晶体中螺旋位错的弱束衍射

晶体中螺旋位错的弱束衍射

一、关于晶体中螺位错的弱束衍衬像(论文文献综述)

林保军,唐清[1](1984)在《关于晶体中螺位错的弱束衍衬像》文中指出 采用运动学衍衬理论,对晶体中螺位错引起的弱束衍衬像强度峰高度、位置随晶体试样厚度t,偏离参数S,位错线所在试样内部深度y的变化关系进行了计算。考虑到弱束时S比较大及S与位错柏氏矢量b之间的夹角,计算时对经典的运动学理论做了修正。

林保军,唐清[2](1983)在《关于晶体中螺位错的弱束衍衬像》文中进行了进一步梳理 采用运动学衍衬理论,对晶体中螺位错引起的弱束衍衬像强度峰高度、位置随晶体试样厚度t,偏离参数S,位错线所在试样内部深度y的变化关系进行了计算。考虑到弱束时S比较大及S与位错柏氏矢量b之间的夹角,计算时对经典的运动学理论做了修正。

刘安生[3](1982)在《高分辨衍衬技术及其应用》文中研究说明弱束技术和高阶明场技术是电子显微学中两种重要的高分辨成像技术。它是研究小于100埃的缺陷(位错、位错环、层错等)的精细结构和微小沉淀物的有力工具。本文介绍了这两种成像技术的原理、成像条件和实验方法,并使用这两种特殊成像技术研究了高温状态下氢气氛生长的单晶硅和变形铝中的位错和位错环。最后,分析和比较了这两种成像技术的特点及其适用条件。

二、关于晶体中螺位错的弱束衍衬像(论文开题报告)

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

三、关于晶体中螺位错的弱束衍衬像(论文提纲范文)

四、关于晶体中螺位错的弱束衍衬像(论文参考文献)

  • [1]关于晶体中螺位错的弱束衍衬像[J]. 林保军,唐清. 电子显微学报, 1984(04)
  • [2]关于晶体中螺位错的弱束衍衬像[A]. 林保军,唐清. 第三次中国电子显微学会议论文摘要集(二), 1983
  • [3]高分辨衍衬技术及其应用[J]. 刘安生. 稀有金属, 1982(03)

标签:;  ;  ;  

晶体中螺旋位错的弱束衍射
下载Doc文档

猜你喜欢