一、MOS电路稳定性与可靠性研究（论文文献综述）
高伟,赵璐冰[1]（2021）在《SiC MOSFET功率器件标准研究》文中研究说明本文结合SiC MOSFET国际标准进展,分析了阈值电压漂移、偏压温度不稳定性、体二极管退化测试标准的制定难点;同时,根据国内外产业发展现状、我国技术标准进展,分析了测试设备精度、新型封装、动态可靠性等关键问题与标准制定面临的挑战,并提出了首先定位团体标准制定的工作机制,以期以技术标准的研制支撑产业的市场化发展。
闵球[2]（2021）在《三维封装集成电路中的电热特性分析研究》文中认为随着半导体工艺特征尺寸进入纳米量级,进一步减小晶体管沟道长度越发困难。为了继续提升集成电路性能,半导体产业界一方面通过鳍式场效应管（FinFET）等新型晶体管工艺来继续减小特征尺寸,另一方面则通过三维封装集成（3-D integration）等新型封装技术来减小全局互连长度从而提升电路整体性能。这两方面的技术可能出现在同一种集成电路产品中,本文将其简称为三维封装集成电路（3-D IC）。集成电路的电热性能之间存在相互作用,即电路工作过程中产生的功耗会引起温度上升,温变材料参数的相应改变又反过来影响电性能。在3-D IC中,电路的温度上升更为显着,电热耦合效应对性能的影响更加难以忽略。具体而言,在器件层面,电热耦合效应会通过热载流子注入等机制带来晶体管阈值电压漂移等可靠性问题;在封装层面,电热耦合效应会影响3-D IC中的关键互连结构——硅通孔（TSV）的电热性能,并进一步带来信号完整性、电磁串扰等问题。为了准确预测3-D IC的电热性能以实现精确设计,需要深入研究其中关键结构的电热耦合机理。本文对3-D IC中的硅通孔和FinFET器件分别进行了电热耦合建模与仿真,并对电热性能和可靠性等指标进行了深入分析研究。主要研究内容和成果包括以下几个方面:（一）为快速获取硅通孔阵列中的三维瞬态热分布,本文提出了硅通孔阵列的三维瞬态等效热路模型,该模型考虑了热传递的多方向性、热导率的温变特性,可用于不同热边界条件（恒温、对流）,不同阵列规模大小,不同排列方式的硅通孔阵列的三维瞬态热仿真。与商业软件对比仿真结果表明,在满足毕渥数足够小的前提下,该模型可大幅减少硅通孔阵列的瞬态热仿真时长并且仿真结果精度良好。（二）为探究硅通孔MOS效应的温变特性及其在电热耦合过程中对硅通孔电热性能的影响,本文首先对硅通孔MOS效应的温变特性进行了精细建模,仿真获得的不同温度下的MOS电容值与文献中的测量结果吻合良好。随后基于等效电路和等效热路模型实现了同轴硅通孔的瞬态电热耦合仿真,并提出了利用常见电路求解器进行电热耦合仿真的实现方法。最后通过对比不同情形下的电热耦合仿真结果,本文研究表明MOS效应的温变特性会引起同轴硅通孔S参数的显着变化。（三）为分析FinFET有源器件在电路场景下的电热可靠性,本文以九阶环形振荡器为例,进行版图设计并基于版图构造了电路的三维结构,通过对版图进行电路仿真和对三维结构进行瞬态热传导仿真,获得了整个电路结构的瞬态电热响应。基于上述电热响应,本文成功预测了电路级电热效应作用下FinFET晶体管由热载流子注入机制引起的阈值电压漂移的时变过程,并进一步探究了电路的不同电热参数带来的影响。所得结论对实际电路设计具有较好的指导意义。
方韵[3]（2021）在《基于环形振荡器的CMOS高速高可靠性时钟电路研究》文中指出CMOS环形振荡器因其低功耗、宽调谐范围、小面积且易于重构等优点,被运用于各种集成电路系统中。然而其相位噪声性能和可靠性是制约它被进一步应用的因素。本文主要结合GHz范围射频收发机等应用场景,对环形振荡器及其重构电路从稳定性理论、电路设计技术和系统架构等多个维度开展可靠性关键技术研究。围绕这一主题,本文完成了除二分频器,八相位不交叠时钟发生器和数字控制振荡器这三款时钟产生电路的可靠性分析、设计及实测验证。论文的主要工作和创新点如下:由于现有环形振荡器起振理论存在难以同时准确预测和给予实际参数优化指导的缺点,本文首次针对基于环形振荡器的注入锁定分频器提出了一种新型可靠性理论分析。根据本理论改进的注入锁定分频器获得了锁定范围和可靠起振特性的合理折中。蒙特卡罗仿真验证了该改进电路能够消除传统电路潜在的无法起振的缺陷。该二分频电路实现了4相位正交输出,并在TSMC 0.18μm CMOS工艺下流片验证。电路在不同供电电压和整个工业温度下均能稳定起振,最高锁定范围达147%,消耗的功耗为0.25 mW。本文针对基于环形振荡器的八相位时钟生成器提出了占空比不平衡矫正电路,减轻了其应用于混频器优先接收机时的谐波回叠现象。该电路通过在每两个单元中插入多路选择器,在维持输出频率的同时,减轻了占空比不平衡现象。相关的蒙特卡罗仿真显示该矫正电路不仅矫正了占空比偏差,而且在各种工艺偏差下都可正常工作。这个带不平衡矫正的八相位时钟生成器经过标准GSMC 0.13μm的CMOS工艺下流片验证,最高可在2.5 GHz的频率下工作,1.2 V供电电压下的功耗仅为2.4 mW。本文还针对多波段数字阵列雷达系统这一应用背景,探索了小面积、大带宽、高线性度、高可靠性的数字控制振荡器。得益于负反馈架构,该振荡器对工艺电压温度偏差不敏感。本文还首次提出了针对该电路的线性度校准技术。提出的数字控制振荡器采用了基于电阻阵列的一点校准方案,并在标准SMIC 55 nm的CMOS工艺下流片验证。实测工作范围是1.3至2.5 GHz,调谐范围为64%,总面积仅为0.04 mm2。该振荡器的粗调调谐曲线表现出很高的线性度,INL为4.64 LSB,仅为普通数字控制振荡器的43%。
姜月明[4]（2021）在《DC-DC变换器软故障诊断及参数辨识研究》文中认为DC-DC变换器（Direct current-Direct current converter）作为开关电源的核心部件,普遍地应用在国防、航空等重要领域,出现的故障情况将直接影响整个电源系统运行的可靠性和稳定性。DC-DC变换器的实际运行中,在多重环境应力的作用下,其内部元器件参数将逐渐偏离正常值而引起软故障。在运行初期,参数变化程度较小,软故障特征微弱。随着工作时间增加,参数变化程度逐渐加重,当参数超过失效阈值时将引起DC-DC变换器的严重故障,导致整个电源系统的功能异常甚至崩溃,使得整个装备陷入无法工作的瘫痪状态。因此,本文主要针对DC-DC变换器的元器件参数偏差至失效阈值前引起的软故障,进行及时有效地检测、诊断和参数辨识,为后续电源系统的视情维修和健康管理提供有力依据。本文针对DC-DC变换器的软故障检测、诊断和参数辨识问题展开研究,主要的研究工作包括:（1）针对DC-DC变换器软故障检测中存在的故障阈值难以确定、以及由于故障特征不明显导致的故障检测效果不佳的问题,提出一种基于高斯过程回归的DC-DC变换器软故障检测方法。方法主要利用高斯过程回归合理地预估正常信号包络,该包络区间可根据输出信号的波动和包含的噪声状态自动调整;为减少信号中的局部干扰对软故障检测效果的影响,将正常输出包络区间表示为所包含的正常输出信号对应的统计特征极值的形式,并将获取的极值作为软故障检测的阈值。仿真实验和硬件实验结果表明,本文方法可有效地检测单个或多个元器件引起的软故障,尤其针对元器件参数微弱变化引起的软故障具有更强的检测能力,证明所确定的软故障检测阈值的合理性和实用性。（2）针对DC-DC变换器的软故障诊断效果不佳、诊断模型对故障样本依赖程度高的问题,提出一种基于混叠性度量的软故障诊断方法。首先,基于混叠性度量原则,对于由单个和多个元器件微弱变化引起的关键软故障类型优选敏感特征,从根本上增大正常样本和故障样本的类间距离,以提升由参数微弱变化引起的软故障的诊断效果;然后,为解决故障样本匮乏导致的故障诊断模型不准确的问题,采用单分类的支持向量数据描述方法构建每种关键软故障类型的诊断模型;最后,按照每种关键软故障类型发生概率从高到低的顺序执行各诊断模型,对于各类软故障都可达到较好的故障诊断效果。实验结果表明,所提方法的优势在于有针对性地选取敏感特征,通过与支持向量数据描述的结合获得较好的软故障诊断效果,方法对故障样本依赖性较低且故障诊断率较高,具有良好的实用性。（3）针对已有方法对DC-DC变换器中微弱变化的元器件参数辨识结果不高、输入电压波动时参数辨识效果不佳等问题,提出一种基于树突网络的参数辨识方法。针对不同元器件参数变化情况,提出基于变异系数评估方法优选关键特征,建立基于树突网络的多元器件参数辨识模型,提高元器件参数的辨识精度。考虑到输入电压波动对元器件参数辨识精度的影响,建立基于树突网络的输入电压辨识模型,并将该模型与元器件参数辨识网络模型结合,建立输入电压波动下的多元器件参数辨识网络,实现输入电压波动下的元器件参数辨识。实验结果表明,本文方法对于微弱变化的元器件参数和输入电压波动下的元器件参数都可达到较高的辨识精度。与现存的基于人工智能的参数辨识方法比较,所提方法利用树突网络建立的参数辨识模型具有更强的泛化能力和对数据隐含规律的分析能力,能有效提升参数辨识精度,充分证明本文方法具有较好的可行性和适用性。（4）为全面验证本文提出的面向DC-DC变换器软故障检测、诊断和参数辨识方法在工程应用中的有效性,面向某装备控制板电源电路进行工程验证。首先向DC-DC变换器注入各类软故障,将本文所提的软故障检测、诊断和参数辨识方法分别应用于控制板电源电路的DC-DC变换器,进行硬件实验验证。实验结果表明,本文方法可有效地辨识电源电路中DC-DC变换器出现的各类软故障,具有良好的实用价值。
占红兰[5]（2021）在《SRAM存内计算可靠性研究》文中提出
赵程[6]（2021）在《Cascode结构GaN基HEMT器件功率循环温度可靠性研究》文中研究说明近年来GaN材料器件越来越广泛的应用于电力电子技术与通讯电子技术领域,在电压转换、快速充电、高频通信等领域发挥着重要作用。本文对Cascode结构GaN基HEMT器件进行了功率循环温度可靠性方面的实验和仿真研究。首先,本文针对GaN基HEMT器件的参数可靠性以及封装可靠性进行了广泛的调研分析。确定了影响GaN基HEMT器件内部参数可靠性的主要原因包括钝化层、势垒层、缓冲层以及金属接触层的陷阱效应、逆压电效应、热电子效应等。封装层面的可靠性体现在器件键合线、焊料层、塑封体等方面。本文提出通过功率循环实验来测试器件参数以及封装层面的可靠性问题。其次,本文对于Cascode结构氮化镓HEMT器件的结温测试进行了研究。针对器件内部的两部分管芯热源,通过比较分析,提出了采用复合温敏电参数,排除了与硅MOSFET串联的氮化镓管导通电阻的影响,进而快速精准测量器件结温。经过不同测试方法的对比,采用本文所提出的测试方法结温测试误差在5%范围内,符合功率循环实验的需求。随后,本文讨论了开关功耗负载与导通功耗负载两种负载加热电路。通过分析对比发现,两种负载电路均可以实现相应的升温功能,且各有优劣之处。开关负载电路可以保证每一颗器件的负载功率均为恒定值,导通负载电路相对开关负载电路结构更为简单,对电源要求较低。此外,由于开关负载电路中引入了较多的感性元件,导致整个功率回路的开关响应能力严重下降,负载功率较易达到饱和值。经过综合考虑各个影响因素,本文最终选择导通负载电路作为功率循环测试的负载加热电路。接着,本文对实验样品进行了100℃和150℃两组不同结温差值的功率循环老化测试。通过对比实验前后样品的导通电阻、阈值电压、关态漏电流以及栅极漏电流等参数,以导通电阻作为主要分析对象,选择出在老化实验后退化程度较高的器件进行解封实验。通过COMSOL热力学仿真软件对功率循环过程中引起的器件内部热力分布情况进行模拟,得到在器件的键合线两端焊点处以及键合点的线颈部应力分布最高;封装整体各部件边缘以及尖点处有明显的应力增强分布。且在固定芯片的银胶层两端出现断裂间隙,结合解封显微观察结果与热力学仿真结果,对失效现象进行了相应的解释。最后,本文通过TCAD软件对功率循环变温条件下器件内部的参数变化情况进行了分析。分别讨论了器件同一部位不同的陷阱分布形式、不同部位的陷阱分布浓度在不同温度应力条件下对于器件的导通电阻、跨导、饱和电流、关态漏电水平等参数的影响,并解释了参数退化的原因和机理。
姜玉德[7]（2021）在《4H-SiC JBS二极管的设计与应用研究》文中指出碳化硅（Silicon Carbide,SiC）作为第三代半导体的代表,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子迁移率和高热导率等特性,是制作功率器件的理想材料。相较于传统硅（Silicon,Si）基功率器件,SiC器件可以缓解导通电阻和击穿电压之间的矛盾,满足电力电子系统对高功率密度、高开关频率以及低散热的要求。自2001年首次推出商用SiC二极管至今,SiC器件一直处于高速发展阶段,其中原子排列周期为4层的六方晶格结构碳化硅（4H-SiC）结势垒肖特基（Junction Barrier Schottky,JBS）二极管是目前应用最广泛的SiC器件,具有高开关速度、低导通阻抗、低反向恢复电流等优点,可以显着提高电力电子系统的性能。然而,4H-SiC JBS二极管的击穿电压容易受到终端区域界面电荷的影响,因此二极管的终端结构设计非常重要,并且器件在高温、高压和高湿等应力下出现的电学特性退化现象也亟待解决。基于此,本文对4H-SiC JBS二极管的结构设计、可靠性和应用开发等方面展开理论研究和实验探索,主要研究内容可归纳如下。1.设计了1200 V 4H-SiC JBS二极管的结构并开展了仿真研究。首先,通过理论计算选择了掺杂浓度为8×1015 cm-3、厚度为10μm的外延层;然后,利用Silvaco软件对4H-SiC JBS二极管的正反向特性进行仿真研究,确定了元胞区的最优结构;最后,设计了JBS二极管的两种终端结构,即结终端扩展（Junction Termination Extension,JTE）和场限环（Filed Limiting ring,FLR）。针对这两种终端结构展开了如下研究:1)分析了JTE结构的横向长度、注入剂量与击穿电压之间的关系,并讨论了4H-SiC/SiO2界面电荷对终端电场分布的影响,当电荷密度大于1×1012 cm-2时,器件的击穿电压下降趋势明显;2)分别研究了等间距FLR结构和缓变间距FLR结构,设计参数主要为环间距和环个数,仿真结果表明等间距FLR的终端效率较低。在考虑界面电荷的影响下,确定了24环缓变间距FLR结构,当界面电荷密度在1×1012 cm-2～7×1012 cm-2之间时,该结构的击穿电压保持不变。2.制备了4H-SiC JBS二极管系列样品并分析了其电学输运机制。基于仿真研究结果,优化了高温离子注入、碳膜溅射和欧姆接触等关键工艺条件,对4H-SiC JBS二极管进行了流片测试。基于FLR结构JBS二极管的变温正向电流-电压（I-V）测试结果,详细阐述了4H-SiC JBS二极管随着导通电流增加,正向导通由热发射机制过渡到双极导电机制的过程。通过反向I-V曲线发现,反向电流与温度和电压具有强依赖关系,小偏压下由肖特基效应主导;随着电压的增加,反向漏电由热场发射机制主导。3.开展了4H-SiC JBS二极管的可靠性实验并分析了器件失效原因。针对FLR结构的4H-SiC JBS二极管设计了四种老化实验,以评估器件在高温、高湿、功率负载等条件下的长期可靠性。在浪涌实验中,对二极管施加单次正弦半波的电流脉冲,脉冲宽度为10 ms,发现二极管能承受的最大浪涌电流为115 A。在高温高湿反偏实验中,在对二极管施加600 V偏压的前提下,将其置于高温高湿环境中1000小时,老化结束后发现一颗器件的击穿电压下降到900 V左右,利用扫描电子显微镜、激光光束诱导电阻变化进行失效分析。在间歇寿命（IOL）老化实验中,经过3000次功率循环后,二极管的各项参数保持稳定。在温度循环（TC）实验中,将器件分别置于175℃和-55℃的环境中15分钟,随着循环次数的增加,部分器件的正向压降明显上升,通过反射式扫描声学显微镜发现失效器件出现了严重分层。4.研究了4H-SiC JBS二极管在Boost型功率因数校正（Power Factor Correction,PFC）电路中的应用。相较于传统的Si基快恢复二极管（Fast Recovery Diode,FRD）,4H-SiC JBS二极管可以有效提高PFC电路的性能。利用制备的器件搭建了Boost PFC样机分别对两者进行测试,电路开关频率为50 kHz。测试结果显示,当输出功率为1000 W时,相比于传统的Si FRD,使用SiC JBS的整机效率由97%提升至98.13%;当输出功率从400 W变化到1000 W时,Si FRD的工作温度从36.2℃升至96.6℃,而SiC JBS的温度仅仅从27.8℃升至47.8℃,表明SiC JBS对提升PFC电路的性能具有明显优势。
高嘉泽[8]（2021）在《大电流窄脉宽半导体激光器电源系统研究》文中进行了进一步梳理半导体激光器的优异性能使其在很多领域里得到了广泛应用,尤其在军事、医疗、工业等领域占据着重要席位。随着近些年科技的发展,对半导体激光器的需求日益增多,甚至在日常生活中都能看到它的广泛应用。半导体激光器的优异性能对驱动电路也有着很高的要求,只有驱动电路完全满足它的需求,才能真正发挥半导体激光器的作用。本文在参考了较多厂家以及国内外半导体激光器驱动电路的发展之后,提出了一套改进方案,并在对电路分析改进后,使得实验结果可以达到设计目标要求。论文首先对半导体激光器的特性进行了分析,在对比了几种驱动方式后,选择了脉冲驱动方式。这种驱动方式不仅能够供给幅值较大的注入电流脉冲,而且能更好地符合半导体激光器的特性,输出较大电流幅值的同时拥有较窄的脉冲宽度。这种驱动方式最终所呈现出来的实验结果与高速开关的选择密切相关,在经过对比后决定采用MOSFET器件DE150作为高速开关元件。窄脉宽形成电路则采用了555定时器加74LS123单稳态触发电路,这两个芯片的配合使用可以根据需要改变脉宽,也可以起到对波形进行整形的作用。其次论文围绕着脉冲宽度和脉冲触发周期与放电时间的配合问题,对储能电路进行了分析。针对放电回路的分析集中在如何能进一步增大脉冲电流的幅值和缩短脉冲宽度上,但是通过对激光二极管的特性分析,它的温度特性也是必须满足的条件,因此又设计了PID温度控制电路来确保温度稳定。最后论文进行实验电路的仿真,并在实验结果的基础上对前文提出的设想进行了验证。虽然通过调试储能电容、可变电阻以及取样电阻的参数,使得某些实验结果基本达到设计目标。但是在某些指标上还是不能取得很好的效果,在对驱动电路添加互补对称电路改进后,所得波形变得平滑且缩短了上升沿时间,基本与设计目标符合。并在更改脉宽之后,测得各个脉宽下的脉冲电流,确保在脉宽可以调节的情况下,保证输出电流幅值达到设计目标。实验结果证明,本文所设计的大电流窄脉冲半导体激光器驱动控制方案能够很好地达到设计目标,满足设计要求。
贾梦华[9]（2021）在《3D NAND闪存存储器可靠性研究与系统优化》文中研究指明过去十年间,非易失性存储市场呈现爆发式增长。NAND闪存存储器凭借良好的抗震性能,高集成密度,低廉的市场价格及出色的可靠性表现等诸多优势成为当今非易失性存储领域主流的存储媒介。二维平面（2D）NAND闪存存储器通过不断缩小器件物理尺寸来提高存储密度,然而2D NAND闪存器件尺寸缩小到一定节点时会造成不可控的可靠性隐患,存在技术壁垒。为了解决这个问题,三维立体堆叠（3D）NAND闪存存储架构被逐渐采纳和应用。3D NAND闪存存储器拥有2D NAND闪存无法比拟的技术优势,但是其可靠性退化机制也更加复杂。本文针对电荷俘获型3D NAND闪存存储器的可靠性与存储系统的优化开展了相关研究工作,并提出了对应的解决方案。第一部分为电荷俘获型3D NAND闪存开放块的可靠性研究。开放块是3D NAND闪存使用期间一种特殊场景,它同时包含已编程与未编程字线（Word-Line,WL）。在开放块中,对于一条已编程WL,其下一条WL未编程,本文称之为边缘WL。基于电荷横向扩散机制,开放块边缘WL可靠性表现较差,实测数据表明,在编程操作后立即读与数据保持12小时后读两种情况下,边缘WL的误码率是其他已编程WL的2.6倍和4.0倍之多。结合之前所做的研究工作,我们对边缘WL施加了多次读操作,在数据保持场景下,发现第二次读操作下的数据误码率比第一次平均下降了56.40%,但第二次读操作之后再读取的数据误码率之间没有发生明显下降。于是本文提出了额外读可靠性修复方案,指对开放块边缘WL施加两次读操作。根据额外读操作产生修复作用的原因,我们又对边缘WL的下一条未编程WL,在本文中被称为虚拟WL（Dummy WL,DWL）,施加了编程操作。在数据保持期间,编程操作后的读取错误相对于无任何技术方案下的读取错误平均下降了82.01%。据此本文提出了额外编程修复方案,指对DWL进行编程操作。通过对两种修复方案在闪存控制器纠错码中的译码效率和纠错能力及它们造成的系统开销之间进行折衷,对CT 3D NAND闪存开放块边缘WL的译码流程进行了优化。之后本文研究了开放块额外编程修复方案写入DWL的数据模式对边缘WL后续数据保持特性的影响。通过结果数据得出结论,当DWL写入的数据模式对应阈值电压较高时,边缘WL的数据保持特性较好。第二部分为NAND闪存存储器最佳读电压确定方案的研究。基于CT 3D NAND闪存芯片在数据保持下的错误规律,本文提出了一种新型最佳读电压确定方案。我们对闪存阈值电压分布进行了高斯函数拟合,以便收集不同情况下阈值电压分布的数学参数。通过导入执行该最佳读电压方案的基本参数及高斯分布数学参数,所提方案能够估算最佳读电压位置,并以估算位置与理想最佳读电压位置的偏差作为准确性的判断标准。分析和测试结果表明,本文提出的最佳读电压确定方案相对于传统方案消耗的额外系统开销少并且估算准确性高,能够显着降低读取错误,兼顾存储系统效率和可靠性性能。
李春雨[10]（2021）在《基于故障树分析的弹载测试仪可靠性研究》文中指出现代化武器的发展对弹载电子装备组成部分,如制导单元、控制单元、参数获取单元等提出更加严格的要求。尤其弹载电子系统的可靠性,关系着武器的稳定性和安全性,弹载电子系统的关键组成单元从元件级来看,是由分立元件、集成单元和相应的连接固定组件组成。每一个电子单元元件的选型、焊接以及板级连接共同决定着弹载测试仪的板级可靠性。目前,国内外本领域学者在研究板级可靠性上,从环境温度、环境静态应力、环境动态应力、自然老化、电磁干扰等方面做了诸多试验,可靠性的研究越来越受到军工领域研究人员的重视,因此通过一定科学的方法、理论分析、模拟实验、实弹实验对弹载测试仪电路进行分类可靠性研究,有助于找到薄弱环节,提高系统的可靠性,对建立系统的弹载测试仪可靠性理论和掌握快速的失效修复经验具有重要的意义。本文所做的具体研究如下:（1）弹载测试仪的元件级失效机理研究。先归纳了采用无损分析和破坏分析方法进行失效诊断的措施,给出了基本概念的定义;然后把弹载测试仪电路按照失效模式和失效机理的不同进行划分为LCR贴片元件、半导体集成电路、MEMS、焊点、PCB五个部分,根据失效现象进行失效机理的系统性研究,剖析组件结构、装联方式与系统失效的关系,完善失效准则判定体系。（2）弹载测试仪的可靠性强化实验。借助高低温箱、冲击台、马歇特锤、强磁电机等实验设备模拟高低温、冲击振动、电磁干扰等恶劣环境,重点采用机械应力强化试验对可靠性进行考核,对研制的弹载测试仪电路部分进行多次重复实验和步进实验,找到了环境应力对本系统元件级的可靠性影响因素和系统的薄弱环节,建立了各环境应力和弹载测试仪元件级失效模式之间的关系。（3）弹载测试仪的FTA系统建立。采用下行法寻找导致顶层事件（板级失效）的各基本事件,并根据先验理论和统计规律确定各基本事件的概率分布,并对可靠性进行定性分析和定量分析,依次确定了故障树的最小割集、最小径集、各基本事件的结构重要度、各基本事件的概率重要度、各基本事件的关键重要度。通过从板级系统上建立失效分析逻辑,并对各部分基本失效事件重要度进行评估,可以对薄弱环节进行重点防护。最后,以在侵彻硬目标的过程中失效的弹载记录仪为校验平台,利用本文研究的可靠性模型,较为快速的定位故障,进行修复,读取到了侵彻阶段未失效前的数据,验证了基于故障树模型的弹载测试仪可靠性模型的科学性与实用性。根据系统实验设计的不足,提出了综合可靠性测试的要求,来解决当前单一环境测试的缺陷。
二、MOS电路稳定性与可靠性研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、MOS电路稳定性与可靠性研究（论文提纲范文）
（1）SiC MOSFET功率器件标准研究（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 典型参数测试及国际标准分析 |
| 2.1 阈值电压标准制定分析 |
| 2.2 偏压温度不稳定性标准制定分析 |
| 2.3 体二极管退化标准制定分析 |
| 3 国内外产业进展及我国标准现状 |
| 3.1 Si C电力电子国内外产业进展 |
| 3.2 我国Si C MOSFET标准进展 |
| 4 标准制定相关问题分析 |
| 4.1 测试设备精度 |
| 4.2 新型封装材料与结构 |
| 4.3 应用电路中面临的动态可靠性 |
| 5 结语 |
（2）三维封装集成电路中的电热特性分析研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 部分短语中英文对照 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 三维封装集成电路硅通孔电特性研究 |
| 1.2.2 三维封装集成电路热特性建模研究 |
| 1.2.3 三维封装集成电路硅通孔电—热耦合特性研究 |
| 1.2.4 三维封装集成电路有源器件电热可靠性研究 |
| 1.3 研究内容 |
| 1.3.1 科学问题和技术挑战 |
| 1.3.2 本文研究内容 |
| 1.4 组织结构 |
| 第2章 电热耦合仿真的基本原理与实现方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 电热耦合仿真的基本理论 |
| 2.2.1 耦合仿真原理 |
| 2.2.2 问题特点 |
| 2.2.3 电热耦合的基本方程 |
| 2.2.4 电热耦合的仿真流程 |
| 2.3 基于路分析方法的电热耦合仿真原理和实现方法 |
| 2.3.1 耦合仿真原理 |
| 2.3.2 编程示例和数值求解方法 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 三维封装集成电路的瞬态等效热路建模研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 等效热路建模的基本理论 |
| 3.2.1 等效热路网络的类型 |
| 3.2.2 热阻热容的计算式 |
| 3.3 硅通孔阵列的三维等效热路建模 |
| 3.3.1 硅通孔阵列的三维等效热路网络 |
| 3.3.2 硅通孔单元的热阻热容值计算 |
| 3.3.3 热边界建模 |
| 3.4 模型的验证与分析 |
| 3.4.1 不同热边界条件下的验证 |
| 3.4.2 不同规模硅通孔阵列的验证 |
| 3.4.3 非均匀排列的硅通孔阵列的验证 |
| 3.5 模型的适用性 |
| 3.5.1 适用条件 |
| 3.5.2 适用范围 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 三维封装集成电路的等效电路和等效热路建模与耦合仿真方法研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 同轴硅通孔的等效电路建模与验证 |
| 4.2.1 硅通孔MOS效应温变特性的建模与验证 |
| 4.2.2 等效电路模型中其它电路元件的建模和计算 |
| 4.2.3 等效电路整体模型的仿真验证 |
| 4.3 同轴硅通孔的三维瞬态等效热路建模与仿真验证 |
| 4.3.1 建模过程 |
| 4.3.2 模型验证 |
| 4.4 同轴硅通孔基于等效电路和等效热路模型的电热耦合仿真 |
| 4.4.1 耦合方法 |
| 4.4.2 瞬态电热耦合仿真结果 |
| 4.4.3 MOS效应的温变特性对结果的影响 |
| 4.4.4 周围环境对结果的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 三维封装集成电路有源器件的电热可靠性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 电路场景下电热效应的仿真分析 |
| 5.2.1 环形振荡器的电路仿真 |
| 5.2.2 环形振荡器三维结构的瞬态热传导仿真 |
| 5.3 电路中FinFET晶体管的电热可靠性分析 |
| 5.3.1 阈值电压漂移模型 |
| 5.3.2 阈值电压漂移的仿真预测 |
| 5.3.3 不同电热参数对结果的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论与创新点 |
| 6.2 未来展望 |
| 参考文献 |
| 个人简介 |
（3）基于环形振荡器的CMOS高速高可靠性时钟电路研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 缩写、符号清单、术语表 |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 CMOS振荡器的挑战 |
| 1.3 CMOS振荡器的研究现状 |
| 1.3.1 LC振荡器的研究现状 |
| 1.3.2 环形振荡器的研究现状 |
| 1.4 本文研究内容和目标 |
| 2 高速时钟电路基础 |
| 2.1 振荡器概述 |
| 2.2 振荡器相位噪声模型 |
| 2.2.1 Leeson模型 |
| 2.2.2 Hajimiri模型 |
| 2.3 注入锁定振荡器原理 |
| 2.3.1 Adler方程及Mirzaei一般化方程 |
| 2.3.2 基于ISF的一般化注入锁定分析 |
| 2.4 分频器和多相位时钟产生电路概述 |
| 2.4.1 分频器的相位噪声分析 |
| 2.4.2 基于环形振荡器的分频器 |
| 2.4.3 基于环形振荡器的多相位时钟产生电路 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 高可靠性注入锁定分频器的理论及设计 |
| 3.1 环形振荡器起振条件研究现状 |
| 3.1.1 巴克豪森准则 |
| 3.1.2 割线准则 |
| 3.2 基于环形振荡器的ILFD和对称性破裂的理论背景 |
| 3.3 基于对称性破裂的起振条件判别方法 |
| 3.3.1 传统差分延迟单元的关键对称工作状态 |
| 3.3.2 传统差分延迟单元的扰动分析 |
| 3.3.3 传统差分延迟单元的增益特性分析总结 |
| 3.4 高可靠性ILFD的设计改进方案 |
| 3.4.1 高可靠性差分延迟单元的关键对称工作状态 |
| 3.4.2 高可靠性差分延迟单元的扰动分析 |
| 3.4.3 高可靠性差分延迟单元的增益特性分析总结 |
| 3.5 本起振理论的仿真验证及流片测试结果 |
| 3.5.1 基于蒙特卡洛仿真的验证 |
| 3.5.2 基于实测结果的验证 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 带相位不平衡度矫正的多相位时钟产生电路 |
| 4.1 多相位时钟高平衡度和低抖动的意义 |
| 4.1.1 混频器优先接收机的原理 |
| 4.1.2 非理想的多相位时钟的影响 |
| 4.2 多相位时钟产生器的研究现状 |
| 4.3 带不平衡矫正的八相位不交叠时钟 |
| 4.4 多相位不交叠时钟发生电路的仿真验证及流片测试结果 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 基于环形振荡器的高线性度高可靠性数字控制振荡器 |
| 5.1 振荡器线性度及可靠性意义 |
| 5.2 DCO线性度和可靠性提高的研究现状 |
| 5.3 基于开关电容的DCO线性度提高方案 |
| 5.3.1 基于开关电容的DCO的基本原理 |
| 5.3.2 基于开关电容的DCO的校准方法 |
| 5.4 实际电路实现 |
| 5.5 DCO环路及噪声分析 |
| 5.6 流片测试结果 |
| 5.7 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 本文研究工作总结 |
| 6.2 未来研究工作展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
| 攻读博士学位期间的主要研究成果 |
（4）DC-DC变换器软故障诊断及参数辨识研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 |
| 1.2 DC-DC变换器与软故障来源分析 |
| 1.2.1 DC-DC变换器的分类 |
| 1.2.2 DC-DC变换器软故障来源分析 |
| 1.3 DC-DC变换器故障诊断与辨识研究现状 |
| 1.3.1 DC-DC变换器的故障检测和诊断方法 |
| 1.3.2 DC-DC变换器的参数辨识方法 |
| 1.4 研究现状分析与总结 |
| 1.5 本文主要研究内容 |
| 第2章 基于高斯过程回归的DC-DC变换器软故障检测 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 基于高斯过程回归的正常输出区间预估 |
| 2.2.1 高斯过程回归基本理论 |
| 2.2.2 协方差函数选择及仿真分析比较 |
| 2.2.3 基于GPR的正常输出区间预估建模过程 |
| 2.3 时域输出的统计特征计算 |
| 2.3.1 统计特征基本含义 |
| 2.3.2 统计特征表征软故障的效果验证 |
| 2.4 基于遗传算法的统计特征极值计算优化 |
| 2.4.1 统计特征极值计算的基本原理 |
| 2.4.2 基于遗传算法的极值优化计算 |
| 2.5 算法实现流程与实验验证 |
| 2.5.1 软故障检测方法实现流程 |
| 2.5.2 仿真实验 |
| 2.5.3 硬件实验 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 基于混叠性度量的DC-DC变换器软故障诊断 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 频域特征计算 |
| 3.2.1 小波包分解基本原理 |
| 3.2.2 小波包局部能量计算 |
| 3.2.3 局部能量特征表征软故障的效果验证 |
| 3.3 基于混叠性度量的敏感故障特征提取 |
| 3.3.1 混叠性度量原理 |
| 3.3.2 软故障敏感特征提取 |
| 3.4 基于SVDD的软故障诊断流程 |
| 3.5 实验验证及结果分析 |
| 3.5.1 仿真实验 |
| 3.5.2 硬件实验 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 基于树突网络的DC-DC变换器参数辨识 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 基于变异系数评估的关键特征提取 |
| 4.3 基于树突网络的参数辨识方法 |
| 4.3.1 树突网络基本原理 |
| 4.3.2 多并行元器件参数辨识网络建模 |
| 4.3.3 输入电压波动下的参数辨识网络建模 |
| 4.4 实验验证及结果分析 |
| 4.4.1 仿真实验 |
| 4.4.2 硬件实验 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 某装备控制板电源电路的软故障诊断及参数辨识 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 某装备控制板电源电路的基本原理及结构 |
| 5.2.1 PWM信号发生模块 |
| 5.2.2 DC-DC变换器模块 |
| 5.3 面向某装备控制板电源电路的方法验证 |
| 5.3.1 软故障注入 |
| 5.3.2 软故障检测实验 |
| 5.3.3 软故障诊断实验 |
| 5.3.4 参数辨识实验 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（6）Cascode结构GaN基HEMT器件功率循环温度可靠性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 氮化镓功率器件概述 |
| 1.1.1 氮化镓材料 |
| 1.1.2 氮化镓HEMT器件结构及类型 |
| 1.2 氮化镓HEMT器件的可靠性研究 |
| 1.2.1 器件参数漂移失效 |
| 1.2.2 器件封装结构失效 |
| 1.2.3 可靠性研究仿真软件 |
| 1.3 氮化镓功率器件封装 |
| 1.3.1 常见封装类型 |
| 1.3.2 器件封装工艺过程 |
| 1.4 功率循环测试 |
| 1.5 本文的结构和安排 |
| 2 Cascode氮化镓HEMT器件结温测试 |
| 2.1 半导体器件结温测试方法 |
| 2.1.1 物理接触法 |
| 2.1.2 光学方法 |
| 2.1.3 电学测量法 |
| 2.2 温敏电参数的选择 |
| 2.3 器件结温的差异验证 |
| 2.3.1 Cascode结构器件结温测试差异 |
| 2.3.2 Cascode结构器件结温测试验证 |
| 2.3.3 结温测试电流范围确定 |
| 2.3.4 不同器件间的结温K线对比 |
| 3 功率循环负载电路设计 |
| 3.1 Cascode氮化镓HEMT器件的工作原理 |
| 3.2 开关损耗电路设计 |
| 3.2.1 电路设计过程 |
| 3.2.2 电路实际效果分析 |
| 3.3 导通损耗电路设计 |
| 3.3.1 电路设计过程 |
| 3.3.2 电路实际效果分析 |
| 4 功率循环测试与结果分析 |
| 4.1 功率循环实验流程 |
| 4.2 器件参数退化分析 |
| 4.3 器件封装结构仿真分析 |
| 4.4 器件解封分析 |
| 5 功率循环中器件参数退化的物理仿真 |
| 5.1 器件建模 |
| 5.2 陷阱分布模型 |
| 5.3 结温循环下器件陷阱分布对参数的影响 |
| 5.4 结温循环下陷阱位置及浓度对参数的影响 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 不足与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
（7）4H-SiC JBS二极管的设计与应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 4H-SiC二极管发展现状 |
| 1.2.2 4H-SiC二极管可靠性研究现状 |
| 1.2.3 4H-SiC二极管应用现状 |
| 1.3 论文的主要内容与组织架构 |
| 第二章 4H-SiC JBS二极管结构设计与仿真研究 |
| 2.1 外延层参数设计 |
| 2.2 仿真平台介绍 |
| 2.2.1 Silvaco仿真软件 |
| 2.2.2 物理模型 |
| 2.3 有源区结构仿真 |
| 2.4 终端结构仿真 |
| 2.4.1 结终端扩展结构 |
| 2.4.2 场限环结构 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 4H-SiC JBS二极管的制备与电学输运机制研究 |
| 3.1 器件制备与基本电学特性表征 |
| 3.1.1 器件制备流程及关键工艺 |
| 3.1.2 基本电学特性测试 |
| 3.2 金属-半导体接触研究 |
| 3.2.1 肖特基接触机理及测试研究 |
| 3.2.2 欧姆接触机理及测试研究 |
| 3.3 4H-SiC JBS二极管电学特性研究 |
| 3.3.1 正向变温I-V特性 |
| 3.3.2 反向变温I-V特性 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 4H-SiC JBS二极管的可靠性研究 |
| 4.1 正向浪涌实验 |
| 4.1.1 正向浪涌测试方法 |
| 4.1.2 测试结果及分析 |
| 4.2 高温高湿反偏实验 |
| 4.2.1 H_3TRB实验方法 |
| 4.2.2 测试结果与分析 |
| 4.3 间歇寿命老化实验 |
| 4.3.1 IOL实验方法 |
| 4.3.2 实验结果与分析 |
| 4.4 温度循环老化实验 |
| 4.4.1 TC实验方法 |
| 4.4.2 实验结果与分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 基于4H-SiC JBS二极管的Boost PFC电路应用分析 |
| 5.1 PFC电路简介 |
| 5.1.1 PFC电路原理 |
| 5.1.2 输出二极管损耗分析方法 |
| 5.2 电学参数测试与分析 |
| 5.2.1 直流参数测试 |
| 5.2.2 反向恢复特性对比 |
| 5.3 PFC电路性能测试 |
| 5.3.1 PFC电路实验方法 |
| 5.3.2 PFC实验结果对比 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录:作者在攻读硕士学位期间取得的成果 |
（8）大电流窄脉宽半导体激光器电源系统研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景及意义 |
| 1.1.1 课题研究背景 |
| 1.1.2 课题研究意义 |
| 1.2 半导体激光器的研究现状 |
| 1.3 本论文的研究内容 |
| 第2章 半导体激光器特性分析 |
| 2.1 半导体激光器基本特点 |
| 2.2 半导体激光器的特点研究 |
| 2.2.1 半导体激光器功率、电压与其驱动电流的关系 |
| 2.2.2 半导体激光器的阈值特性 |
| 2.2.3 半导体激光器的温度特性 |
| 2.3 半导体激光器对驱动电源的要求 |
| 2.4 半导体激光器保护方案 |
| 2.5 脉冲驱动电源的主要指标 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 驱动电路的设计 |
| 3.1 脉冲恒流源的构成 |
| 3.2 窄脉宽脉冲信号的产生 |
| 3.3 高速开关的选择 |
| 3.4 高速开关MOS管的选择 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 改善脉冲幅值和脉宽及恒温控制的措施 |
| 4.1 储能电路分析 |
| 4.2 改善脉冲幅值及宽度的措施 |
| 4.2.1 原理分析 |
| 4.2.2 增大放电回路初始充电电压U0 |
| 4.2.3 缩短脉冲宽度 |
| 4.3 半导体激光器的恒温控制 |
| 4.3.1 温度传感器选取 |
| 4.3.2 温度采样电路 |
| 4.3.3 温度比较电路 |
| 4.4 TEC驱动电路 |
| 4.4.1 热电制冷器 |
| 4.4.2 TEC驱动电路 |
| 4.5 其他电路设计 |
| 4.5.1 温度报警电路 |
| 4.5.2 钳位电路 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 系统仿真与实验分析 |
| 5.1 驱动电路的仿真和分析 |
| 5.1.1 脉冲驱动电路的搭建 |
| 5.1.2 仿真及结果分析 |
| 5.2 脉冲驱动电路的改进 |
| 5.2.1 影响MOSFET开关速度的因素 |
| 5.2.2 脉冲驱动电路的改进 |
| 5.2.3 温控电路的改进 |
| 5.2.4 改进后的电路仿真及结果分析 |
| 5.3 系统实验与分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 |
（9）3D NAND闪存存储器可靠性研究与系统优化（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 非易失性存储器概述 |
| 1.1.1 存储器领域背景介绍 |
| 1.1.2 新型非易失性存储器件 |
| 1.2 NAND闪存技术的发展和革新 |
| 1.2.1 NAND闪存的多比特存储技术 |
| 1.2.2 NAND闪存架构从2D平面到3D堆叠的过渡 |
| 1.2.3 3D NAND闪存技术的发展 |
| 1.3 本文研究内容 |
| 第2章 3D NAND闪存存储器技术机理 |
| 2.1 3D NAND闪存存储单元及存储阵列 |
| 2.1.1 3D NAND闪存存储单元的基本结构 |
| 2.1.2 浮栅型(FG)与电荷俘获型(CT)两种存储单元 |
| 2.1.3 3D NAND闪存存储阵列 |
| 2.2 3D NAND闪存存储器基本操作原理 |
| 2.2.1 Fowler-Nordheim隧穿与直接隧穿机制 |
| 2.2.2 擦除操作 |
| 2.2.3 编程操作 |
| 2.2.4 读操作 |
| 2.3 CT 3D NAND闪存存储器面临的可靠性问题 |
| 2.3.1 数据保持 |
| 2.3.2 擦写循环 |
| 2.3.3 编程干扰和读干扰 |
| 2.4 3D NAND闪存控制器的纠错码 |
| 2.4.1 3D NAND闪存不同阈值电压态的格雷码获取 |
| 2.4.2 LDPC码简介 |
| 2.4.3 LDPC码的Tanner图 |
| 2.4.4 LDPC码的最小和译码原理 |
| 2.4.5 3D NAND闪存最小和算法的Hard译码和Soft译码原理 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 闪存存储器开放块可靠性研究 |
| 3.1 开放块与边缘WL基本背景介绍 |
| 3.2 实验平台描述 |
| 3.2.1 CT 3D NAND闪存测试芯片 |
| 3.2.2 测试系统 |
| 3.3 开放块边缘WL的可靠性退化机制 |
| 3.4 开放块边缘WL可靠性修复方案 |
| 3.4.1 额外读(Extra-Read)修复方案 |
| 3.4.2 额外编程(Extra-Program)修复方案 |
| 3.5 开放块边缘WL的译码流程优化 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 开放块边缘WL额外编程修复方案的进一步研究 |
| 4.1 实验方法描述 |
| 4.2 实验结果展示与分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 闪存存储器最佳读电压方案研究 |
| 5.1 本文研究工作的实验基础 |
| 5.2 NAND闪存阈值电压分布与高斯函数 |
| 5.3 相关研究工作 |
| 5.4 一种新型最佳读电压确定方案 |
| 5.4.1 传统的最佳读电压确定方案 |
| 5.4.2 新型最佳读电压确定方案 |
| 5.4.3 结果分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 本文研究内容总结 |
| 6.2 未来展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表及录用学术论文 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（10）基于故障树分析的弹载测试仪可靠性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1.绪论 |
| 1.1 课题研究背景与意义 |
| 1.2 板级可靠性研究状况 |
| 1.2.1 板级可靠性国外相关研究进展 |
| 1.2.2 板级可靠性国内相关研究进展 |
| 1.3 本文研究内容 |
| 2.弹载测试仪的板级失效机理研究 |
| 2.1 板级可靠性研究基础 |
| 2.1.1 可靠性强化试验 |
| 2.1.2 可靠性理论分析 |
| 2.2 板级组件的失效现象与机理 |
| 2.2.1 PCB的失效分析 |
| 2.2.2 LCR的失效分析 |
| 2.2.3 集成电路的失效分析 |
| 2.2.4 微机电器件的失效分析 |
| 2.2.5 焊点的失效分析 |
| 2.3 失效检测手段与失效模式 |
| 3.弹载测试仪的板级可靠性试验和分析 |
| 3.1 机械应力对可靠性影响 |
| 3.1.1 机械应力理论 |
| 3.1.2 机械应力试验 |
| 3.2 温度应力对可靠性的影响 |
| 3.2.1 温度应力理论 |
| 3.2.2 温度应力试验 |
| 3.3 电磁应力对可靠性的影响 |
| 3.3.1 电磁应力理论 |
| 3.3.2 电磁应力试验 |
| 4.弹载测试仪的FTA逻辑分析系统的建立 |
| 4.1 FTA简介 |
| 4.2 FTA建立 |
| 4.2.1 常用符号 |
| 4.2.2 故障树绘制 |
| 4.3 FTA定性分析 |
| 4.4 FTA定量分析 |
| 4.5 失效案例分析 |
| 5.总结与展望 |
| 5.1 本文总结 |
| 5.2 不足与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表的论文及研究成果 |
| 致谢 |
四、MOS电路稳定性与可靠性研究（论文参考文献）
- [1]SiC MOSFET功率器件标准研究[J]. 高伟,赵璐冰. 标准科学, 2021(12)
- [2]三维封装集成电路中的电热特性分析研究[D]. 闵球. 浙江大学, 2021(01)
- [3]基于环形振荡器的CMOS高速高可靠性时钟电路研究[D]. 方韵. 浙江大学, 2021(01)
- [4]DC-DC变换器软故障诊断及参数辨识研究[D]. 姜月明. 哈尔滨工业大学, 2021
- [5]SRAM存内计算可靠性研究[D]. 占红兰. 安徽大学, 2021
- [6]Cascode结构GaN基HEMT器件功率循环温度可靠性研究[D]. 赵程. 大连理工大学, 2021(01)
- [7]4H-SiC JBS二极管的设计与应用研究[D]. 姜玉德. 江南大学, 2021(01)
- [8]大电流窄脉宽半导体激光器电源系统研究[D]. 高嘉泽. 长春工业大学, 2021
- [9]3D NAND闪存存储器可靠性研究与系统优化[D]. 贾梦华. 山东大学, 2021(12)
- [10]基于故障树分析的弹载测试仪可靠性研究[D]. 李春雨. 中北大学, 2021(09)