一、微波陶瓷小电容器（论文文献综述）
雷慎辉[1]（2018）在《新型钛酸盐微波介质陶瓷的精细微结构调控与性能研究》文中提出微波介质陶瓷（MWDC）是电子和移动通讯等相关产业中重要的基础支撑材料之一,在无线通讯、卫星导航和制导,高清卫星电视以及无线互联局域网络（WLAN和无线WiFi）等许多和生活密切相关的领域都有着重要的应用和巨大的发展潜力。本学位论文通过钙钛矿结构材料中的A/B位离子置换、电子能带结构优化、有序畴和孪晶微结构调控、亚晶粒绝缘内界面层改性等途径对材料的微波介电性能展开了系统研究。探讨了分子极化率、原子堆积密度、离子价态、价键和键能等微观结构与宏观微波介电性能之间的内在联系,同时研究了其在低温共烧陶瓷（LTCC）方面的应用。本论文的主要工作和结论如下:首先采用CaO-B2O3玻璃（简称CB）辅助烧结制备Srx La（1-x）TixAl（1-x）O3系微波陶瓷（STLA,x=0.4-0.7）,使其烧结温度由1550 oC下降到1100 oC。同时低频下的介电性能得到显着提高,室温下陶瓷体系中最低介电损耗值达到了6╳10-4。实验结果证明陶瓷中的离子有序结构与A位离子反对称取代和BO6八面体反相倾斜有关,这一有序结构进而导致了材料微波性能的改善。同时A/B位置换离子的半径差和电价差越大,越有利于A/B位离子有序度的增强。其次采用Zn-B2O3烧结助剂（简称ZB）将STO-LAO陶瓷的烧结温度由1550oC降低到1050 oC,同时获得的低温烧结陶瓷具有优异的微波介电性能。新改性后的0.7Sr0.85Mg0.15TiO3-0.3LaAlO3+10 wt%ZB陶瓷其微波介电性能也十分优异,特别是其烧结温度更低,为950 oC。有趣的是,在0.7STO–0.3LAO+y wt%ZB低温烧结陶瓷中存在的有序结构来源于B位离子的化学有序性。随着ZB的添加,Zn2+离子进入了晶格B-位位置,形成了1:2的新有序结构,从而提高了陶瓷的微波性能。实验结果表明离子尺寸、离子极化率以及晶胞尺寸都与材料的微波介电性能密切相关。低温烧结STO-LAO陶瓷和Ag/Cu电极都具有优良的共烧兼容性,同时材料的热性能测试表明二者的热膨胀系数相匹配,并且材料的传热性能优异,不会在实际使用过程中引入热应力裂纹而导致材料失效。此外,采用一种新的简易固相相变控制方法成功制备出高性能的纯相ZnTiO3材料。在ZnTiO3材料基体中引入弥散的纳米ZnO微区后,通过对Zn2TiO4第二相的形核和长大的抑制作用,消除了其初始形核区并成功阻止了Ti离子的体扩散和相界迁移,从而在相变温度以上首次获得了纯相ZnTiO3。采用快速淬火的准原位测试手段,揭示出相变过程中存在两个主导因素,即Ti离子的体扩散和相界迁移,两者对第二相的形核、长大具有非常重要的作用。Rietveld结构精修表明ZnTiO3相为六方钙钛矿结构R3点群,其晶胞单元为3层密堆结构。在不同层中,晶体滑移方向分别为<002>和<110>。而Zn2TiO4相则为立方反尖晶石结构Fd3m点群,其晶体滑移方向为<111>。Zn2TiO4第二相对成分具有很强的包容性,其晶格中Zn离子和Ti离子共同占据16d的Wyckoff晶体学位置,因此不同的Zn/Ti成分比可对应相同晶体结构。本实验在相变温度以上成功保持了单相ZnTiO3结构,同时材料具有超低微波介电损耗,与Ag电极的低温共烧测试也表明其具有优异的LTCC特性。同时采用简单固相反应法制备出纯相xZn0.9Mg0.1TiO31-xZnNb2O6（ZMT-ZN）陶瓷,其具有可随成分调节的出众的微波介电性能。在较宽的成分区间,陶瓷的性能温度稳定性十分优异。在1000-1100 o C温度下烧结陶瓷的微波性能可以与高温烧结Ba(Mg1/3Ta2/3)O3陶瓷相媲美。实验中发现纳米ZnO抑制剂在相变温度以上抑制了第二相的形核和长大,确保ZMT-ZN陶瓷的纯相组织,另外通过引入更加绝缘化的晶界和相界等内界面结构,有效的降低了材料中电子和氧空位等缺陷载流子的传导。因此,ZMT-ZN陶瓷具有高质量的均匀陶瓷组织和单相结构是其优异介电性能的深层原因。ZMT-ZN陶瓷的制备成本低、工艺简单等优点也使其有望应用于超低损耗微波通讯元器件。最后通过在CaTiO3陶瓷基体中引入三方相晶格阻碍物—NdAlO3相,显着增强了四方相CaTiO3的晶体对称性,从而引起了陶瓷体系中（110）-取向孪晶结构向（111）-取向孪晶结构的转变,进而导致了一种新有序结构的出现。实验揭示出CaTiO3基材料中的孪晶结构与其晶体对称性高度相关。拉曼光谱分峰拟合结果表明钙钛矿结构材料中A位离子周边环境对材料的晶格能量和性能具有决定性作用。简单的A位置换具有更大半径的阳离子,即可实现对材料对称性的调控。而通过A位置换和引入自发极化机制,我们得到了一种可调控的孪晶结构和有序畴结构。特别是压电力显微镜（PFM）、选区电子衍射花样（SAED）和高分辨透射电镜照片（HRTEM）均证实了陶瓷晶粒中可同时存在90度和180度有序畴结构。其中均匀平行排布的90度畴壁和孪晶界对材料中电子/空穴等缺陷载流子迁移和传输具有各向异性的阻碍作用,而这一阻碍作用即使在高温下也十分稳定。通过材料中的缺陷组织工程,对材料晶格中的氧离子空位、电子和空穴等缺陷实现了微结构尺度上的调控,从而显着改善了材料的微波介电性能。
任海玉[2]（1983）在《微波陶瓷小电容器》文中研究表明所研制的微波陶瓷芯片电容器系列可广泛用于各种微波电路中.在4至8GHz频率范围内,其电压驻波比和插入损耗分别为1.25和0.25dB.它们还具有尺寸小,可靠性高和使用方便等优点.某些品种的使用频率可达18GHz.
吴小平[3]（2012）在《基于噪声的微波陶瓷电容器缺陷表征方法和软件研究》文中研究指明微波技术在卫星广播、通信技术、军事雷达等信息系统中所占地位越来越重要,而微波陶瓷电容器业已成为电子工业不可或缺的基础性元器件。这一现状对微波陶瓷电容的可靠性提出了更高的要求。各种缺陷是影响器件可靠性的根本原因。目前,生产厂商主要依靠加速寿命实验来检测元器件可靠性,这种方法不仅能源和时间耗费大,且具有破坏性,不能对每个样品测试。低频噪声与器件内部的材料缺陷和损伤密切相关,基于噪声可以表征微波陶瓷电容内部缺陷,这一方法可以发展成有效评估其可靠性的工具。本文从常见微波陶瓷电容失效模式入手,归纳了其内在失效机理,总结了导致器件失效的内部缺陷,探讨了缺陷、漏电流和噪声之间的关系。针对本文样品的特殊性,制定了微波陶瓷电容I-V特性测试方案和噪声测试方案。根据噪声测试方案,搭建了噪声测试系统的硬件电路,并用虚拟仪器实现了噪声信号采集与分析功能。将研制的测试系统用于研究微波陶瓷电容的偏压特性和温度特性。根据微波陶瓷电容器I-V特性测试结果,分析不同电压段漏电流的输运机制。根据不同批次电容器、不同偏置电压及高压、高温处理后电容器的噪声测试结果,分析了微波陶瓷电容噪声的变化规律,并运用漏电流输运机制解释电容器噪声产生及变化原因。
陈鹤拓[4]（2018）在《两种Nd-Ti基中高介微波陶瓷制备及性能机理研究》文中研究指明随着无线通讯的迅速发展以及物联网技术的日益普及,微波陶瓷器件在这些领域中的应用日趋广泛。例如RFID组件、谐振器、滤波器、振荡器、天线、介质基板等。微波器件尺寸小型化、低损耗、和工作频率稳定性的要求日趋明显。电磁波在折射率为n=（εr）1/2的材料中传播时,其等效波长为λ/n。器件尺寸要和等效波长相当,故器件尺寸的小型化可以通过采用高介电常数εr陶瓷材料实现。品质因数的倒数定义为材料的损耗,因此低损耗可以通过采用高品质因数的陶瓷材料实现。工作频率的稳定性可以由具有近零频率温度系数的陶瓷实现。尽管部分陶瓷表现出较高的介电常数和品质因数,但非零的频率温度系数阻碍了这些陶瓷的广泛应用。频率温度系数可以通过离子取代或者多相复合实现调零,但是在调零过程中,品质因数的变化规律却难以实现准确预测或计算。本论文依据Maxwell方程组,以典型的高介电常数陶瓷Ba3.75Nd9.5Ti18O54和Ca0.61Nd0.26TiO3为研究对象,从理论上和实验上系统地研究了品质因数的计算方法,获得了规律性的研究结果。本论文取得的具有创新意义的研究成果主要包括:1)对于微波频段下电导损耗较高的陶瓷,通过不等价离子取代证实了品质因数和对于微波频段下电导损耗的关系:？-1=？/（？？）;2)对于微波频段下电导损耗较低的陶瓷,仅考虑极化损耗,基于经典Harmonic oscillator理论,推导出了多相复合陶瓷品质因数的计算公式？-k=n-1 to j(Vj？j-k？krj)/n-1 to j(V j？krj)。归纳梳理本论文的实验及理论研究过程,具体研究内容如下:1、根据Maxwell方程组可知总损耗tan？=？/？+？/（？？）是由极化损耗和电导损耗组成。当陶瓷微波频段下电导损耗较高时,tan？≈？/（？？）,并据此设计了通过不等价离子取代降低陶瓷微波频段下电导损耗进而提升陶瓷品质因数的方案。根据Goldschmidt准则,以离子半径差、电负性差和价态差为标准,筛选出针对Ba3.75Nd9.5Ti18O54和Ca0.61Nd0.26TiO3陶瓷可以实现钛位离子取代的离子。2、通过传统固相合成法,在高微波频段下电导损耗较高的Ba3.75Nd9.5Ti18O54中引入低价Al3+取代,研究了该离子取代对陶瓷微波介电性能的影响。根据陶瓷Powder X-ray Diffraction（XRD）分析和精修,证实了小离子半径的Al3+固溶进了Ti4+位。根据X-ray photoelectron spectroscopy（XPS）检测结果发现取代后的陶瓷表现出较低的电导率,同时陶瓷的品质因数随着微波频段下电导率的降低而降低,证实了微波频段下电导损耗和品质因数之间的联系:？-1=？/（？？）。根据Clausius-Mosotti方程探讨了平均离子极化率对介电常数非线性的控制关系。根据电容器模型,验证了频率温度系数和介电常数的线性关系,发现二者的比例约为常数1 ppm/℃。Ba3.75Nd9.5(Ti0.917Al0.111)18O54陶瓷在1350 ℃保温烧结2小时时表现出优良的微波性能:？？=73,？？=13000GHz,？？=+5ppm/℃。3、通过固定Al3+取代含量,研究了Ba6-3xNd8+2xTi18O54陶瓷在x取不同值时微波介电性能变化规律。通过对比Al3+取代前后陶瓷的品质因数值发现:当x大于2/3时,陶瓷较易发生钛还原,通过Al3+取代可以有效抑制钛还原,进而提高陶瓷品质因数;当x小于2/3时,陶瓷微波频段下电导损耗远低于极化损耗。介电常数和频率温度系数在Al3+取代前后的变化规律均一致。4、在高微波频段下电导损耗较高的Ca0.61Nd0.26TiO3陶瓷中引入Al3+取代,研究离子取代对其微波介电性能的影响。通过XRD分析和精修,证实了离子取代。根据XPS检测,发现随着取代量的增加,微波频段下电导率降低且品质因数上升,证实了微波频段下电导损耗和品质因数之间的关系:？-1？/（？？）。根据Clausius-Mosotti方程,发现陶瓷的介电常数主要受控于平均离子极化率。根据电容器模型,发现频率温度系数与陶瓷介电常数的比值基本为一定值约5ppm/℃。讨论了第二相对陶瓷微波介电性能的影响。在1400℃保温烧结2小时,Ca0.61Nd0.26Ti0.9Al0.111O3陶瓷表现出优良的微波特性:？r=72,？f=15500GHz,？？=+155ppm/℃。5、针对单独的Al3+取代会导致Ba3.75Nd9.5Ti18O54介电常数偏低的问题,根据Goldschmidt准则,通过引入高离子极化率的Nb5+与Al3+同时取代,维持了陶瓷较高的介电常数。通过XRD检测和精修,证实了离子取代。通过对比气孔率和晶粒尺寸,和Al3+取代陶瓷的品质因数,证实该方法可以有效提升陶瓷的品质因数。证实了电容器模型理论,发现频率温度系数与陶瓷介电常数的比值基本为一定值约1 ppm/℃。Ba3.75Nd9.5(Ti0.917(Al0.5Nb0.5)0.083)18O54陶瓷在1400 ℃保温烧结2小时表现出优良的微波特性:？r=80,？？=12000 GHz,？？=+7ppm/℃。6、为克服单独采用Al3+取代导致Ba3.75Nd9.5Ti18O54介电常数偏低的问题,同时为了验证Goldschmidt准则对于离子价态差大于1时取代量会较低的预测,在该陶瓷中引入了(Mg1/3Nb2/3)4+取代。通过XRD检测和精修分析,发现陶瓷的晶胞体积随取代量的增加而增大,证实了离子取代。该离子取代同样可以维持陶瓷较高的品质因数,并且相较于Al3+取代,其较高的平均离子极化率维持了陶瓷较高的介电常数。(Mg1/3Nb2/3)4+取代的实验结果证实了Goldschmidt准则。即当取代和被取代的两种离子价态相差大于1时,相对于Al3+取代,其取代量较低仅约0.028。并讨论了第二相对陶瓷性能的影响。证实了电容器模型理论,频率温度系数与陶瓷介电常数的比值基本为一定值约1ppm/℃。Ba3.75Nd9.5(Ti0.972(Mg1/3Nb2/3)0.028)18O54陶瓷在1360℃保温烧结2小时可以获得微波特性:？？=85,？？=10500GHz,？？=+35ppm/℃。7、在Ca0.61Nd0.26TiO3中引入(Cr1/2Nb1/2)4+取代。与Al3+取代相比,随着(Cr1/2Nb1/2)4+取代量的增加,介电常数降低幅度较小,达到了维持陶瓷高介电常数的目的。通过XPS检测,发现取代后的陶瓷Ti3+含量降低,即微波频段下电导率较低,同时表现出较高的品质因数,证实了微波频段下电导率和品质因数之间的倒数关系。证实了电容器模型,发现频率温度系数和介电常数的比值基本为一定值约5ppm/℃。Ca0.61Nd0.26Ti0.9(Cr1/2Nb1/2)0.1O3陶瓷在1400 ℃保温烧结2小时,微波性能为:？r=95,？？=15000GHz,？？=+170ppm/℃。8、在微波频段下高电导损耗的Ba3.75Nd9.5Ti18O54陶瓷中,当采用等价Bi3+离子取代时,根据Jonscher准则,陶瓷品质因数仅受谐振频率的影响:？-1？？n。根据XRD检测数据和精修晶胞参数分析,证实了离子取代。Bi3+取代后的陶瓷气孔率较高,但是,根据Clausius-Mosotti方程,平均离子极化率和介电常数并非线性关系,因此陶瓷仍然保持介电常数不断上升的趋势。但较高的气孔率导致陶瓷品质因数不断降低。9、当陶瓷微波频段下电导损耗较低时,采用多相复合可以有效地调节体系的频率温度系数,但是品质因数随着取代量的变化却难以预测。根据Harmonic Oscillator模型,在微波频段下,对于一个给定的材料,其品质因数仅受谐振频率控制。对于多相复合陶瓷,其介电常数随两相的体积摩尔比变化可以由Maxwell-Wagner公式拟合,并得到唯一的拟合参数k。在此基础上,推导出新的品质因数计算公式,可以准确地计算两相复合过程中陶瓷品质因数的变化规律。经过对比该公式的计算结果和已有报道的结果,发现其不但可以成功预测多相共存的材料品质因数,并且还可以应用于固溶体和等价离子取代的情况。
董雪[5]（2019）在《Mg2Al4Si5O18系微波介质陶瓷材料制备及性能研究》文中指出微波介质陶瓷（Microwave Dielectric Ceramic）是应用型的陶瓷,这种陶瓷在300MHz到300GHz的微波频段的电子芯片中可以作为介质,并且也可以实现作为器件的功能。微波介质陶瓷有三个关键的性能参数,这三个参数分别为相对介电常数（εr）、品质因数（Q×f）与谐振频率温度系数（τf）,它们与微波器件及设备的应用方向、损耗大小和稳定性高低密切相关。据研究报道,堇青石(Mg2Al4Si5O18)具有低介电常数,高品质因数的特点。本文对Mg2Al4Si5O18体系陶瓷进行了系统全面的研究。通过用元素非化学计量比、两相复合、离子取代等方法系统研究了该材料的晶体结构和晶体结构变化对微波介电性能的影响。1.本论文通过用固相反应的方法,制备了二价镁离子的非化学计量比的Mg（2+2x）Al4Si5O18（x=0.00,0.025,0.05,0.075,0.10）微波介质陶瓷。随着MgO的量的增加,陶瓷的品质因数先增大后减少,介电常数在3.25到4.8之间,频率温度系数在-32ppm/℃到-34ppm/℃之间,而烧结温度在1425到1440℃之间。当x=0.075时,Mg（2+2×0.075）Al4Si5O18微波介质陶瓷在1430℃的温度下烧结三小时后得到了最优的微波介电性能:εr=4.75,Q×f=76,000GHz,τf=-34 ppm/℃。2.本文研究了两相复合而成的Mg2Al4Si5O18+x wt.%Mg2SiO4（x=0-80）微波介质陶瓷。通过研究,证明了Mg2Al4Si5O18和Mg2SiO4两相可以共存,且没有其它相生成。并进一步分析了该微波介质陶瓷的晶体结构、微观形貌的改变对该复合陶瓷的微波介电性能的影响。复合相陶瓷Mg2Al4Si5O18+x wt.%Mg2SiO4（x=0-80）的品质因数随着参数x的值增加,产生了先上升后下降的变化。当x=50,烧结温度为1340℃时,样品取得了最优的微波介电性能:εr=5.73,Q×f=76,374GHz,τf=-24ppm/℃。3.本文研究了Mg2+离子位的部分取代对于(Mg0.8R0.2)2Al4Si5O4（R=Ca,Zn,Co,Mn,Sr,Ba,Nd）陶瓷的微观结构的改变及微波介电性能的影响。对于(Mg0.8R0.2)2Al4Si5O4陶瓷,当R=Ca,Zn,Co,Mn,Sr,Nd时,主晶相保持相同;而Sr和Zn取代后有第二相产生,这意味着Sr和Zn的离子取代是部分离子取代。Ba取代后生成了BaMg2(Al6Si9O30)相。研究发现,用Co和Zn对Mg2Al4Si5O18陶瓷取代Mg2+离子位可以提高样品的品质因数。当R=Co,在1400℃烧结(Mg0.8Co0.2)2Al4 Si5O4陶瓷时,得到的陶瓷样品产生了最佳的微波介电性能:εr=4.86,Q×f=63,828GHz,τf=-32ppm/℃。4.为调节Mg2Al4Si5O18陶瓷的频率温度系数,本文研究了（1-x wt.%）Mg2Al4Si5O18+x wt.%CaTiO3（x=5-25）的波介质陶瓷,通过测试陶瓷的微波介电性能发现:随着CaTiO3摩尔百分含量的增加,陶瓷的介电常数先增大后减小;陶瓷的品质因数也随着CaTiO3质量百分比的增加而变小;并且CaTiO3的加入使得该体系的烧结温度降低。当x=25时,75wt.%Mg2Al4Si5O18+25wt.%CaTiO3陶瓷在1370℃的烧结温度下烧结三小时后取得了优异的微波介电性能:εr=5.9,Q×f=7,822GHz,τf=-19ppm/℃。
江婵[6]（2012）在《低介电常数微波陶瓷材料的制备、介电性能及机理研究》文中认为低介电常数、高品质因数微波介质陶瓷材料的合成及研究是近年来的研究热点，本文制备了Sm2SiO5陶瓷，Sm4（SiO4）3陶瓷，Nd2SiO5陶瓷，Al2O3-TiO2陶瓷，MgTiO3-CaTiO3陶瓷和（Zn,Mg）TiO3-TiO2陶瓷，并用XRD、SEM、EDS和TG-DTA等多种分析测试手段及开腔谐振测试方法，研究了这些低介陶瓷的相组成、致密度和微观结构等对材料介电性能的影响，探索介电性能的演变规律，并将（Zn,Mg）TiO3-TiO2复合陶瓷用于制备多层片式陶瓷电容器（MLCC）。1.研究以非化学计量比效应合成新型的单相Sm2SiO5低介电常数微波陶瓷。当Sm2O3/SiO2摩尔比为1:1.05，在1350℃烧结4h，可得到纯的单斜Sm2SiO5相。随着温度的升高，可以得到少量的六方Sm4（SiO4）3相，并且随着温度的升高，Sm2SiO5陶瓷样品的相对密度随之增加。Sm2SiO5陶瓷在1500℃下烧结后，有优良的介电性能：εr=8.5,Q×f=64878.71GHz和τf=-37.64ppm/℃。Sm2SiO5陶瓷材料有着较宽的烧成温度范围和小的负温度系数，因此可以作为优良的介电材料用于毫米波通讯装置中。2.研究以非化学计量比效应合成新型的单相Sm4（SiO4）3低介高频微波陶瓷。发现Sm2O3-xSiO2（1.425≤x≤1.6）在1350-1600℃下烧结四个小时，均能得到纯六方Sm4（SiO4）3相。当x=1.5时，样品的介电性能: εr=9.03，Q×f=17470.76GHz （12.40GHz）和τf=-24.4ppm/℃。Sm4（SiO4）3陶瓷材料有着很宽的烧成温度范围和较小的负温度系数。3.研究以非化学计量比效应合成新型的单相Nd2SiO5低介电常数微波陶瓷。当Nd2O3/SiO2摩尔比为1:1.05，在1450℃下烧结时，第二相六方Nd4Si3O12相消失，纯单斜Nd2SiO5相出现。随着烧温的升高，Nd2SiO5陶瓷的相对密度升高。Nd2SiO5陶瓷在1500℃下烧结，介电性能: εr=7.94，Q×f=38800GHz, τf=-53ppm/℃。高自谐振频率导致低的介电常数和低的Q×f值。Nd2SiO5陶瓷有较宽的烧成温度范围，它们有潜力应用在微波被动元器件中。4.使用新颖的水基溶胶凝胶法合成0.9Al2O3-0.1TiO2包覆性纳米颗粒，用二（2-羟基丙酸）二氢氧化二铵合钛（TALH）为钛盐水基前驱体，与传统的钛醇盐sol-gel法相比，不需要乙醇做溶剂体系。本文对其制备条件进行了优化。α-Al2O3和金红石相晶粒生长指数（n）各为2.5和4，晶粒生长活化能分别为100kJ/mol和107kJ/mol。沿着晶界扩散后形成的缝合线，纳米层通过高温自组装途径生长，其微波介电性能：εr=10.4, Q×f=18000GHz, τf=-10.8ppm/℃（在1300℃烧结）和εr=13, Q×f=32000GHz, τf=45ppm/℃（又在1100℃下退火10h）。5.采用固相法合成MgTiO3-CaTiO3复合陶瓷，加入CaTiO3用来调节MgTiO3过负的频率温度系数，加入3ZnO-B2O3可以促进体系的烧结。（a） MgTiO3-CaTiO3陶瓷随着CaTiO3掺入量的增加，体系的介电常数和温度系数随之增加，品质因数随之下降，样品的介电性能与微观结构和晶相转变有着密不可分的联系。0.97MgTiO3-0.03CaTiO3在1300℃下具有优良的微波介电性能: εr=18.23, Q×f=76529GHz （7.37GHz）和τf=-34.68ppm/°C。（b）适量的ZB掺杂0.97MgTiO3-0.03CaTiO3，在降低烧温的同时，并没有明显恶化体系的介电性能。0.97MgTiO3-0.03CaTiO3+2wt.%ZB在1225℃下具有优良的微波介电性能: εr=17.96, Q×f=79346GHz （7.47GHz）和τf=-34.93ppm/°C。6.采用固相法合成（Zn,Mg）TiO3-TiO2复合陶瓷，加入TiO2用来稳定（Zn, Mg）TiO3六方相和调节谐振频率温度系数，加入3ZnO-B2O3可以促进体系的烧结，体系遵循液相烧结机理，烧结过程中有明显的晶界运动。SEM和EDS显示，在烧结过程中，游离的（Zn, Mg）TiO3颗粒会在晶界上产生偏析甚至脱溶出来分凝在晶界上。SnO2因为能阻止晶界扩张而被用做晶粒细化剂。样品的介电性能与微观结构和晶相转变有着密不可分的联系，我们发现（Zn, Mg）TiO3-0.25TiO2+1.0wt.%3ZnO-B2O3+0.1wt.%SnO2（ZMTZBS，1000°C）呈现优良的介电性能: εr=27.7, Q×f=65494GHz （6.07GHz）和τf=-8.88ppm/°C。7.用介电性能优良的ZMTZBS陶瓷粉料成功制造了具有良好电性能的多层片式陶瓷电容器。我们发现：随着电容量增加，电容器的自谐振频率和等效串联电阻相应减少，而品质因数随着频率或电容量增加而减少。
熊喆[7]（2020）在《Ba/Ca-Nd-Ti基高介微波介质陶瓷制备与改性机理研究》文中指出高介微波介质陶瓷及LTCC微波陶瓷材料对微波器件的小型化和集成化有着至关重要的作用。本文以正交钨青铜结构的Ba3.75Nd9.5Ti18O54（BNT,εr～85）和正交钙钛矿结构的Ca0.61Nd0.26Ti O3（CNT,εr～107）高介微波陶瓷为研究对象,对其存在的Ti还原问题展开深入、系统的研究。此外,本文通过选取合适的烧结助剂制备出了BNT和CNT基高介LTCC微波介质陶瓷材料。本文主要研究成果如下:（1）首先用四种不同的低价金属离子(Cu2+、Cr3+、Al3+、Mn2+)对BNT陶瓷进行B位等量取代,有效地抑制了BNT陶瓷中弱束缚电子与晶格Ti的结合,进而阻止Ti还原的发生;而且还能降低BNT陶瓷的电导率,从而提升其Q×f值。用复合离子(Al0.5Nb0.5)4+对BNT陶瓷（BNTAN）进行等价的B位取代不仅在一定程度上可以提升陶瓷的Q×f值,还能持续降低体系的τf值,当(Al0.5Nb0.5)4+取代量为x=2时,BNT陶瓷的τf值降低到+0.3 ppm/℃。通过分析BNTAN样品的拉曼光谱发现:晶胞体积减小使得氧八面体收缩、扭曲,拉曼位移随之增加。氧八面体的收缩、扭曲造成了体系谐振频率温度系数的降低。晶胞体积的收缩减小了电子活动的空间,离子的电子云分布空间随之收缩,离子极化率变小,所以样品介电常数减小。在前人的研究基础上,对BNT陶瓷进行了A、B位的协同取代研究。用离子半径较小的Sm3+取代Ba3.75Nd9.5Ti17.5(Cr0.5Nb0.5)0.5O54（BNTCN）中的Nd3+,通过降低氧八面体的倾角来降低BNTCN体系的τf值。当Sm3+取代量为x=3时,样品的内部应变最小,Q×f值最大。（2）为了获得更高介电常数、低介质损耗的微波介质陶瓷,采用了五种不同金属离子(Cr3+、Al3+、Cu2+、Mn2+、Sn4+)对CNT陶瓷进行额外掺杂研究,发现Cr3+和Al3+比其它三种离子在抑制CNT陶瓷的Ti还原方面,效果更好,所以Cr3+和Al3+掺杂对陶瓷Q×f值的提升效果更显着。基于此,我们又设计研究了Ca0.61Nd0.26Ti1-xCrxO3（CNTC）陶瓷样品。结果表明,CNTC样品介电常数的降低不仅与样品的晶粒尺寸和离子极化率的降低有关,还依赖于Ca-O、Nd-O及B-O键的离子性的降低。当x=0.01时,CNTC样品的Q×f值达到最大,为16078GHz。在此基础上,分别用两种含Cr的复合离子(Cr0.5Ta0.5)4+和(Cr0.5Nb0.5)4+对CNT陶瓷（CNTCT、CNTCN）进行了B位取代研究。CNTCT和CNTCN样品在x=0～0.1范围内均表现为单一正交钙钛矿结构的相。而且,两种含Cr的CNTC和CNTCT陶瓷样品在770 cm-1处都出现新的拉曼强峰,这表明Cr3+对CNT晶体内部电子云分布造成了巨大影响,从而加强或产生了拉曼峰。CNTCT和CNTCN样品的Q×f值分别在x=0.05和x=0.06时达到最大,分别为14860和14590 GHz。这三种离子取代都会明显地降低CNT陶瓷的介电常数和τf值。τf值的降低主要与CNT晶格中的氧八面体畸变度的降低有关。（3）本文研究的Ca0.61Nd0.26Ti1-xAlxO3（CNTA）陶瓷样品的TEM结果表明,x=0.05的样品中存在超晶格结构。这种超晶格结构可能是由于B位离子Ti/Al有序排列造成的。XPS结果表明CNTA样品中的Ti还原在x=0.01时就被完全抑制,因此其Q×f值在x=0.01时就得到了大幅度提升。虽然Al3+取代会主动产生额外的氧空位,但是氧空位会与Al’Ti结合形成Al’Ti-OV··缺陷偶极子,在一定程度上降低氧空位的迁移率,从而降低样品的电导率和电导损耗。所以CNTA样品的Q×f值随着取代量的增加而一直升高。在所设计研究的Ca0.61Nd0.26Ti1-x(Al0.5Nb0.5)xO3（x=0～0.12,CNTAN）样品中,x=0.12的样品出现B位1:1有序结构,这在一定程度上有利于样品Q×f值的提升。CNTAN样品中的Ti还原在x=0.04时可以被完全抑制。Al3+和(Al0.5Nb0.5)4+取代都会大幅度、持续地提升CNT陶瓷的Q×f值并在一定程度上改善其τf值。Ca0.61Nd0.26Ti0.96(Al0.5Nb0.5)0.04O3样品的微波介电性能为:εr=102.4,Q×f=15300 GHz,τf=+242.5 ppm/℃。基于该陶瓷样品优异的微波介电性能,我们设计并制备了(Ca0.61Nd0.26)1-x(Li0.5Nd0.5)xTi0.96(Al0.5Nb0.5)0.04O3（x=0～0.8,CLNTAN）陶瓷样品。当x=0.76时,CLNTAN样品的微波介电性能为:εr=129.2,Q×f=2210 GHz,τf=-1.4ppm/℃。拉曼光谱结果表明,CLNTAN样品的拉曼峰的半峰宽的不断增大,即拉曼振动阻尼增大,表明陶瓷样品内部损耗提升,所以样品Q×f值不断降低。（4）在高温下,熔融的LB助烧剂（Li2O-B2O3-Si O2和Ba O-Zn O-B2O3组合而成）形成的液相对BNTCN陶瓷有很好的浸润性,有效地降低了陶瓷的烧结激活能。所以,BNTCN的烧结温度从1390℃降低到了950℃。当LB助烧剂掺杂量为5 wt%时,BNTCN陶瓷在950oC下可烧结致密,并拥有极具竞争性的微波介电性能:εr=73.4,Q×f=5280 GHz,τf=+7.1 ppm/℃。此外,本文选择Ba O-Zn O-Li2O-B2O3-Si O2助烧剂成功地将Ca0.244Li0.3Nd0.404Ti0.96Al0.02Nb0.02O3陶瓷的烧结温度从1230℃降低到了950℃。掺杂4 wt%BZLBS助烧剂的陶瓷样品在950oC下烧结后的微波介电性能为:εr=104.7,Q×f=2560 GHz,τf=-2.1 ppm/℃。
骆建辉[8]（2010）在《ZnNb2O6-TiO2复合微波陶瓷材料的研究及其在MLCC上的应用》文中进行了进一步梳理本文研究了ZnNb2O6-1.75TiO2微波陶瓷（简称ZNT）的低温烧结机理和介电性能。用XRD、SEM、EPMA、EDS等分析手段及开腔谐振腔法讨论了ZNT陶瓷的相成分、微观结构及介电性能,探讨了体系微观结构的变化与介电性能的关系,制备具有良好介电性能的低温烧结ZNT基微波介质材料,并将其应用于多层片式陶瓷电容器（MLCC）。1.以2.0wt.%CuO+4.67wt.% 2ZnO·3B2O3·3H2O（CZB）作为烧结助剂,研究了在不同烧结温度下（925～1050°C）,掺杂不同MgO含量的ZNT-yMgO复合微波陶瓷材料的相变、微观结构和介电性能。结果表明: Mg2+很容易取代ZNT体系中的Zn2+生成（Zn,Cu,Mg）Nb2O6,（Zn,Cu,Mg）TiNbO8,（Zn,Cu, Mg）0.17Nb0.33Ti0.5O2等物质。Mg2+的取代起到细化晶粒、稳定六方铌铁矿相结构的作用,然而,掺杂量过大会劣化材料的介电性能。结果表明:当掺杂量y=0.05时,烧结温度为950°C时得到的ZNT微波陶瓷具有较好的介电性能:εr =35.6, Q×f =16,231GHz,τf =-10ppm/°C。2.添加SnO2和CZB作为烧结助剂可以成功地将ZNT复合陶瓷的烧结温度降低到950°C以下并得到良好的介电性能。在该体系中,SnO2可以有效地减少Zn2TiO4相的生成,改善材料的介电性能尤其是Q×f值;同时SnO2能提高ZNT陶瓷的绝缘电阻,有利于ZNT陶瓷材料在被动元器件上的应用。受相成分和微观结构变化影响,εr值和τf值随温度升高而减小。我们发现,当烧结温度为950°C时,添加了CZB和0.15wt.% SnO2的ZNT陶瓷可以得到较好的介电性能:εr=36.7,τf =-22.6ppm/℃,Q×f=18,172.2GHz。3.铌酸锌基（ZNT）复合微波陶瓷材料可以成功地应用于制造MLCC。我们研究了元器件的设计、工艺参数对MLCC性能的影响。利用XRD, SEM和EDS等分析手段研究了电容器的微观结构、内电极与瓷体的兼容性,并测试了电容器的电性能。结果表明:当烧结温度为950°C时,制备的高Q型MLCC具有优良的电性能和较高的可靠性。
宋正军[9]（2019）在《CAS/YMAS基微波介质陶瓷的改性研究》文中提出随着物联网、5G通讯、多路通讯技术时代的到来,人们对信号的传输速度和质量有了更高的需求,这就对微波介质陶瓷材料的需求更加迫切。尤其是低介电常数和高品质因数以及频率温度系数可调的陶瓷材料成为了研究的热点领域。本文通过高温固相反应法制备具有低介电常数的Ca2Al2SiO7（CAS）陶瓷,Y2.9R0.1MgAl3SiO12（R=Lu,Y,Dy,Eu,Sm）陶瓷,（1-x）Y3MgAl3SiO12-xTiO2（x=0,0.03,0.06,0.09,0.2）陶瓷。（1）通过高温固相法制备Ca2Al2SiO7陶瓷。XRD分析表明该陶瓷为单相陶瓷。Rietveld结构精修表明该陶瓷属于四方晶系,由AlO4与（Si/Al）O4四面体构成五元环结构,Ca原子与周围的氧原子构成八配位多面体结构。样品密度是影响微波介电性能的主要因素。通过变温Raman和变温XRD表明该陶瓷的居里温度点高于900℃。在烧结温度为1440℃时获得最佳的微波介电性能:εr=8.86,Q×f=22457 GHz,τf=-51.06 ppm/℃。（2）通过高温固相法制备Y2.9R0.1MgAl3SiO12（R=Lu,Y,Dy,Eu,Sm）陶瓷。研究了离子半径对Y3MgAl3SiO12（YMAS）陶瓷的物相组成、晶体结构以及介电性能的影响。XRD分析表明,制备的样品都是单相陶瓷,衍射峰与PDF#33-0040匹配,属于立方晶系。当掺入的离子半径与Y3+离子半径最接近时,即Y2.9Dy0.1MgAl3SiO12陶瓷在1525℃时获得最佳微波介电性能:εr=9.4,Q×f=63796 GHz,τf=-35.8 ppm/℃。（3）通过高温固相法制备（1-x）Y3MgAl3SiO12-xTiO2（x=0,0.03,0.06,0.09,0.2）陶瓷,研究TiO2添加量的不同对Y3MgAl3SiO12陶瓷的微波介电性能影响,XRD分析表明,随着TiO2添加量的增加会产生TiO2和Y2Ti2O7的相。随着TiO2的量增加可以降低烧结温度、缩小烧结范围、增大介电常数、使频率温度系数往正的方向移动。在x=0.2时,0.8Y3MgAl3SiO12-0.2TiO2陶瓷在1450℃时获得最佳的微波介电性能:εr=11.7,Q×f=21054 GHz,τf=+5.23 ppm/℃。
马调调[10]（2019）在《微波介质陶瓷材料应用现状及其研究方向》文中研究表明微波介质陶瓷作为一种新型电子材料,在现代通信中被用作谐振器、滤波器、介质基片、介质天线、介质导波回路等,广泛应用于微波技术的许多领域,如移动通讯、卫星通讯和军用雷达等。随着科学技术日新月异的发展,通信信息量的迅猛增加,以及人们对无线通信的要求,使用卫星通讯和卫星直播电视等微波通信系统己成为当前通信技术发展的必然趋势,这就使得微波材料在民用方面的需求逐渐增多,如手机、汽车电话、蜂窝无绳电话等移动通信和卫星直播电视等新的应用装置。笔者综述了国内外微波介质陶瓷的应用现状,阐明微波介质陶瓷材料应用中存在的问题,指明微波陶瓷材料今后的研究方向。
二、微波陶瓷小电容器（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、微波陶瓷小电容器（论文提纲范文）
（1）新型钛酸盐微波介质陶瓷的精细微结构调控与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 论文的主要创新与贡献 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷 |
| 1.2.1 微波介质陶瓷的发展 |
| 1.2.2 微波介质陶瓷的研究现状 |
| 1.3 微波介质陶瓷在电路中的应用 |
| 1.3.1 微波介质谐振器、滤波器 |
| 1.3.2 MWDC电容器 |
| 1.3.3 微波介质基片 |
| 1.3.4 微波介质陶瓷低温烧结与LTCC技术 |
| 1.4 微波介质陶瓷的机理研究现状 |
| 1.4.1 电介质理论 |
| 1.4.2 微波介质陶瓷的常见性能指标 |
| 1.5 微波介质陶瓷近年来的研究热点与发展方向 |
| 1.6 微波介质陶瓷存在的问题及解决方法 |
| 1.7 本论文的选题背景和意义 |
| 1.8 本论文的主要研究内容 |
| 第2章 实验方法 |
| 2.1 实验原料与制备工艺 |
| 2.2 结构表征与性能测试 |
| 第3章 Sr_xLa_(1-x)Ti_xAl_(1-x)O_3的CaO-B_2O_3 玻璃辅助低温烧结和离子有序行为 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.3 Sr_xLa_(1-x)Ti_xAl_(1-x)O_3 陶瓷的结构演化 |
| 3.4 Sr_xLa_(1-x)Ti_xAl_(1-x)O_3 陶瓷的CaO-B_2O_3 玻璃辅助低温烧结 |
| 3.5 Sr_xLa_(1-x)Ti_xAl_(1-x)O_3 陶瓷的离子有序行为 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 x SrTiO_3-(1-x)LaAlO_3 的固溶结构调控和LTCC特性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.3 xSrTiO_3-(1-x)LaAlO_3 陶瓷的固溶结构调控 |
| 4.4 xSrTiO_3-(1-x)LaAlO_3 陶瓷的LTCC特性 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 ZnTiO_3 材料的相变调控、能带结构和LTCC特性 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.3 ZnTiO_3 材料的相变调控 |
| 5.4 ZnTiO_3 纯相材料的制备 |
| 5.5 ZnTiO_3 材料的能带结构 |
| 5.6 ZnTiO_3 材料的微波性能和LTCC特性 |
| 5.7 本章小结 |
| 第6章 Zn_(0.9)Mg_(0.1)TiO_3-ZnNb_2O_6 陶瓷的微结构、相变控制以及界面效应 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验过程 |
| 6.3 Zn_(0.9)Mg_(0.1)TiO_3-ZnNb_2O_6 陶瓷的微结构和相变控制 |
| 6.4 Zn_(0.9)Mg_(0.1)TiO_3-ZnNb_2O_6 陶瓷的微波性能和界面效应 |
| 6.5 本章小结 |
| 第7章 CaTiO_3 材料的微观组织调控和性能设计 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 实验过程 |
| 7.3 CaTiO_3 基材料中孪晶和畴等微观组织调控 |
| 7.4 孪晶、孪晶界和反相畴界对缺陷传导的作用机理 |
| 7.5 本章小结 |
| 主要结论与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 |
| 致谢 |
（3）基于噪声的微波陶瓷电容器缺陷表征方法和软件研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 研究现状 |
| 1.3 全文内容安排 |
| 第二章 微波陶瓷电容的缺陷来源与漏电流 |
| 2.1 微波介电陶瓷发展历程 |
| 2.2 微波陶瓷电容中的常见失效 |
| 2.2.1 微波陶瓷电容失效模式 |
| 2.2.2 微波陶瓷电容失效机理分析 |
| 2.3 微波陶瓷电容中的缺陷及其来源 |
| 2.3.1 生产过程中存在的缺陷 |
| 2.3.2 加工过程中引入的缺陷 |
| 2.3.3 使用过程中存在的缺陷 |
| 2.4 介质中的漏电流 |
| 2.5 陶瓷介质中的缺陷与漏电流、噪声的关系 |
| 第三章 微波陶瓷电容的I-V特性和低频噪声测试 |
| 3.1 微波陶瓷电容的缺陷检测方法 |
| 3.1.1 加速寿命实验 |
| 3.1.2 常规无损检测方法 |
| 3.1.3 噪声无损检测方法 |
| 3.2 微波陶瓷电容I-V特性测试方案 |
| 3.3 微波陶瓷电容I-V特性测试原理 |
| 3.4 微波陶瓷电容噪声测试方案 |
| 3.5 微波陶瓷电容噪声测试系统 |
| 3.5.1 噪声测试系统组成 |
| 3.5.2 噪声测试硬件系统 |
| 3.5.3 噪声测试虚拟仪器软件设计 |
| 3.5.4 噪声测试分析软件实现 |
| 3.5.5 微波陶瓷电容器噪声测试系统的功能 |
| 第四章 微波陶瓷电容I-V特性和低频噪声特性研究 |
| 4.1 微波陶瓷电容I-V特性研究(漏电流输运机制) |
| 4.1.1 介质漏电流输运机制分类 |
| 4.1.2 I-V特性测试实验结果及输运机制讨论 |
| 4.2 噪声测试系统验证 |
| 4.2.1 噪声测试系统验证方案 |
| 4.2.2 噪声测试系统验证结果 |
| 4.3 微波陶瓷电容应力损伤灵敏表征参量优选 |
| 4.3.1 灵敏表征参量优选原则 |
| 4.3.2 电参量与噪声参量灵敏性比较 |
| 4.4 微波陶瓷电容低频噪声特性研究 |
| 4.4.1 微波陶瓷电容低频噪声特性 |
| 4.4.2 噪声特性分析讨论 |
| 第五章 结束语 |
| 5.1 本文总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 研究生在读期间研究成果 |
（4）两种Nd-Ti基中高介微波陶瓷制备及性能机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波陶瓷起源和发展 |
| 1.3 微波陶瓷国内外发展现状 |
| 1.4 微波陶瓷应用简介 |
| 1.4.1 微波介质谐振器 |
| 1.4.2 LTCC技术 |
| 1.5 微波介电性能及机理 |
| 1.5.1 介电常数 |
| 1.5.2 品质因数 |
| 1.5.3 频率温度系数 |
| 1.6 高介陶瓷常见问题 |
| 1.7 选题意义和主要研究内容 |
| 第二章 材料制备、表征和分析 |
| 2.1 主要内容 |
| 2.2 样品制备 |
| 2.2.1 原料 |
| 2.2.2 样品制备流程 |
| 2.3 样品表征测试 |
| 2.3.1 微波介电性能测试 |
| 2.3.2 介电常数测试和计算 |
| 2.3.3 品质因数的测试和计算 |
| 2.3.4 频率温度系数 |
| 2.4 样品性能分析 |
| 2.4.1 体密度、理论密度和气孔率 |
| 2.4.2 XRD物相分析 |
| 2.4.3 SEM表面微观形貌分析 |
| 2.4.4 EDXA微区元素含量分析 |
| 2.4.5 XPS测试 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 三价离子取代机理及验证 |
| 3.1 陶瓷改性方法 |
| 3.2 离子取代的意义 |
| 3.3 离子取代可行性 |
| 3.3.1 离子半径差 |
| 3.3.2 电中性 |
| 3.3.3 电负性 |
| 3.3.4 容忍因子 |
| 3.4 离子取代对陶瓷性能影响 |
| 3.4.1 介电常数 |
| 3.4.2 品质因数 |
| 3.4.3 频率温度系数 |
| 3.5 三价取代的两种Nd-Ti基微波陶瓷 |
| 3.5.1 样品制备及测试方法 |
| 3.5.2 Al~（3+）取代的Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18)O_(54)陶瓷 |
| 3.5.3 Al~（3+）取代的Ba_(6-3x)Nd_(8+2x)Ti_(18)O_(54)陶瓷 |
| 3.5.4 Al~（3+）取代的Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 高低价离子取代机理及验证 |
| 4.1 高价取代机理 |
| 4.1.1 介电常数 |
| 4.1.2 品质因数 |
| 4.1.3 频率温度系数 |
| 4.2 离子取代可行性 |
| 4.2.1 取代可行性 |
| 4.2.2 容忍因子 |
| 4.3 高低价取代 |
| 4.3.1 样品制备及测试方法 |
| 4.3.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)(Ti_(1-x)(Al_(1/2)Nb_(1/2))x)_(18)O_（54）陶瓷 |
| 4.3.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5)(Ti_(1-x)(Mg_(1/3)Nb_(2/3))x)_(18)O_(54)陶瓷 |
| 4.3.4 三价取代和高低价取代性能对比 |
| 4.3.5 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Cr1/2Nb1/2)xO_3陶瓷 |
| 4.3.6 三价取代和高低价取代性能对比 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 AB位离子取代 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 AB位离子取代可行性 |
| 5.2.1 取代可行性 |
| 5.2.2 容忍因子 |
| 5.3 AB位取代对微波性能的影响 |
| 5.3.1 介电常数 |
| 5.3.2 品质因数 |
| 5.3.3 频率温度系数 |
| 5.4 AB位取代验证 |
| 5.4.1 样品制备及测试方法 |
| 5.4.2 Ba_(3.75)(Nd_(1-x)Bix)9.5(Ti_(0.944)Al_(0.074))_(18)O_(54)陶瓷 |
| 5.4.3 Ba_(3.75)(Nd_(1-x)Bix)9.5(Ti_(0.972)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.028))_(18)O_(54)陶瓷 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 多相复合陶瓷 |
| 6.1 研究意义 |
| 6.2 介电常数计算 |
| 6.2.1 常见模型 |
| 6.2.2 Maxwell-Wagner数学修正 |
| 6.3 品质因数计算 |
| 6.3.1 常见方法和模型 |
| 6.3.2 多相复合品质因数计算公式推导 |
| 6.3.3 两相复合品质因数计算 |
| 6.3.4 获取品质因数和k值 |
| 6.3.5 两相复合品质因数验证 |
| 6.3.5.1 两相共存例证 |
| 6.3.5.2 两相复合形成固溶体例证 |
| 6.3.5.3 等价离子取代验证 |
| 6.4 k值的确定性 |
| 6.5 多相复合陶瓷频率温度系数 |
| 6.6 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 本文总结 |
| 7.2 未来展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（5）Mg2Al4Si5O18系微波介质陶瓷材料制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷的研究历程及应用 |
| 1.2.1 微波介质陶瓷的研究历程 |
| 1.2.2 微波介质陶瓷的应用 |
| 1.3 微波介质陶瓷材料的体系 |
| 1.4 微波介质陶瓷的机理 |
| 1.5 微波介质的介电特性 |
| 1.5.1 介电常数 |
| 1.5.2 品质因数 |
| 1.5.3 频率温度系数 |
| 1.6 Mg_2Al_4Si_5O_(18)系微波介质陶瓷 |
| 1.7 选题意义和主要研究内容 |
| 第二章 实验过程与性能表征 |
| 2.1 实验思路 |
| 2.2 实验样品的制备 |
| 2.2.1 实验原料 |
| 2.2.2 实验仪器 |
| 2.2.3 工艺流程 |
| 2.3 微波介电测试 |
| 2.3.1 介电性能测试设备 |
| 2.3.2 介电性能测试原理 |
| 2.4 物理性能测试和微观结构表征测试 |
| 2.4.1 密度 |
| 2.4.2 XRD |
| 2.4.3 SEM和EDS |
| 第三章 非化学计量比制备Mg_2Al_4Si_5O_(18)微波介质陶瓷研究 |
| 3.1 实验 |
| 3.2 Mg_((2+2x))Al_4Si_5O_(18) (x=0.00-0.10)微波介质陶瓷的结构与性能 |
| 3.2.1 Mg_((2+2x))Al_4Si_5O_(18) (x=0.00-0.10)微波介质陶瓷的结构 |
| 3.2.2 Mg_((2+2x))Al_4Si_5O_(18) (x=0.00-0.10)陶瓷的介电性能 |
| 3.3 总结 |
| 第四章 复合及离子取代对Mg_2Al_4Si_5O_(18)陶瓷性能影响的研究 |
| 4.1 MAS+x wt.%Mg_2SiO_4(x=0-80)微波介质陶瓷性能的研究 |
| 4.1.1 实验过程 |
| 4.1.2 MAS+x wt.%Mg_2SiO_4(x=0-80)陶瓷的结构与性能 |
| 4.1.2.1 MAS+x wt.%Mg_2SiO_4(x=0-80)陶瓷的结构 |
| 4.1.2.2 MAS+x wt.%Mg_2SiO_4(x=0-80)陶瓷介电性能 |
| 4.1.3 结论 |
| 4.2 (Mg_(0.8)R_(0.2))AS (R=Ca,Zn,Co,Mn,Sr,Ba,Nd)陶瓷微波介电性能的研究 |
| 4.2.1 实验过程 |
| 4.2.2 (Mg_(0.8)R_(0.2))AS (R=Ca,Zn,Co,Mn,Sr,Ba,Nd)陶瓷的结构与性能 |
| 4.2.2.1 (Mg_(0.8)R_(0.2))AS(R=Ca,Zn,Co,Mn,Sr,Ba,Nd)陶瓷的结构 |
| 4.2.2.2 (Mg_(0.8)R_(0.2))AS (R=Ca,Zn,Co,Mn,Sr,Ba,Nd)陶瓷介电性能 |
| 4.2.3 结论 |
| 4.3 (1-x wt.%)MAS+x wt.%CaTiO_3(x=5-25)陶瓷微波介电性能的研究 |
| 4.3.1 实验过程 |
| 4.3.2 (1-x wt.%)MAS+x wt%CaTiO_3(x=5-25)陶瓷的结构与性能 |
| 4.3.2.1 (1-x wt.%)MAS+x wt.%CaTiO_3(x=5-25)陶瓷的结构 |
| 4.3.2.2 (1-x wt.%)MAS+x wt.%CaTiO_3(x=5-25)陶瓷性能 |
| 4.3.3 结论 |
| 第五章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 |
（6）低介电常数微波陶瓷材料的制备、介电性能及机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 电介质理论 |
| 1.2 微波介质陶瓷的主要性能参数 |
| 1.2.1 相对介电常数 |
| 1.2.2 品质因数 |
| 1.2.3 谐振频率温度系数 |
| 1.3 低介微波陶瓷材料的研究现状 |
| 1.3.1 Al_2O_3系 |
| 1.3.2 ZnO-TiO_2系 |
| 1.3.3 MgO-TiO_2系 |
| 1.3.4 Zn_2SiO4系 |
| 1.3.5 MgO-SiO_2系 |
| 1.3.6 CaSiO_3系 |
| 1.3.7 Mg_4Nb_2O_9系 |
| 1.4 多层片式陶瓷电容器 |
| 1.4.1 MLCC 国内外的发展现状 |
| 1.4.2 MLCC 的发展趋势 |
| 1.5 本论文的研究背景和研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 实验试剂和仪器 |
| 2.2 陶瓷样品的制备与性能测试 |
| 2.2.1 陶瓷样品的制备 |
| 2.2.2 性能测试 |
| 参考文献 |
| 第三章 Sm_2SiO_5陶瓷的合成和性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品制备及测试 |
| 3.3 物相分析 |
| 3.4 SEM 和 EDS 分析 |
| 3.5 微波介电性能研究 |
| 3.6 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 Sm_4(SiO_4)_3陶瓷的合成和性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 物相分析 |
| 4.3 SEM 和 EDS 分析 |
| 4.4 微波介电性能研究 |
| 4.5 小结 |
| 第五章 Nd_2SiO_5陶瓷的合成和性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品制备及测试 |
| 5.3 物相分析 |
| 5.4 SEM 和 EDS 分析 |
| 5.5 介电性能研究 |
| 5.5.1 温度对介电性能的影响 |
| 5.5.2 频率对 Nd_2SiO_5陶瓷介电性能的影响 |
| 5.6 小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 Al_2O_3-TiO_2陶瓷的水基溶胶凝胶法合成和机理研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 样品制备及测试 |
| 6.2.1 陶瓷粉体颗粒的制备 |
| 6.2.2 Al_2O_3-TiO_2陶瓷的制备 |
| 6.2.3 测试与表征 |
| 6.3 粉体制备条件的优化 |
| 6.4 0.9Al_2O_3-0.1TiO_2前驱体的 TG/DSC 和 TMA 分析 |
| 6.5 不同制备条件下粉体的物相分析 |
| 6.5.1 不同 pH 值下粉体的物相分析 |
| 6.5.2 不同煅烧温度下粉体的物相分析 |
| 6.5.3 不同煅烧时间下粉体的物相分析 |
| 6.6 晶粒生长指数和活化能计算 |
| 6.7 不同热处理条件下粉体的 SEM 分析 |
| 6.7.1 不同煅烧温度下粉体的 SEM 分析 |
| 6.7.2 不同煅烧时间下粉体的 SEM 分析 |
| 6.8 0.9Al_2O_3-0.1TiO_2陶瓷的 XRD 和介电性能分析 |
| 6.9 小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 MgTiO_3-CaTiO_3陶瓷的制备和性能研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 样品制备及测试 |
| 7.2.1 样品制备 |
| 7.2.2 样品测试 |
| 7.3 MgTiO_3-CaTiO_3复合体系 |
| 7.3.1 物相分析 |
| 7.3.2 SEM 和 EDS 研究 |
| 7.3.3 介电性能研究 |
| 7.4 0.97MgTiO_3-0.03CaTiO_3的 ZB 掺杂改性研究 |
| 7.4.1 物相分析 |
| 7.4.2 SEM 分析 |
| 7.4.3 0.97MgTiO_3-0.03CaTiO_3+ZB 的介电性能研究 |
| 7.5 小结 |
| 参考文献 |
| 第八章 (Zn,Mg)TiO_3-TiO_2陶瓷的合成和掺杂改性研究 |
| 8.1 引言 |
| 8.2 样品制备及测试 |
| 8.3 (Zn0.8Mg0.2)TiO_3-zTiO_2的 XRD 分析 |
| 8.4 微波介电性能研究 |
| 8.5 SEM 和 EDS 分析 |
| 8.6 对 ZMTZBS 复合陶瓷的进一步研究 |
| 8.6.1 镁含量和烧温对 ZMTZBS (y=1.0)的影响 |
| 8.6.2 ZB 和烧温对 ZMTZBS (x= 0.2)的影响 |
| 8.6.3 烧温对 ZMTZBS (x= 0.2, y=1.0)+0.1 wt.% MnO_2的影响 |
| 8.7 小结 |
| 参考文献 |
| 第九章 用 ZMT 复合陶瓷制备 MLCC 的应用研究 |
| 9.1 引言 |
| 9.2 外形结构和尺寸 |
| 9.3 MLCC 的制备和电性能测试 |
| 9.3.1 MLCC 的制备 |
| 9.3.2 电容器的电性能测试 |
| 9.4 电容器截面的 SEM 和 EDS 分析 |
| 9.5 电容器电性能分析 |
| 9.5.1 电容量和频率对电性能的影响 |
| 9.5.2 介质层厚度对电性能的影响 |
| 9.7 小结 |
| 参考文献 |
| 结论 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（7）Ba/Ca-Nd-Ti基高介微波介质陶瓷制备与改性机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷的研究历史与应用前景 |
| 1.2.1 研究历史 |
| 1.2.2 应用前景 |
| 1.3 微波介电性能参数 |
| 1.3.1 相对介电常数 |
| 1.3.2 品质因数 |
| 1.3.3 谐振频率温度系数 |
| 1.4 微波介质陶瓷主要体系 |
| 1.4.1 低介微波介质陶瓷 |
| 1.4.2 中高介微波介质陶瓷 |
| 1.4.3 高介微波介质陶瓷 |
| 1.5 低温和超低温共烧陶瓷 |
| 1.6 选题意义和主要研究内容 |
| 第二章 陶瓷样品的制备和分析测试方法 |
| 2.1 陶瓷样品的制备 |
| 2.2 陶瓷样品的性能测试 |
| 2.3 陶瓷样品的宏观与微观特性表征 |
| 第三章 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18)O_(54)高介微波陶瓷的改性机理研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 微量离子取代对Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18)O_(54)陶瓷的微波介电性能影响 |
| 3.2.1 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)M_(0.5)O_(54)陶瓷设计与样品制备 |
| 3.2.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)M_(0.5)O_(54)陶瓷样品的微结构与微观形貌 |
| 3.2.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)M_(0.5)O_(54)陶瓷样品的微波介电性能分析 |
| 3.3 (Al_(0.5)Nb_(0.5))~(4+)对Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18)O_(54)陶瓷的B位取代机制研究 |
| 3.3.1 Ba3_(.75)Nd_(9.5)Ti_(18-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_(54)陶瓷样品的制备 |
| 3.3.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_(54)陶瓷的结构与微观形貌分析 |
| 3.3.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_(54)陶瓷的微波介电性能 |
| 3.4 Sm~(3+)对Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷的A位取代机制研究 |
| 3.4.1 Ba_(3.75)Nd_(9.5-x)SmxTi_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷样品的制备 |
| 3.4.2 Ba_(3.75)Nd_(9.s-x)SmxTi_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷样品的结构和微观形貌 |
| 3.4.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5-x)SmxTi_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷样品的微波介电性能 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3高介微波陶瓷的改性机理研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的拉曼振动光谱分析及其P-V-L理论 |
| 4.2.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的拉曼振动光谱分析 |
| 4.2.2 基于Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的复杂化学键理论 |
| 4.3 微量添加剂对Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的微波介电性能影响 |
| 4.3.1 掺杂的Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的制备 |
| 4.3.2 掺杂的Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的相成分与微观形貌分析 |
| 4.3.3 掺杂的Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的致密度与微波介电性能分析 |
| 4.4 Cr~(3+)对Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代机制研究 |
| 4.4.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Cr_xO_3陶瓷样品的制备 |
| 4.4.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Cr_xO_3陶瓷样品的结构和微观形貌分析 |
| 4.4.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Cr_xO_3陶瓷样品的微波介电性能分析 |
| 4.5 (Cr_(0.5)(Ta/Nb)_(0.5))~(4+)对Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代机制研究 |
| 4.5.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Cr_(0.5)(Ta/Nb)_(0.5))_xO_3陶瓷样品的制备 |
| 4.5.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Cr_(0.5)Ta_(0.5))_xO_3陶瓷样品结构和微波介电性能分析 |
| 4.5.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_xO_3陶瓷样品结构和微波介电性能分析 |
| 4.6 Al~(3+)对Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代机制研究 |
| 4.6.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Al_xO3陶瓷样品的制备 |
| 4.6.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Al_xO_3陶瓷样品的结构和微观形貌分析 |
| 4.6.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Al_xO_3陶瓷样品的微波介电性能分析 |
| 4.7 (Al_(0.5)Nb_(0.5))~(4+)对Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代机制研究 |
| 4.7.1 Ca_(0.6)1Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Al0.5Nb0.5)_xO_3陶瓷样品的制备 |
| 4.7.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_3陶瓷样品的结构和微观形貌分析 |
| 4.7.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_3陶瓷样品的微波介电性能分析 |
| 4.8 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的A、B位离子协同取代机制研究 |
| 4.8.1 CLNTAN陶瓷样品的制备 |
| 4.8.2 CLNTAN陶瓷样品的结构和微观形貌分析 |
| 4.8.3 CLNTAN陶瓷样品的微波介电性能分析 |
| 4.9 本章小结 |
| 第五章 高介LTCC陶瓷材料的制备和低温烧结及介电性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基LTCC材料的研究与制备 |
| 5.2.1 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基低温烧结陶瓷的制备 |
| 5.2.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基陶瓷的低温烧结特性研究 |
| 5.2.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基低温烧结陶瓷的微结构分析 |
| 5.2.4 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基低温烧结陶瓷介电性能 |
| 5.3 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基LTCC材料的研究和制备 |
| 5.3.1 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基低温烧结陶瓷的制备 |
| 5.3.2 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基陶瓷的低温烧结特性研究 |
| 5.3.3 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基低温烧结陶瓷的微结构 |
| 5.3.4 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基低温烧结陶瓷介电性能 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 论文总结和展望 |
| 6.1 论文主要结论 |
| 6.2 论文创新点 |
| 6.3 后续研究工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（8）ZnNb2O6-TiO2复合微波陶瓷材料的研究及其在MLCC上的应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 微波介质陶瓷材料 |
| 1.1.1 微波介质陶瓷材料及其发展 |
| 1.1.2 微波介质陶瓷材料的主要性能指标 |
| 1.1.2.1 介电常数ε_r |
| 1.1.2.2 品质因数Q |
| 1.1.2.3 谐振频率温度系数τ_f |
| 1.2 ZnNb_2O_6微波介质陶瓷 |
| 1.2.1 ZnNb_2O_6 微波介质材料的研究现状 |
| 1.2.1.1 掺杂改性研究 |
| 1.2.1.2 低温烧结机理研究 |
| 1.2.2 ZnNb_2O_6 体系材料存在问题及发展趋势 |
| 1.3 多层片式陶瓷电容器(MLCC) |
| 1.3.1 多层片式陶瓷电容器的背景 |
| 1.3.2 多层陶瓷电容器的结构 |
| 1.3.3 微波片式陶瓷电容器的设计 |
| 1.3.4 多层片式瓷介电容器的发展趋势 |
| 1.3.5 我国微波多层陶瓷电容器行业存在的问题 |
| 1.4 本文的研究背景、内容 |
| 1.4.1 本文的研究背景 |
| 1.4.2 本文的研究内容 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 实验试剂 |
| 2.2 实验仪器 |
| 2.3 陶瓷粉体的制备与性能测试 |
| 2.3.1 实验过程与制备工艺 |
| 2.3.2 性能测试 |
| 2.3.2.1 体积密度及线收缩率测试 |
| 2.3.2.2 材料性能的测试 |
| 2.3.2.3 材料相组成的测试与分析 |
| 2.4 微波片式瓷介电容器的制备及性能测试 |
| 2.4.1 微波片式瓷介电容器的制备工艺 |
| 2.4.1.1 制浆 |
| 2.4.1.2 制带 |
| 2.4.1.3 印刷 |
| 2.4.1.4 等均压 |
| 2.4.1.5 切割 |
| 2.4.1.6 排胶 |
| 2.4.1.7 烧结 |
| 2.4.1.8 倒角 |
| 2.4.1.9 涂银 |
| 2.4.1.10 烧银 |
| 2.4.1.11 电镀 |
| 2.4.2 电容器的电性能测试 |
| 2.4.2.1 容量(Cp) |
| 2.4.2.2 损耗因数(D) |
| 2.4.2.3 绝缘电阻(IR) |
| 2.4.2.4 绝缘电阻率(ρ) |
| 2.4.2.5 介质耐电压 |
| 2.4.2.6 自谐频率(SRF) |
| 第三章 MgO 掺杂ZnNb_2O_6 -1.75TiO_2复合微波陶瓷材料 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.2.1 试样制备 |
| 3.2.2 样品测试 |
| 3.3 ZNT-yMgO 复合微波陶瓷的相结构分析 |
| 3.3.1 ZNT-yMgO(y=0.05~0.3)复合微波陶瓷在950℃烧结时的相结构分析 |
| 3.3.2 ZNT-0.05MgO 复合微波陶瓷在不同温度下烧结的相结构分析 |
| 3.4 SEM 与EPMA 分析 |
| 3.5 介电性能分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 SnO_2的添加对ZNT 微波介质陶瓷的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验 |
| 4.2.1 样品的制备 |
| 4.2.2 样品性能测试 |
| 4.3 添加SnO_2的ZNT 陶瓷相结构分析 |
| 4.4 添加SnO_2的ZNT 复合陶瓷微观结构(SEM)分析 |
| 4.5 添加SnO_2的ZNT 陶瓷晶粒的电子探针成分(EPMA)分析 |
| 4.6 添加SnO_2的ZNT 陶瓷的微波介电性能 |
| 4.7 添加SnO_2的ZNT 陶瓷的绝缘电阻 |
| 4.8 本章小结 |
| 第五章 ZNT 复合微波材料在多层片式陶瓷电容器(MLCC)的应用研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.2.1 配方 |
| 5.2.2 器件设计参数 |
| 5.2.3 器件的测试与表征 |
| 5.3 实验结果与讨论 |
| 5.3.1 电容器瓷体表面的显微结构分析 |
| 5.3.2 电容器瓷体内部的显微结构分析 |
| 5.3.3 电容器瓷体与Ag_(90)Pd_(10) 内电极的兼容性与可靠性研究 |
| 5.3.4 电容器端头的附着力研究 |
| 5.3.5 电容器电性能分析 |
| 5.3.5.1 不同烧结温度对电容器电性能的影响 |
| 5.3.5.2 不同容量电容器的电性能 |
| 5.3.5.3 各种型号规格电容器性能参数 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（9）CAS/YMAS基微波介质陶瓷的改性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷的发展历史与现状 |
| 1.3 微波介质陶瓷的分类 |
| 1.3.1 低ε_r和高Q值类 |
| 1.3.2 中ε_r和Q值类 |
| 1.3.3 高ε_r和低Q值类 |
| 1.4 微波介质陶瓷的应用及产业概述 |
| 1.5 微波介质陶瓷的指标参数 |
| 1.5.1 介电常数 |
| 1.5.2 品质因数 |
| 1.5.3 谐振频率温度系数 |
| 1.6 选题意义和研究内容 |
| 2 实验制备与分析 |
| 2.1 实验原料与相关设备 |
| 2.2 实验样品的制备工艺 |
| 2.3 样品性能测试方法及原理 |
| 2.3.1 密度测试 |
| 2.3.2 物相成分 |
| 2.3.3 扫描电镜分析测试 |
| 2.3.4 介电性能测试 |
| 2.3.5 拉曼测试 |
| 3 Ca_2Al_2SiO_7陶瓷的制备与研究 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.3 实验结果与测试分析 |
| 3.3.1 物相及晶体结构分析 |
| 3.3.2 微观形貌分析 |
| 3.3.3 介电性能研究分析 |
| 3.3.4 变温拉曼光谱分析 |
| 3.3.5 介电温谱分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 Y_(2.9)R_(0.1)MgAl_3SiO_(12)陶瓷的制备与研究 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.3 实验结果与测试分析 |
| 4.3.1 烧结特性 |
| 4.3.2 物相及晶体结构分析 |
| 4.3.3 微观形貌分析 |
| 4.3.4 介电性能研究分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 (1-x)Y_3MgAl_3SiO_(12-x)TiO_2陶瓷的制备与研究 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.3 实验结果与测试分析 |
| 5.3.1 烧结特性 |
| 5.3.2 物相分析 |
| 5.3.3 微观形貌分析 |
| 5.3.4 介电性能研究分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（10）微波介质陶瓷材料应用现状及其研究方向（论文提纲范文）
| 前言 |
| 1 微波介质陶瓷材料的发展 |
| 1.1 微波介质陶瓷材料的发展背景 |
| 1.2 国内外微波介质陶瓷材料的发展 |
| 2 微波介质陶瓷材料的应用 |
| 2.1 微波介质陶瓷的性能要求 |
| 2.2 微波介质陶瓷材料的分类 |
| 2.2.1 低介微波介质陶瓷体系 |
| 2.2.1.1 Al2O3-TiO2 系 |
| 2.2.1.2 R2Ba (Cu1-xAx) O5系 |
| 2.2.1.3 A (B'1/3B''2/3) O3系 |
| 2.2.1.4 钛酸镁系列 |
| 2.2.1.5 AWO4系 |
| 2.2.1.6 AB2O6系 |
| 2.2.2 中介微波介质陶瓷体系 |
| 2.2.2.1 (Zr, Sn) TiO4系 |
| 2.2.2.2 BaO-TiO2系 |
| 2.2.3 高介微波介质陶瓷 |
| 2.2.3.1 BaO-R2O3-TiO2系 |
| 2.2.3.2 CaO-Li2O-R2O3-TiO2系 |
| 2.2.3.3 (A'1-xA''x) BO3型 |
| 2.2.3.4 铅基钙钛矿系 |
| 2.3 微波介质陶瓷材料的主要应用 |
| 2.3.1 介质谐振器 |
| 2.3.2 介质滤波器 |
| 2.3.3 其它方面的应用 |
| 3 微波介质陶瓷材料存在的问题和展望 |
四、微波陶瓷小电容器（论文参考文献）
- [1]新型钛酸盐微波介质陶瓷的精细微结构调控与性能研究[D]. 雷慎辉. 西北工业大学, 2018(02)
- [2]微波陶瓷小电容器[J]. 任海玉. 固体电子学研究与进展, 1983(04)
- [3]基于噪声的微波陶瓷电容器缺陷表征方法和软件研究[D]. 吴小平. 西安电子科技大学, 2012(05)
- [4]两种Nd-Ti基中高介微波陶瓷制备及性能机理研究[D]. 陈鹤拓. 电子科技大学, 2018(07)
- [5]Mg2Al4Si5O18系微波介质陶瓷材料制备及性能研究[D]. 董雪. 电子科技大学, 2019(01)
- [6]低介电常数微波陶瓷材料的制备、介电性能及机理研究[D]. 江婵. 华南理工大学, 2012(11)
- [7]Ba/Ca-Nd-Ti基高介微波介质陶瓷制备与改性机理研究[D]. 熊喆. 电子科技大学, 2020(03)
- [8]ZnNb2O6-TiO2复合微波陶瓷材料的研究及其在MLCC上的应用[D]. 骆建辉. 华南理工大学, 2010(03)
- [9]CAS/YMAS基微波介质陶瓷的改性研究[D]. 宋正军. 杭州电子科技大学, 2019(01)
- [10]微波介质陶瓷材料应用现状及其研究方向[J]. 马调调. 陶瓷, 2019(04)