一、三洋电机制成615nm的橙光半导体激光器（论文文献综述）
张喜生[1]（2017）在《高效晶硅异质结与钙钛矿太阳电池的制备及性能优化研究》文中研究指明硅基异质结和钙钛矿太阳电池及二者的叠层电池分别作为第一代与第三代太阳电池中的佼佼者,由于其高效率和低成本优势,近几年吸引和激发研究者们的广泛关注和研究兴趣。本论文针对太阳电池光吸收和载流子收集,从降低寄生吸收和减少界面复合两方面提高电池对光的利用率,分别对这两种类型的太阳电池展开研究。第一部分是针对a-Si/c-Si异质结（SHJ）太阳电池表面复合和寄生吸收开展研究,通过优化硅片表面织构和非晶硅薄膜的质量提高钝化后硅片的少子寿命,通过提高窗口层带隙和优化ITO薄膜载流子浓度和迁移率来降低电池的寄生吸收损失,获得了高效率SHJ太阳电池;第二部分针对传统正式结构PEDOT:PSS/c-Si异质结太阳电池（HSC）效率低,PEDOT:PSS寄生吸收损失展开研究,将SHJ表面和场钝化技术应用到该电池中,同时采用反式结构,进一步提高其电池效率;第三部分针对传统MAPbI3钙钛矿太阳电池内部及表/界面缺陷这一问题开展研究,采用石墨炔量子点可以对电池界面及内部进行修饰,降低载流子的复合损失,提高光利用效率和电池性能;最后一部分探索将全无机CsPbX3（X=C1,Br,I）钙钛矿量子点材料应用到太阳电池中,提高钙钛矿材料电池稳定性和效率。本论文的工作为进一步发展高效晶体硅异质结电池,高效稳定钙钛矿电池,及二者叠层电池奠定了基础。主要研究成果如下:I.将单晶硅片表面金字塔织构后,利用磁控溅射的方法,沉积本征和掺杂氢化非晶硅薄膜和ITO薄膜。利用微波瞬态光电导衰减法和傅里叶红外吸收光谱技术,研究本征非晶硅薄膜性质对单晶硅表面钝化的影响。通过优化非晶硅薄膜沉积温度、沉积功率、沉积气压的和氢稀释度等工艺参数,钝化后硅片少子寿命可以达到3ms,晶硅和非晶硅异质结界面复合速率降至2 cm/s。随后通过透射谱和霍尔效应仪测量,分别研究了窗口层p-a-Si薄膜的带隙及透过率和ITO薄膜的载流子浓度和迁移率及电阻率对SHJ太阳电池性能的影响。采用p-a-SiC薄膜作为窗口层及优化后ITO作为导电薄膜,有效降低了二者在SHJ电池中的寄生吸收,提高了紫外和近红外区电池的外量子效率（EQE）,积分得到电池短路电流密度达到40.5 mA/cm2。优化后SHJ太阳电池,效率达到21.28%。II.研究了表面及场钝化和窗口层寄生吸收对PEDOT:PSS/c-Si异质结太阳电池性能的影响。研究结果表明,PEDOT:PSS在600-1100 nm波长范围内有强烈的寄生吸收。采用反式结构,同时结合SHJ电池中背表面及场钝化技术,有效提高了电池在600-1100 nm波长范围的量子效率,短路电流密度由29.7 mA/cm2提高到36.2 mA/cm2,电池效率提高到16.1%。Ⅲ.采用石墨炔量子点对MAPbI3钙钛矿电池结构中吸收层内部和各层表/界面进行修饰,降低电池缺陷态密度,提高载流子传输,有效提高电池性能。研究结果表明:石墨炔量子点对TiO2表面修饰,在其表面制备的钙钛矿薄膜颗粒的晶粒尺寸变大,提高了短路电流密度和填充因子。石墨炔量子点对各个界面层修饰可钝化缺陷,降低了载流子复合损失。掺杂石墨炔量子点的Spiro-OMeTAD薄膜,电阻率降低,膜表面孔洞变少,同时由于疏水性变好,太阳电池稳定性提高。石墨炔量子点掺杂的钙钛矿薄膜,晶粒尺寸变大,载流子的传输电阻显着降低,载流子的寿命提高。通过综合修饰,较未修饰参比电池,电池效率从17.17%提高到 19.89%,增加了 15%。Ⅳ.采用热注入法制备了全无机CsPbCl3:Mn、CsPbBr3和CsPbI3钙钛矿量子点,并研究了它们在太阳电池中的应用。首先,研究了 CsPbCl3:Mn钙钛矿量子点的紫外向可见的下转换发光性质,并将其薄膜应用到传统MAPbI3钙钛矿太阳电池表面,有效提高了电池性能和稳定性。其次,在常温大气环境下,采用NH4SCN乙酸乙酯溶液对CsPbBr3量子点薄膜进行处理,得到了均匀、致密、大晶粒的CsPbBr3-CsPb2Br5复合薄膜,将其作为吸收层应用到太阳电池中,电池效率提高到了 6.81%,具有优异的稳定性。最后,通过在大气环境条件下（30%RH和25℃）长时间放置,并在不同温度下退火,研究了立方相CsPbI3（α-CsPbI3）量子点薄膜的稳定性,并将其应用到太阳电池中,目前效率达到5.87%,这部分研究正在继续。
吴思聪[2]（2017）在《荧光硅纳米颗粒的仿生制备、自组装及其生物成像的应用》文中进行了进一步梳理荧光硅纳米颗粒（silicon nanoparticles,简称SiNPs）作为重要的零维硅纳米结构,由于其良好的生物相容性和独特的光学性能,得到了科学家的广泛关注。值得指出的是,在已报道的荧光硅纳米颗粒的合成方法中,所使用的硅源（比如硅片、有机硅小分子等）或昂贵,或有毒,或易燃,有些还需加入腐蚀性的化学试剂（比如氢氟酸、硝酸、戊二酸等）配成反应前驱体,会造成潜在的环境污染,限制了荧光硅纳米颗粒的推广应用。针对上述问题,本文主要发展了一种绿色、便捷的仿生合成方法,成功制备得到具有良好荧光强度的小尺寸（直径:～3.8 nm）水分散性荧光硅纳米颗粒。在此基础上,进一步将所制备得到的硅纳米颗粒作为生物荧光探针,用于细胞水平和活体水平的生物成像应用研究。另一方面,我们还以硅藻为模板,探索了多色荧光硅纳米颗粒的自组装。本论文的研究内容主要包括:第一章:对荧光硅纳米颗粒的研究进展进行简要的概述,对硅藻进行简单的介绍,并阐明本论文的立题依据和主要研究内容。第二章:发展了一种荧光硅纳米颗粒的仿生合成方法。研究结果表明,该方法具有简单、快捷、廉价、环保等优点,以硅藻作为反应前驱体,仅需通过10 min的微波反应就可得到小尺寸、强荧光（荧光量子效率:～15%-20%）的水分散性荧光硅纳米颗粒,产率约为40%。所制备得的荧光硅纳米颗粒尺寸均一、结晶度高,且具有较窄的荧光光谱半峰宽（～30nm）。进一步研究发现,通过调节反应条件可改变荧光硅纳米颗粒的发射波长,在120 ℃-10 min的反应条件下,可制得红色荧光硅纳米颗粒（最大发射波长:620nm,粒径:3.8±0.8nm,水动力学直径:～6.5 nm）;在160 ℃-4h的反应条件下,可制得蓝色荧光硅纳米颗粒（最大发射波长:450nn,粒径:2.1±1.0nm,水动力学直径:～4.2nm）。本研究为水分散性荧光硅纳米颗粒的“绿色”制备提供了新思路。第三章:通过对仿生合成法制备得到的荧光硅纳米颗粒进行一系列表征,证明其除了具有强荧光、高结晶性、窄半峰宽外,还表现出优异的水分散性、pH稳定性（pH值的范围:5-12）、低细胞毒性（癌细胞与其共孵育48 h后仍保留超过90%的细胞活性）。利用上述优点,使用仿生合成法制备的荧光硅纳米颗粒作为荧光探针,成功对癌细胞的细胞核和细胞微管、线虫的生殖系统和消化系统进行了双色标记。该部分工作初步实现了荧光硅纳米颗粒在细胞水平和活体水平的双色荧光成像,为荧光硅纳米颗粒用于多色生物成像提供了宝贵信息。第四章:初步探究了多色荧光硅纳米颗粒的自组装行为--以硅藻为模板,将荧光硅纳米颗粒通过自组装形成三维立体结构。该方法可分别将蓝色（最大发射波长:450nm;吸收波长:315nm）、绿色（最大发射波长:510nm;吸收波长:345 nm）和黄色（最大发射波长:570 nm;吸收波长:365 nm）发光的荧光硅纳米颗粒进行自组装,得到具有不同发光颜色的自组装结构。该部分工作为进一步探索荧光硅纳米颗粒的自组装提供了有用的信息。综上所述,本硕士论文发展了一种新颖的荧光硅纳米颗粒的仿生制备策略,证明了用该法制备得的荧光硅纳米颗粒具有优异的光学性质和良好的生物相容性,实现了荧光硅纳米颗粒在细胞层面和活体层面的双色荧光成像,并初步探索了多色荧光硅纳米颗粒的自组装行为。上述基础研究对丰富荧光硅纳米颗粒的绿色合成策略,对发展基于荧光硅纳米颗粒的多色生物成像和三维自组装具有较为重要的科学意义。
林秀华[3]（1994）在《发光二极管及其芯片研究和生产进展》文中研究说明Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体是制作显示器件的重要材料。随着制作工艺日趋成熟，发光二极管已广泛应用于国民经济各部门。文章主要介绍日本及中华台北的发光二极管的结构、特性。
思源[4]（1993）在《振荡波长615nm和635nm的AlGaInP半导体激光器》文中研究指明 三洋电机公司92年8月研制成世界振荡波长最短（615nm）的橙光AlGaInP半导体激光器（图1）,光输出3mW。现在,阈值电流较高,为165mA,为付诸实用,需进一步降低到
张抚安[5]（1993）在《三洋电机制成615nm的橙光半导体激光器》文中研究表明 三洋电机公司研制成振荡波长615nm,为产业界最短波长的橙光半导体激光器。该激光器的开发是在倾斜基片上采用高质量晶体生长技术,目标是1993年中付诸实用。据称,这次开发的激光器适合用作光盘、激光打印机、条形码读出器等的光源。开发的激光器是在倾斜基片上运用公司独有的高质量晶体生长技术,使铝-镓-铟-磷应变多重量子阱活性层均匀化,从而使发光效率比以前大幅度提高。该激光器的振荡阈值也达到165mA最低值,温度条件为25℃。在此之前,在22℃的温度条件下橙光半导体激光器在产业界的最短波长为625nm。
田志仁[6]（1981）在《新型显示器件发展近况》文中指出 （一）引言七十年代以来,显示器件的研究非常活跃,学术交流会议频繁,信息显示学会（SID）每年召开国际会议,出版一份会议报告摘要,IEEE与SID两年合办一次显示会议,IEEE Trans,的电子器件分组每2年出一次显示器件专刊,日本《电子材料》等杂志也是2年出一次显示器件专刊,其他如国际电子器件会议、电子材料会议和各种期刊也发表许多显示器件的文献,可以说显示器件是七十年代文献最多的电子器件类别之一.
二、三洋电机制成615nm的橙光半导体激光器（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、三洋电机制成615nm的橙光半导体激光器（论文提纲范文）
（1）高效晶硅异质结与钙钛矿太阳电池的制备及性能优化研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 太阳能资源 |
| 1.2 太阳电池 |
| 1.2.1 太阳电池的发展历程 |
| 1.2.2 太阳电池的工作原理 |
| 1.2.3 太阳电池的性能参数 |
| 1.3 硅基异质结(SHJ)太阳电池 |
| 1.3.1 a-Si/c-Si异质结(SHJ)太阳电池的结构 |
| 1.3.2 a-Si/c-Si异质结(SHJ)太阳电池的优点 |
| 1.3.3 SHJ太阳电池的发展历程 |
| 1.3.4 获得高效率SHJ太阳电池的方法 |
| 1.4 钙钛矿材料及其太阳电池 |
| 1.4.1 钙钛矿材料简介 |
| 1.4.2 钙钛矿太阳电池的发展历程 |
| 1.4.3 钙钛矿太阳电池的结构及工作原理 |
| 1.4.4 钙钛矿太阳电池的制备方法 |
| 1.5 本论文的工作设计与研究内容 |
| 第2章 硅基异质结与钙钛矿太阳电池的制备与表征设备 |
| 2.1 SHJ太阳电池,钙钛矿薄膜和量子点制备设备 |
| 2.1.1 晶体硅基异质结制备设备 |
| 2.1.2 钙钛矿薄膜和量子点的制备设备 |
| 2.2 SHJ太阳电池,钙钛矿薄膜和量子点的表征设备 |
| 第3章 a-Si/c-Si异质结太阳电池制备与性能优化研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 材料介绍 |
| 3.2.2 SHJ太阳电池的结构及制作流程 |
| 3.2.3 a-Si:H/c-Si界面和太阳电池的表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 制绒和清洗后单晶硅表面织构表征 |
| 3.3.2 a-Si/c-Si界面性能的研究 |
| 3.3.3 发射层p型非晶硅和ITO透明导电薄膜的寄生吸收研究 |
| 3.3.4 优化后SHJ太阳电池的光伏性能 |
| 3.4 本章总结 |
| 第4章 PEDOT:PSS/c-Si太阳电池制备及性能优化研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 PEDOT:PSS/c-Si异质结太阳电池的结构及制作流程 |
| 4.2.2 PEDOT:PSS/c-Si界面和太阳电池的表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 PEDOT:PSS/c-Si界面的优化 |
| 4.3.2 PEDOT:PSS/c-Si太阳电池的光伏性能研究 |
| 4.4 本章总结 |
| 第5章 石墨炔量子点对MAPbI_3钙钛矿太阳电池的优化 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 材料介绍 |
| 5.2.2 TiO_2致密层的制备 |
| 5.2.3 溶液法制备CH_3NH_3PbI_3钙钛矿薄膜及电池的组装 |
| 5.2.4 石墨炔量子点修饰钙钛矿电池工艺 |
| 5.2.5 电池的表征 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 石墨炔块体及量子点的表征 |
| 5.3.2 石墨炔量子点修饰提高钙钛矿电池的光伏性能 |
| 5.4 本章总结 |
| 第6章 全无机CsPbX_3钙钛矿量子点制备及应用研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.2.1 材料介绍 |
| 6.2.2 全无机钙钛矿量子点的合成 |
| 6.2.3 量子点薄膜光电器件的制备工艺 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 CsPbCl_3:Mn量子点薄膜的制备及应用研究 |
| 6.3.2 CsPbBr_3量子点薄膜制备及应用研究 |
| 6.3.3 CsPbI_3量子点薄膜稳定性及应用研究 |
| 6.4 本章总结 |
| 第7章 总结与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间的科研成果 |
（2）荧光硅纳米颗粒的仿生制备、自组装及其生物成像的应用（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1 概述 |
| 2 荧光硅纳米颗粒的发展 |
| 2.1 荧光硅纳米颗粒的特性 |
| 2.2 荧光硅纳米颗粒的制备方法 |
| 3 硅藻的简介 |
| 4 总结 |
| 5 立题的依据、意义及主要研究内容 |
| 5.1 立题的依据、意义 |
| 5.2 本课题的研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 荧光硅纳米颗粒的仿生制备 |
| 1 概述 |
| 2 实验部分 |
| 2.1 实验试剂 |
| 2.2 实验步骤 |
| 2.3 仪器与表征 |
| 3 结果与讨论 |
| 3.1 荧光硅纳米颗粒的形貌分析 |
| 3.2 荧光硅纳米颗粒的成分分析 |
| 3.3 荧光硅纳米颗粒的光学性质分析 |
| 3.4 荧光硅纳米颗粒的反应机理研究 |
| 3.5 不同种类的硅藻对制备荧光硅纳米颗粒的影响 |
| 3.6 反应温度和时间对制备荧光硅纳米颗粒的影响 |
| 4 总结 |
| 参考文献 |
| 第三章 仿生制备的荧光硅纳米颗粒在生物成像方面的应用 |
| 1 概述 |
| 2 实验部分 |
| 2.1 实验试剂与表征仪器 |
| 2.2 实验步骤 |
| 3 结果与讨论 |
| 3.1 荧光硅纳米颗粒的水分散性分析及原理研究 |
| 3.2 荧光硅纳米颗粒的生物安全性分析 |
| 3.3 荧光硅纳米颗粒的pH稳定性 |
| 3.4 荧光硅纳米颗粒在细胞层面和活体层面的双色成像 |
| 4 总结 |
| 参考文献 |
| 第四章 以硅藻为模板的荧光硅纳米颗粒自组装 |
| 1 概述 |
| 2 实验部分 |
| 2.1 实验试剂 |
| 2.2 实验步骤 |
| 2.3 仪器与表征 |
| 3 结果与讨论 |
| 3.1 多色荧光硅纳米颗粒自组装机理的研究与推测 |
| 3.2 多色荧光硅纳米颗粒的自组装结构及成分的分析 |
| 3.3 多色荧光硅纳米颗粒的自组装前后光学性质的测定与分析 |
| 3.4 多色荧光硅纳米颗粒自组装反应动力学的定性研究 |
| 4 总结 |
| 参考文献 |
| 第五章 总结 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论着、论文 |
| 致谢 |
四、三洋电机制成615nm的橙光半导体激光器（论文参考文献）
- [1]高效晶硅异质结与钙钛矿太阳电池的制备及性能优化研究[D]. 张喜生. 陕西师范大学, 2017(05)
- [2]荧光硅纳米颗粒的仿生制备、自组装及其生物成像的应用[D]. 吴思聪. 苏州大学, 2017(01)
- [3]发光二极管及其芯片研究和生产进展[J]. 林秀华. 半导体光电, 1994(01)
- [4]振荡波长615nm和635nm的AlGaInP半导体激光器[J]. 思源. 激光与光电子学进展, 1993(08)
- [5]三洋电机制成615nm的橙光半导体激光器[J]. 张抚安. 激光与光电子学进展, 1993(01)
- [6]新型显示器件发展近况[J]. 田志仁. 光电子学技术, 1981(01)