究，并且成功制备了具有正温度特性的BaTiO3基陶瓷介质材料。2.我们分别讨论了Ho2O3、Er2O3、MnCO3、Bi2O3等添加剂对于BaTiO3陶瓷系统介电性能以及居里峰移动的影响。通过改变制备工艺，在910℃下，成功的制备了满足要求的X8R陶瓷材料，主要性能参数如下：室温介电常数ε25℃>2250,介电损耗tanδ <1.5%,-55℃到150℃范围内最大电容量变化率不超过±13%，满足EIA X8R标准。另外，我们进行了直流偏压特性的研究，成功制备了满足EIAX8R-BX的陶瓷介质材料。3.我们研究了（BixNa1-x）TiO3（0.4≤x≤0.7）以及xBaTiO3-Bi0.5Na0.5TiO3（x=7,8,9,10,11）的制备工艺和介电性能。并且以此为基础，添加Nb2O5、SrTiO3等添加剂，尝试不同的制备工艺，最终在960℃和1100℃下获得了满足要求的X9R陶瓷介质材料，主要性能参数如下：（a）960℃烧结,室温介电常数ε25oC>1100,介电损耗tanδ <1.0%,-55℃到200℃范围内最大电容量变化率不超过±15%;（b）1100℃烧结,室温介电常数ε25oC>1200,介电损耗tanδ <1.5%,-55℃到200℃范围内最大电容量变化率不超过±15%。另外，我们又获得一种具有超宽温度范围（-55℃到230℃）稳定性的陶瓷介质材料，主要性能参数如下：室温介电常数ε25oC>1000,介电损耗tanδ <1.5%,-55℃到230℃范围内最大电容量变化率不超过±8%。
王静[2]（2013）在《钛酸钡基芯/壳结构粉体的液相法制备及其高介高稳定性研究》文中研究说明随着电子信息技术的高速发展，电子产品不断向轻、薄、短、小等方向迈进，作为基础电子元件的陶瓷叠层电容器（MLCC）也向微型化、大容量、高比容、高电压、高频率、抗干扰、多功能和低功耗等方向发展。近年来，随着MLCC向高温应用领域的不断拓展，高介高稳定性MLCC的研究成为当务之急。钛酸钡基铁电陶瓷具有较高的介电常数，适当的居里温度，通过掺杂可以调整居里点和介电常数，是制造高介高稳定性MLCC的重要材料之一。针对现有钛酸钡基陶瓷材料温度稳定性差的问题，论文在分析传统固相法非化学均匀性掺杂制备芯/壳结构陶瓷的基础上，设计了粉体成分的多层次结构，提出了常压液相技术和分步式生长技术相结合制备芯/壳陶瓷粉体的合成路线。按照Lichtenecher对数叠加原理及介电多峰叠加效应，具有不同居里温度的介质层进行包覆生长后，陶瓷材料介电常数呈现多峰效应，介温特性得到改善。与传统方法不同，分步式液相法制备的芯部和壳部均为铁电相，材料整体的介电常数通过适当的掺杂可大幅度提高。通过实验得到了最佳合成条件：反应时间为3h，反应物浓度为0.2mol/L，介质的[OH-]为0.5 mol/L，芯/壳结构粉体的粒径为300nm，均匀分散。芯/壳结构晶粒的芯部和壳部对陶瓷的介电性能有着重要的影响。论文首先对芯部材料进行了对比选择，分别以居里点较高的(Bi0.5Na0.5)TiO3和(Ba0.985Bi0.01)TiO3纳米晶作为晶粒芯部，以居里点较低的BaTi0.9Zr0.1O3作为壳部，制备出两个系列的陶瓷电容器。实验结果表明，(Bi0.5Na0.5)TiO3-BaTi0.9Zr0.1O3陶瓷中的(Bi0.5Na0.5)TiO3可明显提高陶瓷材料的居里温度，但是由于(Bi0.5Na0.5)TiO3的介电常数过低导致材料整体的介电常数不高，仅为2000；Ba0.985Bi0.01TiO3-BaTi0.9Zr0.1O3陶瓷的介电常数、温度稳定性均优于单相材料，最高介电常数接近6000，在-55℃、130℃和160℃的介电常数温度变化率分别为-12.0%、14.1%和-8.3%，满足X8R的温度特性，且介电损耗小于0.1。总结了液相法制备的陶瓷材料性能优异的原因与铁电相比例密切相关。基于Ba0.985Bi0.01TiO3-BaTi0.9Zr0.1O3体系表现出的优越介温特性，论文讨论了不同保温条件下Zr含量对该体系的微观结构和介电特性的影响。结果表明，在保温时间为1h的烧结条件下，随着Zr含量的增多，陶瓷的介电常数逐渐下降，居里点持续向低温移动，材料的温度稳定性不断增强，当x=0.1时，材料的稳定性满足X8R的特性要求；在保温时间为2h的烧结条件下，陶瓷材料的化学均匀性得到了较大程度的提高，当x=0.001时，介电常数峰值为55,678，介电损耗为0.1，在20140℃范围内的温度变化率低于21%。为了研究壳层对性能的影响，论文对Ba0.985Bi0.01TiO3-BaTi1-xSnxO3体系进行了系统研究，讨论了Sn的掺杂量和烧结工艺对物相和介电性能的影响。实验发现，随着Sn添加量的增大，样品的介电常数峰值先提高再降低，稳定性也先增强再减弱，当x=0.02时，在-55℃、120℃和170℃时的容温变化率分别为-15%、14.4%和-15%，温度稳定性满足X8R的要求，介电损耗低于0.5，介电常数接近25,000；两步烧结法展现出了抑制晶粒生长、提高介电常数、增强稳定性和降低介电损耗的优势，材料的介电常数高于22,000，介电损耗低于0.6，在40140℃范围内的介温变化率低于10%。基于稀土元素可显着改善钛酸钡介电性能的原理，本论文对Ba0.985Bi0.01TiO3-Ba1-1.5xLaxTiO3体系进行了研究。讨论了La的掺杂量、MgO的添加以及烧结温度对物相和介电性能的影响。结果显示，当La的添加量为0.01时，材料的介电常数最大且介温稳定性最好，介电常数达到6000以上，介电损耗低于0.35，相对于30℃介温变化为-15%10%；MgO的添加降低了陶瓷的烧结温度，减小了陶瓷的损耗并促进了陶瓷晶粒的生长，但温度稳定性变差；Bi2O3在烧结过程中的挥发和凝聚导致不同温度下成瓷的样品的微观形貌和密度迥然不同，由此也影响了材料的介电常数和介电损耗。随着成瓷温度的升高，各样品的介电常数峰值和介电损耗经历了先减小再增大又减小的变化，在1250℃和1270℃成瓷的样品符合X8R的温度特性，在-55℃、110℃和150℃时的容温变化率分别为-5.2%、13.8%和-12.8%，介电常数峰值接近9,500，介电损耗低于0.27。
王银虎[3]（2012）在《金属表面微/纳米薄膜的水热法制备及其摩擦学性能的研究》文中研究说明纳米材料因其结构上的特殊性导致性能上的特殊性已经广泛的受到了各个领域的热切关注。纳米薄膜是由尺寸在纳米量级的晶粒构成的薄膜，纳米颗粒是指具有1100nm尺度的细微粒子，这是处于原子簇和宏观物体交界的过渡区域内的一种典型的介观系统，呈现出异于块材的特性如表面效应和体积效应等，且其表面效应随着颗粒尺寸变小，表面积显着地增大而加强。使得材料的那些与表面状态有关的物理、化学或物理化学特性显着的与宏观大颗粒不同。为了利用纳米薄膜的优异性能，人们尝试研究纳米薄膜的多种制备方法，力图为工业化应用找到工艺简单制备成本低廉而且性能优异的制备纳米薄膜的方法。本论文的工作主要涉及这一领域，将以金属铜和金属锌为基底，采用水热技术在金属表面构筑微/纳米薄膜，之后采用自组装技术在粗糙的微/纳表面沉积具有低表面能的有机薄膜。较为系统地研究了金属表面薄膜的形成机制、表面形貌及润湿性，重点考察了薄膜的摩擦学行为，同时研究了制备条件对金属铜和金属锌表面薄膜摩擦学性能的影响。实验取得一定进展，研究发现：（1）金属铜经水热处理后得到了一层致密的薄膜，当反应物只有铜片、硫粉及去离子水时，表面生成物为Cu2S,扫描电镜下显示生成了大量的微/纳米颗粒，该薄膜表现出了一定的减摩耐磨效果；但在反应体系中加入肼和十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）后，表面生成物中除Cu2S外，还存在微量的CuO，形貌与上述薄膜相似，但该薄膜具有更为优异的减摩耐磨性能，在本实验条件下该薄膜的耐磨寿命达到7200s以上，而铜基底的耐磨寿命仅为5s。（2）上述制备的薄膜表面与水的接触角分别为103°和140°，采用气相沉积法在表面沉积有机硅烷薄膜，得到的表面对水的接触角分别增大到143°和153°，后者更是表现出超疏水性。然而沉积有机硅烷后，薄膜摩擦学性能在初始阶段反遭一定程度的破坏，于是考察了选用不同脂肪酸自组装技术改性对薄膜的影响。结果发现，沉积硬脂酸（stearic acid, STA）后的薄膜接触角为150°，依然表现超疏水性，而且表现了十分优异的摩擦学性能。（3）金属锌与尿素、磷酸二氢锌（Zn（H2PO4）2·2H2O）以及十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）在水溶剂体系下经水热反应后得到磷酸锌薄膜，表面与水的接触角为0°，呈超亲水，并表现出了一定的减摩耐磨性能，耐磨寿命达800s。随后考察了硬脂酸修饰对薄膜的影响，发现修饰后的表面接触角增大到137°，呈高疏水，而耐磨寿命提高到3600s以上。同时考察了不同反应物及不同表面活性剂对所得薄膜的影响，希望找到最佳制备条件。（4）金属锌与硫脲和肼的水溶液经水热反应后得到ZnS薄膜，扫描电镜照片可以看出金属锌表面生长了大量的纳米颗粒，与水的接触角为90°，并在一定程度上降低了金属锌表面的摩擦系数，起到了保护锌基底的作用。总之，本论文结合水热和自组装技术，利用微/纳表面的微织构效应和有机薄膜的纳米润滑的协同作用，在金属铜和金属锌表面构筑的高疏水有机复合薄膜表现出了较为优异的减摩和耐磨性能。实验结果无疑对研制和开发具有减摩和耐磨特性的新型金属铜或锌材料具有一定的参考价值。
高顺起[4]（2012）在《中温烧结BaTiO3基热稳定陶瓷铁电机理与中试生产研究》文中研究表明多层陶瓷电容器（MLCC）是电子信息技术的重要基础器件。由于电子系统的发展要求，MLCC向宽温、大容量和低成本方向发展。以BaTiO3为基铁电陶瓷材料是MLCC的重要材料。本文从分析钛酸钡的晶体结构入手，以提高温度稳定性、提高介电常数、降低烧结温度为目标，对温度稳定型中温烧结瓷料进行研究。并运用XRD、SEM等现代微观分析手段，对其内在机理进行研究。1、分别讨论了Nb2O5、MgO、CoCO3、CeO2以及Bi2O3等对钛酸钡系统的介电性能的影响，并成功制备处所需的X8R陶瓷材料，性能参数如下：室温介电常数ε25oC>2500,介电损耗tanδ<2.0%,-55oC到150oC范围内最大电容量变化率不超过±15%2、Pb(Ti0.55Sn0.45)O3掺杂能有效提高BaTiO3基陶瓷居里点到150℃以上。从结构上看，Pb2+离子的引入进行A位取代，Sn2+离子的引入进行B位取代，引起成分起伏相变扩散，造成居里点向高温移动。通过TEM、XRD分析可知，Pb(Ti0.55Sn0.45)O3与BaTiO3可形成部分固溶体并形成核－壳结构。核－壳两相相互制约及叠加作用使钛酸钡陶瓷呈现温度稳定性。当在BaTiO3基陶瓷中添加2wt%Pb(Ti0.55Sn0.45)O3时，样品呈现很好的介电温度特性：ε25oC>1750,介电损耗tanδ<2.0%,-55oC到150oC范围内最大电容量变化率不超过±10%，满足EIAX9R标准。3、球磨中，磨球直径小，球磨时间长，最终粉体粒度会变小而比表面积变大，这能有效地抑制在烧结时BaTiO3晶粒生长并产生细晶效应。掺杂元素对BaTiO3颗粒进行均匀的包裹形成更多的壳-芯晶粒，即铁电相BaTiO3晶核的比例减小，而顺电相晶壳的体积比增大，使得BaTiO3基陶瓷居里峰压平展宽，介电常数温度变化率趋于平缓。烧结温度对晶粒的生长、空洞的密度、杂质离子的扩散分布、晶相的组成等有着重要的作用，并对介质陶瓷最终的介电性能产生重要影响。4、将钛酸铋钠(Bi0.5Na0.5TiO3，BNT)引入BaTiO3陶瓷中以取代上述配方中Pb(Ti0.55Sn0.45)O3的使用，BNT与BaTiO3合成BTBNT，BTBNT具有更高的居里温度（170℃）。再通过Nb2O5调节BTBNT的介电温度变化率，Nb5+能够占据Ti4+的位置，并形成富Ti的非铁电相区。而这些第二相的存在使得BTBNT陶瓷的居里峰发生扩散，使得介电温度曲线更加平坦。在合适的配方时，可获得无铅化的X9R陶瓷：ε≈1660、tanδ=0.0194、ΔC/C25℃≤±15%。最后又研究了烧结温度和球磨时间对BTBNT-基陶瓷介电性能的影响。
李世春[5]（2012）在《中温烧结无铅X8R陶瓷的研究》文中研究说明片式多层陶瓷电容器（MLCC）是目前电子信息技术中非常重要的电子元器件之一。其中以BaTiO3为基的X8R的研究较为广泛，其产品已经用于电子通讯、汽车电子、航天航空等行业。但现在多数的X8R瓷料中均含重金属Pb，其对人体和环境有着极大的危害。本论文在无铅的前提下，以BaTiO3陶瓷为基础，研究了三种添加剂以及制备工艺对陶瓷介电性能的影响。一方面，在体系中掺入添加剂MnCO3、ZnO和Bi2O3，分别研究了三种添加剂对体系介电性能的影响。结果表明：MnCO3起到了助溶剂的作用，促进了陶瓷的致密化并有效地减少了体系中晶格缺陷，降低了体系的介电损耗；ZnO的添加有利于晶粒的长大和杂质离子在BaTiO3晶格中的扩散，减小了非铁电相气孔，使系统的介电常数增大；Bi2O3在陶瓷烧结过程中形成液相，有效地降低了体系的烧结温度和介电损耗。另一方面，研究了制备工艺（球磨时间、保温时间、烧结温度）对体系介电性能的影响。结果表明：增长球磨时间可以使ε-T曲线的居里峰降低；保温时间的增长可以使低温段的介电常数大幅度增加；居里点Tc随着烧结温度的升高向高温方向移动。通过适当调节陶瓷的制备工艺，能够有效地改善系统的介电性能。当球磨时间为200min，烧结温度为1000℃，保温时间为4h时，系统有最佳的介电性能：在1kHZ下测试，室温介电常数ε≥2872.9，损耗tanδ≤1.3%，介电常数变化率|Δε/ε|≤15%，体绝缘电阻率ρv≥1.8×1013Ω·mm。
李俊倩[6]（2011）在《水热合成钛酸钡粉体的颗粒特征及陶瓷性能研究》文中指出BaTiO3（简称BT）粉体的晶相结构、粒径、形貌和分散性是表征其质量的重要指标,对其陶瓷的烧结与性能有着重要影响。为了获得纯度高、粒径尺寸小、分散性好的优质BT粉体,本文以Ti（C4H9O）4-Ba（OH）2·8H2O-NH4OH体系为基础,研究了水热合成工艺条件及分散剂的应用对BT粉体颗粒特征的影响,对不同钛源合成的BT粉体的颗粒特征进行了比较,探讨了BT晶体的相变机理。采用掺杂技术,研究了粉体预处理条件及微量组分Sr、Y和Mn对BT陶瓷的烧结和介电性能的影响,并分析了其作用机理。研究结果如下:在纯水介质中,利用Ti（C4H9O）4-Ba（OH）2·8H2O-NH4OH体系水热合成BT粉体的研究表明:采用制备前驱体工艺得到的BT晶体比不制前驱体得到的晶体结晶完整,杂质相少;升高反应温度可促进晶体生长,使合成BT粉体颗粒的粒径增大,且BT晶体的四方化程度升高;提高反应物Ba/Ti比或增大介质浓度,可以提高反应体系的初始过饱和度,使成核速率加快,有利于获得粒径较小的BT粉体;延长反应时间使晶体生长更加充分,晶粒尺寸增大;煅烧温度一定时,升高水热反应过程的温度、延长反应时间或提高反应物Ba/Ti比,有利于BT晶体由立方相向四方向转变,而提高介质浓度使BT晶体的四方化转变困难;提高煅烧温度有利于BT晶体由立方相向四方相转变。对几种不同钛源合成的BT粉体的分析研究表明,以钛酸四丁酯（Ti（C4H9O）4）作钛源且制备前驱体工艺得到的BT粉体粒径最小,在一定的煅烧温度下,其四方化程度最高,TiCl4次之,TiO2作钛源合成BT粉体的粒径大,且四方化转变较困难。水热法合成的BT粉体存在一定的团聚现象,为了改善粉体的分散性,抑制晶粒聚集生长引起的颗粒尺寸大、粒径分布过宽等现象,研究了三种分散剂对水热合成BT粉体粒径及分散性的影响。实验结果表明:乙二醇可以抑制BT晶体长大并显着改善BT粉体的分散性,随着乙二醇添加量的增加,粉体粒径逐渐减小,当乙二醇浓度为1vol%3vol%时,由谢乐公式计算的粉体理论粒径、比表面积计算的当量粒径、激光粒度分析的平均粒径以及由TEM直接观察到的粉体粒径保持一致,仅45nm左右,且粉体趋于单分散;聚丙烯酸（PAA）对BT粉体亦具有较好的分散效果;而羧甲基纤维素钠（CMC）对改善BT粉体分散性效果不明显。水热合成的BT粉体在常规工艺条件下1250℃烧结的陶瓷致密度较低,提高烧结温度又会引起陶瓷晶粒的尺寸较大或出现晶粒异常长大,使陶瓷的致密度和介电性能降低。通过掺杂和对粉体预处理可以改善BT陶瓷的烧结性能和微观结构,提高介电性能。实验结果表明,掺杂Sr、Y或Mn,用乙醇作球磨介质处理粉体并在900℃下预烧,可以促进BT晶体向四方相转变,并有利于陶瓷的致密烧结和晶粒细化;掺入适量的Sr、Y、Mn元素,均可提高BT陶瓷的室温介电常数,掺杂1.0mol%Sr使陶瓷的室温介电常数升高至2400以上,Y对提高BT陶瓷的介电常数作用显着,掺量为0.3mol%时,陶瓷室温介电常数高达21000以上,Mn掺量为0.1mol%时,陶瓷的室温介电常数达到2700以上;掺杂Sr可以降低BT陶瓷的居里温度,而Y和Mn元素可使陶瓷居里温度升高,其中Mn的影响最大,其陶瓷居里温度比无掺杂时升高8℃;BT陶瓷的室温介电常数随频率增大而减小,在约10KHz时达到稳定值。
王丽娜[7]（2011）在《钛酸钡基陶瓷的低温制备与掺杂改性研究》文中认为根据近年来中温烧结温度稳定型MLCC陶瓷的研究进展,本文利用X-射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、差热分析仪（DTA）、阻抗分析仪等分析仪器,系统研究了铋层状化合物( CaBi4Ti4O15、Bi4Ti3O12 )、稀土（La2O3、CeO2）及CaO-B2O3-SiO2（简称CBS）玻璃粉掺杂对BaTiO3（简称BT）系统的烧结特性、晶体结构、介电性能的影响。结果如下:系统研究CaBi4Ti4O15（简称CBT）掺杂量对BT陶瓷晶体结构及介电性能的影响。研究发现,CBT的掺杂显着提高BT陶瓷的居里点,有利于改善BT陶瓷的介电高温稳定性。掺杂0.5 mol% CBT的BT陶瓷性能相对最优,其室温介电常数εr和介质损耗tgδ分别为1803和2.76%,在-55℃和125℃的电容变化率分别为-17.30%和121.17%,未达到X7R标准。在BT-CBT基础上进一步研究稀土氧化物的掺杂对其晶体结构、烧结特性及介电性能的影响。结果表明:稀土氧化物La2O3的掺杂可使四方率c/a值降低,导致居里点向低温端移动,起到移峰和展峰的作用,而CeO2的掺杂对四方率和居里点的移动都无明显影响。1230℃烧结时,掺杂1.0 mol% La2O3、0.01 mol% CeO2的BT-CBT陶瓷,其室温介电常数εr和介质损耗tgδ分别为2150和0.0190,体积电阻率为1.92×1010Ω.cm,在-55℃和125℃的电容变化率分别为-14.78%和-11.44%,完全符合EIA X7R标准。系统研究了Bi4Ti3O12（简称BIT）掺杂BT系统的晶体结构、微观形貌、烧结特性及介电性能,研究发现,BIT的掺杂改善了BT陶瓷的烧结性能。随着BIT掺杂量的增加（≤3.0mol%）,四方率c/a值增大,介电常数逐渐降低。BIT掺杂量为5.0 mol%时出现第二相Bi2Ti2O7,介电性能恶化。BIT掺杂量为3.0mol%,1250℃烧结的BT样品的介电性能相对最优。其室温介电常数和介质损耗分别为2692和1.52%,体积电阻率为5.8×1012Ω.cm,在-55℃、125℃和150℃电容变化率分别为-19.35%、13.42%和-11.53%,根据“顺时针效应”,该陶瓷样品有望制备满足X8R标准的多层电容器陶瓷。在此基础上进一步研究CBS的掺杂对BT-BIT微结构及介电性能的影响。发现CBS有显着降低烧结温度和抑制居里峰的作用。随着CBS含量的增加,介电常数不断下降。不同含量CBS掺杂BT-BIT的样品均满足X8R标准,但综合考虑介电常数及介质损耗认为,3.0wt%CBS掺杂BT-BIT系统更优,具有低烧结温度（1130℃）、低介质损耗（1.15%）、较高介电常数（1789）、较高电阻率(9.67×1012)及优良的介电稳定性,在-55℃、125℃和150℃时的电容变化率分别为-12.10、6.17和-10.78,完全符合X8R标准。系统研究了BIT掺杂对BT-Nb2O5-ZnO（简称BTNZ）系统的晶体结构、烧结特性和介电性能影响,在初步获得X7R型钛酸钡基陶瓷材料的基础上添加CBS玻璃粉,研究CBS玻璃粉对BTNZ-BIT系统的微观形貌和介电性能的影响。结果表明:BIT的掺杂并未改变BTNZ陶瓷的晶体结构,无第二相生成;随着BIT量的增加（≤1.0%）,四方率c/a增大,电容变化率减小。掺杂1.0wt%BIT的BTNZ陶瓷,其介温曲线呈现明显“双峰”特征,室温介电常数和介电损耗分别为1327和0.0207,烧结温度中等（1230℃）,在-55℃和125℃的电容变化率分别为-7.95%、0.11%,完全符合EIA X7R标准。CBS的掺杂明显降低BTNZ-BIT样品的烧结温度。随着CBS掺杂量的增加,介电常数不断下降,电容变化率减小,表明CBS具有抑制介电峰的作用。CBS的掺杂量为5.0wt%时,其容温变化率符合X8R标准,在-55℃、125℃、150℃时的电容变化率分别为-9.56、6.93、-8.59;介电常数中等（εr=1091）,介质损耗低（tgδ=1.28%）,体积电阻率高（1.46×1011）,烧结温度低（T=1050℃）;通过优化工艺设计有望制备低温烧结的X8R型钛酸钡基多层陶瓷电容器。
王爽[8]（2010）在《超高温BaTiO3复合材料铁电机理研究》文中提出多层陶瓷电容器（MLCC）是电子信息技术的重要基础器件。为满足电子系统的发展要求, MLCC向宽温、大容量和低成本方向发展。以BaTiO3为基铁电陶瓷材料是MLCC的重要材料。本文从分析钛酸钡的晶体结构入手,以提高温度稳定性、提高介电常数、降低烧结温度为目标,对温度稳定型中温烧结瓷料进行研究。并运用XRD、SEM、TEM、EDS等现代微观分析手段,对其内在机理进行研究。1、Pb(Ti0.55Sn0.45)O3掺杂能有效提高BaTiO3基陶瓷居里点到150℃。从结构上看,Pb2+离子的引入进行A位取代,Sn2+离子的引入进行B位取代,引起成分起伏相变扩散,造成居里点向高温移动。通过TEM、XRD分析可知,Pb(Ti0.55Sn0.45)O3与BaTiO3可形成部分固溶体并形成核-壳结构。核-壳两相相互作用使钛酸钡陶瓷呈现温度稳定性。Pb (Ti0.55Sn0.45)O3掺杂可减少非铁电相Ti 0.1Sn0.9O2,Ti9O17,TiO含量。由XRD计算可知掺杂Pb(Ti0.55Sn0.45)O3的陶瓷系统,四方率（c/a比）增大,晶胞体积减小,自发极化强度增强,介电常数增大。较高烧结温度,促进Pb (Ti0.55Sn0.45)O3等杂质扩散进入BaTiO3晶粒形成晶壳,晶壳厚度随之增加,因此介电常数下降。同时,核壳比减小,温度稳定性改善。2、Bi3+离子的引入进行A位取代,引起结构起伏相变扩散,造成居里点向高温移动并展宽。添加Bi2O3引入新的晶相Bi4Ti3O12后,使烧结过程中出现液相,将烧结温度从1260℃降到1130℃。由XRD计算可知,掺杂Bi2O3四方相率（c/a比）减小,四方特性减弱,介电常数相应减小。核-壳两相相互制约及叠加作用,以及玻璃相对晶粒的钳制作用,使得陶瓷的介电温度特性曲线平坦化。3、将纳米BaTiO3作为掺杂剂引入BaTiO3基陶瓷系统。纳米级钛酸钡有助于提高烧结能力,获得致密的陶瓷,提高介电常数,同时促进钛酸钡与添加剂充分接触产生足够多的核-壳结构获得较薄晶壳,产生高内应力,改善温度稳定性。4、将合成BaTiO3引入X8R陶瓷系统,可制备出符合X9R标准的BaTiO3陶瓷系统。合成钛酸钡的添加,增加了Pb(Sn0.55Ti0.45)O3的固溶度,抑制PbO、PbTiO3及Ti9O17等相生成。由XRD计算可知四方率（c/a比）减小,晶胞体积减小。居里点随四方率（c/a比）减小,向低温移动。在1120℃烧结,添加3 mol%合成BaTiO3的陶瓷主要性能指标:室温介电常数ε25℃>2200,tanδ≈1.7%,在-55℃～200℃最大电容变化率不超过±15%。
成海鸥[9]（2008）在《纳米粒子及其掺杂钛酸钡基介电陶瓷的制备与表征》文中进行了进一步梳理钛酸钡（BaTiO3）材料具有铁电、压电、热电、介电等特性，被广泛用于制造高介电容器、热敏电阻和换能器等，特别是用作多层陶瓷电容器（MLCC）的基质材料。目前，MLCC向高可靠性、高比容（小尺寸大容量）和低成本的趋势发展。因此制备高纯超细的BaTiO3粉体以及掺杂改的性研究是该领域研究的热点。本文以油酸（OA）为表面活性剂，采用两相法合成了单分散纳米TiO2、ZrO2和Cu；采用H2TiO3共沉淀法制备了分散性较好的BaTiO3粉体及其介电性良好的介电陶瓷。采用水热法和沉淀法合成了分散性较好的Nd（OH）3纳米线和Co3O4纳米立方体，以及Nb2O5纳米颗粒，并进一步制备了纳米Nd（OH）3、Co3O4和Nb2O5分别掺杂及其复合掺杂的高介电常数的温度稳定型BaTiO3基陶瓷。主要研究内容如下：1、以OA为表面活性剂，环己烷为溶剂，采用两相法合成了单分散TiO2纳米棒、ZrO2和Cu纳米颗粒。研究发现，改变反应时间、NaOH的浓度以及用氨水替代NaOH时，对TiO2纳米棒的长度和直径影响不大；当以乙醇替代环己烷时，得到TiO2纳米颗粒；但是，在水相中加入硝酸钙后，得到了较长的TiO2纳米棒。2、同时，采用两相法合成了单分散ZrO2和Cu纳米颗粒。改变OA的量对纳米四方相ZrO2颗粒的粒径影响不大，但无OA时，合成的ZrO2纳米颗粒由四方相和单斜相组成，其粒径也较大。采用水热法和沉淀法合成了Nd（OH）3纳米线和Co3O4纳米立方体，以及Nb2O5纳米颗粒，前躯体浓度和的滴加氨水速度对Nb2O5的粒径和形貌有影响。采用两相法可以有效的控制纳米晶的尺寸和形貌，为纳米材料的制备提供了一种有效的方法，这也为进一步研究纳米掺杂BaTiO3奠定了基础。3、以OA作为表面活性剂，采用H2TiO3共沉淀法制备了单分散BaTiO3纳米粉体，其粒径范围为30-50 nm。当[H2TiO3]／[OA]比为1：1时，850℃／2h煅烧的粉体存在BaCO3和TiO2相，而当用量OA较少（[H2TiO3]／[OA]比为2：1和3：1）或者不加OA时，煅烧粉体为纯BaTiO3。[H2TiO3]／[OA]比为2：1的粉体在1250℃／2h烧结得到的陶瓷密度为5．6 g·cm-3，室温介电常数为2586，介电损耗为0．020。4、以Nd（OH）3纳米线为模板采用反应模板生长法合成了棒状的掺钕BaTiO3纳米粉体，其主晶相为BaTiO3，含有少量的TiO2和Ba6Ti17O40杂相，并且随着煅烧温度的提高，Nd（OH）3纳米线原有的形貌逐渐消失。5、当以少量（0．5～2．5 mol％）的纳米Nd（OH）3掺杂BaTiO3时，陶瓷介电常数随掺杂量的增加，呈先增大后减小的趋势，居里峰向低温方向移动。当掺杂量为1．0mol％时，随煅烧温度和烧结温度的提高，陶瓷介电常数也呈现先增大后减小的趋势，在900℃／2h煅烧和1250℃／2h烧结得到的陶瓷没有出现如线状棒状的形貌；陶瓷的密度为5．8 g·cm-3，室温介电常数达到3873，介电损耗为0．016。6、纳米CoO4掺杂BaTiO3陶瓷时，随掺杂量的增加（0．5～2．5 mol％），介电常数呈先增大后减小的趋势，居里峰没有发生改变。当掺杂量为1．5 mol％时，提高粉体煅烧温度和陶瓷的烧结温度，陶瓷介电常数呈现减小的趋势；800℃／2h煅烧和1250℃／2h烧结得到致密的BaTiO3基陶瓷，介电常数最大（10995）。纳米掺杂可以提高陶瓷介电常数，降低烧结温度，具有细晶化陶瓷的作用。7、采用不同形貌和粒径的纳米Nb2O5掺杂BaTiO3，得到了低烧、高介和稳定性较好的BaTiO3纳米瓷料；特别是采用单分散的纳米Nb2O5作为掺杂剂，出现了明显的“双峰”，能够显着地改善BaTiO3基陶瓷的介电温度稳定性。进一步采用纳米Nd（OH）3、Co3O4和Nb2O5复合掺杂时，所得BaTiO3基陶瓷，在1250℃／2h烧结，陶瓷晶粒分布均匀、致密，其介电温度稳定性达到了X7R的标准。
程花蕾[10]（2008）在《高价B位掺杂钛酸钡基陶瓷的合成及其介电性能研究》文中研究指明BaTiO3具有钙钛矿结构，由于其特殊的介电、压电、电致伸缩、电光性质以及相应的电子学应用备受关注，主要用作多层陶瓷电容器（MLCC）的基质材料，而Y5V多层陶瓷电容器具有较高的电容量，可叠层最多，因而市场发展潜力较大。BaTiO3粉体的制备方法以及掺杂改性是电子陶瓷材料重要研究内容。在众多软化学法中，溶胶-自蔓延燃烧法和溶胶-凝胶法因化学成份均匀性好、纯度高、颗粒细、反应温度低，可容纳不溶性组份或不沉淀组份等优点而得到广泛的研究和应用。本论文以B位掺杂钛酸钡基陶瓷的制备和表征作为研究内容，以油酸作表面活性剂，采用溶胶-自蔓延燃烧法或溶胶-凝胶法制备分散性较好的B位掺杂改性的BaTiO3基纳米粉体及陶瓷，主要研究掺杂物的用量和制备工艺等对钛酸钡基纳米粉体和陶瓷的相组成、显微结构和介电性能的影响规律，以获得满足国际EIA规定的Y5V标准的钛酸钡基陶瓷的配方和工艺。主要研究内容如下：1、以钛和钡的柠檬酸盐和硝酸盐为原料，采用溶胶-自蔓延燃烧法制备掺铌钛酸钡纳米粉体及其陶瓷。掺铌钛酸钡纳米粉体主要为立方相；当铌掺杂量增加到5．0mol％时，有Ba6Ti17O40相生成；烧结后陶瓷主要相组成为四方相；合适的掺杂量和烧结条件分别为1．0mol％和1250℃／2h，所得陶瓷具有较高的介电常数（5539）和较小的介电损耗（0．008）。2、以油酸为表面活性剂，采用溶胶-凝胶法制备掺银量为1．0mol％的钛酸钡基纳米粉体（53 mm），其主要相组成为立方相，经烧结后全部转化为四方相陶瓷。当[Ti（OBu）4]／[OA]比为1：1时所得粉体粒径尺寸分布较均匀、分散性较好。当[Ti（OBu）4]／[OA]比为1：1时，在900℃／2h预烧和1280℃／2h烧结得到致密的钛酸钡基陶瓷，其相对密度达到98．5％，室温介电常数高达7669，介电损耗仅为0．027。3、以二月桂酸丁基锡作为锡源，采用溶胶-凝胶法制备掺锡钛酸钡纳米粉体及其陶瓷。在1000℃／2h预烧的掺锡钛酸钡粉体为立方相，且为完全取代的固溶体。合适的预烧和烧结条件分别为1000℃／2 h和1350℃／2 h时，所得陶瓷晶粒较小且致密性较好。随掺锡量的增大，介电常数呈先增大后减小的趋势，居里点向低温方向移动。当掺锡量为0．05mol％时，陶瓷的室温介电常数高达19235，介电损耗仅为0．042。在BaSnxTi1-xO3体系中，以BaSn0.05Ti0.95O3和BaSn0.20Ti0.80O3分别为高居里温度组元和低居里温度组元，通过选择合适组成的高低温组元比例和烧结条件（1300℃／2h），采用混合烧结法获得介电温度稳定性较好的两相共存复相陶瓷。4、采用Sol-Gel法制备锡、锆、稀土以及助烧剂铝硅氧化物等多组份掺杂的钛酸钡基纳米粉体及其陶瓷。研究结果表明，当掺钇量为0．07 mol％时，钛酸钡基陶瓷的介电温度稳定性较好。随掺锆量的增大，居里峰移向低温方向并展宽，介电常数呈先增大后减小的趋势；当掺锆量为0．11mol％的BaTiO3基陶瓷室温介电常数可高达5869，介电损耗仅为0．041。当掺锡量小于0．085mol％时，钛酸钡基陶瓷的介电性能在高温部分较好；当掺锡量增大到0．085 mol％以后，介电常数下降，介温谱峰形展宽，有利于提高材料的室温介电常数；并且掺锡量分别为0．07,0．085和0．10mol％的钛酸钡基陶瓷的介电温度稳定性达到国际EIA规定的Y5V标准。
二、亚微米BaTiO_3 X7R MLC细晶陶瓷介质材料的介电性能研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、亚微米BaTiO_3 X7R MLC细晶陶瓷介质材料的介电性能研究（论文提纲范文）
（1）低温烧结热稳定BaTiO3基陶瓷介质材料研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 信息功能陶瓷材料 |
| 1.3 片式多层陶瓷电容器概述 |
| 1.3.1 片式多层陶瓷电容器(MLCC)的发展概况 |
| 1.3.2 片式多层陶瓷电容器(MLCC)的结构与原理 |
| 1.3.3 片式多层陶瓷电容器(MLCC)的分类与应用 |
| 1.3.4 片式多层陶瓷电容器(MLCC)的失效机理及模式分析 |
| 1.4 低温共烧陶瓷技术概述 |
| 1.4.1 低温共烧陶瓷技术工艺流程 |
| 1.4.2 低温共烧陶瓷技术的特点 |
| 1.4.3 低温烧结的主要实现方法 |
| 1.5 课题的研究内容和目的 |
| 1.5.1 课题国内外的研究情况 |
| 1.5.2 本文创新点 |
| 第二章 BaTiO_3的微观结构与改性机理 |
| 2.1 BaTiO_3微观结构 |
| 2.1.1 BaTiO_3的晶体结构 |
| 2.1.2 钛酸钡晶体的铁电畴 |
| 2.2 BaTiO_3陶瓷的介电性能 |
| 2.3 钛酸钡的"核-壳"结构 |
| 2.4 钛酸钡陶瓷的改性机理 |
| 2.4.1 细晶理论 |
| 2.4.2 移动效应 |
| 2.4.3 相变扩散效应 |
| 2.4.4 展宽效应 |
| 2.4.5 掺杂离子改性效应 |
| 第三章 实验过程及测试方法 |
| 3.1 实验工艺流程 |
| 3.1.1 烧结助剂的制备 |
| 3.1.2 样品制备过程 |
| 3.2 样品测试与微观分析 |
| 3.2.1 测试与分析仪器 |
| 3.2.2 密度和收缩率测试 |
| 3.2.3 介电性能测试 |
| 3.2.4 X 射线衍射分析 |
| 3.2.5 表面形貌分析 |
| 3.2.6 粒度分析 |
| 3.2.7 多层结构分析 |
| 第四章 低温烧结 X7R 陶瓷介质介电性能研究及机理分析 |
| 4.1 ZnO-B_2O_3玻璃对 X7R 陶瓷的影响 |
| 4.2 球磨时间对 X7R 陶瓷介质材料性能的影响 |
| 4.3 一种具有正温度特性的陶瓷介质材料的探索 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 低温烧结 X8R 陶瓷材料介电性能研究及机理分析 |
| 5.1 掺杂稀土元素对 X8R 陶瓷的影响及机理 |
| 5.1.1 Ho_2O_3掺杂改性机理 |
| 5.1.2 Er_2O_3掺杂改性机理 |
| 5.2 掺杂 MnCO_3对 X8R 陶瓷材料的影响及机理 |
| 5.3 掺杂 Bi_2O_3对 X8R 陶瓷材料的影响及机理 |
| 5.4 制备工艺对 X8R 陶瓷的影响及机理 |
| 5.4.1 预烧温度对 X8R 陶瓷材料的影响 |
| 5.4.2 烧结温度对 X8R 陶瓷材料的影响 |
| 5.4.3 保温时间对 X8R 陶瓷材料的影响 |
| 5.5 X8R 陶瓷的偏压特性 |
| 5.6 小结 |
| 第六章 低温烧结 X9R 陶瓷材料介电性能研究及机理分析 |
| 6.1 一种正温度梯度的材料机理研究 |
| 6.1.1 BiXNa1-XTiO_3材料性能研究 |
| 6.1.2 xBaTiO_3-Bi0.5Na0.5TiO_3材料性能研究 |
| 6.1.3 9BaTiO_3-(BixNa1-x)TiO_3材料性能研究 |
| 6.2 掺杂 Nb_2O_5改性机理 |
| 6.3 烧结温度对 X9R 陶瓷性能的影响 |
| 6.4 一种高热稳定性陶瓷（230℃）材料介电性能研究 |
| 6.5 小结 |
| 第七章 总结 |
| 7.1 全文总结 |
| 7.2 本文主要创新点 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（2）钛酸钡基芯/壳结构粉体的液相法制备及其高介高稳定性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 叠层陶瓷电容器的简介 |
| 1.2 叠层陶瓷电容器的结构 |
| 1.3 叠层陶瓷电容器的分类 |
| 1.4 高介高稳定性陶瓷电容器的研究进展 |
| 1.5 高介高稳定性钛酸钡陶瓷的改性机理 |
| 1.6 本文研究的主要内容 |
| 2 芯/壳结构粉体的液相法制备过程研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 粉体与陶瓷的制备过程 |
| 2.3 样品的性能测试与表征 |
| 2.4 反应条件对粉体的影响 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 芯部材料的选择和性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Bi_(0.5)Na_(0.5) TiO_3对陶瓷材料性能的影响 |
| 3.3 Ba_(0.985)Bi0.01 TiO_3对陶瓷材料性能的影响 |
| 3.4 本章小结 46 |
| 4 Ba_(0.98 5)Bi0.01TiO_3-BaTi_(1-x)ZrxO_3陶瓷材料的X8R和超高介电特性研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Ba_(0.985)Bi0.01TiO_3-BaTi_(1-x)ZrxO_3陶瓷材料的温度稳定性研究 |
| 4.3 Ba_(0.985)Bi0.01TiO_3-BaTi_(1-x)ZrxO_3陶瓷材料的超高介电特性研究 |
| 4.4 Ba_(0.985)Bi0.01TiO_3-BaTi_(0.9)95Zr0.005O_3/PVDF 复合材料的性能研究 |
| 4.5 本章小结 62 |
| 5 Ba_(0.98 5)Bi0.01TiO_3-BaTi_(1-x)SnxO_3陶瓷材料的X8R特性及其应用研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Sn 掺杂量对 BBT-BTS 陶瓷材料性能的影响 |
| 5.3 烧结工艺对 BBT-BTS 陶瓷材料性能的影响 |
| 5.4 BBT-BTS/ZnO 陶瓷材料的储能特性研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 Ba_(0.98 5)Bi0.01TiO_3-Ba_(1-1.5x)LaxTiO_3陶瓷材料的X8R特性研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 La 掺杂量对 BBT-BLT 陶瓷材料性能的影响 |
| 6.3 MgO 对 BBT-BLT 陶瓷材料性能的影响 |
| 6.4 烧结温度对 BBT-BLT 陶瓷材料性能的影响 |
| 6.5 本章小结 |
| 7总结与展望 |
| 7.1 研究内容总结 |
| 7.2 主要创新点 |
| 7.3 对进一步研究的展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 |
| 附录2 攻读博士学位期间参与的课题和所获的奖励 |
（3）金属表面微/纳米薄膜的水热法制备及其摩擦学性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 纳米材料 |
| 1.1.1 纳米材料的特异效应 |
| 1.1.2 纳米材料的应用前景 |
| 1.1.3 纳米材料的制备方法 |
| 1.1.4 水热法简介 |
| 1.2 自组装技术 |
| 1.2.1 自组装技术的发展及其研究现状 |
| 1.2.2 自组装技术在摩擦学方面的应用 |
| 1.3 金属箔片作反应性基片制备纳米薄膜 |
| 1.3.1 金属 Cu 片为反应性基片制备纳米薄膜 |
| 1.3.2 金属 Zn 片为反应性基片制备纳米薄膜 |
| 1.3.3 金属 Fe 片为反应性基片制备纳米薄膜 |
| 1.4 本文的研究内容 |
| 第2章 实验原理、方法及实验设备 |
| 2.1 基底的预处理 |
| 2.1.1 表面清洗 |
| 2.1.2 表面氧化层的去除 |
| 2.2 微/纳米薄膜的制备 |
| 2.2.1 铜的硫化物微/纳米薄膜的制备 |
| 2.2.2 锌的磷酸盐微/纳米薄膜的制备 |
| 2.2.3 锌的硫化物微/纳米薄膜的制备 |
| 2.3 自组装薄膜的制备 |
| 2.4 实验仪器与设备 |
| 2.4.1 薄膜制备设备 |
| 2.4.2 薄膜性能表征设备 |
| 第3章 铜表面微/纳米薄膜摩擦学性能的研究 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验材料 |
| 3.2.2 Cu_2S 微/纳米薄膜的制备 |
| 3.2.3 薄膜性能的表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 反应物不同对制备薄膜的影响 |
| 3.3.2 反应温度对制备薄膜的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 铜表面自组装薄膜的摩擦学性能研究 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验材料 |
| 4.2.2 薄膜的制备 |
| 4.2.3 薄膜的表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 FAS 薄膜的表征 |
| 4.3.2 脂肪酸薄膜的表征 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 锌表面磷酸锌微/纳米薄膜的制备及摩擦学性能的研究 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 实验材料 |
| 5.2.2 薄膜的制备 |
| 5.2.3 薄膜性能的表征 |
| 5.3 实验结果与讨论 |
| 5.3.1 Zn(H_2PO_4)22H_2O 作反应物 |
| 5.3.2 NaH_2PO_4·2H_2O 作反应物 |
| 5.4 作用机理 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 锌表面硫化锌微/纳米薄膜的制备及其摩擦学性能的研究 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.2.1 材料 |
| 6.2.2 薄膜的制备 |
| 6.2.3 薄膜性能的表征 |
| 6.3 实验结果与讨论 |
| 6.4 合成机理 |
| 6.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（4）中温烧结BaTiO3基热稳定陶瓷铁电机理与中试生产研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 功能陶瓷材料 |
| 1.2 片式多层陶瓷电容器 |
| 1.2.1 片式多层陶瓷电容器结构及原理 |
| 1.2.2 MLCC的发展趋势 |
| 1.2.3 高介电常数MLCC分类 |
| 1.3 课题研究内容和目的 |
| 1.3.1 国内外发展概况 |
| 1.3.2 选题内容 |
| 第二章 BaTiO_3的微观结构与改性机理 |
| 2.1 BaTiO_3微观结构 |
| 2.1.1 BaTiO_3的晶体结构 |
| 2.1.2 钛酸钡晶体的铁电畴 |
| 2.2 BaTiO_3陶瓷的介电性能 |
| 2.3 钛酸钡的核-壳结构 |
| 2.4 钛酸钡陶瓷的改性机理 |
| 2.4.1 细晶理论 |
| 2.4.2 相变扩散效应 |
| 2.4.3 铁电陶瓷居里峰的展宽效应 |
| 2.4.4 居里峰移动效应 |
| 2.4.5 掺杂离子改性效应 |
| 第三章 实验工艺与测试 |
| 3.1 实验工艺流程 |
| 3.2 样品测试 |
| 第四章 BaTiO_3基陶瓷的掺杂改性机理研究 |
| 4.1 MgO掺杂改性机理 |
| 4.2 稀土元素Ce掺杂改性机理 |
| 4.3 CoCO_3及Nb_2O_5掺杂改性机理 |
| 4.3.1 CoCO_3掺杂改性机理 |
| 4.3.2 Nb_2O_5掺杂改性机理 |
| 4.3.3 不同Nb/Co比掺杂改性机理 |
| 4.4 Bi_2O_3掺杂改性机理 |
| 4.5 MnCO_3对X8R钛酸钡陶瓷掺杂改性机理 |
| 4.6 小结 |
| 第五章 X9R钛酸钡陶瓷掺杂改性机理研究 |
| 5.1 Pb(TiSn)O_3固溶体 |
| 5.2 Pb(Ti,Sn)O_3对高介X9R钛酸钡陶瓷掺杂改性机理 |
| 5.3 小结 |
| 第六章 工艺条件对BaTiO_3基X9R陶瓷性能的影响及中试研究 |
| 6.1 BaTiO_3预烧曲线对陶瓷系统介电性能的影响 |
| 6.1.1 BaTiO_3预烧温度对系统介电性能的影响 |
| 6.1.2 预烧BaTiO_3熔块的升温速率对系统介电性能的影响 |
| 6.2 烧结温度对BaTiO_3基陶瓷介电性能的影响 |
| 6.2.1 烧结温度对BaTiO_3基陶瓷介电性能的影响 |
| 6.3 磨球粒径对BaTiO_3基陶瓷介电性能的影响 |
| 6.4 球磨时间及粉体初始粒径对BaTiO_3基陶瓷系统介电性能的影响 |
| 6.4.1 磨球粒径和球磨时间对粉体粒度的影响 |
| 6.4.2 粉体粒度对系统介电-温度特性的影响 |
| 6.5 小结 |
| 第七章 BaTiO_3-基X9R陶瓷的无铅化探讨研究 |
| 7.1 BT-BNT机理研究 |
| 7.2 掺杂剂Nb_2O_5对BTBNT体系的影响 |
| 7.3 工艺对Nb掺杂的BTBNT陶瓷介电性能影响的研究 |
| 7.3.1 球磨时间对Nb掺杂的BTBNT陶瓷介电性能影响 |
| 7.3.2 烧结温度对Nb掺杂的BTBNT陶瓷介电性能影响 |
| 7.4 微调Nb_2O_5掺加含量优化BTBNT系陶瓷的介电性能 |
| 7.5 本章小结 |
| 第八章 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
（5）中温烧结无铅X8R陶瓷的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 多层陶瓷电容器（MLCC） |
| 1.1.1 MLCC 的简介 |
| 1.1.2 MLCC 的分类 |
| 1.1.3 MLCC 的发展历史 |
| 1.1.4 MLCC 的发展趋势 |
| 1.2 课题的研究内容和目的 |
| 1.2.1 课题的研究背景 |
| 1.2.2 课题的研究内容和目的 |
| 第二章 钛酸钡陶瓷的微观结构和改性机理 |
| 2.1 钛酸钡的微观结构与介电性质 |
| 2.1.1 钛酸钡的微观结构 |
| 2.1.2 钛酸钡的电畴结构 |
| 2.1.3 钛酸钡单晶及钛酸钡陶瓷的介电性质 |
| 2.2 钛酸钡陶瓷的改性机理 |
| 2.2.1 BaTiO_3 的壳-核结构 |
| 2.2.2 细晶效应 |
| 2.2.3 相变扩张 |
| 2.2.4 展宽效应 |
| 2.2.5 移动效应 |
| 2.2.6 常见的添加剂 |
| 第三章 介质陶瓷材料的试验工艺和测试方法 |
| 3.1 介质陶瓷试验工艺过程 |
| 3.2 测试与分析 |
| 3.2.1 测试仪器 |
| 3.2.2 样品介电参数的测定 |
| 3.2.3 样品微观结构的分析 |
| 第四章 添加剂对BaTiO_3 基X8R 介质陶瓷的影响 |
| 4.1 MnCO_3 掺杂对系统介电性能的影响 |
| 4.2 ZnO 掺杂对系统介电性能的影响 |
| 4.3 Bi_2O_3 掺杂对系统介电性能的影响 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 制备工艺对BaTiO_3 基陶瓷介电性能的影响 |
| 5.1 球磨时间对BaTiO_3 基陶瓷介电性能的影响 |
| 5.2 烧结工艺对BaTiO_3 基陶瓷介电性能的影响 |
| 5.2.1 保温时间对BaTiO_3 基陶瓷介电性能的影响 |
| 5.2.2 烧结温度对BaTiO_3 基陶瓷介电性能的影响 |
| 5.3 小结 |
| 第六章结论 |
| 参考文献 |
| 论文发表和科研情况说明 |
| 致谢 |
（6）水热合成钛酸钡粉体的颗粒特征及陶瓷性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号说明 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 BaTi0_3 晶体的结构、性能与应用 |
| 1.2 BT 粉体的湿化学法制备技术研究进展 |
| 1.3 晶体生长理论研究 |
| 1.3.1 晶体成核理论 |
| 1.3.2 晶体生长理论 |
| 1.3.3 晶体生长机理 |
| 1.3.4 晶体生长形态主要法则 |
| 1.3.5 负离子配位多面体生长基元理论模型 |
| 1.4 粉体粒度测定方法概述 |
| 1.5 本课题主要研究内容 |
| 第二章 实验过程与方法 |
| 2.1 实验原料与主要设备 |
| 2.2 研究内容及研究方法 |
| 2.2.1 水热合成BT 粉体的方案 |
| 2.2.2 水热合成BT 粉体的工艺流程 |
| 2.2.3 BT 陶瓷的制备 |
| 2.3 样品分析与表征 |
| 2.3.1 物相分析 |
| 2.3.2 形貌分析 |
| 2.3.3 BT 粉体的粒径及粒度分布分析 |
| 2.3.4 BT 粉体的钡钛摩尔比(Ba/Ti)分析 |
| 2.3.5 BT 陶瓷的介电性能测试 |
| 第三章 水热法合成BT 粉体的工艺条件研究 |
| 3.1 水热合成BT 晶体的形成机制 |
| 3.1.1 “原位结晶”机制 |
| 3.1.2 “溶解-结晶”机制 |
| 3.2 反应条件对BT 粉体颗粒特征的影响 |
| 3.2.1 反应温度 |
| 3.2.2 反应物Ba/Ti 比 |
| 3.2.3 介质浓度 |
| 3.2.4 反应时间 |
| 3.2.5 钛源 |
| 3.2.6 工艺条件对BT 晶体相变的影响 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 分散剂对BT 粉体颗粒特征的影响 |
| 4.1 颗粒团聚及聚集生长现象 |
| 4.2 粉体的分散机理 |
| 4.2.1 颗粒在液体中的作用力 |
| 4.2.2 分散稳定机理 |
| 4.3 分散剂对粉体颗粒特征的影响 |
| 4.3.1 乙二醇的影响 |
| 4.3.2 PAA 的影响 |
| 4.3.3 CMC 的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 掺杂对BT 陶瓷介电性能的影响 |
| 5.1 陶瓷介电性能 |
| 5.1.1 介电性能相关参数 |
| 5.1.2 影响陶瓷介电性能的微观因素 |
| 5.2 BT 陶瓷制备实验方案 |
| 5.3 掺杂元素对BT 陶瓷烧结性能的影响 |
| 5.4 掺杂元素对BT 陶瓷相组成的影响 |
| 5.5 掺杂元素对BT 陶瓷显微结构的影响 |
| 5.6 掺杂元素对BT 陶瓷介电性能的影响 |
| 5.7 预烧温度对BT 陶瓷介电性能的影响 |
| 5.8 本章小结 |
| 第六章 结论与创新点 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 创新点 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文与申请专利 |
（7）钛酸钡基陶瓷的低温制备与掺杂改性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 MLCC简介 |
| 1.1.1 MLCC结构及原理 |
| 1.1.2 MLCC制备工艺 |
| 1.1.3 MLCC分类 |
| 1.1.4 MLCC在电子技术中的应用 |
| 1.1.5 MLCC在高技术军用电子设备中的应用 |
| 1.2 MLCC的研究现状 |
| 1.2.1 铅基驰豫铁电体系统 |
| 1.2.2 钨青铜结构铁电系统 |
| 1.2.3 钛酸钡基铁电系统 |
| 1.3 MLCC发展趋势 |
| 1.3.1 小型化、集成化 |
| 1.3.2 片式高压系列化、大功率化 |
| 1.3.3 低成本化-贱金属内电极MLCC |
| 1.3.4 高频化、低压大容量化 |
| 1.3.5 宽温化、耐焊接 |
| 1.3.6 无铅化、环保型 |
| 1.4 本论文的选题依据和研究内容 |
| 第二章 理论基础 |
| 2.1 BaTiO_3结构特点及性能 |
| 2.1.1 BaTiO_3的晶体结构 |
| 2.1.2 BaTiO_3的电畴结构 |
| 2.1.3 BaTiO_3的介电温度特性 |
| 2.2 钛酸钡陶瓷的改性机理 |
| 2.2.1 BaTiO_3的壳-芯结构 |
| 2.2.2 尺寸效应 |
| 2.2.3 移动效应 |
| 2.2.4 展宽效应 |
| 2.2.5 四方率效应 |
| 第三章 实验过程及分析测试方法 |
| 3.1 实验所采用的主要原料 |
| 3.2 实验所用设备 |
| 3.3 样品制备 |
| 3.4 样品的测试分析 |
| 3.4.1 微观结构分析 |
| 3.4.2 介电性能测试 |
| 第四章 CaBi_4Ti_40_(15)掺杂BaTiO_3介电陶瓷的制备及性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 CaBi_4Ti_40_(15)掺杂对BT微观结构和性能的影响 |
| 4.2.1 样品制备 |
| 4.2.2 烧结温度对BT介电性能的影响 |
| 4.2.3 CBT掺杂对BT晶体结构的影响 |
| 4.2.4 CBT掺杂对BT烧结特性的影响 |
| 4.2.5 CBT掺杂对BT介电性能的影响 |
| 4.3 稀土掺杂对BT-CBT微观结构和介电性能的影响 |
| 4.3.1 样品制备 |
| 4.3.2 稀土掺杂对BT-CBT晶体结构的影响 |
| 4.3.3 La2O_3和Ce0_2掺杂对BT-CBT烧结特性的影响 |
| 4.3.4 La2O_3和Ce0_2掺杂对BT-CBT介电性能的影响 |
| 4.3.5 烧结温度对稀土掺杂BT-CBT系统介电性能的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 Bi_4Ti_30_(12)掺杂BaTiO_3介电陶瓷的制备及性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Bi_4Ti_30_(12)掺杂对BT微观结构和介电性能的影响 |
| 5.2.1 样品制备 |
| 5.2.2 BIT掺杂对BT烧结特性的影响 |
| 5.2.3 BIT掺杂对BT晶体结构的影响 |
| 5.2.4 BIT掺杂对BT微观形貌的影响 |
| 5.2.5 BIT掺杂对BT介电性能的影响 |
| 5.3 CBS掺杂对BT-BIT微观结构和介电性能的影响 |
| 5.3.1 样品制备 |
| 5.3.2 烧结温度对BT-BIT介电性能的影响 |
| 5.3.3 CBS掺杂对BT-BIT微观形貌的影响 |
| 5.3.4 CBS掺杂对BT-BIT介电性能的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 Bi_4Ti_30_(12)掺杂BT-Nb_20_5-ZnO介电陶瓷的制备及性能研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 BIT掺杂对BaTiO_3-Nb_20_5-ZnO体系微结构和介电性能的影响 |
| 6.2.1 样品制备 |
| 6.2.2 BIT掺杂对BTNZ晶体结构的影响 |
| 6.2.3 BIT掺杂对BTNZ烧结特性的影响 |
| 6.2.4 BIT掺杂对BTNZ微观形貌的影响 |
| 6.2.5 BIT掺杂对BTNZ介电性能的影响 |
| 6.2.6 烧结温度对BTNZ系统介电性能的影响 |
| 6.3 CBS掺杂对BTNZ-BIT微观结构和性能和影响 |
| 6.3.1 样品制备 |
| 6.3.2 CBS掺杂对BTNZ-BIT显微结构的影响 |
| 6.3.3 CBS掺杂对BTNZ-BIT介电性能的影响 |
| 6.3.4 烧结温度对BTNZ-BIT介电性能的影响 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 总结 |
| 7.1 论文主要结果 |
| 7.2 论文创新点 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者在攻读硕士期间主要研究成果 |
（8）超高温BaTiO3复合材料铁电机理研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 功能陶瓷材料 |
| 1.2 片式多层陶瓷电容器 |
| 1.2.1 片式多层陶瓷电容器简介 |
| 1.2.2 MLCC 的发展趋势 |
| 1.2.3 高介电常数MLCC 分类 |
| 1.3 课题研究内容和目的 |
| 1.3.1 国内外发展概况 |
| 1.3.2 选题内容 |
| 第二章 BaTiO_3的微观结构与改性机理 |
| 2.1 BaTiO_3 微观结构 |
| 2.1.1 BaTiO_3 的晶体结构 |
| 2.1.2 钛酸钡晶体的铁电畴 |
| 2.2 BaTiO_3 陶瓷的介电性能 |
| 2.3 钛酸钡的核-壳结构 |
| 2.4 钛酸钡陶瓷的改性机理 |
| 2.4.1 细晶理论 |
| 2.4.2 移动效应 |
| 2.4.3 相变扩散效应 |
| 2.4.4 展宽效应 |
| 2.4.5 掺杂离子改性效应 |
| 2.5 软模理论 |
| 第三章 介质陶瓷材料的试验工艺及测试 |
| 3.1 介质陶瓷试验工艺过程 |
| 3.2 测试与分析 |
| 3.2.1 测试仪器 |
| 3.2.2 样品的参数测定 |
| 3.2.3 介质陶瓷的微观分析 |
| 第四章 X7R 钛酸钡陶瓷掺杂改性机理研究 |
| 4.1 Co_2O_3 及Nb_2O_5 掺杂改性机理 |
| 4.1.1 Co_2O_3 掺杂改性机理 |
| 4.1.2 Nb_2O_5 掺杂改性机理 |
| 4.1.3 不同Nb/Co 比掺杂改性机理 |
| 4.2 MgO 掺杂改性机理 |
| 4.3 稀土元素Ce 掺杂改性机理 |
| 4.4 稀土元素Sm 掺杂改性机理 |
| 4.5 MnCO_3 对X7R 钛酸钡陶瓷掺杂改性机理 |
| 4.6 小结 |
| 第五章 X8R 钛酸钡陶瓷掺杂改性机理研究 |
| 5.1 Pb(Ti,Sn)O_3 掺杂改性机理 |
| 5.1.1 Pb(Ti,Sn)O_3 固溶体 |
| 5.1.2 Pb(Ti,Sn)O_3 对温度稳定型X8R 钛酸钡陶瓷掺杂改性机理 |
| 5.1.3 Pb(Ti,Sn)O_3 对高介X8R 钛酸钡陶瓷掺杂改性机理 |
| 5.2 中温烧结X8R 钛酸钡陶瓷掺杂改性机理 |
| 5.2.1 Bi_2O_3 掺杂改性机理 |
| 5.2.2 10＃玻璃掺杂改性机理 |
| 5.2.3 Nb、Co 热处理掺杂改性机理 |
| 5.2.4 MnCO_3 对X8R 钛酸钡陶瓷掺杂改性机理 |
| 5.2.5 BaTiO_3 预烧温度对钛酸钡陶瓷介电性能的影响 |
| 5.3 小结 |
| 第六章 纳米BaTiO_3对X8R 陶瓷掺杂改性机理研究 |
| 6.1 纳米材料的性质 |
| 6.2 纳米钛酸钡粉料的制备 |
| 6.3 纳米BaTiO_3 对X8R 陶瓷掺杂改性机理 |
| 第七章 合成BaTiO_3对X9R 陶瓷掺杂改性机理研究 |
| 第八章 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
（9）纳米粒子及其掺杂钛酸钡基介电陶瓷的制备与表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 BaTiO_3超细粉体以及其它无机物纳米粒子的制备方法 |
| 1.1.1 共沉淀法 |
| 1.1.2 水热法 |
| 1.1.3 微乳液法 |
| 1.1.4 低温直接合成法 |
| 1.1.5 低温燃烧合成法 |
| 1.1.6 溶胶-凝胶法 |
| 1.1.7 模板法 |
| 1.1.8 微乳液-溶剂热法 |
| 1.1.9 两相法 |
| 1.1.10 LSS法 |
| 1.2 温度稳定型BaTiO_3基陶瓷材料的研究概况 |
| 1.2.1 掺杂改性 |
| 1.2.2 "芯-壳"结构法 |
| 1.3 提高X7R陶瓷介电常数的主要方法 |
| 1.3.1 晶粒"尺寸效应" |
| 1.3.2 纳米金属掺杂 |
| 1.4 选题的思路和研究内容 |
| 第二章 单分散纳米粒子的制备与表征 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 试剂与仪器 |
| 2.2.2 制备 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 单分散纳米TiO_2的相组成和微观形貌 |
| 2.3.2 单分散纳米ZrO_2和Cu的相组成和微观形貌 |
| 2.3.3 单分散纳米粒子的红外分析和形成机理探讨 |
| 2.3.4 水热法合成Nd(OH)_3纳米线和Co_3O_4纳米立方体的相组成和微观形貌 |
| 2.3.5 沉淀法合成纳米Nb_2O_5相组成和微观形貌 |
| 2.4 结论 |
| 第三章 油酸对偏钛酸共沉淀法制备钛酸钡粉体和陶瓷的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 试剂及仪器 |
| 3.2.2 制备 |
| 3.3 结果和讨论 |
| 3.3.1 BaTiO_6粉体的热分析 |
| 3.3.2 BaTiO_6粉体的红外分析 |
| 3.3.3 热处理温度对粉体相组成的影响 |
| 3.3.4 OA用量对BaTiO_3粉体的相组成和微观形貌的影响 |
| 3.3.5 BaTiO_3陶瓷的相组成、微观形貌和介电性能 |
| 3.4 结论 |
| 第四章 纳米Nd(OH)_3和Co_3O_4掺杂BaTiO_3基介电陶瓷的制备与表征 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 试剂及仪器 |
| 4.2.2 制备 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 反应模板生长法合成掺钕BaTiO_3纳米粉体以及Sol-Gel法合成BaTiO_3纳米粉体的相组成和微观形貌 |
| 4.3.2 纳米Nd(OH)_3掺杂BaTiO_3陶瓷的相组成、微观形貌和介电性能 |
| 4.3.3 纳米Co_3O_4掺杂BaTiO_3陶瓷的相组成、微观形貌和介电性能 |
| 4.4 结论 |
| 第五章 纳米Nb_2O_5及其与纳米Nd(OH)_3、Co_3O_4复合掺杂BaTiO_3基介电陶瓷的制备与表征 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 试剂及仪器 |
| 5.2.2 制备 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 纳米Nb_2O_5掺杂BaTiO_3陶瓷的相组成、微观形貌和介电性能 |
| 5.3.2 纳米Nd(OH)_3、Co_3O_4和Nb_2O_5复合掺杂BaTiO_3基陶瓷的微观形貌和介电性能 |
| 5.4 结论 |
| 第六章 结论与进一步需开展的工作 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 需进一步开展的工作 |
| 参考文献 |
| 硕士期间已发表的论文情况 |
| 致谢 |
（10）高价B位掺杂钛酸钡基陶瓷的合成及其介电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 钛酸钡纳米粉体的制备方法 |
| 1.1.1 共沉淀法 |
| 1.1.2 水热法 |
| 1.1.3 液相包裹法 |
| 1.1.4 水热电化学法 |
| 1.1.5 低温直接合成法 |
| 1.1.6 微乳液-溶剂热法 |
| 1.1.7 溶胶-凝胶法 |
| 1.1.8 溶胶-自蔓延法 |
| 1.2 钛酸钡基陶瓷的掺杂改性研究 |
| 1.2.1 BaTiO_3的A位掺杂改性 |
| 1.2.2 BaTiO_3的B位掺杂改性 |
| 1.2.3 稀土掺杂的研究 |
| 1.2.4 助烧剂的研究 |
| 1.2.5 复相陶瓷法 |
| 1.3 "尺寸效应" |
| 1.4 选题思路和研究内容 |
| 第二章 掺铌钛酸钡粉体及其陶瓷的制备和表征 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 试剂及仪器 |
| 2.2.2 掺铌钛酸钡粉体及其陶瓷的制备 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 掺铌量对钛酸钡粉体相组成和微观形貌的影响 |
| 2.3.2 掺铌量对钛酸钡陶瓷相组成和微观形貌的影响 |
| 2.3.3 烧结温度对掺铌钛酸钡陶瓷微观形貌及介电性能的影响 |
| 2.3.4 掺铌量对钛酸钡陶瓷介电性能的影响 |
| 2.3.5 不同制备方法对掺铌钛酸钡陶瓷的影响 |
| 2.4 结论 |
| 第三章 油酸辅助掺银钛酸钡粉体及陶瓷的制备和表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 试剂及仪器 |
| 3.2.2 制备 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 掺银的钛酸钡干凝胶的热分析 |
| 3.3.2 掺银的钛酸钡干凝胶红外分析 |
| 3.3.3 油酸用量对掺银的钛酸钡粉体相组成和微观形貌的影响 |
| 3.3.4 掺银的钛酸钡陶瓷的相组成、微观形貌和介电性能 |
| 3.3.5 钛钡比对掺银的钛酸钡陶瓷介电性能的影响 |
| 3.4 结论 |
| 第四章 B位掺锡钛酸钡粉体及其陶瓷的制备和表征 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 试剂及仪器 |
| 4.2.2 掺锡钛酸钡粉体及陶瓷制备 |
| 4.2.3 复相掺锡钛酸钡陶瓷的制备 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 掺锡钛酸钡干凝胶的热分析 |
| 4.3.2 掺锡钛酸钡干凝胶的红外分析 |
| 4.3.3 掺锡量对钛酸钡粉体的相组成及其微结构的影响 |
| 4.3.4 掺锡钛酸钡陶瓷的相组成及其微结构的影响 |
| 4.3.5 掺锡钛酸钡陶瓷的介电性能 |
| 4.3.6 复相掺杂对钛酸钡陶瓷介电性能的影响 |
| 4.4 结论 |
| 第五章 B位复合掺杂钛酸钡基陶瓷的合成及其介电性能的探讨 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 试剂及仪器 |
| 5.2.2 制备 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 掺钇对钛酸钡基陶瓷的影响 |
| 5.3.2 掺锡对钛酸钡基陶瓷的影响 |
| 5.3.3 掺锆对钛酸钡基陶瓷的影响 |
| 5.4 结论 |
| 第六章 结论与进一步需展开的工作 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望及需进一步开展的工作 |
| 参考文献 |
| 硕士期间已发表的文章、申请专利及获奖情况 |
| 致谢 |
四、亚微米BaTiO_3 X7R MLC细晶陶瓷介质材料的介电性能研究（论文参考文献）
- [1]低温烧结热稳定BaTiO3基陶瓷介质材料研究[D]. 张宝林. 天津大学, 2013(12)
- [2]钛酸钡基芯/壳结构粉体的液相法制备及其高介高稳定性研究[D]. 王静. 华中科技大学, 2013(10)
- [3]金属表面微/纳米薄膜的水热法制备及其摩擦学性能的研究[D]. 王银虎. 青岛理工大学, 2012(S1)
- [4]中温烧结BaTiO3基热稳定陶瓷铁电机理与中试生产研究[D]. 高顺起. 天津大学, 2012(05)
- [5]中温烧结无铅X8R陶瓷的研究[D]. 李世春. 天津大学, 2012(08)
- [6]水热合成钛酸钡粉体的颗粒特征及陶瓷性能研究[D]. 李俊倩. 济南大学, 2011(10)
- [7]钛酸钡基陶瓷的低温制备与掺杂改性研究[D]. 王丽娜. 桂林电子科技大学, 2011(04)
- [8]超高温BaTiO3复合材料铁电机理研究[D]. 王爽. 天津大学, 2010(11)
- [9]纳米粒子及其掺杂钛酸钡基介电陶瓷的制备与表征[D]. 成海鸥. 西北大学, 2008(09)
- [10]高价B位掺杂钛酸钡基陶瓷的合成及其介电性能研究[D]. 程花蕾. 西北大学, 2008(09)